CN107400871A - 一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法 - Google Patents

一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107400871A
CN107400871A CN201710632848.XA CN201710632848A CN107400871A CN 107400871 A CN107400871 A CN 107400871A CN 201710632848 A CN201710632848 A CN 201710632848A CN 107400871 A CN107400871 A CN 107400871A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon wafer
wafer substrate
diamond thin
layer
diamond
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710632848.XA
Other languages
English (en)
Inventor
张景文
王进军
陈旭东
李洁琼
王晓亮
卜忍安
王宏兴
侯洵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xian Jiaotong University
Original Assignee
Xian Jiaotong University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xian Jiaotong University filed Critical Xian Jiaotong University
Priority to CN201710632848.XA priority Critical patent/CN107400871A/zh
Publication of CN107400871A publication Critical patent/CN107400871A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C23C16/274—Diamond only using microwave discharges

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法，通过在硅晶圆衬底表层下形成氢层，然后再在形成氢层的硅晶圆衬底表层上生成金刚石薄膜，然后通过电化学剥离方法从硅晶圆衬底氢离子层处剥离使硅晶圆衬底和金刚石薄膜分离，形成自撑金刚石薄膜，在自撑金刚石薄膜表面形成了一层便于修复平整加工余量的硅晶圆衬底层，避免造成剥离过程中金刚石薄膜受损，通过从形成氢层的硅晶圆衬底处进行剥离，节省了硅晶圆衬底的成本，避免了硅晶圆衬底材料的浪费，可对剥离后的硅晶圆衬底重复利用，本方法简单快捷，剥离效率高，对剥离后的金刚石薄膜采用CMP抛光技术进行抛光即可得到表面完整的金刚石薄膜，大大提高了金刚石薄膜表面的平整度。

Description

一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法
技术领域
本发明涉及金刚石薄膜技术领域，具体涉及一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法。
背景技术
随着功率电子器件输出功率的不断提高，器件内部因发热产生的高温将严重影响器件和电路的可靠性。因此，功率电子器件的散热成为一个在器件设计和制造中一个亟待解决课题。
金刚石具有极高的的热导率，IIa型天然单晶金刚石的室温热导率高达2000W/m·K，因此采用金刚石作热沉基底材料是解决功率电子器件散热问题的一种有效方法。
由于天然金刚石受尺寸和成本的限制，不可能成为功率电子器件的散热材料。目前金刚石薄膜主要是由人工合成为主，随着合成技术的发展，人工合成金刚石薄膜在电、热、声、光等特性方面已经可以接近完美金刚石晶体材料。人工合成金刚石薄膜最常用的方法是采用MPCVD技术在硅衬底上外延生长，这样得到金刚石薄膜是硅/金刚石的复合膜。然而室温时硅的热导率只有150W/m·K，相对于金刚石来讲，硅是一个大热阻，严重影响了金刚石的散热性能，因此需要将金刚石复合膜上的硅衬底剥离，传统的剥离硅衬底的方法是采用KOH溶液对硅湿法刻蚀来进行衬底剥离，当硅衬底比较厚时，上述方法的刻蚀效率很低，而且刻蚀剥离得到金刚石薄膜表面不平整，质量比较差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法，以克服现有技术的不足。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法，具体包括以下步骤：
步骤1)，在硅晶圆衬底表层下注入氢离子形成氢离子层，
步骤2)，在形成氢离子层的硅晶圆衬底表面上生长金刚石薄膜，
步骤3)，采用电化学剥离方法从硅晶圆衬底氢离子层处剥离使硅晶圆衬底和金刚石薄膜分离，形成自撑金刚石薄膜。
进一步的，步骤1)中，采用硅晶圆衬底直径为2英寸，厚度为3mm，在硅晶圆衬底表层下注入氢离子形成氢离子注入层前，对硅晶圆衬底表面进行镜面打磨与清洗使硅晶圆衬底表面具有晶面特征。
进一步的，用粒径为4-6μm金刚石粉在硅晶圆衬底均匀打磨0.5-1.5min，接着用粒径为4-6μm金刚石粉与浓度大于95％的乙醇的混合液体超声打磨硅晶圆衬底不少于15min，然后用去离子水洗净烘干即可得到表面具有晶面特征的硅晶圆衬底。
进一步的，步骤1)中，垂直于硅晶圆衬底表面向下注入能量为100KeV的氢离子形成一层氢离子层；氢离子注入深度为2～5μm，氢离子注入剂量为5×1016ions/cm2。
进一步的，将注入氢离子的硅晶圆衬底氩气氛围下在850℃-950℃下退火5-15min，以修复离子注入损伤，使硅晶圆衬底注入氢离子层处于富氢状态从而形成氢层。
进一步的，具体的，步骤2)中，采用MPCVD技术在形成氢离子层的硅晶圆衬底表面上生长金刚石薄膜，将注入氢离子的硅晶圆衬底放置在MPCVD反应腔体中的钼托上，开启红外测温仪，调整测温仪和样品的位置，使得红外测温仪可以测到硅晶圆衬底表面的温度，以氢气、甲烷和氧气的混合气体为前驱气体，使硅晶圆衬底温度保持在850℃-950℃，微波功率为4.8-5.2kW，生长时间9-11h，即可完成硅晶圆衬底表面金刚石薄膜生长，氢气、甲烷和氧气气流量比为530:60:10。
进一步的，具体的，步骤3)中，电化学刻蚀方法中的刻蚀电解液包括氢氟酸和去离子按体积比1:5混合而成，氢氟酸的浓度为35-45％，施加的刻蚀电流密度110mA/cm2，刻蚀时间为10-20min。
进一步的，对剥离后的金刚石薄膜采用CMP抛光技术进行抛光即可得到表面完整的金刚石薄膜，将剥离后金刚石薄膜的通过石蜡粘贴在陶瓷盘中，在抛光压力为0.5-0.7N/cm2、抛光转速为45-55r/mi下进行抛光，采用抛光液为碱性二氧化硅抛光液，抛光后通过去离子水清洗后吹干即可得到表面完整的金刚石薄膜。
