CN107430833A - 显示装置和成像装置 - Google Patents

显示装置和成像装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107430833A
CN107430833A CN201680012045.8A CN201680012045A CN107430833A CN 107430833 A CN107430833 A CN 107430833A CN 201680012045 A CN201680012045 A CN 201680012045A CN 107430833 A CN107430833 A CN 107430833A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
display device
adhesive layer
face
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201680012045.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107430833B (zh
Inventor
平野嵩明
今村铁平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Semiconductor Solutions Corp
Original Assignee
Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Semiconductor Solutions Corp filed Critical Sony Semiconductor Solutions Corp
Publication of CN107430833A publication Critical patent/CN107430833A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107430833B publication Critical patent/CN107430833B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/302—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements characterised by the form or geometrical disposition of the individual elements
    • G09F9/3026—Video wall, i.e. stackable semiconductor matrix display modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/562—Protection against mechanical damage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/041—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00
    • H01L25/042—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/13—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/024—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/644—Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一种显示装置(1)，包括：基板(11)，具有面向彼此的第一面(S1)和第二面(S2)，并且在第一面上具有多个发光元件(10A)；安装构件(12)，布置在基板的第二表面的一部分上从而面对第二面；以及基底(13)，粘附于基板的第二面，并且具有面向安装构件的凹陷部(13a)。

Description

显示装置和成像装置
技术领域
本公开涉及一种显示装置或成像装置，其中在其上形成有元件的基板的后表面上设置有表面安装组件。
背景技术
近年来，已经提出了以拼块的形式布置多个显示元件(以下称为“单元”)的显示装置(平铺显示器)(例如，专利文献1)。在拼接显示器中，诸如发光二极管(LED)的发光元件逐单元地并排布置在基板上。存在例如，实例(专利文献2)，其中使用例如玻璃环氧树脂基板作为单元的基板，以便减少成本和布线引绕。
引用列表
专利文献
专利文献1：日本未经审查专利申请公开第2009-4275号
专利文献2：日本未经审查专利申请公开第2014-209198号
发明内容
然而，在如上所述类型的显示装置中，存在由于诸如温度和湿度等环境的变化而导致基板变形，从而显示屏幕变形并且图像质量劣化的忧虑。特别地，在安装构件设置在基板的背面的情况下，在基板的局部部分上出现翘曲。
因此，期望提供一种显示装置或成像装置，其能够减小由湿热环境、驱动时的升温、制造过程中的热应力等引起的图像质量劣化。
根据本公开的一个实施方式的显示装置包括：基板，具有彼此面对的第一面和第二面，并且在第一面上具有多个发光元件；安装构件，布置为面对基板的第二面的一部分；以及基底，粘附于基板的第二面，并且具有面对安装构件的凹陷部。
根据本公开的一个实施方式的成像装置包括：基板，具有彼此面对的第一面和第二面，并且在第一面上具有多个光接收元件；安装构件，布置为面对基板的第二面的一部分；以及基底，粘附于基板的第二面，并且具有面对安装构件的凹陷部。
在根据本公开的一个实施方式的显示装置中，在发光元件布置在基板的第一面上并且安装构件布置为面对第二面的配置中，具有面向安装构件的凹陷部的基底粘附于基板的第二面。因此，其整体硬度增加，并且难以发生诸如由于温度或湿度的变化引起的翘曲的变形。
在根据本公开的一个实施方式的成像装置中，在光接收元件布置在基板的第一面上并且安装构件布置为面对第二面的配置中，具有面向安装构件的凹陷部的基底粘附于基板的第二面。因此，其整体硬度增加，并且难以发生诸如由于温度或湿度的变化引起的翘曲的变形。
根据本公开的一个实施方式中的显示装置，在发光元件布置在基板的第一面上并且安装构件布置为面对第二面的配置中，具有面向安装构件的凹陷部的基底粘附于基板的第二面。因此，可以抑制由温度或湿度的变化引起的基板的变形并抑制屏幕的变形。因此，可以减小由湿热环境引起的图像质量劣化。
根据本公开的一个实施方式中的成像装置，在光接收元件布置在基板的第一面上并且安装构件布置为面对第二面的配置中，具有面向安装构件的凹陷部的基底粘附于基板的第二面。因此，可以抑制由温度或湿度的变化引起的基板的变形并抑制屏幕的变形。因此，可以减小由湿热环境引起的图像质量劣化。
顺便提及，上述的内容是本公开的一个实例。本公开的效果不限于上述内容，并且可以是其他不同的效果，并且还可以包括其他效果。
附图说明
[图1]图1为根据本公开的第一实施方式的显示装置的配置的示意性截面图。
[图2]图2是示出了在图1中示出的显示装置的另一截面配置的示意图。
[图3]图3是示出图1所示的粘合层(粘合层18)的一个实例的示意性平面图。
[图4]图4是用于描述在安装构件和凹陷部之间的粘合之前和之后的翘曲抑制效果的特性图。
[图5A]图5A是用于描述根据实例1-1的配置的示意性截面图。
[图5B]图5B是用于描述根据实例1-2的配置的示意性截面图。
[图5C]图5C是用于描述根据实例1-3的配置的示意性截面图。
[图5D]图5D是用于描述根据实例1-4的配置的示意性截面图。
[图6]图6是示出了实例1-1至1-4的各种情况下的相对于基板中的位置的翘曲程度的特性图。
[图7]图7是示出根据本公开的第二实施方式的显示装置的配置的示意性截面图。
[图8]图8是示出了根据本公开的第三实施方式的显示装置的配置的示意性截面图。
[图9]图9是示出了根据本公开的第四实施方式的显示装置的配置的示意性截面图。
[图10]图10是示出了根据本公开的第五实施方式的显示装置的配置的示意性截面图。
[图11]图11是示出了根据本公开的第六实施方式的显示装置的配置的示意性截面图。
[图12]图12是示出了根据本公开的第七实施方式的显示装置的配置的示意性截面图。
[图13]图13是示出了根据本公开的第八实施方式的显示装置的配置的示意性截面图。
[图14]图14是示出了根据本公开的第九实施方式的显示装置的配置的示意性截面图。
[图15]图15是示出根据本公开的第十实施方式的显示装置的配置的示意性截面图。
[图16A]图16A是示出了图15中示出的显示装置的另一配置实例的示意性截面图。
[图16B]图16B是示出了图15中示出的显示装置的另一配置实例的示意性截面图。
[图17]图17是示出了根据第一变型例的粘合层的配置的示意性平面图。
[图18]图18是示出了根据第二变型例的粘合层的配置的示意性平面图。
[图19]图19是示出了显示装置的整个配置的一个实例的立体图。
[图20]图20是示出了显示装置的整个配置的另一实例的立体图。
[图21]图21是示出了根据本公开的第十一实施方式的成像装置的配置的示意性截面图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细地描述本公开的实施方式。顺便提及，将按以下顺序进行描述。
1、第一实施方式(显示装置的实例，其中基底粘附到元件基板的背面和安装在背面上的安装构件粘附在基底的凹陷部中)
2、第二实施方式(具有围绕凹陷部的柱状构件的凹陷的显示装置的实例)
3、第三实施方式(显示装置的实例，其中柱状构件形成与基底接触)
4、第四实施方式(显示装置的实例，其中柱状构件形成与安装构件接触)
5、第五实施方式(显示装置的实例，其中柱状构件和第二粘合层由相同的材料制成并且形成为具有相同的厚度)
6、第六实施方式(显示装置的实例，其中柱状构件和填充层由相同的材料制成并且形成为具有相同的厚度)
7、第七实施方式(显示装置的实例，其中填充层和第二粘合层由相同的材料制成并且形成为具有相同的厚度)
8、第八实施方式(显示装置的实例，其中柱形构件、填充层和第二粘合层由相同的材料制成并且形成为具有相同的厚度)
9、第九实施方式(显示装置的实例，其中安装构件和元件基板通过焊接粘附于彼此)
10、第十实施方式(显示装置的实例，其中填充层由滑脂配置)
11、变型例1(壳体的实例，其中柱状构件和填充层交替和同心地设置)
12、变型例2(壳体的实例，其中柱状构件布置为等间隔)
13、第十一实施方式(成像装置的实例，其中基底粘附到元件基板的背面和安装在背面上的安装构件粘附在基底的凹陷部中)
<第一实施方式>
[配置]
图1示出了根据本公开的第一实施方式的显示装置(显示装置1)的截面配置。显示装置1基于从外部输入的图片信号进行图片显示，并且设置有元件基板11A和安装构件12。元件基板11A是在基板11的第一面(表面S1)上布置有多个发光元件10A的元件基板11A。安装构件12布置为面对元件基板11A的基板11的第二面(表面S2)的一部分。
发光元件10A由包括例如发光二极管(LED)的一个芯片配置。发光元件10A例如，以矩阵中的预定间距布置在基板11的表面S1上。
理想地，基板11由例如玻璃环氧树脂配置。这是因为它是低成本的，并且使布线引绕变得容易。玻璃环氧树脂易受温度(或湿度)变化的影响，并且容易发生翘曲等变形。然而，在本实施方式中，可以抑制如以后描述的这种变形，因此可以有利地使用低成本玻璃环氧树脂。然而，可以使用不限于玻璃环氧树脂的各种其它材料(例如玻璃等)作为基板11的构成材料。基板11对应于本公开的“基板”的一个具体实例。
安装构件12是表面上例如安装有多个电子组件的构件，并且例如包括硅(Si)芯片等。安装构件12经由耦合层17电耦合到布置在基板11的第一面(表面S1)上的发光元件10A和未示出的像素电路。例如，如图2所示，安装构件12并不设置在基板11的第二面(表面S2)的整个区域上，而是设置在面向基板11的表面S2的一部分的选择区域(局部区域)中。耦合层17由例如ACF(各向异性传导膜)、焊料(稍后描述)等配置。
在本实施方式中，设置具有面向该安装构件12的凹陷部(凹陷部13a)的基底(基底13)。基底13粘附于基板11的表面S2，具体说，是除了凹陷部13a之外的基板11的表面S2的区域。粘合层(粘合层14)形成在基底13与基板11之间。粘合层14对应于本公开的“第二粘合层”的一个具体实例。
粘合层14由例如环氧基树脂、丙烯酸基树脂、硅酮基树脂、及聚氨酯基树脂的树脂材料配置。替代地，粘合层14可以由不局限于这些树脂材料的其他有机材料、无机材料等配置。
理想地，基底13由硬度高于基板11的材料配置。作为基底13的实例，可以给出铝(Al)、铁(Fe)和CFRP(碳纤维增强塑料)。基底13的面向安装构件12的一部分被加工成具有凹陷部13a。基底13被设计成使得安装构件12在基底13粘附于基板11的表面S2的状态下适配到凹陷部13a中。
安装构件12在凹陷部13a中粘附于基底13。换言之，粘合层(粘合层18)形成在安装构件12与基底13之间。具体地，安装构件12在凹陷部13a的底面上粘附于基底13。粘合层18对应于本公开的“第一粘合层”的一个具体实例。
例如，粘合层18包括一个或多个柱状构件15和填充层16。填充层16形成为填充安装构件12与基底13(在此，凹陷部13a的底面)之间的间隙的至少一部分。柱状构件15由例如环氧基树脂、丙烯酸基树脂、硅酮基树脂、及聚氨酯基树脂的树脂材料配置。替代地，柱状构件15可以由不局限于这些树脂材料的其他有机材料、无机材料等配置。填充层16由例如环氧基树脂、丙烯酸基树脂、硅酮基树脂、及聚氨酯基树脂的树脂材料配置。替代地，填充层16可以由不局限于这些树脂材料的其他有机材料、无机材料等配置。另外，填充物(粒状物质)可以进一步添加到柱状构件15和填充层16。可以根据柱状构件15和填充层16的布局、相应组成材料、厚度等的组合来调整粘合层18的固化收缩量。
更理想地，粘合层18设置在面对安装构件12的选择区域中。换言之，希望粘合层18形成在凹陷部13a的底面的中间部分，并且与凹陷部13a的侧面对应的区域采取空隙的形式(空隙13b)。尽管稍后将描述细节，但这是因为同与侧面接触地形成粘合层18的情况相比，可以更有效地抑制翘曲。
如后面所述，粘合层14、柱状构件15和填充层16可以由相互不同的材料配置，或者它们中的一些或全部可以由相同的材料配置。此外，对其厚度也没有特别限制。另外，可以使用热固性树脂，或者可以使用紫外线固化树脂作为粘合层14、18。然而，组成材料、厚度等可以理想地设定为使得例如其固化收缩量在粘合层14和粘合层18之间变得相同。
图3示出了粘合层18的平面配置(与基板11的表面S1和S2平行的平面上的配置)的一个实例。顺便提及，沿着图3中的I-I线的箭头的截面配置对应于图1。粘合层18形成在凹陷部13a的中间部分，并且以这种方式在粘合层18和凹陷部13a的侧面之间设置空隙13b。此外，将多个(在该实例中为5个)柱状构件分散地布置在粘合层18中，并且填充层16形成为填充它们之间的间隙。
[效果]
在根据本实施方式的显示装置1中，多个发光元件10A布置在元件基板11A的基板11的表面S1上，并且安装构件12布置为面对基板11的表面S2的一部分。在这种配置中，具有面向安装构件12的凹陷部13a的基底13粘附于基板11的表面S2。因此，由于整个装置的硬度增加，例如环境(诸如温度和湿度)中的变化引起的翘曲等变形的发生变得困难。此外，由驱动时的升温引起的变形，制造过程中的热应力等也被抑制。当基板11变形时，屏幕(显示屏幕)将变形并且图像质量将会劣化。然而，在本实施方式中，能够抑制这种图像质量劣化。因此，可以减小由湿热环境引起的图像质量劣化。
另外，在安装构件12配置成面对基板的表面S2的一部分的结构中，粘合层14不形成在布置安装构件12的区域中。因此，在布置安装构件12的局部区域中容易出现翘曲。相反，如本实施方式那样，通过使安装构件12和基底13在基底13的凹陷部13a中粘附于彼此，可以抑制这种局部变形。
例如，在存在粘合层18的情况(虚线)中，与不存在粘合层18的情况(实线)相比，可以减少翘曲量，例如，如图4所示。顺便提及，芯片之间的距离设为15mm。
虽然没有特别限定，但是粘合层18的形成区域理想地是在凹陷部13a的底面上与安装构件12相对的选择区域(具有空隙13b)。这里，图6中示出了如实例1-1至1-4(图5A至图5D)改变粘合层18的形成区域的情况下的翘曲量的模拟结果。在实例1-1中，未设置粘合层18。在实例1-2中，确保空隙13b不与凹陷部13a的侧面接触，并且粘合层18设置在与安装构件12相对的区域中。另外，在实例1-3中，粘合层18设置为覆盖凹陷部13a的整个区域。在实例1-4中，粘合层18设置为填充凹陷部13a的整个区域。
因此如图6所示，在其中设置粘合层18的实例1-2至1-4中，与其中未设置粘合层18的实例1-1相比，预定位置处的翘曲量大大减少。另外，在粘合层18形成为覆盖凹陷部13a的底面的实例1-3中，与其中粘合层18形成为填充凹陷部13a的整个区域的实例1-4(图6中的x1)相比，翘曲进一步得到抑制。在确保具有空隙13b而形成粘合层18的实例1-2中，与其他实例1-1、1-3、及1-4相比，翘曲量更加减少，并且获得最有利的结果。
接下来，将描述上述的第一实施方式的其他实施方式及其变型例。在下文中，与上述第一实施方式中相同的构成元件分配相同的符号，并且适当地省略其描述。
<第二实施方式>
图7示出了根据本公开的第二实施方式的显示装置(显示装置1A)的截面配置。显示装置1A基于从外部输入的图片信号进行图片显示，并且设置有与根据上述第一实施方式的显示装置1类似的元件基板11A和安装构件12。多个发光元件10A布置在基板11的表面S1上，并且安装构件12布置成面对表面S2的一部分。
此外，具有面向安装构件12的凹陷部13a的基底13粘附于基板11的表面S2(详细地描述，基板11的除了凹陷部13a之外的表面S2的区域)。
此外，还在本实施方式中，安装构件12在凹陷部13a中粘附于基底13，并且在安装构件12和基底13之间形成粘合层(粘合层18A)。具体地，安装构件12在凹陷部13a的底面上粘附于基底13。例如，粘合层18A包括一个或多个柱状构件15和填充层16，与根据上述第一实施方式的粘合层18类似。另外，粘合层18A设置在与安装构件12相对的选择区域中，并且与凹陷部13a的侧面对应的区域为空隙13b。
然而，在本实施方式中，在面对凹陷部13a中的柱状构件15的表面(在此，底面)上的围绕柱状构件15的区域中(包括柱状构件15与填充层16之间的边界的区域)形成凹陷(凹陷13c)。凹陷13c围绕柱状构件15形成为例如槽状并具有预定深度。另外，空隙150形成在柱状构件15与填充层16之间的边界部分上。顺便提及，柱状构件15和填充层16可以彼此接触。
还在根据本实施方式的显示装置1A中，多个发光元件10A布置在基板11的表面S1上，并且安装构件12布置为面对基板11的表面S2的部分。在这种配置中，因为整个装置的硬度由于具有面对安装构件12的凹陷部13a的基底13粘附于基板11的表面S2而增强，因此难以发生诸如由温度变化等引起的翘曲的变形。此外，由于安装构件12和基底13在凹陷部13a中的粘附，可以抑制局部变形。因此，能够获取相当于上述第一实施方式的效果。
此外，在本实施方式中，凹陷13c形成在凹陷部13a的底面上的柱状构件15周围的区域中。由此，可以抑制柱状构件15与填充层16在粘合层18A中混合。当柱状构件15与填充层16混合时，存在固化所需的时间改变或固化变得不足并因此出现粘合失败的情况。此外，还存在在粘合层平面中发生固化收缩量的变化和发生不均匀的情况。如在本实施方式中，通过使柱状构件15与填充层16之间具有空隙150，柱状构件15与填充层16的混合变得困难，从而能够抑制这种粘合失败和不均匀的出现。
<第三实施方式>
图8示出了根据本公开的第三实施方式的显示装置(显示装置1B)的截面配置。显示装置1B基于从外部输入的图片信号进行图片显示，并且设置有元件基板11A和安装构件12，与根据上述第一实施方式的显示装置1类似。多个发光元件10A布置在基板11的表面S1上，并且安装构件12布置成面对表面S2的一部分。
此外，具有面向安装构件12的凹陷部13a的基底13粘附于基板11的表面S2(详细地描述，基板11的除了凹陷部13a之外的表面S2的区域)。
此外，还在本实施方式中，安装构件12在凹陷部13a中粘附于基底13，并且在安装构件12和基底13之间形成粘合层(粘合层18B)。具体地，安装构件12在凹陷部13a的底面上粘附于基底13。例如，粘合层18B包括一个或多个柱状构件(柱状构件15a)和填充层16，与根据上述第一实施方式的粘合层18类似。可以使用与根据上述第一实施方式的柱状构件15的构成材料类似的材料作为柱状构件15a。粘合层18B设置在与安装构件12相对的选择区域中，并且与凹陷部13a的侧面对应的区域为空隙13b。
然而，在本实施方式中，与上述第一实施方式不同，柱状构件15a形成为仅与粘合层18B中的基底13(凹陷部13a)接触。柱状构件15a与安装构件12分开设置，并且柱状构件15a与安装构件12之间的间隙填充有填充层16。
还在根据本实施方式的显示装置1B中，多个发光元件10A布置在基板11的表面S1上，并且安装构件12布置为面对基板11的表面S2的部分。在这种配置中，因为整个装置的硬度由于具有面对安装构件12的凹陷部13a的基底13粘附于基板11的表面S2而增强，因此难以发生诸如由温度变化等引起的翘曲的变形。此外，由于安装构件12和基底13在凹陷部13a中的粘附，可以抑制局部变形。因此，能够获取等于上述第一实施方式的效果。
<第四实施方式>
图9示出了根据本公开的第四实施方式的显示装置(显示装置1C)的截面配置。显示装置1C基于从外部输入的图片信号进行图片显示，并且设置有元件基板11A和安装构件12，与根据上述第一实施方式的显示装置1类似。多个发光元件10A布置在基板11的表面S1上，并且安装构件12布置成面对表面S2的一部分。
此外，具有面向安装构件12的凹陷部13a的基底13粘附于基板11的表面S2(详细地描述，基板11的除了凹陷部13a之外的表面S2的区域)。
此外，还在本实施方式中，安装构件12在凹陷部13a中粘附于基底13，并且粘合层(粘合层18C)形成在安装构件12和基底13之间。具体地，安装构件12在凹陷部13a的底面上粘附于基底13。例如，粘合层18C包括一个或多个柱状构件(柱状构件15b)和填充层16，与根据上述第一实施方式的粘合层18类似。可以使用与根据上述第一实施方式的柱状构件15的构成材料类似的材料作为柱状构件15b。粘合层18C设置在与安装构件12相对的选择区域中，并且与凹陷部13a的侧面对应的区域为空隙13b。
然而，在本实施方式中，与上述第一实施方式不同，柱状构件15a形成为仅与安装构件12在粘合层18C中接触。柱状构件15b与基底13(凹陷部13a的底面)分开设置，并且柱状构件15a和基底13之间的间隙填充有填充层16。
还在根据本实施方式的显示装置1C中，多个发光元件10A布置在基板11的表面S1上，并且安装构件12布置为面对基板11的表面S2的部分。在这种配置中，因为整个装置的硬度由于具有面对安装构件12的凹陷部13a的基底13粘附于基板11的表面S2而增强，因此难以发生诸如由温度变化等引起的翘曲的变形。此外，由于安装构件12和基底13在凹陷部13a中的粘附，可以抑制局部变形。因此，能够获取等于上述第一实施方式的效果。
<第五实施方式>
图10示出了根据本公开的第五实施方式的显示装置(显示装置1D)的截面配置。显示装置1D基于从外部输入的图片信号进行图片显示，并且设置有元件基板11A和安装构件12，与根据上述第一实施方式的显示装置1类似。多个发光元件10A布置在基板11的表面S1上，并且安装构件12布置成面对表面S2的一部分。
此外，具有面向安装构件12的凹陷部13a的基底13粘附于基板11的表面S2(具体说，粘附于基板11的除了凹陷部13a之外的表面S2的区域)。粘合层(粘合层14a)形成在基板11与基底13之间。
此外，还在本实施方式中，安装构件12在凹陷部13a中粘附于基底13，并且在安装构件12和基底13之间形成粘合层(粘合层18D)。具体地，安装构件12在凹陷部13a的底面上粘附于基底13。例如，粘合层18D包括一个或多个柱状构件(柱状构件15c)和填充层16，与根据上述第一实施方式的粘合层18类似。粘合层18D设置在与安装构件12相对的选择区域中，并且与凹陷部13a的侧面对应的区域为空隙13b。
然而，在本实施方式中，柱状构件15c和粘合层14a由相同的材料制成，并具有相同的厚度(t1)。
还在本实施方式中，多个发光元件10A布置在基板11的表面S1上，并且安装构件12布置为面对基板11的表面S2的部分。在这种配置中，因为整个装置的硬度由于具有面对安装构件12的凹陷部13a的基底13粘附于基板11的表面S2而增强，因此难以发生诸如由温度变化等引起的翘曲的变形。此外，由于安装构件12和基底13在凹陷部13a中的粘附，可以抑制局部变形。因此，能够获取等于上述第一实施方式的效果。
此外，由于柱状构件15c和粘合层14a由相同的材料制成并且具有相同的厚度，所以柱状构件15c和粘合层14a之间的热膨胀差减小，使得能够有效地抑制翘曲。
<第六实施方式>
图11示出了根据本公开的第六实施方式的显示装置(显示装置1E)的截面配置。显示装置1E基于从外部输入的图片信号进行图片显示，并且设置有元件基板11A和安装构件12，与根据上述第一实施方式的显示装置1类似。多个发光元件10A布置在基板11的表面S1上，并且安装构件12布置成面对表面S2的一部分。
此外，具有面向安装构件12的凹陷部13a的基底13粘附于基板11的表面S2(具体说，粘附于基板11的除了凹陷部13a之外的表面S2的区域)。粘合层14形成在基板11与基底13之间。
此外，还在本实施方式中，安装构件12在凹陷部13a中粘附于基底13，并且在安装构件12和基底13之间形成粘合层(粘合层18E)。具体地，安装构件12在凹陷部13a的底面上粘附于基底13。粘合层18E设置在与安装构件12相对的选择区域中，并且与凹陷部13a的侧面对应的区域为空隙13b，与根据上述第一实施方式的粘合层18类似。
然而，在本实施方式中，根据上述第一实施方式的填充层16和柱状构件15由相同的材料制成，并具有相同的厚度。即，粘合层18E未被分成柱状部分和填充材料而是采取单层的形式。在该情况下，通过在粘合层18E中包含填充物并且调整填充物的含量能够调节粘合层18E的固化收缩量。
还在本实施方式中，多个发光元件10A布置在基板11的表面S1上，并且安装构件12布置为面对基板11的表面S2的部分。在这种配置中，因为整个装置的硬度由于具有面对安装构件12的凹陷部13a的基底13粘附于基板11的表面S2而增强，因此难以发生诸如由温度变化等引起的翘曲的变形。此外，由于安装构件12和基底13在凹陷部13a中的粘附，可以抑制局部变形。因此，能够获取相当于上述第一实施方式的效果。
另外，因为设置粘合层18E(即，根据上述第一实施方式的柱状构件15和填充层16由相同材料制成并且具有相同的厚度)，所以柱状构件15和填充层16之间的热膨胀差减小，能够有效地抑制翘曲。
<第七实施方式>
图12示出了根据本公开的第七实施方式的显示装置(显示装置1F)的截面配置。显示装置1F基于从外部输入的图片信号进行图片显示，并且设置有元件基板11A和安装构件12，与根据上述的第一实施方式的显示装置1类似。多个发光元件10A布置在基板11的表面S1上，并且安装构件12布置成面对表面S2的一部分。
此外，具有面向安装构件12的凹陷部13a的基底13粘附于基板11的表面S2(具体说，基板11的除了凹陷部13a之外的表面S2的区域)。粘合层(粘合层14b)形成在基板11与基底13之间。
此外，还在本实施方式中，安装构件12在凹陷部13a中粘附于基底13，并且在安装构件12和基底13之间形成粘合层(粘合层18F)。具体地，安装构件12在凹陷部13a的底面上粘附于基底13。例如，粘合层18F包括一个或多个柱状构件15和填充层(填充层16a)，与根据上述第一实施方式的粘合层18类似。粘合层18F设置在与安装构件12相对的选择区域中，并且与凹陷部13a的侧面对应的区域为空隙13b。
然而，在本实施方式中，填充层16a和粘合层14b由相同的材料制成，并具有相同的厚度(t2)。
还在本实施方式中，多个发光元件10A布置在基板11的表面S1上，并且安装构件12布置为面对基板11的表面S2的部分。在这种配置中，因为整个装置的硬度由于具有面对安装构件12的凹陷部13a的基底13粘附于基板11的表面S2而增强，因此难以发生诸如通过温度变化等引起的翘曲的变形。此外，由于安装构件12和基底13在凹陷部13a中的粘附，可以抑制局部变形。因此，能够获取等于上述第一实施方式的效果。
此外，因为填充层16a和粘合层14b由相同的材料制成并且具有相同的厚度，所以填充层16a和粘合层14b之间的热膨胀差减小，使得能够有效地抑制翘曲。
<第八实施方式>
图13示出了根据本公开的第八实施方式的显示装置(显示装置1G)的截面配置。显示装置1G基于从外部输入的图片信号进行图片显示，并且设置有元件基板11A和安装构件12，与根据上述第一实施方式的显示装置1类似。多个发光元件10A设置在基板11的表面S1上，并且安装构件12设置成面对表面S2的一部分。
此外，具有面向安装构件12的凹陷部13a的基底13粘附于基板11的表面S2(具体说，基板11的除了凹陷部13a之外的表面S2的区域)。粘合层(粘合层14c)形成在基板11与基底13之间。
此外，还在本实施方式中，安装构件12在凹陷部13a中粘附于基底13，并且在安装构件12和基底13之间形成粘合层(粘合层18G)。具体地，安装构件12在凹陷部13a的底面上粘附于基底13。粘合层18G设置在与安装构件12相对的选择区域中，并且与凹陷部13a的侧面对应的区域为空隙13b，与根据上述第一实施方式的粘合层18类似。
然而，在本实施方式中，根据上述第一实施方式的柱状构件15和填充层16以及粘合层14c由相同的材料制成，并具有相同的厚度(t3)。即，粘合层18G未被分成柱形部分和填充材料而是采取单层的形式。在这种情况下，能够通过将填充物包含在粘合层18E中并调整填充物的含量来调节粘合层18E的固化收缩量，与根据上述第六实施方式的粘合层18E一样。
还在本实施方式中，多个发光元件10A布置在基板11的表面S1上，并且安装构件12布置为面对基板11的表面S2的部分。在这种配置中，因为整个装置的硬度由于具有面对安装构件12的凹陷部13a的基底13粘附于基板11的表面S2而增强，因此难以发生诸如由温度变化等引起的翘曲的变形。此外，由于安装构件12和基底13在凹陷部13a中的粘附，可以抑制局部变形。因此，能够获取相当于上述第一实施方式的效果。
另外，因为根据上述第一实施方式的柱状构件15和填充层16以及粘合层14c由相同材料制成并且具有相同的厚度，所以柱状构件15、填充层16及粘合层14c之间的热膨胀差减小，能够有效地抑制翘曲。
<第九实施方式>
图14示出了根据本公开的第九实施方式的显示装置(显示装置1H)的截面配置。显示装置1H基于从外部输入的图片信号进行图片显示，并且设置有元件基板11A和安装构件12，与根据上述第一实施方式的显示装置1类似。多个发光元件10A设置在基板11的表面S1上，并且安装构件12设置成面对表面S2的一部分。
此外，具有面向安装构件12的凹陷部13a的基底13粘附于基板11的表面S2(具体说，基板11的除了凹陷部13a之外的表面S2的区域)。粘合层14形成在基板11与基底13之间。
此外，还在本实施方式中，安装构件12在凹陷部13a中粘附于基底13，并且在安装构件12和基底13之间形成粘合层18。具体地，安装构件12在凹陷部13a的底面上粘附于基底13。
然而，在本实施方式中，安装构件12通过焊接安装在基板11的表面S2侧上。焊接接头部分17a设置在基板11与安装构件12之间。安装构件12可以以这种方法通过焊接安装至元件基板11A。
还在本实施方式中，多个发光元件10A布置在基板11的表面S1上，并且安装构件12布置为面对基板11的表面S2的部分。在这种配置中，因为整个装置的硬度由于具有面对安装构件12的凹陷部13a的基底13粘附于基板11的表面S2而增强，因此难以发生诸如由温度变化等引起的翘曲的变形。此外，由于安装构件12和基底13在凹陷部13a中的粘附，变得能够抑制局部变形。因此，能够获取相当于上述第一实施方式的效果。
另外，因为根据上述第一实施方式的柱状构件15和填充层16以及粘合层14c由相同材料制成并且具有相同的厚度，所以柱状构件15、填充层16及粘合层14c之间的热膨胀差减小，能够有效地抑制翘曲。
<第十实施方式>
图15示出了根据本公开的第十实施方式的显示装置(显示装置1I)的截面配置。显示装置1I基于从外部输入的图片信号进行图片显示，并且设置有元件基板11A和安装构件12，与根据上述第一实施方式的显示装置1类似。多个发光元件10A布置在基板11的表面S1上，并且安装构件12布置成面对表面S2的一部分。
此外，具有面向安装构件12的凹陷部13a的基底13粘附于基板11的表面S2(具体说，基板11的除了凹陷部13a之外的表面S2的区域)。粘合层14形成在基板11与基底13之间。
此外，还在本实施方式中，安装构件12在凹陷部13a中粘附于基底13，并且在安装构件12和基底13之间形成粘合层(粘合层18H)。具体地，安装构件12在凹陷部13a的底面上粘附于基底13。例如，粘合层18H包括一个或多个柱状构件15和填充层(填充层16b)，与根据上述第一实施方式的粘合层18类似。粘合层18F设置在与安装构件12相对的选择区域中，并且与凹陷部13a的侧面对应的区域为空隙13b。
然而，在本实施方式中，填充层16b由油脂(油脂)制成。理想地，填充层16b由导热油脂制成。顺便提及，填充层16b可以形成为将凹陷部13a填充到如图16A所示的预定深度的位置，或者可以形成为如图16B所示填充凹陷部13a中的整个区域。
还在本实施方式中，多个发光元件10A设置在基板11的表面S1上，并且安装构件12设置为面对基板11的表面S2的部分。在这种配置中，因为整个装置的硬度由于具有面对安装构件12的凹陷部13a的基底13粘附于基板11的表面S2而增强，因此难以发生诸如由温度变化等引起的翘曲的变形。此外，由于安装构件12和基底13在凹陷部13a中的粘附，变得能够抑制局部变形。因此，能够获取相当于上述第一实施方式的效果。
另外，因为粘合层18H中的填充层16b由导热油脂制成，所以变得能够增加元件基板11A的散热。可以抑制由安装构件12等的热再生引起的基板11的温度无规律的发生。因此，可以抑制屏幕的变形并且降低基板11的温度无规律，更有利地抑制图像质量劣化。
<变型例1>
图17示出根据上述第一实施方式等的变型例(变型例1)的粘合层的平面配置。虽然根据上述的第一实施方式举例说明多个柱状构件15离散布置并且填充层16形成为填充粘合层18中的柱状构件15之间的间隙的情况，但是粘合层的布局不限于此。例如，如本变型例，柱状构件(柱状构件15d)和填充层(填充层16c)可以交替并且同心地(或椭圆同心地)布置。顺便提及，在该实例中，填充层16c的外缘部分成形为对应于安装构件12的平面形状的矩形。另外，空隙13b设置在填充层16c的外缘部分与凹陷部13a的侧面之间。
通过以这种方式交替同心地设置柱状构件15d和填充层16c，能够使用具有较小接地接触面积的柱状构件15d有效地抑制翘曲。
<变型例2>
图18示出根据上述第一实施方式等的变型例(变型例2)的粘合层的平面配置。虽然根据上述的第一实施方式描述了多个柱状部件15离散地布置在粘接层18中，但是理想地，如在本变型例中，多个柱状部件(柱状构件15e)以相等的间隔(间隔p)布置。通过以相等的间隔布置柱状构件15d，能够使用较小接地接触面积的柱状构件15d有效地抑制翘曲。
顺便提及，粘合层中的柱状构件和填充层的布局可以具有除上述变型例1和2以外的各种形式。例如，柱状构件的表面形状(平行于基板11的平面的形状)可以具有不限于上述圆形的诸如多边形的其他形状。此外，柱状构件的数量、尺寸等不限于上述实例的那些。
<应用例>
在上述实施方式等中描述的显示装置1等可以是例如使用元件基板11A的上表面作为显示区域10来显示图片图像的显示装置，如图19中示出的显示装置2，或者可以用作如图20所示的拼接显示器3。拼接显示器3是将一个显示装置1设置为一个单元(unit)(或单元(cell))并且多个显示装置1例如布置成矩阵的显示器。特别地，在使用LED作为发光元件10A的情况下，可以通过这种拼接来实现大尺寸显示器。
<第十一实施方式>
图21示出根据本公开的第十一实施方式的成像装置(成像装置4)的截面配置。成像装置4基于进入的光线获取图像数据，并且设置有元件基板21A和安装构件12。元件基板21A是在基板21的表面S1上布置有多个光接收元件20A的元件基板。安装构件12布置为面对元件基板21A的基板21的表面S2的一部分。
光接收元件20A由包括诸如光电二极管(PD)的光电转换元件的芯片配置。光接收元件20A例如，以预定间距在基板21的表面S1上布置成矩阵。由于与上述第一实施方式的基板11相同的理由，例如，基板21理想地由玻璃环氧树脂制成。由于与上述第一实施方式类似地在本实施方式中也可以抑制基板21的变形，因此优选使用玻璃环氧树脂作为材料。
此外，在本实施方式中，还设置具有面对安装构件12的凹陷部13a的基底13。基底13粘附于基底21的表面S2，具体说，是粘附于除了凹陷部13a之外的基板21的表面S2的区域。粘合层14形成在基底13与基板21之间。
此外，安装构件12在凹陷部13a中粘附于基底13，并且在安装构件12和基底13之间形成粘合层18。例如，粘合层18包括如上所述的一个或多个柱状构件15和填充层16。粘合层18设置在与安装构件12相对的选择区域中，并且对应于凹陷部13a的侧面的区域为空隙13b。
由于基底13还粘附于元件基板21A(其中光接收元件20A以这种方法布置在基板21的表面S1上)，也能够增加整个装置的硬度。因此，能够获取相当于上述第一实施方式的效果。
尽管在前文中已经通过参考实施方式和变型例进行了描述，但是本公开的内容不限于上述实施方式等，并且可以进行各种修改。例如，基底的凹陷部、柱状部件、填充层等的形状和布局不限于上述实施方式等所示的形状和布局。此外，各个构成元件的材料、厚度等仅是实例。
另外，上述实施方式等描述的效果仅是一个实例。效果可以是其他效果，或者可以进一步包含其他效果。
顺便提及，本公开还可以具有如下这种配置。
(1)
一种显示装置，包括：
基板，具有彼此面对的第一面和第二面，并且在所述第一面上具有多个发光元件；
安装构件，布置为面对所述基板的所述第二面的一部分；以及
基底，粘附于所述基板的所述第二面，并且具有面对所述安装构件的凹陷部。
(2)
根据(1)所述的显示装置，进一步包括第一粘合层，所述第一粘合层使所述安装构件和所述基底在所述基底的凹陷部中粘附于彼此。
(3)
根据(2)所述的显示装置，其中，所述第一粘合层包括一个或多个柱状构件。
(4)
根据(3)所述的显示装置，其中，第一粘合层包括填充安装构件与基底之间的间隙的至少一部分的填充层。
(5)
根据(2)或(3)所述的显示装置，其中
第一粘合层设置在凹陷部的底面上，并且
安装构件在凹陷部的底面上粘附于基底。
(6)
根据(5)所述的显示装置，其中，对应于凹陷部的侧面的区域是空隙。
(7)
根据(4)至(6)中任一项所述的显示装置，其中，凹陷部的面向所述柱状构件的表面的区域具有凹陷，区域位于所述柱状构件周围。
(8)
根据(3)至(7)中的任一项所述的显示装置，其中，柱状构件布置为与基底和安装构件之一或两者接触。
(9)
根据(4)至(8)中的任一项所述的显示装置，还包括设置在基底与基板之间的第二粘合层，其中
第一粘合层和第二粘合层在固化收缩量上彼此相同。
(10)
根据(4)至(8)中的任一项所述的显示装置，还包括设置在基底与基板之间的第二粘合层，其中
柱状构件和第二粘合层由相同的材料制成并且具有相同的厚度。
(11)
根据(4)至(8)中的任一项所述的显示装置，还包括设置在基底与基板之间的第二粘合层，其中
柱状构件和填充层由彼此相同的材料制成并且具有彼此相同的厚度。
(12)
根据(4)至(8)中的任一项所述的显示装置，还包括设置在基底与基板之间的第二粘合层，其中
填充层和第二粘合层由彼此相同的材料制成并且具有彼此相同的厚度。
(13)
根据(4)至(8)中的任一项所述的显示装置，还包括设置在基底与基板之间的第二粘合层，其中
柱状构件、填充层、和第二粘合层由彼此相同的材料制成并且具有彼此相同的厚度。
(14)
根据(1)至(13)中的任一项所述的显示装置，其中，安装构件通过焊接耦接至基板。
(15)
根据(4)所述的显示装置，其中，填充层包含具有导热性的油脂。
(16)
根据(4)所述的显示装置，其中，第一粘合层形成为覆盖凹陷部的底面。
(17)
根据(4)所述的显示装置，其中，第一粘合层形成为填充在凹陷部内部。
(18)
根据(4)所述的显示装置，其中，柱状构件和填充层交替并且同心地设置。
(19)
根据(3)所述的显示装置，其中
柱状构件包括多个柱状构件，并且
多个柱状构件等间隔地布置。
(20)
一种成像装置，包括：
基板，具有彼此面对的第一面和第二面，并且在第一面上具有多个光接收元件；
安装构件，布置为面对基板的第二面的一部分；以及
基底，粘附于基板的第二面，并且具有面对安装构件的凹陷部。
本申请基于并要求于2015年3月2日向日本专利局提交的日本专利申请No.2015-039922的优先权，其全部内容通过引用的方式并入本文。
本领域技术人员应该理解，只要在所附权利要求或其等同物的范围内，各种修改、组合、子组合和改变可以根据设计要求和其它因素发生。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
基板，具有彼此面对的第一面和第二面，并且在所述第一面上具有多个发光元件；
安装构件，布置为面对所述基板的所述第二面的一部分；以及
基底，粘附于所述基板的所述第二面，并且具有面对所述安装构件的凹陷部。
2.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括第一粘合层，所述第一粘合层使所述安装构件和所述基底在所述基底的凹陷部中粘附于彼此。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一粘合层包括一个或多个柱状构件。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一粘合层包括填充所述安装构件与所述基底之间的间隙的至少一部分的填充层。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第一粘合层设置在所述凹陷部的底面上，并且
所述安装构件在所述凹陷部的底面上粘附于所述基底。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，对应于所述凹陷部的侧面的区域是空隙。
7.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述凹陷部的面向所述柱状构件的表面的区域具有凹陷，所述区域位于所述柱状构件周围。
8.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述柱状构件布置为与所述基底和所述安装构件之一或二者接触。
9.根据权利要求4所述的显示装置，还包括设置在所述基底与所述基板之间的第二粘合层，其中
所述第一粘合层和所述第二粘合层在固化收缩量上彼此相同。
10.根据权利要求4所述的显示装置，还包括设置在所述基底与所述基板之间的第二粘合层，其中
所述柱状构件和所述第二粘合层由相同的材料制成并且具有相同的厚度。
11.根据权利要求4所述的显示装置，还包括设置在所述基底与所述基板之间的第二粘合层，其中
所述柱状构件和所述填充层由彼此相同的材料制成并且具有彼此相同的厚度。
12.根据权利要求4所述的显示装置，还包括设置在所述基底与所述基板之间的第二粘合层，其中
所述填充层和所述第二粘合层由彼此相同的材料制成并且具有彼此相同的厚度。
13.根据权利要求4所述的显示装置，还包括设置在所述基底与所述基板之间的第二粘合层，其中
所述柱状构件、所述填充层和所述第二粘合层由彼此相同的材料制成并且具有彼此相同的厚度。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述安装构件通过焊接耦接至所述基板。
15.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述填充层包含具有导热性的油脂。
16.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一粘合层形成为覆盖所述凹陷部的底面。
17.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一粘合层形成为填充在所述凹陷部内部。
18.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述柱状构件和所述填充层交替并且同心地设置。
19.根据权利要求3所述的显示装置，其中
所述柱状构件包括多个柱状构件，并且
所述多个柱状构件等间隔地布置。
20.一种成像装置，包括：
基板，具有彼此面对的第一面和第二面，并且在所述第一面上具有多个光接收元件；
安装构件，布置为面对所述基板的所述第二面的一部分；以及
基底，粘附于所述基板的所述第二面，并且具有面对所述安装构件的凹陷部。
CN201680012045.8A 2015-03-02 2016-02-01 显示装置和成像装置 Expired - Fee Related CN107430833B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-039922 2015-03-02
JP2015039922A JP2016161743A (ja) 2015-03-02 2015-03-02 表示装置および撮像装置
PCT/JP2016/052918 WO2016140002A1 (ja) 2015-03-02 2016-02-01 表示装置および撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107430833A true CN107430833A (zh) 2017-12-01
CN107430833B CN107430833B (zh) 2020-03-03

Family

ID=56845066

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680012045.8A Expired - Fee Related CN107430833B (zh) 2015-03-02 2016-02-01 显示装置和成像装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10468389B2 (zh)
JP (1) JP2016161743A (zh)
CN (1) CN107430833B (zh)
WO (1) WO2016140002A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111630583A (zh) * 2018-01-30 2020-09-04 索尼半导体解决方案公司 显示装置和电子装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018122997A1 (ja) * 2016-12-28 2018-07-05 三菱電機株式会社 発光ユニット、表示装置及びマルチ表示装置
US20190206753A1 (en) * 2017-12-30 2019-07-04 Intel Corporation Bicontinuous porous ceramic composite for semiconductor package applications

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09223820A (ja) * 1996-02-19 1997-08-26 Rohm Co Ltd 表示装置
JPH10308484A (ja) * 1997-05-08 1998-11-17 Casio Comput Co Ltd 電子機器の放熱構造
JP2005094637A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Fuji Photo Film Co Ltd 撮像モジュール及び撮像モジュールを用いた携帯電話
WO2008117334A1 (ja) * 2007-03-26 2008-10-02 Brm21 Co., Ltd. Ｌｅｄ照明装置
CN101833902A (zh) * 2009-03-11 2010-09-15 元太科技工业股份有限公司 可挠式显示器
CN102054794A (zh) * 2009-10-26 2011-05-11 瑞萨电子株式会社 电子装置及其制造方法
JP2012059638A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Casio Comput Co Ltd 発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器
JP2012059640A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Casio Comput Co Ltd 発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器
CN102468245A (zh) * 2010-11-11 2012-05-23 索尼公司 半导体装置及其制造方法
JP2013004389A (ja) * 2011-06-20 2013-01-07 Mitsubishi Electric Corp 照明装置
CN103823316A (zh) * 2014-03-24 2014-05-28 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4050972B2 (ja) * 2002-10-16 2008-02-20 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
WO2008018234A1 (fr) * 2006-08-11 2008-02-14 Sharp Kabushiki Kaisha Appareil d'affichage et appareil électronique pourvu de celui-ci
JP2009004275A (ja) 2007-06-22 2009-01-08 Panasonic Electric Works Co Ltd 面発光体及び面発光体の製造方法
US8866067B2 (en) * 2009-12-24 2014-10-21 Kyocera Corporation Imaging device with an imaging element and an electronic component
JP5381729B2 (ja) * 2010-01-12 2014-01-08 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置
JP6196568B2 (ja) 2013-03-27 2017-09-13 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置
JP2016171147A (ja) * 2015-03-11 2016-09-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置および照明装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09223820A (ja) * 1996-02-19 1997-08-26 Rohm Co Ltd 表示装置
JPH10308484A (ja) * 1997-05-08 1998-11-17 Casio Comput Co Ltd 電子機器の放熱構造
JP2005094637A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Fuji Photo Film Co Ltd 撮像モジュール及び撮像モジュールを用いた携帯電話
WO2008117334A1 (ja) * 2007-03-26 2008-10-02 Brm21 Co., Ltd. Ｌｅｄ照明装置
CN101833902A (zh) * 2009-03-11 2010-09-15 元太科技工业股份有限公司 可挠式显示器
CN102054794A (zh) * 2009-10-26 2011-05-11 瑞萨电子株式会社 电子装置及其制造方法
JP2012059638A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Casio Comput Co Ltd 発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器
JP2012059640A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Casio Comput Co Ltd 発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器
CN102468245A (zh) * 2010-11-11 2012-05-23 索尼公司 半导体装置及其制造方法
JP2013004389A (ja) * 2011-06-20 2013-01-07 Mitsubishi Electric Corp 照明装置
CN103823316A (zh) * 2014-03-24 2014-05-28 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111630583A (zh) * 2018-01-30 2020-09-04 索尼半导体解决方案公司 显示装置和电子装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016161743A (ja) 2016-09-05
WO2016140002A1 (ja) 2016-09-09
US20180247920A1 (en) 2018-08-30
CN107430833B (zh) 2020-03-03
US10468389B2 (en) 2019-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102362598B1 (ko) 인쇄회로기판 및 이를 포함하는 표시 장치
CN104820314B (zh) 具有热散布膜的电子设备
CN107591374B (zh) 感测器封装结构
KR102040612B1 (ko) 디스플레이 장치
CN106843390A (zh) 显示屏组件、电子装置及显示屏组件的制作方法
WO2019085170A1 (zh) 拼接显示器及其制造方法
KR102433103B1 (ko) 표시 장치
CN107430833A (zh) 显示装置和成像装置
US8313206B2 (en) Lighting device
CN105549243A (zh) 显示装置
US20230182460A1 (en) Display device and method for bonding the same
US20190181194A1 (en) Flexible display device and manufacturing method thereof
US20130271896A1 (en) Display unit, electronic device and assembling method for electronic device
JP6746600B2 (ja) 表示モジュール、表示モジュールを有する表示装置、並びに表示モジュールの製造方法
CN107037634A (zh) 显示装置
US20120049235A1 (en) Organic Light Emitting Diode Packaging Structure and Manufacturing Method Thereof
TW201351679A (zh) 發光裝置
KR20170002583A (ko) 발광 장치
WO2023006941A1 (en) Lighting device and vehicule component comprising such a lighting device
JP2014178616A (ja) 画像表示装置および画像表示装置の取付構造
CN101446698B (zh) 平面显示装置及平面显示装置的制造方法
CN109427255A (zh) 显示装置
CN207796770U (zh) 一种背光模组和显示模组
JP7552519B2 (ja) 表示装置
TW201331678A (zh) 背光結構及其製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20200303

Termination date: 20220201