KR20170008370A - 반도체 장치를 위한 광 조사 시스템 및 그 제어 방법 - Google Patents

반도체 장치를 위한 광 조사 시스템 및 그 제어 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170008370A
KR20170008370A KR1020150099361A KR20150099361A KR20170008370A KR 20170008370 A KR20170008370 A KR 20170008370A KR 1020150099361 A KR1020150099361 A KR 1020150099361A KR 20150099361 A KR20150099361 A KR 20150099361A KR 20170008370 A KR20170008370 A KR 20170008370A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light source
sensing
light
module
unit
Prior art date
Application number
KR1020150099361A
Other languages
English (en)
Inventor
강완진
오지환
김재홍
Original Assignee
에스케이하이닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스케이하이닉스 주식회사 filed Critical 에스케이하이닉스 주식회사
Priority to KR1020150099361A priority Critical patent/KR20170008370A/ko
Publication of KR20170008370A publication Critical patent/KR20170008370A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02691—Scanning of a beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/0231—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to electromagnetic radiation, e.g. UV light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02345—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light
    • H01L21/02348—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light treatment by exposure to UV light

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)

Abstract

본 기술의 일 실시예에 의한 광 조사 시스템은 대상물을 감지하여 검출신호를 생성하도록 구성되는 센싱모듈, 복수의 광원부를 포함하도록 구성되는 광원모듈 및 검출신호 및 기 설정된 제어 파라미터에 기초하여 복수의 광원부를 선택적으로 점등 또는 소등하도록 구성되는 컨트롤러를 포함할 수 있다.

Description

반도체 장치를 위한 광 조사 시스템 및 그 제어 방법{Light Irradiation System for Semiconductor Device and Control Method Therefor}
본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 반도체 장치를 위한 광 조사 시스템 및 그 제어 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정 중 표면 개질, 세정, 경화, 살균, 건조 공정 등에 광 조사 시스템이 이용될 수 있다.
광 조사 시스템의 광원으로, 예를 들어 자외선(Ultra Violet; UV) 램프가 이용될 수 있다. 광 조사 시스템을 설계할 때에는 전력 문제, 안전 문제, 광 조사 시스템의 수명, 광 조사 시스템의 단가 등이 고려되어야 한다.
광 조사 시스템의 구동시 수십 Kw의 소비 전력이 사용되며, 광원부의 불필요한 점등은 소비 전력을 증가시키는 원인이 될 수 있다.
작업자는 광 조사 시스템에서 출력되는 광원에 노출될 위험성이 있으며, 이로 인한 안전 사고 등이 발생할 수 있다.
광 조사 시스템에 적용되는 광원부는 수명이 제한적이며, 불필요한 점등 유지 시간 및 점등 횟수로 인해 수명이 단축되고, 이에 따른 유지 보수 비용이 증가할 수 있다.
또한, 광 조사 시스템에서 출력되는 광원이 처리 대상물이 아닌 주변 기구물에 직간접적으로 조사되어 주변 기구물이 변형, 손상될 수 있다.
광을 조사할 대상물 또한 광원에 과도하게 노출되게 되면, 구조물의 변형, 손상 등으로 인해 제조 수율이 저하될 수 있다.
본 기술의 실시예는 점소등 효율이 향상된 반도체 장치를 위한 광 조사 시스템 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 기술의 일 실시예에 의한 반도체 장치를 위한 광 조사 시스템은 대상물을 감지하여 검출신호를 생성하도록 구성되는 센싱모듈; 복수의 광원부를 포함하도록 구성되는 광원모듈; 및 상기 검출신호 및 기 설정된 제어 파라미터에 기초하여 상기 복수의 광원부를 선택적으로 점등 또는 소등하도록 구성되는 컨트롤러;를 포함할 수 있다.
본 기술의 일 실시예에 의한 반도체 장치을 위한 광 조사 시스템의 제어 방법은 센싱모듈, 광원모듈 및 컨트롤러를 포함하는 광 조사 시스템의 제어 방법으로서, 상기 센싱모듈이 대상물을 감지하여 검출신호를 생성하는 단계; 및 상기 컨트롤러가 상기 검출신호 및 기 설정된 제어 파라미터에 기초하여 상기 광원모듈을 구성하는 복수의 광원부를 선택적으로 점등 또는 소등하는 제어단계;를 포함하도록 구성될 수 있다.
