CN107675128B - 掩膜版框架 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种掩膜版框架,其包括依次连接的多条边框,多条边框闭合形成开口。其中,边框底部开设有开槽,开槽的延伸方向与边框的延伸方向相同,且开槽的两端未延伸至边框的两端部。本发明提出的掩膜版框架,通过在边框的底部开设开槽的结构设计,在蒸镀过程中,能够改善掩膜版框架的边框中部下垂的问题,保证掩膜版框架各位置与基板之间良好的贴合效果,避免混色问题的产生。同时,由于掩膜版框架的边框部分挖去而形成开槽,使得掩膜版框架的重量减小,有利于满足元件轻量化的要求。
Description
技术领域
本发明涉及OLED器件制造领域,尤其涉及一种掩膜版框架。
背景技术
平板显示器件主要包括LCD显示器件、OLED显示器件、PDP显示器件和电子墨水显示器件等多种类型。其中,OLED显示器件具有轻薄、低功耗、高对比度、高色域和可以实现柔性显示等优点,是下一代显示器的发展趋势。OLED显示器件可进一步包括PMOLED和AMOLED类型,其中AMOLED显示的实现方式包含LTPS背板和精细金属掩膜(FMM Mask)结合的方式以及Oxide背板、WOLED和彩膜结合的方式。前者主要应用于小尺寸面板,例如手机或其他移动设备,后者主要应用于大尺寸面板,例如显示面板和电视等应用。现在LTPS背板和FMM Mask结合的方式已经初步成熟,实现了量产。
承上,由于掩膜版在设计和制作时存在问题,导致目前的掩膜版框架四边平坦度呈现类似开口向上的抛物线函数曲线。因此导致在蒸镀时,抛物线的最低点及附近位置与玻璃贴合的状态较差,容易导致混色出现。
发明内容
本发明的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷,提供一种平坦度较高且与基板的贴合状态较佳的掩膜版框架。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
根据本发明的一个方面,提供一种掩膜版框架,其中,所述掩膜版框架包括依次连接的多条边框,多条所述边框闭合形成开口。所述边框底部开设有开槽,所述开槽的延伸方向与所述边框的延伸方向相同,且所述开槽的两端未延伸至所述边框的两端部。
根据本发明的其中一个实施方式,所述开槽位于所述边框的延伸方向上的中部位置。
根据本发明的其中一个实施方式,所述开槽的高度由其中央至两端渐缩。
根据本发明的其中一个实施方式,所述开槽在延伸方向上呈弓形。
根据本发明的其中一个实施方式,所述边框的内侧壁与所述掩膜版框架所在平面具有一倾斜角度,所述开槽具有形成在所述内侧壁的槽壁和槽底,所述槽壁沿所述延伸方向开设且垂直于所述掩膜版框架所在平面,所述槽底一侧连接所述槽壁,另一侧邻接所述内侧壁。
根据本发明的其中一个实施方式,所述槽壁具有第一侧边和第二侧边,所述第一侧边两端分别连接于所述第二侧边两端,所述第一侧边为直线形,所述第一侧边与所述第二侧边的间距由所述槽壁的中央至两端渐缩。
根据本发明的其中一个实施方式,所述第二侧边在延伸方向上呈圆弧形。
根据本发明的其中一个实施方式,所述开槽在所述边框的宽度方向上贯通所述边框的两侧。
由上述技术方案可知,本发明提出的掩膜版框架的优点和积极效果在于:
本发明提出的掩膜版框架,通过在边框的底部开设开槽的结构设计,在蒸镀过程中,能够改善掩膜版框架的边框中部下垂的问题,保证掩膜版框架各位置与基板之间良好的贴合效果,避免混色问题的产生。同时,由于掩膜版框架的边框部分挖去而形成开槽,使得掩膜版框架的重量减小,有利于满足元件轻量化的要求。
附图说明
通过结合附图考虑以下对本发明的优选实施方式的详细说明,本发明的各种目标、特征和优点将变得更加显而易见。附图仅为本发明的示范性图解,并非一定是按比例绘制。在附图中,同样的附图标记始终表示相同或类似的部件。其中:
图1是现有掩膜版框架的结构示意图;
图2是图1中示出的现有掩膜版框架的平坦度曲线示意图;
图3a和图3b是一种结构的形变原理示意图;
图4是根据一示例性实施方式示出的一种掩膜版框架的结构示意图;
图5是图1中沿直线E-E所作的截面图;
图6是图4中沿直线F-F所作的截面图;
图7是图1中沿直线M-M所作的截面图;
图8是图4中沿直线N-N所作的截面图。
具体实施方式
体现本发明特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本发明能够在不同的实施例上具有各种的变化,其皆不脱离本发明的范围,且其中的说明及附图在本质上是作说明之用,而非用以限制本发明。
在对本发明的不同示例性实施方式的下面描述中,参照附图进行,所述附图形成本发明的一部分,并且其中以示例方式显示了可实现本发明的多个方面的不同示例性结构、系统和步骤。应理解的是,可以使用部件、结构、示例性装置、系统和步骤的其他特定方案,并且可在不偏离本发明范围的情况下进行结构和功能性修改。而且,虽然本说明书中可使用术语“底部”、“之间”、“端部”等来描述本发明的不同示例性特征和元件,但是这些术语用于本文中仅出于方便,例如根据附图中所述的示例的方向。本说明书中的任何内容都不应理解为需要结构的特定三维方向才落入本发明的范围内。
参阅图4,其代表性地示出了本发明提出的掩膜版框架的结构示意图。在该示例性实施方式中,本发明提出的掩膜版框架是以应用于OLED显示器件的掩膜版张网工艺中的掩膜版框架为例进行说明的。本领域技术人员容易理解的是,为将本发明的相关设计应用于其他类型的显示器件或其他工艺中,而对下述的具体实施方式做出多种改型、添加、替代、删除或其他变化,这些变化仍在本发明提出的掩膜版框架的原理的范围内。
参阅图1和图2,图1中示出了一种现有掩膜版框架110的结构示意图;图2中示出了上述现有掩膜版框架110的平坦度曲线示意图。以下结合上述附图,对与本发明较为相关的背景技术进行进一步详细说明。
如图1所示,以OLED显示器件的掩膜版张网工艺为例,掩膜版框架110是设置在基板(例如玻璃基板)的一表面上。掩膜版框架110主要包括依次连接的四条边框111,这些边框111闭合形成开口130而供掩膜版设置。其中,掩膜版框架110倒置于蒸镀源上方进行蒸镀时,掩膜版框架110的四边部分因重力而产生下垂,导致掩膜版框架110的平坦度异常,从而使掩膜版框架110与基板的贴合度不佳。承上,使用相关检测设备按照图1中现有的掩膜版框架110上A→B→C→D→A(A、B、C、D分别为掩膜版框架110的四角位置,即各条边框111的端点位置)的测量路径对掩膜版框架110的平坦度进行测量,得到如图2示出的平坦度曲线。可以看出,掩膜版框架110的四条边框111的平坦度曲线明显呈开口130向上的抛物线函数曲线,即边框111中部的下垂导致其相对于边框111两端的平坦度下降。
参阅3a和图3b,其分别示出一种结构的形变原理示意图。具体而言,当在图3a示出的板体310底部开设一开槽320时,板体310本身会因该开槽320的开设而产生图3b示出的形变状态,即板体310会朝向开槽320开设位置的反方向产生上拱形变。基于上述结构的形变原理,本发明即为在现有掩膜版框架110的结构基础上进行的改进设计。
如图4所示,在本实施方式中,本发明提出的掩膜版框架410主要包括依次连接的多条边框411以及开设在边框411底部的弓形槽412。配合参阅图5至图8,图5中示出了沿图1的直线E-E所作的截面图;图6中示出了沿图4的直线F-F所作的截面图,并可据此与图5示出的截面图形成对比;图7中示出了沿图1的直线M-M所作的截面图;图8中示出了沿图4的直线N-N所作的截面图,并可据此与图7示出的截面图形成对比。以下结合上述附图,对本发明提出的掩膜版框架410的结构、连接方式或功能关系进行详细说明。
如图4所示,在本实施方式中,掩膜版框架410包括四条边框411,且四条边框411依次连接且闭合形成开口430。其中,掩膜版框架410的形状、结构、边框411数量和布置方式与图1示出的现有掩膜版框架110大致相同,且主要区别在于每条边框411的底部分别设有弓形槽412。
具体而言,如图4至图6所示,在本实施方式中,对于一条边框411而言,其底部开设的弓形槽412的两端并未延伸至边框411的两端部。通过这种设计,能够保证该边框411的端部与相邻边框411的端部连接。同时,由于掩膜版框架410的四角位置,即边框411的端部或临近端部的部分不会产生形变或形变较小,因此无需将弓形槽412的两端延伸至边框411的两端部,特此说明。另外,在本实施方式中,弓形槽412的开设位置是位于边框411的延伸方向上的中部位置,即弓形槽412两端至相邻的边框411两端部的距离相等。通过上述设计,能够使弓形槽412对边框411的形变补偿更加准确、均匀,以适应性地补偿图2示出的平坦度曲线中显现出的边框411的形变状态。
需说明的是,本实施方式中采用弓形槽412的设计,即弓形槽412的中部的高度至其两端的高度以圆弧路径渐缩(槽深由中部至两端减缩),能够进一步适应边框411的上述形变状态。弓形槽412的中部槽深最大,即对应于边框411中部下垂程度最大的形变状态,亦即对应于平坦度曲线中的抛物线最低点的形变状态。相应地,弓形槽412的两端槽深最小,即对应于边框411临近其两端部下垂程度最小的形变状态,亦即对应于平坦度曲线中的抛物线临近其最高点的形变状态。弓形槽412中部至两端的槽深平滑渐缩过渡的设计,能够连续地对应于边框411由中部至两端部的下垂程度渐弱的形变状态,亦即连续地对应于平坦度曲线中的抛物线最低点至两侧最高点的连线形变状态。
在其他实施方式中,为改善掩膜版框架110的边框411中部下垂的问题,弓形槽412亦可由其他形状或结构的开槽代替。例如梯形槽、三角形槽等。其中,开槽的高度优选为由其中央至两端渐缩,而本实施方式中的弓形槽412即为槽深由中部至两端连续渐缩的开槽的一种优选方案,但并不以本实施方式为限。
再者,以上对弓形槽412或其他形状的开槽的说明,主要是针对开槽在边框411的延伸方向上所呈的大致结构和形状的说明。对于开槽在边框411的横截面上的结构和形状(即宽度或厚度方向上的结构和形状),则可进一步参考以下说明。
如图7所示,现有的掩膜版框架110的边框111的内侧壁呈斜面结构,即边框111的内侧壁与掩膜版框架110所在平面具有一倾斜角度。基于这种现有掩膜版框架110的设计,如图4和图8所示,在本实施方式中,当边框411的内侧壁呈斜面结构时,开槽可具有形成在内侧壁的槽壁4121和槽底4122。具体而言,以弓形槽412为例,槽壁4121沿延伸方向开设且垂直于掩膜版框架410所在平面,槽底4122一侧连接上述槽壁4121,另一侧则邻接于内侧壁。
在其他实施方式中,当掩膜版框架410的边框411采用其他结构时,开槽的结构和形状可随之对应调整,并不以本实施方式为限。例如,当边框411的内侧壁与掩膜版框架410所在平面具有垂直时,开槽可直接开设在边框411的内侧壁上,亦可直接开设在边框411的底面上,或开设在边框411的内侧壁与底面的连接处。
另外,如图7和图8所示,在本实施方式中,基于开槽采用弓形槽412的设计,弓形槽412的槽壁4121的第一侧边41211为直线形结构,弓形槽412的槽壁4121高度由其中央至两端渐缩,且弓形槽412的槽壁4121的第二侧边41212在延伸方向上呈圆弧形,从而由弓形槽412的槽壁4121的第一侧边41211和第二侧边41212界定出弓形槽412的呈弓形的槽壁4121形状。
需说明的是,在本实施方式中,弓形槽412的开设进一步减小了掩膜版框架410的重量,能够使其在相关制程的旋转托盘上旋转时具有更小的转动惯量,从而符合本领域对掩膜版框架410的轻量化的设计趋势。
在其他实施方式中,掩膜版框架410的边框411底部的开槽亦不限于附图示出的宽度。例如,开槽的宽度可以小于边框411的宽度,且开槽的一侧槽壁4121可开放在边框411的其中一侧壁上。又如,开槽的宽度还可以等于边框411的宽度,即开槽在边框411的宽度方向上贯通边框44的两侧。
在此应注意,附图中示出而且在本说明书中描述的掩膜版框架仅仅是能够采用本发明原理的许多种掩膜版框架中的几个示例。应当清楚地理解,本发明的原理绝非仅限于附图中示出或本说明书中描述的掩膜版框架的任何细节或掩膜版框架的任何部件。
综上所述,本发明提出的掩膜版框架通过在边框的底部开设开槽的结构设计,在蒸镀过程中,能够改善掩膜版框架的边框中部下垂的问题,保证掩膜版框架各位置与基板之间良好的贴合效果,避免混色问题的产生。同时,由于掩膜版框架的边框部分挖去而形成开槽,使得掩膜版框架的重量减小,有利于满足元件轻量化的要求。
以上详细地描述和/或图示了本发明提出的掩膜版框架的示例性实施方式。但本发明的实施方式不限于这里所描述的特定实施方式,相反,每个实施方式的组成部分和/或步骤可与这里所描述的其它组成部分和/或步骤独立和分开使用。一个实施方式的每个组成部分和/或每个步骤也可与其它实施方式的其它组成部分和/或步骤结合使用。在介绍这里所描述和/或图示的要素/组成部分/等时,用语“一个”、“一”和“上述”等用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等。术语“包含”、“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。
虽然已根据不同的特定实施例对本发明提出的掩膜版框架进行了描述,但本领域技术人员将会认识到可在权利要求的精神和范围内对本发明的实施进行改动。
Claims (6)
1.一种掩膜版框架,其特征在于,所述掩膜版框架包括依次连接的多条边框,多条所述边框闭合形成开口,所述边框底部开设有开槽,所述开槽的延伸方向与所述边框的延伸方向相同,且所述开槽的两端未延伸至所述边框的两端部;其中,所述边框的内侧壁与所述掩膜版框架所在平面具有一倾斜角度,所述开槽具有形成在所述内侧壁的槽壁和槽底,所述槽壁沿所述延伸方向开设且垂直于所述掩膜版框架所在平面,所述槽底一侧连接所述槽壁,另一侧邻接所述内侧壁;其中,沿所述边框的宽度方向,所述开槽的宽度小于所述边框的宽度,所述开槽的一侧槽壁开放在所述边框的其中一侧壁上。
2.根据权利要求1所述的掩膜版框架,其特征在于,所述开槽位于所述边框的延伸方向上的中部位置。
3.根据权利要求1所述的掩膜版框架,其特征在于,所述开槽的高度由其中央至两端渐缩。
4.根据权利要求3所述的掩膜版框架,其特征在于,所述开槽在延伸方向上呈弓形。
5.根据权利要求1所述的掩膜版框架,其特征在于,所述槽壁具有第一侧边和第二侧边,所述第一侧边两端分别连接于所述第二侧边两端,所述第一侧边为直线形,所述第一侧边与所述第二侧边的间距由所述槽壁的中央至两端渐缩。
6.根据权利要求5所述的掩膜版框架,其特征在于,所述第二侧边在延伸方向上呈圆弧形。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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