CN107540705A - 新氨基‑甲硅烷基胺化合物、制备其的方法和使用其的含硅薄膜 - Google Patents
新氨基‑甲硅烷基胺化合物、制备其的方法和使用其的含硅薄膜 Download PDFInfo
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 73
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 40
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 39
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 6
- -1 amino silyl amines Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 76
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 71
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 55
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 45
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 41
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 41
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 40
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 38
- 125000006701 (C1-C7) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 37
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 30
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 28
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 15
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 12
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 10
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 10
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 8
- 125000006376 (C3-C10) cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 6
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000006729 (C2-C5) alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000006730 (C2-C5) alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000041 C6-C10 aryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000005210 alkyl ammonium group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000006555 (C3-C5) cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 12
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N hexane Substances CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 17
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 16
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 13
- 229960004194 lidocaine Drugs 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- NNJVILVZKWQKPM-UHFFFAOYSA-N Lidocaine Chemical compound CCN(CC)CC(=O)NC1=C(C)C=CC=C1C NNJVILVZKWQKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 7
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 7
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-MZWXYZOWSA-N deuterated benzene Substances [2H]C1=C([2H])C([2H])=C([2H])C([2H])=C1[2H] UHOVQNZJYSORNB-MZWXYZOWSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 6
- 125000006272 (C3-C7) cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 5
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001924 cycloalkanes Chemical class 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 4
- 239000012686 silicon precursor Substances 0.000 description 4
- DVHMVRMYGHTALQ-UHFFFAOYSA-N silylhydrazine Chemical compound NN[SiH3] DVHMVRMYGHTALQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- MAUMSNABMVEOGP-UHFFFAOYSA-N (methyl-$l^{2}-azanyl)methane Chemical compound C[N]C MAUMSNABMVEOGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KOOADCGQJDGAGA-UHFFFAOYSA-N [amino(dimethyl)silyl]methane Chemical compound C[Si](C)(C)N KOOADCGQJDGAGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- DLEDOFVPSDKWEF-UHFFFAOYSA-N lithium butane Chemical compound [Li+].CCC[CH2-] DLEDOFVPSDKWEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- PFJFNQUFMTYCHB-UHFFFAOYSA-N C[SiH2]N[SiH3] Chemical compound C[SiH2]N[SiH3] PFJFNQUFMTYCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DCERHCFNWRGHLK-UHFFFAOYSA-N C[Si](C)C Chemical compound C[Si](C)C DCERHCFNWRGHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N n-Butyllithium Substances [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000001577 simple distillation Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 2
- 125000005913 (C3-C6) cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Natural products C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHQONEXRSBSWIT-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethyl-1-(silylamino)silylmethanamine Chemical compound CN(C)C[SiH2]N[SiH3] XHQONEXRSBSWIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKYWAOSWRWWISV-UHFFFAOYSA-N N-propan-2-yl-N-(2-silylethyl)propan-2-amine Chemical compound C(C)(C)N(C(C)C)CC[SiH3] SKYWAOSWRWWISV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007161 Si(CH3)3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003828 SiH3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- VDOSQBVLILDEHM-UHFFFAOYSA-N [chloro-methyl-(silylamino)silyl]methane Chemical compound C[Si](C)(Cl)N[SiH3] VDOSQBVLILDEHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLFZXEWJEUGNQC-UHFFFAOYSA-N [methyl-(silylamino)silyl]methane Chemical compound C[SiH](C)N[SiH3] JLFZXEWJEUGNQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005576 amination reaction Methods 0.000 description 1
- 229920013822 aminosilicone Polymers 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 1
- ZAQNUHGJZMDYFN-UHFFFAOYSA-N chloro-(silylamino)silylmethane Chemical compound [SiH3]N[SiH2]CCl ZAQNUHGJZMDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 125000003963 dichloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- UWGIJJRGSGDBFJ-UHFFFAOYSA-N dichloromethylsilane Chemical compound [SiH3]C(Cl)Cl UWGIJJRGSGDBFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- IHLVCKWPAMTVTG-UHFFFAOYSA-N lithium;carbanide Chemical compound [Li+].[CH3-] IHLVCKWPAMTVTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHNJTQYTRPXLLG-UHFFFAOYSA-N lithium;diethylazanide Chemical compound [Li+].CC[N-]CC AHNJTQYTRPXLLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- LXXSWZYRKAQQDI-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-silylethanamine Chemical compound CCN([SiH3])CC LXXSWZYRKAQQDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- VDGJOQCBCPGFFD-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-) silicon(4+) titanium(4+) Chemical compound [Si+4].[O-2].[O-2].[Ti+4] VDGJOQCBCPGFFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 125000001339 silanediyl group Chemical group [H][Si]([H])(*)* 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- OLRJXMHANKMLTD-UHFFFAOYSA-N silyl Chemical compound [SiH3] OLRJXMHANKMLTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/10—Compounds having one or more C—Si linkages containing nitrogen having a Si-N linkage
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种新的氨基‑甲硅烷基胺化合物，制备其的方法和使用其的含硅薄膜，其中所述氨基‑甲硅烷基胺化合物具有热稳定性和高挥发性，并且在室温下和压力下保持液态，液态下容易对其进行处理，从而通过各种沉积方法形成具有高纯度和优良物理和电特性的含硅薄膜。
Description
本申请要求于2013年6月7日提交的韩国专利申请No.10-2013-0065399和于2013年12月19日提交的韩国专利申请No.10-2013-0159399的优先权；本申请是2014年6月5日提交的中国专利申请No.201480032373.5的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种新的氨基-甲硅烷基胺化合物，制备其的方法和使用其的含硅薄膜，并且尤其涉及一种具有热稳定性和高挥发性并且在室温下和压力下保持液态(液态下容易对其进行处理，)的氨基-甲硅烷基胺化合物、制备其的方法和使用其的含硅薄膜。
背景技术
含硅薄膜通过在半导体领域的各种沉淀工艺以各种形状来制备，包括硅、二氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、氮氧化硅等，并且应用领域广泛。
尤其，由于显著优良的封堵性能和抗氧化性，二氧化硅和氮化硅起到绝缘膜、防扩散膜、硬掩模、蚀刻停止层、晶种层，间隔件、沟槽隔离、金属间介电材料和制造设备中的保护层的作用。
最近，多晶硅薄膜已被用于薄膜晶体管(TFT)、太阳能电池等，并且应用领域变得多样。
作为用于制造含硅薄膜的已知的代表性技术，有金属有机化学气相沉积(MOCVD)，其通过使混合气体形式的硅前体与活性气体反应在基底的表面上形成膜或通过在表面上直接反应形成膜；和原子层沉积(ALD)，其通过物理吸附或化学吸附基底表面上的气体形式的硅前体，随后连续引入活性气体形成膜。另外，用于制造薄膜的各种技术，例如利用该方法的低压化学气相沉积(PECVD)，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，利用在低温下能够沉积的等离子体的等离子体增强原子层沉积(PEALD)等，可应用于下一代半导体和显示设备制造工艺，从而用于形成超细模式和沉积具有均匀的纳米尺寸厚度和优良特性的超薄膜。
正如在韩国专利特开公开号KR2007-0055898中描述的，用于形成含硅薄膜的前体的代表性实例包括硅烷类、硅烷氯化物、氨基硅烷类和硅氧烷类，并且更具体地为硅烷氯化物，例如二氯甲硅烷(SiH2Cl2)、六氯二硅烷(Cl3SiSiCl3)和三甲硅烷基胺(N(SiH3)3))，双(二乙基氨基)硅烷(H2Si(N(CH2CH3)2)2))和二异丙基氨基硅烷(H3SiN(i-C3H7)2))等，并且用于半导体和显示器的大规模生产。
但是，根据由超高集成设备引起的设备小型化，在希望的低温下形成具有均匀的且薄的厚度和优良电特性的超细薄膜的技术，纵横比的增加，和设备材料的多样化已经有需要，因此，在600℃或更高的高温处理、阶梯覆盖、蚀刻特性和薄膜的物理和电特性在使用现有的硅前体时成为问题，因此需要开发优良的新型硅前体。
发明内容
技术问题
本发明的一个目的是提供一种新的氨基-甲硅烷基胺化合物。
本发明的另一个目的是提供一种新的氨基-甲硅烷基胺化合物，其是用于薄膜沉积的前体化合物。
本发明的另一个目的是提供一种制备氨基-甲硅烷基胺化合物的方法。
本发明的另一个目的是提供一种用于薄膜沉积的包含本发明的氨基-甲硅烷基胺化合物的含硅组合物，使用其制备薄膜的方法，和通过包含本发明的氨基-甲硅烷基胺化合物制备的含硅薄膜。
技术方案
在一个总的方面，本发明提供了能够形成硅薄膜的新的氨基-甲硅烷基胺化合物，该硅薄膜甚至在低温下具有优良的内聚力、高沉积速率、优越的物理特性和电特性。
本发明的新的氨基-甲硅烷基胺化合物由以下化学式1表示：
化学式1
在化学式1中，
R1到R4各自独立地为氢、卤素、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C7)环烷基或(C6-C12)芳基，
R5到R8各自独立地为氢、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C10)环烷基或(C6-C12)芳基，或彼此相邻的取代基连接形成5元到7元脂肪族环；
R1到R4的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基，和R5到R8的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基可进一步用卤素、(C1-C7)烷基、(C1-C7)烷氧基或(C1-C7)芳氧基取代。
本发明的氨基-甲硅烷基胺化合物具有高挥发性，容易形成薄膜。此外，由于Si3N的具有三个硅原子键合到中心氮原子的平面三角形分子结构，本发明的氨基-甲硅烷基胺化合物具有高热稳定性和低活化能从而具有优良的反应性，并且不产生非挥发性的副产物从而能够容易地形成具有高纯度的含硅薄膜。
为了提供优良的挥发性，在上述表示本发明的氨基-甲硅烷基胺化合物的化学式1中，R5或R6各自独立地为(C2-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C10)环烷基或(C6-C12)芳基，或两者可排列形成5元到7元脂肪族环，并且如果R5或R6是氢或甲基，则化合物是固体，然而如果R5或R6是(C2-C7)，则化合物在室温下和大气压下保持液态以具有相当高的挥发性，从而容易形成薄膜，并且更优选地R5或R6是C2-C5。
本发明的氨基-甲硅烷基胺化合物在室温下和大气压下是液态化合物以具有优越的挥发性，从而容易形成薄膜。
另外，由于Si3N的具有三个硅原子键合到中心氮原子的平面三角形分子结构，本发明的氨基-甲硅烷基胺化合物具有高热稳定性和低活化能从而具有优良的反应性，并且不产生非挥发性的副产物从而能够容易形成具有高纯度的含硅薄膜。
根据本发明的一个示例性实施方案，为了使上述化学式1表示的氨基-甲硅烷基胺化合物形成具有高热稳定性和反应性以及高纯度的薄膜，优选的是在上述化学式1中，R1到R4可各自独立地为氢、卤素、(C1-C5)烷基、(C2-C5)链烯基、(C2-C5)炔基、(C3-C6)环烷基或(C6-C10)芳基，R5到R8可各自独立地为氢、(C1-C5)烷基、(C2-C5)链烯基、(C2-C5)炔基、(C3-C5)环烷基或(C6-C10)芳基。
更优选地，在上述化学式1中，R1到R4可各自独立地为氢或(C1-C5)烷基，R5到R8可各自独立地为氢或(C1-C5)烷基。
化学式1可选自以下化合物，但本发明不限于此：
在本发明中描述的术语：“烷基”、“烷氧基”以及包括“烷基”部分的其它取代基可包括所有直链或支链类型。另外，在本发明中描述的“芳基”是通过去除一个氢而衍生自芳族烃的有机基团，其可包括单环或稠环系统，单环或稠环系统包括在每个环中4到7个，优选地5或6个环原子，并且该“芳基”可包括与单键连接的多个芳基。芳基的具体实例可包括苯基、萘基、联苯基、蒽基、茚基、芴基等，但本发明不限于此。进一步地，本发明的“链烯基”是包括至少一个双键的直链或支链烃，其可包括乙烯基、丙-1-烯、丁-1,3-二烯等，但本发明不限于此，并且本发明的“炔基”可包括直链或支链烃，该直链或支链烃包括至少一个三键。
本发明的上述化学式1表示的氨基-甲硅烷基胺化合物可优选为用于薄膜沉积的含硅前体化合物。
在另一个总的方面，本发明提供了一种制备上述化学式1表示的氨基-甲硅烷基胺化合物的方法，所述方法包括：
在以下化学式2表示的碱或(C1-C7)烷基锂存在下，通过使以下化学式3表示的化合物与以下化学式4表示的化合物反应制备以下化学式5表示的化合物，和
通过使以下化学式5表示的化合物与以下化学式6表示的化合物反应制备以下化学式1表示的化合物：
化学式2
N(R11)(R12)(R13)，
化学式3
化学式4
化学式5
化学式6
在化学式2到6中，
R11到R13各自独立地为(C1-C7)烷基；
R1到R4各自独立地为氢、卤素、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C7)环烷基或(C6-C12)芳基；
R5到R8各自独立地为氢、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C10)环烷基或(C6-C12)芳基，或彼此相邻的取代基可连接形成5元到7元脂肪族环；
R1到R4的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基，和R5到R8的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基可进一步用卤素、(C1-C7)烷基、(C1-C7)烷氧基或(C1-C7)芳氧基取代；
M是碱金属；和
X1或X2是卤素。
化学式6表示的化合物可通过使(C1-C7)烷基金属(其中金属是碱金属)与以下化学式7表示的化合物反应制备：
化学式7
在化学式7中，
R7或R8各自独立地为氢、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C10)环烷基或(C6-C12)芳基，和
R7或R8的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基可进一步用卤素、(C1-C7)烷基、(C1-C7)烷氧基或(C1-C7)芳氧基取代。
在另一个总的方面，本发明提供了一种用于制备上述化学式1表示的氨基-甲硅烷基胺化合物的方法，所述方法包括：
通过使以下化学式4表示的化合物与以下化学式6表示的化合物反应制备以下化学式8表示的化合物；和
在(C1-C7)烷基锂存在下，通过使以下化学式8表示的化合物与以下化学式3表示的化合物反应制备上述化学式1表示的化合物：
化学式3
化学式4
化学式6
化学式8
在化学式3、4、6和8中，
R1到R4各自独立地为氢、卤素、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C7)环烷基或(C6-C12)芳基；
R5到R8各自独立地为氢、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C10)环烷基或(C6-C12)芳基，或彼此相邻的取代基可连接形成5元到7元脂肪族环；
R1到R4的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基，和R5到R8的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基可进一步用卤素、(C1-C7)烷基、(C1-C7)烷氧基或(C1-C7)芳氧基取代；和
X1或X2是卤素。
在另一个总的方面，本发明提供了一种用于制备上述化学式1表示的氨基-甲硅烷基胺化合物的方法，所述方法包括：
在以下化学式2表示的碱或(C1-C7)烷基锂存在下，通过使以下化学式3表示的化合物与以下化学式4表示的化合物反应制备以下化学式5表示的化合物；和
在以下化学式2表示的碱存在下，通过使以下化学式5表示的化合物与以下化学式7表示的化合物反应制备以下化学式1表示的化合物：
化学式2
N(R11)(R12)(R13)，
化学式3
化学式4
化学式5
化学式7
在化学式2到5和7中，
R11到R13各自独立地为(C1-C7)烷基；
R1到R4各自独立地为氢、卤素、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C7)环烷基或(C6-C12)芳基；
R5到R8各自独立地为氢、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C10)环烷基或(C6-C12)芳基，或彼此相邻的取代基可连接形成5元到7元脂肪族环；
R1到R4的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基，和R5到R8的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基可进一步用卤素、(C1-C7)烷基、(C1-C7)烷氧基或(C1-C7)芳氧基取代；和
X1或X2是卤素。
根据本发明的示例性实施方案，(C1-C7)烷基锂是其中锂键合到具有1到7个碳原子的烷基的化合物，例如甲基锂、正丁基锂等，并且优选为正丁基锂。
根据本发明的示例性实施方案，(C1-C7)烷基金属是其中金属键合到具有1到7个碳原子的烷基的化合物，其中金属是碱金属，例如Li、Na、K等，并且优选为Li。
所述方法可进一步包括：
在以下化学式11表示的化合物存在下，通过使以下化学式12表示的化合物与以下化学式13表示的化合物反应制备以下化学式14表示的化合物；和
通过使以下化学式14表示的化合物与以下化学式15表示的化合物反应制备上述化学式3表示的化合物：
化学式11
MX11，
化学式12
化学式13
化学式14
化学式15
HN(R5)(R6)，
在化学式11到15中，
M是B、Al或Sn；
R21到R23各自独立地为(C1-C7)烷基；
R1和R2各自独立地为氢、卤素、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C7)环烷基或(C6-C12)芳基；
R5和R6各自独立地为氢、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C10)环烷基或(C6-C12)芳基，或可连接形成5元到7元脂肪族环；和
X11和X12各自独立地为卤素。
根据本发明的示例性实施方案，化学式11是卤化金属，其中金属是B、Al或Sn，优选为Al。
如果溶剂不与一般有机溶剂中的起始材料反应，则用于本发明的制备方法的溶剂并不受限制，例如，可以是选自由以下组成的组中的至少一种：正己烷(n-己烷)、环己烷、正戊烷(n-戊烷)、乙醚、甲苯、四氢呋喃(THF)、二氯甲烷(DCM)和三氯甲烷(氯仿)。
如果温度用于一般有机合成中，则在本发明的制备方法中的反应温度并不受限制；但是，其可以根据反应时间、反应材料和起始材料的量而变化，其中通过NMR、GC等确认起始材料被完全消耗后，需要结束反应。当反应结束时，溶剂可通过过滤，然后在减压下粗蒸馏而去除，从而通过一般方法例如在减压下分馏，蒸馏等分离和提纯希望的物质。
在另一个总的方面，本发明提供了一种用于薄膜沉积的含硅组合物，所述含硅组合物包括如上所述的氨基-甲硅烷基胺化合物，并且提供了一种制备包括其的含硅薄膜的方法。
用于薄膜沉积的含硅组合物可包含氨基-甲硅烷基胺化合物作为用于薄膜沉积的前体，并且在组合物中的氨基-甲硅烷基胺化合物可具有在本领域技术人员考虑到膜形成条件或厚度，特性等所认可的范围内的含量。
在另一个总的方面，本发明提供了一种通过包含如上所述的氨基-甲硅烷基胺化合物而制备的含硅薄膜。
本发明的含硅薄膜可通过一般方法制备，例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、原子层沉积(ALD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、等离子体增强原子层沉积(PEALD)等。
本发明的氨基-甲硅烷基胺化合物具有低活化能、高反应性和很少的非挥发性副产物，使得通过使用氨基-甲硅烷基胺化合物作为前体而制备的含硅薄膜可具有高纯度和优良的物理和电特性。
有益效果
本发明的氨基-甲硅烷基胺化合物具有优良的热稳定性和高反应性，使得通过使用氨基-甲硅烷基胺化合物作为前体而制备的含硅薄膜可具有高纯度和相当优良的物理和电特性。
另外，本发明的氨基-甲硅烷基胺化合物可具有高含量的硅并且在室温下和大气压下保持液态，从而容易储存和处理并且具有高挥发性以快速和容易地沉积，并且有可能沉积具有优良的内聚力和阶梯覆盖的薄膜。
附图说明
结合附图从给定的优选实施方案的以下描述，本发明的上述和其它目的、特征和优势将变得显而易见，其中：
图1示出通过测量由实施例2制备的烷基氨基硅烷的蒸汽压得到的结果；
图2示出通过分析由实施例3和4制备的烷基氨基硅烷的热重量得到的结果；
图3示出通过测量由实施例3和4制备的烷基氨基硅烷的蒸汽压得到的结果；
图4示出通过分析由实施例6制备的烷基氨基硅烷的热重量得到的结果；
图5示出通过测量由实施例6制备的烷基氨基硅烷的蒸汽压得到的结果；
图6示出由实施例7和8和比较例实施的含硅薄膜沉积方法；
图7示出通过椭偏仪分析由实施例7和比较例制备的含硅薄膜的膜厚度的结果；
图8示出通过红外光谱分析由实施例7和比较例制备的沉积的含硅薄膜得到的结果；
图9示出通过椭偏仪分析由实施例8和比较例制备的含硅薄膜的膜厚度的结果；
图10示出通过红外光谱分析由实施例8制备的沉积的含硅薄膜得到的结果。
具体实施方案
在下文中，通过参考以下示例性实施方案将更详细地描述本发明。但是，以下示例性实施方案只是通过实施例的方式描述本发明，但不限于此。
所有化合物的以下实施例在无水和惰性气氛下利用手套箱或Schlenk管实施，产物通过1H核磁共振(NMR)、热重量分析(TGA)和气相色谱法(GC)进行分析，沉积的薄膜厚度通过椭偏仪测量，并且膜的成分通过红外光谱法分析。
实施例1二乙氨基二甲基二硅氮烷的合成
在无水和惰性气氛下，将250g(1.55mol)六甲基二硅氮烷(((CH3)3Si)2NH)和10g(0.075mol)三氯化铝(AlCl3)加入到2000mL火焰干燥的Schlenk烧瓶中，同时搅拌，将499.80g(3.87mol)二氯二甲基硅烷((CH3)2SiCl2)缓慢加入其中，同时保持25℃的温度，并且反应溶液的温度缓慢升至40℃。混合的反应溶液搅拌3小时，并且在减压下通过粗蒸馏或蒸馏从其中移除产生的三甲基氯硅烷((CH3)3SiCl)和过量加入的二氯二甲基硅烷((CH3)2SiCl2)。搅拌回收的氯二甲基二硅氮烷(((CH3)2SiCl)2NH))溶液，然后将475.45g(6.5mol)二乙胺((CH3CH2)2NH)缓慢加入其中，同时保持温度为-15℃。添加完成后，将反应溶液的温度缓慢升至室温，并且反应溶液在室温下搅拌6小时。移除通过过滤得到的白色固体以获得滤液，在减压下从滤液中移除溶剂，并且通过减压蒸馏获得319.90g(1.16mol)二乙氨基二甲基二硅氮烷((CH3)2SiN(CH2CH3)2)2NH)，收率为75％。
1H NMR(在C6D6中)δ0.14(s,12H,HNSi(CH3)2N),0.97(t,12H,Si(NCH2CH3)2),3.42(q,8H,Si(NCH2CH3)2)，沸点238℃。
实施例2双(二乙氨基)二甲基甲硅烷基三甲基甲硅烷基胺的合成
在无水和惰性气氛下，将180g(0.65mol)通过上述实施例1合成的二乙氨基二甲基二硅氮烷((CH3)2SiN(CH2CH3)2)2NH)和200ml正己烷有机溶剂加入到2000mL火焰干燥的烧瓶中，同时搅拌，缓慢加入202.16g(0.65mol)的2.29M正丁基锂(正-C4H9Li)·己烷(C6H14)溶液，同时保持-15℃的温度。添加完成后，将反应溶液的温度缓慢升至室温，并且搅拌反应溶液12小时，并且将200ml四氢呋喃(O(C2H2)2)加入其中。将70.94g(0.65mol)三甲基氯硅烷(ClSi(CH3)3))溶液缓慢加入反应溶液中，同时保持-20℃的温度。添加完成后，将反应溶液的温度缓慢升至65℃，并且搅拌反应溶液12小时，同时保持该温度。移除通过过滤得到的白色固体以获得滤液后，在减压下从滤液中移除溶剂，并且通过减压蒸馏获得159g(0.46mol)双(二乙氨基)甲硅烷基三甲基甲硅烷基胺((CH3)3SiN(Si(CH3)2N(CH2CH3)2)2)，收率为70％。
1H NMR(在C6D6中)δ0.30(s,12H,NSi(CH3)2N),0.32(s,9H,Si(CH3)3),0.99(t,12H,Si(NCH2CH3)2),2.82(q,8H,Si(NCH2CH3)2)；沸点279℃；GC分析结果>99.85％。
实施例3三(二乙氨基)二甲基甲硅烷基胺的合成
在无水和惰性气氛下，将180g(0.65mol)通过上述实施例1合成的二乙氨基二甲基二硅氮烷((CH3)2SiN(CH2CH3)2)2NH)和200ml正己烷有机溶剂加入到2000mL火焰干燥的烧瓶中，同时搅拌，并缓慢加入202.16g(0.65mol)的2.29M正丁基锂(正-C4H9Li)·己烷(C6H14)溶液，同时保持-15℃的温度。添加完成后，将反应溶液的温度缓慢升至室温，并且搅拌反应溶液12小时，并且将200ml四氢呋喃(O(C2H2)2)加入其中。将108.25g(0.65mol)通过使二氯二甲基硅烷(Cl2Si(CH3)2)和2当量的二甲胺在定量方案中反应合成的氯-二甲基二乙氨基硅烷缓慢加入反应溶液中，同时保持-20℃的温度。添加完成后，将反应溶液的温度缓慢升至65℃，并且搅拌反应溶液12小时，同时保持该温度。反应完成后，过滤反应混合物，并且从反应混合物中移除产生的白色固体以得到滤液。在减压下移除滤液的溶剂，并且通过减压蒸馏获得119.00g(0.29mol)三(二乙氨基)甲硅烷基胺(N(Si(CH3)2N(CH2CH3)2)3)，收率为45％。
1H NMR(在C6D6中)δ0.37(s,18H,NSi(CH3)2N),1.02(t,18H,Si(NCH2CH3)2),2.86(q,12H,Si(NCH2CH3)2)；沸点311℃；GC分析结果>99.27％。
实施例4三(二乙氨基)二甲基甲硅烷基胺的合成
在无水和惰性气氛下，将180g(0.65mol)通过上述实施例1合成的二乙氨基二甲基二硅氮烷((CH3)2SiN(CH2CH3)2)2NH)和200ml正己烷有机溶剂加入到2000mL火焰干燥的烧瓶中，同时搅拌，缓慢加入202.16g(0.65mol)的2.29M正丁基锂(n-C4H9Li)·己烷(C6H14)溶液，同时保持-15℃的温度。添加完成后，将反应溶液的温度缓慢升至室温，并且搅拌反应溶液12小时，并且将200ml四氢呋喃(O(C2H2)2)加入其中。将84.30g(0.65mol)二氯二甲基硅烷缓慢加入反应溶液中，同时保持-20℃的温度。添加完成后，将反应溶液的温度缓慢升至65℃，并且搅拌反应溶液12小时，同时保持该温度。过滤反应混合物后，从反应混合物中移除获得的白色固体以得到滤液，将51.65g(0.65mol)通过在定量方案中使二乙胺(HN(C2H5)2)和2.29M正丁基锂(正-C4H9Li)·己烷(C6H14)溶液反应而获得的锂二乙胺盐(LiN(C2H5)2)缓慢加入其中，同时搅拌滤液并保持-20℃的温度。添加完成后，将反应溶液的温度缓慢升至65℃，并且搅拌反应溶液12小时，同时保持该温度。移除通过过滤得到的白色固体以获得滤液后，在减压下从滤液中移除溶剂，并且通过减压蒸馏获得171.88g(0.42mol)三(二乙氨基)甲硅烷基胺(N(Si(CH3)2N(CH2CH3)2)3)，收率为65％。