본 기술에 의하면 대상물의 형상에 대응하여 광 조사 시스템의 온/오프를 제어할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 의한 광 조사 시스템의 구성도이다.
도 2는 다른 실시예에 의한 광 조사 시스템의 구성도이다.
도 3은 일 실시예에 의한 광 조사 시스템의 광 조사 개념을 설명하기 위한 도면이다.
도 4 및 도 5는 일 실시예에 의한 광원모듈의 구성도이다.
도 6은 일 실시예에 의한 광 조사 시스템의 제어 방법을 설명하기 위한 개념도이다.
도 7은 일 실시예에 의한 광 조사 시스템의 제어 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 8은 일 실시예에 의한 광 조사 시스템의 제어 방법에서 광원부의 점소등 상태를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 다른 실시예에 의한 광 조사 시스템의 제어 방법을 설명하기 위한 개념도이다.
도 10은 다른 실시예에 의한 광 조사 시스템의 제어 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 11 및 도 12는 다른 실시예에 의한 광 조사 시스템의 제어 방법에서 광원부의 점소등 상태를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 기술의 실시예를 보다 구체적으로 설명한다.
도 1은 일 실시예에 의한 광 조사 시스템의 구성도이다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 의한 광 조사 시스템(10)은 컨트롤러(110), 센서모듈(120) 및 광원모듈(130)을 포함할 수 있다.
컨트롤러(110)는 센서모듈(120) 및 광원모듈(130)과 전기적으로 접속된다. 컨트롤러(110)는 센서모듈(120)의 감지 신호에 응답하여 광원모듈(130)의 점등 및 소등을 제어하도록 구성될 수 있다. 컨트롤러(110)는 광원모듈(130)의 광량 제어, 광 조사 시스템(10)의 에러 제어, 도시하지 않은 외부 장치와의 인터페이싱을 담당할 수 있다.
센서모듈(120)은 적어도 하나의 센싱부를 포함할 수 있다. 센서모듈(120)은 광 조사 시스템(10)의 지정된 위치, 예를 들어 대상물의 진입부 측에 설치될 수 있다.
일 실시예에서, 센서모듈(120)은 단일 또는 복수의 센싱부를 구비하여, 대상물의 감지 여부를 컨트롤러(110)로 제공할 수 있다. 다른 실시예에서, 센서모듈(120)은 광원모듈(130)을 구비하는 광원부와 실질적으로 동일한 행렬로 배열된 센싱부를 구비할 수 있다. 이 경우, 컨트롤러(110)는 센싱부의 위치에 대응하는 광원부의 점등 및 소등을 개별적으로 제어할 수 있다.
광원모듈(130)은 복수의 광원부를 포함할 수 있다. 일 실시예에서 광원부는 지정된 행(m) 및 열(n)로 구성된 어레이 형태(m*n)로 배열될 수 있다. 각 광원부는 컨트롤러(110)의 제어에 따라 점등 또는 소등될 수 있다. 각 광원부는 광원모듈(130)을 구성하는 단위 셀이며, 예를 들어 UV광을 조사할 수 있도록 구현될 수 있다. 일 실시예에서, 광원부는 UV LED(Light Emitting Diode) 형태로 제작될 수 있다.
일 실시예에서, 적어도 하나의 센싱부를 구비하는 센서모듈(120)이 이용되는 경우, 컨트롤러(110)는 대상물의 크기, 형상, 이송속도, 광 조사 시간, 광원모듈(130)을 구성하는 광원부의 위치(좌표), 센싱부의 위치(좌표), 센싱부와 광원부 간의 거리 등을 제어 파라미터로서 미리 저장하고 있을 수 있다.
다른 실시예에서, 광원부와 실질적으로 동일한 배열을 갖는 센서모듈(120)을 이용하는 경우, 컨트롤러(110)는 대상물의 이송속도, 광 조사 시간, 센서모듈(120)의 센싱부에 대응하는 광원모듈(130)의 각 광원부의 위치(좌표), 대응하는 센싱부와 광원부 간의 거리 등을 제어 파라미터로서 미리 저장하고 있을 수 있다.
다른 실시예에서, 광원부와 실질적으로 동일한 배열을 갖는 센서모듈(120)을 이용하고, 센서모듈(120)의 각 센싱부가 각 광원부에 인접하여 마련되는 경우, 컨트롤러(110)는 대상물에 대한 광 조사 시간 등은 저장하고 있을 수 있지만, 대상물의 이송속도, 광원부의 위치(좌표), 센싱부와 광원부 간의 거리 등은 저장하고 있지 않을 수 있다. 즉, 각 센싱부의 위치가 실질적으로 광원부의 위치와 동일하므로, 센싱부에서 대상물이 감지되면 기 설정된 시간 동안 대응하는 광원부를 점등하면 되므로 기 저장해 둘 파라미터의 종류를 최소화할 수 있는 것이다.
따라서, 센싱모듈(120)에서 대상물이 감지되면 컨트롤러(110)는 대상물이 어떤 좌표의 광원부에 언제 도달할 지 예측할 수 있다. 그리고, 예측된 시간에 예측된 광원부를 점등하면 대상물과 대향하고 있는 광원부만을 선택적으로 점등할 수 있다. 또한, 대상물에 대한 광 조사 시간을 기초로. 점등한 광원부의 점등 유지 시간, 즉 소등 시점 또한 결정할 수 있어 대상물에 기 설정된 시간 동안 광을 조사할 수 있고, 불필요한 광원에의 노출을 방지할 수 있다.
도 1의 광 조사 시스템(10)은 센서모듈(120)과 광원모듈(130)이 별도 제작된 형태를 갖는다. 즉, 광원모듈(130)에 센서모듈(120)을 별도로 부착하여 광 조사 시스템(10)을 구현한 예를 나타낸다.
도 2는 다른 실시예에 의한 광 조사 시스템의 구성도이다.
도 2를 참조하면, 본 실시예에 의한 광 조사 시스템(20)은 컨트롤러(210) 및 광 조사 장치(220)를 포함할 수 있다.
광 조사 장치(220)는 일체로 제작되는 센서모듈(222) 및 광원모듈(224)을 포함할 수 있다. 컨트롤러(210), 센서모듈(222) 및 광원모듈(224) 각각의 구체적인 기능은 도 1에 도시한 컨트롤러(110), 센서모듈(120) 및 광원모듈(130)의 기능과 실질적으로 동일하므로 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도 1 또는 도 2의 광 조사 시스템(10, 20)은 대상물에 대한 광 조사 공정시, 센서모듈(120, 222)에 의해 대상물이 감지되면, 컨트롤러(110, 210)가 기 설정된 제어 파라미터에 기초하여 광원모듈(130, 224)의 점등 또는 소등을 제어할 수 있다. 따라서, 대상물이 광원모듈(130, 224)의 발광면을 따라 이동할 때, 대상물과 대향하고 있는 광원부만을 선택적으로 점등시킬 수 있다. 또한, 대상물에 대한 광 조사 시간을 고려하여 기 점등한 광원부의 소등 타이밍을 제어할 수 있다.
도 3은 일 실시예에 의한 광 조사 시스템의 광 조사 개념을 설명하기 위한 도면이다.
광원모듈(130, 224)은 반도체 장치 제조 장비의 베이스(40) 상에 설치된다.
대상물(50)은 그립퍼(G)에 의해 지지된 상태로 광원모듈(130, 224)의 발광면과 대향하면서 이송될 수 있다.
광원모듈(130, 224)에 구비되는 각 광원부(62)의 점등 또는 소등 시점은 센서모듈(120, 222)의 대상물(50) 감지 결과에 따라 컨트롤러(110, 210)에 의해 제어될 수 있다.
센서모듈(120, 222)이 대상물(50)의 검출 여부를 감지하도록 적어도 하나의 센싱부를 구비한 경우, 컨트롤러(110, 210)는 공정 전에 대상물(50)의 크기, 형상, 이송 속도, 광 조사 시간, 광원모듈(130, 224)을 구성하는 광원부의 위치(좌표), 센싱부의 위치(좌표), 센싱부와 광원부 간의 거리 등을 제어 파라미터로서 제공받고, 이에 기초하여 광원모듈(130, 224)을 구성하는 각 광원부를 제어할 수 있다.
광원모듈(130, 224)이 어레이 형태로 배열되는 복수의 광원부를 구비하고, 센서모듈(120, 222)이 광원부와 실질적으로 동일한 배열을 갖는 복수의 센싱부를 구비하여 대상물(50)의 형상을 감지하도록 구성되는 경우, 컨트롤러(110, 210)는 대상물(50)을 감지한 센싱부의 좌표에 대응하는 광원부의 점등 또는 소등을 제어할 수 있다. 이 경우, 컨트롤러(110, 210)는 대상물(50)을 감지한 센싱부에 대응하는 광원부를 제어하므로, 대상물(50)의 크기나 형상을 미리 알 필요가 없다. 다만, 컨트롤러(110, 210)는 공정 전에 대상물(50)의 이송 속도 및 광 조사 시간, 센서모듈(120)의 센싱부에 대응하는 광원모듈(130)의 각 광원부의 위치(좌표), 대응하는 센싱부와 광원부 간의 거리 등을 제어 파라미터로서 미리 제공받을 수 있다.
도 4 및 도 5는 일 실시예에 의한 광원모듈의 구성도로서, 도 4는 발광면 측의 평면도이고 도 5는 단면도를 나타낸다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 광원모듈(60)은 m개의 행과 n개의 열로 구성된, 즉 m*n 어레이 형태로 배열된 복수의 광원부(62)를 포함할 수 있다.
각 광원부(62)는 회로 패턴이 형성된 PCB(Printed Circuit Board)(64)의 일측 평면에 어레이 형태로 배열되며, PCB(64)의 회로 패턴에 전기적으로 접속되는 접속부(621) 및 대상물에 조사될 광이 발광되는 발광부(623)를 포함할 수 있다. 발광부(623)가 위치되는 면이 발광면을 이룸은 물론이다. 각 광원부(62)는 UV LED로 구성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
PCB(64)의 타측 평면에는 냉각장치(66)가 구비될 수 있다. 냉각장치(66)는 각 광원부(62)마다 구비될 수 있으며, 히트싱크(661) 및 냉각 팬(663)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 냉각장치(66)에 의해 각 광원부(62)의 발광에 따라 발생되는 열이 외부로 방출되어 각 광원부(62)의 온도가 일정하게 유지될 수 있다.
광원모듈(130, 224)이 도 4 및 도 5에 도시한 것과 같이 어레이 형태로 배열됨에 따라, 대상물의 형상에 대응하여 각 광원부(62)를 선택적으로 점등 또는 소등할 수 있다. 따라서, 광원부(62)의 불필요한 점등에 따른 소비 전력 문제, 작업자 안전 문제 등을 해결할 수 있다. 또한, 대상물을 처리할 광원부(62)가 선택적으로, 기 설정된 시간 동안만 점등 상태를 유지함에 따라 광원부(62)의 수명을 증가시킬 수 있고, 불필요한 광원이 주변 기구물에 조사되거나, 또는 대상물에 필요 이상 조사되는 것을 방지할 수 있다.
도 4 및 도 5에 도시한 광원모듈(60)은 도 1의 광원모듈(130) 또는 도 2의 광원모듈(224)로 채택 가능함은 물론이다.
도 6은 일 실시예에 의한 광 조사 시스템의 제어 방법을 설명하기 위한 개념도이고, 도 7은 일 실시예에 의한 광 조사 시스템의 제어 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 6에는 센서모듈(70)이 단일 센싱부(72)를 구비하는 경우를 나타내었다. 도 6에 도시한 광원모듈(60)은 도 1의 광원모듈(130) 또는 도 2의 광원모듈(224)일 수 있고, 도 6에 도시한 센서모듈(70)은 도 1의 센서모듈(120) 또는 도 2의 센서모듈(222)일 수 있다. 즉, 센서모듈(70)은 광원모듈(60)과 예를 들어 도 1과 같이 별도로 제작되거나 도 2와 같이 일체형으로 제작될 수 있다.
대상물(50)이 광원모듈(60)의 발광면과 대향하여 이송됨에 따라, 센서모듈(70)의 센싱부(72)가 대상물(50)을 감지할 수 있다(S101).
