CN107481829A - 近场用噪声抑制片 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种近场用噪声抑制片，即使噪声抑制片的厚度变薄也能够应对相互去耦合性的高频化。本发明的近场用噪声抑制片的特征在于，包括由有机物构成的基材和担载于所述基材中的软磁性合金粉末，关于所述软磁性合金粉末，平均粒径为12μm以下，并且长径比的平均值为1.00以上且1.30以下。

Description

近场用噪声抑制片
技术领域
本发明涉及为了抑制电子设备或通信设备的多余的放射电磁波(噪声)或者线路或电子部件间的磁耦合而使用的近场用噪声抑制片。
背景技术
近年来，伴随着电子设备或通信设备的小型化、轻量化，装配于电子电路的电子部件的安装密度也升高。因此，以从电子部件放射的电磁波噪声或者线路或电子部件间的磁耦合为起因，在电子部件间或电子电路间产生电磁波干涉而引起的电子设备或通信设备的误动作成为问题。
为了防止该问题，在设备等上安装将多余的放射电磁波(噪声)转换成热量的近场用噪声抑制片。该噪声抑制片的厚度为0.1mm～2mm，因此可以通过直接粘贴于作为噪声产生源的电子部件或电子电路、或者粘贴于电子部件或电子电路的附近来使用，加工容易且形状自由度也高。因此，噪声抑制片能够适应于电子设备或通信设备的小型化、轻量化，广泛地使用作为电子设备或通信设备的噪声应对部件。
作为噪声抑制片的具体的使用方法，可举出以下3种。即，对于平行地并列的线路或电子部件的空间性的耦合，可列举(i)将噪声抑制片相对于线路或电子部件进行平行装配的情况、(ii)将噪声抑制片装配于线路或电子部件的间隙的情况、(iii)以覆盖线路的方式装配噪声抑制片的情况这三种。在上述(i)的情况下，噪声抑制片的内部去耦合性变得重要，在上述(ii)的情况下，噪声抑制片的相互去耦合性变得重要，在上述(iii)的情况下，噪声抑制片的传送去耦合性变得重要。即，作为噪声抑制片的内部去耦合性、相互去耦合性或传送去耦合性的指标的内部去耦合率、相互去耦合率或传送去耦合率成为0dB的频率根据上述(i)～(iii)的使用方法与要吸收的电磁波噪声的频带相比为高频的情况至关重要。
在此，典型性的噪声抑制片由加工成扁平状的软磁性合金粉末和有机耦合剂构成，通过由软磁性合金粉末的磁共振引起的磁损失将噪声转换成热量。由此，噪声抑制片的噪声抑制性能依赖于噪声抑制片所包含的软磁性合金粉末的导磁率。通常，导磁率使用实部导磁率μ’和虚部导磁率μ”而由复数导磁率μ＝μ’-j·μ”表示，但是在噪声抑制片那样利用磁损失的情况下，虚部导磁率μ”变得重要。而且，使用加工成扁平状的软磁性合金粉末的理由是因为，通过进行扁平加工能够提高相对于噪声抑制片的面内方向的软磁性合金粉末的磁各向异性，因此通过利用该磁各向异性，能够根据要吸收的电磁波噪声的频率来控制虚部导磁率μ”的分布。
专利文献1记载了以具备扁平状的磁性粉末和有机耦合剂为特征的噪声抑制片。而且，专利文献2记载了主要含有由铁系非晶质合金构成的扁平状的软磁性粒子和有机耦合剂的电磁波干涉抑制体。
【在先技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】日本特开2013-172010号公报
【专利文献2】日本特开2015-46538号公报
发明内容
【发明的概要】
【发明要解决的课题】
近年来，电子设备或通信设备的高性能化急速发展，使用的频率处于日益升高的倾向。例如，在个人计算机中要求进一步的高速化，CPU的驱动频率要达到GHz带。而且，在无线LAN等通信设备中处理的数字内容的容量增大，通信频率也是GHz带逐渐成为主导。此外，数字TV广播或道路交通信息系统等卫星通信也急速扩大，泛在网络时代正在逐步实现。这样的信息通信设备的多功能化、融合不断推进，另一方面，从电子设备或通信设备放射的多余的电磁波噪声的频率也升高，该电磁波噪声引起的功能干涉或误动作也比以往增加而令人担心。因此，希望有效地吸收GHz带域的电磁波噪声。
另外，典型性的噪声抑制片具有扁平状的软磁性合金粉末沿着噪声抑制片的面内方向水平地排列的构造，因此噪声抑制片的面内方向的虚部导磁率μ”大，但是噪声抑制片的厚度方向的虚部导磁率μ”小。因此，如上述(i)或(iii)那样在与噪声源相同的面内方向使用这样的噪声抑制片的情况下，以面内方向的虚部导磁率μ”大的情况为起因，能够得到优异的内部去耦合性和传送减衰性。然而，如上述(ii)那样在与噪声源相对的方向上使用噪声抑制片的情况下，以噪声抑制片的厚度方向的虚部导磁率μ”小的情况为起因，噪声抑制片的相互去耦合性差。在专利文献1及专利文献2中，都使用实施了扁平加工的扁平状的合金粉末。因此，专利文献1及专利文献2记载的技术是关于噪声抑制片或电磁波干涉抑制体的面内方向的虚部导磁率μ”的技术，关于噪声抑制片或电磁波干涉抑制体的厚度方向的虚部导磁率μ”未作考虑，因此虽然能够应对内部去耦合性及传送减衰性的高频化，但是无法应对相互去耦合性的高频化。
另外，即便是由加工成扁平状的软磁性合金粉末构成的噪声抑制片，通过向噪声抑制片插入金属箔等导体片，也能够利用导体片的涡流损失得到优异的相互去耦合性。然而，伴随着电子设备等的小型化、轻量化，在向线路或电子部件密集的电子电路插入导体片的情况下，插入的导体片反而有时会成为噪声源。因此，开发出在具有扁平状的软磁性合金粉末沿着片的面内方向整齐排列的构造的2个层之间插入了导体层的多层噪声抑制片。然而，在多层噪声抑制片中，构造上片的厚度变厚，因此无法应对近年来的电子设备等的薄壁化。此外，多层噪声抑制片的构造与不具有导体层的噪声抑制片相比复杂，制造成本也升高。
因此，本发明鉴于上述课题，目的在于提供一种即使噪声抑制片的厚度变薄也能够应对相互去耦合性的高频化的近场用噪声抑制片。
【用于解决课题的方案】
为了实现上述目的，本发明人进行仔细研讨并得到了以下的见解。为了得到即使噪声抑制片的厚度变薄也能够应对相互去耦合性的高频化的噪声抑制片，优选以使扁平状的软磁性合金粉末的长径方向与噪声抑制片的厚度方向平行的方式将扁平状的软磁性合金粉末整齐排列。然而，将扁平状的软磁性合金粉末像这样整齐排列的情况在现实上困难。因此，本发明人进行了仔细研讨后，发现了通过使软磁性合金粉末的形状成为接近于球形的形状并减小软磁性合金粉末的平均粒径，而能够得到即使噪声抑制片的厚度变薄也能够应对相互去耦合性的高频化的噪声抑制片。
本发明基于上述见解而完成，其主旨结构如以下所述。
(1)一种近场用噪声抑制片，其特征在于，
所述近场用噪声抑制片包括由有机物构成的基材和担载于所述基材中的软磁性合金粉末，
关于所述软磁性合金粉末，平均粒径为12μm以下，并且长径比的平均值为1.00以上且1.30以下。
(2)根据上述(1)记载的近场用噪声抑制片，其中，所述软磁性合金粉末的平均粒径为5μm以下。
(3)根据上述(1)或(2)记载的近场用噪声抑制片，其中，所述软磁性合金粉末由从仅由非晶相构成的合金粉末及具有非晶相和结晶相的合金粉末中选择的一种以上的合金粉末构成。
(4)根据上述(3)记载的近场用噪声抑制片，其中，所述软磁性合金粉末包括从Fe基合金粉末及Co基合金粉末中选择的一种以上的合金粉末。
(5)根据上述(4)记载的近场用噪声抑制片，其中，从所述Fe基合金粉末及所述Co基合金粉末中选择的一种以上的合金粉末的Fe及Co的合计浓度为83质量％以上。
(6)根据上述(1)或(2)记载的近场用噪声抑制片，其中，所述软磁性合金粉末由仅由结晶相构成的合金粉末构成。
(7)根据上述(1)～(6)中任一项记载的近场用噪声抑制片，其中，表面电阻为108Ω/□以上。
(8)根据上述(1)～(7)中任一项记载的近场用噪声抑制片，其中，厚度为0.5mm以下。
【发明效果】
根据本发明，能够提供一种即使噪声抑制片的厚度变薄也能够应对相互去耦合性的高频化的近场用噪声抑制片。
附图说明
图1是表示实施例1、2及比较例1、2的相互去耦合率的频率依赖性的坐标图。
图2是表示实施例3、4及比较例3、4的相互去耦合率的频率依赖性的坐标图。
图3是表示实施例5、6及比较例5、6的相互去耦合率的频率依赖性的坐标图。
图4是表示实施例7、8及比较例7、8的相互去耦合率的频率依赖性的坐标图。
图5是表示实施例9、10及比较例9、10的相互去耦合率的频率依赖性的坐标图。
图6是表示实施例11、12及比较例11、12的相互去耦合率的频率依赖性的坐标图。
具体实施方式
以下，说明本发明的近场用噪声抑制片的实施方式。
本发明的一实施方式的近场用噪声抑制片(以下，简称为“噪声抑制片”)的特征在于，包括由有机物构成的基材和担载于所述基材中的软磁性合金粉末，软磁性合金粉末的平均粒径为12μm以下，并且长径比的平均值为1.00以上且1.30以下。这样，通过使软磁性合金粉末的平均粒径为12μm以下，并使长径比的平均值为1.00以上且1.30以下，而能够得到即使噪声抑制片的厚度变薄也能够应对相互去耦合性的高频化的噪声抑制片。而且，与具有导体层的多层噪声抑制片相比，本发明的噪声抑制片的构造简单，因此能够抑制制造成本。需要说明的是，电磁波向磁性体的侵入深度存在频率越高则越浅的性质，因此从使相互去耦合性进一步高频化的观点出发而优选进一步减小软磁性合金粉末的平均粒径，使软磁性合金粉末的平均粒径为5μm以下，并使长径比的平均值为1.00以上且1.30以下。
作为本发明使用的软磁性合金粉末，虽然可以使用任意的软磁性合金粉末，但是电磁波向磁性体的侵入深度存在磁性体的电阻越高则越深的性质。因此，考虑到非晶相中的电阻比结晶相中的电阻高的情况，也可以从软磁性合金粉末之中选择含有具有非晶相这样的特定的组成的软磁性合金粉末。因此，从通过提高磁性体的电阻而使相互去耦合性进一步高频化的观点出发，优选使用包含具有比仅由结晶相构成的合金粉末高的电阻的、从仅由非晶相构成的合金粉末及具有非晶相和结晶相的合金粉末中选择的1种以上的合金粉末的软磁性合金粉末。而且，从通过得到更高的电阻而使相互去耦合性进一步高频化的观点出发，更优选使用从仅由非晶相构成的合金粉末及具有非晶相和结晶相的合金粉末中选择的1种以上的合金粉末构成的软磁性合金粉末。
使用包含从仅由非晶相构成的合金粉末及具有非晶相和结晶相的合金粉末中选择的1种以上的合金粉末的软磁性合金粉末的情况下，从实用性的观点出发，优选使用包含从Fe基合金粉末及Co基合金粉末中选择的1种以上的合金粉末的软磁性合金粉末。而且，更优选使用由从Fe基合金粉末及Co基合金粉末中选择的1种以上的合金粉末构成的软磁性合金粉末。此外，从实用性的观点出发，更优选使从Fe基合金粉末及Co基合金粉末中选择的1种以上的合金粉末中的Fe及Co的合计浓度为83质量％以上。在此，作为仅由非晶质构成的合金粉末，可列举FeCo系、FeSiB系、FePC系、FeCoSiB系等Fe基合金粉末、或CoFe系、CoSiB系、CoFeSiB系等Co基合金粉末。需要说明的是，关于具有非晶相和结晶相的合金粉末，可列举通过对于上述的仅由非晶相构成的合金粉末实施后述的处理而使α-Fe微结晶析出的合金粉末。
另外，作为本发明使用的软磁性合金粉末，也可以使用包含仅由结晶相构成的合金粉末的软磁性合金粉末。这种情况下，从实用性的观点出发，优选使用包含从Fe基合金粉末及Co基合金粉末中选择的1种以上的合金粉末的软磁性合金粉末。此外，从实用性的观点出发，更优选使用由从Fe基合金粉末及Co基合金粉末中选择的1种以上的合金粉末构成的软磁性合金粉末。在此，作为仅由结晶相构成的合金粉末，可列举FeSi系、FeMn系、FeNi系、FeSiAl系、FeSiCr系等Fe基合金粉末、或者CoNi、CoMn系等Co基合金粉末。
另外，本发明使用的软磁性合金粉末可以设为将从仅由结晶相构成的合金粉末、仅由非晶相构成的合金粉末、具有非晶相和结晶相的合金粉末中选择的2种以上的合金粉末混合而成的混合粉末。这种情况下的粉末的比率没有特别限定，但是优选仅由非晶相构成的合金粉末及具有非晶相和结晶相的合金粉末的合计为50质量％以上。此外，也可以对于本发明使用的软磁性合金粉末添加Fe粉末而成为混合粉末。这种情况下的粉末的比率没有特别限定，但是优选混合粉末中的软磁性合金粉末的合计为50质量％以上。
噪声抑制片的表面电阻优选为108Ω/□以上。这是因为，如果噪声抑制片的表面电阻为108Ω/□以上，则即使在电子电路上直接粘贴噪声抑制片而使用的情况下，也不会扰乱电子电路的阻抗。
噪声抑制片的厚度优选为0.5mm以下。这是因为，如果噪声抑制片的厚度为0.5mm以下，则能够适用于轻薄短小化、高频化的近年来的电子设备或通信设备。需要说明的是，更优选噪声抑制片的厚度为0.2mm以下。
以下，示出本实施方式的噪声抑制片的制造方法的一例。
在本实施方式的噪声抑制片的制造方法中，首先，将软磁性合金粉末、有机物、有机溶剂混合来制作浆料。
在本发明中，特征在于减小软磁性合金粉末的形状的各向异性，并成为接近于球形的形状。因此，本发明的软磁性合金粉末的长径比(＝长径/厚度)的平均值为1.00以上且1.30以下的情况至关重要。从这样的观点出发，本发明的软磁性合金粉末优选设为未实施扁平加工的雾化粉末。在此，设为雾化粉末是因为通过雾化法而容易制作接近于球形的形状的缘故。需要说明的是，雾化粉末通过作为一般性的粉末合成方法的气体雾化法或水雾化法能够得到，但是从得到如本发明那样平均粒径小的粉末的观点出发，特别优选使用水雾化法。需要说明的是，本发明的软磁性合金粉末并未局限于通过雾化法得到的结构，也可以使用由软磁性合金的块体或带材进行粉碎加工而得到的粉末。通过上述的方法，将软磁性合金粉末的平均粒径调整成为12μm以下，更优选成为5μm以下。
需要说明的是，在本说明书中，“平均粒径”是指将利用扫描型电子显微镜(SEM)以倍率5000倍观察噪声抑制片的厚度方向的剖面的研磨面时的软磁性合金粉末的长径的值对于视场中的全部的粉末进行了平均后的值。而且，“长径比的平均值”同样是指将利用SEM以倍率5000倍观察噪声抑制片的厚度方向的剖面的研磨面时的软磁性合金粉末的长径/厚度的值对于视场中的全部的粉末进行了平均后的值。
另外，如上所述，作为本发明的软磁性合金粉末，可以使用具有非晶相和结晶相的合金粉末。在使用具有非晶相和结晶相的合金粉末的情况下，在制作了仅由非晶相构成的合金粉末之后，在氮或氩等不活泼气氛中进行热处理，使例如由α-Fe构成的微结晶析出。通过使强磁性的α-Fe微结晶析出而软磁特性提高。即，磁通密度增加，顽磁力及磁致伸缩减少。这样，能够得到具有非晶相和结晶相的合金粉末。热处理条件可以设为例如300～600℃的温度、0.1～2小时。
作为构成基材的有机物，可列举环氧树脂、酚醛树脂、纤维素树脂、聚乙烯树脂、聚酯树脂、聚氯乙烯树脂、聚缩醛树脂、聚乙烯醇树脂、氯化聚乙烯树脂等任意的树脂系材料、硅橡胶、丙烯酸橡胶、丁腈橡胶、丁基橡胶等任意的橡胶系材料、无纺布、聚酯纤维、丙烯酸纤维等任意的纤维系材料，关于有机物的选定，只要根据目的适当选定即可。上述的有机物具有耦合性、可塑性的赋予及合金粉末彼此的绝缘剥离这样的功能。而且，为了提高噪声抑制片的柔软性，根据需要也可以添加邻苯二甲酸二辛酯等的增塑剂。而且，为了提高软磁性合金粉末与有机物的相容性，可以添加硅烷偶联剂等表面改性剂。此外，为了得到阻燃性，根据需要也可以添加氢氧化铝、氢氧化镁、红磷等阻燃剂。
软磁性合金粉末与有机物的配合比优选以使最终得到的噪声抑制片中的软磁性合金粉末所占的比例以体积率计成为70％以上且90％以下的方式进行调整。通过使软磁性合金粉末的比例为70％以上，能够得到为了作为噪声抑制片发挥功能所需的导磁率。而且，通过使软磁性合金粉末的比例为90％以下，能够得到具有柔软性的噪声抑制片。需要说明的是，在以往那样噪声抑制片使用扁平状的软磁性合金粉末的情况下，为了确保108Ω/□以上的表面电阻和噪声抑制片的柔软性，必须使扁平状的软磁性合金粉末所占的体积率小于60％，相对于此，在本发明中，能够将软磁性合金粉末的体积率提高至70％以上且90％以下。这样，能确保108Ω/□以上的表面电阻和噪声抑制片的柔软性，并且通过提高软磁性合金粉末的体积率也能够得到较高的噪声抑制效果。
作为有机溶剂没有特别限定，可以使用甲苯、醋酸丁酯、醋酸乙酯等。有机溶剂在后续的工序中蒸发，因此不包含在噪声抑制片中。
作为噪声抑制片的成型方法，可列举压延辊法或刮板法等公知或任意的方法。例如，在使用刮板法的情况下，将由软磁性合金粉末、有机物、有机溶剂构成的浆料成型、干燥为片状，制作成型体。该成型体具有接近于球状的形状的软磁性合金粉末担载于由有机物构成的基材的构造。但是，在本发明中，并没有特别局限于上述的成型方法，只要能够制作厚度0.5mm以下的噪声抑制片即可，可以使用任意或公知的成型方法。
【实施例】
(实施例1、2及比较例1、2)
在实施例1、2及比较例1中，通过水雾化法，制作了仅由以质量％表述为Fe85Si9.5Al5.5的结晶相构成的未实施扁平加工的雾化合金粉末。而且，在比较例2中，对于通过水雾化法制作的仅由以质量％表述为Fe85Si9.5Al5.5的结晶相构成的未实施扁平加工的雾化合金粉末，通过磨碎机实施扁平加工，而且为了去除与扁平加工相伴的加工应力，在氩气氛下，通过实施650℃、5小时的退火处理而制作了仅由结晶相构成的扁平状的雾化合金粉末。需要说明的是，比较例2使用的实施扁平加工之前的雾化合金粉末与实施例2使用的雾化合金粉末相同。
接下来，分别关于实施例1、2及比较例1的未实施各扁平加工的雾化合金粉末、比较例2的扁平状的雾化合金粉末，以使各合金粉末的体积率成为各浆料整体的70％以上且80％以下的方式，将各合金粉末、丙烯酸橡胶、甲苯混合而制作了浆料。接下来，通过刮板法，在聚对苯二甲酸乙二醇酯的膜上，将各浆料加工成片状的成型体。然后，对于各片状的成型体，在10MPa的压力下实施100℃、1分钟的加热冲压，由此制作了厚度0.15mm的噪声抑制片。需要说明的是，关于各合金粉末的平均粒径及长径比的平均值，利用SEM观察各噪声抑制片的厚度方向的剖面的离子磨削研磨面，根据其摄影像，利用已述的方法进行了计测。各合金粉末的平均粒径及长径比的平均值如表1所示。
(实施例3、4及比较例3、4)
在实施例3、4及比较例3中，通过水雾化法，制作了仅由以质量％表述为Fe94Si6的结晶相构成的未实施扁平加工的雾化合金粉末。而且，在比较例4中，对于通过水雾化法制作的仅由以质量％表述为Fe94Si6的结晶相构成的未实施扁平加工的雾化合金粉末，通过实施与比较例2同样的处理而制作了仅由结晶相构成的扁平状的雾化合金粉末。需要说明的是，比较例4使用的实施扁平加工之前的雾化合金粉末与实施例4使用的雾化合金粉末相同。
接下来，分别对于实施例3、4及比较例3的未实施各扁平加工的雾化合金粉末、比较例4的扁平状的雾化合金粉末，以使各合金粉末的体积率成为各浆料整体的70％以上且80％以下的方式，通过与实施例1同样的方法制作了厚度0.15mm的噪声抑制片。需要说明的是，关于各合金粉末的平均粒径及长径比的平均值，利用与实施例1同样的方法进行了计测。各合金粉末的平均粒径及长径比的平均值如表1所示。
(实施例5、6及比较例5、6)
在实施例5、6及比较例5中，通过水雾化法，制作了仅由以质量％表述为Fe50Ni50的结晶相构成的未实施扁平加工的雾化合金粉末。而且，在比较例6中，对于通过水雾化法制作的仅由以质量％表述为Fe50Ni50的结晶相构成的未实施扁平加工的雾化合金粉末，通过实施与比较例2同样的处理而制作了仅由结晶相构成的扁平状的雾化合金粉末。需要说明的是，比较例6使用的实施扁平加工之前的雾化合金粉末与实施例6使用的雾化合金粉末相同。
接下来，分别关于实施例5、6及比较例5的未实施各扁平加工的雾化合金粉末、比较例6的扁平状的雾化合金粉末，以使各合金粉末的体积率成为各浆料整体的70％以上且80％以下的方式通过与实施例1同样的方法制作了厚度0.15mm的噪声抑制片。需要说明的是，关于各合金粉末的平均粒径及长径比的平均值，利用与实施例1同样的方法进行了计测。各合金粉末的平均粒径及长径比的平均值如表1所示。
(实施例7、8及比较例7、8)
在实施例7、8及比较例7中，通过水雾化法，制作了仅由以质量％表述为Fe90.1Si6.1B3.8的非晶相构成的未实施扁平加工的雾化合金粉末。而且，在比较例8中，对于通过水雾化法制作的仅由以质量％表述为Fe90.1Si6.1B3.8的非晶相构成的未实施扁平加工的雾化合金粉末，通过磨碎机实施扁平加工，而且为了去除与扁平加工相伴的加工应力，在氩气氛下，实施430℃、1小时的退火处理，由此制作了仅由非晶相构成的扁平状的雾化合金粉末。需要说明的是，比较例8使用的实施扁平加工之前的雾化合金粉末与实施例8使用的雾化合金粉末相同。
接下来，分别关于实施例7、8及比较例7的未实施各扁平加工的雾化合金粉末、比较例8的扁平状的雾化合金粉末，以使各合金粉末的体积率成为各浆料整体的70％以上且80％以下的方式，通过与实施例1同样的方法制作了厚度0.15mm的噪声抑制片。需要说明的是，关于各合金粉末的平均粒径及长径比的平均值，利用与实施例1同样的方法进行了计测。各合金粉末的平均粒径及长径比的平均值如表1所示。
(实施例9、10及比较例9、10)
在实施例9、10及比较例9中，通过水雾化法，制作了仅由以质量％表述为Co81.8Fe5.1Si10.1B3.0的非晶相构成的未实施扁平加工的雾化合金粉末。而且，在比较例10中，对于通过水雾化法制作的仅由以质量％表述为Co81.8Fe5.1Si10.1B3.0的非晶相构成的未实施扁平加工的雾化合金粉末，通过磨碎机实施扁平加工，而且为了去除与扁平加工相伴的加工应力，在氩气氛下，实施500℃、1小时的退火处理，由此制作了仅由非晶相构成的扁平状的雾化合金粉末。需要说明的是，比较例10使用的实施扁平加工之前的雾化合金粉末与实施例10使用的雾化合金粉末相同。
接下来，分别关于实施例9、10及比较例9的未实施各扁平加工的雾化合金粉末、比较例10的扁平状的雾化合金粉末，以使各合金粉末的体积率成为各浆料整体的70％以上且80％以下的方式，通过与实施例1同样的方法制作了厚度0.15mm的噪声抑制片。需要说明的是，关于各合金粉末的平均粒径及长径比的平均值，利用与实施例1同样的方法进行了计测。各合金粉末的平均粒径及长径比的平均值如表1所示。
(实施例11、12及比较例11、12)
在实施例11、12及比较例11中，通过水雾化法，制作了仅由以质量％表述为Fe83.3Si7.7B2.0Nb5.7Cu1.3的非晶相构成的未实施扁平加工的雾化合金粉末之后，在氩气氛下，进行540℃、1小时的热处理，由此在仅由非晶相构成的未实施扁平加工的雾化合金粉末中使由α-Fe构成的微结晶析出，制作了具有非晶相和结晶相的未实施扁平加工的雾化合金粉末。而且，在比较例12中，对于通过水雾化法制作的仅由以质量％表述为Fe83.3Si7.7B2.0Nb5.7Cu1.3的非晶相构成的未实施扁平加工的雾化合金粉末，通过磨碎机实施扁平加工而制作了仅由非晶相构成的扁平状的雾化合金粉末。然后，在氩气氛下，进行540℃、1小时的热处理，由此在仅由非晶相构成的扁平状的雾化合金粉末中使由α-Fe构成的微结晶析出，制作了具有非晶相和结晶相的扁平状的雾化合金粉末。需要说明的是，比较例12使用的实施扁平加工之前的雾化合金粉末与实施例12使用的雾化合金粉末相同。
接下来，分别关于实施例11、12及比较例11的未实施各扁平加工的雾化合金粉末、比较例12的扁平状的雾化合金粉末，以使各合金粉末的体积率成为各浆料整体的70％以上且80％以下的方式，通过与实施例1同样的方法制作了厚度0.15mm的噪声抑制片。需要说明的是，关于各合金粉末的平均粒径及长径比的平均值，利用与实施例1同样的方法进行了计测。各合金粉末的平均粒径及长径比的平均值如表1所示。
(评价方法)
关于在各实施例·比较例中制作的各噪声抑制片，使用三菱化学制Hiresta‐UP测定了表面电阻。测定结果如表1所示。而且，按照IEC标准(IEC62333-2)，测定了各噪声抑制片的相互去耦合率。测定结果如图1～图6所示。
【表1】
(评价结果的说明)
使用未实施扁平加工的雾化合金粉末时的长径比的平均值都为1.00以上且1.30以下的范围内。即，可知未实施扁平加工的雾化合金粉末的形状比扁平状的雾化合金粉末的形状更接近于球形。而且，任意的噪声抑制片都表现出比108Ω/□高的表面电阻值，满足作为噪声抑制片的表面电阻特性。
接下来，无论软磁性合金粉末的组成如何，在使用了扁平状的雾化合金粉末的比较例2、4、6、8、10、12中，相互去耦合率成为0dB的频率都为1.0～1.5GHz的范围。相对于此，在使用了平均粒径为12μm以下并且长径比的平均值为1.00以上且1.30以下的未实施扁平加工的合金粉末的实施例1～12中，无论软磁性合金粉末的组成如何，相互去耦合率成为0dB的频率都比1.5GHz高，能够使相互去耦合性高频化。
接下来，在使用了平均粒径比12μm大的未实施扁平加工的合金粉末的比较例1、3、5、7、9、11中，尽管软磁性合金粉末的长径比的平均值为1.00以上且1.30以下的范围内，无论软磁性合金粉末的组成如何，相互去耦合率成为0dB的频率与实施例1～12相比都位于低频侧。需要说明的是，在使用了平均粒径为5μm以下、并且长径比的平均值为1.00以上且1.30以下的未实施扁平加工的合金粉末的实施例1、3、5、7、9、11中，无论软磁性合金粉末的组成如何，相互去耦合率成为0dB的频率与实施例2、4、6、8、10、12相比都更加高频化。
接下来，在使用了仅由非晶相构成的未实施扁平加工的合金粉末的实施例7～10、及使用了具有非晶相和结晶相的未实施扁平加工的合金粉末的实施例11、12中，无论软磁性合金粉末的组成如何，相互去耦合率成为0dB的频率都超过2GHz，与使用了仅由结晶相构成的合金粉末的实施例1～6相比更加高频化。
【产业上的可利用性】
根据本发明，能够提供一种即使噪声抑制片的厚度变薄也能够应对相互去耦合性的高频化的近场用噪声抑制片。

Claims (8)

1.一种近场用噪声抑制片，其特征在于，
所述近场用噪声抑制片包括由有机物构成的基材和担载于所述基材中的软磁性合金粉末，
关于所述软磁性合金粉末，平均粒径为12μm以下，并且长径比的平均值为1.00以上且1.30以下。
2.根据权利要求1所述的近场用噪声抑制片，其中，
所述软磁性合金粉末由从仅由非晶相构成的合金粉末及具有非晶相和结晶相的合金粉末中选择的一种以上的合金粉末构成。
3.根据权利要求2所述的近场用噪声抑制片，其中，
所述软磁性合金粉末包括从Fe基合金粉末及Co基合金粉末中选择的一种以上的合金粉末。
4.根据权利要求3所述的近场用噪声抑制片，其中，
从所述Fe基合金粉末及所述Co基合金粉末中选择的一种以上的合金粉末中的Fe及Co的合计浓度为83质量％以上。
5.根据权利要求1所述的近场用噪声抑制片，其中，
所述软磁性合金粉末由仅由结晶相构成的合金粉末构成。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的近场用噪声抑制片，其中，
所述软磁性合金粉末的平均粒径为5μm以下。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的近场用噪声抑制片，其中，
表面电阻为108Ω/□以上。
8.根据权利要求1～5中任一项所述的近场用噪声抑制片，其中，
厚度为0.5mm以下。
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