CN107492587B - 一种qled显示器件、制备方法及应用 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 92
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 82
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 72
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 35
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 41
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 31
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 7
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 36
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 19
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 16
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 15
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004481 Ta2O3 Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical group 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Chemical group 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- BCDGQXUMWHRQCB-UHFFFAOYSA-N glycine methyl ketone Natural products CC(=O)CN BCDGQXUMWHRQCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0083—Processes for devices with an active region comprising only II-VI compounds
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请公开了一种QLED显示器件、制备方法及应用，包括第一基板和第二基板，所述第一基板和第二基板之间包括依次堆叠的阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极层；其中，所述空穴传输层由空穴传输组合物制成，所述空穴传输组合物包括至少两种纳米金属氧化物；所述电子传输层由电子传输组合物制成，所述电子传输组合物包括至少两种纳米金属氧化物。本申请提供的QLED显示器件、制备方法及应用，有助于提高光转化率，增强QLED显示亮度。
Description
技术领域
本申请涉及液晶电视技术领域，尤其涉及一种QLED显示器件、制备方法及应用。
背景技术
QD(Quantum Dots，量子点)是一种每当受到光或电的刺激便会发出有色光线的粒子，QD的发光具有高色纯、长寿命、易分散等优点。QLED(Quantum Dot Light EmittingDiodes，量子点发光器件)充分利用QD的发光优点，具有亮度高、响应速度快、色域广、更好的HDR(High Data Rate，高动态光照渲染)效果的特点，被普遍认为是下一代量子显示技术的终极形态。
QLED通常为由层压的阳极层、空穴传输层、QD发光层、电子传输层和阴极层构成的发光器件，可用于电视显示器，其QD发光层是由QD构成的QLED的发光中心。通过量子点两侧电子(Electron)和空穴(Hole)在量子点层中汇聚后形成光子(Exciton)，并且通过光子的重组发光。
在QLED中，空穴传输层用于传输空穴载流子，通常采用单纯一种无机金属氧化物半导体作为空穴传输层。然而，现有技术中使用单一无机金属氧化物作为空穴传输层会导致空穴传输层的平整度差，表面阻抗大，覆盖率以及成膜性差，降低空穴传输层的电流密度，进而导致QLED的发光不均匀。
发明内容
本申请提供了一种QLED显示器件、制备方法及其应用，提高空穴传输层的电流密度，增强QLED显示亮度，促进QLED的发光均匀。
第一方面，本申请提供了一种QLED显示器件，包括第一基板和第二基板，所述第一基板和第二基板之间包括依次堆叠的阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极层；其中，
所述空穴传输层由空穴传输组合物制成，所述空穴传输组合物包括至少两种纳米金属氧化物；
所述电子传输层由电子传输组合物制成，所述电子传输组合物包括至少两种纳米金属氧化物。
第二方面，本申请提供了一种QLED显示器件的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
步骤1，在含阳极层的第一基板上涂布空穴传输组合物溶液，所述空穴传输组合物溶液涂布在所述阳极层上，热处理，空穴传输组合物在所述阳极层上形成空穴传输层；
步骤2，在所述空穴传输层上涂布量子点，形成发光层；
步骤3，在所述发光层上涂布电子传输组合物溶液，电子传输组合物在所述发光层上形成电子传输层；
步骤4，在所述电子传输层上蒸镀阴极材料，形成阴极层；
步骤5，在所述阴极层上盖合第二基板；其中，
所述空穴传输组合物包括至少两种纳米金属氧化物，所述电子传输组合物包括至少两种纳米金属氧化物。
第三方面，本申请提供了一种QLED显示器，所述QLED显示器包括所述任意一项所述的QLED显示器件；或，
所述QLED显示器包括上述任意一项所述制备方法制备的QLED显示器件。
本申请提供的技术方案可以包括以下有益效果：
本申请提供的一种QLED显示器件、制备方法及应用，采用至少两种纳米金属氧化物组成空穴传输层，使得小粒径的纳米金属氧化物穿插于大粒径的纳米金属氧化物的空隙中，从而增强空穴传输层的致密性和平整度，提高空穴传输层的覆盖率和成膜性能，有助于提高空穴传输层的空穴传输能力，至少两种且粒径大小不同的纳米金属氧化物组成紧密堆积空穴传输层能够拓展空穴传输层的能带带宽，保证空穴从阳极高效的注入空穴传输层，且紧密堆积空穴传输层可提高空穴传输层与阳极层以及与发光层的结合力；采用至少两种纳米金属氧化物组成紧密堆积电子传输层，能够增强电子传输层的致密性和平整度，提高空穴传输层的覆盖率和成膜性能，有助于提高电子输层的电子传输能力，且紧密堆积电子传输层可提高电子传输层与阴极层以及与发光层的结合力。如此，本申请提供的QLED显示器件、制备方法及应用，有助于提高光转化率，增强QLED显示亮度。实验测试证明，本申请提供的QLED显示器件的开启电压降低，在相同的测试电压下发光亮度提高20％左右。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。
附图说明
为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种QLED显示器件的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的一种QLED显示器件的制备方法流程图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置的例子。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处。
请参考附图1，所示为本申请实施例提供的QLED显示器件的结构示意图。由图2可见，所述QLED显示器件的结构为：
本申请实施例提供的QLED显示器件包括第一基板1和第二基板7，第一基板1和第二基板7之间包括依次堆叠的阳极层2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5以及阴极层6。
第一基板1和第二基板7为QLED显示器件的基板，基板可以为硬质基板或柔性基板，具体的，硬质基板可以为玻璃基板，柔性基板可以为树脂等材料的基板。基板的厚度可根据实际需要进行选择，在此不做具体限制。
阳极层2的材料选用不受限制，可采用常规阳极材料，作为优选实施例，所述阳极层2为透明阳极。在本申请具体实施方式中，采用ITO(掺锡氧化铟)阳极。ITO薄膜是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。
空穴传输层3由空穴传输组合物制成，空穴传输组合物的材料采用空穴传输材料组合制成，空穴传输材料为宽禁带、高功函数高迁移率的P型金属氧化物。在本申请具体实施方式中，包括至少两种纳米金属氧化物,纳米金属氧化物粒子直径在1-10nm。为了获得性能更优的QLED，作为优选实施例，空穴传输组合物可采用MoO3、WO3、V2O5和NiO中的至少两种，如MoO3/WO3、WO3/V2O5、MoO3/WO3/V2O或WO3/NiO等组合。纳米金属氧化物粒子的直径以及各种粒子之间重量比例不做具体限制，可根据需要自行选择。
发光层4由QD量子点制成，各色量子点可以为II-Ⅵ族化合物及其核壳结构，包括但不限于CdS、CdSe、CdS/ZnS、CdSe/ZnS或CdSe/CdS/ZnS等，在本申请具体实施方式中发光层4由CdS/ZnS制成。
电子传输层5由电子传输组合物制成，电子传输组合物的材料采用电子传输材料组合制成，电子传输材料为多为宽禁带的N型半导体，能够保证载流子传输能力强以及载流子浓度高。在本申请具体实施方式中，包括至少两种纳米金属氧化物,纳米金属氧化物粒子直径在1-10nm。为了获得性能更优的QLED，作为优选实施例，电子传输组合物可采用ZnO、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3中的至少两种，如ZnO/TiO2、TiO2/SnO、ZnO/TiO2/SnO等组合。纳米金属氧化物粒子的直径以及各种粒子之间重量比例不做具体限制，可根据需要自行选择。
