KR20210060614A - 막 형성 장치 - Google Patents

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KR20210060614A
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film
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KR1020217013051A
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유코 카토
타카히로 야지마
푸미오 나카무라
요시노부 우에
쇼고 오구라
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가부시키가이샤 아루박
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Abstract

상기 막 형성 장치는 막 형성실을 가지는 챔버와, 기판을 지지하는 스테이지와, 광원 유닛과, 가스 공급부와, 가열부를 구비한다. 상기 광원 유닛은 에너지선을 조사하는 조사원을 가지고, 상기 막 형성실과 대향해서 배치된다. 상기 가스 공급부는 샤워 플레이트와, 가스 확산실을 가진다. 상기 샤워 플레이트는 상기 광원 유닛에 대향하는 제1 면과, 상기 스테이지에 대향하는 제2 면과, 상기 제1 면 및 상기 제2 면을 관통하는 복수의 관통구멍을 포함하고 상기 에너지선을 투과시킨다. 상기 가스 확산실은 상기 제1 면에 면하고 상기 에너지선의 조사를 받아서 경화하는 에너지선 경화 수지를 포함하는 원료 가스를 확산시킨다. 상기 가스 공급부는 상기 원료 가스를 상기 가스 확산실로부터 상기 막 형성실에 공급한다. 상기 가열부는 상기 샤워 플레이트의 상기 제1 면을 가열한다.

Description

막 형성 장치
본 발명은 에너지선 경화 수지로부터 이루어지는 수지층을 형성하는 막 형성 장치에 관한 것이다.
자외선 경화 수지 등의 에너지선 경화 수지를 경화해서 수지층을 기판 위에 형성할 때, 전형적으로는 이하의 2공정이 수행된다. 즉, 냉각 스테이지에 의해 기판을 지지하고, 당해 수지를 포함하는 원료 가스를 냉각 스테이지에 지지된 기판 위에 공급하는 공정과, 기판 위에 자외선 등의 광을 조사하고, 기판 위에 경화한 수지층을 형성하는 공정이다.
특히 최근에는 이러한 복수의 공정을 각각 별도의 진공챔버에서 실시하지 않고, 기판 위에 원료 가스를 공급하는 공정과, 자외선 등에 의해 기판 위에 경화한 수지층을 형성하는 공정을 1개의 진공챔버 내에서 실시하는 막 형성 장치가 제공되고 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에는 원료 가스를 토출하는 배관을 포함하는 가스 공급부를 가지는 막 형성 장치가 기재되어 있다.
일본 공개특허공보 2013-064187호
그렇지만, 특허문헌 1에 기재된 막 형성 장치에서는 원료 가스가 배관으로부터 토출되는 경우, 기판 위에 형성된 수지층의 막두께 분포에 편차가 발생하고, 소망하는 막 형성 품질이 수득되지 않는 경우가 있었다. 또, 배관 등의 가스 공급부에서의 수지의 퇴적에 의해, 생산성이 저하될 가능성이 있었다.
이상과 같은 사정을 감안해서, 본발명의 목적은 막 형성 품질 및 생산성을 향상시키는 것이 가능한 막 형성 장치를 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 1형태에 따른 막 형성 장치는, 챔버와, 스테이지와, 광원 유닛과, 가스 공급부와, 가열부를 구비한다.
상기 챔버는 막 형성실을 가진다.
상기 스테이지는 상기 막 형성실에 배치되고, 기판을 지지한다.
상기 광원 유닛은 에너지선을 조사하는 조사원을 가지고, 상기 막 형성실과 대향해서 배치된다.
상기 가스 공급부는 샤워 플레이트와, 가스 확산실을 가진다.
상기 샤워 플레이트는 상기 광원 유닛에 대향하는 제1 면과, 상기 스테이지에 대향하는 제2 면과, 상기 제1 면 및 상기 제2 면을 관통하는 복수의 관통구멍을 포함하고 상기 에너지선을 투과시킨다.
상기 가스 확산실은 상기 제1 면에 면하고 상기 에너지선의 조사를 받아서 경화하는 에너지선 경화 수지를 포함하는 원료 가스를 확산시킨다.
상기 가스 공급부는 상기 원료 가스를 상기 가스 확산실로부터 상기 막 형성실에 공급한다.
상기 가열부는 상기 샤워 플레이트의 상기 제1 면을 가열한다.
이 구성에서는 가스 공급부가 샤워 플레이트와 가스 확산실을 가지기 때문에, 가스 확산실에 의해서 압력이 높아진 원료 가스가 샤워 플레이트의 복수 관통구멍부터 막 형성실로 공급된다. 이것에 의해, 막 형성실에 공급되는 원료 가스의 유량을 균일화할 수 있고, 막두께 분포를 균일화할 수 있다. 따라서 막 형성 품질을 높일 수 있다. 또한, 샤워 플레이트의 가스 확산실측의 제1 면이 가열부에 의해서 가열된다. 이것에 의해, 가스 확산실의 내벽 및 관통구멍에서의 에너지선 경화 수지의 부착을 방지할 수 있고, 에너지선의 투과율 저하나 관통구멍의 막힘을 억제하고, 생산성을 높일 수 있다.
상기 가열부는 상기 샤워 플레이트의 상기 제1 면에 형성된 투명 도전막을 가지고 있을 수 있다.
이것에 의해, 투명 도전막에 의한 저항가열에 의해 제1 면이 가열된다. 따라서 샤워 플레이트에서의 에너지선의 투과성을 확보할 수 있는 동시에, 가열부의 메인터넌스를 용이하게 할 수 있다.
예를 들면, 상기 투명 도전막이 ITO를 포함할 수 있다.
이것에 의해, 투명 도전막이 충분한 에너지선 투과성을 얻을 수 있다.
또, 상기 투명 도전막은 상기 복수의 관통구멍과 연통하는 복수의 구멍을 가지고 있을 수도 있다.
이것에 의해, 투명 도전막에 의해 제1 면의 많은 영역이 피복된 경우에도, 원료 가스를 공급하는 것이 가능하게 된다.
예를 들면, 상기 샤워 플레이트는 석영유리로 구성될 수 있다.
이것에 의해, 샤워 플레이트의 에너지선에 대한 투과성을 충분하게 확보할 수 있다.
구체적인 구성으로서, 상기 챔버는,
상기 막 형성실을 상기 광원 유닛을 향해서 개방하는 개구부와,
상기 개구부를 폐색하고 상기 에너지선을 투과시키는 상판과를 추가로 가지고,
상기 가스 확산실은 상기 상판과 상기 샤워 플레이트와 사이에 끼워진 공간으로 구성될 수 있다.
이것에 의해, 챔버의 상판을 이용해서 가스 확산실을 형성할 수 있고, 부품 수를 저하시킬 수 있다. 따라서 메인터넌스가 용이한 구성으로 할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 막 형성 품질 및 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 1실시형태에 따른 막 형성 장치를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 샤워 플레이트 및 투명 도전막을 확대해서 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 3은 상기 투명 도전막을 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 4는 본 실시형태의 비교예에 따른 막 형성 장치를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 막 형성 장치의 요부 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 막 형성 장치의 요부 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 막 형성 장치의 요부 평면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 막 형성 장치의 요부 단면도이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태를 설명한다.
도 1은 본 발명에 1실시형태에 따른 막 형성 장치(100)을 나타내는 개략적인 단면도이다. 도면에 있어서 X축 방향 및 Y축 방향은 서로 직교하는 수평방향을 나타내고, Z축 방향은 X축 방향 및 Y축 방향에 직교하는 방향을 나타내고 있다.
[막 형성 장치]
막 형성 장치(100)는 기판(W) 위에, 에너지선 경화 수지인 자외선 경화 수지로 이루어지는 층을 형성하기 위한 막 형성 장치로서 구성되어 있다. 막 형성 장치(100)는 자외선 경화 수지를 포함하는 원료 가스를 기판(W) 위에 공급한 후, 기판(W) 위에 자외선을 조사해서 자외선 경화 수지층을 형성하기 위한 장치이다.
막 형성 장치(100)는 챔버(10)와, 스테이지(15)와, 광원 유닛(20)과, 가스 공급부(30)와, 가열부(40)를 구비한다.
(챔버)
챔버(10)는 막 형성실(11)과, 막 형성실(11)의 상부에 형성된 개구부(13)와, 개구부(13)를 기밀하게 폐색하는 상판(12)을 가진다.
챔버(10)는 상부가 개구하는 금속제의 진공용기이고, 내부에 막 형성실(11)을 가진다. 막 형성실(11)은 챔버(10)의 바닥부에 접속된 진공 배기계(19)를 통해서 소정의 감압 분위기로 배기 또는 유지하는 것이 가능하게 구성된다.
상판(12)은 자외선(UV)을 투과시킨다. 예를 들면, 상판(12)은 자외선(UV)을 투과시키는 윈도우부(121)와, 윈도우부(121)를 지지하는 프레임부(122)를 가진다. 윈도우부(121)는 석영유리 등의 자외선 투과성 재료로 구성되고, 프레임부(122)는 알루미늄 합금 등의 금속재료로 구성된다. 윈도우부(121)의 수는 특별하게 한정되지 않고, 2개 이상일 수도 있고, 단수일 수도 있다.
(스테이지)
스테이지(15)는 막 형성실(11)에 배치되고, 기판(W)을 지지하는 것이 가능하게 구성된다. 스테이지(15)는 예를 들면, 냉각수 등의 냉각매체에 의해 냉각된다. 또, 상기 소정 온도 이하로 냉각된 기판(W)이 막 형성실(11)에 반송되도록 구성될 수도 있다.
기판(W)은 글래스 기판이지만, 반도체 기판일 수 있다. 기판의 형상이나 크기는 특별하게 한정되지 않고, 직사각형일 수도, 원형일 수도 있다. 기판(W)의 막 형성면에는 미리 소자가 형성되어 있을 수 있다. 이 경우, 기판(W)에 막 형성되는 수지층은 상기 소자의 보호막으로서 기능한다.
(광원 유닛)
광원 유닛(20)은 커버(21)와, 조사원(22)을 가진다. 커버(21)는 상판(12) 위에 배치되고, 조사원(22)을 수용하는 광원실(23)을 가진다. 광원실(23)은 예를 들면, 대기 분위기이다. 조사원(22)은 스테이지(15)를 향해서, 상판(12)의 윈도우부(121)를 통해서 에너지선으로서의 자외선(UV)을 조사하는 광원으로, 전형적으로는, 자외선 램프로 구성된다. 이것에 한정되지 않고, 조사원(22)에는 자외선(UV)을 발광하는 복수의 LED(Light Emitting Diode)가 매트릭스 형상으로 배열된 광원 모듈이 채용될 수도 있다.
(가스 공급부)
가스 공급부(30)는 자외선(UV)의 조사를 받아서 경화하는 수지(자외선 경화 수지)를 포함하는 원료 가스를 막 형성실(11)에 공급한다. 가스 공급부(30)는 샤워 플레이트(31)와, 가스 확산실(32)을 가진다.
샤워 플레이트(31)는 판 형상을 가지며, 석영유리 등의 자외선 투과성 재료로 구성된다. 샤워 플레이트(31)는 적당한 고정 부재를 통해서 챔버(10)의 내벽면에 고정된다.
샤워 플레이트(31)는 광원 유닛(20)에 대향하는 제1 면(311)과, 스테이지(15)에 대향하는 제2 면(312)과, 제1 면(311) 및 제2 면(312)을 관통하는 복수의 관통구멍(313)을 가진다.
복수의 관통구멍(313)은 샤워 플레이트(31)을 두께 방향으로 관통하고, 가스 확산실(32)과 막 형성실(11)을 서로 연통시킨다. 관통구멍(313)은 원료 가스를 가스 확산실(32)로부터 막 형성실(11)에 공급하는 것이 가능하게 구성된다. 복수의 관통구멍(313)은 면내에서 일정한 간격을 두고 형성될 수도 있고, 다른 간격을 두고 형성되어 있을 수 있다. 또, 각 관통구멍(313)의 직경은 동일할 수도, 서를 다를 수도 있다.
가스 확산실(32)은 원료 가스를 확산시킨다. 예를 들면, 가스 확산실(32)은 상판(12)과 샤워 플레이트(31) 사이에 끼워진 공간으로서 구성되고, 상판(12)과 샤워 플레이트(31)와 챔버(10)의 측벽에 의하여 구획되어 있다. 가스 확산실(32)에는 원료 가스 생성부(101)을 통해서 상기 원료 가스가 도입된다.
