CN107636192A - 成膜方法和成膜装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够稳定地形成具有所期望的膜质和图案形状的树脂层的成膜方法和成膜装置。本发明一方式所涉及的成膜方法在维持在减压气氛的腔室内，将基板(W)冷却到第1温度以下，从气体供给部(13)向基板(W)的表面供给原料气体(G)，其中所述原料气体(G)含有能量线硬化性树脂，且在上述第1温度以下能够液化，将掩膜部件(16)与基板(W)的表面相向配置，其中所述掩膜部件(16)被维持在比上述第1温度高的第2温度，且具有规定的开口图案，向基板(W)的表面照射能量线。

Description

成膜方法和成膜装置

技术领域

本发明涉及一种对由能量线硬化性树脂构成的树脂层进行图案形成的成膜方法和成膜装置。

背景技术

已知有一种使由紫外光硬化树脂等能量线硬化性树脂构成的树脂层在基板上成膜的方法。例如在专利文献1中记载了，在被冷却到规定温度的基板的表面，形成使含有紫外光硬化树脂的原料气体冷凝得到的树脂层之后，通过照射紫外光使上述树脂层硬化。另外，在专利文献1中记载了，通过在基板上配置能够遮挡非成膜区域的掩膜，来进行紫外光硬化树脂层的图案形成的方法(参照专利文献1的第[0045]段)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本发明专利公开公报特开2013-64187号

发明内容

发明要解决的技术问题

然而，在通常的掩膜成膜的情况下，原料气体还附着于掩膜。因此，当掩膜随着基板被冷却时，原料气体在掩膜上冷凝，通过在此之后的紫外光照射，原料气体中的能量线硬化性树脂在掩膜上附着成膜。若这种现象的反复使得掩膜上的附着膜量增加，则存在以下问题：掩膜的开口图案的形状精度降低，或者产生颗粒(particle)，或者难以稳定地形成具有所期望的膜质和图案形状的树脂层。

鉴于以上的情况，本发明的目的在于，提供一种能够稳定地形成具有所期望的膜质和图案形状的树脂层的成膜方法和成膜装置。

用于解决技术问题的技术方案

为了达成上述目的，本发明的一方式所涉及的成膜方法包括在维持在减压气氛的腔室内，将基板冷却到第1温度以下。

从气体供给部向所述基板的表面供给原料气体，其中所述原料气体含有能量线硬化性树脂，且在所述第1温度以下能够液化。

将掩膜部件与所述基板的表面相向配置，其中所述掩膜部件被维持在比所述第1温度高的第2温度，且具有规定的开口图案。

对所述基板的表面照射能量线。

在所述成膜方法中，原料气体通过与被冷却到所述第1温度以下的基板表面相接触而冷凝，据此，在基板表面形成含有能量线硬化性树脂的液膜。另一方面，与基板的表面相向配置的掩膜部件被维持在能够使原料气体蒸发的温度(第2温度)，因此，基板上的所述液膜中的被掩膜部件遮挡的区域通过来自掩膜部件的辐射热或者腔室内的减压气氛而蒸发(再次汽化)。据此，以与开口图案的形状对应的方式使液膜图案化。在此之后，通过照射能量线，在基板上形成能量线硬化性树脂的硬化树脂层。

另外，由于掩膜部件被维持在所述第2温度，因此，防止原料气体在掩膜部件上的冷凝，因此，防止原料气体中的能量线硬化性树脂在掩膜部件上的附着成膜。据此，能够维持掩膜部件的开口图案的形状精度，并且防止所附着的膜从掩膜部件脱落而产生颗粒。因此，根据所述成膜方法，能够稳定地形成具有所期望的膜质和图案形状的树脂层。

将掩膜部件维持在所述第2温度的方法没有特别的限定，例如，可以通过来自设置于腔室内部的合适的加热源的辐射热或者热传导将掩膜部件向所述第2温度加热，或者也可以为了不低于所述第2温度而对掩膜部件进行加温。