1H NMR(在C6D6中)δ0.37(s,18H,HNSi(CH3)2N),1.02(t,18H,Si(NCH2CH3)2),2.86(q,12H,Si(NCH2CH3)2)；沸点311℃；GC分析结果>99.27％。
实施例5二甲氨基甲基二硅氮烷的合成
在无水和惰性气氛下，将250g(1.55mol)六甲基二硅氮烷(((CH3)3Si)2NH)和10g(0.075mol)三氯化铝(AlCl3)加入到2000mL火焰干燥的Schlenk烧瓶中，同时搅拌，将713.19g(3.87mol)二氯二甲基硅烷((CH3)2SiCl2)缓慢加入其中，同时保持25℃的温度，并且将反应溶液的温度缓慢升至40℃。搅拌混合的反应溶液3小时，并且在减压下通过粗蒸馏或蒸馏从其中移除产生的三甲基氯硅烷((CH3)3SiCl)和过量加入的二氯二甲基硅烷((CH3)2SiCl2)。搅拌回收的氯甲基二硅氮烷(((CH3)2SiCl)2NH))溶液，然后将293.47g(4.2mol)二乙胺((CH3)2NH)缓慢加入其中，同时保持温度为-15℃。添加完成后，将反应溶液的温度缓慢升至室温，并且在室温下搅拌反应溶液6小时。移除通过过滤得到的白色固体以获得滤液。在减压下移除滤液的溶剂，并且通过减压蒸馏获得222.54g(1.16mol)二甲氨基甲基二硅氮烷((CH3SiHN(CH3)2)2NH)，收率为75％。
1H-NMR(在C6D6中)δ0.19(t,6H,(((CH3)2)2N(CH3)HSi)2NH),2.46(s,12H,(((CH3)2)2N(CH3)HSi)2NH),4.71(m,2H,NSiH)。
实施例6三(二甲氨基)甲基甲硅烷基胺的合成
在无水和惰性气氛下，将191.43g(1.00mol)通过上述实施例5合成的二甲氨基甲基二硅氮烷((CH3SiHN(CH3)2)2NH)和200ml正己烷有机溶剂加入到2000mL火焰干燥的烧瓶中，同时搅拌，并缓慢加入303.32g(1.00mol)的2.29M正丁基锂(正-C4H9Li)·己烷(C6H14)溶液，同时保持-15℃的温度。添加完成后，将反应溶液的温度缓慢升至室温，并且搅拌反应溶液12小时，并且将300ml四氢呋喃(O(C2H2)2)加入其中。将123g(1.00mol)通过在定量方案中使二氯甲基硅烷(Cl2SiHCH3)和2当量的二甲胺反应而合成的氯甲基氯二甲氨基硅胺缓慢加入反应溶液中，同时保持-20℃的温度。添加完成后，将反应溶液的温度缓慢升至65℃，并且搅拌反应溶液12小时，同时保持该温度。移除通过过滤完全反应的反应混合物得到的白色固体以获得滤液后，在减压下从滤液中移除溶剂，并且通过减压蒸馏获得195.03g(0.70mol)三(二甲氨基)甲基甲硅烷基胺((CH3SiHN(CH3)2)3N)，收率为70％。
1H-NMR(在C6D6中)δ0.28(m,9H,NSiCH3)2.46(m,18H,SiN(CH3)2),4.81(m,3H,NSiH)；沸点237℃；GC分析结果>99.5％。
实施例7使用本发明的氨基-甲硅烷基胺化合物通过等离子体增强原子层沉积(PEALD)来沉积二氧化硅膜
膜形成评价用根据本发明的实施例2、3和6的氨基-甲硅烷基胺化合物进行，氨基-甲硅烷基胺化合物作为用于在通常的等离子体增强原子层沉积(PEALD)设备中利用已知的PEALD方法形成二氧化硅膜的组合物。氧气和等离子体一起用作反应气体，并且为惰性气体的氩气被用作净化气体。在下文中，图6和表1特别示出用于沉积二氧化硅薄膜的方法。
表1二氧化硅薄膜沉积条件
每个沉积薄膜的厚度通过椭偏仪测量，并且SiO2薄膜的形成通过红外光谱法分析。图7示出通过椭偏仪分析的膜的厚度。示出根据取代基的种类或数量，98到范围的薄膜的厚度彼此不同，并且确定薄膜用于在要求高沉积速率的所有二氧化硅薄膜应用领域。图8示出通过沉积的膜的红外光谱分析得到的结果。示出形成所有的二氧化硅薄膜，并且没有观察到杂质峰例如C-H、Si-OH。
也就是说，可以确认由本发明制备的新的氨基-甲硅烷基胺化合物能够形成具有高纯度和高沉积速率(通过PEALD)的二氧化硅薄膜，其具有高价值。
比较例使用已知的氨基-甲硅烷基胺化合物通过等离子体增强原子层沉积(PEALD)来沉积二氧化硅膜
比较例的膜形成评价通过已知的PEALD在与上述实施例7实施的相同沉积条件下进行，除了利用如以下表2所示的已知的氨基-甲硅烷基胺化合物代替利用本发明的氨基-甲硅烷基胺化合物以外，并且沉积的薄膜通过相同的分析方法分析，并且条件如上述实施例7所实施的，并获得其分析结果。在下文中，图6和表2特别示出用于沉积二氧化硅薄膜的方法。
示出薄膜的厚度在21到范围内，与实施例3、4和6的氨基-甲硅烷基胺化合物相比，其具有低沉积速率，并且形成所有的二氧化硅薄膜。
表2二氧化硅薄膜沉积条件
实施例8使用本发明的氨基-甲硅烷基胺化合物通过等离子体增强原子层沉积(PEALD)来沉积氮化硅膜
膜形成评价用根据本发明的实施例2和4的氨基-甲硅烷基胺化合物进行，该氨基-甲硅烷基胺化合物作为用于在通常的等离子体增强原子层沉积(PEALD)装置中利用已知的PEALD方法形成氮化硅膜的组合物。氮气(N2)和氨气(NH3)一起用作反应气体，并且为惰性气体的氩气用作净化气体。在下文中，图6和表3特别示出用于沉积氮化硅薄膜的方法。
表3氮化硅薄膜沉积条件
每个沉积薄膜的厚度通过椭偏仪测量，并且氮化硅薄膜的形成通过红外光谱法分析。图9示出通过椭偏仪分析的膜的厚度。这示出根据取代基的种类或数量，65到范围的薄膜的厚度彼此不同，并且确定，薄膜用于所有氮化硅薄膜应用领域。图10示出沉积的膜的红外光谱分析。
也就是说，确认由本发明制备的新的氨基-甲硅烷基胺化合物在形成高纯度的氮化硅薄膜中具有高价值，该氮化硅薄膜能够在低温下通过等离子体增强原子层沉积(PEALD)来沉积。
Claims (12)
1.一种由以下化学式1表示的氨基-甲硅烷基胺化合物：
化学式1
在化学式1中，
R1到R4各自独立地为氢、卤素、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C7)环烷基或(C6-C12)芳基，
R5和R6各自独立地为氢或甲基，
R7和R8各自独立地为氢、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C10)环烷基或(C6-C12)芳基，或连接形成5元到7元脂肪族环；
R1到R4的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基，和R7和R8的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基可进一步用卤素、(C1-C7)烷基、(C1-C7)烷氧基或(C1-C7)芳氧基取代。
2.根据权利要求1所述的氨基-甲硅烷基胺化合物，其中
R1到R4各自独立地为氢、卤素、(C1-C5)烷基、(C2-C5)链烯基、(C2-C5)炔基、(C3-C6)环烷基或(C6-C10)芳基，
R5和R6各自独立地为氢或甲基，和
R7和R8各自独立地为氢、(C1-C5)烷基、(C2-C5)链烯基、(C2-C5)炔基、(C3-C5)环烷基或(C6-C10)芳基。
3.根据权利要求2所述的氨基-甲硅烷基胺化合物，其中
R1到R4各自独立地为氢或(C1-C5)烷基，
R5和R6各自独立地为氢或甲基，和
R7和R8各自独立地为氢或(C1-C5)烷基。
4.根据权利要求1所述的氨基-甲硅烷基胺化合物，其中
化学式1选自以下化合物：
5.一种制备以下化学式1表示的氨基-甲硅烷基胺化合物的方法，所述方法包括：
在以下化学式2表示的碱或(C1-C7)烷基锂存在下，通过使以下化学式3表示的化合物与以下化学式4表示的化合物反应制备以下化学式5表示的化合物；和
通过使以下化学式5表示的化合物与以下化学式6表示的化合物反应制备以下化学式1表示的化合物：
化学式1
化学式2
N(R11)(R12)(R13)，
化学式3
化学式4
化学式5
化学式6
在化学式1到6中，
R11到R13各自独立地为(C1-C7)烷基；
R1到R4各自独立地为氢、卤素、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C7)环烷基或(C6-C12)芳基；
R5和R6各自独立地为氢或甲基；
R7和R8各自独立地为氢、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C10)环烷基或(C6-C12)芳基，或彼此相邻的取代基可连接形成5元到7元脂肪族环；
R1到R4的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基，和R7和R8的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基可进一步用卤素、(C1-C7)烷基、(C1-C7)烷氧基或(C1-C7)芳氧基取代；
M是碱金属；和
X1或X2是卤素。
6.根据权利要求5所述的方法，其中
化学式6表示的化合物通过使(C1-C7)烷基金属(其中所述金属是碱金属)与以下化学式7表示的化合物反应来制备：
化学式7
在化学式7中，
R7和R8各自独立地为氢、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C10)环烷基或(C6-C12)芳基，和
R7或R8的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基可进一步用卤素、(C1-C7)烷基、(C1-C7)烷氧基或(C1-C7)芳氧基取代。
7.一种用于制备以下化学式1表示的氨基-甲硅烷基胺化合物的方法，所述方法包括：
通过使以下化学式4表示的化合物与以下化学式6表示的化合物反应制备以下化学式8表示的化合物；和
在(C1-C7)烷基锂存在下，通过使以下化学式8表示的化合物与以下化学式3表示的化合物反应制备以下化学式1表示的化合物：
化学式1
化学式3
化学式4
化学式6
化学式8
在化学式1、3、4、6和8中，
R1到R4各自独立地为氢、卤素、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C7)环烷基或(C6-C12)芳基；
R5和R6各自独立地为氢或甲基；
R7和R8各自独立地为氢、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C10)环烷基或(C6-C12)芳基，或彼此相邻的取代基可连接形成5元到7元脂肪族环；
R1到R4的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基，和R7和R8的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基可进一步用卤素、(C1-C7)烷基、(C1-C7)烷氧基或(C1-C7)芳氧基取代；和
X1或X2是卤素。
8.一种用于制备以下化学式1表示的氨基-甲硅烷基胺化合物的方法，所述方法包括：
在以下化学式2表示的碱或(C1-C7)烷基锂存在下，通过使以下化学式3表示的化合物与以下化学式4表示的化合物反应制备以下化学式5表示的化合物；和
在以下化学式2表示的碱存在下，通过使以下化学式5表示的化合物与以下化学式7表示的化合物反应制备以下化学式1表示的化合物：
化学式1
化学式2
N(R11)(R12)(R13)，
化学式3
化学式4
化学式5
化学式9
在化学式1到5和9中，
R11到R13各自独立地为(C1-C7)烷基；
R1到R4各自独立地为氢、卤素、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C7)环烷基或(C6-C12)芳基；
R5和R6各自独立地为氢或甲基；
R7和R8各自独立地为氢、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C10)环烷基或(C6-C12)芳基，或彼此相邻的取代基可连接形成5元到7元脂肪族环；
R1到R4的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基，和R7和R8的烷基、链烯基、炔基、环烷基和芳基可进一步用卤素、(C1-C7)烷基、(C1-C7)烷氧基，或(C1-C7)芳氧基取代；和
X1或X2是卤素。
9.根据权利要求5-8中任一项所述的方法，进一步包括：
在以下化学式11表示的化合物存在下，通过使以下化学式12表示的化合物与以下化学式13表示的化合物反应制备以下化学式14表示的化合物；和
通过使以下化学式14表示的化合物与以下化学式15表示的化合物反应制备上述化学式3表示的化合物：
化学式11
MX11，
化学式12
化学式13
化学式14
化学式15
HN(R5)(R6)，
在化学式11到15中，
M是B、Al或Sn；
R21到R23各自独立地为(C1-C7)烷基；
R1到R2各自独立地为氢、卤素、(C1-C7)烷基、(C2-C7)链烯基、(C2-C7)炔基、(C3-C7)环烷基或(C6-C12)芳基；
R5和R6各自独立地为氢或甲基；和
X11和X12各自独立地为卤素。
10.一种用于薄膜沉积的含硅组合物，其包括权利要求1-4中任一项所述的氨基-甲硅烷基胺化合物。
11.一种制备含硅薄膜的方法，所述含硅薄膜包括权利要求1-4中任一项所述的三甲硅烷基胺化合物。
12.一种含硅薄膜，其通过使用权利要求1-4中任一项所述的氨基-甲硅烷基胺化合物而制备。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20130065399 | 2013-06-07 | ||
| KR10-2013-0065399 | 2013-06-07 | ||
| KR1020130159399A KR101600337B1 (ko) | 2013-06-07 | 2013-12-19 | 신규한 아미노실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막 |
| KR10-2013-0159399 | 2013-12-19 | ||
| CN201480032373.5A CN105377860B (zh) | 2013-06-07 | 2014-06-05 | 新氨基‑甲硅烷基胺化合物、制备其的方法和使用其的含硅薄膜 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201480032373.5A Division CN105377860B (zh) | 2013-06-07 | 2014-06-05 | 新氨基‑甲硅烷基胺化合物、制备其的方法和使用其的含硅薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107540705A true CN107540705A (zh) | 2018-01-05 |
| CN107540705B CN107540705B (zh) | 2020-05-08 |
Family
ID=52674362
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710660872.4A Active CN107540705B (zh) | 2013-06-07 | 2014-06-05 | 新氨基-甲硅烷基胺化合物、制备其的方法和使用其的含硅薄膜 |
| CN201480032373.5A Active CN105377860B (zh) | 2013-06-07 | 2014-06-05 | 新氨基‑甲硅烷基胺化合物、制备其的方法和使用其的含硅薄膜 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201480032373.5A Active CN105377860B (zh) | 2013-06-07 | 2014-06-05 | 新氨基‑甲硅烷基胺化合物、制备其的方法和使用其的含硅薄膜 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9586979B2 (zh) |
| JP (2) | JP6366698B2 (zh) |
| KR (2) | KR101600337B1 (zh) |
| CN (2) | CN107540705B (zh) |
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| US20220359192A1 (en) * | 2021-04-21 | 2022-11-10 | Entegris, Inc. | Silicon precursor compounds and method for forming silicon-containing films |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113373428B (zh) * | 2014-10-24 | 2023-07-14 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 组合物和使用所述组合物沉积含硅膜的方法 |
| KR20180110612A (ko) | 2017-03-29 | 2018-10-10 | (주)디엔에프 | 비스(아미노실릴)알킬아민 화합물을 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법 |
| KR102105976B1 (ko) * | 2017-03-29 | 2020-05-04 | (주)디엔에프 | 실리콘 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법 |
| KR102093227B1 (ko) * | 2017-04-20 | 2020-03-25 | (주)디엔에프 | 다이실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS511693B2 (zh) * | 1973-05-30 | 1976-01-20 | ||
| US5413813A (en) * | 1993-11-23 | 1995-05-09 | Enichem S.P.A. | CVD of silicon-based ceramic materials on internal surface of a reactor |
| KR100734393B1 (ko) | 2005-11-28 | 2007-07-02 | 주식회사 에이이티 | 실리콘 박막의 원자층 증착 방법 |
| US8101788B2 (en) * | 2006-09-29 | 2012-01-24 | Air Liquide Electronics U.S. Lp | Silicon precursors and method for low temperature CVD of silicon-containing films |
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| KR101216068B1 (ko) * | 2010-12-24 | 2012-12-27 | 주식회사 한솔케미칼 | 금속 산화물 또는 금속-규소 산화물 박막 증착용 유기 금속 전구체 및 이를 이용한 박막 증착 방법 |
-
2013
- 2013-12-19 KR KR1020130159399A patent/KR101600337B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-06-05 US US14/896,156 patent/US9586979B2/en active Active
- 2014-06-05 JP JP2016518275A patent/JP6366698B2/ja active Active
- 2014-06-05 CN CN201710660872.4A patent/CN107540705B/zh active Active
- 2014-06-05 CN CN201480032373.5A patent/CN105377860B/zh active Active
-
2015
- 2015-10-23 KR KR1020150147806A patent/KR102005940B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-05-14 JP JP2018093088A patent/JP6567131B2/ja active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN102827198A (zh) * | 2011-05-24 | 2012-12-19 | 气体产品与化学公司 | 有机氨基硅烷前体及其制备和使用方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101600337B1 (ko) | 2016-03-08 |
| KR20140143681A (ko) | 2014-12-17 |
| CN105377860A (zh) | 2016-03-02 |
| US20160122369A1 (en) | 2016-05-05 |
| KR20150123766A (ko) | 2015-11-04 |
| JP2018168154A (ja) | 2018-11-01 |
| JP2016526051A (ja) | 2016-09-01 |
| US9586979B2 (en) | 2017-03-07 |
| JP6366698B2 (ja) | 2018-08-01 |
| CN105377860B (zh) | 2018-01-23 |
| JP6567131B2 (ja) | 2019-08-28 |
| CN107540705B (zh) | 2020-05-08 |
| KR102005940B1 (ko) | 2019-08-01 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |