KR101560874B1 - 기판 급속 열적 가열 시스템 및 방법 - Google Patents

기판 급속 열적 가열 시스템 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101560874B1
KR101560874B1 KR1020130103938A KR20130103938A KR101560874B1 KR 101560874 B1 KR101560874 B1 KR 101560874B1 KR 1020130103938 A KR1020130103938 A KR 1020130103938A KR 20130103938 A KR20130103938 A KR 20130103938A KR 101560874 B1 KR101560874 B1 KR 101560874B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heating
platen
heat
substrate
substrates
Prior art date
Application number
KR1020130103938A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140104337A (ko
Inventor
나이-한 쳉
치-밍 양
Original Assignee
타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 filed Critical 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20140104337A publication Critical patent/KR20140104337A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101560874B1 publication Critical patent/KR101560874B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D11/00—Arrangement of elements for electric heating in or on furnaces
    • F27D11/12—Arrangement of elements for electric heating in or on furnaces with electromagnetic fields acting directly on the material being heated
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
    • F27B17/0016—Chamber type furnaces
    • F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • F27D99/0001—Heating elements or systems
    • F27D99/0006—Electric heating elements or system
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

반도체 및 다른 기판의 급속 열적 열 처리를 위한 방법 및 장치가 제공된다. 어레이 또는 다른 구성으로 배열된 다수의 가열 램프는 광 및 열 방사를 생성한다. 고강도 광 및 열의 방사 빔을 형성하는 광 및 열 방사는 가열 슬롯을 통하여 안내된다. 방사 빔은 다수의 기판을 포함하는 플래턴으로 안내된다. 장치 및 방법은 가열 슬롯에 대하여 플래턴의 회전 및 병진 운동을 제어하고, 또한 가열 램프에 개별적으로 그리고 집합적으로 공급된 전력을 제어하는 컨트롤러를 포함한다. 모든 기판의 모든 부분들이 소망의 열 처리를 받도록, 즉 소망의 시구간 동안 소망의 온도에 이르도록 플래턴을 조작하는 프로그램이 실행된다.

Description

기판 급속 열적 가열 시스템 및 방법{SUBSTRATE RAPID THERMAL HEATING SYSTEM AND METHODS}
본 개시는 가장 일반적으로 반도체 디바이스 제조 공정에 관한 것이고, 보다 구체적으로는 반도체 디바이스가 제조되고 있을 때 기판을 열처리하는 방법 및 시스템에 관한 것이다.
집적 회로 및 다른 반도체 디바이스의 제조에 있어서, 기판 상에 디바이스를 제조하기 위해 사용되는 가공 동작의 시퀀스는 전형적으로 다수의 열 처리 동작을 포함한다. 열처리 동작은 벌크 기판 그 자체의 물질 또는 구조, 또는 기판 상에 형성된 물질 및 디바이스의 특성을 변경하기 위해 사용되는 이온 주입 동작, 실리사이드화(silicidation) 열 처리 동작 및 다른 열 처리 동작에 후속하여 사용될 수 있는, 어닐링 동작을 포함한다.
주입후(post-implant) 어닐링 작업이 주입된 도판트를 활성화시키고 주입 손상을 보수하기 위해 이온 주입 후에 수행된다. 주입후 어닐링은 도판트 확산을 피하기 위해 열 처리량(thermal budget) 제어, 즉 밀리초의 시간에 대해 높은 온도를 사용하여 수행되는 것이 이롭다. 이런 이유 및 다른 이유로, 급속 열 어닐링,(rapid thermal annealing; RTA), 플래시, 및 다른 급속 열 가공(rapid thermal processing; RTP) 작업이 퍼니스(furnace) 작업에 반대함에 따라, 반도체 디바이스 가공 기술이 계속하여 개발됨에 따라 선호되는 열 처리 작업이 될 것이다.
RTP 및 RTA은 매우 높은 온도에서 단시간에 기판을 가열하기 위해 단시간 동안 고강도로 집합적으로 비추는 다수의 개별의 상대적으로 작은 사이즈의 고강도 가열 램프를 이용한다. 가열 램프는 일반적으로 기판의 열 처리 작업을 받는 기판에 아주 근접하여 위치결정됨으로써 각각의 가열 램프가 기판의 해당 근접한 영역을 가열하고, 따라서 램프들 사이의 불균일함이 고르지 못한 가열을 초래한다. 이제 반도체 디바이스는 300mm 또는 450mm의 직경일 수 있는 기판 상에 제조되고 있고, 이것은 더 많은 수의 가열 램프를 필요로 하고, 가열 램프 사이의 불균일함은 기판의 표면에 걸쳐 극적인 가열 차를 생성할 수 있다. 이것은 기판에 걸쳐 일관성없는 재료 품질을 초래하고, 디바이스 성능 및 기능성에 악영향을 미친다.
반도체 제조 산업에 항상 존재하는 하나의 목표는 고속 사이클 타임을 달성하는 것이다. 이것은 로트(lot), 즉 기판 그룹에서 가능한 빨리 많은 디바이스를 생성하기 위해 가장 소망될 수 있고 가장 비용-효율적인 것이다. 그러므로, 각각의 기판을 가능한 빨리 가공할 수 있고, 또한 다양한 가공 작업 및 장치에서 가능한 많은 기판을 함께 가공할 수 있는 것이 중요하다.
기판에 걸친 가열의 균일함을 제공하는 열 처리 작업 및 처리하는 기판의 프로그램가능한 열 처리량 제어가 필요하다.
본 개시는 첨부 도면과 함께 판독될 ? 다음의 상세한 설명으로부터 가장 잘 이해된다. 일반적인 관례에 따르면, 도면의 다양한 피처는 일정한 비율일 필요는 없다. 반면에, 다양한 피처의 치수는 명료함을 위해 임의로 확대 또는 축소될 수 있다. 명세서 및 도면 전반에 걸쳐 같은 번호가 같은 피처를 지시한다.
도 1은 5개 또는 몇개의 기판을 포함하는 회전가능하고 병진가능한 플래턴에 대하여 위치결정된 램프 모듈을 나타내는 투시도이다.
도 2는 기판에 대하여 램프 모듈의 세부 사항을 나타내는 투시 측면도이다.
도 3은 다수의 가열 램프 및 가열 슬롯을 갖는 가열 모듈을 나타내는 평면도이다.
도 4는 일실시형태에 따라 램프 모듈에 의해 생성된 방사 빔이 기판을 조명하고 가열하는 영역을 나타내는 도면이다.
도 5는 5개의 기판을 포함하는 회전가능하고 병진가능한 플래턴에 관계하여 램프 모듈을 나타내는 상면도이다.
본 개시는 반도체 및 다른 기판을 열 처리하기 위한 급속 열적 열 처리 장치 및 방법을 제공한다. 본 개시는 다수의 고전력 고강도 가열 램프를 제공하는 단계, 어레이 또는 다른 구성으로 가열 램프를 배열하는 단계, 및 가열 램프가 배열된 면적에 비해 축소된 사이즈, 즉 가열 램프에 의해 점유된 면적보다 작은 사이즈의 열 방사 빔을 형성하기 위해 가열 슬롯을 통해 가열 램프에 의해 발생된 열 방사를 집속시키는(focusing) 단계를 제공한다. 열 방사 빔은 플래턴(platen) 표면으로 향하고, 플래턴의 표면, 즉 빔이 플래턴에 부딪히는 위치에서 빔 영역을 갖는다. 플래턴은 적어도 하나의 기판 수용소(receiving station)를 포함한다. 다수의 기판이 플래턴 상에 위치결정될 때 플래턴은 열 방사 빔이 플래턴 상에 배치된 기판들 각각의 모든 부분들을 침해하여 가열하도록 회전되고 병진(translate)될 수 있다.
