CN107636818B - 衬底处理与加热系统 - Google Patents
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Abstract
一种衬底处理与加热系统。揭露一种当衬底在负载锁室与平台之间传送时用于加热衬底的系统。所述系统包括发光二极管的阵列，其配置于对准站上方。发光二极管可为GaN或GaP发光二极管，其发出具有易于被硅吸收的波长的光，因此有效且快速地加热衬底。发光二极管可排列为使得对准期间的衬底旋转产生衬底的均匀温度分布。此外，对准期间的加热也可提高生产力以及省略目前与处理室连结的预加热站。
Description
技术领域
本揭露的实施例涉及一种用于加热衬底的系统，尤其涉及一种在处理前对准衬底的同时用于加热衬底的衬底处理与加热系统。
背景技术
半导体元件的制造涉及多个独立且复杂的工艺。在制造期间，半导体衬底通常经历许多工艺。这些工艺可能发生在处理室中，所述处理室可能维持在与环境不同的处理状态下。举例来说，处理室可维持在真空状态下。在某些实施例中，负载锁室(load lock)用来分离处理室与外部环境。一或多个衬底处理机器人配置于处理室中并将衬底自负载锁室移动至平台，衬底在处理期间配置于所述平台上。
处理室也可包括对准站，其将衬底对准在适当方位上。自负载锁室移动衬底，且通过衬底处理机器人将衬底放置于对准站上。接着，此对准站旋转衬底，使得衬底上的刻槽或指示标记配置于已确定位置。如此一来，在处理前，将衬底对准在已确定方位上。在完成定位后，衬底处理机器人自对准站移除衬底，且将衬底放置于平台上以进行处理。
在处理之前和/或之后加热衬底在许多半导体工艺中是常见的。在许多情况中，衬底被加热至接近工艺温度的温度，且接着被传送至平台。此预加热可有助于在冷衬底接触热平台时避免衬底翘曲、凸出以及移动。这些现象可能会导致粒子产生以及处理失误，且可能会降低整体工艺良率。
此外，在一些实施例中，衬底在经历冷工艺之后可被加热，以排除当衬底离开处理室时产生凝结物的可能性。
在某些实施例中，专用的预加热站可用以进行此功能。预加热站可包括一或多个红外线灯，其聚光于衬底上。当预加热站用以提高衬底温度时，预加热站对生产力具有负面影响。具体来说，衬底会长时间被配置于预加热站以使衬底达到所需温度。
在使用预加热站的实施例中，一般来说，在对准之后，衬底可被衬底处理机器人移动至预加热站，以加热衬底。当衬底达到目标温度时，衬底处理机器人将衬底自预加热站传送至平台。
然而，预加热站(在加热衬底时)是耗时的。此外，预加热站必须在衬底处理机器人的可及范围中，且因此负载锁室附近的区域变得非常拥挤，导致维护和修理极度困难。另外，在某些实施例中，使用多个负载锁室以及多个衬底处理机器人。在这些实施例中，也可具有多个预加热站，其中每一者与个别的处理机器人连结(in communicate with)。预加热站的加入增加了整个系统的复杂度以及成本。再者，这些预加热站也增加了处理室的整体尺寸。
若具有加热衬底的设备而不使用专门的预加热站，则会是有利的。如上所述，这些预加热站消耗有用的空间且也增加对于每一衬底的处理时间，因而降低了生产力。此外，若此加热可在不增加额外的处理时间或处理站的情况下完成则将会是有利的。若衬底可被加热同时被定位在对准站上，则将会是有益的。如此一来，用于定位衬底的时间也可用于加热衬底，其减少了专门用来加热衬底的时间而提高了生产力。
发明内容
揭示了用以加热衬底同时在负载锁室和平台之间传送衬底的系统。所述系统包括配置于对准站上的发光二极管(LED)的阵列。LED可为GaN LED或GaP LED，其发出具有易于被硅吸收的波长的光，因此有效且快速地加热衬底。LED可排列为使得对准工艺期间的衬底旋转产生衬底的均匀温度分布(temperature profile)。此外，对准期间的加热也可提高生产力以及省略目前与处理室连结的预加热站。