컨트롤러(110, 210)는 센싱부(72)가 대상물(50)의 존재 유무를 감지함에 따라, 기 설정된 대상물의 형상, 크기, 이송속도, 광 조사 시간, 각 광원부(62)의 위치(좌표), 센싱부(72)의 위치(좌표), 센싱부(72)로부터 각 광원부 간의 거리 등을 포함하는 제어 파라미터를 추출할 수 있다(S103).
그리고, 단계 S103에서 추출한 제어 파라미터에 따라 광원모듈(60)을 구성하는 광원부(62) 중 점등해야 하는 광원부를 예측하고, 예측한 광원부의 점등 및 소등 시점을 결정할 수 있다(S105). 아울러, 단계 S105에서 결정한 점소등 시점에 기초하여 각 광원부(62)의 점등 및 소등을 제어할 수 있다(S107).
다시 말해, 컨트롤러(110, 210)는 단계 S103에서 추출한 제어 파라미터로부터, 대상물(50)이 어떤 위치의 광원부에 언제 도달할 지 예측할 수 있으므로, 예측된 시간에 예측된 광원부를 점등하고, 기 설정된 광 조사 시간 동안 해당 광원부의 점등 상태를 유지함에 의해 대상물(50)을 가공할 수 있게 된다.
일 실시예에서, 대상물(50)은 반도체 웨이퍼일 수 있다. 반도체 웨이퍼는 150mm, 200mm, 300mm, 450mm 등 다양한 직경을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 대상물(50)은 액정디스플레이 패널일 수 있다. 액정 디스플레이 패널은 37", 42", 46", 55", 65", 82" 등 다양한 폭을 가질 수 있다.
대상물(50)은 칩이 제조된 다이싱 전의 기판, 또는 반도체 칩 패키지일 수 있으며, 이들 또한 다양한 폭을 가질 수 있다.
본 실시예에 의한 광 조사 시스템(10, 20)은 다양한 직경 또는 폭을 갖는 대상물(50)에 광 조사 공정을 수행하는 데 있어서, 대상물(50)의 직경이나 폭에 따라 각기 다른 장비를 사용할 필요가 없다.
즉, 각 광원부(62)가 동일한 크기를 가질 때, 대상물(50)의 최대 직경 또는 폭을 커버할 수 있는 개수(n개)의 광원부(62)를 열 방향으로 구비하도록 광원모듈(60)을 제조할 수 있다. 그리고, 센싱모듈(70)의 센싱 결과 및 기 설정된 제어 파라미터에 따라 필요한 광원부(62)만을 선택적으로 점등 또는 소등할 수 있다. 따라서 대상물(50)에 광을 조사할 필요가 없는 광원부의 불필요한 점등을 방지할 수 있고, 광 조사 시간을 초과하여 광원부를 구동하지 않아도 될 수 있다. 그러므로 소비 전력 문제, 안전 문제, 주변 기구물에 대한 영향 및 대상물(50)에 대한 영향을 최소화하면서 공정을 진행할 수 있다.
예를 들어, 대상물(50)이 광원모듈(60)의 발광면과 대향하여 이동하여 도 8과 같은 위치를 지나는 경우를 가정한다.
대상물(50)이 도 8과 같은 위치에 지날 때, 컨트롤러(110, 210)는 점등해야 할 광원부(빗금) 및 해당 광원부의 점등 유지 시간을 미리 예측할 수 있다. 그리고, 대상물(50)과 중첩되는 위치의 광원부(빗금)만을 구동하여 점등하고, 나머지 광원부(공백)는 소등할 수 있다. 따라서, 광원부의 불필요한 점등을 방지할 수 있고, 대상물(50)의 사이즈 또는 형상과 무관하게 광 조사 시스템(10, 20)을 적용할 수 있다.
도 9는 다른 실시예에 의한 광 조사 시스템의 제어 방법을 설명하기 위한 개념도이고, 도 10은 다른 실시예에 의한 광 조사 시스템의 제어 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 9에는 어레이 형태로 배열된 광원모듈(60)과 실질적으로 동일한 배열을 갖는 센서모듈(80)이 적용되는 경우를 나타내었다. 즉, 광원모듈(60)이 m*n 어레이 형태를 가질 때 센서모듈(80) 또한 m*n 어레이 형태를 가질 수 있다.
