CN107453726A - 一种用于提升音叉晶振离子蚀刻速率的工艺 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于提升音叉晶振离子蚀刻速率的工艺，包括初次镀银、粗调、二次镀银、拆片、补片、上胶、干燥和精调。本发明中通过二次镀银的方式将晶片上的粗调面恢复一致，产品可离子蚀刻的面积可达100%，有效的提高了精调时离子蚀刻的速度，而且由于不用水洗，也避免了水洗后镀会有变色的问题，同时由于经过一次粗调后的晶片表面进行镀银，镀银效果更好，镀面更光滑，最后制造出来的晶振品质也有所提高。

Description

一种用于提升音叉晶振离子蚀刻速率的工艺

技术领域

本发明涉及音叉晶振制备领域，尤其涉及一种用于提升音叉晶振离子蚀刻速率的工艺。

背景技术

在音叉晶振生产领域，随晶振SIZE小型化趋势，晶片SIZE同步缩小。晶片离子蚀刻效率取决于，产品可离子蚀刻的面积大小。在工艺中一般采取先加重再粗调的方式初步调整频率。粗调主要是通过激光调频将加重后粗调面的镀层烧掉来实现。主要存在的问题是粗调面面积会有大小不均或过少问题，产品可离子蚀刻的面积只有30%～70%，且水洗后镀层会有变色等问题，造成精调时离子蚀刻速度快慢不一，影响效率与品质。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的缺陷和不足，提供一种在保证晶振品质的前提下有效提高粒子蚀刻速率的用于提升音叉晶振离子蚀刻速率的工艺。

为实现以上目的，本发明的技术解决方案是：

一种用于提升音叉晶振离子蚀刻速率的工艺，其特征在于：包括以下步骤：

1）将晶振晶片清洗、烘干后进行初次镀银；

2）利用激光调频原理将镀银后粗调面的镀层烧掉；

3）在经步骤2）得到的晶振晶片上进行二次镀银；

4）在经过拆片、补片、上胶、干燥程序后，对晶片上经过二次镀银的粗调面运用离子蚀刻技术进行精调。

本发明中通过二次镀银的方式将晶片上的粗调面恢复一致，产品可离子蚀刻的面积可达100%，有效的提高了精调时离子蚀刻的速度，而且由于不用水洗，也避免了水洗后镀会有变色的问题，同时由于经过一次粗调后的晶片表面进行镀银，镀银效果更好，镀面更光滑，最后制造出来的晶振品质也有所提高。

附图说明

图1是旧工艺中晶片进行离子蚀刻时的结构示意图。

图2是新工艺中晶片进行离子蚀刻时的结构示意图。

具体实施方式

一种用于提升音叉晶振离子蚀刻速率的工艺，包括以下步骤：

1）将晶振晶片清洗、烘干后在真空条件下进行初次镀银；

2）利用激光调频原理将镀银后粗调面的镀层烧掉；

3）在经步骤2）得到的晶振晶片上进行二次镀银；

4）在经过拆片、补片、上胶、干燥程序后，对晶片上经过二次镀银的粗调面运用离子蚀刻技术进行精调。

Claims (1)

1.一种用于提升音叉晶振离子蚀刻速率的工艺，其特征在于：包括以下步骤：

1）将晶振晶片清洗、烘干后进行初次镀银；

2）利用激光调频原理将镀银后粗调面的镀层烧掉；

3）在经步骤2）得到的晶振晶片上进行二次镀银；

4）在经过拆片、补片、上胶、干燥程序后，对晶片上经过二次镀银的粗调面运用离子蚀刻技术进行精调。