TW201702334A - 半導體加工用膠帶 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題係提供一種半導體加工用膠帶，其熱收縮率低且不管膠帶任何方向都會均勻地收縮，所以不產生皺紋，而且晶片位置不偏移且切口寬度為均勻地擴張。 解決手段上，本發明之半導體加工用膠帶其特徵在於：在100℃下加熱10秒鐘時膠帶長度方向及寬度方向二者的熱收縮率為0%以上且20%以下，並且，長度方向及寬度方向的熱收縮率任一者為0.1%以上時，長度方向的熱收縮率/寬度方向的熱收縮率=0.01以上且100以下；(收縮率=(加熱前的尺寸-加熱後的尺寸)/加熱前的尺寸×100(%))。

Description

半導體加工用膠帶 發明領域
本發明係有關於一種具有優異的拾取性之半導體加工用膠帶。
發明背景
以往，積體電路(IC：Integrated Circuit)等半導體裝置的製造步驟係實施以下步驟：背面研磨步驟，其係將晶圓背面進行磨削，用以使形成電路圖案後的晶圓薄膜化；切割步驟，其係在晶圓背面貼附具有黏著性及伸縮性之半導體加工用膠帶後，將晶圓分斷成晶片單元；擴展步驟，其係將半導體加工用膠帶進行擴張(expand)；拾取步驟，其係將被分斷的晶片進行拾取；及晶粒接合(裝配)步驟，其係將所拾取的晶片接著在引線框、封裝基板等(或者以堆疊封裝而言，係將晶片之間進行積層、接著)。
在上述背面研磨步驟，係使用表面保護膠帶，用以保護晶圓的電路圖案形成面(晶圓表面)避免受到污染。晶圓背面磨削結束後，在將該表面保護膠帶從晶圓表面剝離時，係將以下敘述的半導體加工用膠帶(切割．晶粒接合膠帶)貼合在晶圓背面之後，將半導體加工用膠帶側固定在吸 附台，對表面保護膠施行使對晶圓之接著力低落之處理後，將表面保護膠帶剝離。表面保護膠帶被剝離後的晶圓，係隨後在背面貼合有半導體加工用膠帶之狀態下，從吸附台被拿取且提供至其次的切割步驟。又，所謂使上述的接著力低落之處理，表面保護膠帶係由紫外線等的能量線硬化性成分所構成時為能量線照射處理，表面保護膠帶係由熱硬化性成分所構成時為加熱處理。
在上述背面研磨步驟之後的切割步驟~裝配步驟，係使用在基材薄膜上依照以下的順序層積黏著劑層及接著劑層而成之半導體加工用膠帶。通常，使用此種半導體加工用膠帶時，首先，係將半導體加工用膠帶的接著劑層貼合在晶圓背面而將晶圓固定，而且使用切割刀片將晶圓及接著劑層切割成為晶片單元。隨後，實施一使膠帶往晶圓的徑向擴張來擴大晶片彼此之間隔的擴展步驟。該擴展步驟係為了在隨後的拾取步驟，提高使用CCD攝影機等之晶片的辨識性，同時防止在將晶片拾取時由於鄰接晶片之間接觸而產生晶片破損而實施。隨後，晶片係在拾取步驟，與接著劑層同時從黏著劑層剝離而被拾取，而且在裝配(mount)裝配步驟直接被接著在引線框、封裝基板等。如此，藉由使用半導體加工用膠帶，因為能夠將附有接著劑層的晶片直接接著在引線框、封裝基板等，所以能夠省略接著劑的塗佈步驟和另外將晶粒接合薄膜接著在各晶片之步驟。
但是，在上述切割步驟，係如上述，因為係使用 切割刀片將晶圓與接著劑層一起切割，所以不僅是晶圓的切削屑，而且亦產生接著劑層的切削屑。而且，接著劑層的切削屑堵塞在晶圓的切割溝時，晶片之間黏著產生產生拾取不良等，而且有半導體裝置的製造產率低落之問題。
為了解決此種問題，便有人提出一方法，係在切割步驟使用刀片僅只切割晶圓，且在擴展步驟將半導體加工用膠帶擴張，藉此使接著劑層隨每個晶片一一分斷(例如，專利文獻1)。使用此種利用擴張時的張力而將接著劑層分斷之方法，不產生接著劑的切削屑且在拾取步驟亦不會造成不良影響。
又，近年來，作為晶圓的切斷方法，有提案揭示一種使用雷射加工裝置，能夠非接觸地將晶圓切斷之所謂隱形切割(Stealth dicing)法。例如作為隱形切割法，專利文獻2係揭示一種半導體基板的切斷方法，具備以下的步驟：使接著劑層(晶片接合樹脂層)介於之間，藉由使焦點光對準貼附有薄片之半導體基板的內部且照射雷射光，利用多光子吸收而在半導體基板的內部形成改質區域且將該改質區域設作切斷預定部之步驟；及藉由使該薄片擴張而沿著切斷預定部將半導體基板及接著劑層切斷之步驟。
又，作為使用雷射加工裝置之另外的晶圓切斷方法，例如專利文獻3係提案揭示一種晶圓的分割方法，包含以下的步驟：在晶圓背面安裝晶粒接合用接著劑層(接著薄膜)之步驟；在貼合有該接著劑層之晶圓的接著劑層側，貼合能夠伸長的保護黏著膠帶之步驟；從貼合有保護黏著膠 帶之晶圓表面沿著切割道(street)照射雷射光線且分割成為各個晶片之步驟；將保護黏著膠帶擴張且對接著劑層賦予拉伸力，而使接著劑層在每個晶片產生斷裂之步驟；及將貼合有斷裂後的接著劑層之晶片從保護黏著膠帶脫離之步驟。
使用該等專利文獻2及專利文獻3記載之晶圓的切斷方法時，因為藉由照射雷射光及膠帶的擴張而非接觸地將晶圓切斷，所以對晶圓的物理負荷較小，而且如目前主流在進行刀片切割時所產生的晶圓切削屑(碎屑)，係不會產生而能夠將晶圓切斷。又，因為藉由擴張而將接著劑層分斷，所以亦不產生接著劑層的切削屑。因此，作為能夠代替刀片切割之優異的技術而受到關注。
而且，為了防止因擴展後的鬆弛而無法保持各個晶片之間隔，專利文獻4係提案揭示一種方法，其係在分斷步驟後，將膠帶加熱使其收縮緊張，來保持晶片間之間隔(以下，「切口寬度(kerf width)」)之方法。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2007-5530號公報
專利文獻2：日本特開2003-338467號公報
專利文獻3：日本特開2004-273895號公報
專利文獻4：日本特開2011-216508號公報
發明概要
另一方面，熱收縮時，若熱收縮應力大，便要擴大至經擴展而擴大的切口寬度以上，所以只有熱收縮應力大的方向之切口寬度擴大至必要以上，如此，熱收縮應力小的方向之切口寬度會有變狹窄之情形。由於切口寬度狹窄而產生拾取不良。具體而言，長度方向的熱收縮率/寬度方向的熱收縮率之比值較大時，長度方向與寬度方向的差異變得太大，因此切口寬度不會均勻以致產生晶片位置偏移，在拾取時產生辨識不良，而且切口寬度太狹窄時，接著薄膜會再密著而產生拾取不良。又，長度方向的熱收縮率/寬度方向之熱收縮率為負值時，因為一方伸長而另一方收縮，所以切口寬度不均勻。
本申請發明，係提供一種半導體加工用膠帶，其在膠帶收縮步驟時，熱收縮率低且不管在膠帶任何方向都會均勻地收縮，所以不產生皺紋，而且晶片位置不偏移且切口寬度為均勻地擴張。
亦即本申請發明係有關於一種半導體加工用膠帶，其特徵在於：在100℃下加熱10秒鐘時膠帶的熱收縮率為0%以上且20%以下，並且，長度方向的熱收縮率/寬度方向的熱收縮率=0.01以上且100以下。
(又，收縮率=(加熱前的尺寸-加熱後的尺寸)/加熱前的尺寸×100(%))
又，有關於上述半導體加工用膠帶，其係被使用 在包含以下步驟之半導體裝置的製造方法中：(a)將表面保護膠帶貼合在形成有電路圖案之晶圓表面之步驟；(b)磨削前述晶圓背面之背面研磨步驟；(c)在前述晶圓經加熱的狀態下，將前述半導體加工用膠帶的接著劑層貼合在前述晶圓背面之步驟；(d)將前述表面保護膠帶從前述晶圓表面剝離之步驟；(e)對前述晶圓的分割預定部分照射雷射光，利用多光子吸收在前述晶圓內部形成改質區域之步驟；(f)藉由擴張前述半導體加工用膠帶，使前述晶圓與前述半導體加工用膠帶的前述接著劑層沿著分斷線分斷而得到附有前述接著劑層之複數個晶片之擴展步驟；(g)在擴張後的前述半導體加工用膠帶，藉由使未與前述晶片重疊的部分加熱收縮，來除去在前述擴展步驟所產生的鬆弛且保持前述晶片之間隔之步驟；(h)從前述半導體加工用膠帶的黏著劑層拾取附有前述接著劑層的前述晶片之步驟。
又，有關於上述半導體加工用膠帶，其係被使用在包含以下步驟之半導體裝置的製造方法中：(a)將表面保護膠帶貼合在形成有電路圖案之晶圓表面之步驟；(b)磨削前述晶圓背面之背面研磨步驟；(c)在前述晶圓經加熱的狀態下，將前述半導體加工用膠帶的接著劑層貼合在前述晶圓背面之步驟； (d)將前述表面保護膠帶從前述晶圓表面剝離之步驟；(e)沿著前述晶圓表面的分斷線照射雷射光，使前述晶圓分斷成晶片之步驟；(f)藉由擴張前述半導體加工用膠帶，使前述接著劑層隨前述每個晶片分斷而得到附有前述接著劑層的複數個晶片之擴展步驟；(g)在擴張後的前述半導體加工用膠帶，藉由使未與前述晶片重疊的部分加熱收縮，來除去在前述擴展步驟所產生的鬆弛且保持前述晶片之間隔之步驟；(h)從前述半導體加工用膠帶的黏著劑層拾取附有前述接著劑層的前述晶片之步驟。
又，有關於上述半導體加工用膠帶，其係被使用在包含以下步驟之半導體裝置的製造方法中：(a)將表面保護膠帶貼合在形成有電路圖案之晶圓表面之步驟；(b)磨削前述晶圓背面之背面研磨步驟；(c)在前述晶圓經加熱的狀態下，將前述半導體加工用膠帶的接著劑層貼合在前述晶圓背面之步驟；(d)將前述表面保護膠帶從前述晶圓表面剝離之步驟；(e)使用切割刀片，沿著分斷線將前述晶圓切削分斷成晶片之步驟；(f)藉由擴張前述半導體加工用膠帶，使前述接著劑層隨前述每個晶片分斷而得到附有前述接著劑層的複數個晶片之擴展步驟； (g)在擴張後的前述半導體加工用膠帶，藉由使未與前述晶片重疊的部分加熱收縮，來除去在前述擴展步驟所產生的鬆弛且保持前述晶片之間隔之步驟；(h)從前述半導體加工用膠帶的黏著劑層拾取附有前述接著劑層的前述晶片之步驟。
又，有關於上述半導體加工用膠帶，其係被使用在包含以下步驟之半導體裝置的製造方法中：(a)將切割膠帶貼合在形成有電路圖案之晶圓背面，並使用切割刀片沿著分斷預定線切削至小於前述晶圓厚度的深度為止之步驟；(b)將表面保護膠帶貼合在前述晶圓表面之步驟；(c)將前述切割膠帶剝下，並磨削前述晶圓背面而分斷成晶片之背面研磨步驟；(d)在前述晶圓經加熱的狀態下，將前述半導體加工用膠帶的接著劑層貼合在被分斷成前述晶片之前述晶圓背面之步驟；(e)將表面保護膠帶從被分斷成前述晶片之前述晶圓表面剝離之步驟；(f)藉由擴張前述半導體加工用膠帶，使前述接著劑層隨前述每個晶片分斷而得到附有前述接著劑層的複數個晶片之擴展步驟；(g)在擴張後的前述半導體加工用膠帶，藉由使未與前述晶片重疊的部分加熱收縮，來除去在前述擴展步驟所產生的鬆弛且保持前述晶片之間隔之步驟； (h)從前述半導體加工用膠帶的黏著劑層拾取附有接著劑層的前述晶片之步驟。又，有關於上述半導體加工用膠帶，其係被使用在包含以下步驟之半導體裝置的製造方法中：(a)將表面保護膠帶貼合在形成有電路圖案之晶圓表面之步驟；(b)對前述晶圓的分割預定部分照射雷射光，利用多光子吸收在前述晶圓內部形成改質區域之步驟；(c)磨削前述晶圓背面之背面研磨步驟；(d)在前述晶圓經加熱的狀態下，將前述半導體加工用膠帶的接著劑層貼合在前述晶圓背面之步驟；(e)將前述表面保護膠帶從前述晶圓表面剝離之步驟；(f)藉由擴張前述半導體加工用膠帶，使前述晶圓與前述半導體加工用膠帶的前述接著劑層沿著分斷線分斷而得到附有前述接著劑層之複數個晶片之擴展步驟；(g)在擴張後的前述半導體加工用膠帶，藉由使未與前述晶片重疊的部分加熱收縮，來除去在前述擴展步驟所產生的鬆弛且保持前述晶片之間隔之步驟；(h)從前述半導體加工用膠帶的黏著劑層拾取附有接著劑層的前述晶片之步驟。
