CN102586889B - 平整化氮化物基板的方法 - Google Patents
平整化氮化物基板的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102586889B CN102586889B CN201110072117.7A CN201110072117A CN102586889B CN 102586889 B CN102586889 B CN 102586889B CN 201110072117 A CN201110072117 A CN 201110072117A CN 102586889 B CN102586889 B CN 102586889B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nitride
- etching
- substrate
- smoothing
- base board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 56
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 10
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 39
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 29
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 21
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02019—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
- H01L21/30621—Vapour phase etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Weting (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明揭露一种平整化氮化物基板的方法，首先选择独立式氮化物基板的特定面向，对该面向进行蚀刻，在经过适度的蚀刻时间后，该特定面向的表面会产生特定的形貌，如柱状或洞状或平坦状等结构，从而降低独立式氮化物基板的翘曲程度以达到平整化氮化物基板的效果。
Description
技术领域
本发明有关一种平整化氮化物基板的方法，特别是一种关于使用蚀刻方法以降低氮化物基板的翘曲现象而平整化氮化物基板的方法。
背景技术
在传统光电半导体组件与电子组件半导体的制造程序中，特别是在单晶氮化镓基板(独立式氮化物基板)的工艺上，且由于该单晶氮化物磊晶层之下尚有未分离的异质基板，于加热程序进行时，因该异质基板与该单晶氮化物磊晶层的热膨胀系数并不会互相匹配，故而单晶氮化物磊晶层会产生严重的翘曲现象。
而于前述工艺中所采用的独立式氮化物基板会于平行成长方向产生线缺陷与点缺陷的分布不均匀现象，而形成了该独立式氮化物基板的翘曲，而该翘曲的曲率半径大多为0.2米(m)到2米(m)之间，故对于2吋的独立式氮化物基板而言，中心与边缘之间多会有1500微米(μm)至150微米(μm)的误差距离，有时误差距离甚至比独立式氮化物基板本身厚度还大。该独立式氮化物基板或氮化物磊晶层的翘曲现象，会在后续制成中造成基板与磊晶层的研磨破裂以及研磨不均匀现象，成为极待解决的问题。
此外，在现有的传统光电半导体组件与电子组件半导体技术的改善独立式氮化物基板翘曲的方法，包括了如下列的数种方式:于中国台湾专利第200423312号专利文献中提及以图样化的氮化物晶种进行选择性成长，而该方法须经过繁琐的黄光工艺，且所减少的独立式氮化物基板翘曲程度有限，更无法实时测量氮化物基板翘曲程度变化而适时进行弹性调整。
于美国专利第7,229,926号专利文献中提出以机械研磨方法进行研磨基板的正反面，以及使用干湿式蚀刻去除研磨所产生的损害层。但该方法并未在研磨前降低基板的翘曲程度，故会于研磨时造成基板的破裂以及基板的不均匀现象，且此方法需要研磨已产生的损害层，才能进行蚀刻而降低基板的翘曲程度。
且综合前述的专利文献，前述的现有技术皆都未提及当独立式氮化物基板下方的异质基板在尚未去除的情况下，该独立式氮化物基板翘曲现象的改善程度。