급속 열적 가열 장치는 일실시형태에서 RTA 장치이고, 일실시형태에서 플래턴의 병진 및 회전 운동을 제어하여 플래턴 및 플래턴 상의 기판을 열 방사 빔에 대하여 조작(maneuver)되게 하는 컨트롤러를 포함한다. 컨트롤러는 다양한 실시형태에서 다양한 프로그램에 따라, 기판의 모든 영역이 원하는 시간동안 원하는 온도까지 가열되도록, 즉 기판 각각의 모든 영역이 동일한 열 처리량(thermal budget)을 얻도록 각각의 기판의 각 영역이 열 방사 빔에 의해 가열되도록 회전 및 병진을 제어한다. 컨트롤러는 또한 가열 램프 각각에 공급되는 전력을 제어한다. 일부 실시형태에서, 컨트롤러는 프로세서 또는 마이크로프로세서이거나, 그것을 포함한다. 일부 실시형태에서, 프로세서는 프로그램 명령을 갖는 비일시적인 컴퓨터 판독가능한 저장 매체를 수용한다. 일부 실시형태에서, 컨트롤러는 급속 열적 열 처리 장치로 하여금 프로그램 명령에 따라 어닐링 또는 다른 급속 열 가열 작업을 수행하게 한다.
도 1은 기판(4)을 각각 유지하는 5개의 기판 수용소를 갖는 플래턴(2)을 나타내는 투시도를 부분적으로 나타낸 개략도이다. 각 기판 수용소는 그곳에 해당 기판(4)을 수용하고 고정할 수 있는 척(chuck) 또는 다른 부재이다. 일부 실시형태에서, 척은 진공 척이다. 5개의 기판(2)이 도 2에 예시된 실시형태에서 도시되었지만, 다른 실시형태에서는 다른 수의 기판 수용소가 포함되고 다른 수의 기판이 플래턴(2) 상에 수용된다. 기판(4)은 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 웨이퍼, 또는 다양한 실시형태에서 반도체 제조에 사용되는 다른 적합한 기판이다. 다양한 실시형태에 있어서, 기판(4)은 다양한 치수를 갖는다. 일실시형태에서, 기판(4)은 약 300mm의 직경을 포함하고, 다른 실시형태에서 기판(4)은 약 450mm의 직경을 포함하지만, 다른 실시형태에서 다른 사이즈를 갖는 기판이 사용된다. 일부 실시형태에서, 플래턴(2)은 상이한 사이즈의 기판을 수용할 수 있거나, 상이한 사이즈의 기판을 포함하기 위해 재조절될 수 있다.
기판(4)은 다양한 제조 단계에 있고, 어닐링, 실리사이드화 및 다른 열 작업에 따라 급속 열 작업이 수행된다.
플래턴(2)은 램프 모듈(8)에 대하여 장치 내에서 위치결정된다. 플래턴(2)은 화살표(10)에 의해 지시되는 회전 운동, 및 화살표(12)에 의해 지시된 병진 운동이 가능하다. 컨트롤러(6)는 플래턴(2)에 연결되어 플래턴(2)의 회전 및 병진 운동을 제어함으로써 플래턴(2) 상에 배치된 기판(4)도 제어한다. 플래턴(2)의 회전 운동은 시계방향 및 반시계방향을 포함하고, 플래턴(2)은 다양한 실시형태에서 시계방향과 반시계방향 모두로 회전할 수 있다. 화살표(12)에 의해 지시된 방향을 따른 병진 운동은 좌측 및 우측 모두일 수 있고, 일부 실시형태에서 병진 운동은 연속적인 운동인 반면에, 다른 실시형태에서 병진 운동은 증분 운동(incremental motion)이다. 병진 운동이 증분 운동인 실시형태에 따르면 운동 증분의 단계 사이즈는 다양한 실시형태에서 변한다. 보다 구체적으로, 컨트롤러(6)는 램프 모듈(8)에 대하여 플래턴(2)의 회전 및 병진 운동을 제어한다.
일부 실시형태에서, 기판(4)은 각 기판이 개별적으로 회전가능하도록 회전가능한 기판 수용소 상에 배치된다. 그러한 실시형태에 따르면, 컨트롤러(6)는 개별의 기판(4)의 회전을 또한 제어한다.
컨트롤러(6)는 또한 램프 모듈(8)에 연결되고, 램프 모듈(8)의 가열 램프에 공급되는 전력을 제어한다. 가열 램프는 도 2 및 도 3에 도시되어 있고, 유리하게는, 고강도 가열 램프일 수 있다. 램프 강도, 시간 및 전력을 제어하는 컨트롤러(6)가 열 처리 및 다른 어닐링 작업에 걸쳐 이용되는 램프 또는 특정 램프에 제공된다. 컨트롤러(6)는 가열 램프를 집합적으로 및 개별적으로 모두 제어한다.
다양한 유형의 컨트롤러가 다양한 실시형태에서 컨트롤러(6)로서 사용된다. 컨트롤러(6)는 가열 모듈(8)의 가열 램프에 전기적으로 연결되고, 또한 플래턴(2)에 전기적으로 연결되어 플래턴(2)의 병진 및 회전 운동을 제어한다. 일부 실시형태에서, 컨트롤러(6)는 입력으로서 데이터를 채택(accept)하고, 그 메모리 내에 저장된 명령에 따라 그것을 처리하고, 출력으로서 결과를 제공하는 다목적 프로그래머블 디바이스인 프로세서 또는 마이크로프로세서를 포함한다. 일부 실시형태에서, 결과는 가열 램프 및 플래턴(2)에 공급되는 전력을 제어함으로써 컨트롤러(6)에 의해 실행되는 프로그램이다. 일부 실시형태에서, 컨트롤러(6)는 비일시적인 컴퓨터 판독가능한 전자 저장 매체로부터 프로그램 명령을 수신하는 프로세서이다. 일부 실시형태에서, 프로그램 명령은 플래턴(2)에 배치된 기판(4)의 모든 영역들이 소망의 열 처리를 받도록 어닐링 또는 다른 열 처리 작업을 수행하기 위해 제공한다.