阴极层6的材料选用不受限制，可采用常规阴极材料，作为优选实施例，所述阴极层6为透明阴极，所述阴极层6的材料可选导电金属、导电聚合物、石墨烯或碳纳米管中的至少一种，优选的，Al、Au、Ag、Cu、Zn中的一种。
阳极层2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5以及阴极层6的制备方式包括所有适于溶液或金属加工制备涂层的方式，具体可为旋转涂覆、喷墨打印、丝网印刷、提拉或喷墨中的一种。
在本申请具体实施方式中，阳极层2的厚度为20-110nm，空穴传输层3的厚度为40-60nm，发光层4的厚度为30-50nm，电子传输层5的厚度为20-50nm，阴极层6的厚度为20-110nm。优选的，阳极层2的厚度为100nm，空穴传输层3的厚度为40nm，发光层4的厚度为35nm，电子传输层5的厚度为40nm，阴极层6的厚度为100nm。
本申请实施例提供的QLED显示器件，采用至少两种纳米金属氧化物组成空穴传输层3，使得小粒径的纳米金属氧化物穿插于大粒径的纳米金属氧化物的空隙中，从而增强空穴传输层3的致密性和平整度，提高空穴传输层3的覆盖率和成膜性能，有助于提高空穴传输层3的空穴传输能力，至少两种且粒径大小不同的纳米金属氧化物组成空穴传输层3能够拓展空穴传输层的能带带宽，保证空穴从阳极高效的注入空穴传输层3，空穴传输层3可提高空穴传输层3与阳极层2以及与发光层4的结合力；采用至少两种且粒径大小不同的纳米金属氧化物组成电子传输层5，能够增强电子传输层5的致密性和平整度，提高空穴传输层5的覆盖率和成膜性能，有助于提高电子传输层5的电子传输能力，且电子传输层5可提高电子传输层5与阴极层6以及与发光层4的结合力。如此，本申请提供的QLED显示器件、制备方法及应用，有助于提高光转化率，增强QLED显示亮度。
在本申请具体实施方式中，空穴传输组合物包括WO3和NiO；其中，WO3的平均粒径为1-2nm，NiO的平均粒径为7-10nm，NiO和WO3的重量份数比为(0.7-0.9):1。在本实施例中，因为WO3和NiO粒径不同，相互之间纳米粒子堆叠会使得传输层更加致密，如此不同粒径的纳米WO3和NiO实现空穴传输层3的紧密堆积，提高空穴传输层致密性和平整度，增强空穴传输层3与阳极层2以及与发光层4的结合力。且Ni原子的粒子半径相对W原子的粒子半径较小，会以原子替代的形式占据W原子的位置，显著影响WO3薄膜的性质，降低电阻，增加载流子迁移率和载流子浓度。在空穴传输层3工作时候，WO3和NiO拓宽空穴传输层3的能带，降低空穴传输的势垒。
在本申请具体实施方式中，电子传输组合物包括ZnO和TiO2；其中，ZnO的平均粒径为1-3nm，TiO2的平均粒径为8-10nm，TiO2和ZnO的重量份数比为2:3。在本实施例中，因为ZnO和TiO2的粒径不同，相互之间纳米粒子堆叠会使得传输层更加致密，如此不同粒径的纳米ZnO和TiO2实现电子传输层5的紧密堆积，提高电子传输层5致密性和平整度，增强电子传输层5与阴极层6以及与发光层4的结合力。且且Ti原子的粒子半径相对Zn原子的粒子半径小，会以原子替代的形式占据Zn原子的位置，显著影响ZnO薄膜的性质，降低电阻，增加载流子迁移率和载流子浓度。在电子传输层5工作时候，ZnO和TiO2拓宽电子传输层5的能带，降低电子传输的势垒。
请参考附图2，所示为本申请实施例提供的QLED显示器件的制备方法流程图。由附图2所示，所述方法包括以下步骤：
S101：在含阳极层的第一基板上涂布空穴传输组合物，所述空穴传输组合物溶液涂布在所述阳极层上，热处理，所述空穴传输组合物在所述阳极层上形成空穴传输层。
在本实施例中，第一基板上含有阳极层，可选用现有的已经镀有阳极层的第一基板，还可以在选择第一基板后将阳极材料涂布或真空镀在所述第一基板上。第一基板可以为硬质基板或柔性基板，具体的，硬质基板可以为玻璃基板，柔性基板可以为树脂等材料的基板。第一基板的厚度可根据实际需要进行选择，在此不做具体限制。通常，阳极层2的厚度为20-110nm。阳极层的材料选用不受限制，可采用常规阳极材料，作为优选实施例，阳极层为透明阳极。在本申请具体实施方式中，采用ITO(掺锡氧化铟)阳极。ITO薄膜是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。
在阳极层上涂布空穴传输组合物溶液，经过热处理，空穴传输组合物溶液在阳极层上形成空穴传输层。空穴传输组合物溶液是取空穴传输组合物混入有机溶剂中，使空穴传输组合物的组分混合均匀。空穴传输组合物包括至少两种纳米金属氧化物，纳米金属氧化物可采用MoO3、WO3、V2O5和NiO中的至少两种。有机溶剂可采用乙醇等易挥发的溶剂。在本申请实施例中，空穴传输组合物中的各种纳米粒子密堆积形成空穴传输层。热处理是指在350-500℃温度烧结处理，通常处理时间为30-90min，低温烧结处理有助于提高空穴传输组合物纳米粒子之间的紧密度，增加空穴传输组合物纳米粒子之间结合力。通常，空穴传输层的厚度为40-60nm，但不局限于此。在本申请具体实施中，空穴传输组合物溶液的涂布可采用旋涂，旋涂速度一般不超过3500rpm。
在本申请具体实施方式中，步骤S101前还包括，清洗含阳极层的第一基板，等离子处理所述含阳极层的第一基板。等离子处理有助于提高阳极层的功函数，提高阳极层与相邻层的结合力。清洗可采用水、丙酮或乙胺进行清洗。
S102：在所述空穴传输层上涂布量子点，形成发光层。
在步骤S101中已形成的空穴传输层上涂布量子点，形成发光层。量子点包括但不限于CdS、CdSe、CdS/ZnS、CdSe/ZnS或CdSe/CdS/ZnS等，在本申请具体实施方式中发光层由CdS/ZnS制成。
在本申请具体实施方式中，量子点加入表面配体修饰后多次提纯，将提纯后的量子点溶于正交溶液(甲苯/正己烷溶液，15mg/ml)，获得量子点正交溶液，在已形成的空穴传输层上旋涂量子点正交溶液。在70-120℃温度烘干20-40min，获得发光层的厚度为30-50nm。
S103：在所述发光层上涂布电子传输组合物溶液，形成电子传输层。
在步骤S102中已形成的发光层上涂布电子传输组合物溶液，形成电子传输层。电子传输组合物溶液是取电子传输组合物混入有机溶剂中，使电子传输组合物的组分混合均匀。电子传输组合物包括至少两种纳米金属氧化物。纳米金属氧化物可采用ZnO、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3中的至少两种，有机溶剂可采用乙醇等易挥发的溶剂。在本申请实施例中，电子传输组合物中的各种纳米粒子密堆积形成电子传输层。通常，电子传输层的厚度为20-50nm，但不局限于此。在本申请具体实施中，电子传输组合物溶液的涂布可采用旋涂，旋涂速度一般不超过3500rpm。
可选的，在完成发光层上涂布电子传输组合物溶液后，进行热处理，热处理是指在350-500℃温度烧结处理，通常处理时间为30-90min，低温烧结处理有助于提高电子传输组合物纳米粒子之间的紧密度，增加电子传输组合物纳米粒子之间结合力。
S104：在所述电子传输层上蒸镀阴极材料，形成阴极层。
在步骤S103形成的电子传输层上蒸镀阴极材料，形成阴极层。蒸镀通常是指真空蒸镀，阴极材料优选Al、Au、Ag、Cu、Zn中的一种。通常，阴极层6的厚度为20-110nm，但不局限于此。
S105：在所述阴极层上盖合第二基板。
在步骤S104已形成的阴极层上盖合第二基板。第二基板可以为硬质基板或柔性基板，具体的，硬质基板可以为玻璃基板，柔性基板可以为树脂等材料的基板。第二基板的厚度可根据实际需要进行选择，在此不做具体限制。
本申请实施例提供的QLED显示器件的制备方法，用于制备QLED显示器件，QLED显示器件采用至少两种纳米金属氧化物组成空穴传输层以及至少两种纳米金属氧化物组成的电子传输层。本申请实施例提供的QLED显示器件的制备方法有助于空穴传输层和电子传输层的制备。
在本申请具体实施方式中，在制备空穴传输层和电子传输层的时候，对各种金属氧化纳米粒子进行ligand接枝，可提高空穴传输层和电子传输层的成膜性。例如，在制备NiO/TiO2/WO3/ZnO等无机纳米粒子形成纳米粒子前，向反应物中加入TOPO(氧化三辛基膦)、TOP(磷酸三辛脂)，混合均匀后进行反应，在生成无机纳米粒子的同时，表面包覆短链有机配体，增加纳米粒子材料的成膜性。
本申请实施例还提供了一种QLED显示器，所述QLED显示器包括上述实施例提供的QLED显示器件；或，所述QLED显示器包括上述实施例提供的制备方法制备的QLED显示器件。QLED显示器可用于电视、电脑等的显示屏。
下面结合具体实施例对本申请进行进一步说明，以下实施例用于说明本申请，但不用于限制本申请的范围。
实施一
一种QLED显示器件的制备方法，在含100nm厚ITO的玻璃基板上，旋涂空穴传输组合物的乙醇溶液，热处理后行成空穴传输层，空穴传输层的厚度为40nm，空穴传输组合物包括WO3和NiO，WO3的平均粒径为1nm，所述NiO的平均粒径为7nm，NiO和WO3的重量份数比为0.7:1，热处理温度350℃，处理时间50min；在空穴传输层上旋涂量子点正交液，形成35nm的发光层，量子点为CdS/ZnS；在发光层上旋涂电子传输组合物的乙醇溶液，热处理后形成电子传输层，电子传输层的厚度为30nm，电子传输组合物包括ZnO和TiO2，ZnO的平均粒径为1nm，TiO2的平均粒径为8nm，TiO2和ZnO的重量份数比为2:3，热处理温度400℃，处理时间30min；在电子传输层上真空蒸镀Al，形成阴极层，阴极层厚度为100nm，在阴极层上盖合玻璃基板。在本实施例中，含ITO的玻璃基板为第一基板，盖合阴极层的玻璃基板为第二基板。
本申请实施例提供的制备方法制备的QLED显示器件与全无机结构ITO/WO3/(CdSe/ZnS)/ZnO/Al相比，其开启电压下降0.5V，在10.1V的电压下进行测试，本申请实施例提供的方法制备的QLED显示器件的发光亮度为230cd/m2，较全无机结构ITO/WO3/(CdSe/ZnS)/ZnO/Al的发光亮度增加39cd/m2，发光亮度提升20.4％。
实施例二
一种QLED显示器件的制备方法，在含110nm厚ITO的玻璃基板上，旋涂空穴传输组合物的乙醇溶液，热处理后行成空穴传输层，空穴传输层的厚度为50nm，空穴传输组合物包括WO3和NiO，WO3的平均粒径为2nm，所述NiO的平均粒径为7nm，NiO和WO3的重量份数比为0.8:1，热处理温度400℃，处理时间30min；在空穴传输层上旋涂量子点正交液，形成40nm的发光层，量子点为CdS/ZnS；在发光层上旋涂电子传输组合物的乙醇溶液，热处理后形成电子传输层，电子传输层的厚度为50nm，电子传输组合物包括ZnO和TiO2，ZnO的平均粒径为3nm，TiO2的平均粒径为10nm，TiO2和ZnO的重量份数比为2:3，热处理温度350℃，处理时间80min；在电子传输层上真空蒸镀Al，形成阴极层，阴极层厚度为80nm，在阴极层上盖合玻璃基板。在本实施例中，含ITO的玻璃基板为第一基板，盖合阴极层的玻璃基板为第二基板。
本申请实施例提供的制备方法制备的QLED显示器件与全无机结构ITO/WO3/(CdSe/ZnS)/ZnO/Al相比，其开启电压下降0.5V，在10.1V的电压下进行测试，本申请实施例提供的方法制备的QLED显示器件的发光亮度为228cd/m2，较全无机结构ITO/WO3/(CdSe/ZnS)/ZnO/Al的发光亮度增加37cd/m2，发光亮度提升19.3％。
实施例三
一种QLED显示器件的制备方法，在含50nm厚ITO的玻璃基板上，旋涂空穴传输组合物的乙醇溶液，热处理后行成空穴传输层，空穴传输层的厚度为60nm，空穴传输组合物包括WO3和NiO，WO3的平均粒径为2nm，所述NiO的平均粒径为10nm，NiO和WO3的重量份数比为0.9:1，热处理温度450℃，处理时间40min；在空穴传输层上旋涂量子点正交液，形成50nm的发光层，量子点为CdS/ZnS；在发光层上旋涂电子传输组合物的乙醇溶液，热处理后形成电子传输层，电子传输层的厚度为40nm，电子传输组合物包括ZnO和TiO2，ZnO的平均粒径为2nm，TiO2的平均粒径为9nm，TiO2和ZnO的重量份数比为4:5，热处理温度370℃，处理时间70min；在电子传输层上真空蒸镀Al，形成阴极层，阴极层厚度为50nm，在阴极层上盖合玻璃基板。在本实施例中，含ITO的玻璃基板为第一基板，盖合阴极层的玻璃基板为第二基板。
本申请实施例提供的制备方法制备的QLED显示器件与全无机结构ITO/WO3/(CdSe/ZnS)/ZnO/Al相比，其开启电压下降0.5V，在10.1V的电压下进行测试，本申请实施例提供的方法制备的QLED显示器件的发光亮度为235cd/m2，较全无机结构ITO/WO3/(CdSe/ZnS)/ZnO/Al的发光亮度增加44cd/m2，发光亮度提升23％。
实施例四
一种QLED显示器件的制备方法，在含100nm厚ITO的玻璃基板上，旋涂空穴传输组合物的乙醇溶液，热处理后行成空穴传输层，空穴传输层的厚度为50nm，空穴传输组合物包括WO3、NiO和MoO3，WO3的平均粒径为1nm，NiO的平均粒径为7nm，MoO3的平均粒径为3nm，MoO3、NiO和WO3的重量份数比为0.5:0.6:1，热处理温度450℃，处理时间50min；在空穴传输层上旋涂量子点正交液，形成35nm的发光层，量子点为CdS/ZnS；在发光层上旋涂电子传输组合物的乙醇溶液，热处理后形成电子传输层，电子传输层的厚度为45nm，电子传输组合物包括ZnO、TiO2和SnO，ZnO的平均粒径为1nm，TiO2的平均粒径为8nm，SnO的平均粒径为4nm，SnO、TiO2和ZnO的重量份数比为1:1:3，热处理温度500℃，处理时间30min；在电子传输层上真空蒸镀Al，形成阴极层，阴极层厚度为100nm，在阴极层上盖合玻璃基板。在本实施例中，含ITO的玻璃基板为第一基板，盖合阴极层的玻璃基板为第二基板。
本申请实施例提供的制备方法制备的QLED显示器件与全无机结构ITO/WO3/(CdSe/ZnS)/ZnO/Al相比，其开启电压下降0.5V，在10.1V的电压下进行测试，本申请实施例提供的方法制备的QLED显示器件的发光亮度为223cd/m2，较全无机结构ITO/WO3/(CdSe/ZnS)/ZnO/Al的发光亮度增加32cd/m2，发光亮度提升16.7％。
以上所述的本发明实施方式，并不构成对本发明保护范围的限定。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本发明的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种QLED显示器件，其特征在于，包括第一基板和第二基板，所述第一基板和第二基板之间包括依次堆叠的阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极层；其中，
所述空穴传输层由空穴传输组合物制成，所述空穴传输组合物包括至少两种纳米金属氧化物，小粒径的纳米金属氧化物穿插于大粒径的纳米金属氧化物的空隙中；
所述电子传输层由电子传输组合物制成，所述电子传输组合物包括至少两种纳米金属氧化物。
2.如权利要求1所述的QLED显示器件，其特征在于，所述空穴传输组合物选自MoO3、WO3、V2O5和NiO中的至少两种。
3.如权利要求1所述的QLED显示器件，其特征在于，所述电子传输组合物选自ZnO、SnO、ZrO和TiO2中的至少两种。
4.如权利要求1-3任意一项所述的QLED显示器件，其特征在于，所述阳极层的厚度为100nm，所述空穴传输层的厚度为40nm，所述发光层的厚度为35nm，所述电子传输层的厚度为40nm，所述阴极层的厚度为100nm。
5.一种QLED显示器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
步骤1，在含阳极层的第一基板上涂布空穴传输组合物溶液，所述空穴传输组合物溶液涂布在所述阳极层上，热处理，空穴传输组合物在所述阳极层上形成空穴传输层；
步骤2，在所述空穴传输层上涂布量子点，形成发光层；
步骤3，在所述发光层上涂布电子传输组合物溶液，电子传输组合物在所述发光层上形成电子传输层；
步骤4，在所述电子传输层上蒸镀阴极材料，形成阴极层；
步骤5，在所述阴极层上盖合第二基板；其中，
所述空穴传输组合物包括至少两种纳米金属氧化物，小粒径的纳米金属氧化物穿插于大粒径的纳米金属氧化物的空隙中，所述电子传输组合物包括至少两种纳米金属氧化物。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在步骤1中，所述空穴传输组合物选自MoO3、WO3、V2O5和NiO中的至少两种。
7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在步骤3中，所述电子传输组合物选自ZnO、SnO、ZrO和TiO2中的至少两种。
8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1前还包括：
清洗含阳极层的第一基板，等离子处理所述含阳极层的第一基板。
9.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2还包括：
量子点加入表面配体修饰后多次提纯，将提纯后的量子点溶于正交溶液，获得量子点正交溶液。
10.一种QLED显示器，其特征在于，所述QLED显示器包括权利要求1-4任意一项所述的QLED显示器件；或，
所述QLED显示器包括权利要求5-9中任意一项所述制备方法制备的QLED显示器件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710679264.8A CN107492587B (zh) | 2017-08-10 | 2017-08-10 | 一种qled显示器件、制备方法及应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710679264.8A CN107492587B (zh) | 2017-08-10 | 2017-08-10 | 一种qled显示器件、制备方法及应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107492587A CN107492587A (zh) | 2017-12-19 |
| CN107492587B true CN107492587B (zh) | 2019-12-31 |
Family
ID=60643438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710679264.8A Active CN107492587B (zh) | 2017-08-10 | 2017-08-10 | 一种qled显示器件、制备方法及应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107492587B (zh) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110098338A (zh) | 2018-01-31 | 2019-08-06 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种量子点发光二极管qled器件及其制作方法、装置 |
| JP6934104B2 (ja) * | 2018-03-08 | 2021-09-08 | シャープ株式会社 | 素子、電子機器、および素子の製造方法 |
| CN111244293B (zh) * | 2018-11-28 | 2021-10-22 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN111244295B (zh) * | 2018-11-28 | 2021-10-22 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN111244297B (zh) * | 2018-11-28 | 2021-05-18 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN111384263B (zh) | 2018-12-29 | 2021-11-19 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
| KR102718279B1 (ko) * | 2019-09-23 | 2024-10-15 | 삼성전자주식회사 | 발광소자, 발광소자의 제조 방법과 표시 장치 |
| CN111276584B (zh) * | 2020-02-18 | 2022-06-07 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 一种量子点发光器件、显示装置及电子传输材料溶液 |
| CN114695716A (zh) * | 2020-12-31 | 2022-07-01 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管器的制备方法 |
| CN116156920A (zh) * | 2021-11-19 | 2023-05-23 | Tcl科技集团股份有限公司 | 发光器件、发光器件的制备方法及显示装置 |
| CN114284461B (zh) * | 2021-12-24 | 2024-03-19 | 江苏穿越光电科技有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103904178A (zh) * | 2014-04-11 | 2014-07-02 | 浙江大学 | 量子点发光器件 |
| CN105280710A (zh) * | 2014-06-17 | 2016-01-27 | 三星电子株式会社 | 包括石墨烯和量子点的电子装置 |
| CN106384765A (zh) * | 2016-11-03 | 2017-02-08 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN106711309A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-05-24 | Tcl集团股份有限公司 | 一种柔性全无机qled器件及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015156367A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-08-27 | ザ・ボード・オブ・トラスティーズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・イリノイ | ナノ構造材料積層体転移方法及びデバイス |
-
2017
- 2017-08-10 CN CN201710679264.8A patent/CN107492587B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103904178A (zh) * | 2014-04-11 | 2014-07-02 | 浙江大学 | 量子点发光器件 |
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| CN106384765A (zh) * | 2016-11-03 | 2017-02-08 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN106711309A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-05-24 | Tcl集团股份有限公司 | 一种柔性全无机qled器件及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107492587A (zh) | 2017-12-19 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 266555 Qingdao economic and Technological Development Zone, Shandong, Hong Kong Road, No. 218 Patentee after: Hisense Visual Technology Co., Ltd. Address before: 266555 Qingdao economic and Technological Development Zone, Shandong, Hong Kong Road, No. 218 Patentee before: QINGDAO HISENSE ELECTRONICS Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |