CN107660079A - 一种蚀刻工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种蚀刻工艺，包括以下步骤：A)利用盐酸溶液对基板进行第一次蚀刻；B)利用次氯酸溶液对步骤A)中的基板进行第二次蚀刻；C)把步骤B)中的基板放置在溢流水箱里进行清洗；D)利用清水把步骤C)中的基板进行清洗；E)把步骤D)中的基板放置在加热风箱里进行烘干。本发明经过多种溶液的两次蚀刻，在经过多重循环的溢流水清洗，并对其进行高温烘干，提高了蚀刻的质量，符合高密度、细线路、细孔径的技术要求。
Description
技术领域
本发明涉及电路板制作领域，具体而言，涉及一种蚀刻工艺。
背景技术
目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为蚀刻。传统的蚀刻步骤包括选择曝光、显影、蚀刻、去胶，在印刷电路板制造工艺中，蚀刻工艺占有很重要的位置，随着电子技术及计算机技术的迅速发展，对半导体存储器的容量提出了新的高要求，对现代印刷电路板要求越来越细密，传统的蚀刻步骤已难以满足高密度、细线路、细孔径的技术要求。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的上述技术问题之一。为此，本发明提出一种蚀刻工艺，使基板经过两重蚀刻，提高线路的蚀刻质量，满足高密度、细线路、细孔径的技术要求。
为实现上述目的，本发明的技术方案如下：
一种蚀刻工艺，包括以下步骤：A)利用盐酸溶液对基板进行第一次蚀刻；B)利用次氯酸溶液对步骤A)中的基板进行第二次蚀刻； C)把步骤B)中的基板放置在溢流水箱里进行清洗；D)利用清水把步骤C)中的基板进行清洗；E)把步骤D)中的基板放置在加热风箱里进行烘干。
根据上述技术方案进行进一步的改进，步骤A)中的盐酸溶液的酸度设置为2.5-4N。
根据上述技术方案进行进一步的改进，次氯酸溶液设置为次氯酸钠溶液，次氯酸钠溶液的氯离子含量设置为210-250g/L。
根据上述技术方案进行进一步的改进，盐酸溶液或次氯酸溶液的温度设置为48-55摄氏度。
根据上述技术方案进行进一步的改进，第一次蚀刻或第二次蚀刻的方式设置为双面高压喷淋，双面高压喷淋的压力设置为：上喷压： 2±0.2千克每平方厘米；下喷压：1.5±0.2千克每平方厘米。
根据上述技术方案进行进一步的改进，步骤C)或步骤B)中的清洗水压设置为1-2千克每平方厘米。
本发明的有益效果是：本发明公开了一种一种蚀刻工艺，经过多种溶液的两次蚀刻，在经过多重循环的溢流水清洗，并对其进行高温烘干，提高了蚀刻的质量，符合高密度、细线路、细孔径的技术要求。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
一种蚀刻工艺，包括以下步骤：
A)利用盐酸溶液对基板进行第一次蚀刻；
B)利用次氯酸溶液对步骤A)中的基板进行第二次蚀刻；
C)把步骤B)中的基板放置在溢流水箱里进行清洗；
D)利用清水把步骤C)中的基板进行清洗；
E)把步骤D)中的基板放置在加热风箱里进行烘干。
根据上述技术方案进行进一步的改进，步骤A)中的盐酸溶液的酸度设置为2.5-4N。
根据上述技术方案进行进一步的改进，次氯酸溶液设置为次氯酸钠溶液，次氯酸钠溶液的氯离子含量设置为210-250g/L。
根据上述技术方案进行进一步的改进，盐酸溶液或次氯酸溶液的温度设置为48-55摄氏度。
根据上述技术方案进行进一步的改进，第一次蚀刻或第二次蚀刻的方式设置为双面高压喷淋，双面高压喷淋的压力设置为：上喷压： 2±0.2千克每平方厘米；下喷压：1.5±0.2千克每平方厘米。
根据上述技术方案进行进一步的改进，步骤C)或步骤B)中的清洗水压设置为1-2千克每平方厘米。
实施例1
一种蚀刻工艺，包括以下步骤：
A)利用盐酸溶液对基板进行第一次蚀刻，盐酸溶液的酸度设置为2.5N；
B)利用次氯酸溶液对步骤A)中的基板进行第二次蚀刻，次氯酸钠溶液的氯离子含量设置为210g/L；
其中A)和B)中的蚀刻方式为双面高压喷淋，双面高压喷淋的压力设置为：上喷压：1.8千克每平方厘米；下喷压：1.3千克每平方厘米。
C)把步骤B)中的基板放置在溢流水箱里进行清洗；
D)利用清水把步骤C)中的基板进行清洗；
其中，C)或B)中的清洗水压设置为1千克每平方厘米。
E)把步骤D)中的基板放置在加热风箱里进行烘干。
实施例2
一种蚀刻工艺，包括以下步骤：
A)利用盐酸溶液对基板进行第一次蚀刻，盐酸溶液的酸度设置为4N；
B)利用次氯酸溶液对步骤A)中的基板进行第二次蚀刻，次氯酸钠溶液的氯离子含量设置为250g/L；
其中A)和B)中的蚀刻方式为双面高压喷淋，双面高压喷淋的压力设置为：上喷压：2.2千克每平方厘米；下喷压：1.7千克每平方厘米。
C)把步骤B)中的基板放置在溢流水箱里进行清洗；
D)利用清水把步骤C)中的基板进行清洗；
其中，C)或B)中的清洗水压设置为2千克每平方厘米。
E)把步骤D)中的基板放置在加热风箱里进行烘干。
实施例3
一种蚀刻工艺，包括以下步骤：
A)利用盐酸溶液对基板进行第一次蚀刻，盐酸溶液的酸度设置为3.2N；
B)利用次氯酸溶液对步骤A)中的基板进行第二次蚀刻，次氯酸钠溶液的氯离子含量设置为230g/L；
其中A)和B)中的蚀刻方式为双面高压喷淋，双面高压喷淋的压力设置为：上喷压：2千克每平方厘米；下喷压：1.5千克每平方厘米。
C)把步骤B)中的基板放置在溢流水箱里进行清洗；
D)利用清水把步骤C)中的基板进行清洗；
其中，C)或B)中的清洗水压设置为1.5千克每平方厘米。
E)把步骤D)中的基板放置在加热风箱里进行烘干。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行接合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (6)
1.一种蚀刻工艺，其特征在于：包括以下步骤：A)利用盐酸溶液对基板进行第一次蚀刻；B)利用次氯酸溶液对步骤A)中的基板进行第二次蚀刻；C)把步骤B)中的基板放置在溢流水箱里进行清洗；D)利用清水把步骤C)中的基板进行清洗；E)把步骤D)中的基板放置在加热风箱里进行烘干。
2.根据权利要求1所述的一种蚀刻工艺，其特征在于：所述步骤A)中的盐酸溶液的酸度设置为2.5-4N。
3.根据权利要求1所述的一种蚀刻工艺，其特征在于：所述次氯酸溶液设置为次氯酸钠溶液，所述次氯酸钠溶液的氯离子含量设置为210-250g/L。
4.根据权利要求1所述的一种蚀刻工艺，其特征在于：所述盐酸溶液或次氯酸溶液的温度设置为48-55摄氏度。
5.根据权利要求1所述的一种蚀刻工艺，其特征在于：所述第一次蚀刻或第二次蚀刻的方式设置为双面高压喷淋，所述双面高压喷淋的压力设置为：上喷压：2±0.2千克每平方厘米；下喷压：1.5±0.2千克每平方厘米。
6.根据权利要求1所述的一种蚀刻工艺，其特征在于：所述步骤C)或步骤B)中的清洗水压设置为1-2千克每平方厘米。
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