도 2는 램프 모듈(8) 및 기판(4)의 측면 투시도이다. 기판(4)은 도 1에 도시된 바와 같이, 플래턴(2)와 같은 플래턴 상에 배치된다. 기판(4)이 도 1에 도시된 바와 같이 플래턴(2)과 같은 플래턴 상에 배치된다. 램프 모듈(8)은 수많은 가열 램프(16) 및 가열 슬롯(18)를 포함한다. 일부 실시형태에서, 가열 램프(16)는 고온 파워 모듈형 가열 램프이다. 일부 실시형태에서, 가열 램프(16)는 방사 빔(14)을 형성하기 위해 가열 슬롯(18)을 통해 가열 램프(16)에 의해 생성된 고강도 광 및 열을 안내하는 것을 돕는 벽(20)을 포함한 챔버 내에 배치된다. 방사 빔(14)은 기판(4)에 도달한다. 방사 빔(14)은 균일한 열적 프로파일에 의해 특징지어진다. 벽(20)의 내부 및 가열 슬롯(18)의 내부는 일부 실시형태에서는 다양한 불투명한 물질로 형성되고, 일부 실시형태에서는 반사성 물질로 형성된다. 벽(20) 및 가열 슬롯(18)의 내부는 가열 슬롯(18)을 통하여 기판(4)을 향하여 방사 빔(14)의 형태로 열 및 광 방사선를 안내하고 향하게 한다. 다양한 수의 가열 램프(16)가 다양한 실시형태에서 사용되고, 가열 슬롯(18)은 다양한 실시형태에서 다양한 치수를 포함한다. 예시된 실시형태에 있어서, 가열 램프(16)는 일반적으로 면으로 배열되고 가열 슬롯(18)의 벽은 가열 램프(16)의 면과 직교하지만, 다른 실시형태에 있어서 가열 슬롯(18)의 벽은 안쪽으로 테이퍼드(inwardly tapered)되거나 다른 구성을 취한다. 가열 슬롯(18)은 기판(4)으로부터 거리(24)에서 배치된다. 거리(24)는 높이 제어가능하고, 다양한 실시형태에 있어서 다양한 값을 취한다.
가열 램프(16)는 다양한 실시형태에 있어서 다양한 2차원 또는 3차원 배열로 배열된다. 도 3은 영역(22)에 걸쳐 2차원 배열로 배치된 다수의 가열 램프(16)를 나타낸다. 다르게 말하면, 가열 램프(16)는 영역(22)을 점유한다. 모든 가열 램프(16)의 열 방사는 가열 슬롯(18)을 통해 안내(direct)되어 도 2에 나타낸 방사 빔(14)과 같은 열 방사의 집속된 강한 빔을 형성한다. 가열 램프(16)에 의해 점유되는 가열 슬롯(18) 및 영역(22)의 상대적인 사이즈는 다양한 실시형태에서 변한다. 또한, 가열 슬롯(18)에 대한 가열 램프(16)의 수도 다양한 실시형태에서 변한다. 도 2 및 도 3은 다수의 가열 램프가 다양한 배열로 위치결정되고, 가열 램프에 의해 생성된 열 방사가 플래턴(platen)과 가열 램프 사이에 배치된 가열 슬롯을 통해 안내된다는 것을 예시한다. 가열 슬롯(18)은 기판을 수용하기 위한 하나 또는 다수의 위치를 포함하는 플래턴으로 안내되는 광 및 열 방사의 빔을 제공한다. 광 및 열 방사의 빔은 약 450℃ 내지 1350℃의 온도까지 기판을 가열할 수 있는 고강도 광 빔이다. 광 및 열 방사의 빔은 도 4에 나타낸 기판(4)의 평면에서 빔 영역을 포함한다.
도 4는 일실시형태에 따라 기판(4) 상에 겹쳐지는(superimpose) 방사 빔 영역(28)을 나타낸 평면도이다. 일부 실시형태에서, 기판(4)은 방사 빔 영역(28)에 의해 표시되는 방사 빔에 대하여 개별적으로 회전 및/또는 병진한다. 도 4는 기판(4)의 방사 빔 영역(28)이 기판(4)의 영역보다 상당히 작다는 것을 나타낸다. 일실시형태에서, 방사 빔 영역(28)은 기판(4)의 영역의 약 10%보다 작다. 일부 실시형태에서, 방사 빔 영역(28)은 기판(4)의 영역의 약 15%보다 작다. 다른 실시형태에 있어서, 방사 빔 영역(28)은 기판(4)의 영역의 약 20%보다 작다. 방사 빔 영역(28)은, 그것이 기판(4)에 도달했을 때, 도 2에 나타낸 방사 빔(14)과 같은 광 및 열 방사의 빔의 영역이다. 방사 빔 영역(28)은 예시된 실시형태에서 직사각형이지만, 방사 빔 영역(28)은 상이한 실시형태에서 상이한 형상을 포함한다. 일부 실시형태에서 방사 빔 영역(28)은 정사각형이고, 다른 실시형태에서 방사 빔 영역(28)은 원형, 타원형, 부등변 사각형, 사다리꼴이다. 일부 실시형태에서, 방사 빔 영역(28)은 기판(4)과 거의 동일한 사이즈이고 거의 동일한 형상이다. 방사 빔 영역(28)은 기판(4) 사이즈의 약 1%로부터 100%보다 큰 범위 내에 있다. 방사 빔 영역(28)이 기판(4)과 거의 동일한 사이즈이고 동일한 형상인 실시형태에 따르면, 가열 슬롯의 다른 측에 배치된 가열 램프는 기판(4)과 방사 빔 영역(28)의 영역보다 큰 영역을 차지한다.
모든 실시형태에 따르면, 개시는 그 안에 가열 램프가 배치되고 가열 램프의 광 및 열 출력을 결합하고 집속하는 영역보다 작은 영역을 갖는 가열 슬롯을 통해 열 방사를 안내함으로써 가열 램프(16) 사이에서 어떠한 불균함을 정정한다. 가열 슬롯은 그 안에 가열 램프가 배치되는 영역보다 작은 방사 빔 영역(28)을 갖는 방사 빔을 안내한다.