자외선 경화 수지 재료로서는 예를 들면, 아크릴계 수지를 사용할 수 있다. 또, 상기 수지에는 중합개시제 등을 첨가해서 사용하는 것도 가능하다. 이러한 수지를 포함하는 원료 가스는 챔버(10)의 외부에 설치되는 원료 가스 생성부(101)에 의해 생성된다. 원료 가스 생성부(101)는 배관(130)을 통해서 가스 공급부(30)의 가스 확산실(32)로 상기 수지를 포함하는 원료 가스를 도입한다.
원료 가스 생성부(101)는 수지재료 공급 라인(110)과, 기화기(120)와, 배관(130)을 가진다.
수지재료 공급 라인(110)은 액상의 수지재료가 충전된 탱크(111)와, 탱크(111)로부터 수지재료를 기화기(120)로 반송하는 배관(112)을 가진다. 탱크(111)로부터 기화기(120)로의 수지재료의 반송에는 예를 들면 질소 등의 불활성 가스로 이루어지는 캐리어 가스가 사용된다. 또, 배관(112)에는 밸브(V1)나, 도면에 나타나 있지 않은 액체 유량제어기 등을 장착하는 것도 가능하다.
기화기(120)에서 생성된 원료 가스는 배관(130)을 통해서 가스 공급부(30)의 가스 확산실(32)로 공급된다. 배관(130)에는 밸브(V2)가 장착되고 있어, 가스 확산실(32)로의 가스의 유입이 조절 가능하다. 또 도면에 나타나 있지 않은 유량 제어기를 장착하는 것에　의해서, 가스 확산실(32)로 유입되는 가스의 유량을 제어하는 것도 가능하다.
여기에서, 가스 확산실(32)로 도입된 원료 가스가 기화 온도 미만으로 냉각되었을 경우, 가스 확산실(32)의 내벽이나 관통구멍(313)의 내부에, 당해 원료 가스에 포함되는 수지재료가 퇴적하는 경우가 있다. 이것을 방지하기 위해서, 막 형성 장치(100)는 샤워 플레이트(31)의 제1 면(311)을 가열하는 가열부(40)를 추가로 가진다.
(가열부)
가열부(40)는 본 실시형태에서 샤워 플레이트(31)의 제1 면(311)에 형성된 투명 도전막(41)과, 투명 도전막(41)에 접속된 배선(42)을 가진다. 가열부(40)는 투명 도전막(41)의 저항가열에 의해, 상기 수지재료의 기화 온도 이상의 적당한 온도로 가스 확산실(32) 및 샤워 플레이트(31)를 가열하는 것이 가능하게 구성된다. 배선(42)은 예를 들면, 도 1에 나타낸 바와 같이 막 형성 장치(100)의 후술하는 제어부(50)에 접속될 수도 있고, 별도의 전원장치에 접속될 수도 있다.
투명 도전막(41)은 예를 들면 ITO(산화 인듐 주석)를 포함한다. 이것에 의해, 스테이지(15)에 대한 에너지선의 투과성을 충분하게 확보하면서, 가스 확산실(32) 및 샤워 플레이트(31)를 가열할 수 있다.
도 2는 샤워 플레이트(31) 및 그것에 형성된 투명 도전막(41)을 확대해서 나타내는 개략적인 단면도이다. 도 3은 샤워 플레이트(31)에 형성된 투명 도전막(41)을 나타내는 개략적인 평면도이다.
투명 도전막(41)은 본 실시형태에서 샤워 플레이트(31)의 제1 면(311) 전체를 덮도록 구성된다. 이 구성에서도 원료 가스의 공급을 확보하기 위해서, 투명 도전막(41)은 복수의 관통구멍(313)과 연통하는 복수의 구멍(411)을 가진다. 복수의 구멍(411)은 각 관통구멍(313)에 대응해서 설치되고, 대응하는 각 관통구멍(313)과 거의 동일한 직경을 가진다.
막 형성 장치(100)는 제어부(50)를 추가로 구비한다. 제어부(50)는 전형적으로는 컴퓨터로 구성되고, 막 형성 장치(100)의 각부를 제어한다.
[막 형성 방법]
계속해서, 이상과 같이 구성되는 본 실시형태의 막 형성 장치(100)를 사용한 막 형성 방법에 대해서 설명한다.
(막 형성 공정)
막 형성 공정에서는 자외선 경화 수지를 포함하는 원료 가스의 공급 공정과, 자외선 수지층의 경화 공정을 가진다.
막 형성 공정에서는 막 형성실(11)은 진공배기계(19)에 의해 소정의 진공도로 압력 조절되고 있고, 기판(W)은 소정의 온도 이하로 냉각된 스테이지(15)에 배치되어 있다. 가스 공급부(30)는 가열부(40)에 의해 자외선 경화 수지의 기화 온도 이상의 온도로 가열되고 있다.
원료 가스의 공급 공정에서는 원료 가스 생성부(101)에서 생성된 자외선 경화 수지를 포함하는 원료 가스가 배관(130)을 통해서 가스 공급부(30)에 도입된다. 가스 공급부(30)에 도입된 원료 가스는 가스 확산실(32)에서 확산하고, 샤워 플레이트(31)의 복수 관통구멍(313)을 통해서 스테이지(15) 상의 기판(W)의 전면에 공급된다. 기판(W)의 표면에 공급된 원료 가스 중의 자외선 경화 수지는 그 응축온도 이하의 온도로 냉각된 기판(W)의 표면에서 응축하고, 퇴적된다.
자외선 경화 수지의 경화 공정에서는 원료 가스의 공급이 정지하고, 광원 유닛(20)의 조사원(22)으로부터 스테이지(15)의 스테이지(15)를 향해서 자외선(UV)이 조사된다. 가스 공급부(30)는 자외선을 투과시키는 재료로 구성되어 있기 때문에, 가스 공급부(30)를 통해서 스테이지(15) 상의 기판(W)에 충분한 양의 자외선(UV)이 조사된다. 이것에 의해, 기판(W) 위에 자외선 경화 수지의 경화물층이 형성된다.
경화 공정의 완료 후, 기판(W)은 막 형성실(11)로부터 반출되고, 새롭게 막 미형성의 기판(W)이 막 형성실로 반입된다. 그리고 상술한 각 공정이 동일하게 실시된다. 이것에 의해, 1대의 막 형성 장치로 기판(W) 위에 소정의 두께의 자외선 경화 수지층을 형성할 수 있다.
[본 실시형태의 작용효과]
본 실시형태에서는 원료 가스가 가스 확산실(32)로 공급되고, 가스 확산실(32)의 내부 전체가 원료 가스에 의해 일정한 압력 이상으로 유지된다. 가령, 가스 공급부가 샤워 플레이트를 가지지 않고, 복수의 가스 토출 배관 등으로 구성되어 있었을 경우에는, 원료 가스 생성부(101)에 가까룽 부분과, 먼 엣지부 사이에서, 원료 가스의 유량 및 압력에 차가 발생한다. 이 때문에, 가스 토출 배관으로부터 토출되는 원료 가스의 유량에 분포가 발생하고, 자외선 경화 수지층의 면내에서의 막두께 분포를 균일화하는 것은 어렵게 된다.
한편, 본 실시형태에서는 가스 확산실(32)의 내부 원료 가스의 압력을 더욱 균일화할 수 있다. 이것에 의해, 샤워 플레이트(31)의 중앙부에서의 관통구멍(313)과, 주연부에서의 관통구멍(313)에서의 원료 가스의 유량을 거의 일정하게 유지할 수 있다. 따라서 기판(W) 위에 막 형성되는 수지층의 막두께 분포를 균일화할 수 있고, 막 형성 품질을 높일 수 있다.
또, 본 실시형태에서는 가열부(40)가 샤워 플레이트(31)의 제1 면(311)을 가열한다. 이것에 의해, 가스 확산실(32)의 내벽이나 관통구멍(313)에서의 자외선 경화 수지층의 퇴적을 방지할 수 있다. 따라서 퇴적된 수지층에 기인하는 자외선 투과율의 저하가 방지되고, 장시간에 걸쳐 안정된 자외선의 투과량이 유지된다. 즉, 장시간에 걸쳐 막 형성 효율의 저하를 방지할 수 있고, 생산성이 우수한 막 형성 장치(100)를 제공할 수 있다.
또, 가열부(40)에 의해 가스 확산실(32) 및 샤워 플레이트(31)에서의 수지층의 퇴적이 방지됨으로써, 퇴적된 수지층이 벗겨져서 발생하는 파티클도 방지할 수 있다. 이것에 의해, 막 형성실(11) 내를 깨끗한 상태로 유지할 수 있고, 메인터넌스를 용이하게 실시할 수 있다. 또, 가열부(40)에 의해, 벗겨진 수지가 막 형성중의 기판(W) 위에 부착되는 것을 방지할 수 있고, 막 형성 품질을 더욱 향상시킬 수 있다.
또, 가열부(40)는 샤워 플레이트(31)의 제1 면(311) 전체를 덮도록 구성된 투명 도전막(41)을 가진다. 이것에 의해, 샤워 플레이트(31)에서의 자외선(UV)의 투과성은 유지하면서, 샤워 플레이트(31)의 면내를 의해 균일하게 가열할 수 있다. 따라서 가스 확산실(32)의 내벽이나 관통구멍(313)에서의 수지층의 퇴적을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다.
이것에 부가해서, 가열부(40)가 샤워 플레이트(31)와 일체로 구성되기 때문에, 가열부(40)에 대한 별도의 메인터넌스가 불필요하게 된다. 이것에 의해, 막 형성 장치(100)의 메인터넌스를 더욱 용이하게 실시할 수 있다.
또, 투명 도전막(41)이 관통구멍(313)과 연통하는 구멍(411)을 가짐으로써, 관통구멍(313)에서의 원료 가스의 공급 기능을 유지하면서, 관통구멍(313)을 효과적으로 가열할 수 있다. 따라서 부착된 수지에 동반하는 관통구멍(313)의 막힘을 더욱 확실하게 방지할 수 있다.
[다른 실시형태]
샤워 플레이트(31)의 구성은 상기에 한정되지 않는다.
예를 들면, 도 4의 요부 단면도에 나타내는 바와 같이 가스 공급부(30)가 복수의 샤워 플레이트(31)와, 복수의 샤워 플레이트(31)를 지지하는 프레임부(33)와, 가스 확산실(32)을 가지고 있을 수 있다. 샤워 플레이트(31)가 분할됨으로써, 각 샤워 플레이트(31)의 사이즈를 축소할 수 있고, 가스 공급부(30)의 제조 코스트를 저하시킬 수 있다.
또, 가스 공급부(30)의 가스 확산실(32)이 샤워 플레이트(31)와 챔버(10)의 상판(12)에 의해 형성되는 것으로 설명했지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 5의 요부 단면도에 나타내는 바와 같이 가스 공급부(30)가 샤워 플레이트(31)를 구비한 샤워 헤드(34)를 가지고 있을 수 있다. 샤워 헤드(34)는 막 형성실(11)의 스테이지(15)와 상판(12) 사이에 배치되고, 내부에 가스 확산실(32)이 형성된다. 또 샤워 헤드(34)에서는 샤워 플레이트(31)와, 상판(12)측의 면(34a)이 자외선 투과성을 가지는 재료로 구성된다. 이러한 구성에서도 기판(W) 내에서의 자외선 경화 수지층의 막두께 분포를 균일화할 수 있다.
샤워 플레이트(31)의 관통구멍(313) 및 투명 도전막(41)의 구멍(411)은 도 3에서 나타내는 배치에 한정되지 않고, 예를 들면 도 6에 나타내는 바와 같은 지그재그 배치일 수도 있다. 혹은, 다른 배치일 수도 있다.
또, 투명 도전막(41)은 제1 면(311)전 체를 덮는 구성에 한정되지 않는다. 예를 들면 도 7의 개략적인 평면도에 나타내는 바와 같이 투명 도전막(41)은 대상의 패턴으로 형성될 수 있다. 이 경우, 투명 도전막(41)은 도 7에 나타내는 바와 같이 인접하는 관통구멍(313) 사이에 형성되어 있을 수 있다. 또, 투명 도전막(41)이 관통구멍(313)을 덮도록 구성되는 경우에는 관통구멍(313)에 대응하는 위치에 구멍(411)을 가지고 있을 수 있다. 투명 도전막(41)은 대상의 패턴에 한정되지 않고, 기타 임의의 패턴으로 형성될 수도 있다.
또, 가열부(40)는 투명 도전막(41)을 가지는 구성에 한정되지 않고, 예를 들면 도 8의 요부 단면도에 나타내는 바와 같이 제1 면(311) 측에 배치된 저항 가열선(43) 등의 히터를 가지고 있을 수 있다. 저항 가열선(43)은 예를 들면, 인쇄법에 의해 형성된 프린트 배선으로 할 수 있다.
또, 가열부(40)는 투명 도전막(41)에 부가해서, 막 형성실(11)의 내벽이나 상판(12) 등을 가열하는 가열원을 가지고 있을 수 있다.
이상, 본 발명의 각 실시형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 상술한 실시형태만으로 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에서 여러가지로 변경을 첨가할 수 있는 것은 물론이다.
이상의 실시형태에서는 에너지선이 자외선인 예를 나타냈지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면 13MHz, 27MHz 정도의 고주파 전원으로부터 발생되는 전자파를 사용하는 것도 가능하다. 이 경우, 조사원은 발진기 등으로 할 수 있다. 또, 에너지선을 전자 빔으로 하고, 조사원을 전자 빔원으로 하는 것도 가능하다.
또, 이상의 실시형태에 따른 막 형성 장치를 예를 들면 복수의 챔버를 가지는 인라인 방식 혹은 클러스터 방식의 막 형성 장치의 일부로서 사용하는 것도 가능하다. 이러한 장치를 사용함으로써, 발광소자와 같은 복수의 층을 가지는 소자 등을 제작하는 것이 더욱 쉬워진다. 또, 이러한 장치에 의해, 저코스트화, 공간 절약화 및 거듭되는 생산성의 향상을 실현할 수 있다.
10: 챔버
11: 막 형성실
12: 상판
13: 개구부
15: 스테이지
20: 광원 유닛
22: 조사원
30: 가스 공급부
31: 샤워 플레이트
32: 가스 확산실
40: 가열부
41: 투명 도전막
100: 막 형성 장치
311: 제1 면
312: 제2 면
313: 관통구멍
411: 구멍

Claims (6)

  1. 막 형성실을 가지는 챔버와,
    상기 막 형성실에 배치되고, 기판을 지지하는 스테이지와,
    에너지선을 조사하는 조사원을 가지고, 상기 막 형성실과 대향해서 배치된 광원 유닛과,
    상기 광원 유닛에 대향하는 제1 면과, 상기 스테이지에 대향하는 제2 면과, 상기 제1 면 및 상기 제2 면을 관통하는 복수의 관통구멍을 포함하고 상기 에너지선을 투과시키는 샤워 플레이트와, 상기 제1 면에 면하고 상기 에너지선의 조사를 받아서 경화하는 에너지선 경화 수지를 포함하는 원료 가스를 확산시키는 가스 확산실을 가지고, 상기 원료 가스를 상기 가스 확산실로부터 상기 막 형성실에 공급하는 가스 공급부와,
    상기 샤워 플레이트의 상기 제1 면을 가열하는 가열부를 구비하는,
    막 형성 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 가열부는 상기 샤워 플레이트의 상기 제1 면에 형성된 투명 도전막을 가지는 막 형성 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 투명 도전막이 ITO를 포함하는 막 형성 장치.
  4. 제2 항 또는 제3 항에 있어서,
    상기 투명 도전막은 상기 복수의 관통구멍과 연통하는 복수의 구멍을 가지는 막 형성 장치.
  5. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 샤워 플레이트는 석영유리로 구성되는 막 형성 장치.
  6. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 챔버는
    상기 막 형성실을 상기 광원 유닛을 향해서 개방하는 개구부와,
    상기 개구부를 폐색하고 상기 에너지선을 투과시키는 상판을 추가로 가지고,
    상기 가스 확산실은 상기 상판과 상기 샤워 플레이트 사이에 끼워진 공간으로 구성되는,
    막 형성 장치.
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