JP3419770B1 - 誘電体装置 - Google Patents
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Abstract
で、共振周波数の調整の可能な誘電体装置を提供する。 【解決手段】共振部Q1の貫通孔41は、誘電体基体1
の主面21からその対向面22に向かい、主面21及び
対向面22に開口し、内部に第1の内導体61を備え
る。非貫通孔51は、貫通孔41から間隔D1を隔てて
誘電体基体1に設けられ、主面21で開口し、底部が閉
じていて、第2の内導体81を備える。第2の内導体8
1は、主面21において第1の内導体61に連続する。
第2の共振部Q2は、第1の共振部Q1と隣接し、第2
の内導体51と電気的に結合している。
Description
誘電体フィルタまたはデュプレクサ等を広くカバーする
誘電体装置に関する。
ロ波帯、マイクロ波帯、ミリ波帯またはサブミリ波帯等
の高周波領域において用いられる。より具体的な適用例
としては、衛星通信機器、移動体通信機器、無線通信機
器、高周波通信機器またはこれらの通信機器のための基
地局等を挙げることができる。
として誘電体フィルタを例にとると、セラミック誘電体
を共用して、複数の共振部を構成し、複数の共振部を容
量結合もしくは誘導結合により段間結合し、所定の周波
数成分を抽出するようになっている。セラミック誘電体
は、複数の共振部において共用され、主面を除く外面の
大部分が、導体によって覆われている。
き合う対向面まで貫通する貫通孔を有している。セラミ
ック誘電体の主面から短絡面までの高さは、中心周波数
波長をλとして、一般には、(λ/4)となるように選
択してあり、従って、貫通孔も約(λ/4)の長さにな
る。
信機器、移動体通信機器、無線通信機器及び高周波通信
機器には、低背化、小型化及び軽量化の強い要請があ
り、セラミック誘電体の主面から短絡面までの高さを、
(λ/4)を基準にして設定する従来技術では、この要
請に応えることができない。
技術文献として、特公平7−32321号公報が知られ
ている。この公知文献に開示された誘電体フィルタは、
概念的には、約(λ/4)の高さを持つセラミック誘電
体を、(λ/4)の半分である(λ/8)の位置で切断
し、得られた2つの半片を、切断面が同一面側となるよ
うな関係で並列的に配置し、更に、切断面上で、2分さ
れた貫通導体を連続させるようにしたものと考えること
ができる。
定める貫通導体が、セラミック誘電体の高さに一致し、
その寸法に固定されているため、共振周波数の調整が困
難であるという問題点があった。
切断面とは反対側の面において、それぞれ、半分づつの
面積を占めるような関係で現れる。このため、入出力端
子の外部接続構造を、実際の要望に適合させることが困
難であった。
化及び低背化の要請から、回路基板に面付けし得るよう
な入出力端子構造をとらなければならない。
端面と短絡端面とが、切断面とは反対側の面において、
それぞれ、半分づつの面積を占めるような関係で現れる
から、開放端面と短絡端面の存在する面を上に向け、開
放端面に現れた貫通導体に、リード線を接続する構造を
採らざるを得ず、面付け構造を採用することが困難であ
る。
共振部相互間の結合(段間結合)は、主面にスクリーン
印刷等の手段によって、種々のパターンを有する導体パ
ターンを形成し、この導体パターンによる誘導結合また
は容量結合を利用していた。
に、結合用の導体パターンを形成するためのスペースを
確保しなければならないこととなり、誘電体装置の小型
化を図る上で障害となっていた。
ン印刷工程を経て形成される。前記スクリーン印刷工程
は正確性を要求される精密な工程である為、製造コスト
削減の障害となっていた。
化及び低背化に適した誘電体装置、具体的には、誘電体
共振器、誘電体フィルタ、デュプレクサを提供すること
である。
調整の可能な誘電体装置、具体的には、誘電体共振器、
誘電体フィルタ、デュプレクサを提供することである。
の電気的結合の調整の可能な誘電体装置、誘電体フィル
タ及びデュプレクサを提供することである。
トの安価な誘電体装置、具体的には、誘電体共振器、誘
電体フィルタ、デュプレクサを提供することである。
ため、本発明に係る誘電体装置は、誘電体基体と、第1
の共振部と、第2の共振部とを含む。前記誘電体基体
は、主面を除く外面が外導体によって覆われている。
とを含む。前記貫通孔は、前記誘電体基体に設けられ、
前記主面からその対向面に向かい、前記主面及び前記対
向面に開口し、内部に第1の内導体を備え、前記第1の
内導体は前記対向面において前記外導体に連続してい
る。
てて前記誘電体基体に設けられ、前記主面からその対向
面に向かい、前記主面に開口し、底部が閉じていて、内
部に第2の内導体を備え、前記第2の内導体は、前記主
面において、前記第1の内導体に連続している。
隣接し、前記第2の内導体と電気的に結合する。
通孔は、誘電体基体に設けられ、主面からその対向面に
向かい、主面及び対向面に開口するとともに、第1の内
導体を備えている。第1の内導体は、貫通孔の内面に付
着された導体によって構成され、対向面にある外導体に
連続する。また、非貫通孔は、貫通孔から間隔D1を隔
て、貫通孔とほぼ平行に配置されている。非貫通孔は、
主面からその対向面に向かい、主面でのみ開口してお
り、非貫通孔の底面と対向面との間には、誘電体層が存
在する。非貫通孔は、第2の内導体を備える。第2の内
導体は、非貫通孔が開口する主面において、さらに導体
によって第1の内導体に連続している。第2の内導体
は、非貫通孔の内面に付着された導体によって構成され
る。
において、共振波長を定める共振器長は、誘電体基体の
主面からその対向面までの高さに対応する貫通孔の長さ
H1と、主面からその対向面に向かう非貫通孔の深さ
(高さ)H2と、非貫通孔から貫通孔までの間隔D1と
の和(H1+H2+D1)となる。
振波長を得るのに、誘電体基体の主面からその対向面ま
での高さH1を、非貫通孔の深さH2と、非貫通孔から
貫通孔までの間隔D1との和(H2+D1)の分だけ縮
小できることを意味する。したがって、誘電体基体を低
背化し、小型化することができる。
体フィルタの場合、和(H2+D1)=(λ/8)とす
れば、誘電体基体の主面からその対向面までの高さH1
も(λ/8)となり、その高さを、通常要求される(λ
/4)から、(λ/8)へと半減できる。
閉じており、非貫通孔と対向面との間には、非貫通孔の
深さH2と、誘電体基体の高さH1との差分(H1ーH
2)に対応する厚さの誘電体層が存在する。従って、こ
の誘電体層の厚さを利用して、非貫通孔の深さH2を調
整し、もって共振周波数を調整することができる。
共振部を含む。第2の共振部は、第1の共振部と隣接
し、第2の内導体と電気的に結合するから、第1の共振
部に対して、第2の共振部を結合させるに当たって、従
来と異なって、主面に導体パターンを形成する必要がな
くなる。このため、誘電体装置の小型化が容易になる。
また、スクリーン印刷工程は不要であるから、製造コス
トが安価になる。
貫通孔と、非貫通孔とを含むことができる。貫通孔およ