与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：
本发明一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法，通过在硅晶圆衬底表层下形成氢层，然后再在形成氢层的硅晶圆衬底表层上生成金刚石薄膜，然后通过电化学剥离方法从硅晶圆衬底氢离子层处剥离使硅晶圆衬底和金刚石薄膜分离，形成自撑金刚石薄膜，在自撑金刚石薄膜表面形成了一层便于修复平整加工余量的硅晶圆衬底层，避免造成剥离过程中金刚石薄膜受损，通过从形成氢层的硅晶圆衬底处进行剥离，节省了硅晶圆衬底的成本，避免了硅晶圆衬底材料的浪费，可对剥离后的硅晶圆衬底重复利用，本方法简单快捷，剥离效率高。
进一步的，对剥离后的金刚石薄膜采用CMP抛光技术进行抛光即可得到表面完整的金刚石薄膜，大大提高了金刚石薄膜表面的平整度。
进一步的，通过在硅晶圆衬底表层下注入氢离子形成氢离子层，将注入氢离子的硅晶圆衬底氩气氛围下在850℃-950℃下退火5-15min，以修复离子注入损伤，使硅晶圆衬底注入氢离子层处于富氢状态从而形成氢层，方法简单且形成氢层稳定。
附图说明
图1为硅晶圆衬底剖面图。
图2为硅晶圆衬底镜面氢离子注入剖面图。
图3为硅晶圆衬底金刚石薄膜MPCVD生长剖面图。
图4为硅晶圆衬底电化学剥离剖面图。
图5为硅晶圆衬底电化学剥离后得到金刚石薄膜剖面图。
图中，1-硅晶圆衬底，2-氢离子层，3-金刚石薄膜。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步详细描述：
一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法，具体包括以下步骤：
步骤1)，在硅晶圆衬底表层下注入氢离子形成氢离子层，
步骤2)，在形成氢离子层的硅晶圆衬底表面上生长金刚石薄膜，
步骤3)，采用电化学剥离方法从硅晶圆衬底氢离子层处剥离使硅晶圆衬底和金刚石薄膜分离，形成自撑金刚石薄膜。
如图1至图3所示，具体的，步骤1)中，采用硅晶圆衬底直径为2英寸，厚度为3mm，在硅晶圆衬底表层下注入氢离子形成氢离子注入层前，对硅晶圆衬底表面进行镜面打磨与清洗使硅晶圆衬底表面具有晶面特征；用粒径为4-6μm金刚石粉在硅晶圆衬底均匀打磨0.5-1.5min，接着用粒径为4-6μm金刚石粉与浓度大于95％的乙醇的混合液体超声打磨硅晶圆衬底不少于15min，以形成金刚石成核层，然后用去离子水洗净烘干即可得到表面具有晶面特征的硅晶圆衬底；
步骤1)中，垂直于硅晶圆衬底表面向下注入能量为100KeV的氢离子形成一层氢离子层；氢离子注入深度为2～5μm，氢离子注入剂量为5×1016ions/cm2。
将注入氢离子的硅晶圆衬底氩气氛围下在850℃-950℃下退火5-15min，以修复离子注入损伤，使硅晶圆衬底注入氢离子层处于富氢状态从而形成氢层；
具体的，步骤2)中，采用MPCVD技术在形成氢离子层的硅晶圆衬底表面上生长金刚石薄膜，将注入氢离子的硅晶圆衬底放置在MPCVD反应腔体中的钼托上，开启红外测温仪，调整测温仪和样品的位置，使得红外测温仪可以测到硅晶圆衬底表面的温度，以氢气、甲烷和氧气的混合气体为前驱气体，使硅晶圆衬底温度保持在850℃-950℃，微波功率为4.8-5.2kW，生长时间9-11h，即可完成硅晶圆衬底表面金刚石薄膜生长，氢气、甲烷和氧气气流量比为530:60:10。
如图4和图5所示，具体的，步骤3)中，电化学刻蚀方法中的刻蚀电解液包括氢氟酸和去离子按体积比1:5混合而成，氢氟酸的浓度为35-45％，施加的刻蚀电流密度110mA/cm2，刻蚀时间为10-20min。
对剥离后的金刚石薄膜采用CMP抛光技术进行抛光即可得到表面完整的金刚石薄膜，将剥离后金刚石薄膜的通过石蜡粘贴在陶瓷盘中，在抛光压力为0.5-0.7N/cm2、抛光转速为45-55r/mi下进行抛光，采用抛光液为碱性二氧化硅抛光液，抛光后通过去离子水清洗后吹干即可得到表面完整的金刚石薄膜。

