CN111232931B - 一种纳米金属氧化物及其制备方法、量子点发光二极管 - Google Patents

一种纳米金属氧化物及其制备方法、量子点发光二极管 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种纳米金属氧化物及其制备方法、量子点发光二极管，其中，所述纳米金属氧化物的制备方法包括步骤：提供一种复合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子；将所述复合材料和初始纳米金属氧化物在极性溶剂中混合，使复合材料中的金属离子电离后与初始纳米金属氧化物表面的氧空位配位结合，得到所述纳米金属氧化物。通过本发明方法能够制得表面缺陷较少的纳米金属氧化物，将所述纳米金属氧化物作为量子点发光二极管的电子传输层材料，可以调节量子点发光二极管的电子迁移率，从而使其电子空穴注入速率达到平衡，进而提高其发光效率。

Description

一种纳米金属氧化物及其制备方法、量子点发光二极管
技术领域
本发明涉及纳米金属氧化物钝化领域，尤其涉及一种纳米金属氧化物及其制备方法、量子点发光二极管。
背景技术
量子点发光二极管（QLED）的器件效率、寿命等技术指标的高低都与器件中的每一个功能层有着密切联系，其中，电子传输层影响着器件的电荷注入水平。金属氧化物纳米颗粒是用于量子点发光二极管的主要材料，金属氧化物纳米颗粒的电子迁移率和能带宽度对器件是影响器件的关键技术，因此制备具有合适电子迁移率和能带宽度的金属氧化物比较重要。
常规的合成方法制备得到的金属氧化物纳米颗粒表面存在较多的缺陷，其不仅会影响电子迁移率也会对QLED的其它功能层产生影响。
因此，相应的技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种纳米金属氧化物的制备方法，旨在解决现有纳米金属氧化物表面存在较多缺陷的问题。
本发明的技术方案如下：
一种纳米金属氧化物的制备方法，其中，包括步骤：
提供一种复合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子；
将所述复合材料和初始纳米金属氧化物在极性溶剂中混合，使复合材料中的金属离子电离后与初始纳米金属氧化物表面的氧空位配位结合，得到所述纳米金属氧化物。
一种纳米金属氧化物，其中，采用本发明方法制备而成。
一种量子点发光二极管，包括电子传输层，其中，所述电子传输层材料为本发明制备方法制备的纳米金属氧化物或本发明所述的纳米金属氧化物。
有益效果：本发明提供一种纳米金属氧化物的制备方法，通过利用腔体内结合有金属离子的PAMAM树形分子作为钝化前驱体，对初始纳米金属氧化物进行表面钝化处理可制得表面缺陷较少的纳米金属氧化物。
附图说明
图1为本发明一种纳米金属氧化物的制备方法较佳实施例的流程图。
具体实施方式
本发明提供一种纳米金属氧化物及其制备方法、量子点发光二极管，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1，本发明提供一种纳米金属氧化物的制备方法较佳实施例的流程图，其中，如图所示，包括步骤：
S100、提供一种复合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子；
S200、将所述复合材料和初始纳米金属氧化物在极性溶剂中混合，使复合材料中的金属离子电离后与初始纳米金属氧化物表面的氧空位配位结合，得到所述纳米金属氧化物。
本实施例利用腔体内结合有金属离子的PAMAM树形分子作为钝化前驱体，对初始纳米金属氧化物进行表面钝化处理可制得表面缺陷较少的纳米金属氧化物。实现上述效果的机理具体如下：
由于常规制备的纳米金属氧化物表面存在较多的氧空位，将本发明提供的复合材料与所述纳米金属氧化物混合在极性溶剂环境中，所述复合材料中的金属离子会发生电离，而表面存在氧空位的纳米金属氧化物在遇到游离的金属离子时比较容易产生化学配位作用，使游离的金属离子配位结合到纳米金属氧化物表面的氧空位中。因此，本实施例利用复合材料与初始纳米金属氧化物混合后，PAMAM树形分子中的金属离子电离后可配位结合在初始纳米金属氧化物的氧空位上，从而降低纳米金属氧化物表面的缺陷。
在一种优选的实施方式中，所述复合材料的制备方法包括以下步骤：提供一种PAMAM树形分子；向金属离子溶液中加入所述PAMAM树形分子，混合使PAMAM树形分子腔体内的N原子与金属离子配位结合，得到复合材料。
本实施例中，所述PAMAM（聚酰胺-胺）树形分子是由不同的分子单元A（乙二胺）和分子单元B（丙烯酸甲酯）反应得到，所述PAMAM树形分子可由发散法合成，第一步由乙二胺和丙烯酸甲酯反应生成羧酸酯，第二步将得到的羧酸酯与过量的乙二胺反应，经过上述两步反应后即可制得第一代PAMAM树形分子，重复上述两步反应即可得到更高代数的PAMAM树形分子。不同代数的PAMAM树形分子所含有的分子单元A和分子单元B的通式为：A(2n+2n-1+…+2n-3)+B(2n+1+2n+…+2n-1)，其中n的取值为3-10；另外，第一代PAMAM树形分子含有分子单元A和分子单元B的通式为A+4B，第二代PAMAM树形分子含有分子单元A和分子单元B的通式为5A+8B。
不同代数的PAMAM树形分子能够结合的金属离子的数量不同，其主要原因是不同代数的PAMAM树形分子能够配位金属离子的能力不同，当所述PAMAM树形分子的代数为第一代至第四代时，由于其末梢官能团（胺基）密集度较低，因此不易作为吸附金属离子的载体。
优选的，本实施例中，所述PAMAM树形分子选自第五代PAMAM树形分子(G5)、第六代PAMAM树形分子(G6)、第七代PAMAM树形分子(G7)、第八代PAMAM树形分子(G8)、第九代PAMAM树形分子(G9)和第十代PAMAM树形分子(G10)等中的一种或多种。当所述PAMAM树形分子的代数为G5-G10时，由于其外围具有较多的官能团（胺基）且具有电负性，所述官能团与官能团之间通过产生静电相互作用能够形成完整而又封闭的空腔，因此G5-G10代的PAMAM树形分子可以作为制备与金属离子配位结合的候选材料。
优选的，由于PAMAM树形分子为亲水性有机分子，且金属离子与所述PAMAM树形分子中的末梢官能团的N原子以配位键结合，因此，本实施例制备的所述复合材料能够稳定存放在极性溶剂中。更优选的，所述极性溶剂选自乙醇、水或甲醇中的一种。
优选的，所述金属离子的元素类型选自Au、Ag、Cu、Fe、Ni、Zn和Mo中的一种或多种，但不限于此。
在一种优选的实施方式中，按照预定比例将所述复合材料和初始纳米金属氧化物在极性溶剂中混合，使复合材料中的金属离子电离后与初始纳米金属氧化物表面的氧空位配位结合，得到所述纳米金属氧化物。
本实施例中所述复合材料中的金属离子能够高效地与纳米金属氧化物表面的氧空位配位结合，而且不会引入其它不必要的阴离子影响纳米金属氧化物的钝化效果。
优选的，本实施例中，所述纳米金属氧化物的常规制备方法包括沉淀法、溶胶凝胶法以及微乳液法等，其中主要是采用溶胶凝胶法制备得到。所述溶胶凝胶法是指：将金属盐（如醋酸锌等）溶解在有机溶剂中（如乙醇）中，通过有机碱调节pH值并使所述金属盐水解制备，得到相应的纳米金属氧化物。
优选的，所述纳米金属氧化物选自ZnO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2 和Ta2O3中的一种或多种，但不限于此。
优选的，由于不同代数的PAMAM树形分子能够配位金属离子的能力不同，导致不同代数的PAMAM树形分子结合金属离子的量不同，因此所述复合材料与所述初始纳米金属氧化物的摩尔质量比与PAMAM树形分子的代数有关。以PAMAM树形分子配位结合金属离子的数量达到最大化为例，当所述复合材料中的PAMAM树形分子为第五代PAMAM树形分子时，按所述第五代PAMAM树形分子的摩尔量与初始纳米金属氧化物的质量比为1mmol：（1-50）mg，将所述复合材料和初始纳米金属氧化物加入到极性溶剂中混合。优选的，当复合材料中的PAMAM树形分子为第六代PAMAM树形分子时，按所述第六代PAMAM树形分子的摩尔量与纳米金属氧化物的质量比为1mmol：（10-150）mg，将所述复合材料和初始纳米金属氧化物加入到极性溶剂中混合。优选的，当复合材料中的PAMAM树形分子为第七代PAMAM树形分子时，按所述第七代PAMAM树形分子的摩尔量与纳米金属氧化物的质量比为1mmol：（50-250）mg，将所述复合材料和初始纳米金属氧化物加入到极性溶剂中混合。优选的，当复合材料中的PAMAM树形分子为第八代PAMAM树形分子时，按所述第八代PAMAM树形分子的摩尔量与纳米金属氧化物的质量比为1mmol：（100-250）mg，将所述复合材料和初始纳米金属氧化物加入到极性溶剂中混合。优选的，当复合材料中的PAMAM树形分子为第九代PAMAM树形分子时，按所述第九代PAMAM树形分子的摩尔量与纳米金属氧化物的质量比为1mmol：（150-300）mg，将所述复合材料和初始纳米金属氧化物加入到极性溶剂中混合。优选的，当复合材料中的PAMAM树形分子为第十代PAMAM树形分子时，按所述第十代PAMAM树形分子的摩尔量与纳米金属氧化物的质量比为1mmol：（200-500）mg，将所述复合材料和初始纳米金属氧化物加入到极性溶剂中混合。
在一种更优选的实施方式中，所述PAMAM树形分子选自第五代PAMAM树形分子和第六代PAMAM树形分子中的一种或两种。由于复合材料中的金属离子会与PAMAM树形分子末梢官能团缝隙内的多个N原子产生化学键，这使得复合材料中金属离子的热解速率相比于有机金属前驱体的热解速率要缓慢得多；且所述含有金属离子的PAMAM树形分子随着代数的增大其相应的粘度也越大，粘度越大使得所述金属离子与初始纳米金属氧化物表面的氧空位配位结合效率降低。因此，本实施例为了保证复合材料中的金属离子能够更高效地与初始纳米金属氧化物表面的氧空位配位结合，优选所述PAMAM树形分子选自第五代PAMAM树形分子和第六代PAMAM树形分子中的一种或两种。
在一种优选的实施方式中，将所述复合材料和纳米金属氧化物加入到极性溶剂中，在25-100℃的条件下对所述复合材料和初始纳米金属氧化物进行搅拌，使复合材料中的金属离子电离后与所述初始纳米金属氧化物表面的氧空位结合，得到纳米金属氧化物。优选的，所述搅拌速度大于3000rpm。更优选的，所述搅拌时间为0.5-3h。
在一种优选的实施方式中，将所述复合材料和纳米金属氧化物加入到极性溶剂中，其中，所述复合材料中的金属离子与所述纳米金属氧化物中的金属离子为相同元素。作为举例，当所述初始纳米金属氧化物为氧化锌时，则所述复合材料中与PAMAM树形分子末梢官能团缝隙内N原子配位结合的金属离子为Zn2+。当所述复合材料中的金属离子与所述纳米金属氧化物中的金属离子为相同元素时，所述金属离子既能够有效消除纳米金属氧化物表面的氧空位缺陷，又能够有效避免其它金属离子结合在纳米金属氧化物表面氧空位后又造成新的表面缺陷。
本发明还提供一种纳米金属氧化物，其中，采用本发明方法制备而成。
本发明还提供一种量子点发光二极管，包括电子传输层，其中，所述电子传输层材料为本发明制备方法制备的纳米金属氧化物。
由于本发明提供的纳米金属氧化物表面缺陷较少，其能够改变纳米金属氧化物的电子迁移率，因此，将本发明制得的表面缺陷较少的纳米金属氧化物作为量子点发光二极管的电子传输层材料，可以调节量子点发光二极管的电子迁移率，从而使量子点发光二极管的电子空穴注入速率达到平衡，进而提高量子点发光二极管的发光效率。
在一种优选的实施方式中，所述量子点发光二极管包括层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中，所述电子传输层材料为本发明制备方法制备的纳米金属氧化物。
需说明的是，本发明不限于上述结构的量子点发光二极管，还可进一步包括界面功能层或界面修饰层，包括但不限于电子阻挡层、空穴阻挡层、电极修饰层、隔离保护层中的一种或多种。本发明所述量子点发光二极管可以部分封装、全封装或不封装。
下面对含空穴传输层的量子点发光二极管（QLED）结构及其制备方法作详细说明：
根据所述QLED发光类型的不同，所述QLED可以分为正装结构的QLED和倒装结构的QLED。
在一种优选的实施方式中，所述正装结构的QLED包括从下往上叠层设置的阳极（所述阳极叠层设置于衬底上）、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其中，所述电子传输层材料为本发明制备方法制备的纳米金属氧化物。
在另一种优选的实施方式中，所述倒装结构的QLED包括从下往上叠层设置的阴极（所述阴极叠层设置于衬底上）、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极，其中，所述电子传输层材料为本发明制备方法制备的纳米金属氧化物。
优选的，所述阳极的材料选自掺杂金属氧化物；其中，所述掺杂金属氧化物包括但不限于铟掺杂氧化锡（ITO）、氟掺杂氧化锡（FTO）、锑掺杂氧化锡（ATO）、铝掺杂氧化锌（AZO）、镓掺杂氧化锌（GZO）、铟掺杂氧化锌（IZO）、镁掺杂氧化锌（MZO）、铝掺杂氧化镁（AMO）中的一种或多种。
优选的，所述空穴传输层的材料选自具有良好空穴传输能力的有机材料，例如可以为但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)（TFB）、聚乙烯咔唑（PVK）、聚(N, N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)（Poly-TPD）、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)（PFB）、4,4’,4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺（TPD）、N,N’-二苯基-N,N’-（1-萘基）-1,1’-联苯-4,4’-二胺（NPB）、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯和C60中的一种或多种。
优选的，所述量子点发光层的材料选自红量子点、绿量子点、蓝量子点中的一种或多种，也可选自黄光量子点。具体的，所述量子点发光层的材料选自CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、CuInS、CuInSe、以及各种核壳结构量子点或合金结构量子点中的一种或多种。本发明所述量子点可以选自含镉或者不含镉量子点。该材料的量子点发光层具有激发光谱宽并且连续分布，发射光谱稳定性高等特点。
优选的，所述阴极的材料选自导电碳材料、导电金属氧化物材料和金属材料中的一种或多种；其中导电碳材料包括但不限于掺杂或非掺杂碳纳米管、掺杂或非掺杂石墨烯、掺杂或非掺杂氧化石墨烯、C60、石墨、碳纤维和多孔碳中的一种或多种；导电金属氧化物材料包括但不限于ITO、FTO、ATO和AZO中的一种或多种；金属材料包括但不限于Al、Ag、Cu、Mo、Au、或它们的合金；其中所述金属材料中，其形态包括但不限于致密薄膜、纳米线、纳米球、纳米棒、纳米锥和纳米空心球中的一种或多种。
本发明还提供一种正装结构的含空穴传输层的QLED的制备方法，包括如下步骤：
提供含阳极的衬底，在阳极上制备空穴传输层；
在空穴传输层上制备量子点发光层；
在量子点发光层上制备电子传输层，其中，所述电子传输层材料为本发明制备方法制备的纳米金属氧化物；
在电子传输层上制备阴极，得到QLED。
本发明还提供一种倒装结构的含空穴传输层的QLED的制备方法，包括如下步骤：
提供含有阴极的衬底，在所述阴极上制备电子传输层，其中，所述电子传输层材料为本发明制备方法制备的纳米金属氧化物；
在电子传输层上制备量子点发光层；
在量子点发光层上制备空穴传输层；
在空穴传输层上制备阳极，得到QLED。
上述各层的制备方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于物理镀膜法或溶液法，其中溶液法包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法；物理镀膜法包括但不限于热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种。
下面通过实施例对本发明量子点发光二极管及其制备方法进行详细说明：
实施例1
一种量子点发光二极管，其包括从下至上叠层设置的阳极衬底、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中，所述电子传输层材料为Cu2+钝化纳米氧化锌。所述量子点发光二极管的制备方法包括步骤：
1）、复合材料的制备：将第五代PAMAM树形分子水溶液（1×10-2mol/L）与Cu（NO3）2水溶液（1.0×10-2mol/L）加入装有搅拌装置的反应器中，室温搅拌2h制备得到含有Cu2+的PAMAM树形分子(G5)溶液(1×10-2mol/L)备用；
2）、纳米氧化锌的制备：将0.5mol的水合醋酸锌分散在25ml的二甲基亚砜中使其完全分散得到第一混合液；将0.55mol的四甲基氢氧化铵分散在30ml的乙醇中使其完全分散得到第二混合液；将第一混合液和第二混合液进行室温混合搅拌60min后，制得纳米氧化锌；
3）、Cu2+钝化纳米氧化锌的制备：取步骤2）中纳米氧化锌40mg分散在步骤1）中的100ml复合材料中，采用50℃、转速5000rpm、时间30min的条件进行钝化处理，制得Cu2+钝化纳米氧化锌；
4）、量子点发光二极管的制备：
以4000rpm的转速在清洗干净的ITO 玻璃片上旋涂PVK，旋涂60s后以150℃退火处理15min，制得空穴传输层；
以2000rpm的转速在空穴传输层上旋涂红色量子点CdSe/ZnS溶液，旋涂60s后制得量子点发光层；
以3000rpm的转速在量子点发光层上旋涂所述步骤3）中制得的Cu2+钝化纳米氧化锌，旋涂60s后以120℃退火处理30min，制得电子传输层；
最后，在所述电子传输层上通过掩膜板采用热蒸的方式沉积150nm的铝电极，制得所述量子点发光二极管。
实施例2
一种量子点发光二极管，其包括从下至上叠层设置的阳极衬底、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中，所述电子传输层材料为Zn2+钝化纳米氧化锌。所述量子点发光二极管的制备方法包括步骤：
1）、复合材料的制备：将第六代PAMAM树形分子水溶液（1×10-2mol/L）与Zn（NO3）2水溶液（1.0×10-2mol/L）加入装有搅拌装置的反应器中，室温搅拌2h制备得到含有Zn2+的PAMAM树形分子(G6)溶液(1×10-2mol/L)备用；
2）、纳米氧化锌的制备：将0.5mol的水合醋酸锌分散在25ml的二甲基亚砜中使其完全分散得到第一混合液；将0.55mol的四甲基氢氧化铵分散在30ml的乙醇中使其完全分散得到第二混合液；将第一混合液和第二混合液进行室温混合搅拌60min后，制得纳米氧化锌；
3）、Zn2+钝化纳米氧化锌的制备：取步骤2）中纳米氧化锌100mg分散在步骤1）中的100ml复合材料中，采用60℃、转速4000rpm、时间30min的条件进行钝化处理，制得Zn2+钝化纳米氧化锌；
4）、量子点发光二极管的制备：
以4000rpm的转速在清洗干净的ITO 玻璃片上旋涂TFB，旋涂60s后以150℃退火处理15min，制得空穴传输层；
以2000rpm的转速在空穴传输层上旋涂红色量子点CdSe/ZnS溶液，旋涂60s后制得量子点发光层；
以3000rpm的转速在量子点发光层上旋涂所述步骤3）中制得的Zn2+钝化纳米氧化锌，旋涂60s后以100℃退火处理40min，制得电子传输层；
最后，在所述电子传输层上通过掩膜板采用热蒸的方式沉积150nm的铝电极，制得所述量子点发光二极管。
实施例3
一种量子点发光二极管，其包括从下至上叠层设置的阳极衬底、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中，所述电子传输层材料为Ag+钝化纳米氧化镍。所述量子点发光二极管的制备方法包括步骤：
1）、复合材料的制备：将第八代PAMAM树形分子水溶液（1×10-2mol/L）与AgNO3水溶液（1.0×10-2mol/L）加入装有搅拌装置的反应器中，室温搅拌2h制备得到含有Ag+的PAMAM树形分子(G8)溶液(1×10-2mol/L)备用；
2）、纳米氧化镍的制备：将0.5mol的水合醋酸镍分散在25ml的二甲基亚砜中使其完全分散得到第一混合液；将0.55mol的四甲基氢氧化铵分散在30ml的乙醇中使其完全分散得到第二混合液；将第一混合液和第二混合液进行室温混合搅拌60min后，制得纳米氧化镍；
3）、Ag+钝化纳米氧化镍的制备：取步骤2）中纳米氧化锌150mg分散在步骤1）中的100ml复合材料中，采用80℃、转速6000rpm、时间30min的条件进行钝化处理，制得Ag+钝化纳米氧化镍；
4）、量子点发光二极管的制备：
以4000rpm的转速在清洗干净的ITO 玻璃片上旋涂PVK，旋涂60s后以150℃退火处理15min，制得空穴传输层；
以2000rpm的转速在空穴传输层上旋涂红色量子点CdSe/ZnS溶液，旋涂60s后制得量子点发光层；
以3000rpm的转速在量子点发光层上旋涂所述步骤3）中制得的Ag+钝化纳米氧化镍，旋涂60s后以120℃退火处理30min，制得电子传输层；
最后，在所述电子传输层上通过掩膜板采用热蒸的方式沉积150nm的铝电极，制得所述量子点发光二极管。
综上所述，本发明提供一种纳米金属氧化物的制备方法，包括步骤：提供一种复合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子；将所述复合材料和初始纳米金属氧化物在极性溶剂中混合，使复合材料中的金属离子电离后与初始纳米金属氧化物表面的氧空位配位结合，得到所述纳米金属氧化物。通过本发明方法能够制得表面缺陷较少的纳米金属氧化物，将所述纳米金属氧化物作为量子点发光二极管的电子传输层材料，可以调节量子点发光二极管的电子迁移率，从而使其电子空穴注入速率达到平衡，进而提高其发光效率。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供一种复合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子；
将所述复合材料和初始纳米金属氧化物在极性溶剂中混合，使复合材料中的金属离子电离后与初始纳米金属氧化物表面的氧空位配位结合，得到所述纳米金属氧化物；
所述金属离子的元素种类选自Au、Ag、Cu、Fe、Ni、Zn和Mo中的一种或多种；
所述纳米金属氧化物选自ZnO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于，所述PAMAM树形分子选自第五代至第十代PAMAM树形分子中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于，所述所述PAMAM树形分子选自第五代和第六代PAMAM树形分子中的一种或两种。
4.根据权利要求1所述纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于，所述复合材料中的金属离子与所述初始纳米金属氧化物中的金属离子为相同元素。
5.根据权利要求2所述纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于，当复合材料中的PAMAM树形分子为第五代PAMAM树形分子时，按所述第五代PAMAM树形分子的摩尔量与初始纳米金属氧化物的质量比为1mmol：(1-50)mg，将所述复合材料和初始纳米金属氧化物加入到极性溶剂中混合；
和/或，当复合材料中的PAMAM树形分子为第六代PAMAM树形分子时，按所述第六代PAMAM树形分子的摩尔量与初始纳米金属氧化物的质量比为1mmol：(10-150)mg，将所述复合材料和初始纳米金属氧化物加入到极性溶剂中混合；
和/或，当复合材料中的PAMAM树形分子为第七代PAMAM树形分子时，按所述第七代PAMAM树形分子的摩尔量与初始纳米金属氧化物的质量比为1mmol：(50-250)mg，将所述复合材料和初始纳米金属氧化物加入到极性溶剂中混合；
和/或，当复合材料中的PAMAM树形分子为第八代PAMAM树形分子时，按所述第八代PAMAM树形分子的摩尔量与初始纳米金属氧化物的质量比为1mmol：(100-250)mg，将所述复合材料和初始纳米金属氧化物加入到极性溶剂中混合；
和/或，当复合材料中的PAMAM树形分子为第九代PAMAM树形分子时，按所述第九代PAMAM树形分子的摩尔量与初始纳米金属氧化物的质量比为1mmol：(150-300)mg，将所述复合材料和初始纳米金属氧化物加入到极性溶剂中混合；
和/或，当复合材料中的PAMAM树形分子为第十代PAMAM树形分子时，按所述第十代PAMAM树形分子的摩尔量与初始纳米金属氧化物的质量比为1mmol：(200-500)mg，将所述复合材料和初始纳米金属氧化物加入到极性溶剂中混合。
6.根据权利要求5所述纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于，在25-100℃条件下，将所述复合材料和初始纳米金属氧化物加入到极性溶剂中混合，使复合材料中的金属离子电离后与初始纳米金属氧化物表面的氧空位配位结合，得到所述纳米金属氧化物。
7.一种纳米金属氧化物，其特征在于，采用权利要求1-6任意一种方法制备而成。
8.一种量子点发光二极管，包括电子传输层，其特征在于，所述电子传输层材料为权利要求1-6任一所述制备方法制备的纳米金属氧化物或权利要求7所述的纳米金属氧化物。
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