び非貫通孔は、第1の共振部のそれと同じである。即
ち、貫通孔は、誘電体基体に設けられ、主面からその対
向面に向かい、主面及び対向面に開口し、内部に第1の
内導体を備え、第1の内導体は対向面において前記外導
体と連続する。
は、貫通孔から間隔を隔てて誘電体基体に設けられ、主
面からその対向面に向かい、主面に開口し、底部が閉じ
ていて、内部に第2の内導体を備え、第2の内導体は、
主面において、第1の内導体に連続する。
に当たっては、第2の共振部の第1の内導体を、第1の
共振部の第2の内導体と容量結合させる。
て、第1の共振部について述べた誘電体基体の低背化お
よび小型化、並びに、非貫通孔の深さ調整による共振周
波数の調整等の利点が得られる。
の結合に当たって、第2の共振部の第1の内導体を、第
1の共振部の第2の内導体と容量結合させる構成である
から、第1の共振部に対して、第2の共振部を結合させ
るに当たって、従来と異なって、主面に導体パターンを
形成する必要がなくなる。このため、誘電体装置の小型
化が容易になる。また、スクリーン印刷工程は不要であ
るから、製造コストが安価になる。
の別の態様として、第2の共振部の第2の内導体を、第
1の共振部の第1の内導体と容量結合させてもよい。こ
の場合も上述した作用効果を奏する。
端子を備えることができる。端子は、誘電体基体の外面
に備えられ、誘電体基体を介して、第1の共振部の第2
の内導体と容量結合する。この構成によれば、第2の内
導体と端子との間の誘電体基体の厚み選定、端子形状の
選定および端子の位置の選択等の自由度が増すので、基
板への実装に当たって要求される設計に柔軟に対応し得
る。
の端子とを含むこともできる。この場合、第1の端子
は、誘電体基体を介して、第1の共振部の第2の内導体
と容量結合させる。第2の端子は、誘電体基体を介し
て、第2の共振部の第2の内導体と容量結合させる。
の端子を入出力端子として用いることができる他、第1
の端子と、第1の共振部の第2の内導体との間、およ
び、第2の端子と第2の共振部の第2の内導体との間に
おいて、誘電体基体の厚み選定、端子形状の選定および
端子の位置の選択等の自由度が増すので、要求される設
計に柔軟に対応し得る。
非貫通孔の相対的配置や、非貫通孔の深さを変えること
により、第1及び第2の共振部の間の電気的結合を変化
させ、容量性結合または誘導性結合等の強さを任意に設
計することができる。
孔が複数であってもよい。また、対向面が外導体によっ
て覆われていない構造とすることにより、共振波長が
(λ/2)の共振部を有する誘電体装置を実現すること
ができる。
タまたはデュプレクサに広く適用することができる。誘
電体フィルタまたはデュプレクサに用いる場合は、共振
部は複数である。共振部が複数設けられた場合、各共振
部は誘電体基体を介して一体化される。
は、添付図面を参照して、更に詳しく説明する。但し、
本発明の技術的範囲がこれらの図示実施例に限定されな
いことは言うまでもない。
4)である誘電体装置の斜視図、図2は図1に示した誘
電体装置の平面図、図3は図2の3−3線に沿った断面
図である。図示された誘電体装置は、誘電体共振器とし
て用いるもので、誘電体基体1と、第1の共振部Q1
と、第2の共振部Q2とを含む。
導体3によって覆われている。誘電体基体1は、周知の
誘電体セラミックスを用いて、6面21〜26を有する
略6面体状に形成され、主面21となる一面を除いて、
外面22〜26の大部分が、外導体3によって覆われて
いる。外導体3は、一般に、Cu、Ag等を主成分とす
る導電材料を、焼き付けし、または、メッキする等の手
段によって形成される。
通孔51とを含んでいる。貫通孔41は、主面21から
その対向面22に向かい、主面21及び対向面22に開
口する。貫通孔41の内部には、第1の内導体61が備
えられる。第1の内導体61は、外導体3と同様の材料
及び手段によって形成され、対向面22にある外導体3
に連続する。
を隔てて、貫通孔41とほぼ平行に配置されている。非
貫通孔51は、主面21からその対向面22に向かい、
主面21でのみ開口している。非貫通孔51は、主面2
1と向き合う対向面22の側では閉じており、非貫通孔
51の底面と対向面22との間には、厚みd1の誘電体
基体1の層71が存在する(図3参照)。
との識別を容易にするため、非貫通孔51にクロス印を
付してある。また、貫通孔には2桁目の数字が「4」で
ある参照符号を用い、異なる貫通孔は1桁目の数字を変
えることによって表示する。非貫通孔には、2桁目の数
字が「5」である参照符号を用い、異なる非貫通孔は1
桁目の数字を変えることによって表示する。貫通孔及び
非貫通孔に関するこれらの表示方法は、特に言及がなく
とも、全ての添付図面において、統一して用いられる。
ている。第2の内導体81は主面21において、導体9
1によって第1の内導体61に連続している。第2の内
導体81は、非貫通孔51の内面に付着された導体によ
って構成されている。第2の内導体81は、第1の内導
体61と同様の材料及び手段によって形成される。
る。貫通孔42は、第1の共振部Q1の非貫通孔51か
ら間隔を隔てて、誘電体基体1に設けられ、主面21に
開口し、内部に内導体62を備えている。内導体62
は、誘電体基体1を介して、第1の内導体81と容量結
合している。内導体62は、第1の内導体61及び第2
の内導体81と同様の材料及び手段によって形成され
る。
端子11及び第2の端子12が備えられている。第1の
端子11は、非貫通孔51とは誘電体基体1を介して対
向する位置に設けられ、外導体3から絶縁ギャップg1
によって電気的に絶縁されている。
導体62に誘電体基体1を介して対向し、外導体3から
絶縁ギャップg2によって電気的に絶縁されている。
81との間には、その間の誘電体基体1の厚さ、誘電率
及び対向面積によって定まる結合容量が発生する。第1
の端子11は、非貫通孔51の内導体81と部分的に対
向し、または、対向しない位置に設けてあってもよい。
また、絶縁ギャップg1、g2は一つのギャップとして
連続させてもよい。
1に設けられ、主面21からその対向面22に向かい、
主面21及び対向面22に開口するとともに、第1の内
導体61を備えている。第1の内導体61は、貫通孔4
1の内面に付着された導体によって構成され、対向面2
2にある外導体3に連続する。
を隔て、貫通孔41とほぼ平行に配置されている。非貫
通孔51は、主面21からその対向面22に向かい、主
面21でのみ開口しており、非貫通孔51の底面と対向
面22との間には、誘電体基体1による誘電体層71が
存在する。非貫通孔51は、第2の内導体81を備え
る。第2の内導体81は、非貫通孔51が開口する主面
21において、さらに、導体91によって第1の内導体
61に連続している。第2の内導体81は、非貫通孔5
1の内面に付着された導体によって構成される。
導体3に連続し、非貫通孔51は第2の内導体81と導
体91との接続によって第1の内導体61に連続するか
ら、第1の共振部Q1において、共振波長を定める共振
器長は、誘電体基体1の主面21からその対向面22ま
での高さに対応する貫通孔の長さH1と、主面21から
その対向面22に向かう非貫通孔51の深さ(高さ)H
21と、非貫通孔51から貫通孔41までの間隔D1と
の和(H1+H21+D1)となる。
誘電体基体1の主面21からその対向面22までの高さ
H1を、非貫通孔51の深さH21と、非貫通孔51か
ら貫通孔41までの間隔D1との和(H21+D1)の
分だけ縮小できることを意味する。したがって、誘電体
基体1を低背化し、小型化することができる。
体共振器の場合、和(H21+D1)=(λ/8)とす
れば、誘電体基体1の主面21からその対向面22まで
の高さH1も(λ/8)となり、その高さを、通常要求
される(λ/4)から、(λ/8)へと半減できる。
開口せず閉じており、非貫通孔51と対向面22との間
には、非貫通孔51の深さH2と、誘電体基体1の高さ
H1との差分(H1−H21)に対応する厚さd1の誘
電体基体1による誘電体層71が存在する。従って、こ
の誘電体基体1による誘電体層71の厚さd1を利用し
て、非貫通孔51の深さH2を調整し、もって共振周波
数を調整することができる。
共振部Q2を有する。第2の共振部Q2は貫通孔42を
備える。貫通孔42は非貫通孔51から間隔を隔てて誘
電体基体1に設けられ、主面21に開口し、内部に内導
体62を備えている。内導体62は、誘電体基体1を介
して、第2の内導体81と容量結合している。したがっ
て、第1の共振部Q1に含まれる非貫通孔51の内部の
第2の内導体81と、第2の共振部Q2の内導体62と
の間に、誘電体基体1による容量結合が形成されること
になるから、結合手段として、主面21に導体パターン
を形成する必要がなくなる。このため、誘電体装置の小
型化が容易になる。また、スクリーン印刷工程は不要で
あるから、製造コストが安価になる。
介して、第1の共振部Q1の第2の内導体81と容量結
合しており、第2の端子12は、誘電体基体1を介し
て、第2の共振部Q2の内導体62と容量結合している
から、第1の端子11および第2の端子12を入出力端
子として用いることができる他、第1の端子11と、第
2の内導体81との間、および、第2の端子12と内導
体62との間において、誘電体基体1の厚み選定、端子
形状の選定および端子の位置の選択等の自由度が増すの
で、例えば、面実装の端子構造等、要求される設計に柔
軟に対応し得る。
図4〜図42を参照して説明する。図において、先に表
示される図面と同一の構成部分については、同一の参照
符号を付し、重複説明は省略することがある。
の斜視図、図5は図4に示した誘電体フィルタを底面側
から見た斜視図、図6は図4の6−6線に沿った断面
図、図7は図4の7−7線に沿った断面図、図8は図4
の8−8線に沿った断面図、図9は図4〜図8に示した
誘電体フィルタの平面図である。これらの図は、2つの
第1及び第2の共振部Q1、Q2を有する誘電体フィル
タの例を示している。
ぞれは、誘電体基体1を共用し、誘電体基体1を介して
一体化されている。誘電体基体1は、周知の誘電体セラ
ミックスを用いて、6面21〜26を有する略6面体状
に形成され、主面21となる一面を除いて、外面の大部
分が外導体3によって覆われている。外導体3は、一般
に、Cu、Ag等を主成分とする導電材料を、焼き付
け、メッキ等の手段によって形成される。
通孔51とを含んでいる。貫通孔41は、主面21から
その対向面22に向かい、主面21及び対向面22に開
口する。貫通孔41の内部には、第1の内導体61が備
えられる。第1の内導体61は、外導体3と同様の材料
及び手段によって形成され、対向面22にある外導体3
に連続する。第1の内導体61は、貫通孔41の一部ま
たは全体を埋めるように充填されていてもよい。
を隔てて、貫通孔41とほぼ平行に配置されている。非
貫通孔51は、主面21からその対向面22に向かい、
主面21でのみ開口している。非貫通孔51は、主面2
1と向き合う対向面22の側では閉じており、非貫通孔
51の底面と対向面22との間には、厚みd1の誘電体
基体1による誘電体層71が存在する。
ている。第2の内導体81は主面21において、導体9
1によって第1の内導体61に連続している。第2の内
導体81は、非貫通孔51の内面に付着された導体によ
って構成されている。第2の内導体81は、第1の内導
体61と同様の材料及び手段によって形成される。
通孔52とを含んでいる。貫通孔42は、主面21から
その対向面22に向かい、主面21及び対向面22に開
口する。貫通孔42は、内部に第1の内導体62を備え
ている。第1の内導体62は、対向面22にある外導体
3に連続する。
を隔てて、貫通孔42とほぼ平行に配置されている。非
貫通孔52は、主面21からその対向面22に向かい、
主面21でのみ開口している。非貫通孔52は、主面2
1と向き合う対向面22の側では閉じており、非貫通孔
52の底面と対向面22との間には、厚みd2の誘電体
層72が存在する。
ている。第2の内導体82は、主面21において、導体
92によって第1の内導体62に連続している。第2の
内導体82は、非貫通孔52の内面に付着された導体に
よって構成されている。
は、貫通孔41、42及び非貫通孔51、52により、
互いに容量結合する。具体的には、第1の共振部Q1の
貫通孔41と、第2の共振部Q2の非貫通孔52とが容
量結合し、第1の共振部Q1の非貫通孔51と、第2の
共振部Q2の貫通孔42とが互いに容量結合する。
出力端子となる第1の端子11及び第2の端子12が備
えられている。第1の端子11は、非貫通孔51の底部
と、厚みd1の誘電体基体の層71を介して対向してお
り、外導体3から絶縁ギャップg1によって電気的に絶
縁されている。
と、厚みd2の誘電体1の層72を介して対向してお
り、外導体3から絶縁ギャップg2によって電気的に絶
縁されている。具体的には、第1及び第2の端子11、
12は、主面21とは反対側の対向面22に備えられて
いる。
孔51、52の内導体81、82との間には、その間の
誘電体基体1の層71、72の厚さd1、d2、誘電率
及び対向面積によって定まる結合容量が発生する。第1
及び第2の端子11、12は、非貫通孔51、52の内
導体81、82と重なる必要はない。部分的に対向し、
または、対向しない位置に設けてあってもよい。また、
絶縁ギャップg1、g2は一つのギャップとして連続さ
せてもよい。
いて、第1の共振部Q1を参照して説明する。第2の共
振部Q2は、第1の共振部Q1と同じ構造であり、第1
の共振部Q1についての説明がそのまま当てはまる。
いて、貫通孔41は、誘電体基体1の主面21からその
対向面22に向かい、主面21及び対向面22に開口す
る。この貫通孔41は、第1の内導体61を備えてい
る。第1の内導体61は、対向面22にある外導体3に
連続する。非貫通孔51は、貫通孔41から間隔D1を
隔てて、貫通孔41とほぼ平行に配置され、主面21か
らその対向面22に向かう。非貫通孔51は、第2の内
導体81を備えており、第2の内導体81は主面21に
おいて第1の内導体61に連続している。
波長を定める共振器長は、誘電体基体1の主面21から
その対向面22までの高さに対応する貫通孔41の長さ
H1と、主面21からその対向面22に向かう非貫通孔
51の深さ(高さ)H21と、非貫通孔51から貫通孔
41までの間隔D1との和(H1+H21+D1)とな
る。
誘電体基体1の主面21からその対向面22までの高さ
H1を、非貫通孔51の深さH21と、非貫通孔51か
ら貫通孔41からまでの間隔D1との和(H21+D
1)の分だけ縮小できることを意味する。従って、誘電
体基体1を低背化し、小型化することができる。
体フィルタの場合、和(H21+D1)=(λ/8)と
すれば、誘電体基体1の主面21からその対向面22ま
での高さH1も(λ/8)となり、その高さを、通常要
求される(λ/4)から、(λ/8)へと半減できる。
第1の共振部Q1と同じ構成を有する第2の共振部Q2
においても同様である。
開口せず、閉じており、非貫通孔51と対向面22との
間には、非貫通孔51の深さH21と、誘電体基体1の
高さH1との差分(H1−H21)に対応する厚さd1
の誘電体基体1による誘電体層71が存在する。従っ
て、この誘電体基体1による誘電体層71の厚さd1を
利用して、非貫通孔51の深さH21を調整し、もって
共振周波数を調整することができる。
Q2は、第1の共振部Q1の貫通孔41と、第2の共振
部Q2の非貫通孔52とが、容量結合し、第1の共振部
Q1の非貫通孔51と、第2の共振部Q2の貫通孔42
とが、互いに容量結合する。したがって、第1の共振部
Q1及び第2の共振部Q2の結合手段として、主面21
に導体パターンを形成する必要がなくなる。このため、
誘電体装置の小型化が容易になる。また、導体パターン
形成用スクリーン印刷工程は不要であるから、製造コス
トが安価になる。
非貫通孔51、52の内導体81、82との間には、そ
の間の誘電体基体1の層71、72の厚さd1、d2、
誘電率及び対向面積によって定まる結合容量が発生する
から、入出力結合容量を、必要な値に容易に調整でき
る。第1及び第2の端子11、12は、大部分が、外導
体3によって覆われていて、短絡面となる対向面22に
設けられているから、面実装タイプとして用いることが
できる。
に別の実施例を示す平面図である。図示実施例におい
て、第1の共振部Q1及び第2の共振部Q2は、直線状
に配置されている。具体的には、第1の共振部Q1の非
貫通孔51と、第2の共振部Q2の貫通孔42とが、間
隔を隔てて隣接する関係で、直線状に配置されており、
第1の共振部Q1の非貫通孔51と、第2の共振部Q2
の貫通孔42とが容量結合する。したがって、第1の共
振部Q1及び第2の共振部Q2の結合手段として、主面
21に導体パターンを形成する必要がなくなる。このた
め、誘電体装置の小型化が容易になる。また、導体パタ
ーン形成用スクリーン印刷工程は不要であるから、製造
コストが安価になる。
に別の実施例を示す平面図である。図示実施例におい
て、第1の共振部Q1及び第2の共振部Q2は、第1の
共振部Q1の非貫通孔51と、第2の共振部Q2の非貫
通孔52とが、間隔を隔てて隣接する関係で、直線状に
配置されており、第1の共振部Q1の非貫通孔51と、
第2の共振部Q2の非貫通孔52とが容量結合する。し
たがって、第1の共振部Q1及び第2の共振部Q2の結
合手段として、主面21に導体パターンを形成する必要
がなくなる。このため、誘電体装置の小型化が容易にな
る。また、導体パターン形成用スクリーン印刷工程は不
要であるから、製造コストが安価になる。
に別の実施例を示す平面図である。図示実施例におい
て、第1の共振部Q1及び第2の共振部Q2は、第1の
共振部Q1の非貫通孔51と、第2の共振部Q2の貫通
孔42との間の間隔が、第1の共振部Q1の貫通孔41
と、第2の共振部Q2の非貫通孔52との間の間隔より
も小さくなる関係で、互いに傾斜して併設されている。
したがって、主として、第1の共振部Q1の非貫通孔5
1と、第2の共振部Q2の貫通孔42とが、容量結合す
ることになる。
に別の実施例を示す平面図である。図示実施例におい
て、第1の共振部Q1及び第2の共振部Q2は、第1の
共振部Q1の貫通孔41と、第2の共振部Q2の非貫通
孔52との間の間隔が、第1の共振部Q1の非貫通孔5
1と、第2の共振部Q2の貫通孔42との間の間隔より
も小さくなる関係で、互いに傾斜して併設されている。
したがって、主として、第1の共振部Q1の貫通孔41
と、第2の共振部Q2の非貫通孔52とが、容量結合す
ることになる。
に別の実施例を示す平面図である。図示実施例におい
て、第1の共振部Q1及び第2の共振部Q2は、第1の
共振部Q1の非貫通孔51と、第2の共振部Q2の非貫
通孔52との間の間隔が、第1の共振部Q1の貫通孔4
1と、第2の共振部Q2の貫通孔42との間の間隔より
も小さくなる関係で、互いに傾斜して併設されている。
したがって、主として、第1の共振部Q1の非貫通孔5
1と、第2の共振部Q2の非貫通孔52とが、容量結合
することになる。
に別の実施例を示す平面図である。図示実施例におい
て、第1の共振部Q1及び第2の共振部Q2は、貫通孔
41、42が互いに向き合い、非貫通孔51、52が互
いに向き合う関係で、ほぼ平行に配置されている。貫通
孔41は面23、26と近接した位置にあり、貫通孔4
2は面24および面26と近接した位置にある。また、
非貫通孔51は面23および面25と近接した位置にあ
り、非貫通孔52は面24および面25と近接した位置
にある。この配置により、貫通孔41の第1の内導体6
1−外導体3−貫通孔42の第1の内導体62の経路、
並びに、非貫通孔51の第2の内導体81−外導体3−
非貫通孔52の第2の内導体82の経路に、誘導性結合
が発生する。したがって、第1の共振部Q1および第2
の共振部Q2は、この誘導性結合によって結合されるこ
とになる。
に別の実施例を示す平面図である。図示実施例におい
て、第1の共振部Q1は、2つの非貫通孔51、52を
有している。非貫通孔51、52は、貫通孔41を間に
挟んで、面25、26の方向に配置されている。
3、54を有している。非貫通孔53、54は、貫通孔
42を間に挟んで、面25、26の方向に配置されてい
る。
本発明の効果を具体的に説明する。図17はシミュレー
ションに供された誘電体フィルタの斜視図、図18は図
17に示した誘電体フィルタの正面断面図である。図に
おいて、図1〜図16に現れた構成部分と同一の構成部
分については、同一の参照符号を付してある。
タにおいて、第1及び第2の共振部Q1、Q2は、第1
の共振部Q1の貫通孔41と、第2の共振部Q2の非貫
通孔52とが、間隔を隔てて隣接する関係で、直線状に
配置されている。
貫通孔41、42の長さH1を3mmに固定し、非貫通
孔51、52の深さ(高さ)H21を、0.02mm、
0.25mm、0.5mm、0.75mm、1.00m
m、1.25mm、1.50mm、2.00mm、2.
50mm、2.75mmとした10個のサンプル1〜1
0について、周波数−伝送特性をシミュレーションによ
って求めた。
って得られた周波数−伝送特性を示す図である。横軸に
周波数(MHz)を取り、縦軸に第1の共振部Q1から
第2の共振部Q2への伝送特性である減衰量S21(d
B)をとってある。
ンプル1の周波数−伝送特性、曲線L3はH21=0.
50mmとしたサンプル3の周波数−伝送特性、曲線L
5はH21=1.00mmとしたサンプル5の周波数−
伝送特性、曲線L7はH21=1.50mmとしたサン
プル7の周波数−伝送特性、曲線L9はH21=2.5
0mmとしたサンプル9の周波数−伝送特性、曲線L1
0はH21=2.75mmとしたサンプル10の周波数
−伝送特性をそれぞれ示している。
の深さH21が深くなるにつれて、周波数−伝送特性が
低域側にシフトし、共振周波数が低下して行き、反対
に、非貫通孔51、52の深さH21が浅くなると、共
振周波数が高くなる。即ち、非貫通孔51、52の深さ
H21を調整することによって、周波数−伝送特性を変
化させ、共振周波数を調整することができる。図19に
おいて、第1の極PK1は通過帯域より低域側の減衰極
に対応し、第2の極PK2は通過帯域より高域側の減衰
極に対応する。
レーションによって得られた通過帯域の中心周波数f
c、第1の極PK1を生じる周波数、第2の極PK2を
生じる周波数、両極の周波数差(PK2−PK1)、及
び、10dB降下のバンド幅BW10を、表1に示す。
に、表1に記載された中心周波数fc、第1の極PK1
を生じる周波数、第2の極PK2を生じる周波数及び両
極の周波数差(PK2−PK1)をグラフ化して示す図
である。図20において、横軸に非貫通孔51、52の
深さH21をとり、縦軸に周波数(MHz)をとってあ
る。
1の極PK1を生じる周波数及び第2の極PK2を生じ
る周波数は、非貫通孔51、52の深さH21が浅くな
るにつれて高くなり、深くなるにつれて低くなる。
周波数差(PK2−PK1)は、中心周波数fc、第1
の極PK1及び第2の極PK2の変化とは異なる変化を
示す。即ち、周波数差(PK2−PK1)は、深さH2
1が1mm前後で最大となり、その両側の1mmを超え
る深さ、及び、1mmよりも小さくなる深さでは、小さ
くなる変化特性を示す。
の変化特性は、深さH21の単位変化量に対する第1の
極PK1及び第2の極PK2の周波数変化量(変化率)
を見ることによって明らかになる。次にこの点について
述べる。
得られたものである。表2において、符号dxは貫通孔
の深さH21の変化量(mm)である。符号dp1は第
1の極PK1の周波数変化量(MHz)、符号(dp1
/dx)は周波数変化量dp1を深さH21の変化量d
xで除した値(周波数変化率)をそれぞれ表す。同様
に、符号dp2は第2の極PK2の周波数変化量(MH
z)、符号(dp2/dx)は周波数変化量dp2を深
さH21の変化量dxで除した値(周波数変化率)をそ
れぞれ表す。
性、及び、第2の極PK2の周波数変化率特性をそれぞ
れ示している。この周波数変化率特性は、表2のデータ
をグラフ化したものである。
図20に示すような変化特性を示す根拠を明確に表示し
ている。即ち、図21に示すように、第1の極PK1及
び第2の極PK2の周波数変化率は、深さH21(m
m)が、1.5mmから2mmに変化する範囲で等しく
なる。そして、この領域を境界にして、深さH21(m
m)が深くなるにつれて、第2の極PK2の周波数変化
率が、第1の極PK1の周波数変化率よりも大きくな
り、逆に、深さH21(mm)が浅くなるにつれて、第
1の極PK1の周波数変化率が、第2の極PK2の周波
数変化率よりも大きくなる。換言すれば、深さH21
(mm)が深くなるにつれて、第2の極PK2の周波数
が第1の極PK1の周波数よりも大きく変化し、逆に、
深さH21(mm)が浅くなるにつれて、第1の極PK
1の周波数が、第2の極PK2の周波数よりも大きく変
化する。これはバンド幅BW10に影響を与える。
フィルタにおいて、非貫通孔51、52の深さH21を
変えた時のバンド幅BW10の変化特性をグラフ化して
示す図、図23は図22に示したデータの取り方を説明
する図である。
に、共振波形のピーク値から10(dB)だけ低下した
位置におけるバンド幅である。図22に示すように、バ
ンド幅BW10は、非貫通孔51、52の深さH21が
1.00(mm)を超える領域では、深さH21が浅く
なるにつれて広くなり、1.00(mm)よりも小さい
領域では、深さH21が浅くなるにつれて狭くなる。従
って、貫通孔51、52の深さH21を調整することに
よってバンド幅BW10を調整することができる。
に別の実施例を示す斜視図、図25は図24に示した誘
電体フィルタを底面側から見た斜視図である。図におい
て、先に示された図面に現れた構成部分と同一の構成部
分については、同一の参照符号を付してある。この実施
例では、対向面22の貫通孔41、42の開口する位置
に、段差△H1の凹部27を設けたことである。凹部2
7は溝状であってもよい。この実施例は、貫通孔41、
42の長さH1を変えることによって、周波数−伝達特
性を調整できることを示している。
体フィルタの周波数−伝送特性を示す図である。図にお
いて、横軸に周波数(MHz)を取り、縦軸に第1の共
振部Q1から第2の共振部Q2への伝送特性である減衰
量S21(dB)をとってある。曲線L21は段差△H
1を、△H1=0、即ち、凹部27を持たない構成と
し、貫通孔41、42の長さH1をH1=3mmとした
場合の特性である。非貫通孔51、52の深さH21は
1.0mmとした。曲線L22は段差△H1=2.2m
mで、貫通孔41、42の長さH1を、H1=0.8m
mとし、非貫通孔51、52の深さH21をH21=
2.0mmとしたの場合の特性を示している。
特性L21における非貫通孔51、52の深さH21=
1.0mmは、特性L22における非貫通孔51、52
の深さH21=2.0mmの半分であるから、図19及
び図20の教示に従えば、特性L21の中心周波数fc
1は特性L22の中心周波数fc2よりも高くなければ
ならない。即ち、fc1<fc2でなければならない。
c1>fc2となっている。その理由は、特性L21で
は、貫通孔41、42の深さH1=3.0mmであるの
に対し、特性L22では、貫通孔41、42の深さH1
=0.8mmに縮小されているため、非貫通孔51、5
2の深さH21の縮小による影響をキャンセルした上
で、さらに、非貫通孔が深くなったことにより、誘導結
合が強くなり、特性L22の中心周波数fc2が特性L
21の中心周波数fc1よりも高くなったものである。
更に別の実施例を示す斜視図、図28は図27に示した
誘電体フィルタを底面側から見た斜視図である。図にお
いて、先に図示された図面に現れた構成部分と同一の構
成部分については、同一の参照符号を付し、重複説明は
省略する。この実施例の特徴は、対向面22に外導体膜
を持たない点にある。この構造によれば、共振波長(λ
/2)の誘電体フィルタを得ることができる。
フィルタの周波数−伝送特性を示す図である。曲線L3
2は図27及び図28に示した誘電体フィルタの周波数
−伝送特性、曲線L31は対向面22に外導体膜を持つ
共振波長(λ/4)の誘電体フィルタの周波数−伝送特
性を示す。曲線L31を曲線L32と対比すると明らか
なように、対向面22に外導体膜を持たない構造によれ
ば、共振波長(λ/2)の誘電体フィルタを得ることが
できる。
に別の実施例を示す斜視図、図31は図30に示した誘
電体フィルタを底面側から見た斜視図、図32は図30
の32−32線に沿った断面図である。
〜第3の共振部Q1〜Q3を有する。第1〜第3の共振
部Q1〜Q3のそれぞれは、誘電体基体1を共用し、誘
電体基体1を介して一体化されている。第1及び第2の
共振部Q1、Q2に関しては、これまで説明した通りで
ある。
通孔53とを含む。貫通孔43は、主面21からその対
向面22に向かい、主面21及び対向面22に開口す