而且，本申請發明係有關於一種上述半導體加工用膠帶，其長度方向及寬度方向的熱收縮率任一者為0.1%以上。
進而，本申請發明係有關於一種半導體裝置，其係使用 上述半導體加工用膠帶而成。
藉由使用本申請發明所提供之半導體加工用膠帶，切口寬度不會產生變化而是均勻地擴張，所以能夠得到晶片位置不偏移且不產生拾取不良之可靠性較高的半導體元件。
10‧‧‧半導體加工用膠帶
11‧‧‧基材薄膜
12‧‧‧黏著劑層
13‧‧‧接著劑層
14‧‧‧表面保護膠帶
15‧‧‧輔助膠帶
20‧‧‧環狀框
21‧‧‧載物台
22‧‧‧上推構件
25‧‧‧加熱器機台
26‧‧‧吸附台
27‧‧‧紫外線(能量線)光源
28‧‧‧加熱收縮區域
29‧‧‧溫風噴嘴
32‧‧‧改質區域
34‧‧‧晶片
W‧‧‧晶圓
圖1係示意性地顯示本發明實施形態之半導體加工用膠帶的構造之剖面圖。
圖2係顯示在晶圓貼合表面保護膠帶後的狀態之剖面圖。
圖3係用以說明在本發明實施形態之半導體加工用膠帶貼合晶圓及環狀框(ring frame)的步驟之剖面圖。
圖4係說明將表面保護膠帶從晶圓表面剝離的步驟之剖面圖。
圖5係顯示藉由雷射加工在晶圓形成改質區域後的情形之剖面圖。
圖6(a)顯示在本發明實施形態之半導體加工用膠帶搭載於擴展裝置後的狀態之剖面圖。(b)係顯示藉由半導體加工用膠帶的擴張將晶圓分斷成晶片的過程之剖面圖。(c)係顯示擴張後的半導體加工用膠帶、接著劑層及晶片之剖面圖。
圖7係用以說明熱收縮步驟之剖面圖。
用以實施發明之形態
<半導體加工用膠帶>
圖1係顯示本發明的實施形態之半導體加工用膠帶10之剖面圖。本發明的半導體加工用膠帶10係用以在藉由擴展將晶圓分斷成晶片時使接著劑層13沿著晶片被分斷者。該半導體加工用膠帶10係具有：由基材薄膜11及設置在基材薄膜11上之黏著劑層12所構成之黏著膠帶15；及設置在黏著劑層12上之接著劑層13；晶圓背面係被貼合在接著劑層13上。又，各自的層，亦可配合使用步驟和裝置而切斷(預切割)成為預先預定形狀。而且，本發明的半導體加工用膠帶10，亦可以是被切斷成為每1片晶圓份量之形態；亦可以是將形成有複數個被切斷成為每1片晶圓份量者之長條薄片，捲取成為捲物狀之形態。
本申請發明的半導體加工用膠帶，必須滿足在100℃下加熱10秒鐘時膠帶的熱收縮率為0%以上且20%以下，而且長度方向的熱收縮率/寬度方向的熱收縮率=0.01以上且100以下。
(收縮率=(加熱前的尺寸-加熱後的尺寸)/加熱前的尺寸×100(%))
具體而言，係依據JIS7162規定的方法，在對膠帶的試片賦予500mm/min且20%的伸長應變之狀態下保持60秒鐘。隨後，將試片從試驗機卸下且在100℃的溫度下加熱10秒鐘，測定加熱前後的熱收縮率。
滿足在100℃下加熱10秒鐘時的膠帶熱收縮率為 0%以上且20%以下，並且長度方向的熱收縮率/寬度方向的熱收縮率=0.01以上且100以下的條件，係意味著熱收縮較小且切口寬度不管在膠帶的任何方向都均勻地收縮。因而，不產生皺紋且晶片位置不偏移，而能夠達成良好地進行拾取之顯著的效果。
長度方向的熱收縮率/寬度方向的熱收縮率之值大於100時、或小於0.01時，因為長度方向與寬度方向的差異變為太大，致使切口寬度變為不均勻且產生晶片位置偏移，在拾取時產生辨識不良，而且切口寬度太狹窄時，接著薄膜再密著且產生拾取不良。又，長度方向的熱收縮率/寬度方向之熱收縮率為負值時，亦是由於一方為伸長而另一方收縮，所以切口寬度不均勻。
熱收縮率大於20%時收縮率太大，因此欲將切口寬度擴張至經擴展而被擴大的切口寬度以上之結果，會容易在膠帶產生皺紋以致產生晶片位置偏移。
又，長度方向及寬度方向的熱收縮率二者為0%以上且小於0.1%時亦沒有問題，但是長度方向及寬度方向的熱收縮率任一者為0.1%以上時，收縮進展而較佳。
將導體膠帶的物性調節在該範圍內之方法，係存在各種方法，可藉由在進行擴展處理前進行能量線硬化處理的方法、或者進行習知的雙軸擠製法、熱固定處理等而適當地調整。
以下，說明半導體加工用膠帶各層的構成。
<基材薄膜>
就晶圓在擴展步驟能夠在全方向沒有偏差地切斷而言，基材薄膜11係以均勻且各向同性的擴張性為佳，針對其材質係不被限定。通常相較於非交聯樹脂，交聯樹脂係對拉伸之復原力較大，對擴展步驟後被拉伸後的狀態施加熱量時之收縮應力較大。因而，其在藉由加熱收縮除去擴展步驟後在膠帶所產生的鬆弛使膠帶緊繃而安定地保持各個晶片的間隔之熱收縮步驟上，乃是優異的。交聯樹脂之中，以熱可塑性交聯樹脂為較適合使用。另一方面，相較於交聯樹脂，非交聯樹脂對於拉伸之復原力較小。因而，其優異之處便在於在如-15℃~0℃的低溫區域之擴展步驟後會暫時鬆弛，且返回常溫後在面對拾取步驟、裝配步驟時膠帶不容易產生收縮，故能防止附著在晶片的接著劑層之間產生接觸。非交聯樹脂之中，以烯烴系的非交聯樹脂為較適合使用。
作為此種熱可塑性交聯樹脂，例如能夠例示將以乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷酯作為主要聚合物構成成分之三元共聚物，使用金屬離子進行交聯而成之離子聚合物樹脂。就均勻擴張性方面而言，該等係適合於擴展步驟，而且就藉由交聯而在加熱時產生強大的復原力之作用而言，乃是特別適合。在上述離子聚合物樹脂所含有的金屬離子係沒有特別限定，可舉出鋅、鈉等，從溶出性較低且低污染性方面而言，以鋅離子為佳。在上述三元共聚物的(甲基)丙烯酸烷酯，就對彈性模數較高的晶圓能夠傳播較強的力量而言，係以碳數 1~4的烷基為佳。作為此種(甲基)丙烯酸烷酯，可舉出甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯等。
又，作為上述的熱可塑性交聯樹脂，除了上述離子聚合物樹脂以外，藉由對選自比重0.910以上至小於0.930的低密度聚乙烯、或比重小於0.910的超低密度聚乙烯、以及乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之樹脂，照射電子射線等的能量線使其交聯而成者亦適合。因為此種熱可塑性交聯樹脂之交聯部位及非交聯部位係在樹脂中共存，所以具有一定的均勻擴張性。又，因為加熱時強的復原力產生作用，就除去在擴展步驟所產生的膠帶鬆弛而言，亦是適合的，因為在分子鏈的構成中幾乎不含有氯，所以即便使用後將不需要的膠帶進行焚燒處理，因為不產生戴奧辛(dioxin)和其類似物(analog)之氯化芳香族烴，所以環境負荷亦較小。藉由適當地調整對上述聚乙烯和乙烯-乙酸乙烯酯共聚物照射的能量線之量，而能夠得到具有充分的均勻擴張性之樹脂。
又，作為非交聯樹脂，例如可例示聚丙烯與苯乙烯-丁二烯共聚物之混合樹脂組成物。
作為聚丙烯，例如能夠使用丙烯的同元聚合物、或嵌段型或是無規型丙烯-乙烯共聚物。無規型丙烯-乙烯共聚物之剛性較小，乃是較佳。丙烯-乙烯共聚物中的乙烯結構單元的含有率為0.1重量%以上時，就膠帶的剛性、混合樹脂組成物中的樹脂之間的相溶性較高而言，乃是優異 的。膠帶的剛性為適當時晶圓的切斷性提升，樹脂之間的相溶性較高時，擠製吐出量容易安定化。較佳為1重量%以上。又，丙烯-乙烯共聚物中的乙烯結構單元之含有率為7重量%以下時，就聚丙烯容易穩定地聚合而言，乃是優異的。較佳為5重量%以下。
作為苯乙烯-丁二烯共聚物，亦可使用氫化物。苯乙烯-丁二烯共聚物被氫化時，與丙烯的相溶性良好，而且能夠防止源自丁二烯中的雙鍵產生氧化劣化引起的脆化、變色。又，苯乙烯-丁二烯共聚物中的苯乙烯結構單元的含有率為5重量%以上時，就苯乙烯-丁二烯共聚物容易穩定地聚合而言，乃是較佳。又，40重量%以下時，就柔軟且擴張性而言，乃是優異的。較佳為25重量%以下，更佳為15重量%以下。作為苯乙烯-丁二烯共聚物，係嵌段型共聚物或無規型共聚物的任一種均能夠使用。因為苯乙烯相係均勻地分散，能夠抑制剛性變為太大且擴張性提升，以無規型共聚物為佳。
混合樹脂組成物中在之聚丙烯的含有率為30重量%以上時，就能夠抑制基材薄膜的厚度不均而言，乃是優異的。厚度均勻時，擴張性容易等向化，又，容易防止基材薄膜的應力緩和性變為太大致使晶片間距離經時地變小且接著劑層之間產生接觸而再熔接。較佳為50重量%以上。又，聚丙烯的含有率為90重量%以下時，容易適當地調整基材薄膜的剛性。基材薄膜的剛性太大時，用以擴張基材薄膜所需的力量變大，所以裝置的負荷變大，對於晶 圓和接著劑層13之分斷就有無法充分擴展之情形，因此適當地調整甚為重要。混合樹脂組成物中的苯乙烯-丁二烯共聚物之含有率的下限，係以10重量%以上為佳，容易調整成為適合裝置之基材薄膜的剛性。上限為70重量%以下時，就能夠抑制厚度不均而言，乃是優異的，以50重量%以下為較佳。
又，在圖1所顯示的例子，基材薄膜11為單層，但是不被此限定，亦可為使2種以上的樹脂層積而成之複數層結構，亦可為使1種類樹脂層積2層以上。從進一步増強而顯現各自的特性之觀點而言，以將2種以上的樹脂之交聯性或非交聯性統一為佳，就補充各自的缺點而言，係以使交聯性或非交聯性組合而層積後的情況為佳。基材薄膜11的厚度沒有特別規定，只要具有在半導體加工用膠帶10的擴展步驟中容易拉伸且不斷裂程度之充分強度即可。例如以50~300μm左右為佳，以70μm~200μm為較佳。
作為複數層的基材薄膜11之製造方法，能夠使用先前習知的擠製法、層疊法等。使用層疊法時，亦可使接著劑介於層之間。作為接著劑，亦能夠使用先前習知的接著劑。
<黏著劑層>
黏著劑層12係能夠在基材薄膜11塗佈黏著劑組成物而形成。
構成本發明的半導體加工用膠帶10之黏著劑層12，係具有在切割時不與接著劑層13產生剝離且不產生晶片飛散等 不良的程度之保持性、和在拾取時容易與接著劑層13產生剝離之特性即可。
在本發明的半導體加工用膠帶10，構成黏著劑層12之黏著劑組成物的構成係不被限定，為了使切割後的拾取性提升，係以能量線硬化性者為佳，以硬化後容易與接著劑層13剝離的材料為佳。作為一態樣，係在黏著劑組成物中，就基質樹脂而言，可例示具有聚合物(A)者，該聚合物(A)係含有60莫耳%以上之具有碳數為6~12的烷基鏈之(甲基)丙烯酸酯，而且具有碘價5~30的能量線硬化性碳-碳雙鍵。又，在此，所謂能量線，係指如紫外線之光線、或電子射線等的電離性放射線。
在此種聚合物(A)，能量線硬化性碳-碳雙鍵的導入量為碘價5以上時，就能量線照射後的黏著力減低效果較高而言，乃是優異的。較佳為10以上。又，碘價為30以下時，就能量線照射後至被拾取為止之晶片的保持力較高，而且在即將拾取步驟之前的擴張時容易擴大晶片之間隙而言，乃是優異的。在拾取步驟前能夠充分地擴張晶片之間隙時，因為拾取時容易辨識各晶片的影像，或是容易拾取，乃是較佳。又，碳-碳雙鍵的導入量為碘價5以上且30以下時，因為聚合物(A)本身具有安定性且容易製造，乃是較佳。
而且，聚合物(A)之玻璃轉移溫度為-70℃以上時，就對於伴隨著能量線照射而產生的熱量之耐熱性而言，乃是優異的，較佳為-66℃以上。又，為15℃以下時，就防止表面狀態較粗糙的晶圓切割後產生晶片飛散之效果 而言，乃是優異的，在較佳為0℃以下，更佳為-28℃以下。
上述的聚合物(A)係如何進行而製成均可以，例如能夠使用將丙烯酸系共聚物與具有能量線硬化性碳-碳雙鍵之化合物混合而得到者；使含有具有官能基之丙烯酸系共聚物或官能基之甲基丙烯酸系共聚物(A1)、與具有能夠其官能基反應之官能基且具有能量線硬化性碳-碳雙鍵之化合物(A2)反應而得到者。
其中，作為具有上述官能基之甲基丙烯酸系共聚物(A1)，可例示使具有丙烯酸烷酯或甲基丙烯酸烷酯等的碳-碳雙鍵之單體(A1-1)、與具有碳-碳雙鍵且具有官能基之單體(A1-2)共聚合而得到者。作為單體(A1-1)，能夠列舉具有碳數6~12的烷基鏈之丙烯酸己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸十二酯、丙烯酸癸酯、或烷基鏈的碳數為5以下的單體之丙烯酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯、或與該等同樣的甲基丙烯酸酯等。
又，在單體(A1-1)之烷基鏈的碳數為6以上的成分，因為能夠減小黏著劑層與接著劑層的剝離力，就拾取性就而言，乃是優異的。又，12以下的成分，在室溫的彈性模數較低，就黏著劑層與接著劑層的界面之接著力而言，乃是優異的。黏著劑層與接著劑層的界面之接著力較高時，在將膠帶擴張而切斷晶圓時，因為能夠抑制黏著劑層與接著劑層的界面偏移且提升切斷性，乃是較佳。
而且，作為單體(A1-1)，因為使用烷基鏈的碳數 越大的單體，玻璃轉移溫度係變成越低，所以藉由適當地選擇，能夠調製具有所需要的玻璃轉移溫度之黏著劑組成物。又，為了提升玻璃轉移溫度、以及相溶性等的各種性能之目的，亦能夠調配乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等具有碳-碳雙鍵的低分子化合物。此時，該等低分子化合物，係設作在單體(A1-1)的總質量之5質量%以下的範圍內調配。
另一方面，作為單體(A1-2)所具有之官能基，能夠舉出羧基、羥基、胺基、環狀酸酐基、環氧基、異氰酸酯基等，作為單體(A1-2)的具體例，能夠列舉丙烯酸、甲基丙烯酸、桂皮酸、伊康酸、反丁烯二酸、酞酸、丙烯酸2氫基烷酯類、甲基丙烯酸2-羥基烷酯類、二醇一丙烯酸酯類、二醇一甲基丙烯酸酯類、N-羥甲基丙烯醯胺、N-羥甲基甲基丙烯醯胺、烯丙醇、丙烯酸N-烷胺基乙酯類、甲基丙烯酸N-烷胺基乙酯、丙烯醯胺類、甲基丙烯醯胺類、順丁烯二酸酐、無水伊康酸、反丁烯二酸酐、酞酸酐、丙烯酸環氧丙酯、甲基丙烯酸環氧丙酯、烯丙基環氧丙基醚等。
而且，在化合物(A2)，作為所使用的官能基，(A1)所具有的官能基為羧基或環狀酸酐基的情況，能夠舉出羥基、環氧基、異氰酸酯基等，羥基的情況，能夠舉出環狀酸酐基、異氰酸酯基等，胺基的情況，能夠舉出環氧基、異氰酸酯基等，環氧基的情況，能夠舉出羧基、環狀酸酐基、胺基等，作為具體例，能夠列舉在單體(A1-2)的具體例已列舉者同樣物。又，作為化合物(A2)，亦能夠使用將聚 異氰酸酯化合物的異氰酸酯基的一部分，使用具有羥基或羧基及能量線硬化性碳-碳雙鍵之單體進行胺甲酸酯化而成者。
又，在化合物(A1)與化合物(A2)的反應，藉由殘留未反應的官能基，能夠製造與酸價或羥值等的特性有關之所需要物。聚合物(A)係以羥值成為5~100的方式殘留OH基時，藉由減少能量線照射後的黏著力，而能夠進一步減低拾取失敗的危險性。
而且，以聚合物(A)的酸價成為0.5~30的方式殘留COOH基時，使本發明的半導體加工用膠帶擴張後，能夠得到黏著劑層復原後的改善效果，乃是較佳。聚合物(A)的羥值為5以上時，就能量線照射後之黏著力的減低效果而言，乃是優異的；100以下時，就能量線照射後之黏著劑的流動性而言，乃是優異的。又，酸價為0.5以上時，就膠帶復原性而言，乃是優異的；30以下時，就黏著劑的流動性而言，乃是優異的。
在上述聚合物(A)的合成，作為在溶液聚合進行反應時之有機溶劑，能夠使用酮系、酯系、醇系、芳香族系者，尤其是以甲苯、乙酸乙酯、異丙醇、苯甲基賽路蘇、乙基賽路蘇、丙酮、甲基乙基酮等通常丙烯酸系聚合物的良溶劑且沸點60~120℃的溶劑為佳，作為聚合起始劑，通常使用α,α’-偶氮雙異丁腈等的偶氮雙系、過氧化苯甲醯等的有機過氧化物系等的自由基產生劑。此時，能夠按照必要而併用觸媒、聚合抑制劑，藉由調節聚合溫度及聚合時 間，能夠得到所需要分子量的聚合物(A)。又，有關調節分子量，係以使用硫醇、四氯化碳系等習知的溶劑和鏈轉移劑為佳。又，該反應係不被溶液聚合限定，亦可為塊狀聚合、懸浮聚合等另外的方法。
如以上進行而能夠得到聚合物(A)，在本發明，使聚合物(A)的分子量成為30萬以上時，就提高凝聚力而言，乃是優異的。若凝聚力高，便具有會在擴展時抑制在與接著劑層的界面產生偏移之效果，且拉伸力容易傳送至接著劑層，就提升接著劑層的分割性而言，乃是較佳。使聚合物(A)的分子量為200萬以下時，就抑制合成時及塗佈時的凝膠化而言，乃是優異的。又，所謂本發明之分子量，係指聚苯乙烯換算的質量平均分子量。
又，本發明的半導體加工用膠帶10，構成黏著劑層12之樹脂組成物，係除了聚合物(A)以外，亦可進一步具有作為交聯劑的作用之化合物(B)。例如，可舉出聚異氰酸酯類、三聚氰胺．甲醛樹脂、及環氧樹脂，該等能夠單獨或組合2種類以上而使用。該化合物(B)係與聚合物(A)或基材薄膜反應，其結果能夠藉由交聯結構，而在黏著劑組成物塗佈後，能夠提升以聚合物(A)及(B)作為主成分之黏著劑的凝聚力。
作為聚異氰酸酯類，係沒有特別限制，例如能夠舉出4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、4,4’-二苯基醚二異氰酸酯、4,4’-[2,2-雙(4-苯氧基苯基)丙烷]二異氰酸酯等的芳香族異氰酸酯、六 亞甲基二異氰酸酯、2,2,4-三甲基-六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、4,4’-二環己基甲烷二異氰酸酯、2,4’-二環己基甲烷二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯、離胺酸三異氰酸酯等，具體而言係能夠使用CORONATE L(日本POLYURETHANE股份公司製、商品名)等。作為三聚氰胺．甲醛樹脂，具體而言係能夠使用Nikalac MX-45(三和CHEMICAL股份公司製、商品名)、Melan(日立化成工業股份公司製、商品名)等。作為環氧樹脂，係能夠使用TETRAD-X(三菱化學股份公司製、商品名)等。在本發明，以使用聚異氰酸酯類為特佳。
相對於聚合物(A)100質量份，使化合物(B)的添加量成為0.1質量份以上之黏著劑層，就凝聚力而言，乃是優異的。較佳為0.5質量份以上。又，設作15質量份以下的黏著劑層，就抑制塗佈時急遽的凝膠化而言，乃是優異的，而且黏著劑的調配、塗佈等的作業性變為良好。較佳為5質量份以下。
又，在本發明，黏著劑層12亦可含有光聚合起始劑(C)。在黏著劑層12所含有的光聚合起始劑(C)係沒有特別限制，能夠使用先前已知者。例如能夠舉出二苯基酮、4,4’-二甲胺基二苯基酮、4,4’-二乙胺基二苯基酮、4,4’-二氯二苯基酮等的二苯基酮類、苯乙酮、二乙氧基苯乙酮等的苯乙酮類、2-乙基蒽醌、第三丁基蒽醌等的蒽醌類、2-氯9-氧硫、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、二苯基乙二酮(benzil)、2,4,5-三芳基咪唑二聚物(咯吩二聚物)、吖啶系化 合物等，該等係能夠單獨或組合2種類以上而使用。作為光聚合起始劑(C)的添加量，相對於聚合物(A)100質量份，以調配0.1質量份以上為佳，以0.5質量份以上為較佳。又，其上限係以10質量份以下為佳，以5質量份以下為較佳。
而且在本發明所使用的能量線硬化性黏著劑，係能夠按照必要而調配黏著賦予劑、黏著調製劑、界面活性劑等、或其它的改質劑等。又，亦可適當地添加無機化合物填料。
黏著劑層12係能夠利用先前的黏著劑層之形成方法而形成。例如能夠藉由將上述黏著劑組成物塗佈在基材薄膜11的預定面而形成之方法；和藉由將上述黏著劑組成物塗佈在、隔離膜(例如塗佈有脫模劑之塑膠製薄膜或薄片等)上而形成黏著劑層12之後，將該黏著劑層12轉印至基材的預定面之方法；在基材薄膜11上形成黏著劑層12。又，黏著劑層12可具有單層的形態，亦可具有被層積而成之形態。
作為黏著劑層12的厚度沒有特別限制，厚度為2μm以上時，就黏性力而言，乃是優異的，以5μm以上為較佳。20μm以下時，具有優異的拾取性，以15μm以下為較佳。
<接著劑層>
在本發明的半導體加工用膠帶10，接著劑層13係貼合晶圓，在切割之後，將晶片拾取時，係從黏著劑層12剝離而附著在晶片。而且，在將晶片固定在基板和引線框時係被使用作為接著劑。
接著劑層13係沒有特別限定，只要是在晶圓通常被使用的薄膜狀接著劑即可，例如可舉出含有熱可塑性樹脂及熱聚合性成分而成者。本發明的接著劑層13所使用的上述熱可塑性樹脂，係以具有熱可塑性之樹脂、或是在未硬化狀態具有熱可塑性且加熱後形成交聯結構之樹脂為佳，沒有特別限制，作為一態樣，可舉出重量平均分子量為5000~200,000且玻璃轉移溫度為0~150℃之熱可塑性樹脂。又，作為另外的態樣，可舉出重量平均分子量為100,000~1,000,000且玻璃轉移溫度為-50~20℃之熱可塑性樹脂。
作為前者的熱可塑性樹脂，例如可舉出聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚酯醯亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯硫(polyphenylene sulfide)樹脂、聚醚酮樹脂等，尤其是以使用聚醯亞胺樹脂、苯氧基樹脂為佳，作為後者的熱可塑性樹脂，係以使用含有官能基之聚合物為佳。
聚醯亞胺樹脂，係能夠使用習知的方法使四羧酸二酐與二胺縮合反應而得到。亦即，在有機溶劑中，將四羧酸二酐與二胺使用等莫耳或大致等莫耳使用(各成分的添加順序係任意)，在反應溫度80℃以下、較佳為0~60℃使其加成反應。隨著反應進行，反應液的黏度慢慢地上升且生成聚醯亞胺的前驅物之聚醯胺酸。該聚醯胺酸亦能夠藉由在50~80℃的溫度下加熱而解聚合來調整其分子量。聚醯亞胺樹脂係能夠使上述反應物(聚醯胺酸)脫水閉環而得 到。脫水閉環係能夠藉由使用加熱處理之熱閉環法、使用脫水劑之化學閉環法來進行。
就使用作為聚醯亞胺樹脂的原料之四羧酸二酐而言，係沒有特別限制，例如能夠使用1,2-(伸乙基)雙(偏苯三酸酐(trimellitate anhydride))、1,3-(三亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,4-(四亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,5-(五亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,6-(六亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,7-(七亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,8-(八亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,9-(九亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,10-(十亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,12-(十二亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,16-(十六亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,18-(十八亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、焦蜜石酸二酐、3,3’、4,4’-聯苯基四羧酸二酐、2,2’、3,3’-聯苯基四羧酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧苯基)丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧苯基)丙烷二酐、1,1-雙(2,3-二羧苯基)乙烷二酐、1,1-雙(3,4-二羧苯基)乙烷二酐、雙(2,3-二羧苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧苯基)碸二酐、3,4,9,10-苝四羧酸二酐、雙(3,4-二羧苯基)醚二酐、苯-1,2,3,4-四羧酸二酐、3,4,3’,4’-二苯基酮四羧酸二酐、2,3,2’,3’-二苯基酮四羧酸二酐、3,3,3’,4’-二苯基酮四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,2,4,5-萘四羧酸二酐、2,6-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,7-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,3,6,7-四氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、菲-1,8,9,10-四羧酸二酐、吡嗪-2,3,5,6-四羧酸二酐、噻吩-2,3,5,6-四羧酸二酐、2,3,3’,4’-聯苯基四羧酸二酐、 3,4,3’,4’-聯苯基四羧酸二酐、2,3,2’,3’-聯苯基四羧酸二酐、雙(3,4-二羧苯基)二甲基矽烷二酐、雙(3,4-二羧苯基)甲基苯基矽烷二酐、雙(3,4-二羧苯基)二苯基矽烷二酐、1,4-雙(3,4-二羧苯基二甲基矽烷基)苯二酐、1,3-雙(3,4-二羧苯基)-1,1,3,3-四甲基二環己烷二酐、對伸苯基雙(偏苯三酸酐)、伸乙基四羧酸二酐、1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐、四氫萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氫萘-1,2,5,6-四羧酸二酐、環戊烷-1,2,3,4-四羧酸二酐、吡咯啶-2,3,4,5-四羧酸二酐、1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、雙(外型-雙環[2,2,1]庚烷-2,3-二羧酸二酐、雙環-[2,2,2]-辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧苯基)六氟丙烷二酐、2,2-雙[4-(3,4-二羧苯基)苯基]六氟丙烷二酐、4,4’-雙(3,4-二羧基苯氧基)二苯基硫醚二酐、1,4-雙(2-羥基六氟異丙基)苯雙(1,2,4-苯三甲酸酐)、1,3-雙(2-羥基六氟異丙基)苯雙(1,2,4-苯三甲酸酐)、5-(2,5-二氧代四氫呋喃基)-3-甲基-3-環已烯-1,2-二羧酸二酐、四氫呋喃-2,3,4,5-四羧酸二酐等，該等能夠使用1種或併用2種以上。
又，就使用作為聚醯亞胺的原料之二胺而言，係沒有特別限制，例如能夠使用鄰苯二胺、間苯二胺、對伸苯基二胺、3,3’-二胺基二苯基醚、3,4’-二胺基二苯基醚、4,4’-二胺基二苯基醚、3,3’-二胺基二苯基甲烷、3,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基醚甲烷、雙(4-胺基-3,5-二甲基苯基)甲烷、雙(4-胺基-3,5-二異丙基苯基)甲烷、3,3’-二胺基二苯基二氟甲烷、3,4’-二胺基二苯基二氟甲烷、4,4’- 二胺基二苯基二氟甲烷、3,3’-二胺基二苯基碸、3,4’-二胺基二苯基碸、4,4’-二胺基二苯基碸、3,3’-二胺基二苯基硫醚、3,4’-二胺基二苯基硫醚、4,4’-二胺基二苯基硫醚、3,3’-二胺基二苯基酮、3,4’-二胺基二苯基酮、4,4’-二胺基二苯基酮、2,2-雙(3-胺苯基)丙烷、2,2’-(3,4’-二胺基二苯基)丙烷、2,2-雙(4-胺苯基)丙烷、2,2-雙(3-胺苯基)六氟丙烷、2,2-(3,4’-二胺基二苯基)六氟丙烷、2,2-雙(4-胺苯基)六氟丙烷、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、3,3’-(1,4-伸苯基雙(1-甲基亞乙基))雙苯胺、3,4’-(1,4-伸苯基雙(1-甲基亞乙基))雙苯胺、4,4’-(1,4-伸苯基雙(1-甲基亞乙基))雙苯胺、2,2-雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)六氟丙烷、2,2-雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)六氟丙烷、雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)硫醚、雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)硫醚、雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)碸、雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)碸、3,5-二胺基苯甲酸等的芳香族二胺、1,2-二胺基乙烷、1,3-二胺基丙烷、1,4-二胺基丁烷、1,5-二胺基戊烷、1,6-二胺基己烷、1,7-二胺基庚烷、1,8-二胺基辛烷、1,9-二胺基壬烷、1,10-二胺基癸烷、1,11-二胺基十一烷、1,12-二胺基十二烷、1,2-二胺基環己烷、下述通式(1)表示之二胺基聚矽氧烷、1,3-雙(胺甲基)環己烷、SUN TECHNO CHEMICAL股份公司製JEFFAMINE D-230、D-400、D-2000、D-4000、ED-600、ED-900、ED-2001、EDR-148等的聚氧伸烷基二胺等的脂肪族二胺等，該等能 夠使用1種或併用2種以上。作為上述聚醯亞胺樹脂的玻璃轉移溫度，係以0~200℃為佳，作為重量平均分子量，係以1萬~20萬為佳。
通式(1)
(式中，R1及R2係表示碳原子數1~30的二價烴基，各自可相同亦可不同，R3及R4表示一價烴基，各自可相同亦可不同，m為1以上的整數)。
除了上述以外，較佳熱可塑性樹脂之一之苯氧基樹脂，係以使用使各種雙酚與表氯醇反應之方法、或使液狀環氧樹脂與雙酚反應之方法而得到的樹脂為佳，作為雙酚，可舉出雙酚A、雙酚雙酚AF、雙酚AD、雙酚F、雙酚S。因為苯氧基樹脂係與環氧樹脂的構造類似，所以與環氧樹脂相溶性良好而適合對接著薄膜賦予良好的接著性。
作為在本發明所使用的苯氧基樹脂，例如可舉出具有下述通式(2)表示的重複單元之樹脂。
通式(2)
[化2]
在上述通式(2)，X係表示單鍵或二價連結基。作為二價連結基，可舉出伸烷基、伸苯基、-O-、-S-、-SO-或-SO2-。在此，伸烷基係以碳數1~10的伸烷基為佳，以-C(R5)(R6)-為較佳。R5、R6係表示氫原子或烷基，作為該烷基，係以碳數1~8的直鏈或分枝烷基為佳，例如可舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、異辛基、2-乙基己基、1,3,3-三甲基丁基等。又，該烷基亦可被鹵素原子取代，例如可舉出三氟甲基。X係以伸烷基、-O-、-S-、茀基或-SO2-為佳，以伸烷基、-SO2-為較佳。尤其是以-C(CH3)2-、-CH(CH3)-、-CH2-、-SO2-為佳，以-C(CH3)2-、-CH(CH3)-、-CH2-為較佳，以-C(CH3)2-為特佳。
上述通式(2)表示之苯氧基樹脂係具有重複單元時，可以是具有複數個上述通式(2)的X為不同的重複單元之樹脂，亦可以是只有由X為相同的重複單元所構成。在本發明，係以只有由X為相同的重複單元所構成之樹脂為佳。
又，使上述通式(2)表示之苯氧基樹脂含有羥基、羧基等的極性取代基時，與熱聚合性成分的相溶性提升且能夠賦予均勻的外觀和特性。
苯氧基樹脂的質量平均分子量為5000以上時，就薄膜形成性而言，乃是優異的。較佳為10,000以上，更佳 為30,000以上。
又，質量平均分子量為150,000以下時，就加熱壓黏時的流動性和與其它樹脂的相溶性而言，乃是較佳。較佳為100,000以下。又，玻璃轉移溫度為-50℃以上時，就薄膜形成性而言，乃是優異的，較佳為0℃以上，更佳為50℃以上。玻璃轉移溫度為150℃時，晶粒接合時之接著劑層13的接著力優異，較佳為120℃以下，更佳為110℃以下。
另一方面，作為在含有上述官能基之聚合物之官能基，例如可舉出環氧丙基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、羥基、羧基、異三聚氰酸酯基、胺基、醯胺基等，尤其是以環氧丙基為佳。
作為含有上述官能基之高分子量成分，例如可舉出含有環氧丙基、羥基、羧基等的官能基之(甲基)丙烯醯基共聚物等。
作為上述(甲基)丙烯醯基共聚物，例如能夠使用(甲基)丙烯醯基酯共聚物、丙烯酸橡膠等，以丙烯酸橡膠為佳。丙烯酸橡膠係以丙烯酸酯作為主成分，主要是由丙烯酸丁酯與丙烯腈等的共聚物、丙烯酸乙酯與丙烯腈等的共聚物等所構成之橡膠。
作為官能基，含有環氧丙基時，含有環氧丙基的重複單元之量係以0.5~6.0重量%為佳，以0.5~5.0重量%為較佳，以0.8~5.0重量%為特佳。所謂含有環氧丙基的重複單元，係含有環氧丙基之(甲基)丙烯醯基共聚物的構成單體，具體而言係丙烯酸環氧丙酯或甲基丙烯酸環氧丙酯。 含有環氧丙基的重複單元之量在該範圍時，能夠確保接著力之同時，能夠防止凝膠化。
作為除了丙烯酸環氧丙酯、甲基丙烯酸環氧丙酯以外之上述(甲基)丙烯醯基共聚物的構成單體，例如可舉出(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等，該等可單獨使用或組合2種類以上而使用。又，在本發明，所謂(甲基)丙烯酸乙酯，係表示丙烯酸乙酯及/或甲基丙烯酸乙酯。將官能性單體組合而使用時的混合比率，係考慮(甲基)丙烯醯基共聚物的玻璃轉移溫度而決定即可。使玻璃轉移溫度成為-50℃以上時，就具有優異的薄膜形成性且能夠抑制在常溫過剩的黏性而言，乃是較佳。在常溫的黏性力過剩時，接著劑層的操作變為困難。較佳為-20℃以上，更佳為0℃以上。又，使玻璃轉移溫度成為30℃以下時，就晶粒接合時的接著劑層之接著力而言，乃是優異的，較佳為20℃以下。
使上述單體聚合而製造含有官能性單體之高分子量成分時，作為其聚合方法，係沒有特別限制，例如能夠使用粒狀聚合、溶液聚合等的方法，尤其是以粒狀聚合為佳。
在本發明，含有官能性單體之高分子量成分的重量平均分子量為100,000以上時，就薄膜形成性而言，乃是優異的，較佳為200,000以上，更佳為500,000以上。又，將重量平均分子量調整成為2,000,000以下時，就晶粒接合時之接著劑層的加熱流動性提升而言，乃是優異的。晶粒接合時之接著劑層的加熱流動性提升時，接著劑層與被接著 體的密著變為良好且能夠使接著力提升，又，填補被接著體的凹凸且抑制空隙變為容易。較佳為1,000,000以下，更佳為800,000以下，使成為500,000以下時，能夠得到更大的效果。
又，作為熱聚合性成分，只要藉由熱而聚合者就沒有特別限制，例如可舉出具有環氧丙基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、羥基、羧基、異三聚氰酸酯基、胺基、醯胺基等的官能基之化合物及觸發材料，該等能夠單獨或組合2種類以上而使用，考慮作為接著劑層的耐熱性時，以同時含有藉由熱而硬化且帶來接著作用之熱硬化性樹脂、硬化劑、及促進劑為佳。作為熱硬化性樹脂，例如可舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚樹脂、熱硬化型聚醯亞胺樹脂、聚胺甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、脲樹脂等，特別是就能夠得到具有優異的耐熱性、作業性、可靠性之接著劑層而言，以使用環氧樹脂為最佳。
上述的環氧樹脂，係只要硬化而具有接著作用者，就沒有特別限制，能夠使用雙酚A型環氧等的二官能環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等的酚醛清漆型環氧樹脂等。又，能夠應用多官能環氧樹脂、環氧丙基胺型環氧樹脂、雜環含有環氧樹脂或脂環式環氧樹脂等通常已知物。
作為上述的雙酚A型環氧樹脂，可舉出三菱化學股份公司製EPICOAT系列(EPICOAT807、EPICOAT815、EPICOAT825、EPICOAT827、EPICOAT828、EPICOAT834、 EPICOAT1001、EPICOAT1004、EPICOAT1007、EPICOAT1009)、Dow Chemical公司製、DER-330、DER-301、DER-361、及新日鐵住金化學股份公司製、YD8125、YDF8170等。作為上述的苯酚酚醛清漆型環氧樹脂，可舉出三菱化學股份公司製的EPICOAT152、EPICOAT154、日本化藥股份公司製的EPPN-201、Dow Chemical公司製的DEN-438等；又，作為上述的鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂，可舉出日本化藥股份公司製的EOCN-102S、EOCN-103S、EOCN-104S、EOCN-1012、EOCN-1025、EOCN-1027、新日鐵住金化學股份公司製、YDCN701、YDCN702、YDCN703、YDCN704等。作為上述的多官能環氧樹脂，可舉出三菱化學股份公司製的Epon1031S、CIBA．SPECIALTY．CHEMICALS公司製的ARALDITE 0163、NAGASE CHEMTEX股份公司製的DENACOL EX-611、EX-614、EX-614B、EX-622、EX-512、EX-521、EX-421、EX-411、EX-321等。作為上述的胺型環氧樹脂，可舉出三菱化學股份公司製的EPICOAT604、東都化成股份公司製的YH-434、三菱氣體化學股份公司製的TETRAD-X及TETRAD-C、住友化學工業股份公司製的ELM-120等。
作為上述的雜環含有環氧樹脂，CIBA．SPECIALTY．CHEMICALS公司製的ARALDITE PT810、UCC公司製的ERL4234、ERL4299、ERL4221、ERL4206等。該等環氧樹脂係能夠單獨或組合2種類以上而使用。
為了使上述熱硬化性樹脂硬化，亦能夠添加適當的添加劑。作為此種添加劑，例如，可舉出硬化劑、硬化促進劑、觸媒等，添加觸媒時，係能夠按照必要而使用助觸媒。
在上述熱硬化性樹脂使用環氧樹脂時，係以使用環氧樹脂硬化劑或硬化促進劑為佳，以併用該等為較佳。作為硬化劑，例如可舉出酚樹脂、氰胍、三氟化硼錯化合物、有機醯肼化合物、胺類、聚醯胺樹脂、咪唑化合物、尿素或硫脲化合物、聚硫醇化合物、在末端具有氫硫基之聚硫醚樹脂、酸酐、光．紫外線硬化劑。該等係能夠單獨或併用2種以上而使用。
其中，作為三氟化硼錯化合物，可舉出與各種胺化合物(較佳為1級胺化合物)之三氟化硼-胺錯合物，作為有機醯肼化合物，可舉出異酞酸二醯肼。
作為酚樹脂，例如可舉出苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等的酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛型酚樹脂、聚對羥基苯乙烯等的聚氧苯乙烯等。尤其是以在分子中具有至少2個酚性羥基之酚系化合物為佳。
作為在上述分子中具有至少2個酚性羥基之酚系化合物，例如可舉出苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、二環戊二烯甲酚酚醛清漆樹脂、二環戊二烯苯酚酚醛清漆樹脂、伸茬基改性苯酚 酚醛清漆樹脂、萘酚酚醛清漆樹脂、參苯酚酚醛清漆樹脂、肆苯酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂、聚對乙烯基酚樹脂、苯酚芳烷基樹脂等。而且該等酚樹脂之中，係以苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂為特佳，能夠使連續可靠性提升。
作為胺類，可例示鏈狀脂肪族胺(二伸乙三胺、三伸乙四胺、六亞甲基二胺、N,N-二甲基丙胺、苄基二甲胺、2-(二甲胺基)苯酚、2,4,6-參(二甲胺基甲基)苯酚、間二甲苯二胺等)、環狀脂肪族胺(N-胺乙基哌嗪、雙(3-甲基-4-胺基環己基)甲烷、雙(4-胺基環己基)甲烷、二胺(menthene diamine)、異佛爾酮二胺、1,3-雙(胺甲基)環己烷等)、雜環胺(哌嗪、N,N-二甲基哌嗪、三乙二胺、三聚氰胺、胍胺等)、芳香族胺(間苯二胺、4,4’-二胺基二苯基甲烷、二胺基、4,4’-二胺基二苯基碸等)、聚醯胺樹脂(聚醯胺胺為佳、二聚酸與聚胺的縮合物)、咪唑化合物(2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑、2-甲基咪唑、2,4-二甲基咪唑、2-正十七基咪唑、1-氰乙基-2-十一基咪唑鎓．偏苯三甲酸酯(trimellitate)、環氧樹脂．咪唑加成物等)、尿素或硫脲化合物(N,N-二烷基脲化合物、N,N-二烷基硫脲化合物等)、聚硫醇化合物、在末端具有氫硫基之聚硫醚樹脂、酸酐(四氫酞酸酐等)、光．紫外線硬化劑(二苯基碘鎓六氟磷酸鹽、三苯基鋶六氟磷酸鹽等)。
作為上述硬化促進劑，只要使熱硬化性樹脂硬化者就沒有特別限制，例如可舉出咪唑類、氰胍衍生物、二羧酸二醯肼、三苯膦、四苯基鏻硼酸四苯酯、2-乙基-4-甲 基咪唑-硼酸四苯酯、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一烯-7-硼酸四苯酯等。
作為咪唑類，可舉出咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-乙基咪唑、1-苄基-2-乙基-5-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基二甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑等。
環氧樹脂用硬化劑或硬化促進劑在接著劑層中的含量係沒有特別限定，最佳含量係依照硬化劑或硬化促進劑的種類而不同。
前述環氧樹脂與酚樹脂的調配比例，例如前述環氧樹脂成分中的環氧基每1當量，係以酚樹脂中的羥基成為0.5~2.0當量的方式調配為佳。較佳為0.8~1.2當量。亦即，兩者的調配比例脫離前述範圍時，硬化反應未充分地進行且接著劑層的特性容易劣化之緣故。其它的熱硬化性樹脂及硬化劑，在一實施態樣，係相對於熱硬化性樹脂100質量份，硬化劑為0.5~20質量份，在其它的實施態樣，硬化劑為1~10質量份。硬化促進劑的含量，係以比硬化劑的含量更少為佳，相對於熱硬化性樹脂100質量份，硬化促進劑係以0.001~1.5質量份為佳，以0.01~0.95質量份為更佳。藉由調整成為前述範圍內，能夠輔助進行充分的硬化反應。相對於熱硬化性樹脂100質量份，觸媒的含量係以0.001~1.5質量份為佳，以0.01~1.0質量份為更佳。
又，本發明的接著劑層13係能夠按照其用途而適 當地調配填料。藉此，在未硬化的狀態之接著劑層的切割性提升、操作性提升、能夠調整熔融黏度且賦予觸變性，而且能夠賦予在硬化狀態的接著劑層之熱傳導性且謀求提升接著力。
作為在本發明所使用的填料，係以無機填料為佳。作為無機填料，係沒有特別限制、例如能夠使用氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、結晶性氧化矽、非晶性氧化矽、銻氧化物等。又，該等係能夠單獨或混合2種類以上而使用。
又，從從熱傳導性提升的觀點而言，上述的無機填料之中，係以使用氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、結晶性氧化矽、非晶性氧化矽等為佳。又，就調整熔融黏度和賦予觸變性而言，係以使用氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、結晶性氧化矽、非晶性氧化矽等為佳。又，從提升切割性的觀點而言，係以使用氧化鋁、氧化矽為佳。
填料的含有比率為30質量%以上時，就引線接合性就而言，乃是優異的。
引線接合時，布放引線且接著晶片之接著劑層硬化後的儲存彈性模數，係以在170℃調整成為20~1000MPa的範圍為佳，填料的含有比率為30質量%以上時，容易將接著劑層硬化後的儲存彈性模數調整成為該範圍。又，填料的含有比率為75質量%以下時，具有優異的薄膜形成性、晶粒 接合時接著劑層的加熱流動性。晶粒接合時接著劑層的加熱流動性提升時，接著劑層與被接著體的密著變為良好且能夠使接著力提升，又，填補被接著體的凹凸且抑制空隙變為容易。較佳為70質量%以下，更佳為60質量%以下。
本發明的接著劑層，可含有2種以上平均粒徑不同的填料作為上述填料。此時，相較於使用單一填料時，較容易防止薄膜化前的原料混合物中填料含有比率較高時的黏度上升，或是較容易防止填料含有比率較低時的黏度低落，而且容易得到良好的薄膜形成性且能夠將未硬化的接著劑層之流動性控制為最佳，同時接著劑層硬化後能夠容易地得優異的接著力。
又，本發明的接著劑層之填料的平均粒徑，係以2.0μm以下為佳，以1.0μm為較佳。填料的平均粒徑為2.0μm以下時，薄膜的薄膜化變為容易。在此所謂薄膜，係暗示20μm以下的厚度。又，0.01μm以上時分散性良好。而且，從防止薄膜化前的原料混合物之黏度上升或低落、將未硬化的接著劑層的流動性控制成為最佳、及使接著劑層硬化後的接著力提升之觀點而言，以含有平均粒徑在0.1~1.0μm的範圍內之第1填料、及一次粒徑的平均粒徑在0.005~0.03μm的範圍內之第2填料為佳。以含有平均粒徑在0.1~1.0μm的範圍內且99%以上的粒子係分布在粒徑0.1~1.0μm的範圍內之第1填料、及一次粒徑的平均粒徑在0.005~0.03μm的範圍內且99%以上的粒子係分布在粒徑0.005~0.1μm的範圍內之第2填料為佳。
在本發明之平均粒徑，係意味著50體積%的粒子係具有比該值更小的直徑之累積體積分布曲線的D50值。在本發明，平均粒徑或D50值係藉由雷射繞射法、例如使用Malvern Instruments公司製的Malvern Mastersizer 2000而測定。在該技術，分散液中的粒子大小，係基於利用弗勞恩霍夫爾(Fraunhofer)或米氏理論(Mie theory)的任一者且使用雷射光線的繞射而測定。在本發明，係利用米氏理論或對非球狀粒子之修正米氏理論且平均粒徑或D50值係有關對入射的雷射光線在0.02~135°之散射計量。
在本發明，在一態樣，係相對於構成接著劑層13之黏著劑組成物全體，亦可含有10~40質量%之重量平均分子量為5000~200,000的熱可塑性樹脂、10~40質量%的熱聚合性成分、及30~75質量%的填料。在該實施形態，填料的含量可為30~60質量%，亦可為40~60質量%。
又，熱可塑性樹脂的質量平均分子量可為5000~150,000，亦可為10,000~100,000。
在另外的態樣，係相對於構成接著劑層13之黏著劑組成物全體，亦可含有10~20質量%之重量平均分子量為200,000~2,000,000的熱可塑性樹脂、20~50質量%的熱聚合性成分、及30~75質量%的填料。在該實施形態，填料的含量可為30~60質量%，亦可為30~50質量%。又，熱可塑性樹脂的質量平均分子量可為200,000~1,000,000，亦可為200,000~800,000。
藉由調整調配比例，接著劑層13硬化後的儲存彈性模數 及流動性能夠最佳化，又，亦有能夠充分地得到在高溫的耐熱性之傾向。
在本發明的半導體加工用膠帶10，接著劑層13亦可將預先經薄膜化之物(以下，稱為接著薄膜)直接或間接層疊在基材薄膜11上而形成。層疊時的溫度係設為10~100℃的範圍且以施加0.01~10N/m的線性壓力(linear pressure)為佳。又，此種接著薄膜亦可以是在剝離薄膜上形成接著劑層13而成者，此時，在層疊後亦可將剝離薄膜，或者亦可直接使用作為半導體加工用膠帶10的覆蓋薄膜且在貼合晶圓時進行剝離。
前述接著薄膜係可以層積在黏著劑層12的全面，亦可以將預先切斷成為按照被貼合的晶圓形狀之(預切割)接著薄膜層積在黏著劑層12。如此，將按照晶圓的接著薄膜層積時，係如圖3所顯示，貼合在晶圓W的部分係有接著劑層13，而貼合在環狀框20的部分係沒有接著劑層13而只存在黏著劑層12。通常，因為接著劑層13係不容易與被接著體剝離，所以藉由使用預切割的接著薄膜，環狀框20係能夠與黏著劑層12貼合，使用後在膠帶剝離時，能夠得到不容易在環狀框20產生糊劑殘渣之效果。
<用途>
本發明的半導體加工用膠帶10係使用在半導體裝置的製造方法中，該製造方法至少包含一藉由擴張使接著劑層13分斷之擴展步驟。因而，其它步驟、步驟的順序等並沒有特別限定。例如，能夠適合使用在以下之半導體裝置的 製造方法(A)~(E)。
半導體裝置的製造方法(A)，係包含以下步驟之半導體裝置的製造方法：(a)將表面保護膠帶貼合在形成有電路圖案之晶圓表面之步驟；(b)磨削前述晶圓背面之背面研磨步驟；(c)在前述晶圓經加熱的狀態下，將前述半導體加工用膠帶的接著劑層貼合在前述晶圓背面之步驟；(d)將前述表面保護膠帶從前述晶圓表面剝離之步驟；(e)對前述晶圓的分割預定部分照射雷射光，利用多光子吸收在前述晶圓內部形成改質區域之步驟；(f)藉由擴張前述半導體加工用膠帶，使前述晶圓與前述半導體加工用膠帶的前述接著劑層沿著分斷線分斷而得到附有前述接著劑層之複數個晶片之擴展步驟；(g)在擴張後的前述半導體加工用膠帶，藉由使未與前述晶片重疊的部分加熱收縮，來除去在前述擴展步驟所產生的鬆弛且保持前述晶片之間隔之步驟；(h)從前述半導體加工用膠帶的黏著劑層拾取附有前述接著劑層的前述晶片之步驟。
半導體裝置的製造方法(B)，係包含以下步驟之半導體裝置的製造方法：(a)將表面保護膠帶貼合在形成有電路圖案之晶圓表面之步驟；(b)磨削前述晶圓背面之背面研磨步驟； (c)在前述晶圓經加熱的狀態下，將前述半導體加工用膠帶的接著劑層貼合在前述晶圓背面之步驟；(d)將前述表面保護膠帶從前述晶圓表面剝離之步驟；(e)沿著前述晶圓表面的分斷線照射雷射光使前述晶圓分斷成晶片之步驟；(f)藉由擴張前述半導體加工用膠帶，使前述接著劑層隨前述每個晶片分斷而得到附有前述接著劑層的複數個晶片之擴展步驟；(g)在擴張後的前述半導體加工用膠帶，藉由使未與前述晶片重疊的部分加熱收縮，來除去在前述擴展步驟所產生的鬆弛且保持前述晶片之間隔之步驟；(h)從前述半導體加工用膠帶的黏著劑層拾取附有前述接著劑層的前述晶片之步驟。
半導體裝置的製造方法(C)，係包含以下步驟之半導體裝置的製造方法：(a)將表面保護膠帶貼合在形成有電路圖案之晶圓表面之步驟；(b)磨削前述晶圓背面之背面研磨步驟；(c)在前述晶圓經加熱的狀態下，將前述半導體加工用膠帶的接著劑層貼合在前述晶圓背面之步驟；(d)將前述表面保護膠帶從前述晶圓表面剝離之步驟；(e)使用切割刀片，沿著分斷線將前述晶圓切削分斷成晶片之步驟；(f)藉由擴張前述半導體加工用膠帶，使前述接著劑層 隨前述每個晶片分斷而得到附有前述接著劑層的複數個晶片之擴展步驟；(g)在擴張後的前述半導體加工用膠帶，藉由使未與前述晶片重疊的部分加熱收縮，來除去在前述擴展步驟所產生的鬆弛且保持前述晶片之間隔之步驟；(h)從前述半導體加工用膠帶的黏著劑層拾取附有前述接著劑層的前述晶片之步驟。
半導體裝置的製造方法(D)，係包含以下步驟之半導體裝置的製造方法：(a)將切割膠帶貼合在形成有電路圖案之晶圓背面，並使用切割刀片沿著分斷預定線切削至小於前述晶圓厚度的深度為止之步驟；(b)將表面保護膠帶貼合在前述晶圓表面之步驟；(c)將前述切割膠帶剝下，並磨削前述晶圓背面而分斷成晶片之背面研磨步驟；(d)在前述晶圓經加熱的狀態下，將前述半導體加工用膠帶的接著劑層貼合在被分斷成前述晶片之前述晶圓背面之步驟；(e)將表面保護膠帶從被分斷成前述晶片之前述晶圓表面剝離之步驟；(f)藉由擴張前述半導體加工用膠帶，使前述接著劑層隨前述每個晶片分斷而得到附有前述接著劑層的複數個晶片之擴展步驟；(g)在擴張後的前述半導體加工用膠帶，藉由使未與前 述晶片重疊的部分加熱收縮，來除去在前述擴展步驟所產生的鬆弛且保持前述晶片之間隔之步驟；(h)從前述半導體加工用膠帶的黏著劑層拾取附有接著劑層的前述晶片之步驟。
半導體裝置的製造方法(E)，係包含以下步驟之半導體裝置的製造方法：(a)將表面保護膠帶貼合在形成有電路圖案之晶圓表面之步驟；(b)對前述晶圓的分割預定部分照射雷射光，利用多光子吸收在前述晶圓內部形成改質區域之步驟；(c)磨削前述晶圓背面之背面研磨步驟；(d)在前述晶圓經加熱的狀態下，將前述半導體加工用膠帶的接著劑層貼合在前述晶圓背面之步驟；(e)將前述表面保護膠帶從前述晶圓表面剝離之步驟；(f)藉由擴張前述半導體加工用膠帶，使前述晶圓與前述半導體加工用膠帶的前述接著劑層沿著分斷線分斷而得到附有前述接著劑層之複數個晶片之擴展步驟；(g)在擴張後的前述半導體加工用膠帶，藉由使未與前述晶片重疊的部分加熱收縮，來除去在前述擴展步驟所產生的鬆弛且保持前述晶片之間隔之步驟；(h)從前述半導體加工用膠帶的黏著劑層拾取附有接著劑層的前述晶片之步驟。
<使用方法>
針對將本發明的半導體加工用膠帶10應用在上述半導 體裝置的製造方法(A)時之膠帶的使用方法，邊參照圖2~圖5邊進行說明。首先，如圖2所顯示，將在黏著劑含有紫外線硬化性成分之電路圖案保護用表面保護膠帶14貼合在形成有電路圖案之晶圓W的表面，而實施磨削晶圓W的背面之背面研磨步驟。
背面研磨步驟結束後，係如圖3所顯示，使表面側朝下而將晶圓W載置在晶圓貼合機(Wafer Mounter)的加熱器機台25上，將半導體加工用膠帶10貼合在晶圓W的背面。在此，所使用的半導體加工用膠帶10，係層積預先按照貼合晶圓W的形狀切斷(預切割)之接著薄膜而成者，在與晶圓W貼合之面，在接著劑層13露出的區域之周圍，黏著劑層12露出。該半導體加工用膠帶10之接著劑層13露出的部分與晶圓W的背面貼合之同時，接著劑層13之周圍的黏著劑層12露出的部分與環狀框20貼合。此時，加熱器機台25係設定在70~80℃，藉此實施加熱貼合。又，在本實施形態，係設作使用具有由基材薄膜11及設置在基材薄膜11上的黏著劑層12所構成之黏著膠帶15、及設置在黏著劑層12上之接著劑層13之半導體加工用膠帶10，但是亦可設作各自使用黏著膠帶及薄膜狀接著劑。此時，首先，將薄膜狀接著劑貼合在晶圓背面而形成接著劑層，而且將黏著膠帶的黏著劑層貼合在該接著劑層。此時，使用依照本發明之黏著膠帶15作為黏著膠帶。
其次，將貼合有半導體加工用膠帶10之晶圓W從加熱器機台25上搬出，如圖4所顯示，使半導體加工用膠帶 10側朝下而載置在吸附台26上。然後，從吸附固定在吸附台26之晶圓W的上方，使用能量線光源27對表面保護膠帶14的基材面側照射例如1000mJ/cm2的紫外線，使表面保護膠帶14對晶圓W之接著力低落且將表面保護膠帶14從晶圓W表面剝離。
其次，如圖5所顯示，對晶圓W之分割預定部分照射雷射光，利用多光子吸收而在晶圓W內部形成改質區域32。
其次，如圖6(a)所顯示，使貼合有晶圓W及環狀框20之半導體加工用膠帶10以基材薄膜11側朝下方式載置在擴展裝置的載物台21上。
其次，如圖6(b)所顯示，在將環狀框20固定的狀態下，使擴展裝置之中空圓柱形狀上推構件22上升且將半導體加工用膠帶10擴張(expand)。作為擴張條件，擴展速度為例如5~500mm/sec，擴展量(上推量)為例如5~25mm。如此，由於半導體加工用膠帶10係在晶圓W的徑向被拉伸，晶圓W係以前述改質區域32作為起點而被分斷成晶片34單元。此時，接著劑層13之接著在晶圓W背面的部分，擴張引起的伸長(變形)受到抑制而不產生斷裂，但是在晶片34之間的位置，因膠帶擴張引起張力集中而斷裂。因而，如圖6(c)所顯示，接著劑層13亦與晶圓W同時被分斷。藉此，能夠得到附有接著劑層13之複數個晶片34。
其次，如圖7所顯示，使上推構件22返回原來的位置，進行一將半導體加工用膠帶10在前面的擴展步驟所 產生的鬆弛除去以使晶片34之間隔保持安定之步驟。在該步驟，例如在半導體加工用膠帶10之晶片34存在的區域、與環狀框20之間的圓環狀加熱收縮區域28，使用溫風噴嘴29使基材薄膜11接觸90~120℃的溫風而加熱收縮，而使半導體加工用膠帶10成為繃緊的狀態。
隨後，對黏著劑層12施行能量線硬化處理或熱硬化處理等，將黏著劑層12對接著劑層13之黏著力削弱之後，將晶片34拾取。
又，如前述，亦能夠在進行擴展處理之前，進行能量線硬化處理。
<實施例>
其次，為了使本發明的效果更明確，針對實施例及比較例而詳細地說明，但是本發明係不被該等實施例限定。
[半導體加工用膠帶的製造]
(1)基材薄膜的製造
<基材薄膜1>
將使用自由基聚合法而合成之乙烯-甲基丙烯酸-甲基丙烯酸乙酯(質量比8：1：1)三元共聚物的鋅離子聚合物a(密度0.96g/cm3、鋅離子含量4質量%、氯含量小於1質量%、維卡(Vicat)軟化點56℃、熔點86℃)的樹脂粒，藉由在140℃熔融且使用擠製機而成形為厚度100μm的長條薄膜狀，來製造基材薄膜1。
<基材薄膜2>
將苯乙烯-水添異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物 (SEPS)(KURARAY公司製、「SEPTON KF-2104」)及均聚丙烯(homopropylene)(PP)(宇部興產公司製、「J-105G」)，以40：60的調配比進行混合，使用雙軸混煉機在約200℃藉由薄膜擠製成形進行加工，而製成厚度100μm的基材薄膜2。
<基材薄膜3>
將苯乙烯-水添異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)(KURARAY公司製、「SEPTON KF-2104」)及均聚丙烯(PP)(宇部興產公司製、「J-105G」)，以40：60的調配比進行混合，藉由使用擠製機成形為厚度100μm的長條薄膜狀，而製成基材薄膜3。
(2)黏著劑組成物的調整
(a-1)
調製由丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸2-羥基乙酯及甲基丙烯酸所構成，且丙烯酸2-乙基己酯的比率為55莫耳%、質量平均分子量75萬的共聚物，作為具有官能基之丙烯酸系共聚物(A1)。其次，以碘價成為30的方式添加甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯，而調製玻璃轉移溫度-50℃、羥值30mgKOH/g、酸價5mgKOH/g的丙烯酸系共聚物(a-1)。
(a-2)
調製由丙烯酸丁酯、4-羥基丙烯酸丁酯及甲基丙烯酸所構成，且丙烯酸丁酯的比率為60莫耳%、質量平均分子量50萬的共聚物，作為官能基之丙烯酸系共聚物(A1)。其次，以碘價成為30的方式添加甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯，而調製玻璃轉移溫度-56℃、羥值30mgKOH/g、酸價5mgKOH/g 的丙烯酸系共聚物(a-2)。
(3)接著劑組成物的調製
(b-1)
在由環氧樹脂「1002」(三菱化學(股)製、固形雙酚A型環氧樹脂、環氧當量600)50質量份、環氧樹脂「806」(三菱化學(股)製商品名、雙酚F型環氧樹脂、環氧當量160、比重1.20)100質量份、硬化劑「Dyhard100SF」(DEGUSSA製商品名、氰胍)5質量份、氧化矽填料「SO-C2」(ADMERFINE(股)製商品名、平均粒徑0.5μm)150質量份、及氧化矽填料之「AEROSIL R972」(日本AEROSIL(股)製商品名、一次粒徑的平均粒徑0.016μm)5質量份所構成之組成物，添加MEK且攪拌混合而成為均勻的組成物。
在此，添加苯氧基樹脂「PKHH」(INCHEM製商品名、質量平均分子量52,000、玻璃轉移溫度92℃)100質量份、作為偶合劑之「KBM-802」(信越SILICONE(股)製商品名、氫硫基丙基三甲氧基矽烷)0.4質量份、以及作為硬化促進劑之「CUREZOLE 2PHZ-PW」(四國化成(股)製商品名、2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑、分解溫度230℃)0.5質量份，攪拌混合至均勻為止。而且藉由將其使用100網眼的過濾器進行過濾且真空脫泡，來得到接著劑組成物(b-1)的清漆。
(b-2)
在由環氧樹脂「YX4000」(三菱化學(股)製、聯苯基酚醛清漆型環氧樹脂、環氧當量185)20.0質量份、酚樹脂「LF-6161」(DIC(股)製商品名、酚醛清漆酚樹脂、羥基當 量118)50.0質量份、環氧樹脂「EPICOAT828」(三菱化學(股)製商品名、雙酚A型環氧樹脂、環氧當量190)45.0重量份、氧化矽填料之「AEROSIL R972」(日本AEROSIL(股)製商品名、一次粒徑的平均粒徑0.016μm)5質量份所構成之組成物，添加MEK且攪拌混合而成為均勻的組成物。
在此，添加作為含有官能基的聚合物之含有源自丙烯酸環氧丙酯或甲基丙烯酸環氧丙酯的單體單元之丙烯酸共聚物(重量平均分子量85萬、Tg12℃)70質量份、作為偶合劑之「KBM-802」(信越SILICONE(股)製商品名、氫硫基丙基三甲氧基矽烷)0.5質量份、以及作為硬化促進劑之「CUREZOLE 2PHZ-PW」(四國化成(股)製商品名、2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑、分解溫度230℃)0.1質量份且攪拌混合至成為均勻為止。而且將其使用100網眼的過濾器進行過濾，藉由真空脫泡而得到接著劑組成物(b-2)的清漆。
(半導體加工用膠帶的調整)
使相對於丙烯酸系共聚物(a-1)100質量份，添加3質量份P301-75E(旭化成CHEMICALS公司製)作為聚異氰酸酯、及添加3質量份Esacure KIP 150(Lamberti公司製)作為光聚合起始劑而成之混合物溶解在乙酸乙酯且攪拌而調製黏著劑組成物。
其次，將該黏著劑組成物以乾燥後的厚度成為10μm之方式塗佈在由經脫模處理的聚乙烯-對酞酸酯薄膜所構成之剝離襯裡，使其在110℃乾燥2分鐘之後，與基材薄膜1貼合而製成在基材薄膜1上形成有黏著劑層之黏著薄片。
其次，將接著劑組成物(b-1)以乾燥後的厚度成為20μm之方式塗佈在由經脫模處理的聚乙烯-對酞酸酯薄膜所構成之剝離襯裡，使其在130℃乾燥3分鐘而製成在剝離襯裡上形成有接著劑層之接著薄膜。
將黏著薄片，以能夠對環狀框覆蓋開口部的方式貼合而裁斷成為圖3等所顯示的形狀。又，將接著薄膜，以能夠覆蓋晶圓背面的方式而裁斷成為圖3等所顯示的形狀。而且，將前述黏著薄片的黏著劑層側、與前述接著薄膜的接著劑層側，如圖3等所顯示，以黏著劑層12在接著薄膜的周圍形成露出部分之方式貼合，來製成半導體加工用膠帶1。
除了使丙烯酸系共聚物、黏著劑組成物、交聯劑、及接著劑組成物的組合成為表1記載的組合以外，係使用與半導體加工用膠帶1同樣的手法來製成半導體加工用膠帶2~9。
<實施例1>
將表面保護膠帶貼合在形成有電路圖案之晶圓表面，對前述晶圓的分割預定部分照射雷射光，利用多光子吸收在前述晶圓內部形成改質區域，施行磨削前述晶圓背面之背面研磨步驟，在將前述晶圓加熱至70~80℃的狀態下，將前述半導體加工用膠帶1的接著劑層貼合在前述晶圓背面，將前述表面保護膠帶從前述晶圓表面剝離，對前述半導體加工用膠帶1以輸出功率200mJ/cm2施行 紫外線照射處理，施行擴展步驟，其係藉由擴張前述半導體加工用膠帶，使前述晶圓與前述半導體加工用膠帶1的前述接著劑層沿著分斷線分斷而得到附有前述接著劑層之複數個晶片，針對經施行一將前述半導體加工用膠帶1之未與前述晶片重疊的部分(晶片存在之區域與環狀框之間的圓環狀區域)加熱至100℃使其收縮來除去在擴展步驟所產生的鬆弛且保持該晶片的間隔之步驟的半導體加工用膠帶1，進行以下顯示物性之評價及拾取性的評價。
又，晶片尺寸為5mm×5mm。
<收縮率的評價>
使用依據JIS7162規定的方法，在對膠帶的試片賦予500mm/min且20%的伸長應變之狀態下保持60秒鐘。隨後，將試片從試驗機卸下且在100℃的溫度下加熱10秒鐘，測定加熱前後的熱收縮率。
又，亦測定寬度方向、長度方向的收縮率。
<拾取性的評價>
實施將半導體晶片從半導體加工用膠帶的黏著劑層拾取之步驟，進行評價拾取性。
具體而言，係使用晶片拾粒機(Dice picker)裝置(Canon Machinery公司製、商品名CAP-300II)對任意1000個晶片進行拾取試驗，將從黏著劑層剝離後，能夠保持接著劑層者設作拾取成功者，而算出拾取成功率且進行評價拾取性。
將拾取成功率為100%者評定為優良品「◎」， 將98%以上者評定為良品「○」，將95%以上且小於98%者評定為容許品「△」，將小於95%者評定為不良品「×」時，係顯示拾取率為100%。
<切口寬度均勻性的評價>
針對切口寬度均勻性，係使用如以下的方法、基準進行評價。
在12英吋晶圓，測定有效晶片(5mm×5mm)最上部、最下部、中央部、最左部、最右部的5點之長度方向及寬度方向的切口寬度，將切口寬度均勻性=(5點之中的最小測定值-平均值)/平均值之值為-0.3以上評定為「◎」-0.5以上且小於-0.3評定為「○」-0.7以上且小於-0.5評定為「△」小於-0.7評定為「×」時，係顯示「◎」的評價。
<實施例2>
在半導體加工膠帶2，係除了將紫外線的輸出功率變更成為輸出功率30mJ/cm2以外，係進行與實施例1同樣的處理且進行評價收縮率、拾取性。
<實施例3>
在半導體加工膠帶3，係除了進行熱固定處理以外，係進行與實施例1同樣的處理且進行評價收縮率、拾取性。
<實施例4>
在半導體加工膠帶4，係進行與實施例1同樣的處理且進行評價收縮率、拾取性。
(比較例1)
將表面保護膠帶貼合在形成有電路圖案之晶圓表面，對前述晶圓的分割預定部分照射雷射光，利用多光子吸收在前述晶圓內部形成改質區域，施行磨削前述晶圓背面之背面研磨，在將前述晶圓加熱至70~80℃的狀態下，將前述半導體加工用膠帶11的接著劑層貼合在前述晶圓背面，將前述表面保護膠帶從前述晶圓表面剝離，施行擴展步驟，其係藉由擴張前述半導體加工用膠帶5，使前述晶圓與前述半導體加工用膠帶的前述接著劑層沿著分斷線分斷而得到附有前述接著劑層之複數個晶片，施行一將前述半導體加工用膠帶5之未與前述晶片重疊的部分(晶片存在之區域與環狀框之間的圓環狀區域)加熱至120℃使其收縮藉以除去在擴展步驟所產生的鬆弛且保持該晶片之間隔之步驟，對前述半導體加工用膠帶5以輸出功率200mJ/cm2施行紫外線照射處理，針對該施行紫外線照射處理後之半導體加工用膠帶5，與實施例1同樣地進行評價物性、及評價拾取性。
(比較例2)
針對半導體加工用膠帶6，進行與比較例1同樣的處理且進行評價收縮率、拾取性。
(比較例3)
在半導體加工膠帶7，係除了將紫外線的輸出功率變更成為20mJ/cm2以外，係進行與實施例1同樣的處理且進行評價收縮率、拾取性。
(比較例4)
在半導體加工膠帶8，係除了將硬化劑的添加量變更成為20質量份以外，係進行與比較例1同樣的處理且進行評價收縮率、拾取性。
(比較例5)
在半導體加工膠帶9，係除了在溫度50℃進行熱固定處理以外，係進行與比較例1同樣的處理且進行評價收縮率、拾取性。
將在實施例1~4、比較例1~5之收縮率、拾取性、切口寬度均勻性的評價顯示在表2。
<評價結果>
如表2所顯示，清楚明白滿足收縮率為0%以上且20%以下，且長度方向的熱收縮率/寬度方向的熱收縮率=0.01以上且100以下之實施例1~5，其切口寬度為充分且均勻地擴展，清楚地顯示先前技術所沒有之良好的拾取性。
另一方面，不滿足上述條件之比較例1~5，其切口寬度為較狹窄、或不均勻且顯示拾取性較差之評價。
10‧‧‧半導體加工用膠帶
11‧‧‧基材薄膜
12‧‧‧黏著劑層
13‧‧‧接著劑層
15‧‧‧輔助膠帶

Claims (8)

  1. 一種半導體加工用膠帶，其特徵在於：在100℃下加熱10秒鐘時膠帶之長度方向及寬度方向二者的熱收縮率為0%以上且20%以下；並且，長度方向的熱收縮率/寬度方向的熱收縮率=0.01以上且100以下；(收縮率=(加熱前的尺寸-加熱後的尺寸)/加熱前的尺寸×100(%))。
  2. 如請求項1之半導體加工用膠帶，該半導體加工用膠帶係被使用在包含以下步驟之半導體裝置的製造方法中：(a)將表面保護膠帶貼合在形成有電路圖案之晶圓表面之步驟；(b)磨削前述晶圓背面之背面研磨步驟；(c)在前述晶圓經加熱的狀態下，將前述半導體加工用膠帶的接著劑層貼合在前述晶圓背面之步驟；(d)將前述表面保護膠帶從前述晶圓表面剝離之步驟；(e)對前述晶圓的分割預定部分照射雷射光，利用多光子吸收在前述晶圓內部形成改質區域之步驟；(f)藉由擴張前述半導體加工用膠帶，使前述晶圓與前述半導體加工用膠帶的前述接著劑層沿著分斷線分斷而得到附有前述接著劑層之複數個晶片之擴展步驟；(g)在擴張後的前述半導體加工用膠帶，藉由使未與 前述晶片重疊的部分加熱收縮，來除去在前述擴展步驟所產生的鬆弛且保持前述晶片之間隔之步驟；(h)從前述半導體加工用膠帶的黏著劑層拾取附有前述接著劑層的前述晶片之步驟。
  3. 如請求項1之半導體加工用膠帶，該半導體加工用膠帶係被使用在包含以下步驟之半導體裝置的製造方法中：(a)將表面保護膠帶貼合在形成有電路圖案之晶圓表面之步驟；(b)磨削前述晶圓背面之背面研磨步驟；(c)在前述晶圓經加熱的狀態下，將前述半導體加工用膠帶的接著劑層貼合在前述晶圓背面之步驟；(d)將前述表面保護膠帶從前述晶圓表面剝離之步驟；(e)沿著前述晶圓表面的分斷線照射雷射光使前述晶圓分斷成晶片之步驟；(f)藉由擴張前述半導體加工用膠帶，使前述接著劑層隨前述每個晶片分斷而得到附有前述接著劑層的複數個晶片之擴展步驟；(g)在擴張後的前述半導體加工用膠帶，藉由使未與前述晶片重疊的部分加熱收縮，來除去在前述擴展步驟所產生的鬆弛且保持前述晶片之間隔之步驟；(h)從前述半導體加工用膠帶的黏著劑層拾取附有前述接著劑層的前述晶片之步驟。
  4. 如請求項1之半導體加工用膠帶，該半導體加工用膠帶 係被使用在包含以下步驟之半導體裝置的製造方法中：(a)將表面保護膠帶貼合在形成有電路圖案之晶圓表面之步驟；(b)磨削前述晶圓背面之背面研磨步驟；(c)在前述晶圓經加熱的狀態下，將前述半導體加工用膠帶的接著劑層貼合在前述晶圓背面之步驟；(d)將前述表面保護膠帶從前述晶圓表面剝離之步驟；(e)使用切割刀片，沿著分斷線將前述晶圓切削分斷成晶片之步驟；(f)藉由擴張前述半導體加工用膠帶，使前述接著劑層隨前述每個晶片分斷而得到附有前述接著劑層的複數個晶片之擴展步驟；(g)在擴張後的前述半導體加工用膠帶，藉由使未與前述晶片重疊的部分加熱收縮，來除去在前述擴展步驟所產生的鬆弛且保持前述晶片之間隔之步驟；(h)從前述半導體加工用膠帶的黏著劑層拾取附有前述接著劑層的前述晶片之步驟。
  5. 如請求項1之半導體加工用膠帶，該半導體加工用膠帶係被使用在包含以下步驟之半導體裝置的製造方法中：(a)將切割膠帶貼合在形成有電路圖案之晶圓背面，並使用切割刀片沿著分斷預定線切削至小於前述晶圓厚度的深度為止之步驟；(b)將表面保護膠帶貼合在前述晶圓表面之步驟； (c)將前述切割膠帶剝下，並磨削前述晶圓背面而分斷成晶片之背面研磨步驟；(d)在前述晶圓經加熱的狀態下，將前述半導體加工用膠帶的接著劑層貼合在被分斷成前述晶片之前述晶圓背面之步驟；(e)將表面保護膠帶從被分斷成前述晶片之前述晶圓表面剝離之步驟；(f)藉由擴張前述半導體加工用膠帶，使前述接著劑層隨前述每個晶片分斷而得到附有前述接著劑層的複數個晶片之擴展步驟；(g)在擴張後的前述半導體加工用膠帶，藉由使未與前述晶片重疊的部分加熱收縮，來除去在前述擴展步驟所產生的鬆弛且保持前述晶片之間隔之步驟；(h)從前述半導體加工用膠帶的黏著劑層拾取附有接著劑層的前述晶片之步驟。
  6. 如請求項1之半導體加工用膠帶，該半導體加工用膠帶係被使用在包含以下步驟之半導體裝置的製造方法中：(a)將表面保護膠帶貼合在形成有電路圖案之晶圓表面之步驟；(b)對前述晶圓的分割預定部分照射雷射光，利用多光子吸收在前述晶圓內部形成改質區域之步驟；(c)磨削前述晶圓背面之背面研磨步驟；(d)在前述晶圓經加熱的狀態下，將前述半導體加工用膠帶的接著劑層貼合在前述晶圓背面之步驟； (e)將前述表面保護膠帶從前述晶圓表面剝離之步驟；(f)藉由擴張前述半導體加工用膠帶，使前述晶圓與前述半導體加工用膠帶的前述接著劑層沿著分斷線分斷而得到附有前述接著劑層之複數個晶片之擴展步驟；(g)在擴張後的前述半導體加工用膠帶，藉由使未與前述晶片重疊的部分加熱收縮，來除去在前述擴展步驟所產生的鬆弛且保持前述晶片之間隔之步驟；(h)從前述半導體加工用膠帶的黏著劑層拾取附有接著劑層的前述晶片之步驟。
  7. 如請求項1之半導體加工用膠帶，其長度方向及寬度方向的熱收縮率任一者為0.1%以上。
  8. 一種半導體裝置，係使用如請求項1至7中任一項之半導體加工用膠帶而成。
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