도 9에 도시한 광원모듈(60)은 도 1의 광원모듈(130) 또는 도 2의 광원모듈(224)일 수 있고, 도 9에 도시한 센서모듈(80)은 도 1의 센서모듈(120) 또는 도 2의 센서모듈(222)일 수 있다. 즉, 센서모듈(70)은 광원모듈(60)과 예를 들어 도 1과 같이 별도로 제작되거나 도 2와 같이 일체형으로 제작될 수 있다.
대상물(50)이 광원모듈(60)의 발광면과 대향하여 이송됨에 따라, 어레이 형태로 배열된 센싱부(82)를 구비하는 센서모듈(80)의 특정 센싱부에서 대상물(50)을 감지할 수 있다(S201).
이에 따라 컨트롤러(110, 210)는 단계 S201에서 대상물(50)을 감지한 센싱부의 위치(좌표) 및 이에 대응하는 광원부의 위치(좌표)를 추출할 수 있다(S203). 또한 컨트롤러(110, 210)는 대상물(50)의 이송 속도, 광 조사 시간, 센싱부와 광원부 간의 거리 등을 포함하는 제어 파라미터를 추출할 수 있다(S205).
그리고, 단계 S203에서 추출한 광원부의 위치 및 단계 S205에서 추출한 제어 파라미터에 따라 광원모듈(60)을 구성하는 광원부 중 점등해야 할 광원부의 점등 시점과 소등 시점을 결정할 수 있다(S207). 그러면 이에 기초하여 각 광원부(62)의 점등 및 소등을 제어할 수 있다(S209).
본 실시예에서, 컨트롤러(110, 210)는 단계 S203에서 점등할 광원부의 위치를 결정할 수 있고, 단계 S205에서 추출한 제어 파라미터로부터 대상물(50)이 해당 광원부에 언제 도달할지 예측할 수 있게 된다. 그러므로, 단계 S207을 통해 점등할 광원부의 점소등 시점을 결정하여, 기 설정된 광 조사 시간 동안 해당 광원부의 점등 상태를 유지함에 의해 대상물(50)을 가공할 수 있게 된다.
대상물(50)은 다양한 형태, 직경 또는 폭을 가질 수 있다. 본 실시예에 의한 광 조사 시스템(10, 20)은 다양한 직경 또는 폭을 갖는 대상물(50)에 광 조사 공정을 수행하는 데 있어서, 대상물(50)의 직경이나 폭에 따라 각기 다른 장비를 사용할 필요가 없다.
즉, 센싱모듈(80)의 센싱 결과 및 기 설정된 제어 파라미터에 따라 필요한 광원부(62)만을 선택적으로 점등 또는 소등하면 되므로, 대상물(50)에 광을 조사할 필요가 없는 광원부의 불필요한 점등을 방지할 수 있고, 광 조사 시간을 초과하여 광원부를 구동하지 않아도 될 수 있다. 그러므로 소비 전력 문제, 안전 문제, 주변 기구물에 대한 영향 및 대상물(50)에 대한 영향을 최소화하면서 공정을 진행할 수 있다.
예를 들어, 대상물(50)이 센싱모듈(80)과 대향하여 도 11과 같은 위치를 지나는 경우를 가정한다.
컨트롤러(110, 210)는 센싱모듈(80) 중 대상물(50)을 감지한 센싱부의 위치에 대응하는 광원부의 위치를 검출하고, 대상물(50)의 이송 속도, 센싱부와 광원부 간의 거리 등에 기초하여 검출한 광원부의 점등 시점 및 소등 시점을 결정할 수 있다.
일정 시간 경과 후, 대상물(50)이 도 12와 같은 위치를 지날 때, 컨트롤러(110, 210)는 미리 검출한 광원부(빗금)를 점등하고, 나머지 광원부(공백)는 소등할 수 있다. 그리고, 점등한 광원부(빗금)는 광 조사 시간에 기초하여 지정된 시간 경과 후 소등할 수 있다.
따라서, 광원부의 불필요한 점등을 방지할 수 있고, 대상물(50)의 사이즈 또는 형상과 무관하게 광 조사 시스템(10, 20)을 적용할 수 있다.
이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10, 20 : 광 조사 시스템
110, 210 : 컨트롤러
120, 222, 70, 80 : 센서모듈
130, 224, 60 : 광원모듈
220 : 광 조사 장치
50 : 대상물

Claims (20)

  1. 대상물을 감지하여 검출신호를 생성하도록 구성되는 센싱모듈;
    복수의 광원부를 포함하도록 구성되는 광원모듈; 및
    상기 검출신호 및 기 설정된 제어 파라미터에 기초하여 상기 복수의 광원부를 선택적으로 점등 또는 소등하도록 구성되는 컨트롤러;
    를 포함하는 광 조사 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 센싱모듈은 적어도 하나의 센싱부를 포함하고,
    상기 제어 파라미터는 상기 대상물의 크기, 형상, 이송 속도, 상기 대상물에 대한 광 조사 시간, 상기 적어도 하나의 센싱부와 상기 복수의 광원부 각각 간의 거리를 포함하도록 구성되는 광 조사 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 컨트롤러는, 상기 제어 파라미터에 기초하여 점등할 광원부를 결정하고, 상기 점등할 광원부의 점등 및 소등 시점을 결정하도록 구성되는 광 조사 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 광원모듈은 상기 광원부가 지정된 개수의 행렬로 배열된 어레이 형태로 구성되고, 상기 센싱모듈은 상기 광원부와 동일한 배열을 갖는 복수의 센싱부를 포함하도록 구성되는 광 조사 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제어 파라미터는 상기 대상물의 이송 속도, 상기 대상물에 대한 광 조사 시간, 상기 배열상으로 대응하는 센싱부와 광원부 간의 거리를 포함하도록 구성되는 광 조사 시스템.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 컨트롤러는 상기 대상물을 감지한 센싱부와 상기 배열상으로 대응하는 광원부를 검출하고, 상기 제어 파라미터에 기초하여 상기 검출한 광원부의 점등 및 소등 시점을 결정하도록 구성되는 광 조사 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 센싱모듈 및 상기 광원모듈은 일체형으로 구성되는 광 조사 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 센싱모듈 및 상기 광원모듈은 별도 장치로 구성되는 광 조사 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 광원부는 자외선 발광 다이오드를 포함하도록 구성되는 광 조사 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 대상물은 반도체 웨이퍼, 액정디스플레이 패널, 칩이 제조된 기판, 또는 반도체 칩 패키지 중에서 선택되는 광 조사 시스템.
  11. 센싱모듈, 광원모듈 및 컨트롤러를 포함하는 광 조사 시스템의 제어 방법으로서,
    상기 센싱모듈이 대상물을 감지하여 검출신호를 생성하는 단계; 및
    상기 컨트롤러가 상기 검출신호 및 기 설정된 제어 파라미터에 기초하여 상기 광원모듈을 구성하는 복수의 광원부를 선택적으로 점등 또는 소등하는 제어단계;
    를 포함하도록 구성되는 광 조사 시스템의 제어 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 센싱모듈은 적어도 하나의 센싱부를 포함하고,
    상기 제어 파라미터는 상기 대상물의 크기, 형상, 이송 속도, 상기 대상물에 대한 광 조사 시간, 상기 적어도 하나의 센싱부와 상기 복수의 광원부 각각 간의 거리를 포함하도록 구성되는 광 조사 시스템의 제어 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제어단계는, 상기 컨트롤러가 상기 제어 파라미터에 기초하여 점등할 광원부를 결정하는 단계; 및
    상기 컨트롤러가 상기 점등할 광원부의 점등 및 소등 시점을 결정하는 단계;
    를 더 포함하도록 구성되는 광 조사 시스템의 제어 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 광원모듈은 상기 광원부가 지정된 개수의 행렬로 배열된 어레이 형태로 구성되고, 상기 센싱모듈은 상기 광원부와 동일한 배열을 갖는 복수의 센싱부를 포함하도록 구성되는 광 조사 시스템의 제어 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제어 파라미터는 상기 대상물의 이송 속도, 상기 대상물에 대한 광 조사 시간, 상기 배열상으로 대응하는 센싱부와 광원부 간의 거리를 포함하도록 구성되는 광 조사 시스템의 제어 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제어단계는, 상기 컨트롤러가 상기 대상물을 감지한 센싱부와 상기 배열상으로 대응하는 광원부를 검출하는 단계; 및
    상기 컨트롤러가 상기 제어 파라미터에 기초하여 상기 검출한 광원부의 점등 및 소등 시점을 결정하는 단계;
    를 더 포함하도록 구성되는 광 조사 시스템의 제어 방법.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 센싱모듈 및 상기 광원모듈은 일체형으로 구성되는 광 조사 시스템의 제어 방법.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 센싱모듈 및 상기 광원모듈은 별도 장치로 구성되는 광 조사 시스템의 제어 방법.
  19. 제 11 항에 있어서,
    상기 광원부는 자외선 발광 다이오드를 포함하도록 구성되는 광 조사 시스템의 제어 방법.
  20. 제 1 항에 있어서,
    상기 대상물은 반도체 웨이퍼, 액정디스플레이 패널, 칩이 제조된 기판, 또는 반도체 칩 패키지 중에서 선택되는 광 조사 시스템의 제어 방법.
KR1020150099361A 2015-07-13 2015-07-13 반도체 장치를 위한 광 조사 시스템 및 그 제어 방법 KR20170008370A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150099361A KR20170008370A (ko) 2015-07-13 2015-07-13 반도체 장치를 위한 광 조사 시스템 및 그 제어 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150099361A KR20170008370A (ko) 2015-07-13 2015-07-13 반도체 장치를 위한 광 조사 시스템 및 그 제어 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170008370A true KR20170008370A (ko) 2017-01-24

Family

ID=57992990

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150099361A KR20170008370A (ko) 2015-07-13 2015-07-13 반도체 장치를 위한 광 조사 시스템 및 그 제어 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20170008370A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190008471A (ko) * 2017-07-14 2019-01-24 에스케이하이닉스 주식회사 냉각/가열 복합 장치, 이를 구비하는 접착 필름 절단 어셈블리 및 접착 필름 절단 장비
WO2021194041A1 (ko) * 2020-03-24 2021-09-30 (주)선재하이테크 진공자외선을 이용한 정전기제거장치의 온오프 제어 시스템

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190008471A (ko) * 2017-07-14 2019-01-24 에스케이하이닉스 주식회사 냉각/가열 복합 장치, 이를 구비하는 접착 필름 절단 어셈블리 및 접착 필름 절단 장비
WO2021194041A1 (ko) * 2020-03-24 2021-09-30 (주)선재하이테크 진공자외선을 이용한 정전기제거장치의 온오프 제어 시스템

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20080023639A1 (en) Ultraviolet Irradiation Apparatus
JP5117709B2 (ja) 紫外線照射装置及び紫外線照射方法
CN1841204B (zh) 外围曝光装置
TW201642381A (zh) 基板處理與加熱系統
KR101705380B1 (ko) 국소 노광 방법 및 국소 노광 장치
KR101758392B1 (ko) 국소 노광 장치
KR20150066898A (ko) Ｕｖ-ｌｅｄ모듈을 이용한 경화 장치
JP5035272B2 (ja) 光照射装置
KR20170008370A (ko) 반도체 장치를 위한 광 조사 시스템 및 그 제어 방법
CN102591157A (zh) 曝光方法及其装置
JP6545532B2 (ja) ヒーターブロックおよび基板熱処理装置
JP5416918B2 (ja) 光照射装置及びこれに用いられる発光ダイオードの照度補正方法
JP2012009642A (ja) 光照射装置及び光照射方法
KR102307596B1 (ko) 노광 장치, 기판 처리 장치, 기판의 노광 방법 및 기판 처리 방법
KR102576187B1 (ko) 자외선 경화 장치
US20200031026A1 (en) Curing-device
JP2016068052A (ja) 光源装置
US11398394B2 (en) Heating treatment method and optical heating device
KR20120035782A (ko) 실런트 경화 장치 및 실런트 경화장치용 엘이디 배열구조
JP5382373B2 (ja) 光照射装置
KR20100136784A (ko) 노광 장치
JP2009152386A (ja) 紫外線照射装置及び紫外線照射方法
JP5691726B2 (ja) 照明装置用反射体、及び照明装置
KR102472950B1 (ko) 냉각/가열 복합 장치, 이를 구비하는 접착 필름 절단 어셈블리 및 접착 필름 절단 장비
JP2011095718A (ja) 近接露光装置及びその近接露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
WITB Written withdrawal of application