或者，也可以通过在掩膜部件内置加热器，或者由电阻加热体构成掩膜部件等，来使掩膜部件本身发热来维持在所述第2温度。

并且，在所述第2温度为室温左右的情况下，也可以为：通过设定掩膜部件与基板的相互位置关系以使掩膜部件不会与被冷却到所述第1温度的基板相接触，从而将掩膜部件维持在所述第2温度。

掩膜部件相对于基板表面的配置可以在在基板表面形成所述能量线硬化性树脂的液膜之前进行，也可以在形成所述液膜之后进行。掩膜部件相对于基板表面的相向距离也没有特别的限定。典型的是掩膜部件与基板表面接近配置。在该情况下，掩膜部件与基板表面之间的距离可以是固定的，也可以是可调的。

例如，在配置所述掩膜部件的工序中，也可以在通过对所述基板的表面供给所述原料气体来在所述基板的表面形成含有所述能量线硬化性树脂的液膜之后，使所述掩膜部件接近所述基板的表面。

或者，在供给所述原料气体的工序中，也可以在将所述掩膜部件配置于远离所述基板的表面的位置之后，穿过所述开口图案对所述基板的表面供给所述原料气体。

或者，配置所述掩膜部件的工序也可以包括：使所述掩膜部件从远离所述基板的表面第1距离的位置，向远离所述基板的表面第2距离的位置移动，其中所述第2距离比所述第1距离短。

另外，所述第2距离也可以是零。

所述成膜方法还可以具有如下工序：在将所述掩膜部件与所述基板的表面相向配置之前，通过设置于所述腔室内的加热源将所述掩膜部件加热到所述第2温度。

在该情况下，所述气体供给部可以由被配置于所述腔室的内部且具有所述加热源的喷头构成，所述掩膜部件可以由来自所述喷头的辐射热或热传导来加热。

或者，所述成膜方法还可以具有如下工序：在将所述掩膜部件与所述基板的表面相向配置之前，通过所述掩膜部件所具有的发热体将所述掩膜部件加热到所述第2温度。

另一方面，本发明的一方式所涉及的成膜装置具有腔室、支承台、气体供给部、掩膜部件和照射源。

所述腔室构成为能够维持减压气氛。

所述支承台具有用于支承基板的支承面、和能够将所述支承面冷却到第1温度以下的冷却源，且被配置在所述腔室的内部。

所述气体供给部构成为，与所述支承台相向配置，能够向所述支承面上的基板供给原料气体，其中所述原料气体含有能量线硬化性树脂，且在所述第1温度以下能够液化。

所述掩膜部件能够维持比所述第1温度高的第2温度，具有规定的开口图案，且与所述支承面相向配置。

所述照射源构成为，能够向所述支承面照射用于使所述能量线硬化性树脂硬化的能量线。

发明效果

如上所述，根据本发明，能够稳定地形成具有所期望的膜质和图案形状的树脂层。

附图说明

图1是概略地表示本发明一实施方式所涉及的成膜装置的剖视图。

图2是上述成膜装置中的掩膜部件的概略俯视图。

图3是表示本实施方式所涉及的成膜方法一例的成膜装置的主要部分的概略侧剖视图。

图4是表示比较例所涉及的成膜方法一例的成膜装置的主要部分的概略侧剖视图。

图5是表示本实施方式所涉及的成膜方法的另一例的成膜装置的主要部分的概略侧剖视图。

图6是表示本实施方式所涉及的成膜方法的又一其他例的成膜装置的主要部分的概略侧剖视图。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。

图1是概略地表示本发明一实施方式所涉及的成膜装置的剖视图。

另外，在图中，X轴、Y轴和Z轴分别表示相互正交的3轴方向，X轴和Y轴相当于水平方向，Z轴相当于高度方向。

[成膜装置]

本实施方式的成膜装置1具有腔室10、气体供给部13、照射源14、支承台15和掩膜部件16。

成膜装置1构成为，能够对支承于支承台15的基板W的表面供给原料气体，在基板W的表面形成由该原料气体的冷凝液构成的液膜，其中所述原料气体含有作为能量线硬化性树脂的紫外光硬化树脂(以下，称为UV硬化性树脂)。另外，成膜装置1构成为，能够通过从照射源14将作为能量线的紫外光隔着掩膜部件16而向基板W的表面照射，来在基板W的表面形成规定形状的紫外光硬化树脂层。

基板W使用玻璃板、陶瓷板、半导体晶元等应该在表面形成上述紫外光硬化树脂层的各种基板。基板的形状没有特别的限定，可以是矩形，也可以是圆形。也可以在基板W的表面，设置由上述紫外光硬化树脂层覆盖的各种功能元件。

下面，对成膜装置1的各部的细节进行说明。

(腔室)

腔室10具有第1腔室主体11和第2腔室主体12的分割构造。第1腔室主体11和第2腔室主体12隔着与XY平面平行的隔壁101(气体供给部13)而相互连接，据此，在第1腔室主体11的内部划分出第1空间部S1，在第2腔室主体12的内部划分出第2空间部S2。

第1空间部S1构成为，与真空排气系统19相连接，能够通过真空排气系统19真空排气为规定的减压气氛。此时的真空度没有特别的限定，例如为10^-3～500Pa。第1空间部S1在基板W的成膜工序期间，受到基于真空排气系统19的排气作用，由此维持在上述规定的减压气氛。

另一方面，第2空间部S2维持在大气压下，在其内部配置有后述的照射源14。

(支承台)

支承台15被配置于腔室10的第1空间部S1。支承台15具有能够支承基板W的支承面151，在本实施方式中，支承面151以与隔壁101相向的方式平行于XY平面而形成。支承面151具有比基板W大的面积，其形状没有特别的限定，可以是圆形，也可以是矩形。

支承台15通过未图示的密封机构等而安装于第1腔室主体11，并与设置于腔室10的外部的制冷剂供给源152相连接。在支承台15的内部，作为冷却源，设置有供从制冷剂供给源152供给的制冷剂通过的循环流路。制冷剂供给源152构成为对支承面151进行冷却，以能够将基板W的表面全域维持在规定的温度(第1温度)以下。

上述第1温度设为从后述的气体供给部13供给的原料气体在第1腔室主体11的内部冷凝而液化的温度。上述第1温度按照构成原料气体的能量线硬化性树脂的种类而适当设定，在为丙烯类树脂的情况下，典型的是设定为室温以下的温度(例如0℃)。

另外，支承台15也可以构成为，能够在第1腔室主体11的内部沿Z轴方向升降，或者绕Z轴进行旋转。另外，通过支承台15的升降动作，还能够调整基板W与掩膜部件16之间的距离。

(气体供给部)

气体供给部13具有与隔壁101一体形成的气体供给头(gas head)状的构造。气体供给部13的整体由能够使紫外光透过的材料(例如石英玻璃)构成。

在气体供给部13形成与气体供给线路100相连接的内部空间130。另外，在面向第1空间部S1的气体供给部13的底面上设置有多个气体供给孔131，所述气体供给孔131将导入内部空间130的原料气体向支承台15的支承面151供给。这样，气体供给部13构成为将原料气体向支承面151上的基板W供给的喷头(shower head)。

气体供给部13具有加热部132，所述加热部132能够将内部空间130和多个气体供给孔131维持在比上述第1温度高的温度(第2温度)。加热部132例如通过将由碳(carbon)等构成的电阻加热线埋设于气体供给部13的底面而构成。

另外，加热部132还具有作为如后述那样将掩膜部件16的全部表面加热到上述第2温度的加热源的功能。

上述第2温度被设定为能够防止被导入内部空间130的原料气体冷凝的温度。上述第2温度按照构成原料气体的能量线硬化性树脂的种类而适当地设定，在为丙烯类树脂的情况下，典型的是设定为比室温高的温度(例如30℃)。

气体供给线路100具有树脂材料供给线路110和汽化器120。

树脂材料供给线路110包括收容液态的UV硬化性树脂的容器(tank)111、和将UV硬化性树脂从容器111向汽化器120输送的管道112。作为UV硬化性树脂，在本实施方式中使用丙烯类树脂材料，当然并不限定于此。作为从容器111向汽化器120输送UV硬化性树脂的方法，例如能够举出使用由惰性气体构成的载气进行的压送等。也可以在管道112上安装流量调节阀V1等。

汽化器120构成为，能够使通过管道112输送来的UV硬化性树脂汽化，生成包含UV硬化性树脂的原料气体。汽化器120具有未图示的加热机构，构成为通过使UV硬化性树脂加热蒸发来生成原料气体。由汽化器120生成的原料气体通过管道121而导入气体供给部13的内部空间130。此时，通过安装于管道121的流量调节阀V2，来控制向气体供给部13导入的原料气体的流量。另外，管道121也可以通过未图示的加热机构来进行温度调节，以维持原料气体的汽化状态。

(照射源)

照射源14被配置于腔室10的第2空间部S2，构成为，能够隔着隔壁101(气体供给部13)向支承台15的支承面151照射紫外光。照射源14具有例如由多个紫外光灯等构成的紫外光光源。

(掩膜部件)

掩膜部件16被配置于腔室10的第1空间部S1，在本实施方式中，构成为，能够通过未图示的掩膜移动机构，相对于支承面151上的基板W，而沿X轴方向、Y轴方向、Z轴方向、绕Z轴的旋转方向(θ方向)进行移动。

图2是掩膜部件16的概略俯视图。

掩膜部件16典型的是由金属材料那样的相对于紫外光非透明的材料(不会使紫外光透过的材料)构成。掩膜部件16形成为能够覆盖基板W的表面的大小，其形状也能够与基板W的形状相对应地任意选择。

掩膜部件16构成为能够维持上述第2温度。典型的是，掩膜部件16构成为，能够由来自腔室10内部的合适的加热源(例如气体供给部13的加热部132)的辐射热或热传导加热或加温。

或者，掩膜部件16可以具有电阻加热线等发热体，掩膜部件16也可以由发热体构成。在该情况下，能够通过通电而使掩膜部件16本身进行发热，因此，能够将掩膜部件16长期维持在规定温度。

为了形成所期望的图案化形状的树脂层，掩膜部件16具有开口图案16P。开口图案16P由多个开口部160构成，各开口部160的形状并不限定于相同的情况，形状也并不限定于矩形。掩膜部件16具有当从照射源14向支承面151上的基板W照射紫外光时，限制向基板W的紫外光照射区域的功能。

另外，向基板W照射紫外光时，掩膜部件16也可以移动到不覆盖基板W的位置。

掩膜部件16构成为，能够通过上述掩膜移动机构，在第1空间部S1内移动。据此，构成为能够进行相对于支承面151上的基板W的定位(alignment)，并且构成为能够变更与基板W之间的Z轴方向上的距离。

尤其是在本实施方式中，掩膜部件16构成为，能够在图1中如双点划线所示的那样接近气体供给部13的底面的位置(第1位置)、和在图1中如实线所示的那样接近支承面151上的基板W的位置(第2位置)之间，沿Z轴方向进行移动。上述掩膜移动机构也可以构成为，能够使掩膜部件16停止在上述第1位置与第2位置之间的任意的位置。

上述第1位置被设定为能够通过来自气体供给部13的加热部132的辐射热，加热到上述第2温度的位置。也可以对掩膜部件16实施用于有效地吸收来自加热部132的辐射热的适当的表面处理。

另外，上述第1位置也可以是掩膜部件16与气体供给部13的底面相接触的位置。在该情况下，掩膜部件16能够通过来自气体供给部13的加热部132的热传导，加热到上述第2温度。

另一方面，上述第2位置被设定为，能够通过来自被加热到上述第2温度的掩膜部件16的辐射热使液膜蒸发(汽化)的位置，其中所述液膜形成于基板W的表面且由原料气体的冷凝液构成。此时掩膜部件16距离基板表面的相向距离例如被设定为数mm～数cm。

另外，上述相向距离也可以是零。在该情况下，掩膜部件16和基板W相互接触。

在支承台15上的基板W表面形成原料气体的液膜之前，或者形成原料气体的液膜之后，成膜装置1使掩膜部件16接近基板W而配置，通过来自该掩膜部件16的辐射热使由掩膜部件16覆盖的基板W部分上的液膜蒸发。在此之后，成膜装置1通过从照射源14穿过掩膜部件16的开口图案16P而对基板W的表面照射紫外光，来使残留的液膜硬化，据此在基板W上形成规定形状的树脂层。

[成膜方法]

下面，对使用如以上那样构成的成膜装置1的成膜方法进行说明。

(成膜例1)

图3中的A～C是表示本实施方式所涉及的成膜方法一例的成膜装置1的主要部分的概略侧剖视图。

在成膜开始前，如图3中的A所示，掩膜部件16位于接近气体供给部13的第1位置，与气体供给部13一起由加热部132(参照图1)被加热到能够防止原料气体的冷凝(液化)的上述第2温度。另一方面，腔室10的第1空间部S1维持在规定的减压气氛，支承台15上的基板W被冷却到使原料气体冷凝(液化)所需的上述第1温度。

在该状态下，如图3中的A所示，通过气体供给线路100而导入到气体供给部13的原料气体G经由内部空间130和多个气体供给孔131，向支承台15上的基板W的表面供给。并且，通过与维持在上述第1温度的基板W的表面相接触，原料气体G发生冷凝，在基板W的表面形成其液膜L1。

此时，掩膜部件16被配置在能够与从气体供给部13供给的原料气体G相接触的位置，但如上述那样，由于掩膜部件16被维持在上述第2温度，因此，掩膜部件16上的原料气体G的冷凝被阻止。因此，防止原料气体中的能量线硬化性树脂在掩膜部件16上的附着成膜。

另外，由于掩膜部件16被配置在气体供给部13与支承台15上的基板W之间，因此，产生在原料气体G向基板W的表面的供给中掩膜部件16成为遮挡结构的可能性，但是，通过调整掩膜部件16与基板W之间的距离，原料气体G会渗入到基板W的表面的与掩膜部件16相向的区域，其结果，在基板W的表面全域以大致均匀的厚度形成液膜L1，因此不会成为成膜上的问题。另外，根据所使用的能量线硬化性树脂的种类、基板的表面形状等，还能够期待液膜L1在基板W的表面上润湿铺展，能够形成更均匀的厚度的液膜L1。

另外，根据所使用的能量线硬化性树脂的种类，基板的表面性状等，存在无法期待液膜的充分的润湿铺展的情况。在该情况下，也可以在成膜过程中使掩膜部件16在气体供给部13的非正下方位置待机。此时的掩膜部件16的加温处理也可以通过在该待机位置设置其他的热源，通过该热源来将掩膜部件16加温到上述第2温度。

接着，如图3中的B所示，使掩膜部件16从上述第1位置向上述第2位置移动。通过掩膜部件16的接近，基板W上的液膜L1的一部分区域(与掩膜部件16相向的区域)由来自掩膜部件16的辐射热促进蒸发(再次汽化)。

此时，来自气体供给部13的原料气体G的供给可以停止，也可以继续。在继续原料气体G的供给的情况下，被掩膜部件16遮挡的液膜L1的区域也通过上述辐射热和减压气氛，被有效地促进蒸发。在原料气体G的供给停止和继续的任一种情况下，与掩膜部件16的开口部160(开口图案16P)相向的液膜L1的区域能够维持比其以外的区域大的膜厚，因此，在此之后的液膜L1的图案化变得容易。

当掩膜部件16到达上述第2位置时，通过与掩膜部件16的接近来促进基于来自掩膜部件16的辐射热的蒸发作用，由此基板W上的液膜L1图案化为与开口图案16P对应的形状。此时，可以停止来自气体供给部13的原料气体G的供给，也可以继续原料气体G的供给。

此时，渗入到掩膜部件16的正下方的液膜被掩膜部件16的辐射热有效地除去，因此，抑制液膜L1的图案形状的变化。由于还存在来自掩膜部件16的开口部160的内周面的热辐射，因此，严格来讲，液膜L1的图案形状与各开口部160的大小不一致，典型的是比各开口部160略小。

接着，如图3中的C所示，停止原料气体G的供给，从照射源14向基板W上照射紫外光UV，据此，从开口图案16P露出的液膜L1硬化，由此在基板W上形成规定形状的树脂层L2。

并且，由于隔着掩膜部件16而向基板W的表面照射紫外光UV，因此被掩膜部件16遮挡的液膜L1的区域的硬化被阻止。据此，例如即使在来自掩膜部件16的辐射热不足的情况下，受到基于减压气氛的蒸发作用，被掩膜部件16遮挡的未硬化的液膜区域也被切实地从基板W上除去。因此，即使没有将掩膜部件16加热至必要程度以上，也能够在基板W上稳定地形成规定形状的树脂层L2。

在此之后，掩膜部件16从上述第2位置向图3中的A所示的第1位置上升，并且，支承台15上的基板W被搬出到腔室10的外部，将新的基板W从腔室10的外部搬入支承台15上。在此之后，通过重复进行与上述相同的处理，来实施在基板上的成膜处理。

图4是说明在基板W上配置掩膜M来进行成膜的比较例的概略侧剖视图。

如图4所示，当在被冷却到原料气体G能冷凝的温度的基板W的表面直接设置掩膜部件M时，由于掩膜部件M也同样被冷却，因此，除了基板W的表面之外，在掩膜部件M的表面也形成由原料气体G的冷凝液构成的液膜L1。

因此，通过在此之后的紫外光照射，原料气体中的能量线硬化性树脂会在掩膜部件M上附着成膜。当通过这种现象的反复而使得掩膜部件M上的附着膜量增加时，存在掩膜精度(开口部的形状精度)降低，或者产生颗粒，或者难以稳定地形成具有所期望的膜质和图案形状的树脂层的问题。

对此，根据本实施方式，掩膜部件16被维持在能防止原料气体G冷凝的温度(第2温度)，因此，掩膜部件16上的原料气体G的冷凝被防止，因此，防止原料气体G中的UV硬化性树脂在掩膜部件16上成膜。据此，能够维持掩膜部件16的开口图案16P的形状精度，并且防止所形成的膜从掩膜部件16脱落而产生颗粒。因此，根据本实施方式，能够稳定地形成具有所期望的膜质和图案形状的树脂层。

(成膜例2)

图5是表示本实施方式所涉及的成膜方法的另一例子的成膜装置1的主要部分的概略侧剖视图。

在该成膜例2中，掩膜部件16相对于支承台15上的基板W的相向位置被固定在上述第2位置这一点与成膜例1不同。即，在本例子中，从液膜L1在基板W上成膜的成膜工序到通过紫外光照射进行的液膜L1的硬化处理的期间，掩膜部件16的位置被固定。通过这样的方法，也可以获得与上述的成膜方法1同样的作用效果。

另外，在本例子中，掩膜部件16被配置在接近基板W的表面的位置，因此，穿过掩膜部件16的开口图案16P而向基板W的表面供给原料气体G。在这样的情况下，原料气体G冷凝后的液膜L1可能湿润铺展到掩膜部件16与基板W之间的间隙，但渗入到掩膜部件16的正下方的液膜L1被掩膜部件16的辐射热有效地除去，因此，在掩膜部件16的正下方不存在液膜L1。据此，在基板W上直接形成与掩膜部件16的开口图案16P对应的形状的液膜L1。因此，与通过在后处理中使该掩膜部件16接近基板W来使液膜L1图案化的情况相比较，能够迅速地形成规定形状的液膜L1。其结果，实现处理时间的缩短，能够实现生产能力的提高。

另外，在本例子中，例如，能够在基板W的搬出搬入时实施将掩膜部件16向上述第2温度加热的加热处理。该情况下的加热源与成膜例1同样，可以是气体供给部13的加热部132，也可以是在腔室10内设置的其他的加热源。

或者，也可以为：在掩膜部件16具有发热体的情况下，在将掩膜部件16与基板W的表面相向配置之前，通过上述发热体将掩膜部件16加热到上述第2温度。

(成膜例3)

图6中的A～C是表示本实施方式所涉及的成膜方法的又一其他例的成膜装置1的主要部分的概略侧剖视图。

在该成膜例3中，在基板W上形成液膜L1和图案化的工序中，存在多个掩膜部件16相对于基板W的接近位置这一点与成膜例1不同。即，在本例子中，在形成液膜L1时，掩膜部件16位于远离基板W的表面第1距离的位置(第3位置)，在对液膜L1进行图案化时，掩膜部件16向远离基板W的表面第2距离的位置(第2位置)移动，其中所述第2距离比上述第1距离短。

上述第3位置被设定为：例如如图6中的A所示，基板W上的液膜L1中的、被掩膜部件16遮挡的区域由来自掩膜部件16的辐射热引发蒸发的位置。

在形成液膜L1时，如图6中的A所示，掩膜部件16被配置于上述第3位置，穿过掩膜部件16的开口图案16P而向基板W上供给原料气体G。并且，在对液膜L1进行图案化时，如图6中的B所示，掩膜部件16从上述第3位置向第2位置移动，使被掩膜部件16遮挡的液膜L1的一部分蒸发。另外，在对液膜L1进行图案化时，与成膜例1同样，可以停止原料气体G的供给，也可以继续原料气体G的供给。

在此之后，如图6中的C所示，停止原料气体G的供给，从照射源14向基板W上照射紫外光UV，从而从开口图案16P露出的液膜L1硬化，据此，在基板W上形成规定形状的树脂层L2。

在本例子中，能够获得与成膜例1同样的作用效果。根据本例子，在成膜液膜L1时，掩膜部件16被配置在上述第3位置，因此，易于在基板W上形成与掩膜部件16的开口图案16P对应的形状的液膜L1。另外，由于与第2位置相比，与基板W的远离距离大，因此，能够抑制掩膜部件16的辐射热导致的基板W的温度上升，提高基板W上的原料气体G的冷凝效率而有效地形成液膜L1。

另外，在本例子中，也能够例如在基板W的搬出搬入时实施将掩膜部件16向上述第2温度加热的加热处理。该情况下的加热源与成膜例1同样，可以是气体供给部13的加热部132，也可以是在腔室10内设置的其他的加热源。

或者，也可以为，在掩膜部件16具有发热体的情况下，在将掩膜部件16与基板W的表面相向配置之前，通过上述发热体将掩膜部件16加热到上述第2温度。

以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不仅限定于上述的实施方式，当然能够增加各种变更。

例如在以上的实施方式中，构成为，为了将掩膜部件16维持在上述第2温度，而通过来自气体供给部13(加热部132)的辐射热或热传导来将掩膜部件16加热到上述第2温度。另一方面，在原料气体的液化温度(第1温度)在0℃以下的情况下，上述第2温度能够设定为室温左右，因此，不需要上述那样的掩膜部件16的加热操作，就能够将掩膜部件16维持在上述第2温度。因此，根据原料气体的种类，也可以省略用于对掩膜部件16进行加热的加热源。

或者，也可以为，将能够检测掩膜部件16的温度的温度传感器安装于掩膜部件16，根据该温度传感器的输出监视掩膜部件16的温度，在掩膜部件16的温度比上述第2温度低规定温度的情况下，使用气体供给部13等加热源将掩膜部件16加热到上述第2温度。

另外，在以上的实施方式中，在腔室10的第1空间部S1配置有掩膜部件16，但并不限定于此，例如也可以与第1空间部S1相邻地设置能够使掩膜部件16待机的待机室。在该情况下，也可以在上述待机室中设置能够将掩膜部件16加热到上述第2温度的加热源。

另外，在以上的实施方式中，液膜L1的硬化处理在第1空间部S1中实施，但该硬化处理例如也可以在与第1空间部S1相邻配置的硬化处理室中进行。在该情况下，掩膜部件16也可以配置于该硬化处理室，也可以构成为，在该硬化处理室中进一步进行基于掩膜部件16的液膜L1的图案化。

并且，在以上的实施方式中，例举紫外光硬化树脂作为能量线硬化性树脂进行了说明，但并不限定于此，也可以使用能够通过照射电子束或红外线等其他的能量线来硬化的其他树脂材料。

附图标记说明

1：成膜装置；10：腔室；13：气体供给部；14：照射源；15：支承台；16：掩膜部件；G：原料气体；L1：液膜；L2：树脂层；W：基板。

Claims (8)

1.一种成膜方法，其特征在于，

在维持在减压气氛的腔室内，将基板冷却到第1温度以下，

从气体供给部向所述基板的表面供给原料气体，其中所述原料气体含有能量线硬化性树脂，且在所述第1温度以下能够液化，

将掩膜部件与所述基板的表面相向配置，其中所述掩膜部件被维持在比所述第1温度高的第2温度，且具有规定的开口图案，

对所述基板的表面照射能量线。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

在配置所述掩膜部件的工序中，通过对所述基板的表面供给所述原料气体来在所述基板的表面形成含有所述能量线硬化性树脂的液膜之后，使所述掩膜部件接近所述基板的表面。

3.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

在供给所述原料气体的工序中，在将所述掩膜部件配置于远离所述基板的表面的位置之后，穿过所述开口图案对所述基板的表面供给所述原料气体。

4.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

配置所述掩膜部件的工序包括：使所述掩膜部件从远离所述基板的表面第1距离的位置，向远离所述基板的表面第2距离的位置移动，其中所述第2距离比所述第1距离短。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜方法，其特征在于，

还具有如下工序：在将所述掩膜部件与所述基板的表面相向配置之前，通过设置于所述腔室内的加热源将所述掩膜部件加热到所述第2温度。

6.根据权利要求5所述的成膜方法，其特征在于，

所述气体供给部由被配置于所述腔室的内部且具有所述加热源的喷头构成，

所述掩膜部件由来自所述喷头的辐射热或热传导来加热。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜方法，其特征在于，

还具有如下工序：在将所述掩膜部件与所述基板的表面相向配置之前，通过所述掩膜部件所具有的发热体将所述掩膜部件加热到所述第2温度。

8.一种成膜装置，其特征在于，具有：

腔室，其能够维持减压气氛；

支承台，其具有用于支承基板的支承面、和能够将所述支承面冷却到第1温度以下的冷却源，且被配置在所述腔室的内部；

气体供给部，其与所述支承台相向配置，能够向所述支承面上的基板供给原料气体，其中所述原料气体含有能量线硬化性树脂，且在所述第1温度以下能够液化；

掩膜部件，其能够维持比所述第1温度高的第2温度，具有规定的开口图案，且与所述支承面相向配置；和

照射源，其能够向所述支承面照射用于使所述能量线硬化性树脂硬化的能量线。