CN107561808A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：位于基板上的薄膜晶体管；位于所述薄膜晶体管上的保护膜；和位于所述保护膜上的取向膜，其中所述保护膜包括一个或多个保护膜，并且所述一个或多个保护膜之中的与所述取向膜相邻的保护膜具有比氮含量高的硅含量。因而，可提供一种能够减少图像残留或闪烁的显示装置。

Description

显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年6月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0082786的优先权，在此援引该申请的发明作为参考。
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法，尤其涉及一种能够减少图像残留(imagesticking)或闪烁的显示装置及其制造方法。
背景技术
近来，随着世界进入信息时代，用于在视觉上显示电信息信号的显示领域快速增长。因而，具有诸如薄形化、轻量化和低功耗之类的性能的各种显示装置得到发展。
显示装置的具体示例包括液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、场发射显示(FED)装置、有机发光显示(OLED)装置等。
特别是，液晶显示(LCD)装置是通过透射或阻挡从光源产生的光来显示图像的显示装置。在LCD装置中，光源设置在液晶下方，电场施加至液晶以控制液晶的取向。LCD装置具有较小的厚度并且能够实现清晰的图像，因而已应用于TV、监视器等。近来，LCD装置已被用作诸如智能电话和平板PC之类的便携式终端的显示装置。
发明内容
LCD装置可采用扭曲向列(TN)、垂直取向(VA)、面内切换(IPS)模式等之一。特别是，在采用IPS模式的LCD装置中，在单个基板上存在用于控制液晶(LC)并产生电场的电极。因为电极在单个基板上对准，所以主要在水平方向上引起电场。因此，与采用TN和VA模式的LCD装置相比，这种LCD装置具有非常低的视角依赖性。此外，在采用边缘场切换(FFS)模式的LCD装置中，电极可以以更小的电极间隙形成在单个基板上。因而，在电极上方的区域中也可产生水平方向电场。
此外，LCD装置包括用于使液晶层对准的取向膜。取向膜分为摩擦取向膜(rubbingalignment film)和光学取向膜(photo-alignment film)。摩擦取向膜由聚酰亚胺形成，通过用诸如人造纤维之类的纤维摩擦取向膜，向取向膜赋予取向控制力。摩擦工艺可导致问题，比如，由于因基板上形成的薄膜晶体管的台阶而形成的划伤引起的错向(disclination)，发生光泄漏或图像残留。此外，诸如人造纤维之类的纤维可产生静电，静电可影响显示装置的可靠性。在此，图像残留是指即使当LCD装置切换到新的画面，前一画面上显示的图像或字符仍残留并出现在新的画面上的现象。就是说，图像残留是指即使在外部激励信号(stimulus)消失之后视觉体验仍持续一定时间段的现象。
光学取向膜由聚合物材料，例如聚酰亚胺形成，通过对其照射诸如紫外(UV)线之类的光，向取向膜赋予取向控制力。因此，与摩擦取向膜不同，在光学取向膜中不产生静电，并且较少地发生图像残留。
此外，近来，不使用具有正介电各向异性的液晶层，而是使用具有负介电各向异性的液晶层，因为具有负介电各向异性的液晶层很少受挠曲电效应(flexo-electriceffect)影响，实现较少的闪烁，并且能够提高透射率。然而，具有负介电各向异性的液晶层具有比具有正介电各向异性的液晶层低的响应时间，并且需要高电压，导致图像残留的发生。
因此，不断努力给具有负介电各向异性的液晶层应用光学取向膜。然而，本发明人认识到由于图像残留而很难应用光学取向膜。
当显示装置应用于移动装置时，为了降低功耗并增加触摸中的响应速度，采用其中施加至显示装置的电压的频率进行变化的变量驱动模式(variable driving mode)。当采用变量驱动模式时，根据频率的某种变化和极性的切换而产生电荷。本发明人认识到电荷累积在取向膜上，导致图像残留或闪烁的发生。
因此，本发明的发明人认识到上述问题并进行了各种实验来改善图像残留或闪烁。结果，本发明的发明人通过实验发明了一种能够最小化或减少图像残留或闪烁的显示装置。
因此，本发明的实施方式旨在提供一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺陷导致的一个或多个问题的显示装置。
本发明要实现的一个目的是提供一种能够减少图像残留或闪烁的显示装置及其制造方法。
在下面的描述中将列出本发明的附加特点和方面，这些特点和方面的一部分根据下面的解释将是显而易见的或者可通过本文提供的发明概念的实施领会到。通过说明书及其导出物、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得发明概念的其他特点和方面。
为了实现发明概念的这些和其他方面，如在此具体化和广义描述的，一种显示装置包括：位于基板上的薄膜晶体管；位于所述薄膜晶体管上的保护膜；和位于所述保护膜上的取向膜。所述保护膜包括一个或多个保护膜，并且所述一个或多个保护膜之中的与所述取向膜相邻的保护膜具有比氮含量高的硅含量。
根据本发明的另一个方面，一种显示装置包括：位于第一基板和第二基板中的至少一个上的像素电极和公共电极；分别位于所述第一基板和所述第二基板上的第一取向膜和第二取向膜；位于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层，所述液晶层具有负介电各向异性；和与所述液晶层相邻的保护膜，所述保护膜具有比所述第一取向膜的体电阻低的体电阻。
根据本发明的又一个方面，一种制造显示装置的方法包括：在第一基板上形成薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上形成保护膜；在所述保护膜上形成取向膜；向所述取向膜照射光；去除所述取向膜的杂质或降解产物；和在所述第一基板与面对所述第一基板的第二基板之间形成液晶层。与所述液晶层相邻的所述保护膜形成为具有比所述取向膜的体电阻低的体电阻。
本发明的详细描述和附图中将包括其他示例性实施方式的细节。
根据本发明，与取向膜相邻的保护膜具有比氮含量高的硅含量。因而，可降低与取向膜相邻的保护膜的体电阻(volume resistance)。因此，可减少由具有比保护膜高的体电阻的取向膜导致的图像残留或闪烁。
根据本发明，与取向膜相邻的保护膜中的硅和氮的键合比率(bonding ratio)为1或更小。因而，可降低与取向膜相邻的保护膜的体电阻。因此，可减少由具有比保护膜高的体电阻的取向膜导致的图像残留或闪烁。
根据本发明，与取向膜相邻的保护膜具有比取向膜低的体电阻。因而，可减少显示装置的图像残留或闪烁。
根据本发明，与取向膜相邻的保护膜具有比取向膜低的体电阻。因而，可提高变量驱动模式中的DC放电特性。因此，可减少显示装置的图像残留或闪烁。
根据本发明，与取向膜相邻的保护膜具有比取向膜低的体电阻并且采用具有负介电各向异性的液晶层。因而，可提供一种可提高透射率并且可减少图像残留或闪烁的显示装置。
根据本发明，与取向膜相邻的保护膜具有比取向膜低的体电阻并且采用变量驱动模式和具有负介电各向异性的液晶层。因而，可提供一种能够改善功耗、显示装置的触摸中的响应速度和透射率并且可减少图像残留或闪烁的显示装置。
本发明的效果不限于上述的效果。尽管未在此描述，但所属领域普通技术人员通过下面的描述将清楚理解到本发明的其他效果。
应当理解，本发明前面的大体性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，旨在对要求保护的发明概念提供进一步的解释。
附图说明
给本发明提供进一步理解并且并入本申请构成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的各个原理，在附图中：
图1是根据本发明示例性实施方式的显示装置的剖面图；
图2图解了根据本发明的示例性实施方式，基于保护膜的键合比率的体电阻；以及
图3是用来解释根据本发明示例性实施方式的显示装置的制造方法的流程图。
具体实施方式
从下面参照附图描述的示例性实施方式将更清楚地理解本发明的优点和特征及其实现方法。然而，本发明不限于下面的示例性实施方式，而是可以以各种不同的形式实现。提供这些示例性实施方式仅是为了使本发明的公开内容完整并且将本发明的范畴充分提供给本发明所属领域的普通技术人员，本发明将仅由所附权利要求书限定。
为了描述本发明的示例性实施方式而在附图中显示出的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅仅是示例，本发明并不限于此。相同的参考标记一般在整个说明书中表示相同的元件。此外，在下面的描述中，可能省略对已知相关技术的详细解释，以避免不必要地使本发明的主题模糊不清。在此使用的诸如“包括”、“具有”、和“包含”之类的术语一般旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。
即使没有明确说明，要素仍被解释为包含通常的误差范围。
当使用诸如“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……之后”之类的术语描述两部分之间的位置关系时，可在这两个部分之间设置一个或多个部分，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用。
当使用诸如“在……之后”、“继……之后”、“接下来”和“在……之前”之类的术语描述两个或更多个事件之间的时间顺序时，两个或更多个事件可以是不连续的，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用。
尽管使用了术语“第一”、“第二”等描述各种部件，但这些部件不受这些术语限制。这些术语仅仅是用于区分一个部件与其他部件。因此，在本发明的技术构思内，下面提到的第一部件可以是第二部件。
本发明各实施方式的特征能够彼此部分或整体地结合或组合并且能够以各种技术方式进行互连接锁和操作，且这些实施方式能够独立地或彼此相关联地实施。
下文中，将参照附图详细描述本发明的各示例性实施方式。
图1是根据本发明示例性实施方式的显示装置的剖面图。
参照图1，显示装置100包括位于基板111上的栅极线和数据线。薄膜晶体管包括栅极电极112、有源层114、源极电极116和漏极电极117。详细地说，栅极电极112形成在第一基板111上，并且栅极绝缘层113形成在栅极电极112上。有源层114形成在栅极绝缘层113上。源极电极116和漏极电极117电连接至有源层114。
尽管在本发明中薄膜晶体管被描述为具有反向交错结构(inverted staggeredstructure)，但并不限于此，可使用具有包括共面结构在内的各种结构的薄膜晶体管。
在假设薄膜晶体管是N型薄膜晶体管的情况下，图1图解了像素电极140连接至源极电极116。然而，当薄膜晶体管是P型薄膜晶体管时，像素电极140可连接至漏极电极117。
有源层114可由非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)、氧化物半导体、有机半导体等形成。当有源层114由氧化物半导体形成时，氧化物半导体可包括ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、IGZO(氧化铟镓锌)或ITZO(氧化铟锡锌)，但并不限于此。
至少一个保护膜可形成在薄膜晶体管上。就是说，第一保护膜115和第二保护膜118形成在源极电极116和漏极电极117上。公共电极120形成在第二保护膜118上。第二保护膜118可由诸如光学压克力(photo acryl)之类的有机材料形成，因而可提高开口率。
形成第三保护膜130以覆盖公共电极120。像素电极140形成在第三保护膜130上。像素电极140通过第二保护膜118的接触孔与源极电极116接触。可省略第一保护膜115。
在本发明中，将以IPS模式显示装置为例来描述IPS模式显示装置和FFS模式显示装置。在图1中，公共电极120形成在第一基板111上，而不是形成在第二基板190上。就是说，公共电极120形成在第三保护膜130下方并且像素电极140形成在第三保护膜130上方。亦或，像素电极140可形成在第三保护膜130下方并且公共电极120可形成在第三保护膜130上方。公共电极120可设置在像素电极140上方。公共电极120和像素电极140的布局不限于此，像素电极140可设置在公共电极120上方。亦或，像素电极140可形成在与公共电极120相同的平面上而不是与公共电极120位于不同的层上。例如，公共电极120和像素电极140可设置在第三保护膜130上方或第三保护膜130下方。
为了执行公共电极的其他功能，比如触摸感测或电阻降低，可在公共电极120或像素电极140下方形成像素电极140和公共电极120以外的其他电极。这种电极可设置在由光学压克力形成在的第二保护膜118内。
公共电极120和像素电极140可以以直线形状设置。亦或，公共电极120和像素电极140可以以具有至少一个弯曲形状的Z字形设置。第二基板190的滤色器和黑矩阵185中的至少一个可形成为直线形状或具有至少一个弯曲形状的Z字形。此外，公共电极120或像素电极140可形成为矩形形状，或者公共电极120或像素电极140还可形成为直线形状或具有至少一个弯曲形状的Z字形。此外，数据线可形成为直线形状或具有至少一个弯曲形状的Z字形。
第一基板111包括第一取向膜150a，作为面对第一基板111的基板的第二基板190包括第二取向膜150b。第一取向膜150a和第二取向膜150b是配置成确定并保持液晶层160中的液晶的初始取向的层。液晶层160设置在第一基板111与第二基板190之间并且形成在第一取向膜150a与第二取向膜150b之间。
包括红色、绿色和蓝色滤色器的滤色器180可形成在第二基板190下方。黑矩阵185可设置在第二基板190下方。黑矩阵185可设置在红色、绿色和蓝色滤色器180中的至少两个之间，从而抑制色混合。涂覆层(overcoating layer)170可设置在第二取向膜150b与滤色器180之间。
在本发明的示例性实施方式中，第一取向膜150a和第二取向膜150b的每一个包括至少两个取向膜。就是说，第一取向膜150a包括与液晶层160接触的上部取向膜154a以及与液晶层160间隔开的下部取向膜152a。此外，第二取向膜150b包括与液晶层160接触的上部取向膜154b以及与液晶层160间隔开的下部取向膜152b。上部取向膜154a和154b与液晶层160接触，但下部取向膜152a和152b不与液晶层160接触。
当IPS模式显示装置应用于移动装置的显示装置时，为了降低功耗并增加触摸中的响应速度，可采用其中施加至显示装置的信号的频率进行变化的变量驱动模式。当施加至显示装置的信号的频率变化时，发生闪烁，使得用户可识别到屏幕的闪烁。因此，当采用变量驱动模式时，根据频率的某种变化和极性的切换而产生电荷。因而，电荷累积在取向膜上，导致图像残留或闪烁的发生。此外，当采用变量驱动模式时，DC放电特性并非在任何频率处都是均匀的，因而发生闪烁。因此，为了改善在变量驱动模式中取向膜中的取决于频率的DC累积，需要具有高体电阻的取向膜。
在IPS模式显示装置的情形中，除了由DC电压导致并累积在取向膜上的电荷以外，还由于累积在取向膜与保护膜之间的界面处的电荷，更频繁地发生DC图像残留。
通过由公共电极120和像素电极140产生的电场调整液晶层160中包括的液晶的取向。液晶层160分为负型液晶层和正型液晶层。负型液晶层包括具有负(-)介电各向异性(△ε＝ε||-ε⊥)的液晶并且具有比水平介电常数高的垂直介电常数。此外，正型液晶层包括具有正(+)介电各向异性的液晶并且具有比垂直介电常数高的水平介电常数。
在具有负介电各向异性的液晶层，即负型液晶层中，液晶层的指向矢(director)在垂直于电场方向的方向上对准。因此，当在公共电极120与像素电极140之间产生电场时，公共电极120与像素电极140之间的液晶层的指向矢平行于第一基板111和第二基板190的水平平面对准。此外，公共电极120和像素电极140上方的液晶层的指向矢平行于第一基板111和第二基板190的水平平面对准。因此，与正型液晶层相比，负型液晶层提高了光透射率，因而表现出相对较高的亮度。
尽管可通过具有负介电各向异性的液晶层提高透射率，但仍发生DC图像残留。因此，为了最小化或减少DC图像残留，需要具有高体电阻的取向膜。
当采用具有高体电阻的取向膜来减少DC图像残留，采用变量驱动模式来降低功耗并增加触摸中的响应速度，并且采用具有负介电常数的液晶层来提高透射率时，为了分析图像残留或闪烁的原因，本发明的发明人进行了各种实验。作为这些原因，提出了保护膜的放气(outgassing)、取向膜的厚度、保护膜的膜特性等。详细地说，通过各种实验，本发明人发现保护膜的放气不会影响图像残留或闪烁的发生。在此，放气是指当保护膜由有机膜形成时，气体化合物从有机膜释放且之后与取向膜中包含的离子反应的现象。
本发明的发明人通过实验发现，取向膜的厚度对图像残留或闪烁具有微小的影响。
因此，本发明的发明人进行了实验来检查在图像残留或闪烁的这些原因之中的保护膜的膜特性的影响。就是说，形成保护膜，然后分析保护膜的膜特性。作为分析的结果，本发明人发现保护膜具有比氮(N)含量高的硅(Si)含量。此外，保护膜的硅(Si)含量和氮(N)含量受保护膜中包含的硅和氮的键合比率影响。键合比率可以是保护膜中包含的氮氢键与硅氢键的键合比率(NH/SiH)。因此，本发明的发明人进行了实验来检查保护膜的体电阻是否根据保护膜中包含的硅和氮的键合比率而变化。下面将参照图2描述其细节。
通过化学气相沉积(CVD)形成保护膜。通过在真空中使沉积膜与经由施加射频功率(RF功率)而分解为等离子体的气体进行反应且之后移除沉积膜来形成保护膜。当保护膜由硅氮化物膜形成时，在此使用的气体可以是硅烷(SiH4)、氨气(NH3)等。
图2图解了根据本发明的示例性实施方式，基于保护膜的键合比率，保护膜的体电阻。
在图2中，横轴表示硅(Si)和氮(N)的键合比率，纵轴表示体电阻(Ω·cm)。当硅(Si)和氮(N)的键合比率为1或更小时，在15V的施加电压时测量保护膜的体电阻。当硅(Si)和氮(N)的键合比率超过1时，在10V的施加电压时测量保护膜的体电阻。可在每个施加电压时测量体电阻，当体电阻较高时，可在不同的施加电压时进行测量，但本发明不限于此。
如图2中所示，当硅(Si)和氮(N)的键合比率为0.34时，保护膜的体电阻大约为1.0×1010Ω·cm或更大。此外，当硅(Si)和氮(N)的键合比率为0.59时，保护膜的体电阻大约为1.0×1011Ω·cm。当硅(Si)和氮(N)的键合比率为0.70时，保护膜的体电阻大约为1.0×1012Ω·cm或更小。当硅(Si)和氮(N)的键合比率为4.10时，保护膜的体电阻大约为1.0×1013Ω·cm或更大。当硅(Si)和氮(N)的键合比率为16.00时，保护膜的体电阻大约为1.0×1013Ω·cm或更大。根据实验的结果，能够看出当硅(Si)和氮(N)的键合比率为1或更小时，保护膜的体电阻大约为1.0×1013Ω·cm或更小。
因此，能够看出当硅(Si)和氮(N)的键合比率为1或更小时的体电阻低于当硅(Si)和氮(N)的键合比率为超过1时的体电阻。就是说，能够看出当保护膜具有比氮(N)含量高的硅(Si)含量时，保护膜的体电阻降低。此外，能够看出当硅(Si)和氮(N)的键合比率为1或更小时，硅(Si)含量高于氮(N)含量。因此，能够看出与其中硅(Si)和氮(N)的键合比率为超过1的情形相比，当硅(Si)和氮(N)的键合比率为1或更小时发生DC放电。
因此，随着保护膜的体电阻降低，更可能发生DC放电。因此，能够看出可减少图像残留或闪烁的发生。就是说，当采用变量驱动模式和具有负介电常数的液晶层时，为了最小化或减少图像残留或闪烁，需要具有高体电阻的取向膜。能够看出当采用具有高体电阻的取向膜时，为了最小化或减少图像残留或闪烁，保护膜可具有比取向膜低的体电阻。
如图2中所示，能够看出当保护膜具有比氮(N)含量高的硅(Si)含量时，保护膜的体电阻降低。此外，保护膜的硅(Si)含量和氮(N)含量可受到用于形成保护膜的条件影响。例如，硅(Si)含量和氮(N)含量可受到硅烷(SiN4)的流速、硅烷(SiN4)与氨气(NH3)的流速比率、保护膜的厚度、形成保护膜时的RF功率等影响。
下文中，将参照表1描述根据保护膜中包含的硅和氮的键合比率测量图像残留的结果。
[表1]
A:B 键合比率 图像残留(1小时) 图像残留(6小时)
比较例1 1:10 4.10 3/5 5/5
比较例2 1:10 2.09 1/6 6/6
实施例1 1:10 0.95 0/6 6/6
实施例2 1:4 0.34 0/4 0/4
实施例3 1:4 0.34 0/6 2/6
在表1中，A:B表示SiH4与NH3的流速比率，键合比率表示硅和氮的键合比率。此外，图像残留(1小时)表示1小时后测量图像残留的结果，图像残留(6小时)表示6小时后测量图像残留的结果。当固定图案在经过1小时或6小时切换至灰度图案时，通过测量图像残留消失所需的时间来执行图像残留评价。例如，在1小时后的图像残留的评价中，当固定图案切换至灰度图案时，如果固定图案保留1小时，则确定出现图像残留。如果固定图案消失，则确定图像残留消失。此外，1小时后图像残留消失的情形可被确定为高质量产品，或者1小时后和6小时后图像残留消失的情形可被确定为高质量产品。这种确定取决于消费者的要求，高质量产品的标准不限于此。
在比较例1、比较例2和实施例2中，组成薄膜晶体管的有源层由非晶硅形成。在实施例1和实施例3中，组成薄膜晶体管的有源层形成为氧化物半导体层。氧化物半导体层可由ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、IGZO(氧化铟镓锌)、ITZO(氧化铟锡锌)等形成，但并不限于此。
在比较例1和比较例2中，当SiH4与NH3的流速比率为1:10时以硅和氮的不同键合比率测量图像残留。如表1中列出的，作为当硅和氮的键合比率为4.10时，1小时后测量图像残留的结果，在五个样品之中的三个样品中出现图像残留。此外，作为6小时后测量图像残留的结果，五个样品之中的五个样品中出现图像残留。此外，作为当硅和氮的键合比率为2.09时，1小时后测量图像残留的结果，在六个样品之中的一个样品中出现图像残留。此外，作为6小时后测量图像残留的结果，六个样品之中的六个样品中出现图像残留。因此，能够看出在与比较例1相比硅和氮的键合比率较低的比较例2中，1小时后的图像残留减少。
此外，在实施例1中，当以与比较例1和2相同的方式SiH4与NH3的流速比率为1:10且硅和氮的键合比率为0.95时测量图像残留。在与比较例1和2相比硅和氮的键合比率为1或更小的实施例1中，1小时后未出现图像残留，但6小时后出现图像残留。因此，能够看出当硅和氮的键合比率为1或更小时，1小时后图像残留消失，从而硅和氮的键合比率影响图像残留。
在实施例2中，当SiH4与NH3的流速比率为1:4且硅和氮的键合比率为0.34时测量图像残留。能够看出当与实施例1相比SiH4与NH3的流速比率以及硅和氮的键合比率减小时，1小时后和6小时后未出现图像残留。因此，能够看出当硅和氮的键合比率为1或更小时，1小时和6小时后未出现图像残留，从而硅和氮的键合比率影响图像残留。此外，能够看出SiH4与NH3的流速比率也影响图像残留。
实施例3与实施例2的不同之处仅在于实施例3的有源层由氧化物半导体形成，实施例2的有源层由非晶硅形成。根据实验的结果，能够看出1小时后未出现图像残留，但6小时后稍微出现图像残留。因此，能够看出当硅和氮的键合比率为1或更小时，1小时后图像残留消失，并且6小时后图像残留减少，从而硅和氮的键合比率影响图像残留。此外，薄膜晶体管的有源层的种类对图像残留具有微小的影响。
因此，能够看出当硅和氮的键合比率为1或更小时，显示装置的图像残留得到改善。此外，能够看出当硅和氮的键合比率为1或更小时，保护膜具有比氮含量高的硅含量。
下文中，将参照图1描述取向膜。光学取向膜可分为光学异构化(photo-isomerization)取向膜、光学二聚(photo-dimerization)取向膜和光学降解(photo-degradation)取向膜。光学异构化取向膜可分为两种。一种是配置成通过将活性分子与聚合物混合以形成聚酰亚胺膜并且对其照射偏振光来控制液晶层的方向的取向膜。另一种是配置成通过对在侧链或末端基团处包括光学异构分子的聚合物膜照射线偏振光，以仅将头部朝向确定方向的分子光学异构化来产生光学各向异性的取向膜。光学二聚取向膜配置成通过对表现出光学二聚反应的聚合物膜照射线偏振光以使分子在确定方向上反应来产生光学各向异性。光学降解取向膜配置成通过光学降解反应来产生光学各向异性，在光学降解反应中，对聚合物膜照射线偏振UV光，以选择性地分开或裂解(cleave)确定方向上的分子键(molecularbond)。
在此，将作为示例描述光学降解取向膜。然而，本发明不限于此，本发明的示例性实施方式可应用于具有高体电阻率的任何取向膜。
当第一取向膜150a和第二取向膜150b具有低分子量时，可很容易执行液晶层160的切换。因此，当第一取向膜150a和第二取向膜150b包括至少两层时，可提高取向稳定性。然而，当给上部取向膜154a和154b照射光时，下部取向膜152a和152b也被光学降解，使得在具有黑色画面的显示过程中由于AC图像残留而可导致光泄漏。因此，为了提高第一取向膜150a和第二取向膜150b的取向稳定性，具有低分子量的上部取向膜154a和154b形成为与液晶层160相邻，具有高分子量的下部取向膜152a和152b分别形成在上部取向膜154a和154b下方。因而，即使当液晶层160切换时，下部取向膜152a和152b也很难移动。因此，可控制上部取向膜154a和154b的移动。相应地，能够改善AC图像残留，使得能够最小化或减小在具有黑色画面的显示过程中的光泄漏。上部取向膜154a和154b由包括光学可降解材料的材料形成，下部取向膜152a和152b由不具有光学可降解材料的材料形成。因而，在光照射过程中在下部取向膜152a和152b中不发生光学降解反应，使得第一取向膜150a和第二取向膜150b分子量不会降低。在此，AC图像残留是指当通过施加交流(AC)电压驱动显示装置时，当电压关断时液晶层未返回至其初始取向状态的现象。
因此，第一取向膜150a和第二取向膜150b具有在例如10,000到15,000范围内的分子量。在此，分子量可指重量平均(weight-average)分子量。重量平均分子量可以是聚合物材料的平均分子量。
上部取向膜154a和154b由包括光学可降解材料的材料形成，下部取向膜152a和152b由不具有光学可降解材料的材料形成。因此，不具有光学可降解材料，例如环丁烷的下部取向膜152a和152b具有比上部取向膜154a和154b低的体电阻。例如，上部取向膜154a和154b具有大约1.0×1015Ω·cm或更大的体电阻，下部取向膜152a和152b的下表面具有大约1.0×1013～14Ω·cm的体电阻。具有比上部取向膜154a和154b低的体电阻的下部取向膜152a和152b可释放累积在第一取向膜150a和第二取向膜150b上的电荷和/或最小化或减小从外部提供的电荷在第一取向膜150a和第二取向膜150b上的累积。因此，因为下部取向膜152a和152b能够快速释放累积的电荷，所以能够最小化或减少显示装置100的DC图像残留。
当采用变量驱动模式时，上部取向膜154a和154b以及下部取向膜152a和152b可具有相同的体电阻。因而，上部取向膜154a和154b给予各向异性，从而提高取向力，下部取向膜152a和152b使DC放电特性在任何频率处都是均匀的。因此，能够改善图像残留或闪烁。此外，上部取向膜154a和154b以及下部取向膜152a和152b可具有例如大约1.0×1013Ω·cm到大约1.0×1015Ω·cm的体电阻。
下文中，将解释变量驱动模式。
显示装置100包括多条栅极线和多条数据线。显示装置100可包括位于多条栅极线和/或多条数据线之间的交叉部分处的多个像素。显示装置100的驱动电路将输入图像的数据写入到像素。驱动电路包括在时序控制器的控制下进行驱动的栅极驱动器和数据驱动器。栅极驱动器通过连接至栅极驱动器的多条栅极线给多个像素的每一个提供栅极电压。栅极驱动器可实现为安装在显示装置100的一侧上的GIP(面板内栅极驱动IC)电路。此外，数据驱动器给连接至多条数据线的多个像素的每一个提供数据电压。
时序控制器从系统板接收输入图像的数字视频数据以及与数字视频数据同步的时序信号。时序信号可包括垂直同步信号(Vsync)、水平同步信号(Hsync)、时钟信号(DCLK)和数据使能信号(DE)。
此外，时序控制器包括变量驱动控制器，变量驱动控制器配置成调整用于显示装置的驱动电路的驱动频率。变量驱动控制器可包括在栅极驱动器中。就是说，变量驱动控制器区分静止图像和运动图像并且输出对应于静止图像或运动图像的频率。
变量驱动模式可称为VRR(可变刷新率)或LRR(低刷新率)驱动模式。因为显示装置以从30Hz到60Hz或者从60Hz到30Hz的频率进行驱动，所以变量驱动模式可称为双变量驱动模式。就是说，可以以30Hz实现静止图像，并且可以以60Hz实现运动图像。亦或，可以以60Hz实现静止图像，并且可以以30Hz实现运动图像。
在变量驱动模式中，显示装置以从24Hz到120Hz，例如24Hz、30Hz、48Hz、60Hz、80Hz和120Hz的频率进行驱动。因此，变量驱动模式可称为随机变量驱动模式。就是说，能够在上述频率范围中实现静止图像和运动图像。例如，可以以24Hz实现静止图像，并且可以以30Hz、48Hz、60Hz、80Hz和120Hz中的一个或多个频率实现运动图像。然而，用于变量驱动模式的频率可进行变化，可不限于此。
可执行变量驱动模式，使得能够以至少两个频率从时序控制器给像素电极140或公共电极120施加电压。因此，当在变量驱动模式中实现静止图像时能够降低频率。因而，能够降低功耗。当实现运动图像时能够增加频率。因而，能够提高触摸中的响应速度。
包括上部取向膜154a和154b以及下部取向膜152a和152b的第一取向膜150a和第二取向膜150b可由包括具有不同平均分子量(重量平均分子量)的第一前驱体(precursor)和第二前驱体的前驱体混合物形成。第一前驱体与第二前驱体之间的分子量的不同可有助于第一取向膜150a和第二取向膜150b的上部取向膜154a和154b以及下部取向膜152a和152b的形成。因为应用前驱体混合物，所以能够提供具有高重量平均分子量的聚酰亚胺。
前驱体混合物中的第一前驱体可由聚酰亚胺形成。聚酰亚胺的亚胺化反应可分为其中原封不动地加热聚酰胺酸溶液的热酰亚胺化反应、以及其中给聚酰胺酸溶液添加催化剂的化学亚胺化反应。在热酰亚胺化反应中，难以形成具有足够分子量的取向膜。在化学亚胺化反应中，在亚胺化反应的结束之后难以去除溶液。因此，在本发明的示例性实施方式中，可采用可溶性聚酰亚胺(其是预先被酰亚胺化的材料)作为前驱体混合物的第一前驱体。因而，可最小化或减小由热酰亚胺化导致的分子量的减小，并且还可解决由化学亚胺化导致的亚胺化反应之后难以去除溶液的问题。
通过给用于形成取向膜150a和150b的预先被酰亚胺化的前驱体混合物应用诸如聚酰亚胺之类的材料，可实现聚酰亚胺的溶解性。前驱体混合物中包括的聚酰亚胺可溶解在用于形成显示装置的取向膜150a和150b的溶剂中。例如，前驱体混合物中的聚酰亚胺可在NMP(N-甲基-2-吡咯烷酮)、BCS(丁基溶纤剂)以及混合有NMP和BCS的溶剂中具有较高溶解性。
因此，前驱体混合物中的第一前驱体可以是可溶性聚酰亚胺。可溶性聚酰亚胺可包括包含光学可降解材料的聚酰亚胺。包含光学可降解材料的聚酰亚胺的分子式可由化学式1表示。
[化学式1]
在化学式1中，n是自然数，X是对UV照射敏感的光学可降解材料，Y是具有两个或更多个环的芳烃基团。
光学可降解材料可以是具有如下所示结构的环丁烷。
在此，R1、R2、R3和R4的每一个表示氢原子、氟原子、氯原子、溴原子、苯基基团、具有1到6个碳原子的烷基基团、具有1到6个碳原子的烷氧基基团、乙烯基基团(-(CH2)mCH＝CH2，m＝0到2)、以及乙酰基基团(-(CH2)m-C＝CH，m＝0到2)之中的一个或多个。
芳烃基团可具有如下所示的结构。
在此，R6、R7、R8和R9的每一个表示氢原子、氟原子、氯原子、溴原子、苯基基团、具有1到6个碳原子的烷基基团、具有1到6个碳原子的烷氧基基团、乙烯基基团(-(CH2)mCH＝CH2，m＝0到2)、以及乙酰基基团(-(CH2)m-C＝CH，m＝0到2)之中的一个或多个。
化学式1中的聚酰亚胺在NMP(N-甲基-2-吡咯烷酮)、BCS(丁基溶纤剂)以及具有NMP和BCS的混合溶剂中具有较高溶解性。当Y包括具有一个环的芳烃基团时，聚酰亚胺可能不具有在前驱体混合物中使用的足够溶解性。因此，当Y包括具有两个或更多个环的芳烃基团时，能够增加聚酰亚胺之间的溶解性，使得聚酰亚胺在室温时能够以液体形式存在。
可溶性聚酰亚胺可进一步包括包含光学可降解材料的聚酰胺酸。因此，包括光学可降解材料的可溶性聚酰亚胺可以是包含光学可降解材料的聚酰亚胺和包含光学可降解材料的聚酰胺酸的组合物。
前驱体混合物中的第二前驱体可包括不具有光学可降解材料的聚酰胺酸和聚酰胺酸酯的至少之一，第二前驱体可由化学式2表示。
[化学式2]
在化学式2中，X是具有两个或更多个环的芳烃基团，Y是具有一个或多个环的芳烃基团。
芳烃基团可具有如下所示的结构。
在化学式2中，R6、R7、R8和R9的每一个表示具有氢原子、氟原子、氯原子、溴原子、苯基基团、具有1到6个碳原子的烷基基团、具有1到6个碳原子的烷氧基基团、乙烯基基团(-(CH2)mCH＝CH2，m＝0到2)、以及乙酰基基团(-(CH2)m-C＝CH，m＝0到2)的集合中的一个或多个。
因此，根据本发明的示例性实施方式，能够看出取向膜可具有高体电阻并且与取向膜相邻的保护膜可具有低体电阻，以便最小化或减少由累积在取向膜与保护膜之间的界面处的电荷导致的图像残留或闪烁。此外，能够看出可形成具有高体电阻的取向膜，并且当采用变量驱动模式时，与取向膜相邻的保护膜可具有低体电阻，以便最小化或减少图像残留或闪烁。就是说，为了降低作为与第一取向膜150a相邻的保护膜的第三保护膜130的体电阻，第三保护膜130可具有比氮含量高的硅含量。当第三保护膜130具有比氮含量高的硅含量时，第三保护膜130中的硅和氮的键合比率可以是1或更小。
下文中，将参照图3描述根据本发明示例性实施方式的显示装置的制造方法。
图3是用来解释根据本发明示例性实施方式的显示装置的制造方法的流程图。
将参照图1到图3描述显示装置的制造方法。首先，在第一基板111上形成薄膜晶体管(步骤S301)。薄膜晶体管包括栅极电极112、有源层114、源极电极116和漏极电极117。详细地说，在第一基板111上形成栅极电极112，并且在栅极电极112上形成栅极绝缘层113。在栅极绝缘层113上形成有源层114形成。源极电极116和漏极电极117电连接至有源层114。
然后，在薄膜晶体管上形成第一保护膜(步骤S302)。然后，在第一保护膜上形成公共电极120(步骤S303)。可在公共电极120上形成第二保护膜(步骤S304)。然后，在第二保护膜上形成像素电极140(步骤S305)。
在像素电极140上形成第一取向膜150a(步骤S306)。通过涂布前驱体混合物形成第一取向膜150a，前驱体混合物包括：不具有光学可降解材料的聚酰胺酸和聚酰胺酸酯的至少之一、以及包含光学可降解材料的可溶性聚酰亚胺。将描述可溶性聚酰亚胺和聚酰胺酸。首先，包含光学可降解材料的可溶性聚酰亚胺和不具有光学可降解材料的聚酰胺酸混合在单个层中。在预定时间段，例如大约100到150秒之后，不具有光学可降解材料的聚酰胺酸具有比可溶性聚酰亚胺高的重量平均分子量，因而沉落在可溶性聚酰亚胺下方。因而，形成包括多个层的前驱体结构。然后，执行加热包括多个层的前驱体结构的固化工艺，以引起亚胺化反应，用来形成包括多个层的取向膜。固化工艺可在200℃到250℃的温度下执行1800秒到2500秒。详细地说，固化工艺可在230℃的温度下执行2000秒，但不限于此。此外，在固化工艺之前可进一步执行干燥取向膜的工艺。干燥工艺可在150℃到180℃的温度下执行100秒到200秒。详细地说，干燥工艺可在160℃的温度下执行150秒，但不限于此。
然后，给第一取向膜150a照射光(步骤S307)。偏振UV光可具有大约200nm到大约300nm，优选230nm到250nm的波长。UV曝光能量可在200mJ到600mJ的范围内。
当照射光时，包括多个层的第一取向膜150a中的聚酰亚胺的主链被偏振UV光打开或裂解。排列在与偏振方向垂直的方向上的聚酰亚胺的主链保留下来，包括多个层的第一取向膜150a具有各向异性。在去除第一取向膜150a的降解产物的工艺过程中，聚酰亚胺的主链的裂解副产物(cleaved byproduct)被去除(步骤S308)。聚酰亚胺的主链的裂解副产物可以是抑制液晶层160中包括的液晶分子取向的杂质。例如，聚酰亚胺的主链的裂解副产物可以是马来酰亚胺(maleimide)。
去除第一取向膜150a的降解产物的工艺可包括至少两个工艺。在这两个工艺之中的第一降解产物去除工艺中，利用基于乳酸(lactate-based)的有机溶液从第一取向膜150a的表面去除具有相对较高分子量的裂解副产物以及具有中或低分子量的裂解副产物。可通过第一降解产物去除工艺去除由光学可降解材料，例如环丁烷产生的副产物。基于乳酸的有机溶液在去除具有高分子量(例如，超过10,000Da)的裂解副产物方面是有效的。因此，可使用基于乳酸的有机溶液执行第一降解产物去除工艺。
更详细地说，基于乳酸的有机溶液暂时使第一取向膜150a的表面膨胀并增加第一取向膜150a的粗糙度。第一取向膜150a中的聚酰亚胺不被基于乳酸的有机溶液溶解，而是通过插入聚酰亚胺的链之间的基于乳酸的有机溶液仅膨胀。因而，能够很容易去除第一取向膜150a的表面上的具有高分子量的副产物。
在此，基于乳酸的有机溶液可包括乳酸甲酯、乳酸乙酯、n-乳酸丙酯或n-乳酸丁酯的至少之一。此外，基于乳酸的有机溶液可与去离子水(DI)混合。作为基于乳酸的有机溶液之一的乳酸乙酯具有比乳酸甲酯低的挥发性以及比n-乳酸丙酯或n-乳酸丁酯低的分子量。
在第一杂质去除工艺之后，执行固化工艺，固化工艺是上述至少两个工艺之中的第二降解产物去除工艺。在作为固化工艺的第二杂质去除工艺中，大部分具有低分子量且残留在第一取向膜150a上的裂解产物被蒸发。此外，由光学可降解材料，例如环丁烷产生的降解副产物被从第一取向膜150a去除。此外，通过作为固化工艺的热处理重新组织第一取向膜150a的表面。固化工艺可在200℃到250℃的温度下执行1000秒到4000秒。详细地说，固化工艺可在230℃的温度下执行1200秒，但不限于此。
因此，通过作为使用基于乳酸的有机溶液的第一杂质去除工艺的固化工艺以及作为第二杂质去除工艺的固化工艺，能够从第一取向膜150a去除光学可降解材料、具有低分子量的裂解副产物、以及具有高分子量的裂解副产物。
可通过作为第一杂质去除工艺的固化工艺以及作为第二杂质去除工艺的固化工艺，或者仅通过固化工艺，去除光照射期间的取向膜的降解产物。在这种情形中，可增加固化工艺所需的时间。就是说，固化工艺可在230℃的温度下执行3600秒。因此，可通过清洗取向膜的工艺和固化取向膜的工艺中的至少一个去除取向膜的杂质。
然后，可在第二基板190上形成滤色器180。可在第二基板190上形成黑矩阵185并且可在第二基板190上形成滤色器180。可在第二取向膜150b与滤色器180之间形成涂覆层170。可通过与第一取向膜150a相同的工艺形成第二取向膜150b。将省略其详细解释。
然后，在第一基板111与面对第一基板111的第二基板190之间形成液晶层160(步骤S309)。液晶层160形成为具有负介电各向异性的液晶层，使得能够提高透射率。
本发明的示例性实施方式还能够描述如下：
根据本发明一示例性实施方式，一种显示装置包括：位于基板上的薄膜晶体管；位于所述薄膜晶体管上的保护膜；和位于所述保护膜上的取向膜。所述保护膜包括一个或多个保护膜，并且所述一个或多个保护膜之中的与所述取向膜相邻的保护膜具有比氮含量高的硅含量。
根据本发明的一个或多个实施方式，与所述取向膜相邻的保护膜中的硅和氮的键合比率可为1或更小。
根据本发明的一个或多个实施方式，与所述取向膜相邻的保护膜可具有比所述取向膜的体电阻低的体电阻。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述取向膜可包括：包含光学可降解材料的上部取向膜、以及不具有光学可降解材料的下部取向膜。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述上部取向膜可包括可溶性聚酰亚胺，并且所述下部取向膜可包括聚酰胺酸和聚酰胺酸酯的至少之一。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述显示装置可进一步包括：面对所述基板的第二基板；和位于所述基板与所述第二基板之间的液晶层。所述上部取向膜可比所述下部取向膜更邻近于所述液晶层。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述取向膜可包括上部取向膜和下部取向膜，所述上部取向膜和所述下部取向膜中的至少一个可具有1.0×1015Ω·cm或更小的体电阻。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述显示装置可进一步包括：位于所述保护膜下方的公共电极；位于所述保护膜上方的像素电极；面对所述基板的第二基板；和设置在所述基板与所述第二基板之间且具有负介电各向异性的液晶层。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述像素电极或所述公共电极可配置成以至少两个频率被提供电压。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层由非晶硅形成。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述上部取向膜具有比所述下部取向膜的分子量低的分子量。
根据本发明另一示例性实施方式，一种显示装置包括：位于第一基板和第二基板中的至少一个上的像素电极和公共电极；分别位于所述第一基板和所述第二基板上的第一取向膜和第二取向膜；位于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层，所述液晶层具有负介电各向异性；和与所述液晶层相邻的保护膜，所述保护膜具有比所述第一取向膜的体电阻低的体电阻。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述保护膜可具有1.0×1013Ω·cm或更小的体电阻，并且所述第一取向膜可具有1.0×1015Ω·cm或更小的体电阻。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述保护膜可由硅氮化物形成并且可具有比氮含量高的硅含量。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述保护膜可由硅氮化物形成并且所述保护膜中的硅和氮的键合比率可为1或更小。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述第一取向膜和所述第二取向膜中的至少一个可包括：包含光学可降解材料的上部取向膜、以及不具有光学可降解材料的下部取向膜。所述上部取向膜可比所述下部取向膜更邻近于所述液晶层。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述上部取向膜可包括可溶性聚酰亚胺，并且所述下部取向膜可包括聚酰胺酸和聚酰胺酸酯的至少之一。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述像素电极或所述公共电极可配置成以至少两个频率被提供电压。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述第一取向膜和所述第二取向膜分别由包括具有不同平均分子量的第一前驱体和第二前驱体的前驱体混合物形成。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述第一前驱体包括可溶性聚酰亚胺，所述第二前驱体包括不具有光学可降解材料的聚酰胺酸和聚酰胺酸酯的至少之一。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述上部取向膜具有比所述下部取向膜的分子量低的分子量。
根据本发明另一示例性实施方式，一种显示装置的制造方法包括：在第一基板上形成薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上形成保护膜；在所述保护膜上形成取向膜；给所述取向膜照射光；去除所述取向膜的杂质或降解产物；和在所述第一基板与面对所述第一基板的第二基板之间形成液晶层。与所述液晶层相邻的所述保护膜形成为具有比所述取向膜的体电阻低的体电阻。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述保护膜可具有1.0×1013Ω·cm或更小的体电阻，并且所述取向膜可具有1.0×1015Ω·cm或更小的体电阻。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述保护膜可由硅氮化物形成并且可具有比氮含量高的硅含量。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述保护膜可由硅氮化物形成并且所述保护膜中的硅和氮的键合比率可为1或更小。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述取向膜可包括：包含光学可降解材料的上部取向膜、以及不具有光学可降解材料的下部取向膜。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述上部取向膜可包括可溶性聚酰亚胺，并且所述下部取向膜可包括聚酰胺酸和聚酰胺酸酯的至少之一。
根据本发明的一个或多个实施方式，去除所述取向膜的降解产物可包括清洗所述取向膜和固化所述取向膜的至少之一。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述方法可进一步包括：在所述保护膜上形成所述取向膜之前在所述薄膜晶体管上形成像素电极和公共电极。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述像素电极或所述公共电极可配置成以至少两个频率被提供电压。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层由非晶硅形成。
根据本发明的一个或多个实施方式，所述上部取向膜具有比所述下部取向膜的分子量低的分子量。
在不背离本发明的技术构思或范围的情况下，能够在本发明的显示装置中进行各种修改和变化，这对于所属领域技术人员来说将是显而易见的。因而，本发明旨在覆盖落入所附权利要求书范围及其等同范围内的对本发明的修改和变化。

Claims (32)

1.一种显示装置，包括：
位于基板上的薄膜晶体管；
位于所述薄膜晶体管上的保护膜；和
位于所述保护膜上的取向膜，
其中所述保护膜包括至少一个保护膜，并且所述至少一个保护膜之中的与所述取向膜相邻的保护膜具有比氮含量高的硅含量。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中与所述取向膜相邻的保护膜中的硅和氮的键合比率为1或更小。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中与所述取向膜相邻的保护膜具有比所述取向膜的体电阻低的体电阻。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述取向膜包括：包含光学可降解材料的上部取向膜、以及不具有光学可降解材料的下部取向膜。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述上部取向膜包括可溶性聚酰亚胺，并且所述下部取向膜包括聚酰胺酸和聚酰胺酸酯的至少之一。
6.根据权利要求4所述的显示装置，还包括：
面对所述基板的第二基板；和
位于所述基板与所述第二基板之间的液晶层，
其中所述上部取向膜比所述下部取向膜更邻近于所述液晶层。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述取向膜包括上部取向膜和下部取向膜，所述上部取向膜和所述下部取向膜中的至少一个具有1.0×1015Ω·cm或更小的体电阻。
8.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
位于所述保护膜下方的公共电极；
位于所述保护膜上方的像素电极；
面对所述基板的第二基板；和
设置在所述基板与所述第二基板之间的液晶层，所述液晶层具有负介电各向异性。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述像素电极或所述公共电极配置成以至少两个频率被提供电压。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层由非晶硅形成。
11.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述上部取向膜具有比所述下部取向膜的分子量低的分子量。
12.一种显示装置，包括：
位于第一基板和第二基板中的至少一个上的像素电极和公共电极；
分别位于所述第一基板和所述第二基板上的第一取向膜和第二取向膜；
位于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层，所述液晶层具有负介电各向异性；和
与所述液晶层相邻的保护膜，所述保护膜具有比所述第一取向膜的体电阻低的体电阻。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述保护膜的体电阻为1.0×1013Ω·cm或更小，并且所述第一取向膜的体电阻为1.0×1015Ω·cm或更小。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述保护膜由硅氮化物形成并且具有比氮含量高的硅含量。
15.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述保护膜由硅氮化物形成并且所述保护膜中的硅和氮的键合比率为1或更小。
16.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述第一取向膜和所述第二取向膜中的至少一个包括：包含光学可降解材料的上部取向膜、以及不具有光学可降解材料的下部取向膜，所述上部取向膜比所述下部取向膜更邻近于所述液晶层。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中所述上部取向膜包括可溶性聚酰亚胺，并且所述下部取向膜包括聚酰胺酸和聚酰胺酸酯的至少之一。
18.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述像素电极或所述公共电极配置成以至少两个频率被提供电压。
19.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述第一取向膜和所述第二取向膜分别由包括具有不同平均分子量的第一前驱体和第二前驱体的前驱体混合物形成。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中所述第一前驱体包括可溶性聚酰亚胺，所述第二前驱体包括不具有光学可降解材料的聚酰胺酸和聚酰胺酸酯的至少之一。
21.根据权利要求16所述的显示装置，其中所述上部取向膜具有比所述下部取向膜的分子量低的分子量。
22.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
在第一基板上形成薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管上形成保护膜；
在所述保护膜上形成取向膜；
向所述取向膜照射光；
去除所述取向膜的杂质或降解产物；和
在所述第一基板与面对所述第一基板的第二基板之间形成液晶层，
其中与所述液晶层相邻的保护膜具有比所述取向膜的体电阻低的体电阻。
23.根据权利要求22所述的制造显示装置的方法，其中所述保护膜具有1.0×1013Ω·cm或更小的体电阻，并且所述取向膜具有1.0×1015Ω·cm或更小的体电阻。
24.根据权利要求22所述的制造显示装置的方法，其中所述保护膜由硅氮化物形成并且具有比氮含量高的硅含量。
25.根据权利要求22所述的制造显示装置的方法，其中所述保护膜由硅氮化物形成并且所述保护膜中的硅和氮的键合比率为1或更小。
26.根据权利要求22所述的制造显示装置的方法，其中所述取向膜包括：包含光学可降解材料的上部取向膜、以及不具有光学可降解材料的下部取向膜。
27.根据权利要求26所述的制造显示装置的方法，其中所述上部取向膜包括可溶性聚酰亚胺，并且所述下部取向膜包括聚酰胺酸和聚酰胺酸酯的至少之一。
28.根据权利要求22所述的制造显示装置的方法，其中去除所述取向膜的降解产物包括清洗所述取向膜和固化所述取向膜的至少之一。
29.根据权利要求22所述的制造显示装置的方法，还包括：
在所述保护膜上形成所述取向膜之前，在所述薄膜晶体管上形成像素电极和公共电极。
30.根据权利要求29所述的制造显示装置的方法，其中所述像素电极或所述公共电极配置成以至少两个频率被提供电压。
31.根据权利要求22所述的制造显示装置的方法，其中所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层由非晶硅形成。
32.根据权利要求26所述的制造显示装置的方法，其中所述上部取向膜具有比所述下部取向膜的分子量低的分子量。
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