故而为了能产生更有效率的改善独立式氮化物基板翘曲现象，提供产业界掌握更佳的生产工艺，且可运用于光电半导体组件的制造上，需要研发新式方法，藉以提高独立式氮化物基板的生产良率且能降低光电半导体组件的制造成本。
发明内容
本发明的目的是提供一种平整化氮化物基板的方法，不需要繁琐的进行半导体制作工序即可大幅度降低氮化物基板的翘曲现象。
本发明揭露一种平整化氮化物基板的方法，首先选择独立式氮化物基板的特定面向，对该面向进行蚀刻，在经过适度的蚀刻时间后，该特定面向的表面会产生特定的形貌，如柱状或洞状或平坦状等结构，从而降低独立式氮化物基板的翘曲程度以达到平整化氮化物基板的效果。
本发明可实时测量独立式氮化物基板或氮化物磊晶层翘曲的程度变化，而适时进行弹性调整。
本发明可使用在化学研磨的工序前或是工序后，亦可运用在半导体的其它工艺阶段。
本发明可降低正面凸起或背面凸起的独立式氮化物基板(氮化物磊晶层)的翘曲程度。
经本发明之蚀刻而可得到柱状结构，或是洞状结构，或是平坦状结构等结构，前述结构皆可降低独立式氮化物基板的翘曲程度，达到平整化的效果，且使用前述的结构对于基板，使得后续工艺的应用，包括如研磨，磊晶等工艺的应用具有更好的运用效果。
为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图以详细说明如下。
附图说明
图1所示是每次蚀刻前后所测量下方凸起独立式氮化镓基板的曲率半径与时间关系图。
图2A与图2B说明不同的蚀刻时间，对于下方凸起独立式氮化镓基板上方的表面形貌的改变。
图3A是表示下方凸起独立式氮化镓基板的变化的侧面示意图。
图3B是表示下方凸起独立式氮化镓基板的翘曲与上方经蚀刻所产生的柱子的侧面倾斜角度的示意图。
图4A是上方凸起独立式氮化镓基板经蚀刻的侧面变化示意图。
图4B是下方凸起独立式氮化镓基板经蚀刻的侧面变化示意图。
图5A是上方凸起的氮化物磊晶层与异质基板经蚀刻的侧面变化示意图。
图5B是下方凸起的氮化物磊晶层与异质基板经蚀刻的侧面变化示意图。
具体实施方式
本发明是一种平整化氮化物基板的方法，是使用不同的蚀刻方法以降低氮化物基板的翘曲现象，具体的实施例如下列的详细说明：
第一实施例:
本发明一种平整化氮化物基板的方法，首先提供下方凸起(上方凹入的，Concave)的独立式氮化镓基板，使用感应耦合等离子体离子蚀刻技术(干蚀刻技术)以蚀刻该独立式氮化镓基板的上方，该离子耦合等离子体所使用的蚀刻气体为氯气与氩气，第一次蚀刻时间为7分钟，后续的蚀刻时间以14分钟进行累加，即第二次蚀刻时间为21分钟，第三次蚀刻时间为35分钟，第四次蚀刻时间为49分钟，依此类推进行蚀刻的时间。
图1所示是在每次的蚀刻前以及每次的蚀刻后测量该下方凸起即上方凹入的独立式氮化镓基板的曲率半径，描绘出所产生的的曲率半径变化与蚀刻时间的关系。可观察曲率半径从2.8米产生变化，之后随着蚀刻时间加长，曲率半径明显的变大，在蚀刻时间为49分钟时，曲率半径达到15.0米，翘曲的现象几乎消失。
图2A与图2B说明不同的蚀刻时间，对于该下方凸起独立式氮化镓基板上方的表面形貌的改变。图2A为蚀刻时间7分钟时基板上方的形貌，可发现有许多柱子的产生，而如图2B所示，随着蚀刻时间增长到49分钟，柱子的长度变长。
以图3A表示该下方凸起独立式氮化镓基板经蚀刻的变化示意图，如独立式氮化镓基板301与柱状结构302，经蚀刻所产生的柱状结构302释放了独立式氮化镓基板301上方的压应力，使得翘曲程度逐渐减小。
图3B表示下方凸起独立式氮化镓基板301的翘曲与上方经蚀刻所产生的柱状结构302的侧面倾斜角度的示意图。故而，使用本蚀刻方法可降低氮化镓基板301的翘曲，并不会对该基板301本体造成破裂，而达到平整化氮化物基板301的效果。
第二实施例
本发明一种平整化氮化物基板的方法，如图4A所示的上方凸起(convex)独立式氮化镓基板经蚀刻的侧面变化示意图，首先提供上方凸起独立式氮化镓基板401，进行溅镀(或沉积)以形成一层介电层(或金属层)402于该上方凸起独立式氮化镓基板的上方，并使用湿式蚀刻(或电化学蚀刻)方法以蚀刻该上方凸起独立式氮化镓基板401的下方，最后再移除前述的介电层(或金属层)402。
仍如图4A所示的上方凸起独立式氮化镓基板401经蚀刻的侧面变化示意图，该上方凸起独立式氮化镓基板401的上方表面形貌经蚀刻所产生的柱状结构，或是洞状结构，或是平坦状结构等结构403将会释放该上方凸起独立式氮化镓基板401上方的压应力，使得翘曲程度逐渐减小。
本发明一种平整化氮化物基板的方法，如图4B所示的下方凸起独立式氮化镓基板401经蚀刻的侧面变化示意图，首先提供下方凸起独立式氮化镓基板401，进行溅镀(或沉积)以形成一层介电层(或金属层)402于该下方凸起独立式氮化镓基板401的下方，并使用湿式蚀刻(或电化学蚀刻)方法以蚀刻该下方凸起独立式氮化镓基板401的上方，最后再移除前述的介电层(或金属层)402。
仍如图4B所示的下方凸起独立式氮化镓基板401的侧面变化示意图，该下方凸起独立式氮化镓基板401背面表面形貌经蚀刻所产生的柱状结构，或是洞状结构，或是平坦状结构等结构403将会释放该下方凸起独立式氮化镓基板401上方的压应力，使得翘曲程度逐渐减小，而达到平整化氮化物基板401的效果。
第三实施例
本发明一种平整化氮化物基板的方法，图5A的上方凸起的氮化物磊晶层502与异质基板501经蚀刻的侧面变化示意图，首先提供上方凸起的氮化物磊晶层502与异质基板501，该氮化物磊晶层502与该异质基板501系相互连结并未进行分离，使用各式蚀刻法(干式蚀刻与湿式蚀刻)以蚀刻该异质基板501的下方，经蚀刻所产生的柱状结构，或是洞状结构，或是平坦状结构等结构503将会释放异质基板501背面的压应力，使得翘曲程度逐渐减小。
本发明一种平整化氮化物基板的方法，图5B是下方凸起的氮化物磊晶层502与异质基板501经蚀刻的侧面示意图，首先提供下方凸起的氮化物磊晶层502与异质基板501，该氮化物磊晶层502与该异质基板501系相互连结并未进行分离，使用各式蚀刻方法，包括干式蚀刻、湿式蚀刻以及电化学蚀刻等方法以蚀刻该氮化物磊晶层502的上方，经蚀刻所产生的柱状结构，或是洞状结构，或是平坦状结构等结构503将会释放异质基板501背面的压应力，使得翘曲程度逐渐减小，而达到平整化氮化物基板501的效果。
本发明的一种平整化氮化物基板的方法，不需要繁琐的工艺，即可大幅度降低氮化物基板的翘曲现象，达到平整化的效果，且可实时测量独立式氮化物基板或氮化物磊晶层翘曲程度变化，适时进行弹性调整，可使用在化学研磨的工序前或是工序后，亦可运用在其它工艺阶段，使得后续工艺的应用，包括如研磨，磊晶等工艺的应用具有更好的运用效果。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并非用以限定本发明的申请专利范围；凡其它未脱离本发明所揭示的精神下所完成的等效改变或修饰，均应包含在本申请专利范围内。
Claims (13)
1.一种平整化氮化物基板的方法，其特征是：
提供一具有下方凸起的一氮化镓基板；以及
使用一干蚀刻方法蚀刻该具有下方凸起的该氮化镓基板的上方，藉以形成平整化的氮化物基板；
其中该干蚀刻方法所使用的一第一次蚀刻时间为7分钟，后续的蚀刻时间以14分钟进行累加，以使得翘曲程度逐渐减小，从而达到平整化该氮化镓基板的效果。
2.一种平整化氮化物基板的方法，其特征是：
提供上方凸起独立式氮化镓基板；形成一层介电层于该上方凸起独立式氮化镓基板的上方；使用一湿式蚀刻方法以蚀刻该上方凸起独立式氮化镓基板的下方；以及移除该介电层藉以形成平整化的氮化物基板。
3.根据权利要求2所述的平整化氮化物基板的方法，其特征是：其中该介电层还包含一金属层。
4.根据权利要求2所述的平整化氮化物基板的方法，其特征是：其中该湿式蚀刻方法还包含电化学蚀刻方法。
5.一种平整化氮化物基板的方法，其特征是：
提供下方凸起独立式氮化镓基板；
形成一层介电层于该下方凸起独立式氮化镓基板的下方；使用一湿式蚀刻方法以蚀刻该下方凸起独立式氮化镓基板的上方；以及移除该介电层藉以形成该平整化的氮化物基板。
6.根据权利要求5所述的平整化氮化物基板的方法，其特征是：其中该介电层还包含一金属层。
7.根据权利要求5所述的平整化氮化物基板的方法，其特征是：其中该湿式蚀刻方法还包含电化学蚀刻方法。
8.一种平整化氮化物基板的方法，其特征是：
提供上方凸起氮化物磊晶层与一异质基板，其中该上方凸起氮化物磊晶层与该异质基板相互连结；以及蚀刻该异质基板的下方，藉以形成平整化的氮化物基板。
9.根据权利要求8所述的平整化氮化物基板的方法，其特征是：其中蚀刻该异质基板的该下方的蚀刻方法是由干式蚀刻或湿式蚀刻。
10.根据权利要求8所述的平整化氮化物基板的方法，其特征是：其中蚀刻该异质基板的该下方的蚀刻方法是电化学蚀刻。
11.一种平整化氮化物基板的方法，其特征是：
提供下方凸起氮化物磊晶层与一异质基板，其中该下方凸起氮化物磊晶层与该异质基板相互连结；以及蚀刻该氮化物磊晶层的上方，藉以形成平整化的氮化物基板。
12.根据权利要求11所述的平整化氮化物基板的方法，其特征是：其中蚀刻该氮化物磊晶层的该上方的蚀刻方法是由干式蚀刻或湿式蚀刻。
13.根据权利要求11所述的平整化氮化物基板的方法，其特征是：其中蚀刻该氮化物磊晶层的该上方的蚀刻方法是电化学蚀刻。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW100101455A TWI443741B (zh) | 2011-01-14 | 2011-01-14 | 一種平整化氮化物基板的方法 |
| TW100101455 | 2011-01-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102586889A CN102586889A (zh) | 2012-07-18 |
| CN102586889B true CN102586889B (zh) | 2016-04-13 |
Family
ID=46476099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110072117.7A Expired - Fee Related CN102586889B (zh) | 2011-01-14 | 2011-03-16 | 平整化氮化物基板的方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8541314B2 (zh) |
| CN (1) | CN102586889B (zh) |
| TW (1) | TWI443741B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016058651A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| KR20180070781A (ko) | 2016-12-16 | 2018-06-27 | 삼성전자주식회사 | 질화물 반도체 기판의 형성 방법 및 반도체 소자의 제조 방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101239453A (zh) * | 2007-02-08 | 2008-08-13 | 索尼株式会社 | 平坦化研磨法和半导体装置的制造方法 |
| CN100424817C (zh) * | 2003-10-30 | 2008-10-08 | 住友电气工业株式会社 | 半导体用氮化物衬底的制备方法及氮化物半导体衬底 |
| CN101901752A (zh) * | 2009-05-25 | 2010-12-01 | 夏普株式会社 | 半导体层积结构体的制造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100374796B1 (ko) * | 2001-02-02 | 2003-03-03 | 삼성전기주식회사 | Ｐ형 전극과 활성층 사이에 효과적인 정공 확산을 위한 스페이서를 구비하는 ＧａＮ 면 발광 레이저 다이오드 및그 제조 방법 |
| CN100552888C (zh) * | 2003-10-27 | 2009-10-21 | 住友电气工业株式会社 | 氮化镓半导体衬底及其制造方法 |
| KR100969812B1 (ko) * | 2007-12-12 | 2010-07-13 | 주식회사 실트론 | 자가 분리를 이용한 질화갈륨 단결정 기판의 제조 방법 |
| JP2010269970A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体基板 |
-
2011
- 2011-01-14 TW TW100101455A patent/TWI443741B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-03-16 CN CN201110072117.7A patent/CN102586889B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-18 US US13/067,228 patent/US8541314B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100424817C (zh) * | 2003-10-30 | 2008-10-08 | 住友电气工业株式会社 | 半导体用氮化物衬底的制备方法及氮化物半导体衬底 |
| CN101239453A (zh) * | 2007-02-08 | 2008-08-13 | 索尼株式会社 | 平坦化研磨法和半导体装置的制造方法 |
| CN101901752A (zh) * | 2009-05-25 | 2010-12-01 | 夏普株式会社 | 半导体层积结构体的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8541314B2 (en) | 2013-09-24 |
| TW201230187A (en) | 2012-07-16 |
| CN102586889A (zh) | 2012-07-18 |
| TWI443741B (zh) | 2014-07-01 |
| US20120184102A1 (en) | 2012-07-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101687767B1 (ko) | 폴리 실리콘 웨이퍼 텍스처링 첨가제 및 그 사용 방법 | |
| JP2013082612A5 (zh) | ||
| US9576773B2 (en) | Method for etching deep, high-aspect ratio features into glass, fused silica, and quartz materials | |
| KR20120051047A (ko) | 실리콘 기판의 표면을 텍스처링하는 방법 및 태양 전지용 텍스처화된 실리콘 기판 | |
| CN102931071A (zh) | 一种图形化蓝宝石衬底的方法及装置 | |
| CN103031557A (zh) | 类矩形全息光栅等离子体刻蚀方法 | |
| CN102586889B (zh) | 平整化氮化物基板的方法 | |
| CN103811331B (zh) | 一种具有倾斜侧壁刻蚀孔的刻蚀方法 | |
| CN102779747B (zh) | 一种纳米柱/针森林结构的加工方法 | |
| CN203084388U (zh) | 一种下部电极 | |
| CN102092673A (zh) | Mems的缓变侧壁的形成方法 | |
| US9681244B1 (en) | Method for manufacturing microphone chip | |
| CN103579418A (zh) | 一种背面钝化太阳电池的背面接触形成方法 | |
| CN102054746B (zh) | 硅通孔互连结构形成方法 | |
| CN201408748Y (zh) | 高深宽比的硅基深槽结构 | |
| CN105655248A (zh) | 一种非抛光单晶硅基器件光刻对准标记的碱腐蚀加工方法 | |
| CN103928290B (zh) | 晶圆边缘的刻蚀方法 | |
| KR101100859B1 (ko) | 다중 스케일 표면 가공 방법 및 이 방법에 의해 제조된 다중 스케일 표면을 가지는 고체 기재 | |
| CN102817082B (zh) | 一种硅膜的制备方法 | |
| CN102931133B (zh) | 一种改善硅穿孔工艺中刻蚀均匀性的方法 | |
| CN103596876A (zh) | 使用cmp形成非平面膜的方法 | |
| CN108109907B (zh) | 一种优化晶圆边缘剥离的键合方法 | |
| TWI476942B (zh) | 太陽能電池用類單晶矽片的刻紋方法 | |
| CN104555903A (zh) | 基于自对准等离子体刻蚀工艺的黑金属材料制备方法 | |
| CN104701157A (zh) | 具有降低边缘刻蚀速率之顶部圆盘的等离子体刻蚀设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160413 Termination date: 20210316 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |