CN107431002B - 半导体加工用带 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种热收缩率低、因不论带的方向都能均匀收缩而不起褶皱、而且芯片位置不偏移、切口宽度均匀扩张的半导体加工用带。该半导体加工用带的特征在于，在100℃加热了10秒时的带的长度方向的热收缩率以及宽度方向的热收缩率这两者均为0％以上且20％以下，且在长度方向的热收缩率以及宽度方向的热收缩率中的任意一个为0.1％以上时，长度方向的热收缩率/宽度方向的热收缩率﹦0.01以上且100以下，(将收缩率设为：收缩率﹦(加热前的尺寸－加热后的尺寸)/加热前的尺寸×100(％))。

Description

半导体加工用带
技术领域
本发明涉及拾取性优异的半导体加工用带。
背景技术
一直以来，在集成电路(IC:Integrated Circuit)等半导体装置的制造工序中，实施如下工序：为了将形成电路图案后的晶片制成薄膜化而对晶片背面进行研磨的背面研磨工序；在晶片背面粘贴了具有粘合性以及伸缩性的半导体加工用带之后，将晶片分割成芯片单元的切割工序；将半导体加工用带进行扩张(expand)的扩张工序；拾取被分割后的芯片的拾取工序；并且将被拾取后的芯片粘接在引线框或封装基板等(或者在堆叠封装中，将芯片彼此之间进行层压、粘接)的芯片焊接(装配)工序。
在上述背面研磨工序中，为了保护晶片的电路图案形成面(晶片表面)不受污染，而使用表面保护带。当晶片的背面研磨结束后，从晶片表面剥离该表面保护带时，在将以下所述的半导体加工用带(切割-芯片焊接带(Dicing-die bonding tape))贴合在晶片背面之后，将半导体加工用带一侧固定在吸附台上，在对表面保护带实施了使其相对于晶片的附着力下降的处理之后，再剥离表面保护带。之后，在剥离了表面保护带后的晶片的背面、贴合了半导体加工用带的状态下，从吸附台取出晶片，再供给于下一个切割工序。此外，使上述的附着力下降的处理是指，在表面保护带由紫外线等的能量射线固化性成分构成的情况下是指能量射线照射处理；在表面保护带由热固化性成分构成的情况下是指加热处理。
在上述背面研磨工序之后的切割工序～安装工序中，使用在基材膜上依次层压了粘合剂层和粘接剂层的半导体加工用带。一般在使用这种半导体加工用带的情况下，首先，将半导体加工用带的粘接剂层贴合在晶片背面并对晶片进行固定，使用切割刀，将晶片以及粘接剂层切割成芯片单元。然后，通过使带沿晶片的径向扩张，从而实施对芯片彼此之间的间隔进行扩大的扩张工序。在该扩张工序之后的拾取工序中，在利用CCD照相机等来提高芯片识别性的同时、对芯片进行拾取时，为了防止因相邻的芯片彼此接触而产生的芯片损坏，可实施该扩张工序。然后，在拾取工序中，芯片与粘接剂层一起从粘合剂层剥离并被拾取，在装配工序中，将芯片直接粘接在引线框或封装基板等上。像这样，由于使用半导体加工用带，能够将附带粘接剂层的芯片直接粘接在引线框或封装基板等上，所以能够省略掉粘接剂的涂布工序或另行将芯片焊接膜粘接在各芯片的工序。
然而，在上述切割工序中，如上所述，由于使用切割刀将晶片与粘接剂层一起切割，因此，不但会产生晶片的切屑，而且也会产生粘接剂层的切屑。而且，在粘接剂层的切屑堵塞了晶片的切割槽的情况下，存在如下问题：芯片彼此之间紧贴在一起之间并产生拾取不良等，导致半导体装置的制造成品率下降。
为了解决这种问题，已提出了如下方法：通过在切割工序中利用刀仅切割晶片，在扩张工序中使半导体加工用带进行扩张，从而按各个芯片来分割粘接剂层的方法(例如专利文献1)。像这样，根据利用了扩张时的张力的粘接剂层的分割方法，不会产生粘接剂的切屑，在拾取工序中也没有不良影响。
另外，近几年，作为晶片的切断方法，已提出了所谓的隐形切割方法：该方法使用激光加工装置，不接触就能够切断晶片。例如，在专利文献2中公开了作为隐形切割方法的半导体基板的切断方法，该方法包括：通过夹杂粘接剂层(芯片焊接树脂层)，使聚焦光对准贴有片的半导体基板的内部，并照射激光，从而在半导体基板的内部形成由多光子吸收而导致的改性区域，并将该改性区域作为切断预定部的工序；通过使片扩张，从而沿切断预定部对半导体基板以及粘接剂层进行切断的工序。
另外，作为使用激光加工装置的其他的晶片的切断方法，例如，在专利文献3中提出了一种晶片的分割方法，该方法包含：在晶片背面安装用于芯片焊接的粘接剂层(粘接膜)的工序；在贴有该粘接剂层的晶片的粘接剂层一侧，贴合了能够伸长的保护粘合带的工序；从贴合了保护粘合带的晶片的表面，沿迹道(street)照射激光束，并分割成各个芯片的工序；使保护粘合带扩张对粘接剂层赋予拉力，并按每个芯片使粘接剂层断裂的工序；以及使贴合了被断裂后的粘接剂层的芯片、从保护粘合带脱离的工序。
根据这些专利文献2以及专利文献3公开的晶片的切断方法，由于通过激光照射以及带的扩张，以不接触的方式来切断晶片，所以对晶片的物理性的负荷小，并能够切断晶片，而不会产生像现在主流的进行刀片切割时的晶片的切屑(chipping)。另外，由于通过扩张来分割粘接剂层，所以也不会产生粘接剂层的切屑。因此，作为能够代替刀片切割的优异的技术而受到瞩目。
并且，在专利文献4中，提出了如下方法：为了防止因扩张后的松弛而无法稳定地维持各个芯片之间的间隔，在分割工序后对带进行加热并使其收缩变紧，从而维持了芯片之间的间隔(以下为“切口宽度”)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-5530号公报
专利文献2：日本特开2003-338467号公报
专利文献3：日本特开2004-273895号公报
专利文献4：日本特开2011-216508号公报
发明内容
发明所要解决的课题
另一方面，在热收缩时，若热收缩应力大，则由于要扩大到因扩张而扩大的切口宽度以上，因此，仅沿热收缩应力大的方向的切口宽度扩大到所需量以上，而沿热收缩应力小的方向的切口宽度有时会变窄。因切口宽度狭窄，而产生拾取不良。具体而言，在长度方向的热收缩率/宽度方向的热收缩率的数值大的情况下，由于长度方向与宽度方向之差过于大，因此切口宽度不均匀，芯片位置产生偏移，在拾取时发生识别不良，并且，若切口宽度过于狭窄则粘接膜会再附着，产生拾取不良。此外，在长度方向的热收缩率/宽度方向的热收缩率是负值的情况下，由于一个伸长一个收缩，因此切口宽度不均匀。
用于解决课题的方案
本发明提供一种半导体加工用带：在带收缩工序中，其热收缩率低，因不论带的方向都能均匀收缩而不起褶皱，而且芯片位置不偏移，切口宽度能均匀扩张。
即本发明涉及一种半导体加工用带，其特征在于，在100℃下加热了10秒时的带的热收缩率为0％以上且20％以下，且长度方向的热收缩率/宽度方向的热收缩率﹦0.01以上且100以下。
(此外，将收缩率设为，收缩率﹦(加热前的尺寸－加热后的尺寸)/加热前的尺寸×100(％))
另外，还涉及一种半导体加工用带，其特征在于，所述半导体加工用带被用于半导体装置的制造方法中，所述半导体装置的制造方法包含如下工序：
(a)在形成了电路图案的晶片表面贴合表面保护带的工序；
(b)对所述晶片背面进行研磨的背面研磨工序；
(c)在对所述晶片进行了加热的状态下，将所述半导体加工用带的粘接剂层贴合在所述晶片背面的工序；
(d)从所述晶片表面剥离所述表面保护带的工序；
(e)对所述晶片的分割预定部分照射激光，在所述晶片内部形成由多光子吸收而导致的改性区域的工序；
(f)通过使所述半导体加工用带进行扩张，从而沿分割线来分割所述晶片和所述半导体加工用带的所述粘接剂层，并获得附带了所述粘接剂层的多个芯片的扩张工序；
(g)在扩张后的所述半导体加工用带中，通过使得与所述芯片不重叠的部分进行加热收缩，从而去除在所述扩张工序中产生的松弛，并维持所述芯片的间隔的工序；以及
(h)从所述半导体加工用带的粘合剂层中，拾取附带了所述粘接剂层的所述芯片的工序。
此外，还涉及一种半导体加工用带，其特征在于，所述半导体加工用带被用于半导体装置的制造方法中，所述半导体装置的制造方法包含如下工序：
(a)在形成了电路图案的晶片表面贴合表面保护带的工序；
(b)对所述晶片背面进行研磨的背面研磨工序；
(c)在对所述晶片进行了加热的状态下，将所述半导体加工用带的粘接剂层贴合在所述晶片背面的工序；
(d)从所述晶片表面剥离所述表面保护带的工序；
(e)沿所述晶片表面的分割线照射激光，将所述晶片分割成芯片的工序；
(f)通过使所述半导体加工用带进行扩张，从而按每个所述芯片来分割所述粘接剂层，并获得附带了所述粘接剂层的多个芯片的扩张工序；
(g)在扩张后的所述半导体加工用带中，通过使得与所述芯片不重叠的部分进行加热收缩，从而去除在所述扩张工序中产生的松弛，并维持所述芯片的间隔的工序；以及
(h)从所述半导体加工用带的粘合剂层中，拾取附带了所述粘接剂层的所述芯片的工序。
另外，还涉及一种半导体加工用带，其特征在于，所述半导体加工用带被用于半导体装置的制造方法中，所述半导体装置的制造方法包含如下工序：
(a)在形成了电路图案的晶片表面贴合表面保护带的工序；
(b)对所述晶片背面进行研磨的背面研磨工序；
(c)在对所述晶片进行了加热的状态下，将所述半导体加工用带的粘接剂层贴合在所述晶片背面的工序；
(d)从所述晶片表面剥离所述表面保护带的工序；
(e)使用切割刀，沿分割线对所述晶片进行切削，并分割成芯片的工序；
(f)通过使所述半导体加工用带进行扩张，从而按每个所述芯片来分割所述粘接剂层，并获得附带了所述粘接剂层的多个芯片的扩张工序；
(g)在扩张后的所述半导体加工用带中，通过使得与所述芯片不重叠的部分进行加热收缩，从而去除在所述扩张工序中产生的松弛，并维持所述芯片的间隔的工序；以及
(h)从所述半导体加工用带的粘合剂层中，拾取附带了所述粘接剂层的所述芯片的工序。
此外，还涉及一种半导体加工用带，其特征在于，所述半导体加工用带被用于半导体装置的制造方法中，所述半导体装置的制造方法包含如下工序：
(a)将切割带贴合在形成了电路图案的晶片背面，使用切割刀，沿分割预定线切削至小于所述晶片厚度的深度为止的工序；
(b)在所述晶片表面贴合表面保护带的工序；
(c)剥离所述切割带，对所述晶片背面进行研磨并分割成芯片的背面研磨工序；
(d)在对所述晶片进行了加热的状态下，在被分割成所述芯片的所述晶片背面、贴合所述半导体加工用带的粘接剂层的工序；
(e)从被分割成所述芯片的所述晶片表面、剥离表面保护带的工序；
(f)通过使所述半导体加工用带进行扩张，从而按每个所述芯片来分割所述粘接剂层，并获得附带了所述粘接剂层的多个芯片的扩张工序；
(g)在扩张后的所述半导体加工用带中，通过使得与所述芯片不重叠的部分进行加热收缩，从而去除在所述扩张工序中产生的松弛，并维持所述芯片的间隔的工序；以及
(h)从所述半导体加工用带的粘合剂层中，拾取附带了所述粘接剂层的所述芯片的工序。
另外，还涉及一种半导体加工用带，其特征在于，所述半导体加工用带被用于半导体装置的制造方法中，所述半导体装置的制造方法包含如下工序：
(a)在形成了电路图案的晶片表面贴合表面保护带的工序；
(b)对所述晶片的分割预定部分照射激光，在所述晶片内部形成由多光子吸收而导致的改性区域的工序；
(c)对所述晶片背面进行研磨的背面研磨工序；
(d)在对所述晶片进行了加热的状态下，将所述半导体加工用带的粘接剂层贴合在所述晶片背面的工序；
(e)从所述晶片表面剥离所述表面保护带的工序；
(f)通过使所述半导体加工用带进行扩张，从而沿分割线来分割所述晶片和所述半导体加工用带的所述粘接剂层，并获得附带了所述粘接剂层的多个芯片的扩张工序；
(g)在扩张后的所述半导体加工用带中，通过使得与所述芯片不重叠的部分进行加热收缩，从而去除在所述扩张工序中产生的松弛，并维持所述芯片的间隔的工序；以及
(h)从所述半导体加工用带的粘合剂层中，拾取附带了所述粘接剂层的所述芯片的工序。
并且，本发明还涉及一种半导体加工用带，其特征在于，所述半导体加工用带的长度方向的热收缩率以及宽度方向的热收缩率中的任意一个为0.1％以上。
进而，本发明还涉及一种半导体装置，其是使用上述半导体加工用带而成的。
发明效果
通过使用本发明所提供的半导体加工用带，可以均匀扩张而不会使切口宽度发生变化，所以，能够获得芯片位置不偏移、不产生拾取不良的情况、且可靠性高的半导体设备。
附图说明
图1是示意性地表示本发明实施方式的半导体加工用带的结构的剖视图。
图2是表示在晶片上贴合了表面保护带的状态的剖视图。
图3是对于在本发明实施方式的半导体加工用带上、贴合了晶片和环状框架的工序进行说明的剖视图。
图4是对于从晶片表面剥离表面保护带的工序进行说明的剖视图。
图5是表示利用激光加工而在晶片上形成了改性区域的情况的剖视图。
图6中，(a)是表示将本发明实施方式的半导体加工用带搭载于扩张装置的状态的剖视图。(b)是表示通过半导体加工用带的扩张，将晶片分割成芯片的过程的剖视图。(c)是表示扩张后的半导体加工用带、粘接剂层以及芯片的剖视图。
图7是用于说明热收缩工序的剖视图。
具体实施方式
＜半导体加工用带＞
图1是表示本发明实施方式的半导体加工用带10的剖视图。本发明的半导体加工用带10是在通过扩张使晶片分割成芯片时，沿芯片来分割粘接剂层13。该半导体加工用带10具有：由基材膜11和设置于基材膜11上的粘合剂层12构成的胶带15；和设置于粘合剂层12上的粘接剂层13，并将晶片背面贴合在粘接剂层13上。此外，可以与使用工序或装置相配合而将各个层预先切成(预切)规定形状。并且，本发明的半导体加工用带10可以是按每个晶片而被切断后的形态，也可以是将多个按每个晶片而被切断后所形成的长条的片、缠绕成卷状的形态。
本发明的半导体加工用带需要满足如下情况：其在100℃加热了10秒时的带的热收缩率为0％以上且20％以下，且长度方向的热收缩率/宽度方向的热收缩率﹦0.01以上且100以下(将收缩率设为，收缩率﹦(加热前的尺寸－加热后的尺寸)/加热前的尺寸×100(％))。
具体而言，利用由JIS7162规定的方法，在以500mm/min对带的试验片给予了20％伸长率的状态下，保持60秒。然后，从试验机取下试验片，在100℃的温度下加热10秒，对前后的热收缩率进行测定。
在100℃加热了10秒时的带的热收缩率为0％以上且20％以下，且长度方向的热收缩率/宽度方向的热收缩率﹦0.01以上且100以下的条件是指，热收缩小，切口宽度不论带的方向都能均匀收缩。因此，可以起到不起褶皱、而且芯片位置不偏移、能够良好地进行拾取这样显著的效果。
在长度方向的热收缩率/宽度方向的热收缩率的数值超过100的情况下、或者低于0.01的情况下，由于长度方向与宽度方向之差过大，因此，切口宽度不均匀，芯片位置产生偏移，在拾取时发生识别不良，并且，若切口宽度过于狭窄则粘接膜会再附着，并产生拾取不良。另外，在长度方向的热收缩率/宽度方向的热收缩率是负值的情况下，由于一个伸长另一个收缩，因此切口宽度不均匀。
在热收缩率超过20％的情况下，由于收缩率过大，因此，要将切口宽度扩大到因扩张而扩大的切口宽度以上的结果为，在带上容易产生褶皱，芯片位置产生偏移。
此外，虽然在长度方向的热收缩率以及宽度方向的热收缩率这两者均为0％以上且小于0.1％的情况下也没有问题，但因收缩的进行，而优选长度方向的热收缩率以及宽度方向的热收缩率中的任意一个为0.1％以上。
作为在该范围内对半导体带的物理性质进行调节的方法有多种，可以适当地调节成在进行扩张处理之前先进行能量射线固化处理的方法、或者进行公知的双轴挤压法、热定形处理等。
以下对半导体加工用带的各层的结构进行说明。
＜基材膜＞
从扩张工序中的晶片能够切断而不会偏于全部方向的观点看，优选基材膜11具有均匀且各向同性的扩张性，对其材质没有特别限定。一般与非交联树脂相比，交联树脂对拉伸的回复力大，在扩张工序后的被拉长的状态下进行了加热时的收缩应力大。因此，热收缩工序通过加热收缩来去除扩张工序后在带上产生的松弛、使带变紧并稳定地维持各个芯片的间隔，在这点上是优异的。在交联树脂中，更优选使用热塑性交联树脂。另一方面，与交联树脂相比，非交联树脂对拉伸的回复力小。因此，由于在-15℃～0℃的低温区域的扩张工序后，一旦松弛且返回到常温，在面对拾取工序、装配工序时的带难以收缩，因此，在能够防止附着于芯片的粘接剂层彼此接触这点上是优异的。在非交联树脂中，更优选使用烯烃类的非交联树脂。
作为这种热塑性交联树脂，例如可列举出离聚物树脂，该树脂是将乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或者将乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯作为主要的聚合物结构成分的三元共聚物、用金属离子进行交联而成的。在均匀性扩张的方面适合扩张工序、且在通过交联在加热时很强的回复力会发挥作用的观点看，特别优选它们。对于在上述离聚物树脂中所含的金属离子没有特别限定，可举出锌、钠等，但从溶出性低、污染性低的方面看，优选锌离子。在上述三元共聚物的(甲基)丙烯酸烷基酯中，从弹性模量高、对晶片能够传播极强的力的观点看，优选碳数为1～4的烷基。作为这种(甲基)丙烯酸烷基酯，可举出甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯等。
另外，作为上述热塑性交联树脂，除了上述离聚物树脂之外，还优选为，通过对于从比重为0.910以上～小于0.930的低密度聚乙烯或者比重小于0.910的超低密度聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中选出的树脂、照射电子射线等能量射线从而使其交联而成的树脂。由于交联部位和非交联部位在树脂中共存，所以这种热塑性交联树脂具有恒定的均匀性扩张。另外，由于在加热时很强的回复力会发挥作用，所以适合用于去除在扩张工序中产生的带的松弛，由于在分子链的结构中几乎不含有氯，因此，在使用后即使对不需要的带进行焚烧处理，也不会产生称为二恶英或其类似物的氯化芳香烃，因此环境负担很小。通过适当地调节对上述聚乙烯或乙烯-乙酸乙烯酯共聚物进行照射的能量射线的量，能够获得具有充足的均匀性扩张的树脂。
另外，作为非交联树脂，例如可列举出：聚丙烯与苯乙烯-丁二烯共聚物的混合树脂组合物。
作为聚丙烯，例如能够使用丙烯的均聚物、或者嵌段或无规的丙烯-乙烯共聚物。无规的丙烯-乙烯共聚物的刚性小因而优选。若在丙烯-乙烯共聚物中的乙烯结构单元的含有率为0.1重量％以上，则在带的刚性、和混合树脂组合物中的树脂之间的相容性高这点上是优异的。若带的刚性合适，则晶片的切断性能提高，在树脂之间的相容性高的情况下挤压排出量容易稳定。更优选为1重量％以上。另外，若在丙烯-乙烯共聚物中的乙烯结构单元的含有率为7重量％以下，则在聚丙烯稳定且容易聚合这点上是优异的。更优选为5重量％以下。
作为苯乙烯-丁二烯共聚物，可以使用氢化后的共聚物。若对苯乙烯-丁二烯共聚物进行氢化，则其与丙烯的相容性良好且能够防止因丁二烯中的双键引起的氧化劣化而导致的脆化、变色。另外，从苯乙烯-丁二烯共聚物稳定且容易聚合的观点看，优选在苯乙烯-丁二烯共聚物中的苯乙烯结构单元的含有率为5重量％以上。另外，含有率为40重量％以下，在柔软、扩张性这点上是优异的。更优选为25重量％以下，进一步优选为15重量％以下。作为苯乙烯-丁二烯共聚物，还能够使用嵌段共聚物或无规共聚物中的任意一种。无规共聚物由于苯乙烯相均匀分散，能够抑制刚性过大，使扩张性提高，所以优选。
若混合树脂组合物中的聚丙烯的含有率为30重量％以上，则在能够抑制基材膜的厚度不均这点上是优异的。若厚度均匀，则扩张性易于各向同性，而且，基材膜的应力松弛性过大，芯片之间的距离随时间变小并易于防止粘接剂层彼此接触而导致的再融合。更优选为50重量％以上。另外，若聚丙烯的含有率为90重量％以下，则易于适当地调节基材膜的刚性。若基材膜的刚性过大，则为了扩张基材膜而需要的力变大，因此，装置的负荷变大，对晶片或粘接剂层13的分割由于存在无法充分扩张的情况，所以适度地进行调节是很重要的。优选在混合树脂组合物中的苯乙烯-丁二烯共聚物的含有率的下限为10重量％以上，则易于对适合装置的基材膜的刚性进行调节。若其上限为70重量％以下，则在能够抑制厚度不均的这点上是优异的，更优选为50重量％以下。
此外，在图1所示的例子中，基材膜11为单层，但并不受此限定，其可以是将两种以上的树脂进行层压的多层结构，也可以是将一种树脂层压成两层以上。从表现出使各个特性更加增强的观点看，优选将两种以上的树脂统一成交联性或非交联性，在补偿各个缺点的这点上优选将交联性或非交联性进行组合并层压的情况。对基材膜11的厚度没有特别规定，但只要在半导体加工用带10的扩张工序中易于拉长、且具有不会断裂的足够强度即可。例如，可以是50～300μm的程度，更优选为70μm～200μm。
作为多层的基材膜11的制造方法，能够使用现有公知的挤压法、层压法等。在使用层压法的情况下，可以使粘接剂介于层之间。作为粘接剂，能够使用现有公知的粘接剂。
＜粘合剂层＞
在基材膜11上涂覆粘合剂组合物就能够形成粘合剂层12。
构成本发明的半导体加工用带10的粘合剂层12，只要具有在切割时不产生与粘接剂层13的剥离、不产生芯片飞散等不良程度的稳定性、或在拾取时易于与粘接剂层13剥离这些的特性即可。
在本发明的半导体加工用带10中，对构成粘合剂层12的粘合剂组合物的结构没有特别限定，但为了使切割后的拾取性提高，而优选能量射线固化性的粘合剂组合物，并优选在固化后易于与粘接剂层13剥离的材料。作为一种方式，可列举出：在粘合剂组合物中，作为基础树脂，含有60摩尔％以上的具有碳数为6～12的烷基链的(甲基)丙烯酸酯，且具有聚合物(A)，该聚合物(A)具有碘值为5～30的能量射线固化性碳-碳双键。此外，在这里，能量射线是指，像紫外线那样的光线、或者电子射线等电离射线。
若在这种聚合物(A)中、能量射线固化性碳-碳双键的导入量是碘值为5以上，则在能量射线照射后的粘着力下降的效果变高这点上是优异的。更优选碘值为10以上。另外，若碘值为30以下，则能量射线照射后直到被拾取为止的芯片的保持力高，在拾取工序之前的扩张时易于扩大芯片的间隙这点上是优异的。若在拾取工序之前能够充分地扩大芯片的间隙，则由于拾取时的各芯片的图像识别很容易、或易于拾取所以优选。另外，若碳-碳双键的导入量是碘值为5以上且30以下，则由于聚合物(A)本身具有稳定性、且制造容易因此优选。
并且，若聚合物(A)的玻璃化转变温度为-70℃以上，则在相对于随着能量射线照射产生的热量的耐热性这点上是优异的，更优选为-66℃以上。另外，如果为15℃以下，在表面状态粗糙的晶片中的切割后的芯片飞散防止效果这点上是优异的，更优选为0℃以下，进一步优选为-28℃以下。
关于上述聚合物(A)是如何制造的，例如可以使用将丙烯酸共聚物与具有能量射线固化性碳-碳双键的化合物进行混合所得的聚合物；或者使具有官能团的丙烯酸共聚物或具有官能团的甲基丙烯酸共聚物(A1)、与化合物(A2)进行反应所得的聚合物，该化合物(A2)具有能够与该官能团进行反应的官能团、且具有能量射线固化性碳-碳双键。
其中，可列举出：作为具有上述官能团的甲基丙烯酸共聚物(A1)，是将丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯等的具有碳-碳双键的单体(A1-1)、与具有碳-碳双键且具有官能团的单体(A1-2)进行共聚所得的。作为单体(A1-1)，能够列举出：具有碳数为6～12的烷基链的丙烯酸己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸癸酯；或者烷基链的碳数为5以下的单体即丙烯酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯；或者与它们同样的甲基丙烯酸酯等。
此外，在单体(A1-1)中的烷基链的碳数为6以上的成分，由于能够使粘合剂层与粘接剂层的剥离力变小，所以在拾取性这点上是优异的。另外，碳数为12以下的成分，在室温下的弹性模量低、在粘合剂层与粘接剂层的界面的附着力这点上是优异的。若粘合剂层与粘接剂层的界面的附着力高，则由于在使带进行扩张并切断晶片时，能够抑制粘合剂层与粘接剂层的界面偏移，并使切断性能提高因此优选。
并且，作为单体(A1-1)，由于越使用烷基链的碳数大的单体则玻璃化转变温度越低，所以通过适当地进行选择，能够制备具有所期望的玻璃化转变温度的粘合剂组合物。另外，除了以玻璃化转变温度为目的之外，还以提高相容性等各种性能为目的，可以混合乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等具有碳-碳双键的低分子化合物。在该情况下，在单体(A1-1)总质量的5质量％以下的范围内，混合这些低分子化合物。
另一方面，作为单体(A1-2)所具有的官能团，能够举出羧基、羟基、氨基、环状酸酐基、环氧基、异氰酸酯基等，作为单体(A1-2)的具体例子，能够列举出：丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、富马酸、邻苯二甲酸、丙烯酸-2-羟烷基酯类、甲基丙烯酸-2-羟烷基酯类、乙二醇单丙烯酸酯类、乙二醇单甲基丙烯酸酯类、N-羟甲基丙烯酰胺、N-羟甲基甲基丙烯酰胺、烯丙醇、N-烷基氨基乙基丙烯酸酯类、N-烷基氨基乙基甲基丙烯酸酯类、丙烯酰胺类、甲基丙烯酰胺类、马来酸酐、衣康酸酐、富马酸酐、邻苯二甲酸酐、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚等。
并且，作为在化合物(A2)中所使用的官能团，在化合物(A1)具有的官能团是羧基或环状酸酐基的情况下，能够举出羟基、环氧基、异氰酸酯基等；在化合物(A1)具有的官能团是羟基的情况下，能够举出环状酸酐基、异氰酸酯基等；在化合物(A1)具有的官能团是氨基的情况下，能够举出环氧基、异氰酸酯基等；在化合物(A1)具有的官能团是环氧基的情况下，能够举出羧基、环状酸酐基、氨基等，作为具体例子，能够列举出与在单体(A1-2)的具体例子中所举出的相同的例子。另外，作为化合物(A2)，能够使用将聚异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的一部分、用具有羟基或者羧基以及能量射线固化性碳-碳双键的单体进行聚氨酯化后的化合物。
此外，在化合物(A1)与化合物(A2)的反应中，关于酸值或羟基值等特性，通过残留未反应的官能团，能够制造所期望的化合物。若残留OH基以使聚合物(A)的羟基值为5～100，则通过使能量射线照射后的粘着力减少，能够进一步降低拾取错误的危险性。
另外，若残留COOH基以使聚合物(A)的酸值为0.5～30，则获得了在使本发明的半导体加工用带进行扩张后的粘合剂层的恢复之后的改善效果，因而优选。若聚合物(A)的羟基值为5以上，则在能量射线照射后的粘着力下降的效果这点上是优异的，若聚合物(A)的羟基值为100以下，则在能量射线照射后的粘合剂的流动性这点上是优异的。另外，若聚合物(A)的酸值为0.5以上，则在带恢复性这点上是优异的，若聚合物(A)的酸值为30以下则在粘合剂的流动性这点上是优异的。
在上述聚合物(A)的合成中，作为利用溶液聚合进行反应时的有机溶剂，能够使用酮类、酯类、醇类、芳香族类的有机溶剂，其中优选为甲苯、乙酸乙酯、异丙醇、苯甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮等的一般是丙烯酸类聚合物的良溶剂、并且沸点为60～120℃的溶剂，作为聚合引发剂，通常使用α,α′-偶氮二异丁腈等偶氮类、过氧化苯甲酰等有机过氧化物类等的自由基生成剂。此时，根据需要能够合并使用催化剂、阻聚剂，通过调节聚合温度以及聚合时间，能够获得所期望分子量的聚合物(A)。另外，关于调节分子量，优选使用硫醇、四氯化碳类等公知的溶剂或链转移剂。此外，该反应并不限于溶液聚合，还可以是本体聚合、悬浮聚合等其他的方法。
如上所述，能够获得聚合物(A)，但在本发明中，若将聚合物(A)的分子量设为30万以上，则在提高凝聚力这点上是优异的。若凝聚力高，则具有在扩张时能抑制与粘接剂层的界面偏移的效果，拉力易于传播到粘接剂层因此使粘接剂层的分割性提高，从而优选高凝聚力。若将聚合物(A)的分子量设为200万以下，则在合成时以及涂覆时的抑制凝胶化这点上是优异的。此外，本发明中的分子量是指，聚苯乙烯换算后的重均分子量。
另外，在本发明的半导体加工用带10中，构成粘合剂层12的树脂组合物除了聚合物(A)之外，还可以具有作为交联剂发挥作用的化合物(B)。例如，可举出聚异氰酸酯类、三聚氰胺-甲醛树脂、以及环氧树脂，它们能够单独使用或组合使用两种以上。该化合物(B)与聚合物(A)或基材膜进行反应，其结果是通过交联结构，能够使得在涂覆粘合剂组合物后的以聚合物(A)以及(B)为主要成分的粘合剂的凝聚力提高。
对聚异氰酸酯类没有特别限制，例如能够举出：4,4'-二苯基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯、4,4'-二苯醚二异氰酸酯、4,4'-[2,2-双(4-苯氧基苯基)丙烷]二异氰酸酯等芳香族异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、2,2,4-三甲基-六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、4,4'-二环己基甲烷二异氰酸酯、2,4'-二环己基甲烷二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯、赖氨酸三异氰酸酯等，具体而言，能够使用CORONATE L(日本聚氨酯工业株式会社制造、商品名称)等。作为三聚氰胺-甲醛树脂，具体而言，能够使用NIKALAC MX-45(三和化学工业株式会社制造、商品名称)、Melan(日立化成工业株式会社制造、商品名称)等。作为环氧树脂，能够使用TETRAD-X(三菱化学株式会社制造、商品名称)等。在本发明中，特优选使用聚异氰酸酯类。
相对于100质量份的聚合物(A)、将化合物(B)的添加量设为0.1质量份以上的粘合剂层在凝聚力这点上是优异的。更优选化合物(B)的添加量为0.5质量份以上。另外，设为15质量份以下的粘合剂层，在涂覆时抑制剧烈的凝胶化这点上是优异的，粘合剂的混合或涂布等的操作性良好。更优选为5质量份以下。
另外，在本发明中，粘合剂层12可以含有光聚合引发剂(C)。对于粘合剂层12所含有的光聚合引发剂(C)没有特别限制，能够使用现有公知的化合物。例如能够举出：二苯甲酮、4,4'-二甲氨基二苯甲酮、4,4'-二乙氨基二苯甲酮、4,4'-二氯二苯甲酮等二苯甲酮类；苯乙酮、二乙氧基苯乙酮等苯乙酮类；2-乙基蒽醌、叔丁基蒽醌等蒽醌类；2-氯噻吨酮；苯偶姻乙醚；苯偶姻异丙醚；偶苯酰；2,4,5-三芳基咪唑二聚体(洛粉碱二聚体)；吖啶类化合物等，它们能够单独使用或将两种以上组合使用。光聚合引发剂(C)的添加量优选为，相对于100质量份的聚合物(A)混合0.1质量份以上的光聚合引发剂(C)，更优选光聚合引发剂(C)的添加量为0.5质量份以上。另外，其上限优选为10质量份以下，更优选为5质量份以下。
并且，在本发明所使用的能量射线固化性的粘合剂中，根据需要能够混合增粘剂、粘合调节剂、表面活性剂等、或者其他的改性剂等。另外，还可以适当添加无机化合物填充剂。
利用现有的粘合剂层的形成方法，能够形成粘合剂层12。例如，将上述粘合剂组合物涂布在基材膜11的规定面上从而形成粘合剂层12的方法；或在将上述粘合剂组合物涂布在隔离物(例如涂布了脱模剂的塑料制膜或片等)上从而形成了粘合剂层12之后，通过将该粘合剂层12转印在基材的规定面的方法，在基材膜11上能够形成粘合剂层12。此外，粘合剂层12可以具有单层的形态，也可以具有被层压后的形态。
对粘合剂层12的厚度没有特别限制，若粘合剂层12的厚度为2μm以上，则在粘附力这点上是优异的，更优选厚度为5μm以上。若厚度为20μm以下，则拾取性优异，更优选厚度为15μm以下。
＜粘接剂层＞
在本发明的半导体加工用带10中，粘接剂层13是在被贴合于晶片、并被切割后，拾取了芯片时，从粘合剂层12剥离并附着于芯片上。而且，在将芯片固定于基板或引线框时用作粘接剂。
对粘接剂层13没有特别限定，只要是一般用于晶片的膜状粘接剂即可，例如可举出热塑性树脂以及含有热聚合成分的粘接剂。用于本发明的粘接剂层13的上述热塑性树脂优选为，具有热塑性的树脂；或者在未固化状态下具有热塑性、在加热后形成交联结构的树脂，对其没有特别限制，作为一种方式，可举出重均分子量为5000～200,000且玻璃化转变温度为0～150℃的热塑性树脂。另外，作为其他的方式，可举出重均分子量为100,000～1,000,000且玻璃化转变温度为-50～20℃的热塑性树脂。
作为前者的热塑性树脂，例如可举出聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树酯、聚酯树脂、聚酯酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂、聚醚砜树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚酮树脂等，其中优选使用聚酰亚胺树脂、苯氧基树脂。作为后者的热塑性树脂，优选使用含有官能团的聚合物。
利用公知的方法使四羧酸二酐与二胺进行缩合反应，能够获得聚酰亚胺树脂。即、在有机溶剂中，使用等摩尔或者大致等摩尔的四羧酸二酐和二胺(各成分的添加顺序是任意的)，在反应温度为80℃以下、优选在0～60℃进行加成反应。随着反应的进行反应液的浓度缓慢上升，并生成作为聚酰亚胺前体的聚酰胺酸。通过将该聚酰胺酸在50～80℃的温度下进行加热并使其解聚，能够调节该聚酰胺酸的分子量。使上述反应物(聚酰胺酸)进行脱水闭环，能够获得聚酰亚胺树脂。利用加热处理的热闭环法、和使用脱水剂的化学闭环法，能够进行脱水闭环。
对于用作聚酰亚胺树脂原料的四羧酸二酐没有特别限制，例如能够使用1,2-(亚乙基)双(偏苯三酸酐)、1,3-(三亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,4-(四亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,5-(五亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,6-(六亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,7-(七亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,8-(八亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,9-(九亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,10-(十亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,12-(十二亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,16-(十六亚甲基)双(偏苯三酸酐)、1,18-(十八亚甲基)双(偏苯三酸酐)、均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐、2,2',3,3'-联苯四羧酸二酐、2,2-双(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-双(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、1,1-双(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、1,1-双(3,4-二羧基苯基)乙烷二酐、双(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、双(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、双(3,4-二羧基苯基)砜二酐、3,4,9,10-苝四甲酸二酐、双(3,4-二羧基苯基)醚二酐、苯-1,2,3,4-四羧酸二酐、3,4,3',4'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,3,2',3'-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3,3',4'-二苯甲酮四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,2,4,5-萘四羧酸二酐、2,6-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,7-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,3,6,7-四氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、菲-1,8,9,10-四羧酸二酐、吡嗪-2,3,5,6-四羧酸二酐、噻吩-2,3,5,6-四羧酸二酐、2,3,3',4'-联苯四羧酸二酐、3,4,3',4'-联苯四羧酸二酐、2,3,2',3'-联苯四羧酸二酐、双(3,4-二羧基苯基)二甲基硅烷二酐、双(3,4-二羧基苯基)甲基苯基硅烷二酐、双(3,4-二羧基苯基)二苯基硅烷二酐、1,4-双(3,4-二羧基苯基二甲基甲硅烷基)苯二酐、1,3-双(3,4-二羧基苯基)-1,1,3,3-四甲基二环己烷二酐、对亚苯基双(偏苯三酸酐)、亚乙基四羧酸二酐、1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐、十氢化萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氢化萘-1,2,5,6-四羧酸二酐、环戊烷-1,2,3,4-四羧酸二酐、吡咯烷-2,3,4,5-四羧酸二酐、1,2,3,4-环丁烷四羧酸二酐、双(外-二环)[2,2,1]庚烷-2,3-二羧酸二酐、二环-[2,2,2]-辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐、2,2-双(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2,2-双[4-(3,4-二羧基苯基)苯基]六氟丙烷二酐、4,4'-双(3,4-二羧基苯氧基)二苯硫醚二酐、1,4-双(2-羟基六氟异丙基)苯双(偏苯三酸酐)、1,3-双(2-羟基六氟异丙基)苯双(偏苯三酸酐)、5-(2,5-二氧代四氢呋喃基)-3-甲基-3-环己烯-1,2-二羧酸二酐、四氢呋喃-2,3,4,5-四羧酸二酐等，也可以使用它们中的一种或者将两种以上合并使用。
另外，对于用作聚酰亚胺原料的二胺没有特别限制，例如能够使用邻苯二胺、间苯二胺、对苯二胺、3,3'-二氨基二苯醚、3,4'-二氨基二苯醚、4,4'-二氨基二苯醚、3,3'-二氨基二苯甲烷、3,4'-二氨基二苯甲烷、4,4'-二氨基二苯醚甲烷、双(4-氨基-3,5-二甲基苯基)甲烷、双(4-氨基-3,5-二异丙基苯基)甲烷、3,3'-二氨基二苯基二氟甲烷、3,4'-二氨基二苯基二氟甲烷、4,4'-二氨基二苯基二氟甲烷、3,3'-二氨基二苯砜、3,4'-二氨基二苯砜、4,4'-二氨基二苯砜、3,3'-二氨基二苯硫醚、3,4'-二氨基二苯硫醚、4,4'-二氨基二苯硫醚、3,3'-二氨基二苯酮、3,4'-二氨基二苯酮、4,4'-二氨基二苯酮、2,2-双(3-氨基苯基)丙烷、2,2'-(3,4'-二氨基二苯基)丙烷、2,2-双(4-氨基苯基)丙烷、2,2-双(3-氨基苯基)六氟丙烷、2,2-(3,4'-二氨基二苯基)六氟丙烷、2,2-双(4-氨基苯基)六氟丙烷、1,3-双(3-氨基苯氧基)苯、1,4-双(3-氨基苯氧基)苯、1,4-双(4-氨基苯氧基)苯、3,3'-(1,4-亚苯基双(1-甲基亚乙基))双苯胺、3,4'-(1,4-亚苯基双(1-甲基亚乙基))双苯胺、4,4'-(1,4-亚苯基双(1-甲基亚乙基))双苯胺、2,2-双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-(4-氨基苯氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)六氟丙烷、2,2-双(4-(4-氨基苯氧基)苯基)六氟丙烷、双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)硫醚、双(4-(4-氨基苯氧基)苯基)硫醚、双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)砜、双(4-(4-氨基苯氧基)苯基)砜、3,5-二氨基苯甲酸等芳香族二胺、1,2-二氨基乙烷、1,3-二氨基丙烷、1,4-二氨基丁烷、1,5-二氨基戊烷、1,6-二氨基己烷、1,7-二氨基庚烷、1,8-二氨基辛烷、1,9-二氨基壬烷、1,10-二氨基癸烷、1,11-二氨基十一烷、1,12-二氨基十二烷、1,2-二氨基环己烷、由下述通式(1)表示的二氨基聚硅氧烷、1,3-双(氨基甲基)环己烷、Sun Techno Chemicals株式会社制造的JEFFAMINE D-230、D-400、D-2000、D-4000、ED-600、ED-900、ED-2001、EDR-148等聚氧化烯基二胺等脂肪族二胺等，也能够使用它们中的一种或者将两种以上合并使用。上述聚酰亚胺树脂的玻璃化转变温度优选为0～200℃，重均分子量优选为1万～20万。
通式(1)
[化1]
Figure GDA0002450313680000161
(在式中，R1以及R2表示碳原子数为1～30的二价的烃基，各自可以相同也可以不同，R3以及R4表示一价的烃基，各自可以相同也可以不同，m为1以上的整数)
作为上述其他的优选热塑性树脂之一的苯氧基树脂优选为，利用使各种双酚与环氧氯丙烷反应的方法、或者使液体环氧树脂与双酚反应的方法而获得的树脂，作为双酚，可举出双酚A、双酚双酚AF、双酚AD、双酚F、双酚S。苯氧基树脂由于与环氧树脂的结构类似，所以与环氧树脂的相容性好，适合对粘接膜赋予良好的粘接性。
作为本发明所使用的苯氧基树脂，例如可举出由下述通式(2)表示的具有重复单元的树脂。
通式(2)
[化2]
Figure GDA0002450313680000162
在上述通式(2)中，X表示单键或者二价的连接基。作为二价的连接基，可举出亚烷基、亚苯基、－O－、－S－、－SO－或－SO2－。在此，亚烷基优选碳数为1～10的亚烷基，更优选为－C(R5)(R6)－。R5、R6表示氢原子或烷基，该烷基优选碳数为1～8的直链或支链的烷基，例如可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、异辛基、2-乙基己基、1,3,3-三甲基丁基等。另外，该烷基可以被卤素原子取代，例如可举出三氟甲基。X优选为亚烷基、－O－、－S－、芴基或－SO2－，更优选为亚烷基、－SO2－。其中，优选为－C(CH3)2－、－CH(CH3)－、－CH2－、－SO2－，更优选为－C(CH3)2－、－CH(CH3)－、－CH2－，特别优选为－C(CH3)2－。
由上述通式(2)表示的苯氧基树脂，如果是具有重复单元的树脂，则即使是具有多个与上述通式(2)的X不同的重复单元的树脂，X也可以仅由相同的重复单元构成。在本发明中，优选X仅由相同的重复单元构成的树脂。
另外，若在由上述通式(2)表示的苯氧基树脂中含有羟基、羧基等极性取代基，则能够使得与热聚合成分的相容性提高，并赋予均匀的外观或特性。
若苯氧基树脂的重均分子量为5000以上，则在膜形成性这点上是优异的。更优选为10,000以上，进一步优选为30,000以上。另外，在加热压接时的流动性或与其他树脂的相容性这点上，优选重均分子量为150,000以下。更优选为100,000以下。另外，若玻璃化转变温度为-50℃以上，则在膜形成性这点上是优异的，更优选为0℃以上，进一步优选为50℃以上。若玻璃化转变温度为150℃，则芯片焊接时的粘接剂层13的附着力优异，更优选为120℃以下，进一步优选为110℃以下。
另一方面，作为在含有上述官能团的聚合物中的官能团，例如可举出缩水甘油基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、羟基、羧基、异氰脲酸酯基、氨基、酰胺基等，其中优选为缩水甘油基。
作为含有上述官能团的高分子量成分，例如可举出含有缩水甘油基、羟基、羧基等官能团的(甲基)丙烯酸共聚物等。
作为上述(甲基)丙烯酸共聚物，例如能够使用(甲基)丙烯酸酯共聚物、丙烯酸酯橡胶等，优选为丙烯酸酯橡胶。丙烯酸酯橡胶是以丙烯酸酯为主要成分，主要是由丙烯酸丁酯和丙烯腈等的共聚物、或丙烯酸乙酯和丙烯腈等的共聚物等构成的橡胶。
在含有作为官能团的缩水甘油基的情况下，含有缩水甘油基的重复单元的量优选为0.5～6.0重量％，更优选为0.5～5.0重量％，特优选为0.8～5.0重量％。含有缩水甘油基的重复单元是指，含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸共聚物的单体成分，具体是指丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯。若含有缩水甘油基的重复单元的量位于该范围，则能够确保附着力，同时还能够防止凝胶化。
除了丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯之外的上述(甲基)丙烯酸共聚物的单体成分，例如可举出(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等，它们能够单独使用或者将两种以上组合使用。此外，在本发明中，(甲基)丙烯酸乙酯表示：丙烯酸乙酯以及/或甲基丙烯酸乙酯。在组合使用功能性单体情况下的混合比例，考虑(甲基)丙烯酸共聚物的玻璃化转变温度再进行决定即可。从膜形成性优异、在常温下能够抑制过度的粘性的观点看，优选将玻璃化转变温度设为-50℃以上。若在常温下的粘附力过剩，则粘接剂层的处理变得困难。更优选为-20℃以上，进一步优选为0℃以上。另外，若将玻璃化转变温度设为30℃以下，则在芯片焊接时的粘接剂层的附着力这点上是优异的，更优选为20℃以下。
在使上述单体聚合、制造含有功能性单体的高分子量成分的情况下，对其聚合方法没有特别限制，例如能够使用成珠聚合、溶液聚合等方法，其中优选成珠聚合。
在本发明中，若含有功能性单体的高分子量成分的重均分子量为100,000以上，则在膜形成性这点上是优异的，更优选为200,000以上，进一步优选为500,000以上。另外，若将重均分子量调节到2,000,000以下，则在使芯片焊接时的粘接剂层的加热流动性提高的这点上是优异的。若使芯片焊接时的粘接剂层的加热流动性提高，则粘接剂层与被粘物的密合变得良好并能够使附着力提高，而且也易于抑制对被粘物的凹凸进行填补的空隙。更优选为1,000,000以下，进一步优选为800,000以下，若设为500,000以下，则能够获得更大的效果。
另外，作为热聚合成分，如果是利用热进行聚合的成分则没有特别限制，例如可举出具有缩水甘油基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、羟基、羧基、异氰脲酸酯基、氨基、酰胺基等官能团的化合物和激发(trigger)材料，它们能够单独使用或者将两种以上组合使用。若考虑到粘接剂层的耐热性，则优选同时含有因热固化而发挥粘接作用的热固化性树脂与固化剂、促进剂。作为热固化性树脂，例如可举出环氧树脂、丙烯酸树脂、有机硅树脂、酚树脂、热固化型聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、三聚氰胺树脂、尿素树脂等，尤其是从可以获得耐热性、操作性、可靠性均优异的粘接剂层的观点看，最优选使用环氧树脂。
上述环氧树脂如果具有固化、粘接作用则没有特别限制，能够使用双酚A型环氧等双官能环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂或甲酚酚醛清漆型环氧树脂等的酚醛清漆型环氧树脂等。另外，还能够应用多官能环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、含有杂环的环氧树脂或者脂环族环氧树脂等一般众所周知的环氧树脂。
作为上述的双酚A型环氧树脂，可举出：三菱化学株式会社制造的Epikote系列(Epikote 807、Epikote 815、Epikote 825、Epikote 827、Epikote 828、Epikote 834、Epikote 1001、Epikote 1004、Epikote 1007、Epikote 1009)；陶氏化学公司(DowChemical)制造的DER-330、DER-301、DER-361；以及新日铁住金化学株式会社制造的YD8125、YDF8170等。作为上述的苯酚酚醛清漆型环氧树脂，可举出：三菱化学株式会社制造的Epikote 152、Epikote 154；日本化药株式会社制造的EPPN-201；陶氏化学公司制造的DEN-438等，另外，作为上述的邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂，可举出日本化药株式会社制造的EOCN-102S、EOCN-103S、EOCN-104S、EOCN-1012、EOCN-1025、EOCN-1027或新日铁住金化学株式会社制造的YDCN701、YDCN702、YDCN703、YDCN704等。作为上述的多官能环氧树脂，可举出：三菱化学株式会社制造的Epon1031S；Ciba Specialty Chemicals公司制造的Araldite0163；Nagase ChemteX株式会社制造的Denacol EX-611、EX-614、EX-614B、EX-622、EX-512、EX-521、EX-421、EX-411、EX-321等。作为上述的胺型环氧树脂，可举出：三菱化学株式会社制造的Epikote 604；东都化成株式会社制造的YH-434；三菱瓦斯化学株式会社制造的TETRAD-X以及TETRAD-C；住友化学工业株式会社制造的ELM-120等。
作为上述的含有杂环的环氧树脂，可举出：Ciba Specialty Chemicals公司制造的Araldite PT810；UCC公司制造的ERL4234、ERL4299、ERL4221、ERL4206等。这些环氧树脂能够单独使用或者将两种以上组合使用。
为了使上述热固化性树脂固化，可以添加适当的添加剂，作为这种添加剂，例如可举出固化剂、固化促进剂、催化剂等，在添加催化剂的情况下，根据需要可以使用助催化剂。
在上述热固化性树脂中使用环氧树脂的情况下，优选使用环氧树脂固化剂或固化促进剂，更优选将它们合并使用。作为固化剂，例如可举出酚树脂、双氰胺、三氟化硼络合物、有机酰肼化合物、胺类、聚酰胺树脂、咪唑化合物、脲或硫脲化合物、聚硫醇化合物、末端具有巯基的聚硫化物树脂、酸酐、光-紫外线固化剂。它们能够单独使用或者将两种以上合并使用。
其中，作为三氟化硼络合物，可举出与各种胺化合物(优选为伯胺化合物)的三氟化硼－胺络合物，作为有机酰肼化合物，可举出间苯二甲酸二酰肼。
作为酚树脂，例如可举出苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚树脂、可溶性酚醛型酚树脂、聚对氧化苯乙烯(poly-p-oxy-styrene)等的聚氧化苯乙烯(polyoxystyrene)等。其中，优选为，在分子中至少具有两个酚羟基的酚类化合物。
作为上述在分子中至少具有两个酚羟基的酚类化合物，例如可举出苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、二环戊二烯甲酚酚醛清漆树脂、二环戊二烯苯酚酚醛清漆树脂、亚二甲苯基改性苯酚酚醛清漆树脂、萘酚酚醛清漆树脂、三苯酚酚醛清漆树脂、四苯酚酚醛清漆树脂、双酚A酚醛清漆树脂、聚对乙烯基苯酚树脂、苯酚芳烷基树脂等。并且，在这些酚树脂中，特别优选苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂，能够使连接可靠性提高。
作为胺类，可列举出：链状脂肪族胺(二乙烯三胺、三乙烯四胺、己二胺、N,N-二甲基丙胺、苄基二甲胺、2-(二甲基氨基)苯酚、2,4,6-三(二甲氨基甲基)苯酚、间苯二甲胺等)、环状脂肪族胺(N-氨乙基哌嗪、双(3-甲基-4-氨基环己基)甲烷、双(4-氨基环己基)甲烷、
Figure GDA0002450313680000201
烷二胺(メンセンジアミン)、异佛尔酮二胺、1,3-二(氨基甲基)环己烷等)、杂环胺(哌嗪、N,N-二甲基哌嗪、三亚乙基二胺、三聚氰胺、三聚氰二胺等)、芳香族胺(间苯二胺、4,4'-二氨基二苯甲烷、二氨基、4,4'-二氨基二苯砜等)、聚酰胺树脂(优选聚酰胺-胺、即二聚酸与聚胺的缩合物)、咪唑化合物(2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-甲基咪唑、2,4-二甲基咪唑、2-正十七烷基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑-偏苯三酸酯、环氧-咪唑加合物等)、脲或硫脲化合物(N,N-二烷基脲化合物、N,N-二烷基硫脲化合物等)、聚硫醇化合物、末端具有巯基的聚硫化物树脂、酸酐(四氢邻苯二甲酸酐等)、光-紫外线固化剂(二苯基碘鎓六氟磷酸盐、三苯基硫六氟磷酸盐等)。
作为上述固化促进剂，如果是使热固化性树脂进行固化的固化促进剂则没有特别限制，例如可举出咪唑类、双氰胺衍生物、二羧酸二酰肼、三苯基膦、四苯基磷鎓四苯硼酸盐、2-乙基-4-甲基咪唑-四苯硼酸盐、1,8-二氮杂二环[5.4.0]十一碳烯-7-四苯硼酸盐等。
作为咪唑类，可举出咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-乙基咪唑、1-苄基-2-乙基-5-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基二甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑等。
对环氧树脂用固化剂或固化促进剂在粘接剂层中的含量没有特别限定，最优的含量因固化剂或固化促进剂的种类而不同。
所述环氧树脂与酚树脂的配合比例，例如，优选为，基于所述环氧树脂成分中的每一当量的环氧基，酚树脂中的羟基以0.5～2.0当量的比例进行配合。更优选为0.8～1.2当量。即、这是由于如果两者的配合比例超出上述范围，则无法进行充分的固化反应，粘接剂层的特性变得易于劣化。关于其他的热固化性树脂和固化剂，在一个实施方式中，相对于100质量份的热固化性树脂，固化剂为0.5～20质量份，在其他的实施方式中，固化剂为1～10质量份。优选固化促进剂的含量少于固化剂的含量，优选相对于100质量份的热固化性树脂，固化促进剂为0.001～1.5质量份，进一步优选为0.01～0.95质量份。通过调整到上述范围内，则能够有助于进行充分的固化反应。优选相对于100质量份的热固化性树脂，催化剂的含量为0.001～1.5质量份，进一步优选为0.01～1.0质量份。
另外，本发明的粘接剂层13根据其用途能够适当地配合填充剂。由此，能够实现未固化状态下的粘接剂层的切割性的提高、处理性的提高、熔体粘度的调节、触变性的赋予，并且，还能够实现在固化状态的粘接剂层中的导热性的赋予、附着力的提高。
作为本发明所使用的填充剂，优选为无机填充剂。对无机填充剂没有特别限制，例如能够使用氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶二氧化硅、无定形二氧化硅、氧化锑等。另外，这些填充剂能够使用单体或将两种以上混合使用。
另外，在上述无机填充剂中，从导热性提高的观点看，优选使用氧化铝、氮化铝、氮化硼、结晶二氧化硅、无定形二氧化硅等。此外，从熔体粘度的调节或触变性赋予的观点看，优选使用氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、结晶二氧化硅、无定形二氧化硅等。另外，从切割性提高的观点看，优选使用氧化铝、二氧化硅。
若填充剂的含有比例为30质量％以上，则在引线键合性这点上是优异的。
优选在引线键合时，将打线并粘接芯片的粘接剂层在固化后的储能模量调节在170℃下的20～1000MPa的范围，若填充剂的含有比例为30质量％以上，则易于将粘接剂层在固化后的储能模量调节在该范围。另外，若填充剂的含有比例为75质量％以下，则膜形成性、芯片焊接时的粘接剂层的加热流动性均优异。若使芯片焊接时的粘接剂层的加热流动性提高，则粘接剂层与被粘物的密合变得良好并能够使附着力提高，而且也易于抑制对被粘物的凹凸进行填补的空隙。更优选为70质量％以下，进一步优选为60质量％以下。
本发明的粘接剂层能够包含作为上述填充剂的、平均粒径不同的两种以上的填充剂。该情况与使用了单一的填充剂的情况相比，在膜化之前的原料混合物中，易于防止在填充剂的含有比例高时的粘度上升或者在填充剂的含有比例低时的粘度下降，易于获得良好的薄膜形成性，能够优化控制未固化的粘接剂层的流动性，同时在粘接剂层的固化后易于获得优异的附着力。
另外，优选在本发明的粘接剂层中，填充剂的平均粒径为2.0μm以下，更优选为1.0μm。若填充剂的平均粒径为2.0μm以下，则膜的薄膜化变得容易。在此，薄膜是指20μm以下的厚度。另外，若为0.01μm以上，则分散性良好。
并且，从防止膜化之前的原料混合物的粘度上升或者粘度下降、优化控制未固化的粘接剂层的流动性、并使粘接剂层在固化后的附着力提高的观点看，优选包含平均粒径在0.1～1.0μm范围内的第一填充剂、以及一次粒径的平均粒径在0.005～0.03μm范围内的第二填充剂。优选包含：平均粒径在0.1～1.0μm的范围内且99％以上的粒子分布在粒径为0.1～1.0μm范围内的第一填充剂；以及一次粒径的平均粒径在0.005～0.03μm的范围内且99％以上的粒子分布在粒径为0.005～0.1μm范围内的第二填充剂。
本发明中的平均粒径是指，50体积％的粒子具有小于该值的直径，并意味着累积体积分布曲线的D50值。在本发明中，平均粒径或D50值是通过激光衍射法，利用例如Malvern Instruments公司制造的Malvern Mastersizer 2000进行测定的。在该技术中，分散液中的粒子尺寸是基于夫琅和费或者米氏理论中的任意一个应用，使用激光束的衍射进行测定的。在本发明中，利用米氏理论或者针对非球状粒子的修正米氏理论，平均粒径或D50值是相对于入射的激光束在0.02～135°下的散射测量。
在本发明的一个方式中，在构成粘接剂层13的整个粘合剂组合物中，可以含有10～40质量％的重均分子量为5000～200,000的热塑性树脂、10～40质量％的热聚合成分、和30～75质量％的填充剂。在该实施方式中，填充剂的含量可以是30～60质量％，也可以是40～60质量％。
另外，热塑性树脂的重均分子量可以为5000～150,000，也可以为10,000～100,000。
在其他的方式中，在构成粘接剂层13的整个粘合剂组合物中，可以含有10～20质量％的重均分子量为200,000～2,000,000的热塑性树脂、20～50质量％的热聚合成分、和30～75质量％的填充剂。在该实施方式中，填充剂的含量可以是30～60质量％，也可以是30～50质量％。另外，热塑性树脂的重均分子量可以为200,000～1,000,000，也可以为200,000～800,000。
通过调整配合比例，能够实现粘接剂层13在固化后的储能模量以及流动性的最优化，而且具有充分地获得高温下的耐热性的趋势。
在本发明的半导体加工用带10中，可以将预先膜化后的膜(以下称为粘接膜)、直接或间接地层压在基材膜11上，从而形成粘接剂层13。优选为，层压时的温度在10～100℃的范围，并施加0.01～10N/m的线压力。此外，这种粘接膜可以在剥离膜上形成了粘接剂层13，在该情况下，可以在层压后剥离出剥离膜，或者可以直接用作半导体加工用带10的覆盖膜，在贴合晶片时进行剥离。
所述粘接膜可以在粘合剂层12的整个面上进行层压，但也可以将被预先切断(被预切)成与所贴合的晶片相对应的形状后的粘接膜、层压在粘合剂层12上。像这样，在层压了与晶片相对应的粘接膜的情况下，如图3所示，在贴合晶片W的部分上有粘接剂层13，在贴合环状框架20的部分上没有粘接剂层13而仅存在粘合剂层12。一般，由于粘接剂层13难以与被粘物剥离，因此通过使用被预切后的粘接膜，能够使环状框架20与粘合剂层12贴合，可以获得在使用后的带剥离时对环状框架20难以产生残胶的效果。
＜用途＞
本发明的半导体加工用带10被用于半导体装置的制造方法中，所述半导体装置的制造方法至少包含通过扩张来分割粘接剂层13的扩张工序。因此，对其他的工序或工序的顺序等没有特别限定。例如，适合用于以下的半导体装置的制造方法(A)～(E)中。
一种半导体装置的制造方法即制造方法(A)，该半导体装置的制造方法(A)包含如下工序：
(a)在形成了电路图案的晶片表面贴合表面保护带的工序；
(b)对所述晶片背面进行研磨的背面研磨工序；
(c)在对所述晶片进行了加热的状态下，将所述半导体加工用带的粘接剂层贴合在所述晶片背面的工序；
(d)从所述晶片表面剥离所述表面保护带的工序；
(e)对所述晶片的分割预定部分照射激光，在所述晶片内部形成由多光子吸收而导致的改性区域的工序；
(f)通过使所述半导体加工用带进行扩张，从而沿分割线来分割所述晶片和所述半导体加工用带的所述粘接剂层，并获得附带了所述粘接剂层的多个芯片的扩张工序；
(g)在扩张后的所述半导体加工用带中，通过使得与所述芯片不重叠的部分进行加热收缩，从而去除在所述扩张工序中产生的松弛，并维持所述芯片的间隔的工序；
(h)从所述半导体加工用带的粘合剂层中，拾取附带了所述粘接剂层的所述芯片的工序。
一种半导体装置的制造方法即制造方法(B)，该半导体装置的制造方法(B)包含如下工序：
(a)在形成了电路图案的晶片表面贴合表面保护带的工序；
(b)对所述晶片背面进行研磨的背面研磨工序；
(c)在对所述晶片进行了加热的状态下，将所述半导体加工用带的粘接剂层贴合在所述晶片背面的工序；
(d)从所述晶片表面剥离所述表面保护带的工序；
(e)沿所述晶片表面的分割线照射激光，将所述晶片分割成芯片的工序；
(f)通过使所述半导体加工用带进行扩张，从而按每个所述芯片来分割所述粘接剂层，并获得附带了所述粘接剂层的多个芯片的扩张工序；
(g)在扩张后的所述半导体加工用带中，通过使得与所述芯片不重叠的部分进行加热收缩，从而去除在所述扩张工序中产生的松弛，并维持所述芯片的间隔的工序；
(h)从所述半导体加工用带的粘合剂层中，拾取附带了所述粘接剂层的所述芯片的工序。
一种半导体装置的制造方法即制造方法(C)，该半导体装置的制造方法(C)包含如下工序：
(a)在形成了电路图案的晶片表面贴合表面保护带的工序；
(b)对所述晶片背面进行研磨的背面研磨工序；
(c)在对所述晶片进行了加热的状态下，将所述半导体加工用带的粘接剂层贴合在所述晶片背面的工序；
(d)从所述晶片表面剥离所述表面保护带的工序；
(e)使用切割刀，沿分割线对所述晶片进行切削，并分割成芯片的工序；
(f)通过使所述半导体加工用带进行扩张，从而按每个所述芯片来分割所述粘接剂层，并获得附带了所述粘接剂层的多个芯片的扩张工序；
(g)在扩张后的所述半导体加工用带中，通过使得与所述芯片不重叠的部分进行加热收缩，从而去除在所述扩张工序中产生的松弛，并维持所述芯片的间隔的工序；
(h)从所述半导体加工用带的粘合剂层中，拾取附带了所述粘接剂层的所述芯片的工序。
一种半导体装置的制造方法即制造方法(D)，该半导体装置的制造方法(D)包含如下工序：
(a)将切割带贴合在形成了电路图案的晶片的背面，使用切割刀，沿分割预定线切削至小于所述晶片厚度的深度为止的工序；
(b)在所述晶片表面贴合表面保护带的工序；
(c)剥离所述切割带，对所述晶片背面进行研磨并分割成芯片的背面研磨工序；
(d)在对所述晶片进行了加热的状态下，在被分割成所述芯片的所述晶片背面、贴合所述半导体加工用带的粘接剂层的工序；
(e)从被分割成所述芯片的所述晶片表面、剥离表面保护带的工序；
(f)通过使所述半导体加工用带进行扩张，从而按每个所述芯片来分割所述粘接剂层，并获得附带了所述粘接剂层的多个芯片的扩张工序；
(g)在扩张后的所述半导体加工用带中，通过使得与所述芯片不重叠的部分进行加热收缩，从而去除在所述扩张工序中产生的松弛，并维持所述芯片的间隔的工序；
(h)从所述半导体加工用带的粘合剂层中，拾取附带了所述粘接剂层的所述芯片的工序。
一种半导体装置的制造方法即制造方法(E)，该半导体装置的制造方法(E)包含如下工序：
(a)在形成了电路图案的晶片表面贴合表面保护带的工序；
(b)对所述晶片的分割预定部分照射激光，在所述晶片内部形成由多光子吸收而导致的改性区域的工序；
(c)对所述晶片背面进行研磨的背面研磨工序；
(d)在对所述晶片进行了加热的状态下，将所述半导体加工用带的粘接剂层贴合在所述晶片背面的工序；
(e)从所述晶片表面剥离所述表面保护带的工序；
(f)通过使所述半导体加工用带进行扩张，从而沿分割线来分割所述晶片和所述半导体加工用带的所述粘接剂层，并获得附带了所述粘接剂层的多个芯片的扩张工序；
(g)在扩张后的所述半导体加工用带中，通过使得与所述芯片不重叠的部分进行加热收缩，从而去除在所述扩张工序中产生的松弛，并维持所述芯片的间隔的工序；
(h)从所述半导体加工用带的粘合剂层中，拾取附带了所述粘接剂层的所述芯片的工序。
＜使用方法＞
在上述半导体装置的制造方法(A)中应用了本发明的半导体加工用带10的情况下，关于带的使用方法，一边参照图2～图5一边进行说明。首先，如图2所示，在形成了电路图案的晶片W的表面，贴合在粘合剂中包含紫外线固化性成分的、用于保护电路图案的表面保护带14，并实施对晶片W的背面进行研磨的背面研磨工序。
在背面研磨工序结束之后，如图3所示，在晶片贴片机的加热台25上，搭载了表面一侧向下的晶片W之后，将半导体加工用带10贴合在晶片W的背面。在此所使用的半导体加工用带10是，将预先被切断(预切)成与所贴合的晶片W相对应的形状的粘接膜进行层压而成的，在与晶片W贴合的面上的露出了粘接剂层13的区域周围，使粘合剂层12露出。该半导体加工用带10的露出了粘接剂层13的部分与晶片W的背面进行贴合，同时粘接剂层13周围的露出了粘合剂层12的部分与环状框架20进行贴合。此时，将加热台25设定为70～80℃，从而实施加热贴合。此外，在本实施方式中，可以使用具有胶带15和粘接剂层13的半导体加工用带10，该胶带15由基材膜11和设置于基材膜11上的粘合剂层12构成；该粘接剂层13设置于粘合剂层12上，但也可以分别使用胶带和膜状粘接剂。在该情况下，首先，在晶片的背面贴合膜状粘接剂从而形成粘接剂层，将胶带的粘合剂层贴合在该粘接剂层上。此时，作为胶带，可使用根据本发明的胶带15。
其次，将贴合了半导体加工用带10的晶片W从加热台25上搬出，如图4所示，将半导体加工用带10一侧向下并搭载于吸附台26上。而且，从被吸附固定于吸附台26的晶片W的上方，使用能量射线光源27，例如向表面保护带14的基材面一侧照射1000mJ/cm2的紫外线，并使表面保护带14相对于晶片W的附着力下降，从晶片W的表面剥离表面保护带14。
接下来，如图5所示，对晶片W的分割预定部分照射激光，在晶片W的内部形成由多光子吸收而导致的改性区域32。
然后，如图6(a)所示，使基材膜11一侧向下，将被贴合在晶片W以及环状框架20上的半导体加工用带10、搭载于扩张装置的平台21上。
接下来，如图6(b)所示，在固定了环状框架20的状态下，使扩张装置的中空圆柱形状的顶出部件22上升，对半导体加工用带10进行扩张(expand)。作为扩张条件，扩张速度例如为5～500mm/sec，扩张量(顶出量)例如为5～25mm。像这样，通过使半导体加工用带10沿晶片W的径向拉长，晶片W以所述改性区域32为起点而被分割成芯片34单元。此时，粘接剂层13与晶片W背面粘接的部分因扩张而导致的伸长(变形)受到抑制，不会产生断裂，但因带的扩张而导致的张力集中于芯片34之间的位置，并在该位置产生断裂。因此，如图6(c)所示，晶片W也与粘接剂层13一起被分割。由此，能够获得附带了粘接剂层13的多个芯片34。
然后，如图7所示，将顶出部件22返回到原来的位置，去除在之前的扩张工序中产生的半导体加工用带10的松弛，进行用于稳定地维持芯片34的间隔的工序。在该工序中，例如在半导体加工用带10中的芯片34存在的区域、与环状框架20之间的圆环状的加热收缩区域28，使用热风喷嘴29并吹出90～120℃的热风从而使基材膜11进行加热收缩，使半导体加工用带10成为拉紧的状态。
之后，对粘合剂层12实施能量射线固化处理或者热固化处理等，在使粘合剂层12相对于粘接剂层13的粘着力减弱之后，拾取芯片34。
此外，如上所述，也可以在进行扩张处理之前先进行能量射线固化处理。
＜实施例＞
接下来，为了进一步明确本发明的效果，而对实施例以及比较例进行详细说明，但本发明并不限于这些实施例。
〔半导体加工用带的制造〕
(1)基材膜的制造
＜基材膜1＞
通过使利用自由基聚合方法合成的乙烯-甲基丙烯酸-甲基丙烯酸乙酯(质量比为8:1:1)三元共聚物的锌离聚物a(密度为0.96g/cm3、锌离子含量为4质量％、氯含量小于1质量％、维卡软化点为56℃、熔点为86℃)的树脂珠在140℃进行熔融，使用挤出机将其成型为厚度100μm的长条膜状，从而制造了基材膜1。
＜基材膜2＞
将苯乙烯-氢化异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)(KURARAY株式会社制造、“Septon KF-2104”)与均聚丙烯(PP)(宇部兴产株式会社制造、“J-105G”)以40:60所示的配合比进行混合，利用双轴混炼机，在大约200℃下用膜挤出成型进行加工，制造了厚度为100μm的基材膜2。
＜基材膜3＞
将苯乙烯-氢化异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)(KURARAY株式会社制造、“Septon KF-2104”)与均聚丙烯(PP)(宇部兴产株式会社制造、“J-105G”)以40:60所示的配合比进行混合，使用挤出机，将其成型为厚度100μm的长条膜状，从而制造了基材膜3。
(2)粘合剂组合物的调整
(a-1)
具有官能团的丙烯酸类共聚物(A1)由丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸-2-羟乙酯以及甲基丙烯酸构成，丙烯酸-2-乙基己酯的比例为55摩尔％，制成了重均分子量为75万的共聚物。接下来，添加甲基丙烯酸-2-异氰基乙酯，以使碘值为30，制成了玻璃化转变温度为-50℃、羟值为30mgKOH/g、酸值为5mgKOH/g的丙烯酸类共聚物(a-1)。
(a-2)
具有官能团的丙烯酸类共聚物(A1)由丙烯酸丁酯、丙烯酸-4-羟丁酯以及甲基丙烯酸构成，丙烯酸丁酯的比例为60摩尔％，制成了重均分子量为50万的共聚物。接下来，添加甲基丙烯酸-2-异氰基乙酯，以使碘值为30，制成了玻璃化转变温度为-56℃、羟值为30mgKOH/g、酸值为5mgKOH/g的丙烯酸类共聚物(a-2)。
(3)粘接剂组合物的制备
(b-1)
在由50质量份的环氧树脂“1002”(三菱化学株式会社制造、固体双酚A型环氧树脂、环氧当量为600)、100质量份的环氧树脂“806”(三菱化学株式会社制造、商品名称、双酚F型环氧树脂、环氧当量为160、比重为1.20)、5质量份的固化剂“Dyhard100SF”(Degussa制造、商品名称、双氰胺)、150质量份的二氧化硅填充剂“SO-C2”(Admafine株式会社制造、商品名称、平均粒径为0.5μm)、以及5质量份的作为二氧化硅填充剂的“AEROSIL R972”(日本AEROSIL株式会社制造、商品名称、一次粒径的平均粒径为0.016μm)构成的组合物中加入MEK，进行搅拌混合，制成了均匀的组合物。
在上述组合物中，加入100质量份的苯氧基树脂“PKHH”(INCHEM制造、商品名称、重均分子量为52,000、玻璃化转变温度为92℃)、0.4质量份的作为偶联剂的“KBM-802”(信越Silicone株式会社制造、商品名称、巯丙基三甲氧基硅烷)、以及0.5质量份的作为固化促进剂的“Curezol 2PHZ-PW”(四国化成株式会社制造、商品名称、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、分解温度为230℃)，搅拌混合至均匀为止。并且，将其用100目的过滤器进行过滤、真空脱泡，从而获得了粘接剂组合物(b-1)的清漆。
(b-2)
在由20.0质量份的环氧树脂“YX4000”(三菱化学株式会社制造、联苯酚醛清漆型环氧树脂、环氧当量为185)、50.0质量份的酚树脂“LF-6161”(DIC株式会社制造、商品名称、酚醛清漆酚树脂、羟基当量为118)、45.0质量份的环氧树脂“Epikote 828”(三菱化学株式会社制造、商品名称、双酚A型环氧树脂、环氧当量为190)、5质量份的作为二氧化硅填充剂的“AEROSIL R972”(日本AEROSIL株式会社制造、商品名称、一次粒径的平均粒径为0.016μm)构成的组合物中加入MEK，进行搅拌混合，制成了均匀的组合物。
在上述组合物中，加入作为含有官能团的聚合物即含有来自丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯的单体单元的丙烯酸共聚物(重均分子量为85万、Tg为12℃)70质量份、0.5质量份的作为偶联剂的“KBM-802”(信越Silicone株式会社制造、商品名称、巯丙基三甲氧基硅烷)、以及0.1质量份的作为固化促进剂的“Curezol 2PHZ-PW”(四国化成株式会社制造、商品名称、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、分解温度为230℃)，搅拌混合至均匀为止。并且，将其用100目的过滤器进行过滤、真空脱泡，从而获得了粘接剂组合物(b-2)的清漆。
(半导体加工用带的调整)
相对于100质量份的丙烯酸类共聚物(a-1)，加入了3质量份的作为聚异氰酸酯的P301-75E(旭化成化学株式会社制造)，并加入了3质量份的作为光聚合引发剂的EsacureKIP 150(Lamberti公司制造)，使上述混合物溶解于乙酸乙酯，进行搅拌，制成了粘合剂组合物。
接下来，在由脱模处理后的聚乙烯-对苯二甲酸酯膜而成的离型膜上，涂布该粘合剂组合物，以使干燥后的厚度为10μm，在110℃下干燥了2分钟之后，与基材膜1进行贴合，制造了在基材膜1上形成了粘合剂层的粘合片。
然后，在由脱模处理后的聚乙烯-对苯二甲酸酯膜而成的离型膜上，涂布粘接剂组合物(b-1)，以使干燥后的厚度为20μm，在130℃下干燥了3分钟，制造了在离型膜上形成了粘接剂层的粘接膜。
以能够覆盖开口部的方式使粘合片与环状框架进行贴合，并将粘合片剪裁成如图3等所示的形状。另外，以能够覆盖晶片背面的方式，将粘接膜剪裁成如图3等所示的形状。而且，以图3等所示的在粘接膜的周围形成使粘合剂层12露出的部分的方式，使所述粘合片的粘合剂层一侧与所述粘接膜的粘接剂层一侧进行贴合，制造了半导体加工用带1。
除了将丙烯酸类共聚物、粘合剂组合物、交联剂以及粘接剂组合物的组合设成如表1所记载的组合之外，利用与半导体加工用带1相同的方法，制造了半导体加工用带2～9。
＜实施例1＞
在形成了电路图案的晶片表面贴合表面保护带；
对所述晶片的分割预定部分照射激光，在所述晶片内部形成由多光子吸收而导致的改性区域；
实施对所述晶片背面进行研磨的背面研磨工序；
在将所述晶片加热至70～80℃的状态下，将所述半导体加工用带1的粘接剂层贴合在所述晶片背面；
从所述晶片表面剥离所述表面保护带；
以输出为200mJ/cm2对所述半导体加工用带1实施紫外线照射处理；
实施通过使所述半导体加工用带1进行扩张，从而沿分割线来分割所述晶片和所述半导体加工用带的所述粘接剂层，并获得附带了所述粘接剂层的多个芯片的扩张工序；
实施在100℃下、对所述半导体加工用带1的与所述芯片不重叠的部分(存在芯片的区域与环状框架之间的圆环状的区域)进行加热收缩，从而去除在扩张工序中产生的松弛，并维持该芯片的间隔的工序，对于实施了上述工序的半导体加工用带1，进行了以下所示的物理性质的评价以及拾取性的评价。
此外，芯片尺寸为5mm×5mm。
＜收缩率的评价＞
利用由JIS7162规定的方法，在以500mm/min对带的试验片给予了20％伸长率的状态下，保持60秒。然后，从试验机取下试验片，在100℃的温度下加热10秒，对前后的热收缩率进行了测定。
另外，对宽度方向、长度方向的收缩率也进行了测定。
＜拾取性的评价＞
实施从半导体加工用带的粘合剂层拾取半导体芯片的工序，对拾取性进行了评价。
具体而言，关于任意的1000个芯片，利用晶粒选择器(dice picker)(佳能机械公司制造、商品名称CAP-300II)进行拾取试验，将保持了从粘合剂层剥离出的粘接剂层的芯片作为拾取成功，并计算出拾取成功率，对拾取性进行了评价。
在将拾取成功率为100％的作为优良品“◎”、
拾取成功率为98％以上的作为良品“○”、
拾取成功率大于等于95％且小于98％的作为合格品“△”、
拾取成功率小于95％的作为不良品“×”进行评价时，表现出拾取率为100％。
＜切口宽度的均匀性的评价＞
对于切口宽度的均匀性，利用以下的方法、基准进行了评价。
在12英寸晶片中，对有效芯片(5mm×5mm)的最上部、最下部、中央部、最左部、最右部这五点的长度方向以及宽度方向的切口宽度进行了测定，
切口宽度的均匀性﹦(五点中的最小测定值－平均值)/平均值
在将上述值为-0.3以上的作为“◎”、
大于等于-0.5且小于-0.3的作为“○”、
大于等于-0.7且小于-0.5的作为“△”、
小于-0.7的作为“×”进行评价时，表现出“◎”的评价。
＜实施例2＞
除了在半导体加工用带2中，将紫外线的输出变成输出为30mJ/cm2之外，进行与实施例1相同的处理，对收缩率、拾取性进行了评价。
＜实施例3＞
除了在半导体加工用带3中，进行了热定形处理之外，进行与实施例1相同的处理，对收缩率、拾取性进行了评价。
＜实施例4＞
在半导体加工用带4中，进行与实施例1相同的处理，对收缩率、拾取性进行了评价。
(比较例1)
在形成了电路图案的晶片表面贴合表面保护带；
对所述晶片的分割预定部分照射激光，在所述晶片内部形成由多光子吸收而导致的改性区域；
实施对所述晶片背面进行研磨的背面研磨工序；
在将所述晶片加热至70～80℃的状态下，将所述半导体加工用带11的粘接剂层贴合在所述晶片背面；
从所述晶片表面剥离所述表面保护带；
实施通过使所述半导体加工用带5进行扩张，从而沿分割线来分割所述晶片和所述半导体加工用带的所述粘接剂层，并获得附带了所述粘接剂层的多个芯片的扩张工序；
实施在120℃下、对所述半导体加工用带5的与所述芯片不重叠的部分(存在芯片的区域与环状框架之间的圆环状的区域)进行加热收缩，从而去除在扩张工序中产生的松弛，并维持该芯片的间隔的工序；
以输出为200mJ/cm2对所述半导体加工用带5实施紫外线照射处理，对于实施了上述处理的半导体加工用带5，进行了与实施例1相同的物理性质的评价、以及拾取性的评价。
(比较例2)
对于半导体加工用带6进行与比较例1相同的处理，对收缩率、拾取性进行了评价。
(比较例3)
除了在半导体加工用带7中，将紫外线的输出变成20mJ/cm2之外，进行与实施例1相同的处理，对收缩率、拾取性进行了评价。
(比较例4)
除了在半导体加工用带8中，将固化剂的添加量变成20质量份之外，进行与比较例1相同的处理，对收缩率、拾取性进行了评价。
(比较例5)
除了在半导体加工用带9中，在温度为50℃下进行了热定形处理之外，进行与比较例1相同的处理，对收缩率、拾取性进行了评价。
表2表示：在实施例1～4、比较例1～5中的收缩率、拾取性、切口宽度均匀性的评价。需要说明的是，实施例3超出了权利要求的范围，并且作为参考例示出。
[表1]
Figure GDA0002450313680000311
Figure GDA0002450313680000321
[表2]
Figure GDA0002450313680000322
＜评价结果＞
如表2所示，很明显在满足热收缩率为0％以上且20％以下、且长度方向的热收缩率/宽度方向的热收缩率﹦0.01以上且100以下的实施例1～5中，切口宽度都充分且均匀地扩大，并表现出现有技术所不具备的良好的拾取性。
另一方面，在不满足上述条件的比较例1～5中，切口宽度狭窄且不均匀，并表现出拾取性差的评价。
附图标记说明
10：半导体加工用带
11：基材膜
12：粘合剂层
13：粘接剂层
14：表面保护带
15：辅助带
20：环状框架
21：平台
22：顶出部件
25：加热台
26：吸附台
27：紫外线(能量射线)光源
28：加热收缩区域
29：热风喷嘴
32：改性区域
34：芯片

Claims (7)

1.一种半导体加工用带，其特征在于，在100℃下加热了10秒时的带的长度方向的热收缩率以及宽度方向的热收缩率这两者均为0％以上且20％以下，且仅长度方向的热收缩率以及宽度方向的热收缩率中的任意一个为7％以上，并且所述长度方向的热收缩率/所述宽度方向的热收缩率﹦0.01以上且100以下，其中，所述热收缩率定义为：
利用由JIS7162规定的方法，在以500mm/min对带的试验片给予了20％伸长率的状态下，保持60秒之后，从试验机取下试验片，在100℃的温度下加热10秒，对前后的热收缩率进行测定，并将所述热收缩率设为：热收缩率﹦(加热前的尺寸－加热后的尺寸)/加热前的尺寸×100(％)。
2.根据权利要求1所述的半导体加工用带，其特征在于，所述半导体加工用带被用于半导体装置的制造方法中，所述半导体装置的制造方法包含如下工序：
(a)在形成了电路图案的晶片表面贴合表面保护带的工序；
(b)对所述晶片背面进行研磨的背面研磨工序；
(c)在对所述晶片进行了加热的状态下，将所述半导体加工用带的粘接剂层贴合在所述晶片背面的工序；
(d)从所述晶片表面剥离所述表面保护带的工序；
(e)对所述晶片的分割预定部分照射激光，在所述晶片内部形成由多光子吸收而导致的改性区域的工序；
(f)通过使所述半导体加工用带进行扩张，从而沿分割线来分割所述晶片和所述半导体加工用带的所述粘接剂层，并获得附带了所述粘接剂层的多个芯片的扩张工序；
(g)在扩张后的所述半导体加工用带中，通过使得与所述芯片不重叠的部分进行加热收缩，从而去除在所述扩张工序中产生的松弛，并维持所述芯片的间隔的工序；以及
(h)从所述半导体加工用带的粘合剂层中，拾取附带了所述粘接剂层的所述芯片的工序。
3.根据权利要求1所述的半导体加工用带，其特征在于，所述半导体加工用带被用于半导体装置的制造方法中，所述半导体装置的制造方法包含如下工序：
(a)在形成了电路图案的晶片表面贴合表面保护带的工序；
(b)对所述晶片背面进行研磨的背面研磨工序；
(c)在对所述晶片进行了加热的状态下，将所述半导体加工用带的粘接剂层贴合在所述晶片背面的工序；
(d)从所述晶片表面剥离所述表面保护带的工序；
(e)沿所述晶片表面的分割线照射激光，将所述晶片分割成芯片的工序；
(f)通过使所述半导体加工用带进行扩张，从而按每个所述芯片来分割所述粘接剂层，并获得附带了所述粘接剂层的多个芯片的扩张工序；
(g)在扩张后的所述半导体加工用带中，通过使得与所述芯片不重叠的部分进行加热收缩，从而去除在所述扩张工序中产生的松弛，并维持所述芯片的间隔的工序；以及
(h)从所述半导体加工用带的粘合剂层中，拾取附带了所述粘接剂层的所述芯片的工序。
4.根据权利要求1所述的半导体加工用带，其特征在于，所述半导体加工用带被用于半导体装置的制造方法中，所述半导体装置的制造方法包含如下工序：
(a)在形成了电路图案的晶片表面贴合表面保护带的工序；
(b)对所述晶片背面进行研磨的背面研磨工序；
(c)在对所述晶片进行了加热的状态下，将所述半导体加工用带的粘接剂层贴合在所述晶片背面的工序；
(d)从所述晶片表面剥离所述表面保护带的工序；
(e)使用切割刀，沿分割线对所述晶片进行切削，并分割成芯片的工序；
(f)通过使所述半导体加工用带进行扩张，从而按每个所述芯片来分割所述粘接剂层，并获得附带了所述粘接剂层的多个芯片的扩张工序；
(g)在扩张后的所述半导体加工用带中，通过使得与所述芯片不重叠的部分进行加热收缩，从而去除在所述扩张工序中产生的松弛，并维持所述芯片的间隔的工序；以及
(h)从所述半导体加工用带的粘合剂层中，拾取附带了所述粘接剂层的所述芯片的工序。
5.根据权利要求1所述的半导体加工用带，其特征在于，所述半导体加工用带被用于半导体装置的制造方法中，所述半导体装置的制造方法包含如下工序：
(a)将切割带贴合在形成了电路图案的晶片背面，使用切割刀，沿分割预定线切削至小于所述晶片厚度的深度为止的工序；
(b)在所述晶片表面贴合表面保护带的工序；
(c)剥离所述切割带，对所述晶片背面进行研磨并分割成芯片的背面研磨工序；
(d)在对所述晶片进行了加热的状态下，在被分割成所述芯片的所述晶片背面、贴合所述半导体加工用带的粘接剂层的工序；
(e)从被分割成所述芯片的所述晶片表面、剥离表面保护带的工序；
(f)通过使所述半导体加工用带进行扩张，从而按每个所述芯片来分割所述粘接剂层，并获得附带了所述粘接剂层的多个芯片的扩张工序；
(g)在扩张后的所述半导体加工用带中，通过使得与所述芯片不重叠的部分进行加热收缩，从而去除在所述扩张工序中产生的松弛，并维持所述芯片的间隔的工序；以及
(h)从所述半导体加工用带的粘合剂层中，拾取附带了所述粘接剂层的所述芯片的工序。
6.根据权利要求1所述的半导体加工用带，其特征在于，所述半导体加工用带被用于半导体装置的制造方法中，所述半导体装置的制造方法包含如下工序：
(a)在形成了电路图案的晶片表面贴合表面保护带的工序；
(b)对所述晶片的分割预定部分照射激光，在所述晶片内部形成由多光子吸收而导致的改性区域的工序；
(c)对所述晶片背面进行研磨的背面研磨工序；
(d)在对所述晶片进行了加热的状态下，将所述半导体加工用带的粘接剂层贴合在所述晶片背面的工序；
(e)从所述晶片表面剥离所述表面保护带的工序；
(f)通过使所述半导体加工用带进行扩张，从而沿分割线来分割所述晶片和所述半导体加工用带的所述粘接剂层，并获得附带了所述粘接剂层的多个芯片的扩张工序；
(g)在扩张后的所述半导体加工用带中，通过使得与所述芯片不重叠的部分进行加热收缩，从而去除在所述扩张工序中产生的松弛，并维持所述芯片的间隔的工序；以及
(h)从所述半导体加工用带的粘合剂层中，拾取附带了所述粘接剂层的所述芯片的工序。
7.一种半导体装置，其是使用权利要求1至6中任意一项所述的半导体加工用带而成的。
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