る。貫通孔43の内部には、第1の内導体63を備えて
いる。第1の内導体63は、対向面22にある外導体3
に連続し、貫通孔43の内面に付着された導体によって
構成されている。第1の内導体63は、貫通孔43の一
部または全体を埋めるように充填されていてもよい。
(図30参照)を隔てて、貫通孔43とほぼ平行に配置
されている。非貫通孔53は、主面21からその対向面
22に向かい、主面21でのみ開口している。非貫通孔
53は、主面21と向き合う対向面22の側では、深さ
H23の位置で閉じており、非貫通孔53の底面と対向
面22との間には、厚みd3の誘電体基体1による誘電
体層73が存在する(図32参照)。
ている。第2の内導体83は、主面21において、導体
93によって第1の内導体63に連続している。第2の
内導体83は、非貫通孔53の内面に付着された導体に
よって構成されている。
には、対向面22に設けられた第1の端子11が、誘電
体基体1による誘電体層71を介して、容量結合されて
いる。この場合の容量結合の詳細は、既に説明した通り
である。
電体基体1の対向面22の側に設けられた第2の端子1
2が、誘電体基体1による誘電体層層73を介して、容
量結合されている。第2の端子12は、対向面22にお
いて、絶縁ギャップg2によって外導体3から電気絶縁
した状態で、配置されている(図31、図32参照)。
1、12を実装基板上に面付けすることが可能になる。
また、非貫通孔51〜53の深さ、及び、第1〜第3の
共振部Q1〜Q3のそれぞれにおける孔間隔を調整する
ことによって共振波長を調整し、共振周波数を所定値に
高精度であわせ込むことができる。
1〜Q3の配置によると、第1の共振部Q1及び第2の
共振部Q2の間では、第1の共振部Q1の非貫通孔51
と、第2の共振部Q2の貫通孔42とが容量結合し、第
1の共振部Q1の貫通孔41と第2の共振部Q2の非貫
通孔52とが容量結合する。また、第2の共振部Q2及
び第3の共振部Q3の間では、第2の共振部Q2の非貫
通孔52と、第3の共振部Q3の貫通孔43とが容量結
合し、第2の共振部Q2の貫通孔42と、第3の共振部
Q3の非貫通孔53とが容量結合する。
図16に示した実施例に対して、第3の共振部Q3を追
加した点が異なるだけであり、同様の作用効果を奏す
る。
に別の実施例を示す斜視図、図34は図33の34−3
4線に沿った断面図である。図示実施例では、第1〜第
3の共振部Q1〜Q3が設けられている。第2の共振部
Q2は、非貫通孔52、貫通孔42及び非貫通孔53
を、間隔を隔てて、同一直線上に配置した構造を持つ。
非貫通孔52の第2の内導体82は導体92を介して、
貫通孔42の第1の内導体62に電気的に導通される。
貫通孔42の第1の内導体62は、導体93を介して、
非貫通孔53の第2の内導体83に電気的に導通する。
と、第1の共振部Q1の貫通孔41が容量結合し、第2
の共振部Q2の非貫通孔53と、第3の共振部Q3の貫
通孔43とが容量結合している。
に別の実施例を示す斜視図である。図示実施例の特徴
は、第1の端子11及び第2の端子12が、主面21に
隣接する誘電体基体1の側面25に形成されていること
である。第1の端子11は、ギャップg1によって外導
体3から電気絶縁され、非貫通孔51の内導体81と容
量結合している。第2の端子12は、ギャップg2によ
って外導体3から電気絶縁され、非貫通孔54の内導体
と容量結合する。
体基体1の側面に設ける場合、種々の態様が考えられ
る。図35の実施例では、一例として、第1の端子11
及び第2の端子12を、上端縁が主面21に沿うように
して、誘電体基体1の側面25に設けてある。
上述した図4〜図16と同様であるので、重複説明を省
略する。
に別の実施例を示す斜視図である。図示実施例におい
て、第1〜第3の共振部Q1〜Q3を有する。第1の共
振部Q1は、貫通孔41を中心にして、非貫通孔51及
び非貫通孔52を、それぞれ直角方向に配置し、貫通孔
41の第1の内導体61に対して、非貫通孔51の第2
の内導体81を、導体91により接続し、非貫通孔52
の第2の内導体82を導体92により接続してある。
して、非貫通孔53及び非貫通孔54を、それぞれ直角
方向に配置し、貫通孔43の第1の内導体63に対し
て、非貫通孔53の第2の内導体83を導体93により
接続し、非貫通孔54の第2の内導体84を導体94に
より接続してある。
非貫通孔52と、第3の共振部Q3の非貫通孔53との
間に、貫通孔42として設けられている。第2の共振部
Q2を構成する貫通孔42は内導体62を有している。
第1の共振部Q1は非貫通孔52により第2の共振部Q
2に容量結合し、第3の共振部Q3は、非貫通孔53に
より、第2の共振部Q2に容量結合する。
図4〜図16と同様であるので、重複説明を省略する。
に別の実施例を示す斜視図である。第1の共振部Q1
は、側面25−26間の方向に配置された貫通孔41及
び非貫通孔51を有し、貫通孔41の第1の内導体61
と、非貫通孔51の第2の内導体81を、主面21に設
けられた導体91によって接続するとともに、主面21
において、内導体91から延長された導体92を有して
いる。
方向に配置された貫通孔43及び非貫通孔54を有し、
貫通孔43の第1の内導体63と、非貫通孔54の第2
の内導体84を、主面21に設けられた導体96によっ
て接続するとともに、主面21において、導体96から
延長された導体95を有している。
孔42及び非貫通孔53を、間隔を隔てて、同一直線上
に配置した構造を持つ。非貫通孔52の第2の内導体8
2は、導体93を介して、貫通孔42の第1の内導体6
2に電気的に導通される。貫通孔42の第1の内導体6
2は、更に、導体94を介して、非貫通孔53の第2の
内導体83に電気的に導通する。
1と、第3の共振部Q3との間に配置されており、第2
の共振部Q2の非貫通孔52が、第1の共振部Q1の貫
通孔41、及び、導体92に容量結合し、更に、第2の
共振部Q2の非貫通孔53が、第3の共振部Q3の貫通
孔43、及び、導体95と容量結合している。
図4〜図16と実質的に同様であるので、重複説明を省
略する。
に別の実施例を示す斜視図である。この実施例は、基本
的には、図33〜図35に図示したものと同じである。
図33〜図35に示した実施例と異なる点は、非貫通孔
52、53の孔径が、中間の貫通孔42よりも小孔径と
なっていることである。非貫通孔52、53の孔径を変
更することにより、容量結合度を調整できることを示唆
するものである。
に別の実施例を示す斜視図、図40は図39に示した誘
電体フィルタを底面側から見た斜視図である。図39及
び図40に示した実施例では、第1の共振部Q1の非貫
通孔51、及び、第3の共振部Q3の非貫通孔52は、
折れ線状の溝形状となっている。この実施例は、非貫通
孔51及び52の形状変更の可能性を示唆するものであ
り、それによって、結合容量を調整できる。
を、中間に設けた第2の共振部Q2によって容量結合す
る点は、図36に図示した実施例と同様であり、同様の
作用効果を奏する。
に別の実施例を示す斜視図である。この実施例では、第
1の共振部Q1の非貫通孔51、及び、第3の共振部Q
3の非貫通孔52は、コ字状の溝形状となっている。す
なわち、非貫通孔51及び52も形状変更が可能であ
る。貫通孔41〜43及び非貫通孔51、52は、この
他にも、楕円形状等、種々の口形を取ることができる。
更に別の実施例を示す斜視図である。図示実施例の第1
の共振部Q1において、第2の共振部Q2との間の主面
21の面上には、導体301が設けられている。導体3
01は、Cu、Ag等を主成分とする導電材料を、塗布
し、またはメッキ等することによって形成することがで
きる。第2の共振部Q2及び第3の共振部Q3は、第2
の共振部Q2の非貫通孔52と、第3の共振部Q3の貫
通孔43との容量結合によって、結合される。
(λ/4)の場合の誘電体フィルタの例を示す。共振器
長が(λ/2)の誘電体フィルタを得るには、各実施例
において、対向面22が外導体3によって覆われていな
い構造とすればよい。
の重要な適用例であるデュプレクサについて説明する。
図43は本発明に係るデュプレクサを示す斜視図、図4
4は図43に示したデュプレクサを底面側から見た斜視
図である。
振部Q1〜Q6(合計6個)を有する。共振部の個数は
任意である。第1〜第6の共振部Q1〜Q6のそれぞれ
は、誘電体基体1を共用し、誘電体基体1を介して一体
化されている。誘電体基体1は、主面21となる一面を
除いて、外面22〜26の大部分が外導体3によって覆
われている。
の共振部Q1は貫通孔41と非貫通孔51との組み合わ
せ、第2の共振部Q2は貫通孔42と非貫通孔52との
組み合わせを、第3の共振部Q3は貫通孔43と非貫通
孔53との組み合わせを、また、第4の共振部Q4は貫
通孔44と非貫通孔54との組み合わせを、それぞれ含
む。共振部Q5は貫通孔45と非貫通孔55、56との
組み合わせを、また、共振部Q6は貫通孔46と非貫通
孔57との組み合わせを、それぞれ含む。
の個別的構造、及び、相対関係の詳細は、図1〜図42
を参照して説明した通りである。
いられるので、第1〜第6の共振部Q1〜Q6は、受信
用及び送信用の2つに分けられる。以下、第1〜第3の
共振部Q1〜Q3を送信用として用い、第4の共振部Q
4〜Q6を受信用として用る場合を例にとって説明す
る。
で、第1〜第3の共振部Q1〜Q3の共振特性は送信周
波数に合わせられ、第4〜第6の共振部Q4〜Q6の共
振特性は受信周波数に合わせられる。
2の共振部Q2との間の主面21の面上には、導体30
2が設けられており、送信側の第2の共振部Q2は第1
の共振部Q1に誘導結合されている。但し、第1の共振
部Q1及び第2の共振部Q2が容量結合であってもよい
ことは、これまで説明した点から明らかである。送信側
の第2の共振部Q2及び第3の共振部Q3は、非貫通孔
52と貫通孔43との容量結合により結合されている。
部Q5は、貫通孔44と非貫通孔55との容量結合によ
って結合され、第5の共振部Q5及び第6の共振部Q6
は非貫通孔56と貫通孔46との容量結合によって結合
される。
1〜Q6のそれぞれにおいて、所定の共振波長を得るの
に、誘電体基体1の主面21からその対向面22までの
高さを、非貫通孔51〜57の深さと、非貫通孔51〜
57のそれぞれから貫通孔41〜46からまでの間隔と
の和の分だけ縮小でき、従って、誘電体基体1を低背化
し、小型化し得ることは、図1〜図42を参照して説明
したところから明らかである。
Q3の結合手段、及び、第4〜第6の共振部Q4〜Q6
の結合手段として、主面21に導体パターンを形成する
必要がなくなるため、デュプレクサの小型化が容易にな
ること、また、導体パターン形成用スクリーン印刷工程
が不要であるから、製造コストが安価になることも、既
に述べたとおりである。更に、非貫通孔51〜57の深
さ、及び、第1〜第6の共振部Q1〜Q6のそれぞれに
おける孔間隔を調整することによって共振波長を調整
し、共振周波数を所定値に高精度であわせ込むことがで
きることも、既に述べたとおりである。
通孔51には、対向面22に設けられた送信用の第1の
端子11が、誘電体基体1による誘電体層を介して、容
量結合されている。この場合の容量結合の詳細は、既に
説明した通りである。
と、受信側の第4の共振部Q4の非貫通孔54には、誘
電体基体1の対向面22の側に設けられた第3の端子1
3が、誘電体基体1による誘電体層を介して、容量結合
されている。第3の端子13はアンテナ接続端子として
用いられる。
は、対向面22の側において、第2の端子12が結合さ
れる。第2の端子12は受信用として用いられる。第1
乃至第3の端子11〜13は、対向面22において、絶
縁ギャップg1〜g3によって外導体3から電気絶縁し
た状態で、配置されている(図44参照)。
の端子11〜13を実装基板上に面付けすることが可能
になる。
するデュプレクサにおいて採り得る底面側の端子配置を
示す斜視図である。図において、図44に現れた構成部
分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付し
てある。図示実施例において、第3の共振部Q3に含ま
れる非貫通孔53には、誘電体基体1の対向面22の側
に設けられた第3の端子13が、誘電体基体1による誘
電体層を介して、容量結合されている。
の実施例を示す斜視図である。図において、図43に現
れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照
符号を付してある。この実施例では、第1乃至第3の端
子11〜13が、誘電体基体1の側面25に設けられて
いる。第1及び第2の端子11、12は、誘電体基体1
による誘電体層を介して、非貫通孔51及び57の内導
体とそれぞれ容量結合している。アンテナ接続端子とな
る第3の端子13は、第3の共振部Q3と第4の共振部
Q4との間の設けられた導体303に連続している。第
3の端子13は、第3の共振部Q3及び第4の共振部Q
4に対して容量結合することになる。
別の実施例を示す斜視図である。この実施例では、第3
の端子13は、誘電体基体1による誘電体層を介して、
非貫通孔53の内導体と容量結合している。
も、誘電体フィルタで例示した各種の構造を採用するこ
とができることは勿論である。
のような効果を得ることができる。 (a)小型化及び低背化に適した誘電体装置、具体的に
は、誘電体共振器、誘電体フィルタ、デュプレクサを提
供することができる。 (b)共振周波数の調整の可能な誘電体装置、具体的に
は、誘電体共振器、誘電体フィルタ、デュプレクサを提
供することができる。 (c)製造コストの安価な誘電体装置、具体的には、誘
電体共振器、誘電体フィルタ、デュプレクサを提供する
ことができる。
斜視図である。
ある。
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
例を示す斜視図である。
である。
周波数−伝送特性のシミュレーションデータをグラフ化
して示す図である。
おいて、非貫通孔の深さH21を変えた時の第1の極P
K1、第2の極PK2、中心周波数fc、及び、第1の
極PK1と第2の極PK2との差(PK2−PK1)の
データを、グラフ化して示す図である。
第2の極PK2の周波数変化率特性を示す図である。
おいて、非貫通孔の深さH21を変えた時のBW10の
変化特性をグラフ化して示す図である。
である。
例を示す斜視図である。
見た斜視図である。
周波数−伝送特性を示す図である。
例を示す斜視図である。
見た斜視図である。
周波数−伝送特性を示す図である。
例を示す斜視図である。
見た斜視図である。
る。
例を示す斜視図である。
る。
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
見た斜視図である。
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
る。
た斜視図である。
クサにおいて採り得る底面側の端子配置を示す斜視図で
ある。
す斜視図である。
を示す斜視図である。
Claims (12)
- 【請求項1】 誘電体基体と、第1の共振部と、第2の
共振部とを含む誘電体装置であって、 前記誘電体基体は、主面を除く外面が外導体によって覆
われており、 前記第1の共振部は、第1の貫通孔と、第1の非貫通孔
とを含んでおり、 前記第1の貫通孔は、 前記誘電体基体に設けられ、前記主面からその対向面に
向かい、前記主面及び前記対向面に開口し、内部に第1
の内導体を備え、前記第1の内導体は前記対向面におい
て前記外導体に連続しており、 前記第1の非貫通孔は、 前記第1の貫通孔から、前記誘電体基体の幅方向に間隔
を隔てて、前記誘電体基体に設けられ、前記主面からそ
の対向面に向かい、前記主面に開口し、底部が閉じてい
て、内部に第2の内導体を備え、前記第2の内導体は、
前記主面において、前記第1の内導体に連続しており、 前記第2の共振部は、第2の貫通孔と、第2の非貫通孔
とを含んでおり、 前記第2の貫通孔は、 前記誘電体基体に設けられ、前記主面からその対向面に
向かい、前記主面及び前記対向面に開口し、内部に第1
の内導体を備え、前記第1の内導体は前記対向面におい
て前記外導体と連続しており、 前記第2の非貫通孔は、 前記第2の貫通孔から、前記誘電体基体の幅方向に間隔
を隔てて、前記誘電体基体に設けられ、前記主面からそ
の対向面に向かい、前記主面に開口し、底部が閉じてい
て、内部に第2の内導体を備え、前記第2の内導体は、
前記主面において、前記第1の内導体に連続しており、 前記第1の共振部及び前記第2の共振部は、 前記第1の共振部の前記第1の貫通孔と、前記第2の共
振部の前記第2の非貫通孔とが結合し、前記第1の共振
部の前記第1の非貫通孔と、前記第2の共振部の前記第
2の貫通孔とが結合する関係で併設され、更に、 前記第1の共振部の前記第1の貫通孔と前記第2の共振
部の前記第2の非貫通 孔との間の間隔が、前記第1の共
振部の前記第1の非貫通孔と前記第2の共振部の前記第
2の貫通孔との間の間隔とは異なる関係で、互いに傾斜
して併設されている 誘電体装置。 - 【請求項2】 誘電体基体と、第1の共振部と、第2の
共振部とを含む誘電体装置であって、 前記誘電体基体は、主面を除く外面が外導体によって覆
われており、 前記第1の共振部は、第1の貫通孔と、第1の非貫通孔
とを含んでおり、 前記第1の貫通孔は、 前記誘電体基体に設けられ、前記主面からその対向面に
向かい、前記主面及び前記対向面に開口し、内部に第1
の内導体を備え、前記第1の内導体は前記対向面におい
て前記外導体に連続しており、 前記第1の非貫通孔は、 前記第1の貫通孔から、前記誘電体基体の幅方向に間隔
を隔てて、前記誘電体基体に設けられ、前記主面からそ
の対向面に向かい、前記主面に開口し、底部が閉じてい
て、内部に第2の内導体を備え、前記第2の内導体は、
前記主面において、前記第1の内導体に連続しており、 前記第2の共振部は、第2の貫通孔と、第2の非貫通孔
とを含んでおり、 前記第2の貫通孔は、 前記誘電体基体に設けられ、前記主面からその対向面に
向かい、前記主面及び前記対向面に開口し、内部に第1
の内導体を備え、前記第1の内導体は前記対向面におい
て前記外導体と連続しており、 前記第2の非貫通孔は、 前記第2の貫通孔から、前記誘電体基体の幅方向に間隔
を隔てて、前記誘電体基体に設けられ、前記主面からそ
の対向面に向かい、前記主面に開口し、底部が閉じてい
て、内部に第2の内導体を備え、前記第2の内導体は、
前記主面において、前記第1の内導体に連続しており、 前記第1の共振部及び前記第2の共振部は、 前記第1の共振部の前記第1の貫通孔と、前記第2の共
振部の前記第2の貫通孔とが結合し、前記第1の共振部
の前記第1の非貫通孔と、前記第2の共振部の前記第2
の非貫通孔とが結合する関係で併設され、更に、 前記第1の共振部の前記第1の貫通孔と前記第2の共振
部の前記第2の貫通孔との間の間隔が、前記第1の共振
部の前記第1の非貫通孔と前記第2の共振部の前記第2
の非貫通孔との間の間隔とは異なる関係で、互いに傾斜
して併設されている 誘電体装置。 - 【請求項3】 誘電体基体と、第1の共振部と、第2の
共振部とを含む誘電体装置であって、 前記誘電体基体は、主面を除く外面が外導体によって覆
われており、 前記第1の共振部は、第1の貫通孔と、第1の非貫通孔
とを含んでおり、 前記第1の貫通孔は、 前記誘電体基体に設けられ、前記主面からその対向面に
向かい、前記主面及び前記対向面に開口し、内部に第1
の内導体を備え、前記第1の内導体は前記対向面におい
て前記外導体に連続しており、 前記第1の非貫通孔は、 前記第1の貫通孔から、前記誘電体基体の幅方向に間隔
を隔てて、前記誘電体基体に設けられ、前記主面からそ
の対向面に向かい、前記主面に開口し、底部が閉じてい
て、内部に第2の内導体を備え、前記第2の内導体は、
前記主面において、前記第1の内導体に連続しており、 前記第2の共振部は、第2の貫通孔と、第2の非貫通孔
とを含んでおり、 前記第2の貫通孔は、 前記誘電体基体に設けられ、前記主面からその対向面に
向かい、前記主面及び前記対向面に開口し、内部に第1
の内導体を備え、前記第1の内導体は前記対向面におい
て前記外導体と連続しており、 前記第2の非貫通孔は、 前記第2の貫通孔から、前記誘電体基体の長さ方向に間
隔を隔てて、前記誘電体基体に設けられ、前記主面から
その対向面に向かい、前記主面に開口し、底部が閉じて
いて、内部に第2の内導体を備え、前記第2の内導体
は、前記主面において、前記第1の内導体に連続してお
り、 前記第1の共振部及び前記第2の共振部は、前記第1の
共振部の前記第1の貫通孔と、前記第2の共振部の前記
第2の非貫通孔とが結合する関係で、配置されている誘
電体装置。 - 【請求項4】 請求項1乃至3の何れかに記載された誘
電体装置であって、第1の端子と、第2の端子とを含
み、 前記第1の端子は、前記誘電体基体を介して、前記第1
の共振部の前記第2の内導体と容量結合しており、 前記第2の端子は、前記誘電体基体を介して、前記第2
の共振部の前記第2の内導体と容量結合している誘電体
装置。 - 【請求項5】 請求項1乃至4の何れかに記載された誘
電体装置であって、前記共振部の少なくとも1つは、前
記非貫通孔が複数である誘電体装置。 - 【請求項6】 請求項1乃至5の何れかに記載された誘
電体装置であって、前記対向面は、前記外導体によって
覆われていない誘電体装置。 - 【請求項7】 請求項1乃至6の何れかに記載された装
置であって、誘電体フィルタである装置。 - 【請求項8】 請求項1乃至6の何れかに記載された装
置であって、デュプレクサである装置。 - 【請求項9】 請求項8に記載された装置であって、 3つ以上の共振部と、第1乃至第3の端子とを含み、 前記第1の端子は、前記共振部の少なくとも一つに電気
的に結合し、 前記第2の端子は、前記共振部の他の少なくとも一つに
電気的に結合し、 前記第3の端子は、前記共振部の残りの少なくとも一つ
に電気的に結合されている装置。 - 【請求項10】 請求項1乃至9の何れかに記載された
装置であって、前記非貫通孔の深さを調節することによ
って共振周波数を調整する装置。 - 【請求項11】 請求項1乃至9の何れかに記載された
装置であって、前記非貫通孔の深さを調節することによ
って中心周波数を調整する装置。 - 【請求項12】 請求項1乃至9の何れかに記載された
装置であって、前記非貫通孔の深さを調節することによ
って、周波数―伝送特性における第1の極と第2の極と
の周波数差を調整する装置。
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