KR20130078754A - 기판처리장치 - Google Patents

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KR20130078754A
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김효주
김영학
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엘아이지에이디피 주식회사
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Abstract

본 발명은, 가스 흡기측과 가스 배기측을 가지는 챔버바디와 상기 챔버바디의 내부에 구비되며 기판과 기판에 증착될 타겟이 놓이는 트레이를 포함하는 공정챔버, 상기 공정챔버의 일측에 구비되며, 상기 가스 흡기측으로 가스를 공급하는 가스 공급부 및 상기 챔버바디의 외측에 구비되어 마이크로 빔을 조사시켜 열 에너지를 발생시켜 상기 타겟을 가열하는 빔 히터를 포함하는 기판처리장치를 제공한다.

Description

기판처리장치 {Apparatus for processing a substrate}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 공정챔버의 내부에 위치한 기판 위에 타겟 입자를 증착시키는 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 평판표시장치(FPD, Flat Panel Display)는 증착 공정을 통하여 제조될 수 있으며, 증착 공정들이 수 차례에서 수십 차례 반복되어야 한다.
특히, 증착 공정은 기판에 박막을 증착하는 필수적인 공정으로 졸겔(sol-gel)방법, 스퍼터링(sputtering)방법, 전기도금(electro-plating)방법, 증기(evaporation)방법, 화학기상증착(chemical vapor deposition)방법, 분자 빔 에피탁시(molecule beam epitaxy)방법, 원자층 증착방법 등에 의하여 기판 상에 가공막을 형성하는 공정이다.
그 중 상기 화학기상증착방법은 다른 증착방법보다 기판 상에 형성되는 증착 특성과, 가공막의 균일성이 우수하기 때문에 가장 보편적으로 사용되고 있다. 이와 같은 화학기상증착방법에는 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition), APCVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition), LTCVD(Low Temperature Chemical Vapor Deposition), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등으로 나눌 수 있다.
화학증착기상 방법에 있어서, 화학 반응을 일으키는 주된 에너지원으로 열 에너지가 많이 사용되는데 이런 경우를 열(thermal) 화학증착기상이라고 한다.
이러한 열 화학증착기상 방법에 있어서, 일반적인 히터를 사용하는 경우 기판을 승온함에 있어 오랜 시간이 소요되고 기판에 많은 열량이 집중됨에 따라 기판이 손상될 수 있다. 또한, 일반적인 히터는 열 전달이 고르지 못해 기판 및 증착하려는 타겟의 온도가 부분적으로 불균일한 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 빠른 시간 내에 기판 및 타겟의 온도를 승온시켜, 기판에 가해지는 손상을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상술한 목적을 달성하기 위하여, 가스 흡기측과 가스 배기측을 가지는 챔버바디와 상기 챔버바디의 내부에 구비되며 기판과 기판에 증착될 타겟이 놓이는 트레이를 포함하는 공정챔버, 상기 공정챔버의 일측에 구비되며, 상기 가스 흡기측으로 가스를 공급하는 가스 공급부 및 상기 챔버바디의 외측에 구비되어 마이크로 빔을 조사시켜 열 에너지를 발생시켜 상기 타겟을 가열하는 빔 히터를 포함하는 기판처리장치를 제공한다.
이때, 상기 트레이는 상기 가스 흡기측에 구비되며 상기 타겟이 놓이는 타겟위치부와, 상기 가스 배기측에 구비되며 상기 기판이 놓이는 기판위치부를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 가열유닛은 전원의 공급으로 발광되며 빛을 한 점으로 모아서 타겟에 집중시켜 열을 발생시키는 고용량 램프를 포함할 수 있다.
또한, 상기 가열유닛은 상기 고용량 램프의 둘레변에 상향식 계단으로 형성된 반사벽을 갖는 몸체을 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 반사벽의 표면에는 금 코팅이 이루어진 것이 바람직하다.
한편, 상기 챔버바디는 투명 또는 불투명한 재질로 구성될 수 있다.
이때, 상기 챔버바디의 재질은 석영일 수 있다.
또한, 상기 챔버바디는 장방형의 실린더 형상일 수 있다.
한편, 상기 빔 히터는 상기 챔버바디의 상부와 하부에 구비될 수 있다.
또한, 기판처리장치는 상기 챔버바디의 가스 배기측에 구비되는 반송챔버, 상기 반송챔버의 일측에 구비되는 로드락 챔버, 상기 반송챔버와 로드락 챔버 사이에 구비되는 게이트밸브 및 상기 챔버바디의 내부에 구비되는 트레이를 상기 로드락 챔버로 이송시키는 반송로봇을 더 포함할 수 있다.
본 발명은, 빠른 시간 내에 기판 및 타겟의 온도를 승온시켜, 기판에 가해지는 손상을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 A-A의 단면도이다.
도 3은 도 1의 B-B의 단면도이다.
도 4는 기판처리장치의 트레이의 평면도이다.
도 5는 반송로봇 및 로드락 챔버를 구비한 기판처리장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
이하 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리장치는 가스 흡기측(12)과 가스 배기측(14)을 가지는 챔버바디(11)와 상기 챔버바디(11)의 내부에 구비되며 기판(S) 및 상기 기판(S)에 증착될 타겟(T)이 놓이는 트레이(13)를 포함하는 공정챔버(10)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 공정챔버(10)의 일측에 구비되며, 상기 가스 흡기측(12)으로 가스를 공급하는 가스 공급부(20)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 챔버바디(11)의 외측에 구비되며, 상기 챔버바디(11) 및 챔버바디(11)의 내부를 가열하는 가열유닛(30)을 포함할 수 있다.
상기 가스 공급부(20)는 상기 챔버바디(11)의 내부로 가스를 공급한다. 이때, 공급되는 가스는 비활성 기체일 수 있다. 예를 들어, 상기 가스는 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤, 제논, 라돈 중 어느 하나일 수 있으며, 또는 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤, 제논, 라돈 중 적어도 둘 이상의 조합일 수 있다.
상기 가스 공급부(20)는 상기 챔버바디(11)의 가스 흡기측(12)에 구비된다. 상기 가스 공급부(20)는 상기 챔버바디(11)의 가스 흡기측(12)으로 가스를 공급하여 상기 챔버바디(11)의 내부에 가스의 이동 흐름을 발생시킨다. 즉, 상기 챔버바디(11)의 가스 흡기측(12)으로 공급된 가스는 상기 챔버바디(11)의 가스 배기측(14)으로 배출된다. 따라서, 챔버바디(11)의 내부에서는 가스 흡기측(12)에서 가스 배기측(14)으로 가스의 이동 흐름이 발생된다.
상기 가스 공급부(20)는 상기 챔버바디(11)의 가스 흡기측(12)에 연결되는 적어도 하나의 가스 노즐(21)과 상기 각 가스 노즐(21)에 연결되는 가스 공급라인(23)을 포함할 수 있다. 더불어, 상기 가스 노즐(21)과 상기 가스 공급라인(23)을 지지하는 라인 지지체(25)를 구비할 수 있다. 후술하는 챔버바디(11)의 형상이 장방형의 실린더 형상일 경우 상기 라인 지지체(25)는 환형일 수 있다.(도 2 참조) 이 경우, 상기 가스 공급라인(23)은 상기 라인 지지체(25)의 내부에서 일정간격으로 이격되어 구비될 수 있다. 더불어, 상기 가스 공급라인(23)의 일단에 구비되는 가스 노즐(21)은 일정간격 이격되어 구비될 수 있다.
또한, 상기 각 가스 공급라인(23)에는 가스 밸브(27)가 구비될 수 있다. 상기 가스 밸브(27)는 상기 각 가스 공급라인(23)으로 공급되는 가스의 유량을 조절하거나, 가스 공급라인(23)으로 공급되는 가스 공급을 차단할 수 있다.
상기 가스 공급라인(23)을 통해 공급되는 가스는 상기 가스 노즐(21)을 통해 상기 챔버바디(11)의 내부로 분사된다.
상기 공정챔버(10)는 챔버바디(11)와 트레이(13)를 포함한다. 상기 공정챔버(10)의 내부에는 기판(S)과 타겟(T)이 놓인다. 상기 타겟(T)은 상기 가열유닛(30)에 의해 가열되며, 가열된 타겟(T)에서 증발된 타겟 입자가 상기 기판(S) 위에 증착된다.
상기 챔버바디(11)는 내부에 상기 트레이(13) 및 상기 가스가 지나갈 수 있는 공간을 형성한다. 상기 챔버바디(11)는 장방형의 실린더 형상일 수 있다. 즉, 상기 챔버바디(11)의 단면은 원형일 수 있다.(도 3 참조) 상기 챔버바디(11)는 투명 또는 반투명의 재질로 구성되는 것이 바람직하다. 이때, 상기 챔버바디(11)의 재질은 석영(Quartz)일 수 있다. 즉, 상기 챔버바디(11)는 재질이 석영이며, 형상이 실린더의 석영 튜브(Quartz Tube)일 수 있다.
상기 챔버바디(11)는 일측과 타측을 가지며, 일측은 가스 흡기측(12), 타측은 가스 배기측(14)이 된다. 상기 가스 흡기측(12)에는 상기 가스 공급부(20)가 구비된다.
한편, 상기 챔버바디(11)의 내부에는 기판 및 타겟이 놓이는 트레이(13)가 구비된다. 상기 트레이(13)는 상기 챔버바디(11)의 하부에 구비되는 것이 바람직하다. 상기 트레이(13)는 평평한 플레이트 형상일 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 트레이(13)는 상기 가스 흡기측(12)에 구비되는 타겟 위치부(13b)와 상기 가스 배기측(14)에 구비되는 기판 위치부(13a)를 포함할 수 있다. 상기 타겟 위치부(13b)는 상기 가스 흡기측(12)에 구비되며 상기 타겟 위치부(13b)의 상부에는 기판(S)에 증착될 타겟(T)이 놓인다. 더불어, 상기 기판 위치부(13a)는 상기 가스 배기측(14)에 구비되며, 상기 기판 위치부(13a)의 상부에는 기판(S)이 놓인다. 이때, 상기 타겟 위치부(13b)와 기판 위치부(13a)는 인접하여 배치되는 것이 바람직하다. 후술하는 가열유닛(30)에 의해 타겟에서 증발된 타겟 입자는 챔버바디(11) 내부의 가스의 이동 흐름을 따라 가스 흡기측(12)에서 가스 배기측(14)으로 이동한다. 이때, 상기 타겟 입자는 상기 가스 배기측(14)에 위치하는 기판 위에 증착될 수 있다.
상기 가열유닛(30)은 챔버바디(11)의 외측에 구비되어 상기 챔버바디(11) 및 챔버바디(11)의 내부를 가열한다.
상기 가열유닛은 빔 히터(30)일 수 있다. 상기 빔 히터(30)는 마이크로 빔을 조사시켜 열 에너지를 발생시킨다. 상기 빔 히터(30)는 상기 챔버바디(11)의 하부에 구비될 수 있다. 또는 상기 빔 히터(30)는 상기 챔버바디(11)의 상부 및 하부에 모두 구비될 수 있다.(도 5 참조)
상기 빔 히터(30)는, 전원의 공급으로 발광되는 고용량 램프(32)의 빛을 한 점으로 모아서 이를 타겟(T)에 집중 조사시켜 열을 발생시키는 장치로서, 파장크기가 0.8~3㎛로 단파장이고, 파장발생온도가 900℃~3800℃여서 최대출력온도가 900℃이상(대략 1200℃까지 상승)이 되며, 복사열에 의한 열전달 방식을 취하고 있어 열손실이 최소화되고, 최대출력온도로의 도달시간이 순간적임은 물론 열효율이 85~90%로 매우 우수한 발열기능을 갖는다.
이러한 빔 히터(30)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 전원의 공급에 따라 발열을 이루는 고용량 램프(32)와, 이 고용량 램프(32)를 중심으로 둘레변에 상향식 계단형으로 형성된 반사벽(34)을 갖는 몸체(36)로 구성되어 있다. 여기서 반사벽(34)의 표면에는 금 코팅이 이루어져서 고용량 램프(32)의 빛 반사가 보다 효율적으로 이루어지도록 하는 것이 바람직하다.
따라서, 전원의 공급에 따라 고용량 램프(32)가 발광을 하게 되면, 발광되는 빛이 계단형으로 형성된 반사벽(34)들에 의해 반사되어 집광이 이루어지게 되고, 이와 같이 집광된 빛인 마이크로 빔이 에너지원으로 작용하여 트레이(13) 위에 놓인 타겟(T)을 가열한다.
한편, 상기 빔 히터(30)는 증착 챔버(10)의 하부쪽 외부에 설치되며, 전원부(미도시) 및 제어부(미도시)와 전기적으로 연결되어 있다.
제어부의 전기적 신호에 따라 전원부가 빔 히터(30)에 전원을 인가하게 되면, 빔 히터(30)의 고용량 램프(32)가 발광을 하게 되고, 이에 따라 고용량 램프(32)에서 발광되는 빛이 몸체(36)의 반사벽(34)에 의해 반사되어 에너지원인 마이크로 빔으로 생성된 후, 상기 트레이(13) 위의 타겟(T)에 조사된다.
가열유닛으로 상기 빔 히터(30)를 이용할 경우, 마이크로 빔의 조사에 따라 순간적으로 승온됨으로써, 짧은 시간 내에 타겟(T)에서 타겟 입자가 증발될 수 있다. 이때, 고용량 램프(32)의 발광 세기를 조절함으로 타겟(T)의 가열온도를 조절할 수 있다. 또한, 가열유닛으로 상기 빔 히터(30)를 이용할 경우 타겟만을 집중 가열하여 증착 효율을 증가시킬 수 있다. 또한, 간접 열에 의한 타겟의 손상을 방지할 수 있는 이점이 있다.
도 1을 참조하면, 상기 챔버바디(11)의 가스 배기측(14)에는 기판을 드나드는 도어(40)가 구비된다. 상기 도어(40)는 상기 챔버바디(11)로 기판을 반입하거나 타겟 입자의 증착이 완료된 기판을 챔버바디(11)의 외부로 반출시킬 경우 오픈된다. 한편, 상기 챔버바디(11)의 가스 배기측(14)에는 반송챔버(60)가 구비되고 상기 반송챔버(60)의 일측에 상기 도어(40)가 구비되는 것이 바람직하다.
더불어, 상기 챔버바디(11)의 가스 배기측(14)에는 배기 펌프(50)가 구비되는 것이 바람직하다. 상기 배기 펌프(50)는 상기 가스 공급부(20)를 통해 챔버바디(11)의 내부로 공급된 가스를 흡기하여 챔버바디(11)의 외부로 배출시킨다.
상기 배기 펌프(50)와 상기 가스 배기측(14) 사이에는 배기 라인(51)이 구비되며, 배기 라인(51)에는 배기 밸브(53)가 구비될 수 있다. 즉 상기 배기 라인(51)의 일단은 상기 가스 배기측(14)에 연결되며, 타단은 상기 배기 펌프(50)에 연결된다. 상기 배기 밸브(53)는 상기 배기 라인(51)을 통해 배기되는 가스의 유량을 조절할 수 있다. 챔버바디(11)의 일측에 반송챔버(60)가 구비되는 경우, 상기 배기 라인(51)의 일단은 상기 반송챔버(60)에 연결될 수 있다.
한편, 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는 상기 챔버바디(11)의 내부에 구비되는 트레이(13)를 이송시키는 반송로봇(80)을 더 포함할 수 있다. 또한, 반송챔버(60)의 일측에 구비되는 로드락 챔버(70)를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 반송챔버(60)와 로드락 챔버(70)의 사이에는 게이트 밸브(90)가 구비되는 것이 바람직하다.
더불어, 이 경우 상기 배기 라인(51)은 로드락 챔버 라인(52)과 반송챔버 라인(55)으로 분지될 수 있다. 즉, 배기 라인(51)의 일단은 상기 배기 펌프(50)에 연결되며, 타단은 상기 로드락 챔버 라인(52)과 반송챔버 라인(55)으로 분지된다. 상기 로드락 챔버 라인(52)의 일단은 상기 로드락 챔버(70)에 연결되며, 타단은 상기 배기 라인(51)에 연결된다. 또한, 상기 반송챔버 라인(55)의 일단은 상기 반송챔버(60)에 연결되며, 타단은 상기 배기 라인(51)에 연결된다. 이때, 상기 로드락 챔버 라인(52)과 상기 반송챔버 라인(55)에는 각각 밸브(54)(53)가 구비되는 것이 바람직하다. 더불어, 상기 반송챔버 라인(55)에는 터보 펌프(57)가 구비될 수 있다. 상기 터보 펌프(57)는 상기 반송챔버(60) 및 공정챔버(10)의 챔버바디(11) 내부의 가스를 배기 펌프(50)로 배기한다.
상기 배기 펌프(50)는 상기 로드락 챔버 라인(52)을 통해 로드락 챔버(70) 내부의 가스 또는 공기를 외부로 배출시킨다. 또한, 상기 배기 펌프(50)는 상기 반송챔버 라인(52)을 통해 반송챔버(60) 및 챔버바디(11) 내부의 가스 또는 공기를 외부로 배출시킨다.
상기 반송로봇(80)은 기판 처리가 완료된 경우 상기 트레이(13)를 이동시켜 로드락 챔버(70)로 이송시키거나, 기판 처리를 위해 상기 트레이(13)를 챔버바디(11) 내부로 이동시킨다.
상기 반송로봇(80)은 상기 트레이(13)의 일측에 연결되는 이송암(81)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 반송로봇(80)은 상기 이송암(81)을 이동시켜 상기 트레이(13)를 챔버바디(11)의 외부로 반출시키거나 내부로 반입시키는 이송장치(83)를 포함할 수 있다.
상기 이송장치(83)는 이송모터를 포함할 수 있으며, 이 경우 이송모터는 상기 이송암(81)을 왕복운동 시킨다. 상기 이송장치(83)는 LM 가이드로 구성될 수 있다. 또는 상기 이송장치(83)는 스크류로 구성될 수 있다. 또는 상기 이송장치(83)는 실린더로 구성될 수 있다.
상기 로드락 챔버(70)는 기 처리된 기판을 외부로 반출시키거나 미처리된 기판을 내부로 반입시키는 경유지 기능을 한다. 더불어, 상기 로드락 챔버(70)와 상기 반송챔버(60) 사이에는 게이트 밸브(90)가 구비되는 것이 바람직하다. 상기 반송챔버(60)의 일측에는 도어(71)가 구비되는 것이 바람직하다.
챔버바디(11)의 내부에서 타겟의 증착이 완료된 기판은 상기 반송로봇(80)에 의해 로드락 챔버(70)로 이송된다. 보다 상세하게는 반송로봇(80)의 이송장치(83)가 작동됨에 따라 상기 이송암(81)에 연결된 트레이(13)가 로드락 챔버(70)로 이송된다. 사용자는 트레이(13) 위에 위치한 증착이 완료된 기판을 상기 로드락 챔버(70)에 구비된 도어(71)를 통해 외부로 반출시킬 수 있다. 또는, 사용자는 증착할 기판을 상기 로드락 챔버(70)에 구비된 도어(71)를 통해 트레이(13) 위의 기판 위치부(13a)에 위치시킬 수 있다.
더불어, 사용자는 로드락 챔버(70)로 이송된 트레이(13) 위에 위치하는 타겟을 교체할 수 있다. 즉, 상기 로드락 챔버(70)에서 증착될 타켓의 종류를 변경하거나 증착이 완료된 타겟을 제거할 수 있다.
한편, 상기 트레이(13)가 로드락 챔버(70)에서 챔버바디(11)의 내부로 이송되거나 챔버바디(11)에서 로드락 챔버(70)로 이송되는 경우 상기 게이트 밸브(90)가 개방된다. 더불어, 챔버바디(11) 내부에서 기판에 타겟이 증착되는 과정에서는 상기 게이트 밸브(90)는 차단된다.
상기 로드락 챔버(70)와 반송로봇(80)을 구비함으로써 기판 증착 공정이 연속적으로 이뤄질 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 설명한다.
챔버바디(11)의 외부에 구비되는 가열유닛(30)이 챔버바디(11)와 챔버바디(11)의 외부를 가열한다. 이때, 챔버바디(11)는 투명 또는 반투명 재질일 수 있으며 바람직하게는 챔버바디(11)의 재질은 석영일 수 있다. 더불어, 가열유닛(30)은 빔 히터(30)일 수 있따. 빔 히터(30)의 고용량 램프(32)에 의해 발생된 열 및 빛은 상기 챔버바디(11) 및 챔버바디(11)의 내부를 가열한다. 이때, 챔버바디(11)의 하부에 구비되는 트레이(13) 위에 놓인 기판(S)과 타겟(T)은 상기 고용량 램프(32) 에 의해 발생된 열 및 빛에 의해 가열된다. 더불어, 가열된 타겟(T)에서 타겟 입자가 증발된다.
한편, 상기 챔버바디(11)의 가스 흡기측(12)에는 가스 공급부(20)가 구비되어 챔버바디(11)의 가스 흡기측(12)으로 가스를 공급한다. 챔버바디(11)의 가스 흡기측(12)으로 공급된 가스는 챔버바디(11)의 내부에 가스의 흐름을 발생시킨다. 상기 가스 공급부(20)에 의해 챔버바디(11)의 내부로 공급된 가스는 가스 흡기측(12)으로 공급되어 가스 배기측(14)으로 배출된다. 따라서, 챔버바디(11) 내부에는 가스 흡기측(12)에서 가스 배기측(14)으로의 가스 흐름이 발생된다.
한편, 상기 챔버바디(11)의 트레이(13) 위에 놓이는 기판(S)은 가스 배기측(14)에 구비되는 기판 위치부(13a)에 놓이며, 타겟(T)은 가스 흡기측(12)에 구비되는 타겟 위치부(13b)에 구비된다. 상기 빔 히터(30)에 의해 증발된 타켓 입자는 가스 흐름을 따라 가스 흡기측(12)에서 가스 배기측(14)으로 이동한다. 따라서, 이동하는 타켓 입자는 가스 배기측(14)에 놓인 기판(S) 위에 증착된다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 기재된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상이 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의해서 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 공정챔버
11 챔버바디
13 트레이
13a 기판 위치부, 13b 타겟 위치부
20 가스 공급부
21 가스 노즐
23 가스 공급라인
25 라인 지지체
27 가스 밸브
30 빔 히터
32 고용량 램프
34 반사벽
36 몸체
40, 71 도어
50 배기 펌프
51 배기 라인
53, 54 밸브
60 반송챔버
70 로드락챔버
80 반송로봇
81 이송암
83 이송장치
90 게이트밸브

Claims (10)

  1. 가스 흡기측과 가스 배기측을 가지는 챔버바디와 상기 챔버바디의 내부에 구비되며 기판과 기판에 증착될 타겟이 놓이는 트레이를 포함하는 공정챔버;
    상기 공정챔버의 일측에 구비되며, 상기 가스 흡기측으로 가스를 공급하는 가스 공급부; 및
    상기 챔버바디의 외측에 구비되어 마이크로 빔을 조사시켜 열 에너지를 발생시켜 상기 타겟을 가열하는 빔 히터;를 포함하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가열유닛은 전원의 공급으로 발광되며 빛을 한 점으로 모아서 타겟에 집중시켜 열을 발생시키는 고용량 램프를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 가열유닛은 상기 고용량 램프의 둘레변에 상향식 계단으로 형성된 반사벽을 갖는 몸체을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 반사벽의 표면에는 금 코팅이 이루어진 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 챔버바디는 투명 또는 불투명한 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 챔버바디의 재질은 석영인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 챔버바디는 장방형의 실린더 형상인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 빔 히터는 상기 챔버바디의 상부와 하부에 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 챔버바디의 가스 배기측에 구비되는 반송챔버;
    상기 반송챔버의 일측에 구비되는 로드락 챔버;
    상기 반송챔버와 로드락 챔버 사이에 구비되는 게이트밸브; 및
    상기 챔버바디의 내부에 구비되는 트레이를 상기 로드락 챔버로 이송시키는 반송로봇을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제1항에 잇어서,
    상기 트레이는 상기 가스 흡기측에 구비되며 상기 타겟이 놓이는 타겟위치부와, 상기 가스 배기측에 구비되며 상기 기판이 놓이는 기판위치부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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