도 5는 플래턴(2)을 나타내고, 주된 평면도이며, 컨트롤러(6)를 또한 나타낸다. 플래턴(2)은 대응하는 기판 수용소 내에 각각 수용되는 5개의 기판(4)을 포함한다. 일부 실시형태에서, 플래턴(2)이 고속으로 회전하는 위치에서 기판(4)이 남아 있도록 기판(4)은 진공 척(chuck) 또는 다른 고정 수단을 이용하여 플래턴(2)에 의해 단단히 유지된다. 도 5는 플래턴(2)에 연결된 컨트롤러(6)를 나타낸다. 컨트롤러(6)는 여러 적합한 기계적인 수단 중 어느 것을 이용하여 플래턴(2)의 운동을 제어한다. 가열 슬롯(18)이 또한 도 5에 도시된다. 가열 슬롯(18)은 도 2 및 도 3에 나타낸 가열 램프(16)와 같은 고강도 가열 램프와 플래턴(2) 사이에 배치된다. 가열 램프(16)와 협력한 가열 슬롯(18)은 도 4에 도시되었지만 도 5에는 예시되지 않은 방사 빔 영역(28)을 생성한다.
컨트롤러(6)는 또한 도 1 및 도 3에 나타낸 바와 같이 가열 램프(16)에 연결된다. 도 5를 여전히 참조하면, 컨트롤러(6)는 쌍촉 화살표(12)에 의해 표시되는 방향을 따른 병진, 및 쌍촉 화살표(10)에 의해 표시되는 바와 같은 시계 방향 및/또는 반시계 방향 회전을 제어한다. 컨트롤러(6)는 또한 기판(4)이 개별적으로 회전가능한 실시형태에 따라 기판(4)의 회전을 제어한다. 일부 실시형태에서, 플래턴(2)은 약 10 내지 약 800 RPM(revolutions per minute)의 범위 내의 속도로 회전한다. 컨트롤러(6)는 가열 램프에 의해 생성되어 가열 슬롯(18)을 통하여 안내되는 열 강도를 제어한다. 본 개시는 기판(4) 각각의 모든 영역이 방사 빔(14)에 의해 열 처리되도록 병진 및 회전에 의해 플래턴(2)을 조작(maneuver)하는 것(을 제공한다. 일부 실시형태에서, 이것은 동시적인 병진 및 회전에 의해 성취된다. 일부 실시형태에서 병진은 연속적인 운동이고, 다른 실시형태에서 병진은 증분적인 운동이다. 일부 실시형태에서, 각각의 증분의 스텝 사이즈는 약 2 내지 약 20 mm 또는 약 4 내지 20 mm의 범위 내에 있지만, 다른 실시형태에서는 다른 스텝 사이즈가 이용된다. 일부 실시형태에서, 기판(4) 각각의 각 부분이 방사 빔(14) 아래를 여러 번 통과하도록 플래턴(2)의 운동이 제어되므로 기판 각각의 각 부분은 방사 빔(14)에 의해 여러 번 가열된다. 일부 실시형태에서, 기판 각각의 각 부분은 기판 밀리세컨드 또는 마이크로세컨드 범위의 시간 동안 열 방사 빔(14)에 노출되고, 고속 열 처리 동작 동안에 그러한 노광은 한 번 또는 여러 번 발생할 수 있다.
본 개시의 방법 및 장치는 기판을 가로질러 전역에 우수한 빔 전류 및 온도 균일성을 제공한다는 것을 알았다. 우수한 빔 전류 및 온도 균일성은 본 개시의 방법 및 장치를 이용하여 어닐링된 막의 우수한 두께 균일성을 생성한다. 플래턴(2)의 병진 운동이 약 4.25 mm의 스텝 사이즈를 갖는 증분적인 운동이었던 하나의 시행 실시형태에서, 본 개시의 방법 및 장치에 따라 어닐링되었던 대표적인 박막에 대하여 102.9 nm의 평균 막 두께가, 3.5 nm (3.4%)의 표준 편차 (3-시그마) 및 8.3 nm (4.0%)의 범위를 가지고 성취되었다. 본 개시의 방법 및 장치에 따른 어닐링 동작에서 약 4.25 mm의 증분적인 운동의 스텝 사이즈가 사용되었던 또 다른 시행 실시형태에서는, 102.7 nm의 평균 막 두께가 2.2 nm (2.1%)의 표준 편차 (3-시그마) 및 단지 3.0 nm (1.5%)의 범위를 가지고 얻어졌다.
일양상을 따르면, 컨트롤러는 프로세서이거나 프로세서를 포함하고, 비일시적 컴퓨터 판독가능한 전자식 저장 매체로부터 명령을 수신한다. 다른 실시형태에 있어서, 컨트롤러(6)는 키보드 또는 GUI(graphical user interface)와 같은 다양한 입력 디바이스로부터 프로그램 명령을 수신한다. 다양한 실시형태에서, 컨트롤러(6)는 프로그램 명령을 실행하고, 프로그램 명령에 응답하여 플래턴(2), 가열 램프, 및 일부 실시형태에서는 개별의 기판의 운동을 제어한다. 명령은 기판(4)의 모든 부분이 미리결정된 시간 동안 미리결정된 온도까지 가열되도록 회전 및 병진에 의해 플래턴(2)을 조작하고 가열 램프에 전력을 공급하기(powering) 위한 것이다. 명령은 플래턴(2)의 회전 및 병진, 및 가열 램프에 개별적으로 및 집합적으로 공급되는 전력을 제어하는 컨트롤러에 의해 수행된다.