在一实施例中，揭示衬底处理与加热系统。所述系统包括：处理室；衬底处理机器人，配置于处理室中；对准站，配置于处理室中；以及LED阵列，包括多个LED，配置于对准站上方，以在对准工艺期间加热衬底。在某些实施例中，所述多个LED发出波长介于0.4μm至1.0μm之间的光。
在另一实施例中，揭示衬底处理与加热系统。所述系统包括：对准站，包括衬底配置于上的可旋转表面；以及检测系统，包括配置于衬底的一侧的发射器以及配置于衬底的相对侧的检测器；LED阵列，包括多个LED，当衬底配置于可旋转表面上时，其配置于衬底的至少一部分上方；以及控制器，用以启动和关闭LED阵列。在某些实施例中，LED阵列包括多个区域，其中每一区域可独立地由控制器控制。在某些实施例中，检测器检测具有与所述多个LED发出的光的波长不同的第二波长的光。在某些实施例中，检测器包括刻槽滤光器(notch filter)，以移除所述多个LED发出的光。在某些实施例中，LED阵列中的所述多个LED配置于衬底的一部分(少于衬底整体)上方。在某些进一步的实施例中，所述多个LED排列成图案，其中照射在衬底的外侧部分上的光多于照射在衬底的中央上的光。所述图案可为楔形图案或沙漏形状(hour glass shape)。
在另一实施例中，揭示衬底处理与加热系统。所述系统包括：衬底处理机器人，配置于处理室中；对准站，配置于处理室中；LED阵列，包括多个LED，配置于对准站上方，以在对准工艺期间加热衬底；以及控制器，用以启动和关闭LED阵列。在某些实施例中，控制器与衬底处理机器人连结，且控制器基于衬底处理机器人的移动或位置启动LED阵列。在某些实施例中，对准站包括可旋转表面，且控制器基于可旋转表面的旋转启动LED阵列。在某些实施例中，对准站包括检测系统，且控制器基于来自检测系统的信息启动LED阵列。
附图说明
为了更佳理解本揭露，参照附图，其以参考方式并入本文，其中：
图1为根据一实施例的衬底处理与加热系统的上视图；
图2为根据一实施例的对准站的侧视图；
图3为根据另一实施例的对准站的侧视图；
图4为根据另一实施例的对准站的侧视图；
图5A至图5C为LED阵列的各种实施例，其可与图1的衬底处理与加热系统一起使用；
图6A至图6B显示LED阵列的另一实施例，其可与图1的衬底处理与加热系统一起使用；
图7为根据一实施例的加热衬底的方法；以及
图8为根据一实施例的在处理衬底之后加热衬底的方法。
具体实施方式
如上所述，在许多应用中，在衬底被处理前预加热衬底是有利的。因此，可用来加热衬底同时将衬底定位的系统是有益的。
衬底处理机器人可用以将衬底自负载锁室移动至处理室。负载锁室通常包括可密封室，其具有两个入口点。通过开启这些入口点中的一个并将衬底放置于可密封室中，可将衬底放置于负载锁室中。可密封室接着被抽气至接近真空状态。第二个入口点接着开启，且移动衬底(通常通过衬底处理机器人)。以相反方式操作此工艺以使衬底离开处理室。在此揭露中，“处理室”用以描述衬底的任何来源或目的地。举例来说，处理室可用以进行例如植入、沉积、蚀刻、掺杂、非晶化或回火等特定工艺。
图1显示根据一实施例的衬底处理与加热系统100的上视图。衬底处理与加热系统100包括处理室110，其与一或多个负载锁室120a、120b连结。
如上所述，处理室110可以为其中进行例如植入、蚀刻、回火或沉积等工艺的腔室。处理室110可维持在真空状态或接近真空状态。处理室110可包括平台115，在处理期间衬底设置于其上。平台115可为静电夹钳(electrostatic clamp，ESC)，然而其他的平台也在本揭露的范围中。在某些实施例中，平台115可为经加热的平台，其可将衬底加热至500℃或更高的温度。
一或多个负载锁室120a、120b用以将衬底10自外部环境传送至处理室110。每一个负载锁室120a、120b可允许个别的衬底处理机器人130a、130b接近(accessible)。对准站140配置于处理室110中。每一个衬底处理机器人130a、130b可接近个别的负载锁室120a、120b、平台115以及对准站140。
对准站用以将衬底10对准至特定方位。衬底通常包括位置标记，例如刻槽。刻槽决定衬底的方位，且在处理时所有衬底的方位一般是固定的。然而，衬底的方位在自负载锁室120a、120b进入处理室110时是不明确的。对准站140进行上述对准。
一般来说，对准站140包括可旋转表面，衬底处理机器人130a、130b将所进入的衬底放置于所述可旋转表面上。对准站140也包括检测系统145，其更清楚地显示于图2中。LED阵列150配置于对准站140上方。在一些实施例中，当衬底10配置于可旋转表面上时，LED阵列150可在衬底10上方且两者之间的距离介于1cm与20cm之间。在其他实施例中，LED阵列150可在衬底10上方且两者之间的距离介于1cm与10cm之间。在将衬底放置于可旋转表面上之后，可旋转表面旋转，且在旋转特定次数之后，衬底被适当地定位。衬底处理机器人130a、130b接着将经适当定位的衬底传送至平台115。
在衬底配置于可旋转表面上且经旋转以决定其方位的期间，可启动LED阵列150，以在上述期间加热衬底。LED阵列150可包括多个高功率LED，其发出具有易于被衬底吸收的一个波长或多个波长的光。举例来说，硅在约0.4μm与1.0μm之间的波长范围中展现高吸收率以及低透射率。硅吸收超过50％的在0.4μm至1.0μm的波长范围中发出的能量。可使用发出此波长范围中的光的LED。在某些实施例中，采用由GaN形成的LED。这些GaN LED发出波长约450nm的光。在某些实施例中，采用GaP LED，其发出波长在610nm与760nm之间的光。
构成LED阵列150的LED的尺寸可以是多变的。在某些实施例中，每一个LED可以是1.3mm×1.7mm。在另一实施例中，每一个LED可以是1mm×1mm。当然，其他尺寸的LED也在本揭露的范围中。LED阵列150中的LED的密度可以是多变的。举例来说，在一实施例中，可以使用8.65个LED/cm2的密度。在另一实施例中，可以使用18.1个LED/cm2的密度。在其他实施例中，可以使用高达78个LED/cm2的密度。就此而言，LED阵列150的密度不被本揭露所限定。
在一些实施例中，LED阵列150可配置于在可旋转表面上的衬底的整体上方。在其他实施例中，LED阵列150可仅配置于在可旋转表面上的衬底的一部分上方。由于衬底在加热期间旋转，因此与配置于邻近衬底的中心处的LED数量相比，LED阵列150可经设置以在衬底的外边缘附近具有较高的密度或较大的LED数量。LED阵列150中的LED的实际架构可取决于待加热衬底的半径以及可旋转表面的角速度。
图2显示根据一实施例的对准站140与LED阵列150的侧视图。对准站140包括可旋转表面141，衬底10可配置于可旋转表面141上。对准站140也包括检测系统145。检测系统145可用以检测发射器146(配置于衬底10的一侧)与检测器147(位于衬底10的相对侧)之间的电磁能量(例如可见光、红外光能量或紫外光)的通路。随着衬底10旋转，当衬底中的刻槽与发射器146以及检测器147对准时，检测器147所接收的光量增加，且当刻槽未与发射器146以及检测器147未对准时，检测器147所接收的光量减少。通过检测所检测的光的增加，检测系统145可判定衬底10中的刻槽的精确位置。一旦刻槽的位置被判定，可旋转表面141停止，使得衬底10中的刻槽配置于预定的位置中。衬底处理机器人130a、130b可接着将衬底10自可旋转表面141移除，以及将衬底10传送至平台115。
在图2所示的实施例中，LED阵列150在至少一个方向上配置于衬底10的整体上方。如上所述，LED阵列150中的LED可发出450nm或介于610nm与760nm之间的波长的光。因此，在某些实施例中，检测系统145可使用不同波长以用于检测。举例来说，发射器146可发出红外光或紫外光，而非可见光。在某些实施例中，发射器146可发出除了450nm之外的一部分的可见光谱的光，例如红光。在某些实施例中，发射器可发出除了610nm至760nm之外的一部分的可见光谱的光。在这些实施例的每一者中，检测器147经选择以仅检测发射器146所发出的波长范围。在其他实施例中，发射器146可使用可见光，且检测器147可包括刻槽滤光器以过滤掉自LED阵列150所发出的光(若此光被认为影响检测系统145的准确性)。在某些实施例中，LED阵列150配置于可旋转表面141上方且位于使得由LED阵列150发出的光不到达检测器147或不妨碍检测器147的位置。
在某些实施例中，当衬底10放置于可旋转表面141上时，可启动LED阵列150。在某些实施例中，当可旋转表面141开始旋转时，可启动LED阵列150。在一些实施例中，当旋转停止时，LED阵列150失效。在其他实施例中，当将衬底10自可旋转表面141移除时，LED阵列150失效。控制器160可用于协调LED阵列150的作动与对准站140的运作或衬底处理机器人130a、130b的运作。在某些实施例中，控制器160可接收来自对准站140与衬底处理机器人130a、130b中至少一者的输入。接着，控制器160基于这些输入启动以及停用LED阵列150。
举例来说，控制器160可接收来自衬底处理机器人130a、130b的信息，告知控制器160：衬底处理机器人130a、130b正将衬底10配置于可旋转表面141上。此信息可为关于衬底处理机器人130a、130b的动作的信息，或可为关于衬底处理机器人130a、130b的位置的信息。举例来说，控制器160可接收衬底处理机器人130a、130b的手臂朝向对准站140延伸的信息。基于此，控制器160可判定衬底已被放置于可旋转表面141上。在某些实施例中，控制器160可接收来自对准站140的信息。举例来说，控制器160可接收来自检测系统145的信息，其指示衬底10被配置于检测系统的路径中。控制器160也可接收关于可旋转表面141的状态的信息，例如可旋转表面141是否移动。控制器160可使用来自任何来源的信息，以判定启动以及关闭LED阵列150的适当时间。
在某些实施例中，控制器160也可提供输出至对准站140或衬底处理机器人130a、130b。举例来说，在某些实施例中，将衬底10加热至所需温度的时间可能超过适当地对准衬底10的时间。在这些实施例中，控制器160可告知对准站140继续对准工艺一段延长时间。在其他实施例中，可调整对准站所使用的最少时间，以确保适当加热衬底10。
虽然图2至图4显示LED阵列150的专用控制器160，但可使用其他架构。举例来说，LED阵列150的控制可通过与对准站140连结的控制器来进行。因此，虽然显示独立的控制器160，但可以了解此控制器也可用以控制衬底处理与加热系统中的其他构件。
虽然图2显示配置于衬底10上方的LED阵列150，但其他实施例也是可行的。举例来说，在某些实施例中(例如图3所示)，第二LED阵列151可配置于衬底10的底面下方。所述第二LED阵列151可配置为使得第二LED阵列151位于整个衬底10下方。在某些实施例中，第二LED阵列151仅配置于部分衬底10下方。在某些实施例中，第二LED阵列151用以增补LED阵列150提供的加热。如此一来，衬底10可被快速地加热，以将衬底10配置于对准站140上的时间最小化。
图4显示另一实施例，其中LED阵列150仅覆盖部分衬底10。举例来说，在此实施例中，LED阵列150配置于衬底10中与检测系统145的位置相对的部分上方。如此一来，LED阵列150发出的光可能不会干扰检测系统145。由于衬底10在可旋转表面141上同时旋转，因此即使LED阵列150小于衬底10的表面积，衬底10的所有部分都会被均匀加热。
构成LED阵列150的LED可分为多个区域，其中每一区域中的LED作为一个单独的主体。换句话说，在特定区域中的所有LED同时发光和关闭。此外，通过控制器160施加至特定区域中的每一LED的功率可以是相同的。
在一些实施例中，LED阵列150中的LED可以是一个区域，使得全部LED同时启动与关闭且被施加相同的功率。在其他实施例中，每一区域包括少于LED阵列150中LED的全部数量的多个LED。在其他实施例中，一个区域可包括单独的LED。此外，多个区域可为不同的形状以及不同的LED数量。基于可旋转表面141的角速度以及衬底10位于可旋转表面141上的时间，通过将LED阵列150区分为多个区域，有可能定制LED阵列150中的LED的作动以达到所需的衬底温度。
LED阵列150可形成为多种不同形状。举例来说，在某些实施例中，LED阵列150为圆形阵列，其直径可略大于衬底10的直径。在此实施例中，LED可配置于整个衬底10上。在进一步的实施例中，控制器160可改变施加至LED阵列150中的每一区域的功率。
在另一实施例中，LED阵列150可与衬底10具有不同形状。举例来说，在某些实施例中，LED阵列150可为矩形。举例来说，处理室110的架构可能使得难以将LED阵列150配置于整个衬底上方。此外，检测系统145可能使得难以将LED阵列150配置于整个衬底10上方。在某些实施例中，衬底可具有300mm的直径。LED阵列150可为具有例如500mm的长度与宽度的矩形。在其他实施例中，LED阵列150的至少一个维度可小于衬底10的直径，其例如小至100mm。
图5A至图5C显示在衬底10上方的排列为矩形的LED阵列150。当然，LED阵列150可为其他形状。在每一实施例中，衬底10包括刻槽11。刻槽11由对准站140检测以及定位。在某些实施例中，检测系统145可配置于LED阵列150的一侧。举例来说，在图5A所示的实施例中，检测系统145可配置为邻近刻槽11。在每一实施例中，LED阵列150包括排列成行与列的多个LED 152。在这些图中，以阴影线(cross-hatch)示出的LED 152发出光，而剩余的LED152为关闭的。如图5A所示，LED阵列150中全部的LED发光可能导致衬底10的不均匀温度分布。此可能起因于衬底10的靠近中央的部分始终位于LED阵列150下方，而衬底10的靠近外边缘的部分仅位于LED阵列150下方一段时间。
为了弥补上述问题，LED阵列150中的LED可以图案方式来启动，其较均匀地加热旋转中的衬底10。此可通过改变LED阵列150中的多个LED 152的功率或发光来达成。图5B显示发光的LED 152形成楔形图案的实施例。此楔形图案包括两个楔形，其中约50％的衬底10位于在任何给定时间发光的LED 152下方。楔形图案可通过仅使部分LED 152发光来产生。在其他实施例中，LED阵列150设计为仅在发光位置中具有LED 152。在进一步的实施例中，图5B的楔形图案可缩小至单一楔形，其仅覆盖25％的衬底10。在某些实施例中，在衬底10的中央处，楔形不形成有直角。举例来说，在某些实施例中，可使用更小或更大的角度。
其他架构也是可行的。举例来说，图5C显示另一实施例，其中LED 152以沙漏图案的形式来发光。此外，在此实施例中，更多LED 152在接近衬底10的外边缘处发光，以确保均匀的温度分布。
也可使用其他图案。对于全部的发光的LED 152，可使用单一功率位准(powerlevel)来形成这些图案。然而，通过改变每一LED 152的功率位准，其他图案也是可行的。举例来说，参照图5A，若接近衬底10的外边缘处的LED 152较靠近衬底的中央处的LED 152被施加更高的功率，则可达成更均匀的温度分布。
在LED阵列150不完全覆盖衬底10的实施例中，相较于衬底10的中央处，将LED 152排列为使得沿着衬底10的外边缘发出更多光可能是有利的。此可能是由于衬底10的外边缘的线速度远大于衬底10的中央的线速度。因此，相较于衬底10的外边缘，衬底10的内部会位于LED阵列150下方较长的时间。图5B至图5C中显示的图案试图通过在靠近衬底10的外边缘处具有较多LED 152来补偿此问题。当然，也可使用除了图5B至图5C所示的图案之外的图案。在某些实施例中，除了改变LED 152的数量做为衬底10的半径的函数之外，根据所述半径改变施加至LED 152的功率。举例来说，如上所述，较高的功率可施加至靠近衬底10的外边缘配置的LED 152。
虽然图5A至图5C显示具有至少一个大于衬底10的直径的维度的LED阵列150，但其他实施例也在本揭露的范围中。举例来说，图6A显示长度与宽度皆小于衬底10的直径的LED阵列150。举例来说，在一实施例中，衬底10可具有300mm的直径，而LED阵列150的较长维度可为250mm或小于250mm。LED阵列150的较短维度可例如为150mm或小于150mm。通过将LED阵列150放置于衬底10上方的预定距离处，LED发出的光可分散以横越衬底10的整个直径来照射衬底10。图6B显示LED发出的光经分散以照射衬底10。此外，如上所述，在靠近LED阵列150的外边缘处采用更高功率或更多LED，以补偿LED阵列150小于衬底10的情况。
已对架构进行描述，以下将参照图1与图7对衬底处理与加热系统100的操作进行描述。首先，如工艺700所示，衬底处理机器人130a、130b将衬底10自负载锁室120a、120b移除。此可通过延伸衬底处理机器人130a、130b的手臂至各别的负载锁室120a、120b且移除衬底10来达成。
衬底处理机器人130a、130b接着将衬底10放置于对准站140上，且特别是可旋转表面141上，如工艺710所示。
此动作开启对准程序，如工艺720所示，其中可旋转表面141开始旋转且启动检测系统145。也可通过控制器160而使用通过衬底处理机器人130a、130b进行的此动作，以启动LED阵列150。如上所述，在其他实施例中，对准站140的可旋转表面141的旋转可用以对控制器160发出讯号。
在另一实施例中，控制器160接着使邻近对准站140配置的LED阵列150发光，如工艺730所示。如上所述，在某些实施例中，LED阵列150可配置于衬底10的至少一部分上方，同时衬底10配置于可旋转表面141上。在某些实施例中，第二LED阵列151可配置于衬底10的至少一部分的下方，同时配置于可旋转表面141上。在某些实施例中，可使用多个LED阵列。
之后，如工艺740所示，对准工艺完成且通过控制器160关闭LED阵列150。这两件事可不同时结束。举例来说，LED阵列150可在对准工艺完成前失效。衬底10的加热时间可基于衬底10的当前温度以及衬底10的目标最终温度。在其他实施例中，对准工艺可在衬底到达目标温度前完成。在此实施例中，可旋转表面141可继续旋转，以确保衬底10的均匀温度分布。
接着，衬底处理机器人130a、130b将衬底10自对准站140的可旋转表面141移除，如工艺750所示。衬底10接着通过衬底处理机器人130a、130b而被放置于平台115上，如工艺760所示。
当衬底10的处理完成时，衬底处理机器人130a、130b可将衬底10自平台115移除，且使衬底10回到负载锁室120a、120b。在某些实施例中，用以将衬底10放置于平台115上的衬底处理机器人130a、130b可不同于用以将衬底10自平台115移除的衬底处理机器人130a、130b。
虽然本揭露在于处理前加热衬底的描述中描述衬底处理与加热系统，但所述系统也可用于其他方面。举例来说，在某些实施例中，处理室110可维持在低温，例如低于0℃，使得衬底10可在低温下被处理。若在处理后此低温的衬底是要立即被直接送回负载锁室120a、120b，衬底上可能发生冷凝。因此，在冷处理的情况下，在处理后加热衬底会是有利的。
衬底10的冷处理期间使用的工艺显示于图7与图8中。首先，使用图7显示的程序来将衬底10自负载锁室120a、120b移动至平台115。然而，在此实施例中，由于衬底10将在低温下被处理，因此不进行工艺730。在结束处理衬底10之后，例如通过使用图8所示的程序使衬底10回到负载锁室。
首先，通过衬底处理机器人130a、130b将衬底10自平台115移除，如工艺800所示。衬底处理机器人130a、130b接着将衬底10放置于对准站140上，如工艺810所示。在某些实施例中，可旋转表面141可开始旋转。在其他实施例中，可旋转表面141可维持静止。接着启动LED阵列150，使得衬底10被加热，如工艺820所示。在加热工艺期间，可进行衬底的定位或可不进行衬底的定位。在衬底10到达目标温度之后，若可旋转表面141正在旋转则可停止，且衬底10可通过衬底处理机器人130a、130b自对准站140移除，如工艺830所示。衬底处理机器人130a、130b接着将经加热的衬底放置于负载锁室120a、120b中，如工艺840所示。
本申请案中的上述实施例可具有许多优点。首先，在处理前加热衬底为常见的半导体工艺。通过整合加热工艺与对准工艺，可提升处理室的生产力。此外，合并加热工艺与对准工艺也可允许移除预加热站。预加热站增加了成本、占地区域以及复杂度。预加热站消耗了处理室内的空间。此外，如上所述，当衬底处理机器人接近预加热站时，预加热站的位置受到限制。因此，处理室内的架构通常是杂乱的且间隔狭小，使得处理室的维修和保养是非常困难的。此外，由于衬底处理机器人130a、130b可以至少省略进行两个动作(即，将衬底传送至预加热站以及从预加热站传送衬底)，因此处理室中衬底的传送被简化。
本揭露不限于由本文所描述的特定实施例的范围。更确切地，除了本文所描述的之外，对本揭露的其他各种修改的实施例在参照上述描述以及附图后对于本领域技术人员将是显而易见的。因此，这些其他实施例与修改意欲落入本揭露的范围中。此外，虽然本揭露已描述于为了特定目的在特定环境中的特定实施方式，但本领域技术人员将明了其益处不限于此，且本揭露为了任何数量的目的在任何数量的环境中可以有利地实施。因此，权利要求应如本文所描述针对本揭露的广泛度与精神来解释。
Claims (15)
1.一种衬底处理与加热系统，包括：
处理室；
衬底处理机器人，配置于所述处理室中；
对准站，配置于所述处理室中，其中所述对准站使用衬底中的刻槽将所述衬底对准在适当方位上，所述对准站包括：
可旋转表面，所述衬底配置于所述可旋转表面上；以及
检测系统，包括配置于所述衬底的一侧的发射器以及配置于所述衬底的相对侧以接收所述发射器发出的光的检测器；以及
发光二极管阵列，包括多个发光二极管，配置于所述对准站上方，以在对准工艺期间加热所述衬底，所述发光二极管阵列配置于小于所述衬底的整体的部分所述衬底上方，其中所述多个发光二极管发出可被所述衬底吸收的波长的光，且所述发光二极管阵列发出的光不干扰所述检测系统，其中所述发光二极管阵列为矩形，所述矩形具有大于所述衬底的直径的第一维度以及小于所述衬底的所述直径的第二维度。
2.根据权利要求1所述的衬底处理与加热系统，其中所述多个发光二极管发出波长介于0.4μm与1.0μm之间的光。
3.根据权利要求1所述的衬底处理与加热系统，其中当所述可旋转表面旋转时所述多个发光二极管发光。
4.一种衬底处理与加热系统，包括：
对准站，使用衬底中的刻槽将所述衬底对准在适当方位上，所述对准站包括：
可旋转表面，所述衬底配置于所述可旋转表面上；以及
检测系统，包括配置于所述衬底的一侧的发射器以及配置于所述衬底的相对侧以接收所述发射器发出的光的检测器；
发光二极管阵列，包括多个发光二极管，当所述衬底配置于所述可旋转表面上时，所述发光二极管阵列配置于小于所述衬底的整体的部分所述衬底上方，其中所述多个发光二极管发出可被所述衬底吸收的波长的光，且所述发光二极管阵列发出的光不干扰所述检测系统，其中所述发光二极管阵列为矩形，所述矩形具有大于所述衬底的直径的第一维度以及小于所述衬底的所述直径的第二维度；以及
控制器，启动以及关闭所述发光二极管阵列。
5.根据权利要求4所述的衬底处理与加热系统，其中所述发光二极管阵列包括多个区域，其中每一所述区域独立地由所述控制器控制。
6.根据权利要求4所述的衬底处理与加热系统，其中当所述可旋转表面旋转时，所述控制器照射所述发光二极管阵列中的所述多个发光二极管。
7.根据权利要求4所述的衬底处理与加热系统，其中所述多个发光二极管发出波长介于0.4μm与1.0μm之间的光。
8.根据权利要求7所述的衬底处理与加热系统，其中所述检测器检测与所述多个发光二极管发出的光不同的第二波长的光。
9.根据权利要求7所述的衬底处理与加热系统，其中所述检测器包括刻槽滤光器，以移除所述多个发光二极管发出的光。
10.根据权利要求4所述的衬底处理与加热系统，其中所述发光二极管阵列中的所述多个发光二极管配置于小于所述衬底的整体的部分所述衬底上方。
11.根据权利要求10所述的衬底处理与加热系统，其中所述多个发光二极管排列成一图案，其中照射在所述衬底的外侧部分上的光多于照射在所述衬底的中央上的光。
12.一种衬底处理与加热系统，包括：
衬底处理机器人，配置于处理室中；
对准站，配置于所述处理室中，其中所述对准站使用衬底中的刻槽将所述衬底对准在适当方位上，所述对准站包括：
可旋转表面，所述衬底配置于所述可旋转表面上；以及
检测系统，包括配置于所述衬底的一侧的发射器以及配置于所述衬底的相对侧以接收所述发射器发出的光的检测器；
发光二极管阵列，包括多个发光二极管，配置于所述对准站上方，以在对准工艺期间加热所述衬底，所述发光二极管阵列配置于小于所述衬底的整体的部分所述衬底上方，其中所述多个发光二极管发出可被所述衬底吸收的波长的光，且所述发光二极管阵列发出的光不干扰所述检测系统，其中所述发光二极管阵列为矩形，所述矩形具有大于所述衬底的直径的第一维度以及小于所述衬底的所述直径的第二维度；以及
控制器，启动以及关闭所述发光二极管阵列。
13.根据权利要求12所述的衬底处理与加热系统，其中所述控制器与所述衬底处理机器人连结，使得所述控制器基于所述衬底处理机器人的移动或位置来启动所述发光二极管阵列。
14.根据权利要求12所述的衬底处理与加热系统，其中所述控制器基于所述可旋转表面的旋转来启动所述发光二极管阵列。
15.根据权利要求12所述的衬底处理与加热系统，其中所述控制器、所述对准站以及所述衬底处理机器人连结，使得当所述衬底配置于所述对准站上时所述发光二极管阵列通过所述控制器而发光，且旋转所述衬底。
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