Claims (8)

1.一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1)，在硅晶圆衬底表层下注入氢离子形成氢离子层，
步骤2)，在形成氢离子层的硅晶圆衬底表面上生长金刚石薄膜，
步骤3)，采用电化学剥离方法从硅晶圆衬底氢离子层处剥离使硅晶圆衬底和金刚石薄膜分离，形成自撑金刚石薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，具体的，步骤1)中，采用硅晶圆衬底直径为2英寸，厚度为3mm，在硅晶圆衬底表层下注入氢离子形成氢离子注入层前，对硅晶圆衬底表面进行镜面打磨与清洗使硅晶圆衬底表面具有晶面特征。
3.根据权利要求2所述的一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，用粒径为4-6μm金刚石粉在硅晶圆衬底均匀打磨0.5-1.5min，接着用粒径为4-6μm金刚石粉与浓度大于95％的乙醇的混合液体超声打磨硅晶圆衬底不少于15min，然后用去离子水洗净烘干即可得到表面具有晶面特征的硅晶圆衬底。
4.根据权利要求1所述的一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中，垂直于硅晶圆衬底表面向下注入能量为100KeV的氢离子形成一层氢离子层；氢离子注入深度为2～5μm，氢离子注入剂量为5×1016ions/cm2。
5.根据权利要求4所述的一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，将注入氢离子的硅晶圆衬底氩气氛围下在850℃-950℃下退火5-15min，以修复离子注入损伤，使硅晶圆衬底注入氢离子层处于富氢状态从而形成氢层。
6.根据权利要求1所述的一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，具体的，步骤2)中，采用MPCVD技术在形成氢离子层的硅晶圆衬底表面上生长金刚石薄膜，将注入氢离子的硅晶圆衬底放置在MPCVD反应腔体中的钼托上，开启红外测温仪，调整测温仪和样品的位置，使得红外测温仪可以测到硅晶圆衬底表面的温度，以氢气、甲烷和氧气的混合气体为前驱气体，使硅晶圆衬底温度保持在850℃-950℃，微波功率为4.8-5.2kW，生长时间9-11h，即可完成硅晶圆衬底表面金刚石薄膜生长，氢气、甲烷和氧气气流量比为530:60:10。
7.根据权利要求1所述的一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，具体的，步骤3)中，电化学刻蚀方法中的刻蚀电解液包括氢氟酸和去离子按体积比1:5混合而成，氢氟酸的浓度为35-45％，施加的刻蚀电流密度110mA/cm2，刻蚀时间为10-20min。
8.根据权利要求1所述的一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，对剥离后的金刚石薄膜采用CMP抛光技术进行抛光即可得到表面完整的金刚石薄膜，将剥离后金刚石薄膜的通过石蜡粘贴在陶瓷盘中，在抛光压力为0.5-0.7N/cm2、抛光转速为45-55r/mi下进行抛光，采用抛光液为碱性二氧化硅抛光液，抛光后通过去离子水清洗后吹干即可得到表面完整的金刚石薄膜。
CN201710632848.XA 2017-07-28 2017-07-28 一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法 Pending CN107400871A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710632848.XA CN107400871A (zh) 2017-07-28 2017-07-28 一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710632848.XA CN107400871A (zh) 2017-07-28 2017-07-28 一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107400871A true CN107400871A (zh) 2017-11-28

Family

ID=60401593

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710632848.XA Pending CN107400871A (zh) 2017-07-28 2017-07-28 一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107400871A (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108559971A (zh) * 2018-03-13 2018-09-21 同济大学 一种金刚石厚膜切削齿的制备方法
CN111146146A (zh) * 2019-12-30 2020-05-12 长春理工大学 一种基底可多次利用的高效散热半导体衬底的制备方法
CN111962148A (zh) * 2020-08-04 2020-11-20 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种单晶钻石薄膜的制备方法
CN112430803A (zh) * 2020-11-16 2021-03-02 北京科技大学 一种自支撑超薄金刚石膜的制备方法
CN114318531A (zh) * 2022-01-06 2022-04-12 济南金刚石科技有限公司 一种应用于mpcvd大尺寸金刚石多晶的剥离方法
CN115151685A (zh) * 2020-03-06 2022-10-04 六号元素技术有限公司 形成金刚石产品的方法
CN116705594A (zh) * 2023-08-02 2023-09-05 中国科学院微电子研究所 一种薄膜半导体与金刚石复合衬底及其制造方法
CN117431524A (zh) * 2023-12-18 2024-01-23 北京科技大学 一种自支撑金刚石薄膜的制备方法、金刚石薄膜及其应用

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1048568A (zh) * 1989-06-28 1991-01-16 佳能株式会社 连续形成大面积膜的微波等离子体化学汽相淀积方法及设备
GB2300424A (en) * 1995-05-01 1996-11-06 Kobe Steel Europ Ltd Diamond growth on ion implanted surfaces
US5587210A (en) * 1994-06-28 1996-12-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Growing and releasing diamonds
CN102251231A (zh) * 2011-07-29 2011-11-23 广州市德百顺电气科技有限公司 一种纳米金刚石薄膜的制备方法
CN105177705A (zh) * 2009-01-09 2015-12-23 信越化学工业株式会社 金刚石膜的制造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1048568A (zh) * 1989-06-28 1991-01-16 佳能株式会社 连续形成大面积膜的微波等离子体化学汽相淀积方法及设备
US5587210A (en) * 1994-06-28 1996-12-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Growing and releasing diamonds
US5891575A (en) * 1994-06-28 1999-04-06 United States As Represented By The Secretary Of The Navy Growing and releasing diamonds
GB2300424A (en) * 1995-05-01 1996-11-06 Kobe Steel Europ Ltd Diamond growth on ion implanted surfaces
CN105177705A (zh) * 2009-01-09 2015-12-23 信越化学工业株式会社 金刚石膜的制造方法
CN102251231A (zh) * 2011-07-29 2011-11-23 广州市德百顺电气科技有限公司 一种纳米金刚石薄膜的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
博士学位论文编辑部: "《2007年上海大学博士学位论文 33 CVD金刚石薄膜材料与辐射探测器件的研究》", 30 September 2010 *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108559971A (zh) * 2018-03-13 2018-09-21 同济大学 一种金刚石厚膜切削齿的制备方法
CN111146146A (zh) * 2019-12-30 2020-05-12 长春理工大学 一种基底可多次利用的高效散热半导体衬底的制备方法
CN115151685A (zh) * 2020-03-06 2022-10-04 六号元素技术有限公司 形成金刚石产品的方法
CN111962148A (zh) * 2020-08-04 2020-11-20 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种单晶钻石薄膜的制备方法
CN112430803A (zh) * 2020-11-16 2021-03-02 北京科技大学 一种自支撑超薄金刚石膜的制备方法
CN112430803B (zh) * 2020-11-16 2022-04-01 北京科技大学 一种自支撑超薄金刚石膜的制备方法
CN114318531A (zh) * 2022-01-06 2022-04-12 济南金刚石科技有限公司 一种应用于mpcvd大尺寸金刚石多晶的剥离方法
CN116705594A (zh) * 2023-08-02 2023-09-05 中国科学院微电子研究所 一种薄膜半导体与金刚石复合衬底及其制造方法
CN116705594B (zh) * 2023-08-02 2023-10-20 中国科学院微电子研究所 一种薄膜半导体与金刚石复合衬底及其制造方法
CN117431524A (zh) * 2023-12-18 2024-01-23 北京科技大学 一种自支撑金刚石薄膜的制备方法、金刚石薄膜及其应用
CN117431524B (zh) * 2023-12-18 2024-02-23 北京科技大学 一种自支撑金刚石薄膜的制备方法、金刚石薄膜及其应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107400871A (zh) 一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法
CN105506576B (zh) 一种高品质自支撑金刚石厚膜的制备方法
Li et al. Electro-chemical mechanical polishing of silicon carbide
Deng et al. Electro-chemical mechanical polishing of single-crystal SiC using CeO2 slurry
CN102569055B (zh) 一种碳化硅单晶晶片表面及平整度的调整方法
CN102102220B (zh) 金刚石(111)面上的石墨烯制备方法
CN105355870A (zh) 膨胀石墨与纳米硅复合材料及其制备方法、电极片、电池
TW201225158A (en) Oxygen plasma conversion process for preparing a surface for bonding
CN105331948B (zh) 一种表面p型导电金刚石热沉材料的制备方法
TW200425286A (en) Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer
CN109722641A (zh) 金刚石/石墨烯复合导热膜及其制备方法和散热系统
CN103046088A (zh) 一种微纳米复合多孔铜表面结构及其制备方法与装置
CN110085550A (zh) 一种半导体产品用绝缘层结构及其制备方法
CN107204282B (zh) 一种基于非自支撑GaN对粘制备金刚石基GaN的方法
CN104637831A (zh) 一种基于铜纳米线的铜铜键合工艺
JP2009027124A (ja) Ｓｏｉウェーハの製造方法
CN104711671B (zh) 坩埚涂层结构、制备方法及坩埚
TW201108317A (en) Method for producing an epitaxially coated semiconductor wafer
CN114751387B (zh) 一种高效制备氮化硼纳米片的方法
CN207775345U (zh) 金刚石/石墨烯复合导热膜和散热系统
CN103668466A (zh) 一种多晶硅片制绒液及制绒方法
CN111009496A (zh) 一种具有高热导率的半导体衬底及其制备方法
CN107619303A (zh) 一种多晶坩埚及其制备方法
CN108539009A (zh) 纳米级单晶薄膜
CN103681245A (zh) 一种对锗片进行清洗及表面钝化的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20171128

RJ01 Rejection of invention patent application after publication