일부 실시형태에서 열 처리 동작은 어닐링 동작이고, 일부 실시형태에서 어닐링 동작은 주입후(post-implantation) 어닐링 동작이다. 다른 실시형태에서 열처리 동작은 실리사이드화(silicidation) 동작이고, 또 다른 실시형태에서는 다른 열처리 동작이 수행된다. 다양한 실시형태에서 가열 온도는 약 450℃로부터 약 1350℃까지 변하며, 어닐링 시간은 밀리세컨즈에서 마이크로세컨즈의 범위 내이다. 열 방사 빔(14)으로의 다수의 노출이 사용되는 실시형태에 따르면, 열 프로파일은 가열 램프의 램프-업(ramp-up)을 제어하는 컨트롤러에 의해 제어된다. 각 가열 램프에 공급되는 전력을 제어하는 것에 더하여, 컨트롤러(6)는 또한 가열 램프의 어레이에 공급되는 전력의 배분을 제어한다. 컨트롤러(6)는 얼마나 많은 가열 램프에 전력이 공급되는지, 및 전력을 분배하기 위해 어떤 가열 램프에 전력이 공급되는지를 제어한다. 그에 따라, 컨트롤러(6)는 가열 슬롯(18)을 통해 가열 램프의 열 방사를 안내함으로써 생성되는 방사 빔(14)의 결과적인 강도를 제어한다.
본 개시에 따르면, 여러 기판에 함께, 실질적으로 동시에 고속 열 처리 가공 동작을 시행한다. 기판의 모든 영역을 어닐링 또는 그렇지않으면 열처리하기 위해 열 방사의 빔에 대하여 플래턴 및 기판을 조작하기 위한 다양한 루틴(routine)이 사용된다. 다수의 기판이 실질적으로 동시에 가공되기 때문에 대응하는 사이클 타임 감소에 따라 고속 열 가공 장치에 대한 높은 처리량이 성취된다. 가열 램프 사이의 어떤 불균일함에 관한 문제가 회피된다.
본 개시에 따라 기판을 열 처리하는 시스템이 제공된다. 시스템은 복수의 가열 램프들로부터의 열을 적어도 플래턴의 섹션으로 안내하도록 구성된 가열 슬롯; 복수의 기판 수용소들을 갖고 가열 슬롯에 대하여 회전가능하고 병진가능한(translatable) 플랜턴; 및 기판 수용소들에 수용된 복수의 기판들 각각의 모든 부분들이 가열 슬롯에 의해 안내된 열에 의해 가열되도록 플래턴의 회전 및 병진을 제어하도록 구성된 컨트롤러를 포함한다.
본 개시의 다른 양상에서는, 기판을 열처리하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 가열 슬롯을 통하여 복수의 가열 램프들로부터의 열 방사를 안내함으로써 열 방사 빔을 형성하고 플래턴 상의 빔 영역 부분 상으로 상기 열 방사 빔을 안내하는 단계; 플래턴 상에 복수의 기판들을 위치결정하는 단계; 플래턴을 회전시키는 단계; 및 가열 슬롯에 대하여 상기 플래턴을 병진시키는 단계를 포함하고, 회전 및 병진 단계는 열 방사 빔으로 하여금 기판 각각의 모든 부분들을 가열시킨다.
본 개시의 다른 양상에서는, 기판을 열처리하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 표면 레벨에서 빔 영역을 갖는 열 방사의 빔을 제공하는 단계; 표면 레벨에서 플래턴 상에 복수의 기판들을 제공하는 단계로서, 기판 각각은 빔 영역보다 큰 영역을 갖는 것인, 상기 복수의 기판들을 제공하는 단계; 및 프로그램에 따라 상기 플래턴을 조작하는 단계로서, 프로그램은 표면 레벨을 따른 플래턴의 운동으로 하여금 기판들 각각의 모든 영역들이 열 방사의 빔에 노출되도록 하는, 상기 플래턴을 조작하는 단계를 포함한다.
상기는 단지 본 개시의 원리를 예시한다. 그러므로, 당업자는 여기서 명백하게 설명되거나 도시되지 않았지만 본 개시의 원리를 포함하고 그 사상 및 범위 내에 포함되는 다양한 구성을 고안할 수 있을 것이다는 것을 인지할 것이다. 게다가, 여기서 인용되는 모든 예시 및 조건적 언어는 단지 교육적인 목적이며 본 분야을 발전시키기 위해 발명자에 의해 기여되는 개념 및 본 개시의 원리를 이해하는데 있어서 독자를 돕기 위해 원직적으로 명확하게 의도되며, 그러한 구체적으로 인용된 예시 및 조건에 제한되지 않도록 해석되어야 한다. 게다가, 본 개시의 원리, 양상, 및 실시형태뿐만 아니라 그 구체적인 예를 인용한 모든 서술은 그것의 구조적 및 기능적 등가물을 포함하는 것으로 생각된다. 추가적으로, 그러한 등가물은 현재 알려진 등가물 및 향후 개발된 등가물, 즉 구조에 상관없이 동일한 기능을 수행하도록 개발된 어떤 요소 모두를 포함하는 것으로 생각된다.
이러한 예시적인 실시형태의 설명은 첨부 도면과 함께 판독되도록 의도되며, 기재된 전체 설명의 일부로 간주되어야 한다. 서술에 있어서, "하부", "상부", "수평", "수직", "위", "아래", "상", "하", "정상부", 및 "저부" 등의 상대성 용어뿐 아니라 그들의 파생어(예를 들어 "수평적인", "상향", "하향" 등)는 논의하에 그때 설명되거나 도면에서 나타낸 바와 같은 방향을 말하는 것으로 해석되어야 한다. 이들 상대성 용어는 설명의 편의함을 위한 것이고, 장치가 특정 방향에서 구성되거나 작동될 필요는 없다. "접속된" 및 "접속해제된" 등의 부착, 연결 등에 관한 용어는, 특별히 다르게 기재되지 않는 한 이동가능한 또는 융통성없는 부착 또는 관계 모두뿐 아니라, 구조들이 서로 직접적으로 또는 중간 구조를 통해 간접적으로 고정 또는 부착되는 관계를 말한다.
본 개시가 예시적인 실시형태의 관점에서 설명되었지만, 그것에 한정되지 않는다. 그보다는, 첨부된 청구범위는 본 개시의 등가물의 범위 및 범주로부터 벗어남없이 당업자에 의해 이루어질 수 있는 본 개시의 다른 변형물 또는 실시형태를 포함하기 위해 광범위하게 해석되어야 한다.

Claims (10)

  1. 기판들을 열 처리(heat treating)하는 시스템에 있어서,
    복수의 가열 램프들로부터 가열 슬롯으로 열을 안내하도록 구성된 벽;
    상기 벽에 의해 안내된 열을 적어도 플래턴(platen)의 섹션으로 지향시키도록 구성된 상기 가열 슬롯;
    복수의 기판 수용소들을 갖되 상기 가열 슬롯에 대하여 회전가능하고 병진가능한(translatable) 상기 플래턴; 및
    상기 기판 수용소들 상에 수용된 복수의 기판들 각각의 모든 부분들이 상기 가열 슬롯에 의해 지향된 열에 의해 가열되도록, 상기 플래턴의 회전 및 병진을 제어하도록 구성된 컨트롤러
    를 포함하는, 기판들 열 처리 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플래턴은 연속적으로 병진가능한 것과 증분적으로(incrementally) 병진가능한 것 중 하나인 것인, 기판들 열 처리 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열 슬롯은 상기 플래턴과 상기 복수의 가열 램프들 사이에 배치되고, 상기 가열 슬롯은 상기 기판 수용소들 중 하나의 영역과 동일한 영역 상으로 상기 열을 지향시키며, 상기 복수의 가열 램프들은 상기 기판 수용소들 중 하나의 영역보다 큰 영역에 걸쳐 배치되는 것인, 기판들 열 처리 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열 슬롯은 상기 플래턴과 상기 복수의 가열 램프들 사이에 배치되고, 상기 가열 슬롯은 상기 기판 수용소들 중 하나의 사이즈의 15%보다 작은 사이즈를 갖는 영역 상으로 상기 열을 지향시키는 것인, 기판들 열 처리 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열 슬롯은 상기 플래턴의 빔 영역 상으로 상기 열의 빔을 지향시키고, 상기 가열 램프들은 상기 빔 영역보다 큰 영역에 걸쳐 배열되는 것인, 기판들 열 처리 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 컨트롤러는 또한, 상기 가열 램프들에 공급되는 전력을 제어하는 것인, 기판들 열 처리 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 컨트롤러는 상기 복수의 가열 램프들 각각의 열 강도를 개별적으로 제어하는 것인, 기판들 열 처리 시스템.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 컨트롤러는 프로세서를 포함하고, 상기 프로세서는 비일시적 컴퓨터 판독가능한 전자식 저장 매체로부터 프로그램 명령어들을 수신하고, 상기 컨트롤러로 하여금 프로그램을 실행하게 하며, 상기 프로그램은 상기 기판 수용소들 상에 수용된 상기 기판 각각의 상기 부분들 모두가 미리결정된 시간 동안 미리결정된 온도에 이르도록 하는 것인, 기판들 열 처리 시스템.
  9. 기판들을 열처리하는 방법에 있어서,
    벽을 사용하여 복수의 가열 램프들로부터 가열 슬롯으로 열 방사를 안내하는 단계;
    상기 가열 슬롯을 통해 상기 벽에 의해 안내된 열 방사를 지향시킴으로써, 열 방사 빔을 형성하되 플래턴 상의 빔 영역 부분 상으로 상기 열 방사 빔을 지향시키는 단계;
    상기 플래턴 상에 복수의 기판들을 위치시키는 단계;
    상기 플래턴을 회전시키는 단계; 및
    상기 가열 슬롯에 대하여 상기 플래턴을 병진시키는 단계
    를 포함하고,
    상기 회전 및 병진 단계는 상기 열 방사 빔이 상기 기판 각각의 모든 부분들을 가열하도록 하는 것인, 기판들 열 처리 방법.
  10. 기판들을 열 처리하는 방법에 있어서,
    벽을 사용하여 복수의 가열 램프들로부터 가열 슬롯으로 열 방사를 안내하는 단계;
    상기 가열 슬롯을 통해 상기 벽에 의해 안내된 상기 열 방사의 빔 - 상기 열 방사의 빔은 표면 레벨에서 빔 영역을 가짐 - 을 제공하는 단계;
    상기 표면 레벨에 배치된 플래턴 상에 복수의 기판들을 제공하는 단계로서, 상기 기판 각각은 상기 빔 영역보다 큰 영역을 갖는 것인, 상기 복수의 기판들을 제공하는 단계; 및
    프로그램에 따라 상기 플래턴을 조작하는(maneuvering) 단계로서, 상기 프로그램은 상기 표면 레벨을 따른 상기 플래턴의 운동을 야기하여 상기 기판들 각각의 모든 영역들이 상기 열 방사의 빔에 노출되도록 하는 것인, 상기 플래턴을 조작하는 단계
    를 포함하는 기판들 열 처리 방법.
KR1020130103938A 2013-02-20 2013-08-30 기판 급속 열적 가열 시스템 및 방법 KR101560874B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/771,260 US9239192B2 (en) 2013-02-20 2013-02-20 Substrate rapid thermal heating system and methods
US13/771,260 2013-02-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140104337A KR20140104337A (ko) 2014-08-28
KR101560874B1 true KR101560874B1 (ko) 2015-10-15

Family

ID=51351507

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130103938A KR101560874B1 (ko) 2013-02-20 2013-08-30 기판 급속 열적 가열 시스템 및 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9239192B2 (ko)
KR (1) KR101560874B1 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2843276A1 (en) * 2013-02-20 2014-08-20 Hartford Steam Boiler Inspection And Insurance Company Dynamic outlier bias reduction system and method
CN104332431B (zh) * 2014-09-10 2016-10-19 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种led芯片退火装置
WO2016126381A1 (en) 2015-02-05 2016-08-11 Applied Materials, Inc. Rapid thermal processing chamber with linear control lamps
JP6989587B2 (ja) * 2016-07-09 2022-01-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated 基板キャリア
CN106206376A (zh) * 2016-07-15 2016-12-07 无锡宏纳科技有限公司 集成电路制造用多平台工作台
CN107170697B (zh) * 2017-04-27 2019-12-24 昆山国显光电有限公司 一种基板退火装置
DE102022130078A1 (de) 2022-11-14 2024-05-16 Helmholtz-Zentrum Dresden - Rossendorf E. V. Verfahren zum herstellen p dotierter und n dotierter gruppe-iii-nitrid-verbindungshalbleiter und eines halbleiterbauelements

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000130952A (ja) * 1998-10-27 2000-05-12 Matsushita Electronics Industry Corp 熱処理装置および熱処理方法
JP2012503311A (ja) * 2008-09-17 2012-02-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板のアニールにおける熱量の管理

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5155336A (en) * 1990-01-19 1992-10-13 Applied Materials, Inc. Rapid thermal heating apparatus and method
GB9412918D0 (en) * 1994-06-28 1994-08-17 Baxendine Alar R Apparatus for uniformly heating a substrate
US5551985A (en) * 1995-08-18 1996-09-03 Torrex Equipment Corporation Method and apparatus for cold wall chemical vapor deposition
US5930456A (en) * 1998-05-14 1999-07-27 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US6891131B2 (en) * 2000-04-20 2005-05-10 Tokyo Electron Limited Thermal processing system
US8658945B2 (en) * 2004-02-27 2014-02-25 Applied Materials, Inc. Backside rapid thermal processing of patterned wafers
KR100938358B1 (ko) 2007-11-22 2010-01-22 에이피시스템 주식회사 급속열처리용 기판요동장치
US20100068898A1 (en) 2008-09-17 2010-03-18 Stephen Moffatt Managing thermal budget in annealing of substrates
US8129284B2 (en) * 2009-04-28 2012-03-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Heat treatment method and heat treatment apparatus for heating substrate by light irradiation
JP5559656B2 (ja) * 2010-10-14 2014-07-23 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置および熱処理方法
TW201218301A (en) * 2010-10-28 2012-05-01 Applied Materials Inc Apparatus having improved substrate temperature uniformity using direct heating methods

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000130952A (ja) * 1998-10-27 2000-05-12 Matsushita Electronics Industry Corp 熱処理装置および熱処理方法
JP2012503311A (ja) * 2008-09-17 2012-02-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板のアニールにおける熱量の管理

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140104337A (ko) 2014-08-28
US9239192B2 (en) 2016-01-19
US20140235071A1 (en) 2014-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101560874B1 (ko) 기판 급속 열적 가열 시스템 및 방법
US7923660B2 (en) Pulsed laser anneal system architecture
US9114479B2 (en) Managing thermal budget in annealing of substrates
JP5611212B2 (ja) 基板のアニールにおける熱量の管理
JP4615580B2 (ja) 基板処理装置
US8314369B2 (en) Managing thermal budget in annealing of substrates
JP2007535174A (ja) 光学照射を用いた接合形成装置及び方法
JP6622806B2 (ja) ワークピース処理システム及びワークピース処理方法
US20110204045A1 (en) Suitably short wavelength light for laser annealing of silicon in dsa type systems
KR102200759B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102147379B1 (ko) Vcsel을 이용한 기판 열처리 장치 및 방법
JP2009123807A (ja) 熱処理装置
JP2010073787A (ja) 熱処理装置
KR102188352B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2014143299A (ja) 熱処理装置
JP2009123810A (ja) 熱処理装置
JP7418535B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR102099109B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101935944B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102075678B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2009231608A (ja) 熱処理装置
KR20180078881A (ko) 기판 처리 장치
KR20170039798A (ko) 베이크 유닛 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180928

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190926

Year of fee payment: 5