KR20170131504A - 반도체 가공용 테이프 - Google Patents

Abstract

[과제] 열 수축률이 낮고, 테이프의 방향에 상관없이 균일하게 수축함으로써 주름이 생기지 않으며, 또한 칩 위치가 어긋나지 않고, 커프 폭이 균일하게 확장하는 반도체 가공용 테이프를 제공한다. [해결 수단] 100℃에서 10초간 가열했을 때의 테이프의 길이 방향 및 폭 방향 쌍방의 열 수축률이 0% 이상 20% 이상이고, 또한 길이 방향 및 폭 방향의 열 수축률 중 어느 하나가 0.1% 이상일 때, 길이 방향의 열 수축률/폭 방향의 열 수축률 = 0.01 이상 100 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 테이프. (수축률 = (가열 전 치수 - 가열 후 치수)/가열 전 치수 ×100(%)로 한다)

Description

반도체 가공용 테이프{SEMICONDUCTOR PROCESSING TAPE}

본 발명은, 픽업성이 뛰어난 반도체 가공용 테이프에 관한 것이다.

종래, 집적회로(IC：Integrated Circuit) 등 반도체 장치의 제조 공정에서는, 회로 패턴 형성 후의 웨이퍼를 박막화 하기 위해서 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정, 웨이퍼의 이면에 점착성 및 신축성이 있는 반도체 가공용 테이프를 붙인 후, 웨이퍼를 칩 단위로 분단하는 다이싱 공정, 반도체 가공용 테이프를 확장(익스팬드)하는 확장 공정, 분단된 칩을 픽업하는 픽업 공정, 또한, 픽업된 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판 등에 접착하는(혹은, 스택 패키지에서는, 칩끼리 적층, 접착하는) 다이 본딩(마운트) 공정이 실시된다.

상기 백그라인드 공정에서는, 웨이퍼의 회로 패턴 형성면(웨이퍼 표면)을 오염으로부터 보호하기 위해서, 표면 보호 테이프가 사용된다. 웨이퍼의 이면 연삭 종료 후, 이 표면 보호 테이프를 웨이퍼 표면으로부터 박리할 때는, 이하에 설명하는 반도체 가공용 테이프(다이싱 다이 본딩 테이프)를 웨이퍼 이면에 첩합(貼合)한 후, 흡착 테이블에 반도체 가공용 테이프 측을 고정하고, 표면 보호 테이프에, 웨이퍼에 대한 접착력을 저하시키는 처리를 한 후, 표면 보호 테이프를 박리한다. 표면 보호 테이프가 박리된 웨이퍼는, 그 후, 이면에 반도체 가공용 테이프가 첩합된 상태에서, 흡착 테이블에서 거두어 들여져 다음 다이싱 공정에 제공된다. 또한, 상기한 접착력을 저하시키는 처리란, 표면 보호 테이프가 자외선 등의 에너지선 경화성 성분으로 이루어지는 경우에는 에너지선 조사 처리이고, 표면 보호 테이프가 열경화성 성분으로 이루어지는 경우에는 가열 처리이다.

상기 백그라인드 공정 후의 다이싱 공정~마운트 공정에서는, 기재 필름 상에 점착제층과 접착제층이 이 순서대로 적층된 반도체 가공용 테이프가 사용된다. 일반적으로, 이러한 반도체 가공용 테이프를 이용하는 경우는, 우선, 웨이퍼의 이면에 반도체 가공용 테이프의 접착제층을 첩합하여 웨이퍼를 고정하고, 다이싱 블레이드를 이용해서 웨이퍼 및 접착제층을 칩 단위로 다이싱한다. 그 후, 테이프를 웨이퍼의 지름 방향으로 확장함에 따라서, 칩 사이의 간격을 넓히는 확장 공정이 실시된다. 이 확장 공정은, 그 후의 픽업 공정에서 CCD 카메라 등에 의한 칩의 인식성을 높이는 동시에, 칩을 픽업할 때에 인접하는 칩끼리 접촉함으로써 발생하는 칩의 파손을 방지하기 위해서 실시된다. 그 후, 칩은 픽업 공정에서 접착제층과 함께 점착제층으로부터 박리하여 픽업되고, 마운트 공정에서 리드 프레임이나 패키지 기판 등에 직접 접착된다. 이와 같이, 반도체 가공용 테이프를 이용함에 따라, 접착제층이 부착된 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판 등에 직접 접착하는 것이 가능해지므로, 접착제의 도포 공정이나 별도 각 칩에 다이 본딩 필름을 접착하는 공정을 생략할 수 있다.

그러나, 상기 다이싱 공정에서는, 상술한 바와 같이, 다이싱 블레이드를 이용하여 웨이퍼와 접착제층을 함께 다이싱 하기 때문에, 웨이퍼의 절삭 찌꺼기뿐만 아니라, 접착제층의 절삭 찌꺼기도 발생해 버린다. 그리고, 접착제층의 절삭 찌꺼기가 웨이퍼의 다이싱 홈에 쌓인 경우, 칩끼리 서로 붙어서 픽업 불량 등이 발생하여, 반도체 장치의 제조 수율이 저하해버리는 문제가 있었다.

이러한 문제를 해결하기 위해서, 다이싱 공정에서는 블레이드로 웨이퍼만 다이싱 하고, 확장 공정에서 반도체 가공용 테이프를 확장함으로써, 접착제층을 개별 칩으로 분단하는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1). 이러한, 확장시의 장력을 이용한 접착제층의 분단 방법에 의하면, 접착제의 절삭 찌꺼기가 발생하지 않고, 픽업 공정에 악영향을 미치지도 않는다.

또한, 근년, 웨이퍼의 절단 방법으로서, 레이저 가공 장치를 이용하여 비접촉으로 웨이퍼를 절단할 수 있는, 이른바 스텔스 다이싱법이 제안되고 있다. 예를 들면, 특허문헌 2에는, 스텔스 다이싱법으로서, 접착제층(다이 본드 수지층)을 개재시켜서 시트가 붙어있던 반도체 기판의 내부에 초점광을 맞추어 레이저광을 조사함으로써, 반도체 기판의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역을 절단 예정부로 하는 공정과, 시트를 확장시킴으로써, 절단 예정부를 따라 반도체 기판 및 접착제층을 절단하는 공정을 구비하는 반도체 기판의 절단 방법이 개시되어 있다.

또한, 레이저 가공 장치를 이용한 다른 웨이퍼의 절단 방법으로써, 예를 들면, 특허문헌 3에는, 웨이퍼의 이면에 다이 본딩용 접착제층(접착 필름)을 장착하는 공정과, 상기 접착제층이 첩합된 웨이퍼의 접착제층 측에 신장 가능한 보호 점착 테이프를 첩합하는 공정과, 보호 점착 테이프를 첩합한 웨이퍼의 표면으로부터, 스트리트를 따라서 레이저 광선을 조사하여 개개의 칩으로 분할하는 공정과, 보호 점착 테이프를 확장해서 접착제층에 인장력을 부여하여 접착제층을 칩 별로 파단하는 공정과, 파단된 접착제층이 첩합되어 있는 칩을 보호 점착 테이프로부터 이탈하는 공정을 포함하는 웨이퍼의 분할 방법이 제안되어 있다.

이들 특허문헌 2 및 특허문헌 3에 기재된 웨이퍼 절단 방법에 의하면, 레이저광의 조사 및 테이프의 확장에 의해 비접촉으로 웨이퍼를 절단하므로, 웨이퍼에 대한 물리적 부하가 작고, 현재 주류인 블레이드 다이싱을 실시하는 경우와 같은 웨이퍼 절삭 찌꺼기(치핑)를 발생시키지 않으면서 웨이퍼를 절단할 수 있다. 또한, 확장에 의해 접착제층을 분단하므로, 접착제층의 절삭 찌꺼기를 발생시키지도 않는다. 이 때문에, 블레이드 다이싱을 대신할 수 있는 뛰어난 기술로 주목받고 있다.

또한, 특허문헌 4에는, 확장 후의 헐거워짐에 따라서 개개의 칩의 간격을 안정적으로 유지할 수 없게 되는 것을 방지하기 위해, 분단 공정 후에 테이프를 가열하여 수축 긴장시키고, 칩 간의 간격(이하, 「커프 폭」)을 유지하는 방법이 제안되어 있다.

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 특개2007-5530호 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 특개2003-338467호 특허문헌 3: 일본 공개특허공보 특개2004-273895호 특허문헌 4: 일본 공개특허공보 특개2011-216508호

한편, 열 수축 시에 열 수축 응력이 크면 확장에 의해 넓어진 커프 폭 이상으로 확장하려고 하기 때문에, 열 수축 응력이 큰 방향만의 커프 폭이 필요 이상으로 확장되고, 그만큼 열 수축 응력이 작은 방향의 커프 폭은 좁아지는 경우가 있다. 커프 폭이 좁아지면서 핍업에 불량이 생긴다. 구체적으로는, 길이 방향의 열 수축률/폭 방향의 열 수축률의 수치가 큰 경우, 길이 방향과 폭 방향의 차이가 너무 커지기 때문에, 커프 폭이 균일하지 않고 칩 위치에 차이가 생기며, 픽업 시에 인식 불량이 발생하고, 게다가 커프 폭이 너무 좁아지면 접착 필름이 재유착하여, 픽업 불량이 생긴다. 또한, 길이 방향의 열 수축률/폭 방향의 열 수축률이 음의 값인 경우에도 한쪽이 늘어나고 한쪽이 줄어들기 때문에 커프 폭이 균일하지 않다.

본원발명은, 테이프 수축 공정에서 열 수축률이 낮고, 테이프 방향에 상관없이 균일하게 수축하므로 주름이 생기지 않으며, 또 칩 위치가 어긋나지 않고, 커프 폭이 균일하게 확장하는 반도체 가공용 테이프를 제공한다.

즉, 본원 발명은 100℃에서 10초간 가열했을 때의 테이프의 열 수축률이 0% 이상 20% 이하이고, 길이 방향의 열 수축률/폭 방향의 열 수축률 = 0.01 이상 100 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 테이프에 관한 것이다.

(또한, 수축률 = (가열 전 치수 - 가열 후 치수)/가열 전 치수 ×100(%)로 한다.)

또한, 상기 반도체 가공용 테이프는,

(a) 회로 패턴이 형성된 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 첩합하는 공정과,

(b) 상기 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정과,

(c) 상기 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 웨이퍼 이면에 상기 반도체 가공용 테이프의 접착제층을 첩합하는 공정과,

(d) 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,

(e) 상기 웨이퍼의 분할 예정 부분에 레이저광을 조사하여, 상기 웨이퍼 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하는 공정과,

(f) 상기 반도체 가공용 테이프를 확장함으로써, 상기 웨이퍼와 상기 반도체 가공용 테이프의 상기 접착제층을 분단 라인을 따라 분단하여, 상기 접착제층이 부착된 복수의 칩을 얻는 확장 공정과,

(g) 확장 후의 상기 반도체 가공용 테이프에서, 상기 칩과 중첩되지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써, 상기 확장 공정에서 발생한 헐거워짐을 제거하여, 상기 칩의 간격을 유지하는 공정과,

(h) 상기 접착제층이 부착된 상기 칩을, 상기 반도체 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 가공용 테이프에 관한 것이다.

또한, 상기 반도체 가공용 테이프는,

(a) 회로 패턴이 형성된 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 첩합하는 공정과,

(b) 상기 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정과,

(c) 상기 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 웨이퍼 이면에 상기 반도체 가공용 테이프의 접착제층을 첩합하는 공정과,

(d) 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,

(e) 상기 웨이퍼 표면의 분단 라인을 따라 레이저광을 조사하여, 상기 웨이퍼를 칩으로 분단하는 공정과,

(f) 상기 반도체 가공용 테이프를 확장함으로써, 상기 접착제층을 상기 칩 별로 분단하여, 상기 접착제층이 부착된 복수의 칩을 얻는 확장 공정과,

(g) 확장 후의 상기 반도체 가공용 테이프에서, 상기 칩과 중첩되지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써, 상기 확장 공정에서 발생한 헐거워짐을 제거하여, 상기 칩의 간격을 유지하는 공정과,

(h) 상기 접착제층이 부착된 상기 칩을 상기 반도체 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 가공용 테이프에 관한 것이다.

또한, 상기 반도체 가공용 테이프는,

(a) 회로 패턴이 형성된 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 첩합하는 공정과,

(b) 상기 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정과,

(c) 상기 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 웨이퍼 이면에 상기 반도체 가공용 테이프의 접착제층을 첩합하는 공정과,

(d) 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,

(e) 다이싱 블레이드를 이용해서 상기 웨이퍼를 분단 라인을 따라 절삭하여, 칩으로 분단하는 공정과,

(f) 상기 반도체 가공용 테이프를 확장함으로써, 상기 접착제층을 상기 칩 별로 분단하여, 상기 접착제층이 부착된 복수의 칩을 얻는 확장 공정과,

(g) 확장 후의 상기 반도체 가공용 테이프에서, 상기 칩과 중첩되지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써, 상기 확장 공정에서 발생한 헐거워짐을 제거하여, 상기 칩의 간격을 유지하는 공정과,

(h) 상기 접착제층이 부착된 상기 칩을 상기 반도체 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 가공용 테이프에 관한 것이다.

또한, 상기 반도체 가공용 테이프는,

(a) 회로 패턴이 형성된 웨이퍼 이면에 다이싱 테이프를 첩합하고, 다이싱 블레이드를 이용하여 분단 예정 라인을 따라서 상기 웨이퍼 두께 미만의 깊이까지 절삭하는 공정과,

(b) 상기 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 첩합하는 공정과,

(c) 상기 다이싱 테이프를 벗기고, 상기 웨이퍼 이면을 연삭하여 칩으로 분단하는 백그라인드 공정과,

(d) 상기 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 칩으로 분단된 상기 웨이퍼 이면에 상기 반도체 가공용 테이프의 접착제층을 첩합하는 공정과,

(e) 상기 칩으로 분단된 상기 웨이퍼 표면으로부터 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,

(f) 상기 반도체 가공용 테이프를 확장함으로써, 상기 접착제층을 상기 칩 별로 분단하여, 상기 접착제층이 부착된 복수의 칩을 얻는 확장 공정과,

(g) 확장 후의 상기 반도체 가공용 테이프에서, 상기 칩과 중첩되지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써 상기 확장 공정에서 발생한 헐거워짐을 제거하여, 상기 칩의 간격을 유지하는 공정과,

(h) 접착제층이 부착된 상기 칩을 상기 반도체 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 가공용 테이프에 관한 것이다.

또한, 상기 반도체 가공용 테이프는,

(a) 회로 패턴이 형성된 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 첩합하는 공정과,

(b) 상기 웨이퍼의 분할 예정 부분에 레이저광을 조사하여, 상기 웨이퍼 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하는 공정과,

(c) 상기 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정과,

(d) 상기 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 웨이퍼 이면에 상기 반도체 가공용 테이프의 접착제층을 첩합하는 공정과,

(e) 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,

(f) 상기 반도체 가공용 테이프를 확장함으로써, 상기 웨이퍼와 상기 반도체 가공용 테이프의 상기 접착제층을 분단 라인을 따라 분단하여, 상기 접착제층이 부착된 복수의 칩을 얻는 확장 공정과,

(g) 확장 후의 상기 반도체 가공용 테이프에서, 상기 칩과 중첩되지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써 상기 확장 공정에서 발생한 헐거워짐을 제거하여, 상기 칩의 간격을 유지하는 공정과,

(h) 상기 접착제층이 부착된 상기 칩을 상기 반도체 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 가공용 테이프에 관한 것이다.

또한, 본원 발명은, 길이 방향 및 폭 방향의 열 수축률 중 어느 하나가 0.1% 이상인 것을 특징으로 하는 상기 반도체 가공용 테이프에 관한 것이다.

또한, 본원 발명은, 상기 반도체 가공용 테이프를 이용해서 이루어지는 반도체 장치에 관한 것이다.

본원 발명이 제공하는 반도체 가공용 테이프를 이용함에 따라, 커프 폭이 변하지 않고 균일하게 확장하므로, 칩 위치가 어긋나지 않으며, 픽업 문제가 발생하지 않는 신뢰성 높은 반도체 장치를 얻을 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시형태와 관련되는 반도체 가공용 테이프의 구조를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 웨이퍼에 표면 보호 테이프가 첩합된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시형태와 관련되는 반도체 가공용 테이프에 웨이퍼와 링 프레임을 첩합하는 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 웨이퍼의 표면으로부터 표면 보호 테이프를 박리하는 공정을 설명하는 단면도이다.
도 5는 레이저 가공에 의해 웨이퍼에 개질 영역이 형성된 모습을 나타내는 단면도이다.
도 6의 (a)는 본 발명의 실시형태와 관련되는 반도체 가공용 테이프가 확장 장치에 탑재된 상태를 나타내는 단면도이다. (b)는 반도체 가공용 테이프의 확장에 의해, 웨이퍼를 칩으로 분단하는 과정을 나타내는 단면도이다. (c)는 확장 후의 반도체 가공용 테이프, 접착제층 및 칩을 나타내는 단면도이다.
도 7은 열 수축 공정을 설명하기 위한 단면도이다.

＜반도체 가공용 테이프＞

도 1은, 본 발명의 실시형태와 관련되는 반도체 가공용 테이프(10)를 나타내는 단면도이다. 본 발명의 반도체 가공용 테이프(10)는, 확장에 의해 웨이퍼를 칩으로 분단할 때에, 접착제층(13)이 칩을 따라 분단되는 것이다. 이 반도체 가공용 테이프(10)는, 기재 필름(11)과 기재 필름(11) 상에 마련된 점착제층(12)으로 이루어지는 점착 테이프(15)와, 점착제층(12) 상에 마련된 접착제층(13)을 가지고, 접착제층(13) 상에 웨이퍼의 이면이 첩합되는 것이다. 또한, 각각의 층은, 사용 공정이나 장치에 맞추어 미리 소정의 형상으로 절단(프리컷)되어 있어도 좋다. 또한, 본 발명의 반도체 가공용 테이프(10)는, 웨이퍼 1매분 마다 절단된 형태여도 좋고, 웨이퍼 1매분 마다 절단된 것이 복수 형성된 길이가 긴 시트를 롤 모양으로 감아 꺼낸 형태여도 좋다.

본원발명의 반도체 가공용 테이프는, 100℃에서 10초간 가열했을 때의 테이프의 열 수축률이 0% 이상 20% 이하이고, 또 길이 방향의 열 수축률/폭 방향의 열 수축률 = 0.01 이상 100 이하를 만족시킬 필요가 있다(수축률 = (가열 전 치수 - 가열 후 치수)/가열 전 치수 ×100(%)로 한다).

구체적으로는, JIS 7162에 정해진 방법으로 테이프의 시험 조각에 500 ㎜/min으로 20% 늘인 후, 60초간 유지한다. 그 후, 시험기에서 시험 조각을 제거하고, 100℃ 온도로 10초간 가열하여 전후의 열 수축률을 측정한다.

100℃에서 10초간 가열했을 때의 테이프의 열 수축률이 0% 이상 20% 이하이고, 또한

길이 방향의 열 수축률/폭 방향의 열 수축률 = 0.01 이상 100 이하의 조건으로 하는 것은, 열 수축이 작고 커프 폭이 테이프 방향에 관계없이 균일하게 수축하는 것을 의미한다. 따라서, 주름이 잡히지 않고, 칩 위치에 차이가 생기지 않으며, 양호하게 픽업할 수 있다는 현저한 효과를 나타낸다.

길이 방향의 열 수축률/폭 방향의 열 수축률의 수치가 100을 넘는 경우, 또는 0.01을 밑도는 경우, 길이 방향과 폭 방향의 차이가 너무 커지면 커프 폭이 균일하지 않아서 칩 위치에 차이가 생기고, 픽업 시에 인식 불량이 발생하며, 커프 폭이 너무 좁아지면 접착 필름이 재밀착하여 픽업 불량이 발생한다. 또, 길이 방향의 열 수축률/폭 방향의 열 수축률이 음의 값인 경우에도 한쪽이 늘어나고 한쪽이 줄어들기 때문에 커프 폭이 균일하지 않다.

열 수축률이 20%를 넘는 경우에는 수축률이 너무 커지기 때문에 확장으로 넓어진 커프 폭 이상으로 커프 폭을 넓히려는 결과, 테이프에 주름이 생기기 쉽고, 칩 위치에 차이가 발생한다.

또한, 길이 방향 및 폭 방향의 열 수축률 양쪽이 0% 이상 0.1% 미만인 경우에도 문제는 없지만, 길이 방향 및 폭 방향의 열 수축률 중 어느 하나가 0.1% 이상이면 수축되어 바람직하다.

이 범위 내에 반도체 테이프의 물성을 조절하는 방법으로는 여러 가지가 존재하지만, 확장 처리를 하기 전에 에너지선 경화 처리를 하는 방법, 또는 공지의 2축 압출법, 히트 세트 처리를 하는 등으로 바람직하게 조정할 수 있다.

이하, 반도체 가공용 테이프 각 층의 구성에 대해서 설명한다.

＜기재 필름＞

기재 필름(11)은, 균일하고 등방적인 확장성을 가지면 확장 공정에서 웨이퍼가 전 방향으로 치우치지 않고 절단할 수 있는 점에서 바람직하고, 그 재질에 대해서는 특별히 한정되지 않는다. 일반적으로, 가교 수지는 비가교 수지와 비교하여 인장에 대한 복원력이 크고, 확장 공정 후에 늘어난 상태에 열을 가했을 때의 수축 응력이 크다. 따라서, 확장 공정 후에 테이프에 생긴 헐거워짐을 가열 수축에 의해 제거하고, 테이프를 긴장시켜서 개개의 칩 간격을 안정적으로 유지하는 열 수축 공정인 점에서 뛰어나다. 가교 수지 중에서도 열가소성 가교 수지가 보다 바람직하게 사용된다. 한편, 비가교 수지는 가교 수지와 비교하여 인장에 대한 복원력이 작다. 따라서, -15℃~0℃와 같은 저온 영역에서의 확장 공정 후, 한 번 이완되어 상온으로 되돌려지고, 픽업 공정, 마운트 공정으로 향할 때 테이프가 잘 수축하지 않기 때문에, 칩에 부착한 접착제층끼리 접촉하는 것을 방지할 수 있는 점에서 뛰어나다. 비가교 수지 중에서도 올레핀계의 비가교 수지가 보다 바람직하게 사용된다.

이러한 열가소성 가교 수지로서는, 예를 들면, 에틸렌-(메타)아크릴산 2원 공중합체 또는 에틸렌-(메타)아크릴산-(메타)아크릴산 알킬에스테르를 주요 중합체 구성 성분으로 한 3원 공중합체를 금속 이온으로 가교한 이오노머 수지가 예시된다. 이것들은, 균일 확장성의 면에서 확장 공정에 적합하고, 또 가교에 의해 가열시에 강하게 복원력이 작용하는 점에서 특히 바람직하다. 상기 이오노머 수지에 포함되는 금속 이온은 특별히 한정되지 않고, 아연, 나트륨 등을 들 수 있지만, 아연 이온은 용출성이 낮고 저오염성의 면에서 바람직하다. 상기 3원 공중합체의 (메타)아크릴산 알킬에스테르에서, 탄소수가 1~4인 알킬기는 탄성률이 높고 웨이퍼에 대해서 강한 힘을 전파할 수 있는 점이 바람직하다. 이러한 (메타)아크릴산 알킬에스테르로서는, 메타크릴산메틸, 메타크릴산에틸, 메타크릴산프로필, 메타크릴산부틸, 아크릴산메틸, 아크릴산에틸, 아크릴산프로필, 아크릴산부틸 등을 들 수 있다.

또한, 상술한 열가소성 가교 수지로서는, 상기 이오노머 수지 외에, 비중 0.910 이상~0.930 미만의 저밀도 폴리에틸렌, 혹은 비중 0.910 미만의 초저밀도 폴리에틸렌, 그 밖에 에틸렌-초산비닐 공중합체로부터 선택되는 수지에 대해서, 전자선 등의 에너지선을 조사하여 가교시킨 것도 바람직하다. 이러한 열가소성 가교 수지는, 가교 부위와 비가교 부위가 수지 중에 공존하는 점에서, 일정한 균일 확장성을 갖는다. 또한, 가열시에 강하게 복원력이 작용하는 점에서, 확장 공정에서 발생한 테이프의 헐거워짐을 제거하는데도 적합하고, 분자쇄의 구성중에 염소를 거의 포함하지 않기 때문에, 사용 후에 불필요한 테이프를 소각처분 해도 다이옥신이나 그 유연체인 염소화 방향족 탄화수소를 발생시키지 않기 때문에 환경 부하도 적다. 상기 폴리에틸렌이나 에틸렌-초산비닐 공중합체에 대해서 조사하는 에너지선의 양을 적절히 조제함으로써, 충분한 균일 확장성을 갖는 수지를 얻을 수 있다.

또한, 비가교 수지로는, 예를 들면, 폴리프로필렌과 스티렌-부타디엔 공중합체의 혼합 수지 조성물이 예시된다.

폴리프로필렌으로서는, 예를 들면 프로필렌의 단독 중합체, 또는 블록형 혹은 랜덤형 프로필렌-에틸렌 공중합체를 이용할 수 있다. 랜덤형 프로필렌-에틸렌 공중합체는 강성이 작아서 바람직하다. 프로필렌-에틸렌 공중합체 중의 에틸렌 구성 단위의 함유율이 0.1중량% 이상이면, 테이프의 강성과 혼합 수지 조성물 중의 수지끼리 상용성이 높은 점에서 뛰어나다. 테이프의 강성이 적당하면 웨이퍼의 절단성이 향상하고, 수지끼리 상용성이 높은 경우는 밀어내어 토출량이 안정화되기 쉽다. 보다 바람직하게는 1중량% 이상이다. 또한, 프로필렌-에틸렌 공중합체 중의 에틸렌 구성 단위의 함유율이 7중량% 이하이면, 폴리프로필렌이 안정되어 중합하기 쉬워지는 점에서 뛰어나다. 보다 바람직하게는 5중량% 이하이다.

스티렌-부타디엔 공중합체로는 수소를 첨가한 것을 이용해도 좋다. 스티렌-부타디엔 공중합체에 수소가 첨가되면, 프로필렌과의 상용성이 좋고 부타디엔 중의 이중결합에 기인하는 산화 열화에 의한, 취화(脆化), 변색을 방지할 수 있다. 또한, 스티렌-부타디엔 공중합체 중의 스티렌 구성 단위의 함유율이 5중량% 이상이면, 스티렌-부타디엔 공중합체가 안정되어 중합하기 쉬운 점에서 바람직하다. 또 40중량% 이하에서는, 유연하고 확장성의 점에서 뛰어나다. 보다 바람직하게는 25중량% 이하이고, 더욱 바람직하게는 15중량% 이하이다. 스티렌-부타디엔 공중합체로서는, 블록형 공중합체 또는 랜덤형 공중합체 모두 이용할 수 있다. 랜덤형 공중합체는, 스티렌상이 균일하게 분산하여, 강성이 너무 커지는 것을 억제할 수 있고, 확장성이 향상하는 점에서 바람직하다.

혼합 수지 조성물 중의 폴리프로필렌 함유율이 30중량% 이상이면, 기재 필름의 두께 불균일을 억제할 수 있는 점에서 뛰어나다. 두께가 균일하면 확장성이 등방화되기 쉽고, 또 기재 필름의 응력 완화성이 너무 커져서 칩 간 거리가 경시적으로 작아지고, 접착제층끼리 접촉하여 재밀착하는 것을 방지하기 쉽다. 보다 바람직하게는 50중량% 이상이다. 또한, 폴리프로필렌의 함유율이 90중량% 이하이면, 기재 필름의 강성을 적당히 조정하기 쉽다. 기재 필름의 강성이 너무 커지면, 기재 필름을 확장하기 위해서 필요한 힘이 커지기 때문에 장치의 부하가 커지고, 웨이퍼나 접착제층(13)의 분단에 충분한 확장을 할 수 없게 되는 경우가 있으므로, 적당히 조정하는 것이 중요하다. 합수지 조성물 중의 스티렌-부타디엔 공중합체 함유율의 하한은 10중량% 이상이 바람직하고, 장치에 적합한 기재 필름의 강성으로 조정하기 쉽다. 상한은 70중량% 이하이면 두께 불균일을 억제할 수 있는 점에서 뛰어나고, 50중량% 이하가 보다 바람직하다.

또한, 도 1에 나타내는 예에서는, 기재 필름(11)은 단층이지만, 이에 한정되지 않고, 2종 이상의 수지를 적층시킨 복수층의 구조이어도 좋으며, 1종류의 수지를 2층 이상으로 적층시켜도 좋다. 2종 이상의 수지는 가교성이든지 비가교성이든지 통일되어 있으면 각각의 특성이 보다 증강되어 발현하는 관점에서 바람직하고, 가교성이든지 비가교성을 조합해서 적층한 경우에는 각각의 결점이 보완되는 점에서 바람직하다. 기재 필름(11)의 두께는 특별히 규정하지 않지만, 반도체 가공용 테이프(10)의 확장 공정에서 늘어나기 쉽고, 또한 파단하지 않을 만큼의 충분한 강도를 가지면 좋다. 예를 들면, 50~300㎛ 정도가 좋고, 70㎛~200㎛가 보다 바람직하다.

복수층의 기재 필름(11)의 제조 방법으로는, 종래 공지의 압출법, 라미네이트법 등을 이용할 수 있다. 라미네이트법을 이용하는 경우는, 층 사이에 접착제를 개재시켜도 좋다. 접착제로서는 종래 공지의 접착제를 이용할 수 있다.

＜점착제층＞

점착제층(12)은 기재 필름(11)에 점착제 조성물을 도공하여 형성할 수 있다.

본 발명의 반도체 가공용 테이프(10)를 구성하는 점착제층(12)은, 다이싱 할때에 접착제층(13)과의 박리를 발생시키지 않고, 칩이 튀는 등의 불량이 발생하지 않는 정도의 유지성이나, 픽업시에 접착제층(13)과의 박리가 용이한 특성을 갖는 것이면 좋다.

본 발명의 반도체 가공용 테이프(10)에 있어서, 점착제층(12)을 구성하는 점착제 조성물의 구성은 특별히 한정되지 않지만, 다이싱 후의 픽업성을 향상시키기 위해서, 에너지선 경화성의 것이 바람직하고, 경화 후에 접착제층(13)과의 박리가 용이해지는 재료인 것이 바람직하다. 하나의 형태로서는, 점착제 조성물 중에, 베이스 수지로서 탄소수 6~12의 알킬쇄를 가지는 (메타)아크릴레이트를 60몰% 이상 포함하고, 또 요오드가 5~30의 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중결합을 갖는 중합체(A)를 가지는 것이 예시된다. 또한, 여기서 에너지선이란, 자외선과 같은 광선, 또는 전자선 등의 전리성 방사선을 말한다.

이러한 중합체(A)에 있어서, 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중결합의 도입량이 요오드가로 5 이상이면, 에너지선 조사 후의 점착력 저감 효과가 높아지는 점에서 뛰어나다. 보다 바람직하게는 10 이상이다. 또한, 요오드가로 30 이하이면 에너지선 조사 후 픽업될 때까지의 칩의 유지력이 높고, 픽업 공정 직전의 확장시에 칩의 간격을 넓히는 것이 용이한 점에서 뛰어나다. 픽업 공정 전에 칩 간격을 충분히 넓힐 수 있으면, 픽업시에 각 칩의 화상 인식이 용이하거나 픽업하기 쉬워지므로 바람직하다. 또한, 탄소-탄소 이중결합의 도입량이 요오드가로 5 이상 30 이하이면 중합체(A) 그 자체에 안정성이 있어서, 제조가 용이하기 때문에 바람직하다.

또한, 중합체(A)는 유리 전이 온도가 -70℃ 이상이면 에너지선 조사에 수반하는 열에 대한 내열성의 점에서 뛰어나고, 보다 바람직하게는 -66℃ 이상이다. 또한, 15℃ 이하이면, 표면 상태가 성긴 웨이퍼에서의 다이싱 후 칩의 비산 방지 효과의 점에서 뛰어나며, 보다 바람직하게는 0℃ 이하, 더욱 바람직하게는 -28℃ 이하이다.

상기 중합체(A)는 어떻게 제조된 것이어도 좋지만, 예를 들면, 아크릴계 공중합체와 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중결합을 가지는 화합물을 혼합해서 얻어지는 것이나, 관능기를 가지는 아크릴계 공중합체 또는 관능기를 가지는 메타크릴계 공중합체(A1)와, 그 관능기와 반응할 수 있는 관능기를 가지고, 또한 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중결합을 가지는 화합물(A2)을 반응시켜서 얻어지는 것이 이용된다.

이 중, 상기 관능기를 가지는 메타크릴계 공중합체(A1)로서는, 아크릴산 알킬에스테르 또는 메타크릴산 알킬에스테르 등의 탄소-탄소 이중결합을 가지는 단량체(A1-1)와, 탄소-탄소 이중결합을 가지고, 또한 관능기를 가지는 단량체(A1-2)를 공중합 시켜서 얻어지는 것이 예시된다. 단량체(A1-1)로서는, 탄소수가 6~12의 알킬쇄를 가지는 헥실 아크릴레이트, n-옥틸 아크릴레이트, 이소옥틸 아크릴레이트, 2-에틸헥실 아크릴레이트, 도데실 아크릴레이트, 데실 아크릴레이트, 또는 알킬쇄의 탄소수가 5 이하의 단량체인, 펜틸 아크릴레이트, n-부틸 아크릴레이트, 이소부틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, 메틸 아크릴레이트, 또는 이들과 같은 메타크릴레이트 등을 열거할 수 있다.

또한, 단량체(A1-1)에서 알킬쇄의 탄소수가 6 이상인 성분은, 점착제층과 접착제층의 박리력을 작게 할 수 있으므로, 픽업성의 점에서 뛰어나다. 또한, 12 이하의 성분은, 실온에서의 탄성률이 낮고, 점착제층과 접착제층의 계면 접착력의 점에서 뛰어나다. 점착제층과 접착제층의 계면의 접착력이 높으면, 테이프를 확장하여 웨이퍼를 절단할 때에, 점착제층과 접착제층의 계면 비틀림을 억제할 수 있고, 절단성이 향상하기 때문에 바람직하다.

또한, 단량체(A1-1)로서 알킬쇄의 탄소수가 큰 단량체를 사용할수록 유리 전이 온도는 낮아지므로, 적당히 선택함으로써 원하는 유리 전이 온도를 가지는 점착제 조성물을 조제할 수 있다. 또한, 유리 전이 온도 외에, 상용성 등의 각종 성능을 높일 목적으로 초산비닐, 스티렌, 아크릴로니트릴 등의 탄소-탄소 이중결합을 가지는 저분자 화합물을 배합하는 것도 가능하다. 그 경우, 이들 저분자 화합물은 단량체(A1-1) 총 질량의 5질량% 이하의 범위 내에서 배합하는 것으로 한다.

한편, 단량체(A1-2)가 가지는 관능기로서는, 카르복실기, 수산기, 아미노기, 환상 산무수기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 단량체(A1-2)의 구체적인 예로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 계피산, 이타콘산, 푸마르산, 프탈산, 2-히드록시알킬 아크릴레이트류, 2-히드록시알킬 메타크릴레이트류, 글리콜 모노아크릴레이트류, 글리콜 모노메타크릴레이트류, N-메틸올 아크릴아미드, N-메틸올 메타크릴아미드, 아릴알코올, N-알킬아미노에틸 아크릴레이트류, N-알킬아미노에틸 메타크릴레이트류, 아크릴아미드류, 메타크릴아미드류, 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 푸마르산, 무수 프탈산, 글리시딜 아크릴레이트, 글리시딜 메타크릴레이트, 아릴글리시딜 에테르 등을 열거할 수 있다.

또한, 화합물(A2)에서 이용되는 관능기로서는, 화합물(A1)이 가지는 관능기가 카르복실기 또는 환상 산무수기인 경우에는, 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 수산기인 경우에는, 환상 산무수기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있으며, 아미노기인 경우에는, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 에폭시기인 경우에는, 카르복실기, 환상 산무수기, 아미노기 등을 들 수 있으며, 구체적인 예로서는, 단량체(A1-2)의 구체적인 예로 열거한 것과 같은 것을 열거할 수 있다. 또한, 화합물(A2)로서 폴리이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기의 일부를 수산기 또는 카르복실기 및 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중결합을 가지는 단량체로 우레탄화한 것을 이용할 수도 있다.

또한, 화합물(A1)과 화합물(A2)의 반응에서, 미반응 관능기를 남김으로써 산가 또는 수산기가 등의 특성에 관해서 원하는 것을 제조할 수 있다. 중합체(A)의 수산기가가 5~100이 되도록 OH기를 남기면, 에너지선 조사 후의 점착력을 감소함으로써 픽업 실수의 위험성을 더욱 저감할 수 있다.

또한, 중합체(A)의 산가가 0.5~30이 되도록 COOH기를 남기면, 본 발명의 반도체 가공용 테이프를 확장시킨 후의 점착제층 복원 후의 개선 효과를 얻을 수 있어서 바람직하다. 중합체(A)의 수산기가가 5 이상이면, 에너지선 조사 후의 점착력 저감 효과의 점에서 우수하고, 100 이하이면, 에너지선 조사 후의 점착제 유동성의 점에서 우수하다. 또한, 산가가 0.5 이상이면, 테이프 복원성의 점에서 뛰어나고, 30 이하이면 점착제 유동성의 점에서 뛰어나다.

상기 중합체(A)의 합성에 있어서, 용액을 중합하여 반응시키는 경우의 유기용제로는, 케톤계, 에스테르계, 알코올계, 방향족계의 것을 사용할 수 있지만, 그 중에서도 톨루엔, 초산에틸, 이소프로필알코올, 벤젠메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의, 일반적으로 아크릴계 폴리머의 양질 용매로, 끓는점 60~120℃의 용제가 바람직하고, 중합 개시제로서는 α,α'-아조비스이소부틸니트릴 등의 아조비스계, 벤조일펠옥시드 등의 유기 과산화물계 등의 라디칼 발생제를 통상 이용한다. 이때, 필요에 따라서 촉매, 중합 금지제를 병용할 수 있고, 중합 온도 및 중합 시간을 조절함으로써, 원하는 분자량의 중합체(A)를 얻을 수 있다. 또한, 분자량을 조절하는 것에 관해서는, 메르캅탄, 사염화탄소계 등 공지의 용제나 연쇄 이동제를 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 이 반응은 용액 중합에 한정되는 것은 아니고, 괴상 중합, 현탁 중합 등 다른 방법이어도 좋다.

이상과 같이 하여 중합체(A)를 얻을 수 있지만, 본 발명에서 중합체(A)의 분자량을 30만 이상으로 하면, 응집력을 높일 수 있다는 점에서 우수하다. 응집력이 높으면 확장시에 접착제층과의 계면에서의 어긋남을 억제하는 효과가 있고, 접착제층에 인장력을 전파하기 쉬워지기 때문에 접착제층의 분할성이 향상하는 점에서 바람직하다. 중합체(A)의 분자량을 200만 이하로 하면, 합성시 및 도공시의 겔화 억제의 점에서 뛰어나다. 또한, 본 발명에서의 분자량이란, 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량이다.

또한, 본 발명의 반도체 가공용 테이프(10)에 있어서, 점착제층(12)을 구성하는 수지 조성물은, 중합체(A)에 더하여, 추가로 가교제로서 작용하는 화합물(B)을 가지고 있어도 좋다. 예를 들면, 폴리이소시아네이트류, 멜라민 포름알데히드 수지, 및 에폭시 수지를 들 수 있고, 이것들은 단독 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 이 화합물(B)은 중합체(A) 또는 기재 필름과 반응하여, 그 결과 할 수 있는 가교 구조에 의해, 점착제 조성물 도공 후에 중합체(A) 및 (B)를 주성분으로 한 점착제의 응집력을 향상시킬 수 있다.

폴리이소시아네이트류로는, 특별히 제한이 없고, 예를 들면, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 크실렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐에테르디이소시아네이트, 4,4'-〔2,2-비스(4-페녹시페닐)프로판〕디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸-헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 4,4'-디시클로헥실메탄 디이소시아네이트, 2,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 리진디이소시아네이트, 리진트리이소시아네이트 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 코로네이트L(일본폴리우레탄 주식회사제, 상품명) 등을 이용할 수 있다. 멜라민 포름알데히드 수지로서는, 구체적으로는, 니카랙 MX-45(산와 케미컬 주식회사제, 상품명), 메란(히타치 가세이 공업 주식회사제, 상품명) 등을 이용할 수 있다. 에폭시 수지로서는, TETRAD-X(미쓰비시 화학 주식회사제, 상품명) 등을 이용할 수 있다. 본 발명에서는, 특히 폴리이소시아네이트류를 이용하는 것이 바람직하다.

화합물(B)의 첨가량을 중합체(A) 100질량부에 대해서 0.1질량부 이상으로 한 점착제층은 응집력의 점에서 뛰어나다. 보다 바람직하게는 0.5질량부 이상이다. 또한, 15질량부 이하로 한 점착제층은 도공 시의 급격한 겔화 억제의 점에서 뛰어나서, 점착제의 배합이나 도포 등의 작업성이 양호해진다. 보다 바람직하게는 5질량부 이하이다.

또한, 본 발명에 있어서, 점착제층(12)에는 광중합 개시제(C)가 포함되어 있어도 좋다. 점착제층(12)에 함유되는 광중합 개시제(C)에 특별히 제한은 없고, 종래 알려져 있는 것을 이용할 수 있다. 예를 들면, 벤조페논, 4,4'-디메틸아미노벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논 등의 벤조페논류, 아세트페논, 디에톡시아세트페논 등의 아세트페논류, 2-에틸안트라퀴논, t-부틸안트라퀴논 등의 안트라퀴논류, 2-클로로티옥산톤, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질, 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체(로핀 2량체), 아크리딘계 화합물 등을 들 수 있고, 이것들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 이용할 수 있다. 광중합 개시제(C)의 첨가량으로서는, 중합체(A) 100질량부에 대해서 0.1질량부 이상 배합하는 것이 바람직하고, 0.5질량부 이상이 보다 바람직하다. 또한, 그 상한 10질량부 이하가 바람직하고, 5질량부 이하가 보다 바람직하다.

또한, 본 발명에 이용되는 에너지선 경화성 점착제에는 필요에 따라서 점착 부여제, 점착 조제제, 계면활성제 등, 혹은 그 외의 개질제 등을 배합할 수 있다. 또한, 무기 화합물 필러를 적당히 더해도 좋다.

점착제층(12)은 종래의 점착제층의 형성 방법을 이용해서 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 점착제 조성물을 기재 필름(11)의 소정의 면에 도포하여 형성하는 방법이나, 상기 점착제 조성물을 분리기(예를 들면, 이형제가 도포된 플라스틱제 필름 또는 시트 등) 상에 도포하여 점착제층(12)을 형성한 후, 상기 점착제층(12)을 기재의 소정의 면에 전사(轉寫)하는 방법에 의해, 기재 필름(11) 상에 점착제층(12)을 형성할 수 있다. 또한, 점착제층(12)은 단층의 형태를 가지고 있어도 좋고, 적층된 형태를 가지고 있어도 좋다.

점착제층(12)의 두께로서는, 특별히 제한은 없지만, 두께가 2㎛ 이상이면 점착력의 점에서 뛰어나고, 5㎛ 이상이 보다 바람직하다. 20㎛ 이하이면 픽업성이 뛰어나고, 15㎛ 이하가 보다 바람직하다.

＜접착제층＞

본 발명의 반도체 가공용 테이프(10)에서는, 접착제층(13)은 웨이퍼가 첩합 되어 다이싱 된 후, 칩을 픽업했을 때에 점착제층(12)으로부터 박리하여 칩에 부착하는 것이다. 그리고, 칩을 기판이나 리드 프레임에 고정할 때의 접착제로 사용된다.

접착제층(13)은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 웨이퍼에 일반적으로 사용되는 필름 모양 접착제이면 좋고, 예를 들면 열가소성 수지 및 열중합성 성분을 함유하여 이루어지는 것을 들 수 있다. 본 발명의 접착제층(13)에 이용하는 상기 열가소성 수지는, 열가소성을 가지는 수지, 또는 미경화 상태에서 열가소성을 가지며, 가열 후에 가교 구조를 형성하는 수지가 바람직하고, 특별히 제한은 없지만, 하나의 형태로서는, 중량 평균 분자량이 5000~200,000이고 유리 전이 온도가 0~150℃인 열가소성 수지를 들 수 있다. 또한, 다른 형태로서는, 중량 평균 분자량이 100,000~1,000,000이고 유리 전이 온도가 -50~20℃인 열가소성 수지를 들 수 있다.

전자의 열가소성 수지로서는, 예를 들면, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르이미드 수지, 페녹시 수지, 폴리술폰 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리페닐렌 설파이드 수지, 폴리에테르케톤 수지 등을 들 수 있고, 그 중에서도 폴리이미드 수지, 페녹시 수지를 사용하는 것이 바람직하며, 후자의 열가소성 수지로서는, 관능기를 포함하는 중합체를 사용하는 것이 바람직하다.

폴리이미드 수지는, 테트라카르본산 이무수물과 디아민을 공지의 방법으로 축합 반응시켜서 얻을 수 있다. 즉, 유기용매 중에서, 테트라카르본산 이무수물과 디아민을 등몰 또는 거의 등몰 이용하고(각 성분의 첨가 순서는 임의), 반응 온도 80℃ 이하, 바람직하게는 0~60℃에서 부가 반응시킨다. 반응이 진행함에 따라 반응액의 점도가 서서히 상승하고, 폴리이미드의 전구체인 폴리아미드산을 생성한다. 이 폴리아미드산은 50~80℃의 온도로 가열하여 해중합 시킴으로써, 그 분자량을 조정할 수도 있다. 폴리이미드 수지는 상기 반응물(폴리아미드산)을 탈수 폐환시켜서 얻을 수 있다. 탈수 폐환은 가열 처리하는 열폐환법과 탈수제를 사용하는 화학 폐환법으로 실시할 수 있다.

폴리이미드 수지의 원료로 이용되는 테트라카르본산 이무수물로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 1,2-(에틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,3-(트리메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,4-(테트라메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,5-(펜타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,6-(헥사메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,7-(헵타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,8-(옥타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,9-(노나메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,10-(데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,12-(도데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,16-(헥사데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,18-(옥타데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 피로멜리트산 이무수물, 3,3＇,4,4＇-비페닐테트라카르본산 이무수물, 2,2＇,3,3＇-비페닐테트라카르본산 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 1,1-비스(2,3-디카르복시페닐)에탄 이무수물, 1,1-비스(3,4-디카르복시페닐)에탄 이무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)메탄 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)술폰 이무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르본산 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르 이무수물, 벤젠-1,2,3,4-테트라카르본산 이무수물, 3,4,3＇,4＇-벤조페논테트라카르본산 이무수물, 2,3,2＇,3＇-벤조페논테트라카르본산 이무수물, 3,3,3＇,4＇-벤조페논테트라카르본산 이무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르본산 이무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르본산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르본산 이무수물, 1,2,4,5-나프탈렌테트라카르본산 이무수물, 2,6-디클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르본산 이무수물, 2,7-디클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르본산 이무수물, 2,3,6,7-테트라클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르본산 이무수물, 페난트렌-1,8,9,10-테트라카르본산 이무수물, 피라진-2,3,5,6-테트라카르본산 이무수물, 티오펜-2,3,5,6-테트라카르본산 이무수물, 2,3,3＇,4＇-비페닐테트라카르본산 이무수물, 3,4,3＇,4＇-비페닐테트라카르본산 이무수물, 2,3,2＇,3＇-비페닐테트라카르본산 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)디메틸실란 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메틸페닐실란 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)디페닐실란 이무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복시페닐디메틸실릴)벤젠 이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,3,3-테트라메틸디시클로헥산 이무수물, p-페닐렌비스(트리멜리테이트 무수물), 에틸렌테트라카르본산 이무수물, 1,2,3,4-부탄테트라카르본산 이무수물, 데카하이드로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르본산 이무수물, 4,8-디메틸-1,2,3,5,6,7-헥사하이드로나프탈렌-1,2,5,6-테트라카르본산 이무수물, 시클로펜탄-1,2,3,4-테트라카르본산 이무수물, 피롤리딘-2,3,4,5-테트라카르본산 이무수물, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르본산 이무수물, 비스(엑소-비시클로〔2,2,1〕헵탄-2,3-디카르본산 이무수물, 비시클로-〔2,2,2〕-옥토-7-엔-2,3,5,6-테트라카르본산 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오르프로판 이무수물, 2,2-비스〔4-(3,4-디카르복시페닐)페닐〕헥사플루오르프로판 이무수물, 4,4＇-비스(3,4-디카르복시페녹시)디페닐술피드 이무수물, 1,4-비스(2-하이드록시헥사플루오르이소프로필)벤젠비스(트리멜리트산 무수물), 1,3-비스(2-하이드록시헥사플루오르이소프로필)벤젠비스(트리멜리트산 무수물), 5-(2,5-디옥소테트라하이드로푸릴)-3-메틸-3-시클로헥센-1,2-디카르본산 이무수물, 테트라하이드로퓨란-2,3,4,5-테트라카르본산 이무수물 등을 사용할 수 있고, 이들의 1종 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다.

또한, 폴리이미드의 원료로 이용되는 디아민으로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면, o-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 3,3＇-디아미노디페닐에테르, 3,4＇-디아미노디페닐에테르, 4,4＇-디아미노디페닐에테르, 3,3＇-디아미노디페닐메탄, 3,4＇-디아미노디페닐메탄, 4,4＇-디아미노디페닐에테메탄, 비스(4-아미노-3,5-디메틸페닐)메탄, 비스(4-아미노-3,5-디이소프로필페닐)메탄, 3,3＇-디아미노디페닐디플루오르메탄, 3,4＇-디아미노디페닐디플루오르메탄, 4,4＇-디아미노디페닐디플루오르메탄, 3,3＇-디아미노디페닐술폰, 3,4＇-디아미노디페닐술폰, 4,4＇-디아미노디페닐술폰, 3,3＇-디아미노디페닐술피드, 3,4＇-디아미노디페닐술피드, 4,4＇-디아미노디페닐술피드, 3,3＇-디아미노디페닐케톤, 3,4＇-디아미노디페닐케톤, 4,4＇-디아미노디페닐케톤, 2,2-비스(3-아미노페닐)프로판, 2,2＇-(3,4＇-디아미노디페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(3-아미노페닐)헥사플루오르프로판, 2,2-(3,4＇-디아미노디페닐)헥사플루오르프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오르프로판, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 3,3＇-(1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴))비스아닐린, 3,4＇-(1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴))비스아닐린, 4,4＇-(1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴))비스아닐린, 2,2-비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)헥사플루오르프로판, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)헥사플루오르프로판, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)술피드, 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)술피드, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)술폰, 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)술폰, 3,5-디아미노 안식향산 등의 방향족 디아민, 1,2-디아미노에탄, 1,3-디아미노프로판, 1,4-디아미노부탄, 1,5-디아미노펜탄, 1,6-디아미노헥산, 1,7-디아미노헵탄, 1,8-디아미노옥탄, 1,9-디아미노노난, 1,10-디아미노데칸, 1,11-디아미노운데칸, 1,12-디아미노도데칸, 1,2-디아미노시클로헥산, 하기 일반식 (1)로 나타나는 디아미노폴리실록산, 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산, 산테크노 케미컬 주식회사제 제파민 D-230, D-400, D-2000, D-4000, ED-600, ED-900, ED-2001, EDR-148 등의 폴리옥시 알킬렌디아민 등의 지방족 디아민 등을 사용할 수 있고, 이들의 1종 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다. 상기 폴리이미드 수지의 유리 전이 온도로는 0~200℃인 것이 바람직하고, 중량 평균 분자량으로서는 1만~20만인 것이 바람직하다.

일반식 (1)

[화학식 1]

(식 중, R₁ 및 R₂는 탄소 원자수 1~30의 2가의 탄화수소기를 나타내며, 각각 동일해도 좋고 달라도 좋으며, R₃ 및 R₄는 1가의 탄화수소기를 나타내고, 각각 동일해도 좋고 달라도 좋으며, m은 1 이상의 정수이다)

상기 외에 바람직한 열가소성 수지의 하나인 페녹시 수지는, 각종 비스페놀과 에피클로로히드린을 반응시키는 방법, 또는 액상 에폭시 수지와 비스페놀을 반응시키는 방법에 의해 얻어지는 수지가 바람직하고, 비스페놀로서는 비스페놀 A, 비스페놀 비스페놀 AF, 비스페놀 AD, 비스페놀 F, 비스페놀 S를 들 수 있다. 페녹시 수지는 에폭시 수지와 구조가 유사한 점에서 에폭시 수지와의 상용성이 좋고, 접착 필름에 양호한 접착성을 부여하는데 적합하다.

본 발명에서 사용하는 페녹시 수지로서는, 예를 들면 하기 일반식 (2)로 나타나는 반복 단위를 갖는 수지를 들 수 있다.

일반식 (2)

[화학식 2]

상기 일반식 (2)에 있어서, X는 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 2가의 연결기로서는, 알킬렌기, 페닐렌기, -O-, -S-, -SO- 또는 -SO₂-를 들 수 있다. 여기서, 알킬렌기는 탄소수 1~10의 알킬렌기가 바람직하고, -C(R₅)(R₆)-가 보다 바람직하다. R₅, R₆는 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 상기 알킬기로서는 탄소수 1~8의 직쇄 혹은 분기 알킬기가 바람직하며, 예를 들면, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, 이소옥틸, 2-에틸헥실, 1,3,3-트리메틸부틸 등을 들 수 있다. 또한, 상기 알킬기는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 좋고, 예를 들면, 트리플루오르메틸기를 들 수 있다. X는, 알킬렌기, -O-, -S-, 플루오렌기 또는 -SO₂-가 바람직하고, 알킬렌기, -SO₂-가 보다 바람직하다. 그 중에서도, -C(CH₃)₂-, -CH(CH₃)-, -CH₂-, -SO₂-가 바람직하고, -C(CH₃)₂-, -CH(CH₃)-, -CH₂-가 보다 바람직하며, -C(CH₃)₂-가 특히 바람직하다.

상기 일반식 (2)로 나타나는 페녹시 수지는, 반복 단위를 가지면, 상기 일반식 (2)의 X가 다른 반복 단위를 복수 가지는 수지여도, X가 동일한 반복 단위만으로 구성되어 있어도 좋다. 본 발명에서는 X가 동일한 반복 단위만으로 구성되어 있는 수지가 바람직하다.

또한, 상기 일반식 (2)로 나타나는 페녹시 수지에 수산기, 카르복실기 등의 극성 치환기를 함유시키면, 열중합성 성분과의 상용성이 향상되고, 균일한 외관과 특성을 부여할 수 있다.

페녹시 수지의 질량 평균 분자량이 5000 이상이면 필름 형성성의 점에서 우수하다. 보다 바람직하게는 10,000 이상이고, 더욱 바람직하게는 30,000 이상이다. 또한, 질량 평균 분자량이 150,000 이하이면, 가열 압착시의 유동성이나 다른 수지와의 상용성의 점에서 바람직하다. 보다 바람직하게는 100,000 이하이다. 또한, 유리 전이 온도가 -50℃ 이상이면 필름 형성성의 점에서 뛰어나고, 보다 바람직하게는 0℃ 이상이며, 더욱 바람직하게는 50℃ 이상이다. 유리 전이 온도가 150℃이면, 다이 본딩시의 접착제층(13)의 접착력이 뛰어나고, 보다 바람직하게는 120℃ 이하, 더욱 바람직하게는 110℃ 이하이다.

한편, 상기 관능기를 포함하는 중합체에서의 관능기로서는, 예를 들면, 글리시딜기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 수산기, 카르복실기, 이소시아누레이트기, 아미노기, 아미드기 등을 들 수 있고, 그 중에서도 글리지실기가 바람직하다.

상기 관능기를 포함하는 고분자량 성분으로서는, 예를 들면, 글리시딜기, 수산기, 카르복실기 등의 관능기를 함유하는 (메타)아크릴 공중합체 등을 들 수 있다.

상기 (메타)아크릴 공중합체로서는, 예를 들면, (메타)아크릴에스테르 공중합체, 아크릴 고무 등을 사용할 수 있고, 아크릴 고무가 바람직하다. 아크릴 고무는 아크릴산 에스테르를 주성분으로 하고, 주로 부틸아크릴레이트와 아크릴로니트릴 등의 공중합체나, 에틸아크릴레이트와 아크릴로니트릴 등의 공중합체 등으로 이루어지는 고무이다.

관능기로서 글리시딜기를 함유하는 경우, 글리시딜기 함유 반복단위의 양은, 0.5~6.0중량%가 바람직하고, 0.5~5.0중량%가 보다 바람직하며, 0.8~5.0중량%가 특히 바람직하다. 글리시딜기 함유 반복단위란, 글리시딜기를 함유하는 (메타)아크릴 공중합체의 구성 모노머를 말하고, 구체적으로는 글리시딜아크릴레이트 또는 글리시딜메타크릴레이트이다. 글리시딜기 함유 반복단위의 양이 이 범위에 있으면, 접착력을 확보할 수 있는 동시에, 겔화를 방지할 수 있다.

글리시딜 아크릴레이트, 글리시딜 메타크릴레이트 이외의 상기 (메타)아크릴 공중합체의 구성 모노머로서는, 예를 들면, 에틸 (메타)아크릴레이트, 부틸 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 이것들은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합해서 사용할 수도 있다. 또한, 본 발명에서 에틸 (메타)아크릴레이트란, 에틸 아크릴레이트 및/또는 에틸 메타크릴레이트를 나타낸다. 관능성 모노머를 조합하여 사용하는 경우의 혼합 비율은 (메타)아크릴 공중합체의 유리 전이 온도를 고려해서 결정하면 좋다. 유리 전이 온도를 -50℃ 이상으로 하면, 필름 형성성이 뛰어나고, 상온에서의 과잉 점착을 억제할 수 있는 점에서 바람직하다. 상온에서의 점착력이 과잉이면, 접착제층의 취급이 곤란하게 된다. 보다 바람직하게는 -20℃ 이상이고, 더욱 바람직하게는 0℃ 이상이다. 또한, 유리 전이 온도를 30℃ 이하로 하면, 다이 본딩시의 접착제층의 접착력의 점에서 뛰어나고, 보다 바람직하게는 20℃ 이하이다.

상기 모노머를 중합시켜서 관능성 모노머를 포함하는 고분자량 성분을 제조하는 경우, 그 중합 방법으로는 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 펄 중합, 용액 중합 등의 방법을 사용할 수 있으며, 그 중에서도 펄 중합이 바람직하다.

본 발명에서 관능성 모노머를 포함하는 고분자량 성분의 중량 평균 분자량이 100,000 이상이면, 필름 형성성의 점에서 뛰어나고, 보다 바람직하게는 200,000 이상, 더욱 바람직하게는 500,000 이상이다. 또한, 중량 평균 분자량을 2,000,000 이하로 조정하면, 다이 본딩시의 접착제층의 가열 유동성이 향상하는 점에서 뛰어나다. 다이 본딩시의 접착제층의 가열 유동성이 향상하면, 접착제층과 피착체의 밀착이 양호하게 되어 접착력을 향상시킬 수 있고, 또 피착체의 요철을 묻어서 공동(空洞)을 억제하기 쉬워진다. 보다 바람직하게는 1,000,000 이하이고, 더욱 바람직하게는 800,000 이하이며, 500,000 이하로 하면 더욱 큰 효과를 얻을 수 있다.

또한, 열중합성 성분으로서는, 열에 의해 중합하는 것이면 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 글리시딜기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 수산기, 카르복실기, 이소시아누레이트기, 아미노기, 아미드기 등의 관능기를 가지는 화합물과 트리거 재료를 들 수 있으며, 이것들은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합해도 사용할 수 있지만, 접착제층으로서의 내열성을 고려하면, 열에 의해 경화하여 접착 작용을 일으키는 열경화성 수지를 경화제, 촉진제와 함께 함유하는 것이 바람직하다. 열경화성 수지로는, 예를 들면, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 페놀 수지, 열경화형 폴리이미드 수지, 폴리우레탄 수지, 멜라민 수지, 요소 수지 등을 들 수 있고, 특히, 내열성, 작업성, 신뢰성이 뛰어난 접착제층을 얻을 수 있는 점에서 에폭시 수지를 사용하는 것이 가장 바람직하다.

상기 에폭시 수지는, 경화해서 접착 작용을 하는 것이면 특별히 제한은 없고, 비스페놀 A형 에폭시 등의 2관능 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지나 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다. 또한, 다관능 에폭시 수지, 글리시딜 아민형 에폭시 수지, 복소환 함유 에폭시 수지 또는 지환식 에폭시 수지 등, 일반적으로 알려져 있는 것을 적용할 수 있다.

상기 비스페놀 A형 에폭시 수지로는, 미쓰비시 화학 주식회사제 에피코트 시리즈(에피코트 807, 에피코트 815, 에피코트 825, 에피코트 827, 에피코트 828, 에피코트 834, 에피코트 1001, 에피코트 1004, 에피코트 1007, 에피코트 1009), 다우 케미컬사제, DER-330, DER-301, DER-361, 및 신닛테츠스미킨 화학 주식회사제, YD8125, YDF8170 등을 들 수 있다. 상기 페놀 노볼락형 에폭시 수지로는, 미쓰비시 화학 주식회사제의 에피코트 152, 에피코트 154, 일본 화약 주식회사제의 EPPN-201, 다우 케미컬사제의 DEN-438 등이, 또한 상기 o-크레졸 노볼락형 에폭시 수지로서는, 일본 화약 주식회사제의 EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027이나, 신닛테츠스미킨 화학 주식회사제, YDCN701, YDCN702, YDCN703, YDCN704 등을 들 수 있다. 상기 다관능 에폭시 수지로서는, 미쓰비시 화학 주식회사제의 Epon 1031S, 지바 스페셜리티 케미컬즈사제의 아랄다이트 0163, 나가세 켐텍스 주식회사제의 데나콜 EX-611, EX-614, EX-614B, EX-622, EX-512, EX-521, EX-421, EX-411, EX-321 등을 들 수 있다. 상기 아민형 에폭시 수지로서는, 미쓰비시 화학 주식회사제의 에피코트 604, 토토 화성 주식회사제의 YH-434, 미쓰비시 가스 화학 주식회사제의 TETRAD-X 및 TETRAD-C, 스미토모 화학 공업 주식회사제의 ELM-120 등을 들 수 있다.

상기 복소환 함유 에폭시 수지로서는, 치바 스페셜티 케미컬즈사제의 아랄다이트 PT810, UCC사제의 ERL4234, ERL4299, ERL4221, ERL4206 등을 들 수 있다. 이들 에폭시 수지는 단독으로 또는 2종류 이상을 조합해도 사용할 수 있다.

상기 열경화성 수지를 경화시키기 위해서, 적당히 첨가제를 더할 수 있다. 이러한 첨가제로서는, 예를 들면, 경화제, 경화촉진제, 촉매 등을 들 수 있고, 촉매를 첨가하는 경우는 조촉매를 필요에 따라서 사용할 수 있다.

상기 열경화성 수지에 에폭시 수지를 사용하는 경우, 에폭시 수지 경화제 또는 경화촉진제를 사용하는 것이 바람직하고, 이들을 병용하는 것이 보다 바람직하다. 경화제로서는, 예를 들면, 페놀 수지, 디시안 디아미드, 3플루오르화 붕소 착화합물, 유기 히드라지드 화합물, 아민류, 폴리아미드 수지, 이미다졸 화합물, 요소 혹은 티오 요소 화합물, 폴리 메르캅탄 화합물, 메르캅토기를 말단에 갖는 폴리술피드 수지, 산무수물, 광 자외선 경화제를 들 수 있다. 이들은 단독으로, 또는 2종 이상을 병용해서 이용할 수 있다.

이 중, 3플루오르화 붕소 착화합물로서는, 여러 가지 아민 화합물(바람직하게는 1급 아민 화합물)과의 3플루오르화 붕소-아민 착체를 들 수 있고, 유기 히드라지드 화합물로서는 이소프탈산 디히드라지드를 들 수 있다.

페놀 수지로서는, 예를 들면, 페놀 노볼락 수지, 페놀 아랄킬 수지, 크레졸 노볼락 수지, tert-부틸 페놀 노볼락 수지, 노닐 페놀 노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 그 중에서도 분자 중에 적어도 2개의 페놀성 수산기를 가지는 페놀계 화합물이 바람직하다.

상기 분자 중에 적어도 2개의 페놀성 수산기를 가지는 페놀계 화합물로서는, 예를 들면, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, t-부틸 페놀 노볼락 수지, 디시클로 펜타젠 크레졸 노볼락 수지, 디시클로 펜타디엔 페놀 노볼락 수지, 크실렌 변성 페놀 노볼락 수지, 나프톨 노볼락 수지, 트리스 페놀 노볼락 수지, 테트라키스 페놀 노볼락 수지, 비스페놀 A 노볼락 수지, 폴리-p-비닐 페놀 수지, 페놀 아랄킬 수지 등을 들 수 있다. 또한, 이들 페놀 수지 중 페놀 노볼락 수지, 페놀 아랄킬 수지가 특히 바람직하고, 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

아민류로서는, 사슬 모양 지방족 아민(디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 헥사메틸렌디아민, N,N-디메틸프로필아민, 벤질디메틸아민, 2-(디메틸아미노)페놀, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, m-크실렌디아민 등), 환상 지방족 아민(N-아미노에틸피페라진, 비스(3-메틸-4-아미노시클로헥실)메탄, 비스(4-아미노시클로헥실)메탄, 멘텐디아민, 이소포론디아민, 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산 등), 헤테로환 아민(피페라진, N,N-디메틸피페라진, 트리에틸렌디아민, 멜라민, 구아나민 등), 방향족 아민(메타페닐렌디아민, 4,4＇-디아미노디페닐메탄, 디아미노, 4,4＇-디아미노디페닐술폰 등), 폴리아미드 수지(폴리아미드 아민이 바람직하고, 다이머산과 폴리아민의 축합물), 이미다졸 화합물(2-페닐-4,5-디하이드록시메틸 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2,4-디메틸이미다졸, 2-n-헵타데실 이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨 트리멜리테이트, 에폭시 이미다졸 부가체 등), 요소 혹은 티오 요소 화합물(N,N-디알킬 요소 화합물, N,N-디알킬티오 요소 화합물 등), 폴리 메르캅탄 화합물, 메르캅토기를 말단에 가지는 폴리술피드 수지, 산무수물(테트라 하이드로 무수 프탈산 등), 광·자외선 경화제(디페닐 요오드에 움헥사플루오르인산, 트리페닐술포늄헥사플루오르인산 등)가 예시된다.

상기 경화촉진제로서는, 열경화성 수지를 경화시키는 것이면 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 이미다졸류, 디시안 디아미드 유도체, 디카르본산 디히드라지드, 트리페닐포스핀, 테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트, 2-에틸-4-메틸이미다졸-테트라페닐보레이트, 1,8-디아자비시클로［5.4.0］운데센-7-테트라페닐보레이트 등을 들 수 있다.

이미다졸류로서는, 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-에틸이미다졸, 1-벤질-2-에틸-5-메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시디메틸 이미다졸, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸 이미다졸 등을 들 수 있다.

에폭시 수지용 경화제 혹은 경화촉진제의 접착제층 중의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 최적인 함유량은 경화제 혹은 경화촉진제의 종류에 따라서 다르다.

상기 에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들면, 상기 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량 당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5~2.0당량이 되도록 배합하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.8~1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나면 충분한 경화 반응이 진행되지 않고, 접착제층의 특성이 쉽게 열화되기 때문이다. 그 외의 열경화성 수지와 경화제는, 일 실시형태에 있어서, 열경화성 수지 100질량부에 대해서 경화제가 0.5~20질량부이고, 다른 실시형태에서는 경화제가 1~10질량부이다. 경화촉진제의 함유량은, 경화제의 함유량보다 적은 것이 바람직하고, 열경화성 수지 100질량부에 대해서 경화촉진제 0.001~1.5질량부가 바람직하며, 0.01~0.95질량부가 더욱 바람직하다. 상기 범위 내로 조정함으로써, 충분한 경화 반응의 진행을 보조할 수 있다. 촉매의 함유량은, 열경화성 수지 100질량부에 대해서 0.001~1.5질량부가 바람직하고, 0.01~1.0질량부가 더욱 바람직하다.

또한, 본 발명의 접착제층(13)은 그 용도에 따라서 필러를 적당히 배합할 수 있다. 이로 인해, 미경화 상태에서의 접착제층의 다이싱성 향상, 취급성 향상, 용융 점도의 조정, 요변성(thixotropic)의 부여, 또 경화 상태의 접착제층에서의 열전도성의 부여, 접착력의 향상을 도모하는 것이 가능해지고 있다.

본 발명에서 이용하는 필러로는 무기 필러가 바람직하다. 무기 필러로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산 칼슘, 규산 마그네슘, 산화칼슘, 산화 마그네슘, 알루미나, 질화 알루미늄, 붕산 알루미늄 위스커, 질화 붕소, 결정성 실리카, 비정성(非晶性) 실리카, 안티몬 산화물 등을 사용할 수 있다. 또한, 이것들은 단체 혹은 2종류 이상을 혼합해서 사용할 수도 있다.

또한, 상기 무기 필러 중, 열전도성 향상의 관점에서는, 알루미나, 질화 알루미늄, 질화 붕소, 결정성 실리카, 비정성 실리카 등을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 용융 점도의 조정이나 요변성 부여의 점에서는, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산 칼슘, 규산 마그네슘, 산화칼슘, 산화 마그네슘, 알루미나, 결정성 실리카, 비정성 실리카 등을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 다이싱성 향상의 관점에서, 알루미나, 실리카를 이용하는 것이 바람직하다.

필러의 함유 비율이 30질량% 이상이면, 와이어 본딩성의 점에서 뛰어나다.

와이어 본딩시에는, 와이어를 치는 칩을 접착하는 접착제층의 경화 후 저장 탄성률이 170℃에서 20~1000MPa의 범위로 조정되어 있는 것이 바람직하고, 필러의 함유 비율이 30질량% 이상이면 접착제층의 경화 후 저장 탄성률을 이 범위로 조정하기 쉽다. 또한, 필러의 함유 비율이 75질량% 이하이면, 필름 형성성, 다이 본딩 시 접착제층의 가열 유동성이 뛰어나다. 다이 본딩 시 접착제층의 가열 유동성이 향상하면, 접착제층과 피착체의 밀착이 양호하게 되어 접착력을 향상시킬 수 있고, 또 피착체의 요철을 묻어서 공동을 억제하기 쉬워진다. 보다 바람직하게는 70질량% 이하이고, 더욱 바람직하게는 60질량% 이하이다.

본 발명의 접착제층은, 상기 필러로서 평균 입경이 다른 2종 이상의 필러를 포함할 수 있다. 이 경우, 단일 필러를 사용한 경우에 비해 필름화 전의 원료 혼합물에서, 필러 함유 비율이 높은 경우의 점도 상승 혹은 필러의 함유 비율이 낮은 경우의 점도 저하를 방지하기 쉬워지고, 양호한 필름 형성성을 얻기 쉬워지며, 미경화 접착제층의 유동성을 최적으로 제어할 수 있는 동시에, 접착제층의 경화 후에는 뛰어난 접착력을 얻기 쉬워진다.

또한, 본 발명의 접착제층은, 필러의 평균 입경이 2.0㎛ 이하인 것이 바람직하고, 1.0㎛인 것이 보다 바람직하다. 필러의 평균 입경이 2.0㎛ 이하이면 필름의 박막화가 용이하게 된다. 여기서 박막이란, 20㎛ 이하의 두께를 시사한다. 또한, 0.01㎛ 이상이면 분산성이 양호하다.

또한, 필름화 전의 원료 혼합물의 점도 상승 혹은 저하를 방지하고, 미경화 접착제층의 유동성을 최적으로 제어하며, 접착제층의 경화 후 접착력을 향상시키는 관점에서, 평균 입경이 0.1~1.0㎛의 범위 내에 있는 제1 필러, 및 1차 입경의 평균 입경이 0.005~0.03㎛의 범위 내에 있는 제2 필러를 포함하는 것이 바람직하다. 평균 입경이 0.1~1.0㎛의 범위 내에 있고, 또 99% 이상의 입자가 입경 0.1~1.0㎛의 범위 내에 분포하는 제1 필러, 및 1차 입경의 평균 입경이 0.005~0.03㎛의 범위 내에 있으며, 또한 99% 이상의 입자가 입경 0.005~0.1㎛의 범위 내에 분포하는 제2 필러를 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명에서의 평균 입경은, 50체적%의 입자가 이 수치보다 작은 직경을 갖는, 누적 체적 분포 곡선의 D50값을 의미한다. 본 발명에 있어서, 평균 입경 또는 D50값은 레이저 회절법에 의해, 예를 들면 Malvern　Instruments사제의 Malvern Mastersizer 2000을 이용해서 측정된다. 이 기술에서, 분산액 중의 입자의 크기는, 프라운호퍼 또는 미(Mie) 이론의 어느 한 응용에 근거하여, 레이저 광선의 회절을 이용해서 측정된다. 본 발명은, 미 이론 또는 비구상 입자에 대한 수정 미 이론을 이용하여, 평균 입경 또는 D50값은 입사하는 레이저광선에 대해서 0.02~135°에서의 산란 계측에 관한 것이다.

본 발명에 있어서, 하나의 양태에서는, 접착제층(13)을 구성하는 점착제 조성물 전체에 대해서 10~40질량%의 중량 평균 분자량이 5000~200,000인 열가소성 수지와, 10~40질량%의 열중합성 성분과, 30~75질량%의 필러를 포함해도 좋다. 이 실시형태에서는, 필러의 함유량은 30~60질량%이어도 좋고, 40~60질량%이어도 좋다.

또한, 열가소성 수지의 질량 평균 분자량은 5000~150,000이어도 좋고, 10,000~100,000이어도 좋다.

다른 양태에서는, 접착제층(13)을 구성하는 점착제 조성물 전체에 대해서 10~20질량%의 중량 평균 분자량이 200,000~2,000,000인 열가소성 수지와, 20~50질량%의 열중합성 성분과, 30~75질량%의 필러를 포함해도 좋다. 이 실시형태에서는, 필러의 함유량은 30~60질량%이어도 좋고, 30~50질량%이어도 좋다. 또한, 열가소성 수지의 질량 평균 분자량은 200,000~1,000,000이어도 좋고, 200,000~800,000이어도 좋다.

배합 비율을 조정함으로써, 접착제층(13)의 경화 후 저장 탄성률 및 유동성의 최적화를 할 수 있고, 또 고온에서의 내열성도 충분히 얻을 수 있는 경향에 있다.

본 발명의 반도체 가공용 테이프(10)에 있어서, 접착제층(13)은 미리 필름화 된 것(이하, 접착 필름이라고 한다)을 기재 필름(11) 상에 직접 또는 간접적으로 라미네이트하여 형성해도 좋다. 라미네이트 시의 온도는 10~100℃의 범위로 하고, 0.01~10N/m의 선압을 가하는 것이 바람직하다. 또한, 이러한 접착 필름은 박리 필름 상에 접착제층(13)이 형성된 것이어도 좋고, 그 경우, 라미네이트 후에 박리 필름을 박리해도 좋으며, 혹은, 그대로 반도체 가공용 테이프(10)의 커버 필름으로 사용하고, 웨이퍼를 첩합할 때에 박리해도 좋다.

상기 접착 필름은, 점착제층(12)의 전면에 적층해도 좋지만, 미리 첩합되는 웨이퍼에 따른 형상으로 절단된(프리컷 된) 접착 필름을 점착제층(12)에 적층해도 좋다. 이와 같이, 웨이퍼에 따른 접착 필름을 적층한 경우, 도 3에 나타내듯이, 웨이퍼(W)가 첩합되는 부분에는 접착제층(13)이 있고, 링 프레임(20)이 첩합되는 부분에는 접착제층(13)이 없이 점착제층(12)만이 존재한다. 일반적으로, 접착제층(13)은 피착체와 박리하기 어렵기 때문에, 프리컷 된 접착 필름을 사용함으로써 링 프레임(20)은 점착제층(12)과 첩합할 수 있고, 사용 후의 테이프 박리시에 링 프레임(20)으로의 풀 찌꺼기를 잘 발생시키지 않는 효과를 얻을 수 있다.

＜용도＞

본 발명의 반도체 가공용 테이프(10)는, 적어도 확장에 의해 접착제층(13)을 분단하는 확장 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것이다. 따라서, 그 외의 공정이나 공정의 순서 등은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 이하의 반도체 장치의 제조 방법 (A)~(E)에서 적합하게 사용할 수 있다.

반도체 장치의 제조 방법 (A)

(a) 회로 패턴이 형성된 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 첩합하는 공정과,

(b) 상기 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정과,

(c) 상기 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 웨이퍼 이면에 상기 반도체 가공용 테이프의 접착제층을 첩합하는 공정과,

(d) 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,

(e) 상기 웨이퍼의 분할 예정 부분에 레이저광을 조사하여, 상기 웨이퍼 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하는 공정과,

(f) 상기 반도체 가공용 테이프를 확장함으로써, 상기 웨이퍼와 상기 반도체 가공용 테이프의 상기 접착제층을 분단 라인을 따라서 분단하고, 상기 접착제층이 부착된 복수의 칩을 얻는 확장 공정과,

(g) 확장 후의 상기 반도체 가공용 테이프에 있어서, 상기 칩과 중첩되지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써, 상기 확장 공정에서 발생한 헐거워짐을 제거하고, 상기 칩의 간격을 유지하는 공정과,

(h) 상기 접착제층이 부착된 상기 칩을 상기 반도체 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.

반도체 장치의 제조 방법 (B)

(a) 회로 패턴이 형성된 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 첩합하는 공정과,

(b) 상기 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정과,

(c) 상기 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 웨이퍼 이면에 상기 반도체 가공용 테이프의 접착제층을 첩합하는 공정과,

(d) 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,

(e) 상기 웨이퍼 표면의 분단 라인을 따라서 레이저광을 조사하여, 상기 웨이퍼를 칩으로 분단하는 공정과,

(f) 상기 반도체 가공용 테이프를 확장함으로써, 상기 접착제층을 상기 칩 별로 분단하여, 상기 접착제층이 부착된 복수의 칩을 얻는 확장 공정과,

(g) 확장 후의 상기 반도체 가공용 테이프에 있어서, 상기 칩과 중첩되지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써, 상기 확장 공정에서 발생한 헐거워짐을 제거하고, 상기 칩의 간격을 유지하는 공정과,

(h) 상기 접착제층이 부착된 상기 칩을, 상기 반도체 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정,

을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.

반도체 장치의 제조 방법 (C)

(a) 회로 패턴이 형성된 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 첩합하는 공정과,

(b) 상기 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정과,

(c) 상기 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 웨이퍼 이면에 상기 반도체 가공용 테이프의 접착제층을 첩합하는 공정과,

(d) 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,

(e) 다이싱 블레이드를 이용하여 상기 웨이퍼를 분단 라인을 따라 절삭하고, 칩으로 분단하는 공정과,

(f) 상기 반도체 가공용 테이프를 확장함으로써, 상기 접착제층을 상기 칩 별로 분단하여, 상기 접착제층이 부착된 복수의 칩을 얻는 확장 공정과,

(g) 확장 후의 상기 반도체 가공용 테이프에 있어서, 상기 칩과 중첩되지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써, 상기 확장 공정에서 발생한 헐거워짐을 제거하고, 상기 칩의 간격을 유지하는 공정과,

(h) 상기 접착제층이 부착된 상기 칩을 상기 반도체 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정,

을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.

반도체 장치의 제조 방법 (D)

(a) 회로 패턴이 형성된 웨이퍼 이면에 다이싱 테이프를 첩합하고, 다이싱 블레이드를 이용해서 분단 예정 라인을 따라 상기 웨이퍼의 두께 미만의 깊이까지 절삭하는 공정과,

(b) 상기 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 첩합하는 공정과,

(c) 상기 다이싱 테이프를 벗겨서, 상기 웨이퍼 이면을 연삭하여 칩으로 분단하는 백그라인드 공정과,

(d) 상기 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 칩으로 분단된 상기 웨이퍼 이면에 상기 반도체 가공용 테이프의 접착제층을 첩합하는 공정과,

(e) 상기 칩으로 분단된 상기 웨이퍼 표면으로부터 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,

(f) 상기 반도체 가공용 테이프를 확장함으로써, 상기 접착제층을 상기 칩 별로 분단하고, 상기 접착제층이 부착된 복수의 칩을 얻는 확장 공정과,

(g) 확장 후의 상기 반도체 가공용 테이프에 있어서, 상기 칩과 중첩되지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써 상기 확장 공정에서 발생한 헐거워짐을 제거하고, 상기 칩의 간격을 유지하는 공정과,

(h) 접착제층이 부착된 상기 칩을 상기 반도체 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.

반도체 장치의 제조 방법 (E)

(a) 회로 패턴이 형성된 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 첩합하는 공정과,

(b) 상기 웨이퍼의 분할 예정 부분에 레이저광을 조사하여, 상기 웨이퍼 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하는 공정과,

(c) 상기 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정과,

(d) 상기 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 웨이퍼 이면에 상기 반도체 가공용 테이프의 접착제층을 첩합하는 공정과,

(e) 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,

(f) 상기 반도체 가공용 테이프를 확장함으로써, 상기 웨이퍼와 상기 반도체 가공용 테이프의 상기 접착제층을 분단 라인을 따라서 분단하고, 상기 접착제층이 부착된 복수의 칩을 얻는 확장 공정과,

(g) 확장 후의 상기 반도체 가공용 테이프에 있어서, 상기 칩과 중첩되지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써, 상기 확장 공정에서 발생한 헐거워짐을 제거하여, 상기 칩의 간격을 유지하는 공정과,

(h) 상기 접착제층이 부착된 상기 칩을 상기 반도체 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정,

을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.

＜사용 방법＞

본 발명의 반도체 가공용 테이프(10)를 상기 반도체 장치의 제조 방법 (A)에 적용한 경우의 테이프의 사용 방법에 대해서, 도 2 내지 도 5를 참조하면서 설명한다. 우선, 도 2에 나타내듯이, 회로 패턴이 형성된 웨이퍼(W)의 표면에 자외선 경화성 성분을 점착제에 포함하는 회로 패턴 보호용 표면 보호 테이프(14)를 첩합하여, 웨이퍼(W)의 이면을 연삭하는 백그라인드 공정을 실시한다.

백그라인드 공정의 종료 후, 도 3에 나타내듯이, 웨이퍼 마운터의 히터 테이블(25) 상에, 표면측을 아래로 하여 웨이퍼(W)를 재치한 후, 웨이퍼(W)의 이면에 반도체 가공용 테이프(10)를 첩합한다. 여기서 사용하는 반도체 가공용 테이프(10)는, 첩합하는 웨이퍼(W)에 따른 형상으로 미리 절단(프리컷)된 접착 필름을 적층한 것이고, 웨이퍼(W)와 첩합하는 면에서는 접착제층(13)이 노출한 영역의 주위에 점착제층(12)이 노출되어 있다. 이 반도체 가공용 테이프(10)의 접착제층(13)이 노출한 부분과 웨이퍼(W)의 이면을 맞붙이는 동시에, 접착제층(13) 주위의 점착제층(12)이 노출된 부분과 링 프레임(20)을 맞붙인다. 이때, 히터 테이블(25)은 70~80℃로 설정되어 있고, 이에 따라 가열 첩합이 실시된다. 또한, 본 실시형태에서는, 기재 필름(11)과 기재 필름(11) 상에 설치된 점착제층(12)으로 이루어지는 점착 테이프(15)와, 점착제층(12) 상에 마련된 접착제층(13)을 가지는 반도체 가공용 테이프(10)를 이용하도록 했지만, 점착 테이프와 필름 모양 접착제를 각각 이용하도록 해도 좋다. 이 경우, 우선, 웨이퍼의 이면에 필름 모양 접착제를 첩합하여 접착제층을 형성하고, 이 접착제층에 점착 테이프의 점착제층을 맞붙인다. 이때, 점착 테이프로서 본 발명에 의한 점착 테이프(15)를 이용한다.

그 다음, 반도체 가공용 테이프(10)가 첩합된 웨이퍼(W)를 히터 테이블(25) 상으로부터 반출하고, 도 4에 나타내듯이, 반도체 가공용 테이프(10) 측을 아래로 하여 흡착 테이블(26) 상에 재치한다. 그리고, 흡착 테이블(26)에 흡착 고정된 웨이퍼(W)의 위쪽으로부터, 에너지선 광원(27)을 이용하여, 예를 들면 1000mJ/㎠의 자외선을 표면 보호 테이프(14)의 기재면 측에 조사하고, 표면 보호 테이프(14)의 웨이퍼(W)에 대한 접착력을 저하시켜서, 웨이퍼(W) 표면으로부터 표면 보호 테이프(14)를 박리한다.

그 다음, 도 5에 나타내듯이, 웨이퍼(W)의 분할 예정 부분에 레이저광을 조사하여, 웨이퍼(W)의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역(32)을 형성한다.

그 다음, 도 6의 (a)에 나타내듯이, 웨이퍼(W) 및 링 프레임(20)이 맞붙여진 반도체 가공용 테이프(10)를, 기재 필름(11) 측을 아래로 하여 확장 장치의 스테이지(21) 상에 재치한다.

그 다음, 도 6의 (b)에 나타내듯이, 링 프레임(20)을 고정한 상태에서, 확장 장치의 중공 원기둥 형상의 압력 부재(22)를 상승시켜서 반도체 가공용 테이프(10)를 확장(익스팬드)한다. 확장 조건으로는, 확장 속도가 예를 들면 5~500㎜/sec이고, 확장량(압력량)이 예를 들면 5~25㎜이다. 이와 같이 반도체 가공용 테이프(10)가 웨이퍼(W)의 지름 방향으로 연장됨으로써, 웨이퍼(W)가 상기 개질 영역(32)을 기점으로 하여 칩(34) 단위로 분단된다. 이때, 접착제층(13)은 웨이퍼(W)의 이면에 접착하는 부분에서는 확장에 의한 연장(변형)이 억제되어 파단은 일어나지 않지만, 칩(34) 사이의 위치에서는 테이프의 확장에 의한 장력이 집중하여 파단된다. 따라서, 도 6의 (c)에 나타내듯이, 웨이퍼(W)와 함께 접착제층(13)도 분단된다. 이에 따라, 접착제층(13)이 부착된 복수의 칩(34)을 얻을 수 있다.

그 다음, 도 7에 나타내듯이, 압력 부재(22)를 원래의 위치로 되돌리고, 상기 확장 공정에서 발생한 반도체 가공용 테이프(10)의 헐거워짐을 제거하여, 칩(34)의 간격을 안정적으로 유지하기 위한 공정을 실시한다. 이 공정에서는, 예를 들면, 반도체 가공용 테이프(10)에서의 칩(34)이 존재하는 영역과, 링 프레임(20)과의 사이의 둥근 고리 모양의 가열 수축 영역(28)에, 온풍 노즐(29)을 이용하여 90~120℃의 온풍을 맞게 하여 기재 필름(11)을 가열 수축시키고, 반도체 가공용 테이프(10)를 팽팽하게 펼친 상태로 둔다.

그 후, 점착제층(12)에 에너지선 경화 처리 또는 열경화 처리 등을 실시하여, 점착제층(12)의 접착제층(13)에 대한 점착력을 약하게 한 후, 칩(34)을 픽업 한다.

또한, 상술한 대로, 확장 처리를 실시하기 전에 에너지선 경화 처리를 실시하는 것도 가능하고, 바람직하다.

＜실시예＞

그 다음, 본 발명의 효과를 더욱 명확하게 하기 위해서, 실시예 및 비교예에 대해 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.

〔반도체 가공용 테이프의 제작〕

(1) 기재 필름의 제작

＜기재 필름 1＞

라디칼 중합법에 의해 합성된 에틸렌-메타크릴산-메타크릴산에틸(질량비 8：1：1) 3원 공중합체의 아연 이오노머 a(밀도 0.96g/cm³, 아연 이온 함유량 4질량%, 염소 함유량 1질량% 미만, 비컷(Vicat) 연화점 56℃, 융점 86℃)의 수지 비즈를 140℃에서 용융하고, 압출기를 이용하여 두께 100㎛의 긴 필름 모양으로 성형함으로써, 기재 필름 1을 제작했다.

＜기재 필름 2＞

스티렌-물 첨가 이소프렌-스티렌 불록 공중합체(SEPS)(쿠라레사제, 「셉톤 KF-2104」) 와 호모프로필렌(PP)(우베코산사제, 「J-105G」)을 40:60으로 나타내는 배합비로 혼합하고, 2축 혼련기로 약 200℃에서 필름 압출 성형으로 가공하여 두께 100㎛의 기재 필름 2를 제작했다.

＜기재 필름 3＞

스티렌-물 첨가 이소프렌-스티렌 불록 공중합체(SEPS)(쿠라레사제, 「셉톤 KF-2104」) 와 호모프로필렌(PP)(우베코산사제, 「J-105G」)을 40:60으로 나타내는 배합비로 혼합하고, 압출기를 이용하여 두께 100㎛의 긴 필름 모양으로 성형함으로써, 기재 필름 3을 제작했다.

(2) 점착제 조성물의 조정

(a-1)

관능기를 가지는 아크릴계 공중합체(A1)로서 2-에틸헥실 아크릴레이트, 2-하이드록시 에틸아크릴레이트 및 메타크릴산으로 이루어지고, 2-에틸헥실 아크릴레이트의 비율이 55몰%, 질량 평균 분자량 75만의 공중합체를 조제했다. 그 다음, 요오드가가 30이 되도록, 2-이소시아네이트 에틸 메타크릴레이트를 첨가하여, 유리 전이 온도 -50℃, 수산기가 30mgKOH/g, 산가 5mgKOH/g의 아크릴계 공중합체(a-1)를 조제했다.

(a-2)

관능기를 가지는 아크릴계 공중합체(A1)로서 부틸아크릴레이트, 4-하이드록시 부틸아크릴레이트 및 메타크릴산으로 이루어지고, 부틸아크릴레이트의 비율이 60몰%, 질량 평균 분자량 50만의 공중합체를 조제했다. 그 다음, 요오드가가 30이 되도록, 2-이소시아네이트 에틸 메타크릴레이트를 첨가하여, 유리 전이 온도 -56℃, 수산기가 30mgKOH/g, 산가 5mgKOH/g의 아크릴계 공중합체(a-2)를 조제했다.

(3) 접착제 조성물의 조제

(b-1)

에폭시 수지 「1002」(미쓰비시 화학(주)제, 고형 비스페놀 A형 에폭시 수지, 에폭시 당량 600) 50질량부, 에폭시 수지 「806」(미쓰비시 화학(주)제 상품명, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 에폭시 당량 160, 비중 1.20) 100질량부, 경화제 「Dyhard100SF」(데그사제 상품명, 디시안 디아미드) 5질량부, 실리카 필러 「SO-C2」(아드마파인(주)제 상품명, 평균 입경 0.5㎛) 150질량부, 및 실리카 필러인 「아에로질 R972」(일본 아에로질(주)제 상품명, 1차 입경의 평균 입경 0.016㎛) 5질량부로 이루어지는 조성물에 MEK를 더하고, 교반 혼합하여 균일한 조성물로 했다.

여기에, 페녹시 수지 「PKHH」(INCHEM제 상품명, 질량 평균 분자량 52,000, 유리 전이 온도 92℃) 100질량부, 커플링제로서 「KBM-802」(신에츠 실리콘(주)제 상품명, 메르캅토 프로필 트리메톡시실란) 0.4질량부, 및 경화촉진제로서의 「큐아졸2 PHZ-PW」(시코쿠 가세이(주)제 상품명, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸 이미다졸, 분해 온도 230℃) 0.5질량부를 더하여, 균일하게 될 때까지 교반 혼합했다. 추가로 이것을 100메쉬의 필터로 여과하고, 진공 탈포함으로써, 접착제 조성물(b-1)의 니스를 얻었다.

(b-2)

에폭시 수지 「YX4000」(미쓰비시 화학(주)제, 비페닐 노볼락형 에폭시 수지, 에폭시 당량 185) 20.0질량부, 페놀 수지 「LF-6161」(DIC(주)제 상품명, 노볼락 페놀 수지, 수산기 당량 118) 50.0질량부, 에폭시 수지 「에피코트 828」(미쓰비시 화학(주)제 상품명, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 에폭시 당량 190) 45.0중량부, 실리카 필러인 「아에로질 R972」(일본 아에로질(주)제 상품명, 1차 입경의 평균 입경 0.016㎛) 5질량부로 이루어지는 조성물에 MEK를 더하고, 교반 혼합하여 균일한 조성물로 했다.

여기에, 관능기를 포함하는 중합체로서 글리시딜 아크릴레이트 또는 글리시딜 메타크릴레이트에 유래하는 모노머 단위를 포함하는 아크릴 공중합체(중량 평균 분자량 85만, Tg 12℃) 70질량부, 커플링제로서 「KBM-802」(신에츠 실리콘(주)제 상품명, 메르캅토 프로필 트리메톡시실란) 0.5질량부, 및 경화촉진제로서의 「큐아졸2 PHZ-PW」(시코쿠 가세이(주)제 상품명, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸 이미다졸, 분해 온도 230℃) 0.1질량부를 더하여, 균일하게 될 때까지 교반 혼합했다. 추가로 이것을 100메쉬의 필터로 여과하고, 진공 탈포함으로써, 접착제 조성물(b-2)의 니스를 얻었다.

(반도체 가공용 테이프의 조정)

아크릴계 공중합체(a-1) 100질량부에 대해서, 폴리이소시아네이트로서 P301-75E(아사히가세이 케미컬즈사제)를 3질량부 더하여, 광중합 개시제로서 Esacure KIP　150(Lamberti사제)을 3질량부 더한 혼합물을 초산에틸에 용해시키고, 교반하여 점착제 조성물을 조제했다.

그 다음, 이형 처리한 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 박리 라이너에, 이 점착제 조성물을 건조 후 두께가 10㎛가 되도록 도공하여, 110℃에서 2분간 건조시킨 후, 기재 필름(1)과 맞붙여서 기재 필름(1) 상에 점착제층이 형성된 점착 시트를 제작했다.

그 다음, 이형 처리한 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 박리 라이너에, 접착제 조성물(b-1)을 건조 후 두께가 20㎛가 되도록 도공하여, 130℃에서 3분간 건조시켜서, 박리 라이너 상에 접착제층이 형성된 접착 필름을 제작했다.

점착 시트를 링 프레임에 대해서 개구부를 가리도록 붙일 수 있는 것 같은 도 3 등에 나타낸 형상으로 재단했다. 또한, 접착 필름을, 웨이퍼 이면을 가릴 수 있는 것 같은 도 3 등에 나타낸 형상으로 재단했다. 그리고, 상기 점착 시트의 점착제층 측과 상기 접착 필름의 접착제층 측을, 도 3 등에 나타낸 것처럼 접착 필름의 주위에 점착제층(12)이 노출하는 부분이 형성되도록 맞붙여서 반도체 가공용 테이프 1을 제작했다.

아크릴계 공중합체, 점착제 조성물, 가교제, 및 접착제 조성물의 조합을 표 1에 기재한 조합으로 한 것 외에는 반도체 가공용 테이프 1과 동일한 방법으로 반도체 가공용 테이프 2~9를 제작했다.

＜실시예 1＞

회로 패턴이 형성된 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 첩합하고,

상기 웨이퍼의 분할 예정 부분에 레이저광을 조사하여, 상기 웨이퍼 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하며,

상기 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정을 실시하고,

상기 웨이퍼를 70~80℃로 가열한 상태에서, 상기 웨이퍼 이면에 상기 반도체 가공용 테이프의 접착제층을 첩합하며,

상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 표면 보호 테이프를 박리하고,

상기 반도체 가공용 테이프에 출력 200mJ/㎠로 자외선 조사 처리를 실시하며,

상기 반도체 가공용 테이프를 확장함으로써, 상기 웨이퍼와 상기 반도체 가공용 테이프의 상기 접착제층을 분단 라인을 따라서 분단하고, 상기 접착제층이 부착된 복수의 칩을 얻는 확장 공정을 실시하며,

상기 반도체 가공용 테이프의 상기 칩과 중첩되지 않는 부분(칩이 존재하는 영역과 링 프레임 사이의 둥근 고리 모양의 영역)을 100℃로 가열, 수축시킴으로써 확장 공정에서 발생한 헐거워짐을 제거하고, 상기 칩의 간격을 유지하는 공정을 행한 반도체 가공용 테이프에 대해서, 이하에 나타내는 물성의 평가를 실시했다. 또한, 칩 사이즈는 5㎜×5㎜이다.

＜수축률 평가＞

JIS 7162에 정해진 방법으로 테이프의 시험 조각에 500㎜/min으로 20% 늘인 상태에서 60초간 유지한다. 그 후, 시험기에서 시험 조각을 제거하고, 100℃ 온도로 10초간 가열하여 전후의 열 수축률을 측정했다.

또, 폭 방향, 길이 방향의 수축률에 대해서도 측정했다.

＜픽업성의 평가＞

반도체 칩을 반도체 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정을 실시하여, 픽업성을 평가했다.

구체적으로는, 임의의 칩 1000개에 대해서 다이스 피커 장치(캐논 머시너리 사제, 상품명 CAP-300 II)에 의한 픽업 시험을 실시하고, 점착제층으로부터 박리 한 접착제층이 유지되고 있는 것을 픽업이 성공한 것으로 픽업 성공율을 산출하여, 픽업성을 평가했다.

픽업 성공율이 100%인 것을 우량품으로 하여 「◎」,

98% 이상인 것을 양품으로 하여 「○」,

95% 이상 98% 미만인 것을 허용품으로 하여 「△」,

95% 미만인 것을 불량품으로 하여 「×」로 평가했는데, 픽업률이 100%를 나타냈다.

＜커프 폭의 균일성 평가＞

커프 폭의 균일성에 대해서는 다음과 같은 방법, 기준으로 평가했다.

12인치 웨이퍼에 있어서, 유효 칩(5㎜×5㎜)의 최상부, 최하부, 중앙부, 가장 왼쪽부, 가장 오른쪽부의 5점의 길이 방향 및 폭 방향의 커프 폭을 측정하여,

커프 폭의 균일성 = (5점 중에서 최소 측정값 - 평균값)/평균값의 수치가

-0.3 이상을 「◎」,

-0.5 이상 -0.3 미만을 「○」,

-0.7 이상 -0.5 미만을 「△」

-0.7 미만을 「×」로 평가했는데, 「◎」평가를 나타냈다.

<실시예 2>

반도체 가공 테이프 2에 있어서, 자외선 출력을 출력 30mJ/㎠로 변경한 것 외에는, 실시예 1과 동일한 처리를 하여 수축률, 픽업성을 평가했다.

<실시예 3>

반도체 가공 테이프 3에 있어서, 히트 세트 처리를 한 것 외에는, 실시예 1과 동일한 처리를 하여 수축률, 픽업성을 평가했다.

<실시예 4>

반도체 가공 테이프 4에 있어서, 실시예 1과 동일한 처리를 하여 수축률, 픽업성을 평가했다.

(비교예 1)

회로 패턴이 형성된 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 첩합하고,

상기 웨이퍼의 분할 예정 부분에 레이저광을 조사하여, 상기 웨이퍼 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하며,

상기 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정을 실시하고,

상기 웨이퍼를 70~80℃로 가열한 상태에서, 상기 웨이퍼 이면에 상기 반도체 가공용 테이프의 접착제층을 첩합하며,

상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 표면 보호 테이프를 박리하고,

상기 반도체 가공용 테이프(5)를 확장함으로써, 상기 웨이퍼와 상기 반도체 가공용 테이프의 상기 접착제층을 분단 라인을 따라서 분단하며, 상기 접착제층이 부착된 복수의 칩을 얻는 확장 공정을 실시하고,

상기 반도체 가공용 테이프(5)의 상기 칩과 중첩되지 않는 부분(칩이 존재하는 영역과 링 프레임 사이의 둥근 고리 모양 영역)을 120℃로 가열, 수축시킴으로써 확장 공정에서 발생한 느슨함을 제거하여 상기 칩 간격을 유지하는 공정을 실시하고,

상기 반도체 가공용 테이프 5에 출력 200 mJ/㎠로 자외선 조사 처리를 실시한 반도체 가공용 테이프 5에 대해서 실시예 1과 동일한 물성 평가 및 픽업성을 평가했다.

(비교예 2)

반도체 가공용 테이프 6에 대해서, 비교예 1과 동일한 처리를 하여 수축률, 픽업성을 평가했다.

(비교예 3)

반도체 가공용 테이프 7에 있어서, 자외선의 출력을 20mJ/㎠로 변경한 것 외에는 실시예 1과 동일한 처리를 하여 수축률, 픽업성을 평가했다.

(비교예 4)

반도체 가공용 테이프 8에 있어서, 경화제의 첨가량을 20질량부로 변경한 것 외에는 비교예 1과 동일한 처리를 하여 수축률, 픽업성을 평가했다.

(비교예 5)

반도체 가공용 테이프 9에 있어서, 온도 50℃에서 히트 세트 처리를 한 것 외에는, 비교예 1과 동일한 처리를 하여 수축률, 픽업성을 평가했다.

실시예 1~4, 비교예 1~5에서의 수축률, 픽업성, 커프 폭 균일성 평가를 표 2에 나타냈다.

[표 1]

[표 2]

＜평가 결과＞

표 2에 나타내듯이, 열 수축률이 0% 이상 20% 이하이고, 또 길이 방향의 열 수축률/폭 방향의 열 수축률 = 0.01 이상 100 이하를 만족시키는 실시예 1~5는 커프 폭이 충분하고 균일하게 넓어져서, 종래 기술에는 없는 양호한 픽업성을 나타내는 것이 분명해졌다.

한편, 상기 조건을 만족하지 않는 비교예 1~5는, 커프 폭이 좁거나, 혹은 균일하게 되지 않아, 픽업성이 뒤떨어지는 평가를 나타냈다.

10：반도체 가공용 테이프
11：기재 필름
12：점착제층
13：접착제층
14：표면 보호 테이프
15：보조 테이프
20：링 프레임
21：스테이지
22：압력 부재
25：히터 테이블
26：흡착 테이블
27：자외선(에너지선) 광원
28：가열 수축 영역
29：온풍 노즐
32：개질 영역
34：칩

Claims (8)

100℃에서 10초간 가열했을 때의 테이프의 길이 방향 및 폭 방향 쌍방의 열 수축률이 0% 이상 20% 이하이고, 또한
길이 방향의 열 수축률/폭 방향의 열 수축률 = 0.01 이상 100 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 테이프.
(수축률 = (가열 전 치수 - 가열 후 치수)/가열 전 치수 ×100(%)로 한다)

제1항에 있어서,
상기 반도체 가공용 테이프는,
(a) 회로 패턴이 형성된 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 첩합하는 공정과,
(b) 상기 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정과,
(c) 상기 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 웨이퍼 이면에 상기 반도체 가공용 테이프의 접착제층을 첩합하는 공정과,
(d) 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,
(e) 상기 웨이퍼의 분할 예정 부분에 레이저광을 조사하여, 상기 웨이퍼 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하는 공정과,
(f) 상기 반도체 가공용 테이프를 확장함으로써, 상기 웨이퍼와 상기 반도체 가공용 테이프의 상기 접착제층을 분단 라인을 따라 분단하여, 상기 접착제층이 부착된 복수의 칩을 얻는 확장 공정과,
(g) 확장 후의 상기 반도체 가공용 테이프에서, 상기 칩과 중첩되지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써, 상기 확장 공정에서 발생한 헐거워짐을 제거하여, 상기 칩의 간격을 유지하는 공정과,
(h) 상기 접착제층이 부착된 상기 칩을, 상기 반도체 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것을 특징으로 하는, 반도체 가공용 테이프.

제1항에 있어서,
상기 반도체 가공용 테이프는,
(a) 회로 패턴이 형성된 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 첩합하는 공정과,
(b) 상기 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정과,
(c) 상기 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 웨이퍼 이면에 상기 반도체 가공용 테이프의 접착제층을 첩합하는 공정과,
(d) 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,
(e) 상기 웨이퍼 표면의 분단 라인을 따라 레이저광을 조사하여, 상기 웨이퍼를 칩으로 분단하는 공정과,
(f) 상기 반도체 가공용 테이프를 확장함으로써, 상기 접착제층을 상기 칩 별로 분단하여, 상기 접착제층이 부착된 복수의 칩을 얻는 확장 공정과,
(g) 확장 후의 상기 반도체 가공용 테이프에서, 상기 칩과 중첩되지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써, 상기 확장 공정에서 발생한 헐거워짐을 제거하여, 상기 칩의 간격을 유지하는 공정과,
(h) 상기 접착제층이 부착된 상기 칩을 상기 반도체 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것을 특징으로 하는, 반도체 가공용 테이프.

제1항에 있어서,
상기 반도체 가공용 테이프는,
(a) 회로 패턴이 형성된 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 첩합하는 공정과,
(b) 상기 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정과,
(c) 상기 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 웨이퍼 이면에 상기 반도체 가공용 테이프의 접착제층을 첩합하는 공정과,
(d) 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,
(e) 다이싱 블레이드를 이용해서 상기 웨이퍼를 분단 라인을 따라 절삭하여, 칩으로 분단하는 공정과,
(f) 상기 반도체 가공용 테이프를 확장함으로써, 상기 접착제층을 상기 칩 별로 분단하여, 상기 접착제층이 부착된 복수의 칩을 얻는 확장 공정과,
(g) 확장 후의 상기 반도체 가공용 테이프에서, 상기 칩과 중첩되지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써, 상기 확장 공정에서 발생한 헐거워짐을 제거하여, 상기 칩의 간격을 유지하는 공정과,
(h) 상기 접착제층이 부착된 상기 칩을 상기 반도체 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것을 특징으로 하는, 반도체 가공용 테이프.

제1항에 있어서,
상기 반도체 가공용 테이프는,
(a) 회로 패턴이 형성된 웨이퍼 이면에 다이싱 테이프를 첩합하고, 다이싱 블레이드를 이용하여 분단 예정 라인을 따라서 상기 웨이퍼 두께 미만의 깊이까지 절삭하는 공정과,
(b) 상기 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 첩합하는 공정과,
(c) 상기 다이싱 테이프를 벗기고, 상기 웨이퍼 이면을 연삭하여 칩으로 분단하는 백그라인드 공정과,
(d) 상기 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 칩으로 분단된 상기 웨이퍼 이면에 상기 반도체 가공용 테이프의 접착제층을 첩합하는 공정과,
(e) 상기 칩으로 분단된 상기 웨이퍼 표면으로부터 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,
(f) 상기 반도체 가공용 테이프를 확장함으로써, 상기 접착제층을 상기 칩 별로 분단하여, 상기 접착제층이 부착된 복수의 칩을 얻는 확장 공정과,
(g) 확장 후의 상기 반도체 가공용 테이프에서, 상기 칩과 중첩되지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써 상기 확장 공정에서 발생한 헐거워짐을 제거하여, 상기 칩의 간격을 유지하는 공정과,
(h) 접착제층이 부착된 상기 칩을 상기 반도체 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것을 특징으로 하는, 반도체 가공용 테이프.

제1항에 있어서,
상기 반도체 가공용 테이프는,
(a) 회로 패턴이 형성된 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 첩합하는 공정과,
(b) 상기 웨이퍼의 분할 예정 부분에 레이저광을 조사하여, 상기 웨이퍼 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하는 공정과,
(c) 상기 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정과,
(d) 상기 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 웨이퍼 이면에 상기 반도체 가공용 테이프의 접착제층을 첩합하는 공정과,
(e) 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,
(f) 상기 반도체 가공용 테이프를 확장함으로써, 상기 웨이퍼와 상기 반도체 가공용 테이프의 상기 접착제층을 분단 라인을 따라 분단하여, 상기 접착제층이 부착된 복수의 칩을 얻는 확장 공정과,
(g) 확장 후의 상기 반도체 가공용 테이프에서, 상기 칩과 중첩되지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써 상기 확장 공정에서 발생한 헐거워짐을 제거하여, 상기 칩의 간격을 유지하는 공정과,
(h) 상기 접착제층이 부착된 상기 칩을 상기 반도체 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것을 특징으로 하는, 반도체 가공용 테이프.

제1항에 있어서,
길이 방향 및 폭 방향의 열 수축률 중 어느 하나가 0.1% 이상인 것을 특징으로 하는, 반도체 가공용 테이프.

제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 반도체 가공용 테이프를 이용하여 이루어지는 반도체 장치.

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