CN103003743A - 有源矩阵基板及其制造方法和液晶显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明的有源矩阵基板（30a）包括：呈矩阵状设置的多个像素；按各像素分别设置的多个开关元件（5a）；设置在各开关元件（5a）上的第一保护绝缘膜（20a）；设置在第一保护绝缘膜（20a）上的透明导电层（21b）；设置在透明导电层（21b）上的第二保护绝缘膜（22a）；和在第二保护绝缘膜（22a）上呈矩阵状设置、分别与各开关元件（5a）连接的多个像素电极（23a），在第二保护绝缘膜（22a），沿各像素电极（23a）的周围形成有槽（G），使得第一保护绝缘膜（20a）露出，透明导电层（21b）沿第二保护绝缘膜（22a）的槽（G）以在从槽（G）的侧壁（W）凹进的状态下从槽（G）的侧壁（W）露出的方式设置。

Description

有源矩阵基板及其制造方法和液晶显示面板
技术领域
本发明涉及有源矩阵基板及其制造方法和液晶显示面板，特别涉及抑制设置于有源矩阵基板的多个像素电极之间的短路的技术。
背景技术
有源矩阵驱动方式的液晶显示面板包括：按作为图像的最小单位的各像素例如设置有薄膜晶体管（Thin Film Transistor，薄膜晶体管，以下也称为“TFT”）等开关元件的有源矩阵基板；以与有源矩阵基板相对的方式配置的对置基板；和被封入两基板之间的液晶层。
在有源矩阵基板，由于多个像素电极呈矩阵状以窄间隔设置，所以当在对成为各像素电极的透明导电膜进行成膜的工序和在使用光刻法对该透明导电膜进行图案形成的工序中产生颗粒，并且这些颗粒附着在基板上时，存在相邻的各像素电极彼此短路的可能性。
例如专利文献1中公开了一种TFT矩阵的制造方法，该制造方法具有：在形成有多个TFT的基板上形成保护绝缘膜的工序；在成为相邻的像素电极间的分离区域的区域的保护绝缘膜形成槽，同时在TFT的源极电极之上的保护绝缘膜形成开口的工序；在整个面形成透明导电膜的工序；和有选择地对透明导电膜进行蚀刻，通过槽按每个像素区域进行分离，并且形成经由开口与TFT的源极电极连接的像素电极的工序。并且，在专利文献1中记载如下：根据该TFT矩阵的制造方法，在成为相邻的像素电极间的分离区域的区域的保护绝缘膜形成槽之后，在整个面形成有透明导电膜，因此槽的侧壁的透明导电膜的膜厚比平坦面的膜厚薄，在利用蚀刻将平坦面的透明导电膜除去时，槽的侧壁的透明导电膜被可靠地除去，此外，即使在异物堵塞槽的情况下，通过湿蚀刻，蚀刻液经由与异物下面连接的槽流通，也能够将异物下的透明电极除去，由此，能够按每个像素区域完全分离像素电极。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平8-106107号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而，根据专利文献1公开的制造方法，即使假设形成于保护绝缘膜的槽的截面形状为倒锥形，根据形成透明导电膜的条件（例如0.2Pa左右的低压力），在该槽的侧壁也容易形成透明导电膜，在利用蚀刻无法完全除去槽内的透明导电膜的情况下，存在相邻的各像素电极间发生短路的可能性，因此有改善的余地。
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供可靠地抑制相邻的各像素电极间的短路的技术。
用于解决课题的手段
为了实现上述目的，本发明设计如下：在各开关元件的上层的第一保护绝缘膜与各像素电极的下层的第二保护绝缘膜的层间配置的透明导电层，沿第二保护绝缘膜的槽以在从槽的侧壁凹进的状态下从槽的侧壁露出的方式设置。
具体而言，本发明涉及的有源矩阵基板，其特征在于，包括：呈矩阵状设置的多个像素；按上述多个像素中的各像素分别设置的多个开关元件；设置在上述多个开关元件中的各开关元件上的第一保护绝缘膜；设置在上述第一保护绝缘膜上的透明导电层；设置在上述透明导电层上的第二保护绝缘膜；和在上述第二保护绝缘膜上呈矩阵状设置、且与上述各开关元件分别连接的多个像素电极，在上述第二保护绝缘膜，沿上述各像素电极的周围形成有槽，使得上述第一保护绝缘膜露出，上述透明导电层沿上述第二保护绝缘膜的槽以在从该槽的侧壁凹进的状态下从该槽的侧壁露出的方式设置。
根据上述的结构，在各像素电极的下层的第二保护绝缘膜，沿各像素电极的周围形成有槽，使得第一保护绝缘膜露出，在各开关元件的上层的第一保护绝缘膜与第二保护绝缘膜的层间，沿第二保护绝缘膜的槽以在从该槽的侧壁凹进的状态下从槽的侧壁露出的方式设置有透明导电层，即透明导电层上的第二保护绝缘膜相对于透明导电层设置成遮檐状，因此，即使假设用于形成各像素电极的透明导电膜残留于第二保护绝缘膜的槽内，也能够在该槽内的透明导电膜中，沿第二保护绝缘膜的槽，产生起因于由透明导电层形成的空间的切断。由此，在第二保护绝缘膜上相互相邻的各像素电极彼此难以经由第二保护绝缘膜的槽内的透明导电膜导通，所以能够可靠地抑制相邻的各像素电极间的短路。
上述透明导电层隔着上述第二保护绝缘膜与上述各像素电极重叠，由此构成辅助电容。
根据上述的结构，通过遍及全部像素地一体设置的透明导电层隔着第二保护绝缘膜与各像素电极重叠来构成辅助电容，因此在按各像素设置有辅助电容的有源矩阵基板中，本发明的作用效果具体地被发挥。
上述透明导电层按上述各像素独立地设置，且隔着上述第二保护绝缘膜与上述各像素电极重叠，由此构成辅助电容。
根据上述的结构，通过按各像素独立地设置的各透明导电层隔着第二保护绝缘膜与各像素电极重叠来构成辅助电容，因此在按各像素设置有辅助电容的有源矩阵基板中，本发明的作用效果具体地被发挥。
上述透明导电层按上述各像素呈框状设置，在上述第一保护绝缘膜与上述第二保护绝缘膜的层间，在上述各透明导电层的框内分别设置有透明电极，上述透明电极隔着上述第二保护绝缘膜与上述各像素电极重叠，由此构成辅助电容。
根据上述的结构，透明导电层按各像素呈框状设置，在第一保护绝缘膜与第二保护绝缘膜的层间，在各透明导电层的框内设置的各透明电极隔着第二保护绝缘膜与各像素电极重叠，由此构成辅助电容，因此在按各像素设置有辅助电容的有源矩阵基板中，本发明的作用效果具体地被发挥。
上述透明导电层也可以形成得比上述各像素电极厚。
根据上述的结构，通过使透明导电层形成得比各像素电极厚，使得由透明导电层形成的空间变高，因此在第二保护绝缘膜的槽内的透明导电膜，能够沿该槽更可靠地产生切断，还能够例如使透明导电膜的蚀刻所使用的蚀刻剂容易进入第二保护绝缘膜的槽的底部。
此外，本发明涉及的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于：上述有源矩阵基板包括：呈矩阵状设置的多个像素；按上述多个像素中的各像素分别设置的多个开关元件；设置在上述多个开关元件中的各开关元件上的第一保护绝缘膜；设置在上述第一保护绝缘膜上的透明导电层；设置在上述透明导电层上的第二保护绝缘膜；和在上述第二保护绝缘膜上呈矩阵状设置、且与上述各开关元件分别连接的多个像素电极，上述有源矩阵基板的制造方法包括：在基板上形成上述各开关元件的开关元件形成工序；在上述形成的各开关元件上形成上述第一保护绝缘膜的第一保护绝缘膜形成工序；透明导电形成层形成工序，在以覆盖上述形成的第一保护绝缘膜的方式形成第一透明导电膜之后，对该第一透明导电膜进行图案形成，由此形成成为上述透明导电层的透明导电形成层；第二保护绝缘膜形成工序，在以覆盖上述透明导电形成层的方式形成绝缘膜之后，沿该绝缘膜中的上述多个像素电极中的各像素电极所配置的区域的周围形成槽，由此形成上述第二保护绝缘膜，使得上述透明导电形成层的一部分露出；透明导电层形成工序，对从上述形成的第二保护绝缘膜露出的上述透明导电形成层进行蚀刻，使该透明导电形成层从上述第二保护绝缘膜的槽的侧壁后退，由此形成上述透明导电层；和像素电极形成工序，在上述形成的透明导电层上的上述第二保护绝缘膜上形成第二透明导电膜，之后，对该第二透明导电膜进行图案形成，由此形成上述各像素电极。
根据上述的方法，在第一保护绝缘膜形成工序中，在通过开关元件形成工序形成在基板上的各开关元件上，形成第一保护绝缘膜，在透明导电形成层形成工序中，在以覆盖该第一保护绝缘膜的方式形成第一透明导电膜之后，对该第一透明导电膜进行图案形成，由此形成透明导电形成层，在第二保护绝缘膜形成工序中，在以覆盖该透明导电形成层的方式形成绝缘膜之后，沿该绝缘膜中的各像素电极所配置的区域的周围形成槽，由此形成第二保护绝缘膜，使得透明导电形成层的一部分露出，在透明导电层形成工序中，通过对从该第二保护绝缘膜露出的透明导电形成层进行蚀刻，使该透明导电形成层从第二保护绝缘膜的槽的侧壁后退，由此形成透明导电层，在像素电极形成工序中，在该透明导电层上的第二保护绝缘膜上形成该第二透明导电膜，之后，对该第二透明导电膜进行图案形成，由此形成各像素电极，因此在第二保护绝缘膜形成工序中形成的第二保护绝缘膜，相对于在透明导电层形成工序中形成的透明导电层配置成遮檐状。因此，在像素电极形成工序中，即使假设第二透明导电膜残留于第二保护绝缘膜的槽内，也能够在该槽内的第二透明导电膜中，沿第二保护绝缘膜的槽，产生起因于由透明导电层形成的空间的切断。由此，在第二保护绝缘膜上相互相邻的各像素电极彼此难以经由第二保护绝缘膜的槽内的第二透明导电膜导通，所以能够可靠地抑制相邻的各像素电极间的短路。
此外，本发明涉及的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于：上述有源矩阵基板包括：呈矩阵状设置的多个像素；按上述多个像素中的各像素分别设置的多个开关元件；设置在上述多个开关元件中的各开关元件上的第一保护绝缘膜；设置在上述第一保护绝缘膜上的透明导电层；设置在上述透明导电层上的第二保护绝缘膜；和在上述第二保护绝缘膜上呈矩阵状设置、且与上述各开关元件分别连接的多个像素电极，上述有源矩阵基板的制造方法包括：在基板上形成上述各开关元件的开关元件形成工序；在上述形成的各开关元件上形成上述第一保护绝缘膜的第一保护绝缘膜形成工序；透明导电形成层形成工序，在以覆盖上述形成的第一保护绝缘膜的方式形成第一透明导电膜之后，对该第一透明导电膜进行图案形成，由此形成成为上述透明导电层的透明导电形成层；第二保护绝缘膜形成工序，在以覆盖上述透明导电形成层的方式形成绝缘膜之后，沿该绝缘膜中的上述多个像素电极中的各像素电极所配置的区域的周围形成槽，由此形成上述第二保护绝缘膜，使得上述透明导电形成层的一部分露出；和像素电极形成工序，在上述形成的第二保护绝缘膜上形成第二透明导电膜，之后，对在对该第二透明导电膜进行图案形成时从该第二保护绝缘膜露出的上述透明导电形成层进行蚀刻，使该透明导电形成层从上述第二保护绝缘膜的槽的侧壁后退，由此形成上述各像素电极和透明导电层。
根据上述的方法，在第一保护绝缘膜形成工序中，在通过开关元件形成工序形成在基板上的各开关元件上，形成第一保护绝缘膜，在透明导电形成层形成工序中，在以覆盖该第一保护绝缘膜的方式形成第一透明导电膜之后，对该第一透明导电膜进行图案形成，由此形成透明导电形成层，在第二保护绝缘膜形成工序中，在以覆盖该透明导电形成层的方式形成绝缘膜之后，沿该绝缘膜中各像素电极所配置的区域的周围形成槽，由此形成第二保护绝缘膜，使得透明导电形成层的一部分露出，在像素电极形成工序中，在该第二保护绝缘膜上形成该第二透明导电膜，之后，对在对该第二透明导电膜进行图案形成时从第二保护绝缘膜露出的透明导电形成层进行蚀刻，使该透明导电形成层从第二保护绝缘膜的槽的侧壁后退，由此形成各像素电极和透明导电层，因此在第二保护绝缘膜形成工序中形成的第二保护绝缘膜，相对于在像素电极形成工序中形成的透明导电层配置成遮檐状。这里，在像素电极形成工序中，对第二透明导电膜进行蚀刻，并且对从第二保护绝缘膜露出的透明导电形成层进行蚀刻，使透明导电形成层从第二保护绝缘膜的槽的侧壁后退，由此例如使蚀刻所使用的蚀刻剂容易进入第二保护绝缘膜的槽内，因此第二透明导电膜难以残留于第二保护绝缘膜的槽内。由此，在第二保护绝缘膜上相互相邻的各像素电极彼此难以经由第二保护绝缘膜的槽内的第二透明导电膜导通，因此能够可靠地抑制相邻的各像素电极间的短路。
在上述像素电极形成工序中，也可以将上述第二保护绝缘膜的槽内的上述第二透明导电膜除去。
根据上述的方法，即使假设第二保护绝缘膜的槽内的第二透明导电膜的切断不充分，在像素电极形成工序中也能够将第二保护绝缘膜的槽内的第二透明导电膜除去，因此能够更可靠地抑制相邻的各像素电极间的短路。
上述第一透明导电膜也可以比上述第二透明导电膜厚。
根据上述的方法，通过使得用于形成透明导电层的第一透明导电膜比第二透明导电膜厚，由透明导电层形成的空间变高，因此在第二保护绝缘膜的槽内的第二透明导电膜中，能够沿该槽更可靠地产生切断，还能够例如使第二透明导电膜的蚀刻所使用的蚀刻剂容易进入第二保护绝缘膜的槽的底部。
上述第一透明导电膜和第二透明导电膜也可以包含氧化铟与氧化锡的化合物，上述透明导电形成层和第二透明导电膜具有结晶性。
根据上述的方法，第一透明导电膜和第二透明导电膜包含氧化铟与氧化锡的化合物即ITO（Indium Tin Oxide，铟锡氧化物），透明导电形成层和第二透明导电膜具有结晶性，因此在像素电极工序中，能够使用相同的蚀刻剂进行透明导电形成层的蚀刻和第二透明导电膜的蚀刻（图案形成），能够缩短制造工序。
上述第一透明导电膜和第二透明导电膜也可以包含氧化铟与氧化锌的化合物。
根据上述的方法，第一透明导电膜和第二透明导电膜包含氧化铟与氧化锌的化合物即IZO（Indium Zinc Oxide，铟锌氧化物），因此在像素电极工序中，能够使用相同的蚀刻剂进行透明导电形成层的蚀刻和第二透明导电膜的蚀刻（图案形成），能够缩短制造工序。
此外，本发明涉及的液晶显示面板，其特征在于，包括：以相互相对的方式设置的有源矩阵基板和对置基板；和在上述有源矩阵基板和对置基板之间设置的液晶层，上述有源矩阵基板包括：呈矩阵状设置的多个像素；按上述多个像素中的各像素分别设置的多个开关元件；设置在上述多个开关元件中的各开关元件上的第一保护绝缘膜；设置在上述第一保护绝缘膜上的透明导电层；设置在上述透明导电层上的第二保护绝缘膜；和在上述第二保护绝缘膜上呈矩阵状设置、且与上述各开关元件分别连接的多个像素电极，在上述第二保护绝缘膜，沿上述各像素电极的周围形成有槽，使得上述第一保护绝缘膜露出，上述透明导电层沿上述第二保护绝缘膜的槽以在从该槽的侧壁凹进的状态下从该槽的侧壁露出的方式设置。
根据上述的结构，在有源矩阵基板，在各像素电极的下层的第二保护绝缘膜，沿各像素电极的周围形成有槽，使得第一保护绝缘膜露出，在各开关元件的上层的第一保护绝缘膜与第二保护绝缘膜的层间，沿第二保护绝缘膜的槽以在从槽的侧壁凹进的状态下从槽的侧壁露出的方式设置有透明导电层，即透明导电层上的第二保护绝缘膜相对于透明导电层设置成遮檐状，因此，即使假设用于形成各像素电极的透明导电膜残留于第二保护绝缘膜的槽内，也能够在该槽内的透明导电膜中，沿第二保护绝缘膜的槽，产生起因于由透明导电层形成的空间的切断。由此，在有源矩阵基板中，在第二保护绝缘膜上相互相邻的各像素电极彼此难以经由第二保护绝缘膜的槽内的透明导电膜导通，所以在具备有源绝缘基板的液晶显示面板中，能够可靠地抑制相邻的各像素电极间的短路。
发明效果
根据本发明，在各开关元件的上层的第一保护绝缘膜与各像素电极的下层的第二保护绝缘膜的层间配置的透明导电层，沿第二保护绝缘膜的槽以在从槽的侧壁凹进的状态下从槽的侧壁露出的方式设置，因此能够可靠地抑制相邻的各像素电极间的短路。
附图说明
图1是具备实施方式1的有源矩阵基板的液晶显示面板的截面图。
图2是实施方式1的有源矩阵基板的俯视图。
图3是将图2中的区域X放大的部分放大图。
图4是沿图2中的IV-IV线的有源矩阵基板的截面图。
图5是沿图2中的V-V线的有源矩阵基板的截面图。
图6是沿图2中的VI-VI线的有源矩阵基板的截面图。
图7是沿图2中的VII-VII线的有源矩阵基板的截面图。
图8是以截面表示实施方式1的有源矩阵基板的制造工序的第一说明图。
图9是以截面表示实施方式1的有源矩阵基板的制造工序的图8之后的第二说明图。
图10是以截面表示实施方式1的有源矩阵基板的制造工序的图9之后的第三说明图。
图11是以截面表示实施方式1的有源矩阵基板的制造工序的图10之后的第四说明图。
图12是以截面表示实施方式2的有源矩阵基板的制造工序的第一说明图。
图13是以截面表示实施方式2的有源矩阵基板的制造工序的图12之后的第二说明图。
图14是以截面表示实施方式2的有源矩阵基板的制造工序的图13之后的第三说明图。
图15是以截面表示实施方式3的有源矩阵基板的制造工序的说明图。
图16是实施方式4的有源矩阵基板的俯视图。
图17是沿图16中的XVII-XVII线的有源矩阵基板的截面图。
图18是沿图16中的XVIII-XVIII线的有源矩阵基板的截面图。
图19是实施方式5的有源矩阵基板的俯视图。
图20是沿图19中的XX-XX线的有源矩阵基板的截面图。
图21是沿图19中的XXI-XXI线的有源矩阵基板的截面图。
图22是沿图19中的XXII-XXII线的有源矩阵基板的截面图。
具体实施方式
以下，基于附图详细说明本发明的实施方式。此外，本发明并非由以下的各实施方式限定。
《发明的实施方式1》
图1～图11表示本发明的有源矩阵基板及其制造方法和液晶显示面板的实施方式1。具体而言，图1是具备本实施方式的有源矩阵基板30a的液晶显示面板50的截面图。此外，图2是有源矩阵基板30a的俯视图，图3是将图2中的区域X放大的部分放大图。并且，图4、图5、图6和图7分别是沿图2中的IV-IV线、V-V线、VI-VI线和VII-VII线的有源矩阵基板30a的截面图。
如图1所示，液晶显示面板50包括：以相互相对的方式设置的有源矩阵基板30a和对置基板40；设置于有源矩阵基板30a与对置基板40之间的液晶层45；和将有源矩阵基板30a与对置基板40相互粘接、并且为了在有源矩阵基板30a与对置基板40之间封入液晶层45而设置成框状的密封材46。此外，如图1所示，在液晶显示面板50中，在密封材46的内侧限定了进行图像显示的显示区域D，在从对置基板40露出的有源矩阵基板30a的表面限定了端子区域T。这里，在显示区域D中呈矩阵状配置有分别构成图像的最小单位的多个像素P（参照图2）。
如图2所示，有源矩阵基板30a包括：绝缘基板10；在绝缘基板10上以相互平行地延伸的方式设置的多个栅极线11a；分别在各栅极线11a之间设置、以相互平行地延伸的方式配置的多个电容线11b；以沿与各栅极线11a正交的方向相互平行地延伸的方式设置的多个源极线17a；按各栅极线11a与各源极线17a的每个交叉部分即按各像素P分别作为开关元件设置的多个TFT5a；设置在各TFT5a上的第一保护绝缘膜20a（参照图4～图7）；设置在第一保护绝缘膜20a上的第二保护绝缘膜22a；在第二保护绝缘膜22a上呈矩阵状设置的多个像素电极23a；和以覆盖各像素电极23a的方式设置的取向膜（未图示）。
如图2和图4所示，TFT5a包括：在绝缘基板10上设置的栅极电极11aa；以覆盖栅极电极11aa的方式设置的栅极绝缘膜12；在栅极绝缘膜12上设置、以与栅极电极11aa重叠的方式配置的半导体层13；和在半导体层13上设置、以相互分离的方式配置的源极电极17aa和漏极电极17b。
如图2所示，栅极电极11aa是较宽地形成各栅极线11a而得到的部分。这里，栅极线11a如图2和图7所示，被引出至端子区域T，在该端子区域T中，经由形成于栅极绝缘膜12和第一保护绝缘膜20a的接触孔20acc、形成于该接触孔20acc内的透明导电层21d和形成于第二保护绝缘膜22a的接触孔22acb，与栅极端子23b连接。
如图2所示，源极电极17aa是各源极线17a向侧边呈L形突出而得到的部分。这里，源极电极17aa和源极线17a如图4和图6所示，具有第一金属层14a、第二金属层15a和第三金属层16a依次叠层的叠层结构。此外，源极线17a如图2所示，被引出至端子区域T，在该端子区域T中，经由形成于第一保护绝缘膜20a和第二保护绝缘膜22a的接触孔（虚线部），与源极端子23c连接。
漏极电极17b如图2和图4所示，经由形成于第一保护绝缘膜20a的接触孔20aca、形成于该接触孔20aca内的透明导电层21c和形成于第二保护绝缘膜22a的接触孔22aca与像素电极23a连接。此外，漏极电极17b如图4所示，具有第一金属层14b、第二金属层15b和第三金属层16b依次叠层的叠层结构。
第一保护绝缘膜20a如图4～图7所示，具有下层保护绝缘膜18a和上层保护绝缘膜19a依次叠层的叠层结构。
在第二保护绝缘膜22a，如图2、图4和图6所示，沿各像素电极23a的周围设置有格子状的槽G，使得第一保护绝缘膜20a露出。
在第一保护绝缘膜20a与第二保护绝缘膜22a的层间，如图2所示，按各像素P设置有框状的透明导电层21b，在该框内，以与像素电极23a重叠的方式设置有透明电极21a，以及以与第一保护绝缘膜20a的接触孔20aca和第二保护绝缘膜22a的接触孔22aca重叠的方式设置有透明导电层21c。
透明导电层21b如图4和图6所示，以沿第二保护绝缘膜22a的槽G，在从槽G的侧壁W凹进的状态下从槽G的侧壁W露出的方式设置。这里，在相邻的各像素P中，如图3所示，透明导电层21b的间隔Ca（例如3.2μm～22.2μm）比第二保护绝缘膜22a的槽G的宽度Cb（例如3μm～22μm）宽0.2μm左右以上。
透明电极21a如图2、图4～图6所示，经由形成于栅极绝缘膜12和第一保护绝缘膜20a的接触孔20acb与电容线11b连接，并且隔着第二保护绝缘膜22a与各像素电极23a重叠，由此构成辅助电容6。
对置基板40例如包括：玻璃基板等绝缘基板（未图示）；在该绝缘基板上呈格子状设置的黑色矩阵（未图示）；在该黑色矩阵的各格子间分别设置有红色层、绿色层和蓝色层等的彩色滤光片（未图示）；以覆盖这些黑色矩阵和彩色滤光片的方式设置的共用电极（未图示）；和以覆盖该共用电极的方式设置的取向膜（未图示）。
液晶层45包含具有电光学特性的向列型液晶材料等。
在上述结构的液晶显示面板50，在各像素P中，当TFT5a根据来自栅极线11a的扫描信号成为导通状态时，根据来自源极线17a的显示信号，对像素电极23a写入规定电荷，由此在有源矩阵基板30a上的各像素电极23a与对置基板40上的共用电极之间产生电位差，对液晶层45即各像素P的液晶电容和与该液晶电容并联连接的辅助电容6施加规定的电压。而且，在液晶显示面板50，利用液晶层45的取向状态根据液晶层45的施加电压的大小而改变的事实，按各像素P调整在面板内透射的光的透射率，由此显示图像。
接着，使用图8～图11说明制造本实施方式的有源矩阵基板30a的方法。这里，图8～图11为分别与图4～图7的截面图中的有源矩阵基板30a的各部分对应、连续地以截面表示本实施方式的有源矩阵基板30a的制造工序的说明图。具体而言，在图8～图11各自的下边，区域Sw与图4的截面图对应，区域Cs与图5的截面图对应，区域Sb与图6的截面图对应，区域Tg与图7的截面图对应。此外，本实施方式的制造方法包括TFT（开关元件）形成工序、第一保护绝缘膜形成工序、透明导电形成层形成工序、第二保护绝缘膜形成工序、透明导电层形成工序和像素电极形成工序。
（TFT形成工序）
首先，在玻璃基板等绝缘基板10的整个基板，例如利用溅射法依次形成铝膜（厚度50nm～350nm左右）、钛膜（厚度50nm～200nm左右）和氮化钛膜（厚度5nm～20nm左右），在形成金属叠层膜之后，通过对该金属叠层膜进行光刻、湿蚀刻或干蚀刻以及抗蚀剂的剥离清洗，如图8（a）所示那样，形成栅极线11a、栅极电极11aa和电容线11b。
接着，在形成有栅极线11a、栅极电极11aa和电容线11b的整个基板，例如利用CVD（Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积）法，形成氧化硅膜或氮化硅膜等无机绝缘膜（厚度200nm～500nm左右），如图8（b）所示那样，形成栅极绝缘膜12。
进而，在形成有栅极绝缘膜12的整个基板，例如利用溅射法形成In-Ga-Zn-O类氧化物半导体膜（厚度20nm～200nm左右），之后，通过对该氧化物半导体膜进行光刻、湿蚀刻以及抗蚀剂的剥离清洗，如图8（c）所示那样，形成半导体层13。
接着，在形成有半导体层13的整个基板，例如利用溅射法依次形成成为第一金属层14a和14b的氮化钼膜（厚度20nm～100nm左右）、成为第二金属层15a和15b的铝膜（厚度50nm～350nm左右）、以及成为第三金属层16a和16b的氮化钼膜（厚度50nm～200nm左右），在形成金属叠层膜之后，通过对该金属叠层膜进行光刻、湿蚀刻或干蚀刻以及抗蚀剂的剥离清洗，如图9（a）所示那样，形成源极线17a、源极电极17aa和漏极电极17b，由此形成TFT5a。此外，在本实施方式中，作为构成金属叠层膜的上层和下层的高熔点金属膜，例示了氮化钼膜，但是该高熔点金属膜也可以是钛膜、钨膜或它们的合金模等。
（第一保护绝缘膜形成工序）
首先，在通过上述TFT形成工序形成有TFT5a的整个基板，如图9（b）所示那样，例如利用CVD法形成氧化硅膜或氮化硅膜等无机绝缘膜（厚度50nm～500nm左右）18。
接着，在形成有无机绝缘膜18的整个基板，例如利用旋涂法或狭缝涂布法涂布透明的感光性树脂膜（厚度1μm～4μm左右），之后，通过对该感光性树脂膜进行曝光、显影和烧制，如图9（c）所示那样，形成上层保护绝缘膜19a。
进而，通过对从上层保护绝缘膜19a露出的无机绝缘膜18，进行湿蚀刻或干蚀刻，如图10（a）所示那样，形成接触孔20aca、20acb和20acc，形成包含下层保护绝缘膜18a和上层保护绝缘膜19a的第一保护绝缘膜20a。
（透明导电形成层形成工序）
在通过上述第一保护绝缘膜形成工序形成有第一保护绝缘膜20a的整个基板，例如利用溅射法形成ITO膜等第一透明导电膜（厚度50nm～300nm左右）21，之后，通过对该第一透明导电膜21进行光刻、湿蚀刻或干蚀刻以及抗蚀剂的剥离清洗，如图10（b）所示那样，形成透明电极21a、透明导电形成层21ba、以及透明导电层21c和21d。
（第二保护绝缘膜形成工序）
在通过上述透明导电形成层形成工序形成有透明电极21a、透明导电形成层21ba、以及透明导电层21c和21d的整个基板，如图10（c）所示那样，例如利用CVD法形成氧化硅膜或氮化硅膜等无机绝缘膜（厚度50nm～500nm左右）22，之后，通过对该无机绝缘膜22进行光刻、湿蚀刻或干蚀刻以及抗蚀剂的剥离清洗，如图11（a）所示那样，形成接触孔22aca和22acb，并且沿形成有像素电极23a的区域的周围呈格子状地形成槽G，使得透明导电形成层21ba的一部分露出，由此形成第二保护绝缘膜22a。
（透明导电层形成工序）
在通过上述第二保护绝缘膜形成工序形成有第二保护绝缘膜22a的整个基板，例如利用旋涂法或狭缝涂布法涂布感光性树脂膜（厚度1μm～4μm左右），之后，通过对该感光性树脂膜进行曝光、显影和烧制来形成抗蚀剂R，并且通过对从该抗蚀剂R露出的透明导电形成层21ba进行湿蚀刻，使透明导电形成层21ba从第二保护绝缘膜22a的槽G的侧壁W后退，如图11（b）所示那样，形成透明导电层21b。
（像素电极形成工序）
在对上述透明导电层形成工序中使用的抗蚀剂R进行剥离清洗之后的整个基板，例如利用溅射法形成ITO膜等第二透明导电膜（厚度30nm～150nm左右）23，之后，对该第二透明导电膜23进行光刻、湿蚀刻以及抗蚀剂的剥离清洗，由此，如图11（c）所示那样，形成像素电极23a、栅极端子23b和源极端子23c（参照图2）。
如上所述，能够制造本实施方式的有源矩阵基板30a。
如以上说明那样，根据本实施方式的有源矩阵基板30a及其制造方法和液晶显示面板50，在第一保护绝缘膜形成工序中，在通过TFT形成工序中形成在绝缘基板10上的各TFT5a上，形成第一保护绝缘膜20a，在透明导电形成层形成工序中，以覆盖第一保护绝缘膜20a的方式形成第一透明导电膜21，之后，对第一透明导电膜21进行图案形成，由此形成透明导电形成层21ba，在第二保护绝缘膜形成工序中，以覆盖透明导电形成层21ba的方式形成无机绝缘膜22，之后，沿无机绝缘膜22中的各像素电极23a所配置的区域的周围形成槽G，使得透明导电形成层21ba的一部分露出，由此形成第二保护绝缘膜22a，在透明导电层形成工序中，通过对从第二保护绝缘膜22a露出的透明导电形成层21ba进行蚀刻，使透明导电形成层21ba从第二保护绝缘膜21的槽G的侧壁W后退，而形成透明导电层21b，在像素电极形成工序中，在透明导电层21b上的第二保护绝缘膜22a上形成第二透明导电膜23，之后，对第二透明导电膜23进行图案形成，由此形成各像素电极23a，因此在第二保护绝缘膜形成工序中形成的第二保护绝缘膜22a相对于在透明导电层形成工序中形成的透明导电层21b配置成遮檐状。因此，在像素电极形成工序中，即使假设第二透明导电膜23残留于第二保护绝缘膜22a的槽G内，也能够如图11（c）所示那样，在该槽G内的第二透明导电膜23中，沿第二保护绝缘膜22a的槽G，产生起因于由透明导电层21b所形成的空间的切断。由此，在有源矩阵基板30a，在第二保护绝缘膜22a上相互相邻的各像素电极23a彼此难以经由第二保护绝缘膜22a的槽G内的第二透明导电膜23导通，所以在有源绝缘基板30a和具备其的液晶显示面板50中，能够可靠地抑制相邻的各像素电极23a间的短路。
此外，根据本实施方式的有源矩阵基板30a及其制造方法，即使第二保护绝缘膜22a的槽G内的第二透明导电膜23的切断不充分，在像素电极形成工序中，也能够利用湿蚀刻将第二保护绝缘膜22a的槽G内的第二透明导电膜23除去，因此能够更可靠地抑制相邻的各像素电极23a间的短路。
此外，根据本实施方式的有源矩阵基板30a及其制造方法，通过使用于形成透明导电层21b的第一透明导电膜21比第二透明导电膜23厚，由透明导电层21b形成的空间变高，因此在第二保护绝缘膜22a的槽G内的第二透明导电膜23中，能够沿该槽G更可靠地产生切断，此外还能够使第二透明导电膜23的蚀刻所使用的蚀刻剂容易进入第二保护绝缘膜22a的槽G的底部。
此外，根据本实施方式的有源矩阵基板30a，由于半导体层13由氧化物半导体构成，所以能够实现具有高迁移率、高可靠性以及低关态电流等良好特性的TFT5a。
《发明的实施方式2》
图12～图14表示本发明的有源矩阵基板及其制造方法和液晶显示面板的实施方式2。具体而言，图12～图14是连续地以截面表示本实施方式的有源矩阵基板30b的制造工序的说明图。这里，与上述实施方式1同样，在图12～图14各自的下边，区域Sw与TFT部分的截面图对应，区域Cs与电容线部分的截面图对应，区域Sb与源极线部分的截面图对应，区域Tg与栅极端子部分的截面图对应。此外，在以下各实施方式中，对与图1～图11相同的部分标注相同的附图标记，并省略其详细说明。
在上述实施方式1中，例示了将用于形成漏极电极17b的第三金属层16b相对薄地形成来制造有源矩阵基板30a的方法，但是在本实施方式中，例示将用于形成漏极电极17d的第三金属层16da相对厚地形成来制造有源矩阵基板30b的方法。
本实施方式的液晶显示面板包括：以相互相对的方式设置的有源矩阵基板30b和对置基板（40）；在有源矩阵基板30b和对置基板（40）之间设置的液晶层（45）；和将有源矩阵基板30b与对置基板（40）相互粘接、并且为了在有源矩阵基板30b与对置基板（40）之间封入液晶层（45）而设置成框状的密封材（46）。
在有源矩阵基板30b，如图14（c）所示，与上述实施方式1的有源矩阵基板30a相比，第二金属层15c和15d相对薄地形成，第三金属层16c和16d相对厚地形成，将在第一保护绝缘膜20a与第二保护绝缘膜22a的层间配置的透明导电层21c和21d省略，其他结构与上述实施方式1的有源矩阵基板30a的结构实质上相同。
接着，使用图12～图14说明制造本实施方式的有源矩阵基板30b的方法。此外，本实施方式的制造方法包括TFT形成工序、第一保护绝缘膜形成工序、透明导电形成层形成工序、第二保护绝缘膜形成工序、透明导电层形成工序和像素电极形成工序。
（TFT形成工序）
与上述实施方式1同样，在依次形成有栅极线11a、栅极电极11aa、电容线11b、栅极绝缘膜12和半导体层13的整个基板，例如利用溅射法依次形成成为第一金属层14a和14b的氮化钼膜（厚度20nm～100nm左右）、成为第二金属层15c和15d的铝膜（厚度50nm～350nm左右）、以及成为第三金属层16c和16da的氮化钼膜（厚度100nm～300nm左右），在形成金属叠层膜之后，通过对该金属叠层膜进行光刻、湿蚀刻或干蚀刻以及抗蚀剂的剥离清洗，如图12（a）所示那样，形成源极线17c、源极电极17ca和漏极电极形成部17da，由此形成TFT形成部5ba。
（第一保护绝缘膜形成工序）
首先，在通过上述TFT形成工序形成有TFT形成部5ba的整个基板，如图12（b）所示那样，例如利用CVD法形成氧化硅膜或氮化硅膜等无机绝缘膜（厚度50nm～500nm左右）18。
接着，在形成有无机绝缘膜18的整个基板，例如利用旋涂法或狭缝涂布法涂布透明的感光性树脂膜（厚度1μm～4μm左右）之后，对该感光性树脂膜进行曝光、显影和烧制，由此如图12（c）所示那样形成上层保护绝缘膜19a。
进而，通过对从上层保护绝缘膜19a露出的无机绝缘膜18，进行湿蚀刻或干蚀刻，如图13（a）所示那样，形成接触孔20aca、20acb和20acc，形成包括下层保护绝缘膜18a和上层保护绝缘膜19a的第一保护绝缘膜20a。此时，通过将漏极电极形成部17da的第三金属层16da的上层部除去，形成第三金属层16db、漏极电极形成部17db和TFT形成部5bb。
（透明导电形成层形成工序）
在通过上述第一保护绝缘膜形成工序形成有第一保护绝缘膜20a的整个基板，例如利用溅射法形成ITO膜等第一透明导电膜（厚度50nm～300nm左右）21之后，对该第一透明导电膜21进行光刻、湿蚀刻或干蚀刻以及抗蚀剂的剥离清洗，由此如图13（b）所示那样，形成透明电极21a和透明导电形成层21ba。
（第二保护绝缘膜形成工序）
在通过上述透明导电形成层形成工序形成有透明电极21a和透明导电形成层21ba的整个基板，如图13（c）所示那样，例如利用CVD法形成氧化硅膜或氮化硅膜等无机绝缘膜（厚度50nm～500nm左右）22，之后，通过对该无机绝缘膜22进行光刻、湿蚀刻或干蚀刻以及抗蚀剂的剥离清洗，如图14（a）所示那样，形成接触孔22acb和22acc，并且沿形成有像素电极23a的区域的周围呈格子状地形成槽G，使得透明导电形成层21ba的一部分露出，由此形成第二保护绝缘膜22a。此时，通过将漏极电极形成部17db的第三金属层16db的上层部除去，形成第三金属层16d、漏极电极17d和TFT5b。
（透明导电层形成工序）
通过对从上述第二保护绝缘膜形成工序中形成的第二保护绝缘膜22a露出的透明导电形成层21ba进行湿蚀刻，使透明导电形成层21ba从第二保护绝缘膜22a的槽G的侧壁W后退，如图14（b）所示那样，形成透明导电层21b。
（像素电极形成工序）
在通过上述透明导电形成工序形成有透明导电层21b的整个基板，例如利用溅射法形成ITO膜等第二透明导电膜（厚度30nm～150nm左右）23，之后，对该第二透明导电膜23进行光刻、湿蚀刻以及抗蚀剂的剥离清洗，由此如图14（c）所示那样，形成像素电极23a、栅极端子23b和源极端子（23c）。
如上所述，能够制造本实施方式的有源矩阵基板30b。
如以上说明那样，根据本实施方式的有源矩阵基板30b及其制造方法，与上述实施方式1同样，在TFT5b的上层的第一保护绝缘膜20a与各像素电极23a的下层的第二保护绝缘膜22a的层间配置的透明导电层21b，沿第二保护绝缘膜22a的槽G以在从槽G的侧壁W凹进的状态下从槽G的侧壁W露出的方式设置，因此能够可靠地抑制相邻的各像素电极23a间的短路。
此外，根据本实施方式的有源矩阵基板30b及其制造方法，如上述实施方式1那样，在第一保护绝缘膜20a的接触孔20aca内不配置透明导电层21，因此不需要用于形成透明导电层21b的抗蚀剂R，能够缩短制造工序，并且能够降低制造成本。
《发明的实施方式3》
图15是以截面表示本实施方式的有源矩阵基板30a的制造工序的说明图。
在上述各实施方式中，例示了通过不同的工序对透明导电层21b和像素电极23a进行图案形成的有源矩阵基板30a和30b的制造方法，但是在本实施方式中，例示通过相同的工序对透明导电层21b和像素电极23a进行图案形成的有源矩阵基板30a的制造方法。
以下，使用图15对制造本实施方式的有源矩阵基板30a的方法进行说明。这里，本实施方式的制造方法包括TFT形成工序、第一保护绝缘膜形成工序、透明导电形成层形成工序、第二保护绝缘膜形成工序和像素电极形成工序。此外，TFT形成工序、第一保护绝缘膜形成工序和透明导电形成层形成工序与上述实施方式1实质相同，因此省略其详细说明。
（第二保护绝缘膜形成工序）
在通过上述透明导电形成层形成工序形成有透明电极21a、透明导电形成层21ba、以及透明导电层21c和21d的整个基板，如图10（c）所示那样，例如利用CVD法形成氧化硅膜或氮化硅膜等无机绝缘膜（厚度50nm～500nm左右）22，之后，通过对该无机绝缘膜22进行光刻、湿蚀刻或干蚀刻以及抗蚀剂的剥离清洗，形成接触孔22aca和22acb、以及沿形成有像素电极23a的区域的周围以使得透明导电形成层21ba的一部分露出的方式形成槽G，由此形成第二保护绝缘膜22a（参照图11（a））。此时，在上述透明导电形成层形成工序中形成的透明电极21a、透明导电形成层21ba、以及透明导电层21c和21d，在CVD成膜时被加热，使其结晶化。
（像素电极形成工序）
首先，在通过上述第二保护绝缘膜形成工序形成有第二保护绝缘膜22a的整个基板，例如利用溅射法形成ITO膜等第二透明导电膜（厚度30nm～150nm左右），之后，通过对第二透明导电膜23以150℃以上进行退火处理，如图15（a）所示那样，使第二透明导电膜23结晶化。
接着，通过对已结晶化的第二透明导电膜23进行光刻、湿蚀刻以及抗蚀剂的剥离清洗，如图15（b）所示那样，形成像素电极23a、栅极端子23b和源极端子（23c）。此时，利用湿蚀刻在侧面将从第二保护绝缘膜22a露出的透明导电形成层21ba除去，该图案边缘从第二保护绝缘膜22a的槽G的侧壁W后退，由此形成透明导电层21b。
如上所述，能够制造本实施方式的有源矩阵基板30a。
如以上说明那样，根据本实施方式的有源矩阵基板30a及其制造方法，在第一保护绝缘膜形成工序中，在TFT形成工序中形成在绝缘基板10上的各TFT5a上形成第一保护绝缘膜20a，在透明导电形成层形成工序中，以覆盖第一保护绝缘膜20a的方式形成第一透明导电膜21，之后，对第一透明导电膜21进行图案形成，由此形成透明导电形成层21ba，在第二保护绝缘膜形成工序中，以覆盖透明导电形成层21ba的方式形成无机绝缘膜22，之后，沿无机绝缘膜22中各像素电极23a所配置的区域的周围形成槽G，使得透明导电形成层21ba的一部分露出，由此形成第二保护绝缘膜22a，在像素电极形成工序中，在第二保护绝缘膜22a上形成第二透明导电膜23，之后，对在对第二透明导电膜23进行图案形成时从第二保护绝缘膜22a露出的透明导电形成层21ba进行蚀刻，使透明导电形成层21ba从第二保护绝缘膜22a的槽G的侧壁W后退，由此形成各像素电极23a和透明导电层21b，因此在第二保护绝缘膜形成工序中形成的第二保护绝缘膜22a相对于在像素电极形成工序中形成的透明导电层21b配置成遮檐状。这里，在像素电极形成工序中对第二透明导电膜23进行蚀刻，并且对从第二保护绝缘膜22a露出的透明导电形成层21ba进行蚀刻，使透明导电形成层21ba从第二保护绝缘膜22a的槽G的侧壁W后退，由此湿蚀刻所使用的蚀刻剂容易进入第二保护绝缘膜22a的槽W内，因此第二透明导电膜23难以残留于第二保护绝缘膜22a的槽G内。由此，在第二保护绝缘膜22a上相互相邻的各像素电极23a彼此难以经由第二保护绝缘膜22a的槽G内的第二透明导电膜23导通，因此能够可靠地抑制相邻的各像素电极23a间的短路。
此外，根据本实施方式的有源矩阵基板30a及其制造方法，第一透明导电膜21和第二透明导电膜23包含ITO膜，第一透明导电形成层21ba和第二透明导电膜23具有结晶性，因此在像素电极工序中，能够使用相同的蚀刻剂进行透明导电形成层21ba的湿蚀刻和第二透明导电膜23的湿蚀刻，能够缩短制造工序。
此外，在本实施方式中，例示了在上述实施方式1的制造方法中应用在相同的工序中对透明导电层21b和像素电极23a进行图案形成的技术的制造方法，但是也可以在上述实施方式2中应用通过相同的工序对透明导电层21b和像素电极23a进行图案形成的技术。
此外，在本实施方式中，例示了使用ITO膜作为透明导电膜、通过退火处理实现结晶化的有源矩阵基板的制造方法，但是也可以使用蚀刻特性不会因加热而改变的IZO膜作为透明导电膜，并省略退火处理。
《实施方式4》
图16～图18表示本发明的有源矩阵基板及其制造方法和液晶显示面板的实施方式4。具体而言，图16是本实施方式的有源矩阵基板30c的俯视图。此外，图17和图18分别是沿图16中的XVII-XVII线和XVIII-XVIII线的有源矩阵基板30c的截面图。
在上述实施方式1～3中，例示了按各像素P设置有透明导电层21b的有源矩阵基板30a和30b，但是在本实施方式中，例示透明导电层21e遍及全部像素P地一体设置的有源矩阵基板30c。
本实施方式的液晶显示面板包括：以相互相对的方式设置的有源矩阵基板30c和对置基板（40）；在有源矩阵基板30c和对置基板（40）之间设置的液晶层（45）；和将有源矩阵基板30c与对置基板（40）相互粘接、并且为了在有源矩阵基板30c与对置基板（40）之间封入液晶层（45）而设置成框状的密封材（46）。
如图16所示，有源矩阵基板30c包括：绝缘基板10；在绝缘基板10上以相互平行地延伸的方式设置的多个栅极线11a；以沿与各栅极线11a正交的方向相互平行地延伸的方式设置的多个源极线17a；分别按各栅极线11a与各源极线17a的每个交叉部分即按各像素P作为开关元件设置的多个TFT5a；设置在各TFT5a上的第一保护绝缘膜20a（参照图17和图18）；设置在第一保护绝缘膜20a上的第二保护绝缘膜22b；在第二保护绝缘膜22b上呈矩阵状设置的多个像素电极23a；和以覆盖各像素电极23a的方式设置的取向膜（未图示）。
TFT5a的漏极电极17b如图16和图17所示，经由形成于第一保护绝缘膜20a的接触孔20aca、形成于该接触孔20aca内的透明导电层21c和形成于第二保护绝缘膜22b的接触孔22bca与像素电极23a连接。
在第二保护绝缘膜22b，如图16～图18所示，沿各像素电极23a的周围设置有线段状的槽G，使得第一保护绝缘膜20a露出。
在第一保护绝缘膜20a与第二保护绝缘膜22b的层间，如图16所示，遍及全部像素P一体地、且以沿第二保护绝缘膜22b的槽呈线状地形成有缺口图案的方式设置有透明导电层21e。
透明导电层21e如图16～图18所示，其各内周端沿第二保护绝缘膜22b的槽G以在从槽G的侧壁W凹进的状态下从槽G的侧壁W露出的方式设置。此外，透明导电层21e如图16～图18所示，隔着第二保护绝缘膜22b与各像素电极23a重叠，由此构成辅助电容6。
上述结构的有源矩阵基板30c能够以与上述实施方式1中说明的制造方法相同的制造方法进行制造。
如上述说明那样，根据本实施方式的有源矩阵基板30c及其制造方法，与上述实施方式1同样，在TFT5a的上层的第一保护绝缘膜20a与各像素电极23a的下层的第二保护绝缘膜22b的层间配置的透明导电层21e，沿第二保护绝缘膜22b的槽G以在从槽G的侧壁W凹进的状态下从槽G的侧壁W露出的方式设置，因此能够可靠地抑制相邻的各像素电极23a间的短路，并且在各像素P内未配置遮光性的电容线，所以能够提高各像素P的开口率。
《实施方式5》
图19～图22表示本发明的有源矩阵基板及其制造方法和液晶显示面板的实施方式5。具体而言，图19是本实施方式的有源矩阵基板30d的俯视图。此外，图20、图21和图22分别是沿图19中的XX-XX线、XXI-XXI线和XXII-XXII线的有源矩阵基板30d的截面图。
在上述实施方式1～3中，例示了在各像素P设置有框状的透明导电层21b和在框内设置有透明电极21a的有源矩阵基板30a和30b，但是在本实施方式中，例示在各像素P设置有透明导电层21b和透明电极21a成为一体的透明导电层21f的有源矩阵基板30d。
本实施方式的液晶显示面板包括：以相互相对的方式设置的有源矩阵基板30d和对置基板（40）；在有源矩阵基板30d和对置基板（40）之间设置的液晶层（45）；和将有源矩阵基板30d与对置基板（40）相互粘接、并且为了在有源矩阵基板30d与对置基板（40）之间封入液晶层（45）而设置成框状的密封材（46）。
如图19所示，有源矩阵基板30d包括：绝缘基板10；在绝缘基板10上以相互平行地延伸的方式设置的多个栅极线11a；分别在各栅极线11a之间设置、以相互平行地延伸的方式配置的多个电容线11b；以沿与各栅极线11a正交的方向相互平行地延伸的方式设置的多个源极线17a；分别按各栅极线11a与各源极线17a的每个交叉部分即按各像素P作为开关元件设置的多个TFT5a；设置在各TFT5a上的第一保护绝缘膜20a（参照图20～图22）；设置在第一保护绝缘膜20a上的第二保护绝缘膜22a；在第二保护绝缘膜22a上呈矩阵状设置的多个像素电极23a；和以覆盖各像素电极23a的方式设置的取向膜（未图示）。
在第二保护绝缘膜22a，如图19～图22所示，沿各像素电极23a的周围设置有格子状的槽G，使得第一保护绝缘膜20a露出。
在第一保护绝缘膜20a与第二保护绝缘膜22a的层间，如图19～图22所示，按各像素P设置形成有开口部的大致矩形形状的透明导电层21f，在其开口部内，以与第一保护绝缘膜20a的接触孔20aca和第二保护绝缘膜22a的接触孔22aca重叠的方式设置有透明导电层21c。
透明导电层21f如图19～图22所示，其外周端沿第二保护绝缘膜22a的槽G以在从槽G的侧壁W凹进的状态下从槽G的侧壁W露出的方式设置。此外，透明导电层21f如图19～图22所示，通过形成于栅极绝缘膜12和第一保护绝缘膜20a的接触孔20acb与电容线11b连接，并且隔着第二保护绝缘膜22a与各像素电极23a重叠，由此构成辅助电容6。
上述结构的有源矩阵基板30d能够以与上述实施方式1中说明的制造方法相同的制造方法进行制造。
如上述说明那样，根据本实施方式的有源矩阵基板30d及其制造方法，与上述实施方式1同样，在TFT5a的上层的第一保护绝缘膜20a与各像素电极23a的下层的第二保护绝缘膜22a的层间配置的透明导电层21f，沿第二保护绝缘膜22a的槽G以在从槽G的侧壁W凹进的状态下从槽G的侧壁W露出的方式设置，因此能够可靠地抑制相邻的各像素电极23a间的短路。
此外，在上述各实施方式中，作为半导体层，例示了In-Ga-Zn-O类氧化物半导体，但是本发明例如也能够适用于In-Si-Zn-O类、In-Al-Zn-O类、Sn-Si-Zn-O类、Sn-Al-Zn-O类、Sn-Ga-Zn-O类、Ga-Si-Zn-O类、Ga-Al-Zn-O类、In-Cu-Zn-O类、Sn-Cu-Zn-O类、Zn-O类、In-O类、In-Zn-O类等氧化物半导体、非晶硅、多晶硅等硅半导体。
此外，在上述各实施方式中，例示了具有单层结构的栅极绝缘膜、下层保护绝缘膜和第二保护绝缘膜，但是这些栅极绝缘膜、下层保护绝缘膜和第二保护绝缘膜也可以具有叠层结构。
此外，在上述各实施方式中，例示了TFT作为开关元件，但是本发明也能够适用于MIM（Metal Insulator Metal，金属-绝缘体-金属）等其他开关元件。
此外，在上述各实施方式中，例示了将与像素电极连接的TFT的电极作为漏极电极的有源矩阵基板，但是本发明也能够适用于将与像素电极连接的TFT的电极称为源极电极的有源矩阵基板。
产业上的可利用性
如上述说明那样，本发明利用透明的辅助电容的结构，能够可靠地抑制相邻的各像素电极间的短路，因此对具有高开口率的高亮度的液晶显示面板和构成其的有源矩阵基板是有用的。
附图标记说明
G  槽
P  像素
W  侧壁
5a、5b  TFT（开关元件）
6  辅助电容
20a  第一保护绝缘膜
21  第一透明导电膜
21a  透明电极
21b、21e、21f  透明导电层
21ba  透明导电形成层
22  无机绝缘膜
22a、22b  第二保护绝缘膜
23  第二透明导电膜
23a  像素电极
30a～30d  有源矩阵基板
40  对置基板
45  液晶层
50  液晶显示面板

Claims (12)

1.一种有源矩阵基板，其特征在于，包括：
呈矩阵状设置的多个像素；
按所述多个像素中的各像素分别设置的多个开关元件；
设置在所述多个开关元件中的各开关元件上的第一保护绝缘膜；
设置在所述第一保护绝缘膜上的透明导电层；
设置在所述透明导电层上的第二保护绝缘膜；和
在所述第二保护绝缘膜上呈矩阵状设置、且与所述各开关元件分别连接的多个像素电极，
在所述第二保护绝缘膜，沿所述各像素电极的周围形成有槽，使得所述第一保护绝缘膜露出，
所述透明导电层沿所述第二保护绝缘膜的槽以在从该槽的侧壁凹进的状态下从该槽的侧壁露出的方式设置。
2.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
所述透明导电层隔着所述第二保护绝缘膜与所述各像素电极重叠，由此构成辅助电容。
3.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
所述透明导电层按所述各像素独立地设置，且隔着所述第二保护绝缘膜与所述各像素电极重叠，由此构成辅助电容。
4.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
所述透明导电层按所述各像素呈框状设置，
在所述第一保护绝缘膜与所述第二保护绝缘膜的层间，在所述各透明导电层的框内分别设置有透明电极，
所述透明电极隔着所述第二保护绝缘膜与所述各像素电极重叠，由此构成辅助电容。
5.如权利要求1至4中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
所述透明导电层形成得比所述各像素电极厚。
6.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于：
所述有源矩阵基板包括：
呈矩阵状设置的多个像素；
按所述多个像素中的各像素分别设置的多个开关元件；
设置在所述多个开关元件中的各开关元件上的第一保护绝缘膜；
设置在所述第一保护绝缘膜上的透明导电层；
设置在所述透明导电层上的第二保护绝缘膜；和
在所述第二保护绝缘膜上呈矩阵状设置、且与所述各开关元件分别连接的多个像素电极，
所述有源矩阵基板的制造方法包括：
在基板上形成所述各开关元件的开关元件形成工序；
在所述形成的各开关元件上形成所述第一保护绝缘膜的第一保护绝缘膜形成工序；
透明导电形成层形成工序，在以覆盖所述形成的第一保护绝缘膜的方式形成第一透明导电膜之后，对该第一透明导电膜进行图案形成，由此形成成为所述透明导电层的透明导电形成层；
第二保护绝缘膜形成工序，在以覆盖所述透明导电形成层的方式形成绝缘膜之后，沿该绝缘膜中的所述多个像素电极中的各像素电极所配置的区域的周围形成槽，由此形成所述第二保护绝缘膜，使得所述透明导电形成层的一部分露出；
透明导电层形成工序，对从所述形成的第二保护绝缘膜露出的所述透明导电形成层进行蚀刻，使该透明导电形成层从所述第二保护绝缘膜的槽的侧壁后退，由此形成所述透明导电层；和
像素电极形成工序，在所述形成的透明导电层上的所述第二保护绝缘膜上形成第二透明导电膜，之后，对该第二透明导电膜进行图案形成，由此形成所述各像素电极。
7.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于：
所述有源矩阵基板包括：
呈矩阵状设置的多个像素；
按所述多个像素中的各像素分别设置的多个开关元件；
设置在所述多个开关元件中的各开关元件上的第一保护绝缘膜；
设置在所述第一保护绝缘膜上的透明导电层；
设置在所述透明导电层上的第二保护绝缘膜；和
在所述第二保护绝缘膜上呈矩阵状设置、且与所述各开关元件分别连接的多个像素电极，
所述有源矩阵基板的制造方法包括：
在基板上形成所述各开关元件的开关元件形成工序；
在所述形成的各开关元件上形成所述第一保护绝缘膜的第一保护绝缘膜形成工序；
透明导电形成层形成工序，在以覆盖所述形成的第一保护绝缘膜的方式形成第一透明导电膜之后，对该第一透明导电膜进行图案形成，由此形成成为所述透明导电层的透明导电形成层；
第二保护绝缘膜形成工序，在以覆盖所述透明导电形成层的方式形成绝缘膜之后，沿该绝缘膜中的所述多个像素电极中的各像素电极所配置的区域的周围形成槽，由此形成所述第二保护绝缘膜，使得所述透明导电形成层的一部分露出；和
像素电极形成工序，在所述形成的第二保护绝缘膜上形成第二透明导电膜，之后，对在对该第二透明导电膜进行图案形成时从该第二保护绝缘膜露出的所述透明导电形成层进行蚀刻，使该透明导电形成层从所述第二保护绝缘膜的槽的侧壁后退，由此形成所述各像素电极和透明导电层。
8.如权利要求6所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于：
在所述像素电极形成工序中，将所述第二保护绝缘膜的槽内的所述第二透明导电膜除去。
9.如权利要求6至8中任一项所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于：
所述第一透明导电膜比所述第二透明导电膜厚。
10.如权利要求7所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于：
所述第一透明导电膜和第二透明导电膜包含氧化铟与氧化锡的化合物，
所述透明导电形成层和第二透明导电膜具有结晶性。
11.如权利要求7所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于：
所述第一透明导电膜和第二透明导电膜包含氧化铟与氧化锌的化合物。
12.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：
以相互相对的方式设置的有源矩阵基板和对置基板；和
在所述有源矩阵基板和对置基板之间设置的液晶层，
所述有源矩阵基板包括：
呈矩阵状设置的多个像素；
按所述多个像素中的各像素分别设置的多个开关元件；
设置在所述多个开关元件中的各开关元件上的第一保护绝缘膜；
设置在所述第一保护绝缘膜上的透明导电层；
设置在所述透明导电层上的第二保护绝缘膜；和
在所述第二保护绝缘膜上呈矩阵状设置、且与所述各开关元件分别连接的多个像素电极，
在所述第二保护绝缘膜，沿所述各像素电极的周围形成有槽，使得所述第一保护绝缘膜露出，
所述透明导电层沿所述第二保护绝缘膜的槽以在从该槽的侧壁凹进的状态下从该槽的侧壁露出的方式设置。
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