CN107528108B - 电介质滤波器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电介质滤波器，其具备：共振器主体，由电介质构成；周围电介质部，由相对介电常数比构成共振器主体的电介质还小的电介质构成，存在于共振器主体的周围；输入输出导体部，由导体构成，用于进行向共振器主体的电磁波供给和来自共振器主体的电磁波取出中的至少一方。共振器主体具有位于第一方向的两端的第一端面及第二端面。输入输出导体部以在使相当于第一端面的假想平面沿着第一方向向第二端面相反侧移动而形成的空间内包含输入输出导体部的至少一部分、或者输入输出导体部与空间接触的方式配置。

Description

电介质滤波器

技术领域

本发明涉及包含电介质共振器的电介质滤波器。

背景技术

当前，正在推进第五代移动通信系统(以下，称为5G)的标准化。在5G中，为了扩大高频带，正在研究利用10GHz以上的高频带，特别是30～300GHz的毫米波高频带。

作为通信装置所使用的电子部件，具有如带通滤波器那样包含共振器的滤波器。作为用于10GHz以上的高频带的滤波器，希望包含电介质共振器的电介质滤波器。

通常，电介质滤波器包含：由电介质构成的共振器主体、由相对介电常数比构成共振器主体的电介质小的电介质构成的周围电介质部、输入输出导体部。周围电介质部配置于共振器主体的周围。输入输出导体部用于进行向共振器主体的电磁波的供给和来自共振器主体的电磁波的取出中的至少一方。这种电介质滤波器记载于例如日本国特开2006－238027号公报、日本国特开平11－355005号公报或日本国特开平5－304401号公报中。

日本国特开2006－238027号公报记载有包含电介质基体、埋设于电介质基体的多个电介质共振器、输入部、输出部的电介质滤波器。在该电介质滤波器中，多个电介质共振器分别具有圆柱形状。多个电介质共振器以它们的轴向垂直于信号传输方向的姿势且以沿着信号传输方向隔开规定间隔的方式配置。输入部和输出部设置于电介质基体的内部，且在电介质基体的外表面伸出。输入部以输入部和一个电介质共振器沿着信号传输方向排列的方式配置于该电介质共振器附近。输出部以输出部和另一个电介质共振器沿着信号传输方向排列的方式配置于该电介质共振器附近。日本国特开2006－238027号公报的电介质共振器和电介质基体分别对应于上述的共振器主体和周围电介质部。另外，日本国特开2006－238027号公报的输入部和输出部共同对应于上述的输入输出导体部。

日本国特开平11－355005号公报记载有包含两个电介质基板、多个电介质共振器、两个微带线路、接地导体的滤波器。在该滤波器中，两个电介质基板夹着接地导体而配置在接地导体的上下。在上侧的电介质基板上形成有其上表面开口的多个孔。多个电介质共振器嵌入多个孔内。两个微带线路形成于上侧的电介质基板的上表面上。一个微带线路配置于一个电介质共振器附近。另一个微带线路配置于另一个电介质共振器附近。在上侧的电介质基板上形成有位于多个电介质共振器和接地导体之间的多个空腔。日本国特开平11－355005号公报的电介质共振器和电介质基板分别对应于上述的共振器主体和周围电介质部。另外，日本国特开平11－355005号公报的两个微带线路共同对应于上述的输入输出导体部。

日本国特开平5－304401号公报记载有包含两个电介质共振器、填充于两个电介质共振器的周边的树脂、被覆于该树脂的周围的薄膜电极、两个输入输出销的电介质滤波器。日本国特开平5－304401号公报的电介质共振器和树脂分别对应于上述的共振器主体和周围电介质部。另外，日本国特开平5－304401号公报的两个输入输出销共同对应于上述的输入输出导体部。

近年来，移动通信的流量越来越大。为了应对之，重要的是通信速度的高速化，并且广泛使用的高频带的确保。在5G等通信系统中，在以10GHz以上的高频带确保了广泛使用的高频带的情况下，作为其通信系统所使用的滤波器，要求使用相对带宽较大的滤波器。

但是，现有的电介质滤波器存在难以加大相对带宽之类的问题点。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种能够加大相对带宽的电介质滤波器。

本发明第一观点的电介质滤波器具备：

共振器主体，由电介质构成；

周围电介质部，由相对介电常数比构成共振器主体的电介质小的电介质构成，存在于共振器主体的周围；

输入输出导体部，由导体构成，用于进行向共振器主体的电磁波的供给和来自共振器主体的电磁波的取出中的至少一方。

共振器主体的第一方向的尺寸比垂直于第一方向的方向的共振器主体的最大尺寸大。共振器主体具有位于第一方向的两端的第一端面及第二端面。输入输出导体部以在使相当于第一端面的假想平面沿着第一方向向第二端面的相反侧移动而形成的空间内包含输入输出导体部的至少一部分、或者输入输出导体部与所述空间接触的方式配置。

在本发明第一观点的电介质滤波器中，也可为，垂直于第一方向的共振器主体的任一个截面的形状与从该截面到所述第一端面的距离无关，都是固定的。

另外，在本发明第一观点的电介质滤波器中，输入输出导体部也可以以其整体包含于所述空间的方式配置。

另外，在本发明第一观点的电介质滤波器中，输入输出导体部也可以具有位于第一方向的两端的第三端面及第四端面。第三端面比第四端面更靠近共振器主体的第一端面。输入输出导体部也可以具有关于与第一方向平行的轴的三次以上的旋转对称形状。另外，输入输出导体部也可以以第四端面在周围电介质部的外表面上露出的方式嵌入周围电介质部。另外，输入输出导体部的第一方向的尺寸也可以处于包含第四端面且平行于第一端面的假想平面和第一端面之间的距离的0.2～1倍的范围内。另外，输入输出导体部的第一方向的尺寸也可以比垂直于第一方向的方向的输入输出导体部的最大尺寸大。

另外，本发明第一观点的电介质滤波器也可以还具备由导体构成的屏蔽导体部。屏蔽导体部以周围电介质部的至少一部分介于共振器主体的至少一部分和屏蔽导体部之间的方式配置于共振器主体的周围。

本发明第二观点的电介质滤波器具备：

多个共振器主体，分别由电介质构成；

周围电介质部，由相对介电常数比构成多个共振器主体的电介质小的电介质构成，存在于多个共振器主体的周围；

第一输入输出导体部及第二输入输出导体部，分别由导体构成。

多个共振器主体中的在电路结构上相邻的两个共振器主体进行电磁耦合。多个共振器主体包含第一输入输出级共振器主体和第二输入输出级共振器主体。第一输入输出导体部用于进行向第一输入输出级共振器主体的电磁波的供给和来自第一输入输出级共振器主体的电磁波的取出中的至少一方。第二输入输出导体部用于进行向第二输入输出级共振器主体的电磁波的供给和来自第二输入输出级共振器主体的电磁波的取出中的至少一方。

第一及第二输入输出级共振器主体的各自的其第一方向的尺寸比垂直于第一方向的方向的第一及第二输入输出级共振器主体的各自的最大尺寸大。第一及第二输入输出级共振器主体分别具有位于第一方向的两端的第一端面及第二端面。

第一输入输出导体部以在使相当于第一输入输出级共振器主体的第一端面的假想平面沿着第一方向向第一输入输出级共振器主体的第二端面的相反侧移动而形成的第一空间内包含第一输入输出导体部的至少一部分、或者第一输入输出导体部与第一空间接触的方式配置，

第二输入输出导体部以在使相当于第二输入输出级共振器主体的第一端面的假想平面沿着第一方向向第二输入输出级共振器主体的第二端面的相反侧移动而形成的第二空间内包含第二输入输出导体部的至少一部分、或者第二输入输出导体部与第二空间接触的方式配置。

根据本发明第一及第二观点的电介质滤波器，能够减小依赖于输入输出导体部和共振器主体的电磁耦合的强度的外部Q，其结果是，能够加大电介质滤波器的相对带宽。

本发明的其他目的、特征及利益通过以下说明即可充分明白。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式的电介质滤波器的内部的立体图；

图2是表示本发明的一个实施方式的电介质滤波器的外观的立体图；

图3是表示本发明的一个实施方式的电介质滤波器的内部的立体图；

图4是表示本发明的一个实施方式的电介质滤波器的外观的立体图；

图5是表示图1及图3所示的电介质滤波器的内部的一部分的立体图；

图6是表示图1～图4所示的电介质滤波器的等效电路的电路图；

图7是表示第一输入输出导体部和第一输入输出级共振器主体的立体图；

图8是示意地表示围绕第一输入输出导体部产生的磁场的说明图；

图9是示意地表示围绕第一输入输出级共振器主体产生的磁场的说明图；

图10是用于对第一输入输出导体部和第一输入输出级共振器主体的位置关系进行说明的说明图；

图11是表示图10所示的L1和L2的比率与第一外部Q的之间的关系的特性图；

图12是用于对第一输入输出导体部和第一输入输出级共振器主体的位置关系进行说明的说明图；

图13是表示图12所示的L3和第一外部Q的关系的特性图；

图14是表示本发明的一个实施方式的电介质滤波器的透射衰减特性及反射衰减特性的一个例子的特性图；

图15是表示图1～图4所示的电介质滤波器的第1层电介质层的一面的说明图；

图16是表示图1～图4所示的电介质滤波器的第2层～第5层电介质层的一面的说明图；

图17是表示图1～图4所示的电介质滤波器的第6层电介质层的一面的说明图；

图18是表示图1～图4所示的电介质滤波器的第7层电介质层的一面的说明图；

图19是表示图1～图4所示的电介质滤波器的第8层及第9层电介质层的一面的说明图；

图20是表示图1～图4所示的电介质滤波器的第10层～第29层电介质层的一面的说明图；

图21是表示图1～图4所示的电介质滤波器的第30层电介质层的一面的说明图；

图22是表示图1～图4所示的电介质滤波器的第31层～第38层电介质层的一面的说明图。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。首先，参照图1至图5对本发明的一个实施方式的电介质滤波器的构造进行说明。图1及图3是表示本实施方式的电介质滤波器的内部的立体图。图2及图4是表示本实施方式的电介质滤波器的外观的立体图。图5是表示图1及图3所示的电介质滤波器的内部的一部分的立体图。

本实施方式的电介质滤波器1具备：由电介质构成的多个共振器主体、存在于多个共振器主体的周围的周围电介质部3、第一输入输出导体部4A、第二输入输出导体部4D、屏蔽导体部5。

周围电介质部3由相对介电常数比构成多个共振器主体的电介质小的电介质构成。构成周围电介质部3的电介质的相对介电常数例如为2～10的范围内。构成多个共振器主体的电介质的相对介电常数优选为构成周围电介质部3的电介质的相对介电常数的10倍以上。

第一输入输出导体部4A、第二输入输出导体部4D及屏蔽导体部5分别由导体形成。屏蔽导体部5以周围电介质部3的至少一部分介于多个共振器主体的至少一部分和屏蔽导体部5之间的方式配置于多个共振器主体的周围。

多个共振器主体中的在电路结构上相邻的两个共振器主体进行电磁耦合。此外，在本申请中，“电路结构上”这种表达不是用来指物理结构上的配置，而是指电路图上的配置。多个共振器主体包含第一输入输出级共振器主体2A、第二输入输出级共振器主体2D。第一输入输出导体部4A用于进行向第一输入输出级共振器主体2A的电磁波的供给和来自第一输入输出级共振器主体2A的电磁波的取出中的至少一方。第二输入输出导体部4D用于进行向第二输入输出级共振器主体2D的电磁波的供给和来自第二输入输出级共振器主体2D的电磁波的取出中的至少一方。

多个共振器主体除包含第一及第二输入输出级共振器主体以外，在电路结构上，也可以还包含位于第一输入输出级共振器主体和第二输入输出级共振器主体之间的一个以上的中间共振器主体。在本实施方式中，特别是多个共振器主体包含两个中间共振器主体2B、2C作为一个以上的中间共振器主体。

这里，如图1～图5所示，定义了X向、Y向及Z向。X向、Y向及Z向相互垂直。第一及第二输入输出级共振器主体2A、2D分别是其Z向的尺寸比垂直于Z向的方向的第一及第二输入输出级共振器主体2A、2D各自的最大尺寸还大。另外，第一及第二输入输出级共振器主体2A、2D分别具有位于Z向两端的第一端面2a及第二端面2b。此外，第一及第二端面2a、2b表示在后述的图7中。在本实施方式中，特别是垂直于Z向的第一输入输出级共振器主体2A的任一个截面的形状都与从其截面到第一端面2a的距离无关，都是固定的。同样，垂直于Z向的第二输入输出级共振器主体2D的任一个截面的形状也都与从其截面到第一端面2a的距离无关，都是固定的。此外，Z向对应于本发明的第一方向。

上述的第一及第二输入输出级共振器主体2A、2D的形状的说明也适用于中间共振器主体2B、2C。在本实施方式中，共振器主体2A、2B、2C、2D的共振模式都是TM模式。

图1～图5表示第一及第二输入输出级共振器主体2A、2D和中间共振器主体2B、2C分别具有长方体形状的例子。但是，第一及第二输入输出级共振器主体2A、2D和中间共振器主体2B、2C各自的形状不局限于该例，例如，也可以为圆柱形状。

周围电介质部3呈具有外表面的长方体形状。周围电介质部3的外表面包含位于Z向上的相互相反侧的下表面3a及上表面3b、连接下表面3a和上表面3b的四个侧面3c、3d、3e、3f。侧面3c、3d位于Y向上的相互相反侧。侧面3e、3f位于X向上的相互相反侧。图1及图2表示从上表面3b侧看到的电介质滤波器1。图3及图4表示从下表面3a侧看到的电介质滤波器1。

第一及第二输入输出级共振器主体2A、2D位于比中间共振器主体2B、2C更靠近周围电介质部3的侧面3c的位置。第一及第二输入输出级共振器主体2A、2D从周围电介质部3的侧面3e侧起依次排列。中间共振器主体2B、2C位于比第一及第二输入输出级共振器主体2A、2D更靠近周围电介质部3的侧面3d的位置。中间共振器主体2B、2C从周围电介质部3的侧面3e侧起依次排列。

第一及第二输入输出导体部4A、4D分别具有位于Z向两端的第三端面4a及第四端面4b。此外，第三及第四端面4a、4b表示在后述的图7中。第一输入输出导体部4A配置于第一输入输出级共振器主体2A的附近。第一输入输出导体部4A的第三端面4a比第一输入输出导体部4A的第四端面4b更靠近第一输入输出级共振器主体2A的第一端面2a。第一输入输出导体部4A以其第四端面4b在周围电介质部3的下表面3a上露出的方式嵌入周围电介质部3。

第二输入输出导体部4D配置于第二输入输出级共振器主体2D的附近。第二输入输出导体部4D的第三端面4a比第二输入输出导体部4D的第四端面4b更靠近第二输入输出级共振器主体2D的第一端面2a。第二输入输出导体部4D以其第四端面4b在周围电介质部3的下表面3a上露出的方式嵌入周围电介质部3。

关于输入输出级共振器主体2A、2D及输入输出导体部4A、4D的形状、输入输出级共振器主体2A和输入输出导体部4A的位置关系以及输入输出级共振器主体2D和输入输出导体部4D的位置关系，后面进行详细说明。

屏蔽导体部5包含分别位于周围电介质部3的内部的第一内部屏蔽导体层51及第二内部屏蔽导体层52、位于周围电介质部3的外表面上的外部导体部53。

外部导体部53包含外部屏蔽导体层53A、53B、53C、53D、53E、53F。外部屏蔽导体层53A位于周围电介质部3的下表面3a上。外部屏蔽导体层53B位于周围电介质部3的上表面3b上。外部屏蔽导体层53C、53D、53E、53F分别位于周围电介质部3的侧面3c、3d、3e、3f上。图1及图3表示电介质滤波器1中的去掉了外部屏蔽导体层53B、53C、53D、53E、53F的部分。

外部屏蔽导体层53A～53F分别在其外缘上与相邻的其他四个屏蔽导体层连接。外部屏蔽导体层53A具有：使第一输入输出导体部4A的第四端面4b和其周围的下表面3a的一部分露出的第一开口部、使第二输入输出导体部4D的第四端面4b和其周围的下表面3a的另一部分露出的第二开口部。

第一内部屏蔽导体层51和共振器主体2A、2B、2C、2D各者之间的距离比至少一个外部屏蔽导体层和共振器主体2A、2B、2C、2D各者之间的距离小。在本实施方式中，特别是第一内部屏蔽导体层51和共振器主体2A、2B、2C、2D各者之间的距离比任一个外部屏蔽导体层和共振器主体2A、2B、2C、2D各者之间的距离都小。

在本实施方式中，第一内部屏蔽导体层51与共振器主体2A、2B、2C、2D接触。具体地说，第一内部屏蔽导体层51与共振器主体2A、2B、2C、2D各者的第二端面2b接触。

外部导体部53包含具有第一导电率的至少一个外部屏蔽导体层。在本实施方式中，特别是外部屏蔽导体层53B、53C、53D、53E、53F具有第一导电率。第一内部屏蔽导体层51具有大于第一导电率的第二导电率。外部屏蔽导体层53A具有第二导电率以下的导电率。外部屏蔽导体层53A的导电率也可以与第一导电率相等。另外，第二内部屏蔽导体层52具有大于第一导电率的导电率。第二内部屏蔽导体层52的导电率也可以与第二导电率相等。

如上所述，第一及第二内部屏蔽导体层51、52的导电率比外部导体部53中的至少外部屏蔽导体层53B、53C、53D、53E、53F的导电率大。该导电率的差异起因于后述的电介质滤波器1的制造方法。

周围电介质部3具有层叠在一起的多个电介质层。另外，周围电介质部3包含夹着第一内部屏蔽导体层51的第一电介质部3A和第二电介质部3B。共振器主体2A、2B、2C、2D位于第一电介质部3A内。关于多个电介质层，后面进行详细说明。

第二电介质部3B具有：与第一内部屏蔽导体层51接触的第一面、第一面相反侧的第二面。第二电介质部3B的第二面构成周围电介质部3的上表面3b。外部屏蔽导体层53B位于第二电介质部3B的第二面上。

第一内部屏蔽导体层51与外部导体部53电性连接。在本实施方式中，第一内部屏蔽导体层51直接与外部屏蔽导体层53C～53F电性连接。另外，电介质滤波器1还具备多个通孔，该多个通孔形成于第二电介质部3B，并将第一内部屏蔽导体层51和外部屏蔽导体层53B电性连接。在本实施方式中，将在Z向上串联连接在一起的多个通孔的集合体称为通孔列。形成于第二电介质部3B的上述的多个通孔构成图1及图3所示的多个通孔列6E。第一内部屏蔽导体层51经由多个通孔列6E与外部屏蔽导体层53B电性连接。

第一内部屏蔽导体层51具有多个缺口部。各个缺口部具有从第一内部屏蔽导体层51的外周部向内侧凹的形状。多个缺口部用于使第一电介质部3A和第二电介质部3B部分地接触而将两者接合在一起。

第二内部屏蔽导体层52位于第一电介质部3A内。共振器主体2A、2B、2C、2D位于第一内部屏蔽导体层51和第二内部屏蔽导体层52之间。第二内部屏蔽导体层52直接与外部屏蔽导体层53D～53F电性连接。在第二内部屏蔽导体层52的外周部中的外部屏蔽导体层53D～53F附近的部分，形成有与第一内部屏蔽导体层51的多个缺口部同样的多个缺口部。该多个缺口部用于使夹着第二内部屏蔽导体层52的两个电介质层部分地接触而将两者接合在一起。

如图1、图3及图5所示，电介质滤波器1还具备形成于第一电介质部3A的多个通孔列。该多个通孔列包含：多个通孔列6A、多个通孔列6B、多个通孔列6C、多个通孔列6D、多个通孔列6F。多个通孔列6A介于第一输入输出级共振器主体2A和第二输入输出级共振器主体2D之间。多个通孔列6B介于第一输入输出级共振器主体2A和中间共振器主体2B之间。多个通孔列6C介于中间共振器主体2B和中间共振器主体2C之间。多个通孔列6D介于中间共振器主体2C和第二输入输出级共振器主体2D之间。多个通孔列6F将第二内部屏蔽导体层52和外部屏蔽导体层53A电性连接。

电介质滤波器1还具备配置于周围电介质部3的下表面3a的第一输入输出端子8A和第二输入输出端子8D。第一输入输出端子8A与第一输入输出导体部4A的第四端面4b连接。第二输入输出端子8D与第二输入输出导体部4D的第四端面4b连接。

电介质滤波器1包含多个电介质共振器。一个电介质共振器具备：一个共振器主体、周围电介质部3、屏蔽导体部5。周围电介质部3和屏蔽导体部5共同用于构成多个电介质共振器。

多个电介质共振器包含第一输入输出级共振器12A和第二输入输出级共振器12D。此外，符号12A、12D未表示在图1～图5中，但表示在后述的图6中。第一输入输出级共振器12A具备：第一输入输出级共振器主体2A、周围电介质部3、屏蔽导体部5。第二输入输出级共振器12D具备：第二输入输出级共振器主体2D、周围电介质部3、屏蔽导体部5。

在多个共振器主体包含一个以上的中间共振器主体的情况下，多个电介质共振器除包含第一及第二输入输出级共振器12A、12D以外，还包含一个以上的中间共振器。一个以上的中间共振器在电路结构上位于第一输入输出级共振器12A和第二输入输出级共振器12D之间。一个中间共振器具备：一个中间共振器主体、周围电介质部、屏蔽导体部。在本实施方式中，特别是多个电介质共振器包含两个中间共振器12B、12C作为一个以上的中间共振器。此外，符号12B、12C未表示在图1～图5中，但表示在后述的图6中。中间共振器12B具备：中间共振器主体2B、周围电介质部3、屏蔽导体部5。中间共振器12C具备：中间共振器主体2C、周围电介质部3、屏蔽导体部5。

屏蔽导体部5中的第一内部屏蔽导体层51是共振器12A、12B、12C、12D构成要素。屏蔽导体部5中的第二内部屏蔽导体层52是共振器12B、12C的构成要素，但不是共振器12A、12D的构成要素。

屏蔽导体部5具有封闭由共振器主体2A、2B、2C、2D辐射的电磁波而降低辐射损耗的功能。关于本实施方式的屏蔽导体部5包含第一及第二内部屏蔽导体层51、52的理由，后面进行说明。多个通孔列6E通过将第一内部屏蔽导体层51和外部屏蔽导体层53B电性连接，可提高屏蔽导体部5的上述功能。同样，多个通孔列6F通过将第二内部屏蔽导体层52和外部屏蔽导体层53A电性连接，可提高屏蔽导体部5的上述功能。

接着，参照图1及图7对第一及第二输入输出级共振器主体2A、2D和第一及第二输入输出导体部4A、4D的形状进行说明。图7是表示第一输入输出导体部4A和第一输入输出级共振器主体2A的立体图。如图7所示，垂直于Z向(第一方向)的方向的第一输入输出导体部4A的最大尺寸优选比垂直于Z向的方向的第一输入输出级共振器主体2A的最大尺寸小。同样，垂直于Z向的方向的第二输入输出导体部4D的最大尺寸优选比垂直于Z向的方向的第二输入输出级共振器主体2D的最大尺寸小。

第一及第二输入输出导体部4A、4D以及第一及第二输入输出级共振器主体2A、2D都优选具有关于与Z向(第一方向)平行的轴的三次以上的旋转对称形状，更优选具有关于与Z向平行的轴的四次以上的旋转对称形状。关于与Z向平行的轴的三次以上的旋转对称形状也包含垂直于Z向的截面的形状成为圆形的形状。

图1表示第一及第二输入输出导体部4A、4D以及第一及第二输入输出级共振器主体2A、2D都具有关于与Z向(第一方向)平行的轴(以下，称为中心轴)的四次以上的旋转对称形状的例子。在图7中，符号C1表示第一输入输出导体部4A的中心轴，符号C2表示第一输入输出级共振器主体2A的中心轴。

在图1所示的例子中，第一及第二输入输出导体部4A、4D的形状是垂直于Z向的截面的形状成为圆形的形状。但是，第一及第二输入输出导体部4A、4D的形状不局限于该例，例如，也可以是垂直于Z向的截面的形状成为正方形的形状。

另外，在图1所示的例子中，第一及第二输入输出级共振器主体2A、2D的形状是垂直于Z向的截面的形状成为正方形的形状。但是，第一及第二输入输出级共振器主体2A、2D的形状不局限于该例，例如，也可以是垂直于Z向的截面的形状成为圆形的形状。

接着，参照图6对电介质滤波器1的电路结构进行说明。图6表示电介质滤波器1的等效电路。如图6所示，电介质滤波器1除包含上述的第一输入输出级共振器12A、第一中间共振器12B、第二中间共振器12C及第二输入输出级共振器12D以外，还包含第一输入输出部14A和第二输入输出部14D。

第一输入输出部14A由第一输入输出端子8A和第一输入输出导体部4A构成。第二输入输出部14D由第二输入输出端子8D和第二输入输出导体部4D构成。

第一输入输出级共振器12A、第一中间共振器12B、第二中间共振器12C及第二输入输出级共振器12D在电路结构上从第一输入输出部14A侧起依次设置于第一输入输出部14A和第二输入输出部14D之间。

共振器12A、12B、12C、12D分别具有电感和电容。

在电路结构上相邻的两个共振器进行电磁耦合。另外，第一输入输出部14A和第一输入输出级共振器12A也进行电磁耦合，第二输入输出部14D和第二输入输出级共振器12D也进行电磁耦合。

图6表示在第一输入输出部14A连接有信号源15且在第二输入输出部14D连接有负荷16的例子。但是，也可以在第二输入输出部14D连接信号源15，且在第一输入输出部14A连接负荷16。

电介质滤波器1构成带通滤波器。决定由该电介质滤波器1构成的带通滤波器的特性的主要参数是：共振器12A、12B、12C、12D各者的共振频率、电磁耦合的多组要素间的各自的耦合系数、通过第一输入输出部14A和第一输入输出级共振器12A的电磁耦合而产生的第一外部Q、通过第二输入输出部14D和第二输入输出级共振器12D的电磁耦合而产生的第二外部Q。

第一外部Q依赖于第一输入输出部14A和第一输入输出级共振器12A的电磁耦合，随着该电磁耦合增强而减小。同样，第二外部Q依赖于第二输入输出部14D和第二输入输出级共振器12D的电磁耦合，随着该电磁耦合增强而减小。

由电介质滤波器1构成的带通滤波器的相对带宽与第一及第二外部Q成反比。因此，为了增大该带通滤波器的相对带宽，有效的是减小第一及第二外部Q，即，分别加强第一输入输出部14A和第一输入输出级共振器12A的电磁耦合、第二输入输出部14D和第二输入输出级共振器12D的电磁耦合。

在本实施方式中，第一输入输出部14A和第一输入输出级共振器12A的电磁耦合取决于第一输入输出导体部4A和第一输入输出级共振器主体2A的电磁耦合。另外，第二输入输出部14D和第二输入输出级共振器12D的电磁耦合取决于第二输入输出导体部4D和第二输入输出级共振器主体2D的电磁耦合。

根据本实施方式，能够分别加强第一输入输出导体部4A和第一输入输出级共振器主体2A的电磁耦合、第二输入输出导体部4D和第二输入输出级共振器主体2D的电磁耦合。由此，根据本实施方式，能够减小第一及第二外部Q，而增大由电介质滤波器1构成的带通滤波器的相对带宽。下面，对其理由进行详细说明。

图7表示第一输入输出导体部4A和第一输入输出级共振器主体2A的位置关系。

如图7所示，假定第一空间S，该第一空间S是使相当于第一输入输出级共振器主体2A的第一端面2a的假想平面沿着Z向(第一方向)向第一输入输出级共振器主体2A的第二端面2b相反侧移动而形成的。第一输入输出导体部4A以在第一空间S内包含第一输入输出导体部4A的至少一部分、或者第一输入输出导体部4A与第一空间S接触的方式配置。第一输入输出导体部4A优选以在第一空间S内包含第一输入输出导体部4A的至少一部分的方式配置，更优选以其整体包含在第一空间S内的方式配置。

图8是示意地表示在第一输入输出导体部4A内沿第一方向通以信号电流时而围绕第一输入输出导体部4A产生的磁场M1的图。图9是示意地表示在由第一输入输出级共振器12A产生了共振时而围绕第一输入输出级共振器主体2A产生的磁场M2的图。在图8及图9中，垂直于纸面的方向为Z向，即，第一方向。对应于磁场M1的磁力线和对应于磁场M2的磁力线都以平行于Z向(第一方向)的轴为中心而旋转的方式分布。即，这些磁力线的分布相似。因此，根据本实施方式，能够增强第一输入输出导体部4A和第一输入输出级共振器主体2A的电磁耦合，特别是磁耦合。由此，根据本实施方式，能够减小第一外部Q。

虽未图示，但第二输入输出导体部4D和第二输入输出级共振器主体2D的位置关系与图7所示的第一输入输出导体部4A和第一输入输出级共振器主体2A的位置关系同样。即，假定第二空间，该第二空间是使相当于第二输入输出级共振器主体2D的第一端面2a的假想平面沿着Z向(第一方向)向第二输入输出级共振器主体2D的第二端面2b相反侧移动而形成的。第二输入输出导体部4D以在第二空间内包含第二输入输出导体部4D的至少一部分、或者第二输入输出导体部4D与第二空间接触的方式配置。第二输入输出导体部4D优选以在第二空间内包含第二输入输出导体部4D的至少一部分的方式配置，更优选以其整体包含在第二空间内的方式配置。根据本实施方式，能够增强第二输入输出导体部4D和第二输入输出级共振器主体2D的电磁耦合，特别是磁耦合。由此，根据本实施方式，能够减小第二外部Q。

在本实施方式中，通过第一输入输出导体部4A的形状、第一输入输出导体部4A和第一输入输出级共振器主体2A的位置关系，来改变第一输入输出导体部4A和第一输入输出级共振器主体2A的电磁耦合的强度。因此，在本实施方式中，通过第一输入输出导体部4A的形状、第一输入输出导体部4A和第一输入输出级共振器主体2A的位置关系，能够调节第一外部Q。

下面，参照图10及图11对调节第一外部Q的方法之一例进行说明。

图10是用于对第一输入输出导体部4A和第一输入输出级共振器主体2A的位置关系进行说明的说明图。首先，如图10所示，设第一输入输出导体部4A的Z向(第一方向)的尺寸为L1。另外，设包含第一输入输出导体部4A的第四端面4b且与第一输入输出级共振器主体2A的第一端面2a平行的假想平面P和第一输入输出级共振器主体2A的第一端面2a之间的距离为L2。第一外部Q通过L1/L2的值而变化。

这里，对调查L1/L2和第一外部Q的关系的第一模拟的结果进行说明。在第一模拟中，使第一输入输出导体部4A的中心轴C1和第一输入输出级共振器主体2A的中心轴C2一致，将L2设为220μm，通过改变L1，来改变L1/L2。

图11是表示通过第一模拟而求出的L1/L2和第一外部Q的关系的特性图。在图11中，横轴为L1/L2，纵轴为第一外部Q。如图11所示，L1/L2越大，第一外部Q越小。因此，通过L1/L2的值，能够调节第一外部Q。

在L1/L2为0.2～1的范围时，第一外部Q的变化量相对于L1/L2的变化量的比例大致恒定。因此，在L1/L2为0.2～1的范围时，容易进行基于L1/L2的值的第一外部Q的调节。另外，在L1/L2为0.2～1的范围时，第一外部Q比L1/L2为0即L1为0的情况小5％以上。由此，L1/L2优选为0.2～1的范围内。换句话说，L1优选为L2的0.2～1倍的范围内。

另外，如上所述，L1/L2越大，第一外部Q越小。从增大由电介质滤波器1构成的带通滤波器的相对带宽的观点来看，L1/L2更优选为0.5～1的范围内。

接着，参照图12及图13对第二模拟的结果进行说明。图12是用于对第一输入输出导体部4A和第一输入输出级共振器主体2A的位置关系进行说明的说明图。在第二模拟中，如图12所示，将中心偏移量L3定义为第一输入输出导体部4A的中心轴C1和第一输入输出级共振器主体2A的中心轴C2的偏离量，来调查中心偏移量L3和第一外部Q的关系。在第二模拟中，将第一输入输出级共振器主体2A的第一端面2a的形状设为一边的长度为200μm的正方形。另外，设图10所示的L1为200μm，设图10所示的L2为220μm。

图13是表示通过第二模拟而求出的中心偏移量L3和第一外部Q的关系的特性图。在图13中，横轴为中心偏移量L3，纵轴为第一外部Q。如图13所示，中心偏移量L3越大，第一外部Q越大。另外，中心偏移量L3越大，第一外部Q的变化量相对于中心偏移量L3的变化量的比例越大。当该比例大时，由第一输入输出导体部4A相对于第一输入输出级共振器主体2A的相对位置的偏差引起的第一外部Q的偏差就大。

在第二模拟中，表示第一输入输出级共振器主体2A的第一端面2a的外缘的图形的内切圆的半径为100μm。如图13所示，在中心偏移量L3为0～100μm的范围内时，第一外部Q充分小，且第一外部Q的变化量相对于中心偏移量L3的变化量的比例也充分小。因此，中心偏移量L3优选为上述内切圆的半径以下。另外，如果中心偏移量L3为上述内切圆的半径以下，则必定在图7所示的第一空间S内包含第一输入输出导体部4A的至少一部分。由此，中心偏移量L3优选为上述内切圆的半径以下。

第二输入输出导体部4D和第二输入输出级共振器主体2D的优选的位置关系与上述的第一输入输出导体部4A和第一输入输出级共振器主体2A的优选的位置关系同样。

如上所述，根据本实施方式，能够减小第一及第二外部Q，其结果是，能够加大电介质滤波器1的相对带宽。

图14是表示本实施方式的电介质滤波器1的透射衰减特性及反射衰减特性之一例的特性图。在图14中，横轴为频率，纵轴为衰减量。另外，在图14中，带有符号101的曲线表示电介质滤波器1的透射衰减特性之一例，带有符号102的曲线表示电介质滤波器1的反射衰减特性之一例。

接着，参照图15～图22对周围电介质部3的多个电介质层进行详细说明。周围电介质部3具有层叠在一起的38层电介质层。以下，将该38层电介质层按照从下往上的顺序称为第1层～第38层电介质层。图15表示第1层电介质层的一面。图16表示第2层～第5层电介质层的一面。图17表示第6层电介质层的一面。图18表示第7层电介质层的一面。图19表示第8层及第9层电介质层的一面。图20表示第10层～第29层电介质层的一面。图21表示第30层电介质层的一面。图22表示第31层～第38层电介质层的一面。图15～图22所示的电介质层的一面都是图1～图4的朝向下方的面。以下，用符号301～338表示第1层～第38层电介质层。

如图15所示，在第1层电介质层301的一面上形成有外部屏蔽导体层53A和第一及第二输入输出端子8A、8D。另外，在电介质层301上形成有：构成第一输入输出导体部4A的通孔41A、构成第二输入输出导体部4D的通孔41D、构成多个通孔列6A的多个通孔61A、构成多个通孔列6F的多个通孔61F。通孔41A、41D分别与第一及第二输入输出端子8A、8D连接。多个通孔61A和多个通孔61F与外部屏蔽导体层53A连接。

如图16所示，在第2层～第5层电介质层302～305上分别形成有：构成第一输入输出导体部4A的通孔42A、构成第二输入输出导体部4D的通孔42D、构成多个通孔列6A的多个通孔62A、构成多个通孔列6F的多个通孔62F。

如图17所示，在第6层电介质层306上形成有：构成多个通孔列6A的多个通孔63A、构成多个通孔列6F的多个通孔63F。

如图18所示，在第7层电介质层307的一面上形成有第二内部屏蔽导体层52。另外，在电介质层307上形成有：构成多个通孔列6A的多个通孔64A、构成多个通孔列6B的多个通孔64B、构成多个通孔列6C的多个通孔64C、构成多个通孔列6D的多个通孔64D。多个通孔64B、多个通孔64C、多个通孔64D、图17所示的多个通孔63F都与第二内部屏蔽导体层52连接。

如图19所示，在第8层及第9层电介质层308、309上分别形成有：构成多个通孔列6A的多个通孔65A、构成多个通孔列6B的多个通孔65B、构成多个通孔列6C的多个通孔65C、构成多个通孔列6D的多个通孔65D。

如图20所示，在第10层～第29层电介质层310～329上分别形成有：构成多个通孔列6A的多个通孔66A、构成多个通孔列6B的多个通孔66B、构成多个通孔列6C的多个通孔66C、构成多个通孔列6D的多个通孔66D。第一及第二输入输出级共振器主体2A、2D和中间共振器主体2B、2C以贯通电介质层310～329的方式设置。

如图21所示，在第30层电介质层330的一面上形成有第一内部屏蔽导体层51。另外，在电介质层330上形成有构成多个通孔列6E的多个通孔67E。

如图22所示，在第31层～第38层电介质层331～338上分别形成有构成多个通孔列6E的多个通孔68E。

电介质滤波器1中的外部屏蔽导体层53B、53C、53D、53E、53F以外的部分通过以图15所示的第1层电介质层301的一面成为周围电介质部3的下表面3a的方式层叠第1层～第38层电介质层301～338而构成。

在本实施方式中，第一输入输出导体部4A通过一个通孔41A和四个通孔42A在Z向上串联连接而构成。另外，第二输入输出导体部4D通过一个通孔41D和四个通孔42D在Z向上串联连接而构成。

接着，对本实施方式的电介质滤波器1的制造方法进行说明。电介质滤波器1的制造方法包含：制作层叠体的工序、形成外部导体部53和第一及第二输入输出端子8A、8D的工序，所述层叠体包含：周围电介质部3、共振器主体2A、2B、2C、2D、第一及第二输入输出导体部4A、4D、第一及第二内部屏蔽导体层51、52、周围电介质部3内的多个通孔列。

制作层叠体的工序包含：制作烧成前层叠体的工序、将烧成前层叠体烧成而形成周围电介质部3和第一及第二内部屏蔽导体层51、52的工序，所述烧成前层叠体包含：成为多个电介质层301～338的多个烧成前的陶瓷片、成为第一及第二内部屏蔽导体层51、52的烧成前的两个内部屏蔽导体层。上述烧成前的两个内部屏蔽导体层使用导体膏而形成。

在多个烧成前的陶瓷片上形成有成为图15～图22所示的多个通孔的烧成前的多个通孔。烧成前的多个通孔在将烧成前层叠体烧成时被烧成，变成图15～图22所示的多个通孔。

在制作烧成前层叠体的工序中，如下那样将共振器主体2A、2B、2C、2D嵌入到烧成前层叠体内。首先，将成为图20所示的电介质层310～329的多个烧成前的陶瓷片层叠，形成烧成前层叠体的一部分。接着，在该烧成前层叠体的局部，形成用于收纳共振器主体2A、2B、2C、2D的四个收纳部。接着，将共振器主体2A、2B、2C、2D收纳在该四个收纳部。接着，将上述烧成前层叠体的一部分和构成烧成前层叠体的其余部分的多个烧成前的陶瓷片层叠，完成烧成前层叠体。

形成外部导体部53和第一及第二输入输出端子8A、8D的工序包含如下工序：在制作上述层叠体的工序的同时，或者在制作上述层叠体的工序之后，形成至少一个外部屏蔽导体层。

下面，对形成外部导体部53和第一及第二输入输出端子8A、8D的工序的第一～第三例进行说明。

在第一例中，使用导体膏，在成为电介质层301的烧成前的陶瓷片上形成：成为外部屏蔽导体层53A的烧成前的外部屏蔽导体层、成为第一及第二输入输出端子8A、8D的烧成前的两个输入输出端子，制作包含它们的烧成前层叠体。烧成前的外部屏蔽导体层和烧成前的两个输入输出端子在将烧成前层叠体烧成时被烧成，变成外部屏蔽导体层53A和第一及第二输入输出端子8A、8D。因此，在第一例中，外部屏蔽导体层53A和第一及第二输入输出端子8A、8D在制作层叠体的工序的同时形成。在第一例中，使用导体膏，在层叠体的表面形成成为外部屏蔽导体层53B、53C、53D、53E、53F的烧成前的五个导体层，然后将其烧成，形成外部屏蔽导体层53B、53C、53D、53E、53F。因此，在第一例中，外部屏蔽导体层53B、53C、53D、53E、53F是在制作层叠体的工序之后形成的。

在第二例中，与第一例同样，在制作出烧成前层叠体以后，使用导体膏而在烧成前层叠体的表面形成成为外部屏蔽导体层53B、53C、53D、53E、53F的烧成前的五个导体层。其后，将烧成前层叠体烧成，同时形成层叠体、外部屏蔽导体层53A～53F、第一及第二输入输出端子8A、8D。因此，在第二例中，外部屏蔽导体层53A～53F和第一及第二输入输出端子8A、8D在制作层叠体的工序的同时形成。

在第三例中，与第一例同样，在制作出层叠体以后，使用薄膜形成方法，在层叠体的表面上形成外部屏蔽导体层53B、53C、53D、53E、53F。在第三例中，外部屏蔽导体层53A和第一及第二输入输出端子8A、8D在制作层叠体的工序的同时形成，外部屏蔽导体层53B、53C、53D、53E、53F在制作层叠体的工序之后形成。外部屏蔽导体层53B、53C、53D、53E、53F分别包含：通过例如溅射法或真空蒸镀法而形成的第一层、在该第一层上通过例如电镀法而形成的第二层。

在第一及第二例中，作为用于形成外部屏蔽导体层53B、53C、53D、53E、53F的导体膏，使用如相对于周围电介质部3的粘接力比用于形成第一及第二内部屏蔽导体层51、52的导体膏还大那样的组成的导体膏，具体地说，使用玻璃成分的比例较大的组成的导体膏。因此，第一及第二内部屏蔽导体层51、52的导电率比外部屏蔽导体层53B、53C、53D、53E、53F的导电率即第一导电率大。

在第三例中，作为构成外部屏蔽导体层53B、53C、53D、53E、53F各者的第一层的材料，使用导电率比第二层小但相对于周围电介质部3的密合力较大的材料。其结果是，第一层的导电率比第二层的导电率及第一及第二内部屏蔽导体层51、52的导电率小。外部屏蔽导体层53B、53C、53D、53E、53F各者的实质上的导电率是与周围电介质部3接触的第一层的导电率。因此，第一及第二内部屏蔽导体层51、52的导电率比第一导电率大。

在第一～第三例中的任一例中，作为用于形成外部屏蔽导体层53A的导体膏，都优选使用如相对于周围电介质部3的粘接力比用于形成第一及第二内部屏蔽导体层51、52的导体膏还大那样的组成的导体膏，具体地说，使用玻璃成分的比例较大的组成的导体膏。在这种情况下，第一及第二内部屏蔽导体层51、52的导电率比外部屏蔽导体层53A、53B、53C、53D、53E、53F的导电率大。

第一导电率为例如20×10⁶S/m～30×10⁶S/m的范围内。第一内部屏蔽导体层51的导电率即第二导电率和第二内部屏蔽导体层52的导电率为例如22×10⁶S/m～50×10⁶S/m的范围内。第二导电率和第二内部屏蔽导体层52的导电率优选比第一导电率大第一导电率的30％以上。

第一内部屏蔽导体层51和共振器主体2A、2B、2C、2D各者之间的距离比任一个外部屏蔽导体层和共振器主体2之间的距离都小。这样，通过在共振器主体2A、2B、2C、2D附近设置第一内部屏蔽导体层51，能够在共振器12A、12B、12C、12D中使高次相邻共振模式的共振频率除以共振模式的共振频率所得的值比不设置第一内部屏蔽导体层51时还大，其结果是，能够降低高次相邻共振模式的影响。

同样，通过在共振器主体2B、2C附近设置第二内部屏蔽导体层52，能够在共振器12B、12C中使高次相邻共振模式的共振频率除以共振模式的共振频率所得的值比不设置第二内部屏蔽导体层52时还大，其结果是，能够降低高次相邻共振模式的影响。

顺便说一下，为了降低高次相邻共振模式的影响，也考虑例如不设置第一内部屏蔽导体层51，而是使外部屏蔽导体层53B接近共振器主体2A、2B、2C、2D。但是，在这种情况下，因为外部屏蔽导体层53B的导电率比第一内部屏蔽导体层51的导电率小，所以会产生导体损耗增加而共振器12A、12B、12C、12D的Q变小之类的问题。

与此相对，根据本实施方式，能够将具有比外部屏蔽导体层53B的导电率还大的导电率的第一内部屏蔽导体层51配置在共振器主体2A、2B、2C、2D附近。由此，根据本实施方式，能够在共振器12A、12B、12C、12D中降低高次相邻共振模式的影响，且能够加大共振器12A、12B、12C、12D的Q。

同样，通过在共振器主体2B、2C附近设置第二内部屏蔽导体层52，能够在共振器12B、12C中降低高次相邻共振模式的影响，且能够加大共振器12B、12C的Q。

另外，第一及第二内部屏蔽导体层51、52因为位于周围电介质部3的内部，所以比外部屏蔽导体层更难以变形。因此，与使外部屏蔽导体层接近共振器主体2A、2B、2C、2D的情况相比，更能够抑制由导体层的变形引起的共振器12A、12B、12C、12D及电介质滤波器1的特性波动。

接着，对表示第一内部屏蔽导体层51的效果的第三模拟的结果进行说明。在第三模拟中，将对应于共振器12A的实施例的电介质共振器和第一及第二比较例的电介质共振器的共振频率及Q进行了比较。

在实施例的电介质共振器中，设外部屏蔽导体层53B的导电率即第一导电率为22×10⁶S/m，设第一内部屏蔽导体层51的导电率即第二导电率为40×10⁶S/m。

第一比较例的电介质共振器是从实施例的电介质共振器中去掉了第一内部屏蔽导体层51的共振器。

第二比较例的电介质共振器是将实施例的电介质共振器的第一内部屏蔽导体层51替换为具有与外部屏蔽导体层53B的导电率相等的导电率的内部屏蔽导体层的共振器。第二比较例的电介质共振器未设置外部屏蔽导体层53B，相当于使外部屏蔽导体层53B接近共振器主体2A而成的结构的电介质共振器。下述的表1表示第三模拟的结果。

【表1】

	共振频率(GHz)	Q
			第一比较例	29.44	1076
第二比较例	29.50	1031

如表1所示，在第二比较例中，Q比第一比较例小。这是因为具有与外部屏蔽导体层53B的导电率相等的第一导电率的内部屏蔽导体层存在于共振器主体附近。在实施例中，不管第一内部屏蔽导体层51是否存在于共振器主体附近，Q都比第一及第二比较例大。这是由第一内部屏蔽导体层51具有比第一导电率大的第二导电率实现的效果。

此外，本发明不局限于上述实施方式，可进行种种变更。例如，共振器主体和输入输出导体部也可以以具有权利要求书规定的位置关系的方式排列配置在水平方向上。在这种情况下，共振器主体也可以由层叠在一起的多个层构成。

基于以上说明，可实施本发明的种种方式或变形例，这是很明确的。因此，在权利要求书的均等的范围内，也可以上述的最佳形态以外的形态来实施本发明。

Claims (8)

1.一种电介质滤波器，其特征在于，

具备：

共振器主体，由电介质构成；

周围电介质部，由相对介电常数比构成所述共振器主体的电介质小的电介质构成，存在于所述共振器主体的周围；

输入输出导体部，由导体构成，用于所述共振器主体的电磁波的供给和来自所述共振器主体的电磁波的取出中的至少一方，

所述共振器主体的第一方向的尺寸比垂直于所述第一方向的方向的所述共振器主体的最大尺寸大，

所述共振器主体具有位于所述第一方向的两端的第一端面及第二端面，

所述输入输出导体部以在使相当于所述第一端面的假想平面沿着所述第一方向向所述第二端面的相反侧移动而形成的空间内包含所述输入输出导体部的至少一部分、或者所述输入输出导体部与所述空间接触的方式配置，

所述输入输出导体部具有位于所述第一方向的两端的第三端面及第四端面、以及连接所述第三端面和所述第四端面的侧面，

所述第三端面比所述第四端面更靠近所述共振器主体的所述第一端面，

所述周围电介质部具有外表面，所述周围电介质部的外表面包含位于所述第一方向上的相互相反侧的下表面及上表面，

所述输入输出导体部以所述第四端面与所述周围电介质部的所述下表面为相同面且在所述下表面上露出的方式嵌入所述周围电介质部。

2.根据权利要求1所述的电介质滤波器，其特征在于，

垂直于所述第一方向的所述共振器主体的任一个截面的形状与从该截面到所述第一端面的距离无关是固定的。

3.根据权利要求1所述的电介质滤波器，其特征在于，

所述输入输出导体部以其整体包含于所述空间的方式配置。

4.根据权利要求1所述的电介质滤波器，其特征在于，

所述输入输出导体部具有关于与所述第一方向平行的轴的三次以上的旋转对称形状。

5.根据权利要求1所述的电介质滤波器，其特征在于，

所述输入输出导体部的所述第一方向的尺寸处于包含所述第四端面且平行于所述第一端面的假想平面和所述第一端面之间的距离的0.2～1倍的范围内。

6.根据权利要求1所述的电介质滤波器，其特征在于，

所述输入输出导体部的所述第一方向的尺寸比垂直于所述第一方向的方向的所述输入输出导体部的最大尺寸大。

7.根据权利要求1所述的电介质滤波器，其特征在于，

还具备由导体构成的屏蔽导体部，

所述屏蔽导体部以所述周围电介质部的至少一部分介于所述共振器主体的至少一部分和所述屏蔽导体部之间的方式配置于所述共振器主体的周围。

8.一种电介质滤波器，其特征在于，

具备：

多个共振器主体，分别由电介质构成；

周围电介质部，由相对介电常数比构成所述多个共振器主体的电介质小的电介质构成，存在于所述多个共振器主体的周围；

第一输入输出导体部及第二输入输出导体部，分别由导体构成，

所述多个共振器主体中的在电路结构上相邻的两个共振器主体进行电磁耦合，

所述多个共振器主体包含第一输入输出级共振器主体和第二输入输出级共振器主体，

所述第一输入输出导体部用于所述第一输入输出级共振器主体的电磁波的供给和来自所述第一输入输出级共振器主体的电磁波的取出中的至少一方，

所述第二输入输出导体部用于所述第二输入输出级共振器主体的电磁波的供给和来自所述第二输入输出级共振器主体的电磁波的取出中的至少一方，

所述第一及第二输入输出级共振器主体各自的其第一方向的尺寸比垂直于所述第一方向的方向的所述第一及第二输入输出级共振器主体的各自的最大尺寸大，

所述第一及第二输入输出级共振器主体分别具有位于所述第一方向的两端的第一端面及第二端面，

所述第一输入输出导体部以在使相当于所述第一输入输出级共振器主体的所述第一端面的假想平面沿着所述第一方向向所述第一输入输出级共振器主体的所述第二端面的相反侧移动而形成的第一空间内包含所述第一输入输出导体部的至少一部分、或者所述第一输入输出导体部与所述第一空间接触的方式配置，

所述第二输入输出导体部以在使相当于所述第二输入输出级共振器主体的所述第一端面的假想平面沿着所述第一方向向所述第二输入输出级共振器主体的所述第二端面的相反侧移动而形成的第二空间内包含所述第二输入输出导体部的至少一部分、或者所述第二输入输出导体部与所述第二空间接触的方式配置，

所述第一和第二输入输出导体部的各个具有位于所述第一方向的两端的第三端面及第四端面、以及连接所述第三端面和所述第四端面的侧面，

所述第一输入输出导体部的所述第三端面比所述第一输入输出导体部的所述第四端面更靠近所述第一输入输出级共振器主体的所述第一端面，

所述第二输入输出导体部的所述第三端面比所述第二输入输出导体部的所述第四端面更靠近所述第二输入输出级共振器主体的所述第一端面，

所述周围电介质部具有外表面，所述周围电介质部的外表面包含位于所述第一方向上的相互相反侧的下表面及上表面，

所述第一和第二输入输出导体部的各个以所述第四端面与所述周围电介质部的所述下表面为相同面且在所述下表面上露出的方式嵌入所述周围电介质部。

Images