CN107390443A - 显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板和显示装置,用以扩大视角。显示面板包括:第一基板和第二基板,多个像素单元,像素单元包括像素电极层,与像素电极层对向设置的公共电极层、保留层和第一绝缘层,其中:像素电极层位于第一基板上,保留层位于像素电极层与第一基板之间,且像素电极层在第一基板上的正投影与保留层在第一基板上的正投影存在交叠区域,第一绝缘层位于保留层和像素电极层之间,像素电极层的一部分穿过第一绝缘层上设有的第一过孔和保留层连接,保留层上设有切孔,切孔在第一基板上的正投影与第一过孔在第一基板上的正投影部分重合,且第一过孔在保留层上的正投影至少覆盖保留层未设置切口的区域。
Description
技术领域
本发明涉及显示器技术领域,特别涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
液晶显示器(liquidcrystaldisplay,LCD)由于其个体轻薄、驱动电压低、微功耗等优点被广泛地应用于各个领域。随着液晶显示器市场的不断发展,许多种显示模式被相继提出,如扭曲向列相模式(TN)、垂而排列模式(VA)及共而转换模式(IPS)等。
目前使用者对高品质需求愈发强烈,大屏幕和广视角尤为突出,因此,如何增大显示器的视角,是目前所要解决的重要问题之一。
发明内容
本发明提供了一种显示面板和显示装置,用以扩大视角,提高显示画面效果。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种显示面板,包括:对向设置的第一基板和第二基板;设置于所述第一基板上的多条栅线和与多条所述栅线交叉设置的多条数据线;多个薄膜晶体管;所述第一基板和所述第二基板之间被所述数据线和所述栅线划分为多个像素单元,所述像素单元包括像素电极层;其中:所述薄膜晶体管包括:连接到所述栅线的栅极、连接到所述数据线的源极、连接到所述像素电极层的漏极、以及与所述栅极交叠的有源层;所述像素单元还包括:与所述像素电极层对向设置的公共电极层、保留层和第一绝缘层,其中:
所述像素电极层位于所述第一基板上,所述保留层位于所述像素电极层与所述第一基板之间,且所述像素电极层在所述第一基板上的正投影与所述保留层在所述第一基板上的正投影存在交叠区域,所述第一绝缘层位于所述保留层和所述像素电极层之间,所述像素电极层的一部分穿过所述第一绝缘层上设有的第一过孔和所述保留层连接,所述保留层上设有切孔,所述切孔在所述第一基板上的正投影与所述第一过孔在所述第一基板上的正投影部分重合,且所述第一过孔在所述保留层上的正投影至少覆盖所述保留层未设置所述切口的区域。
本发明提供的显示面板,通过在保留层上设置切口,切孔在第一基板上的正投影与第一过孔在第一基板上的正投影部分重合,且第一过孔在保留层上的正投影至少覆盖保留层未设置切口的区域,使得像素电极层形成阶梯形凹陷区域,凹陷区域在周向存在深度差异,进而使得凹陷区域周围电场在周向上存在变化,液晶分子沿着电场方向排列形成多畴态,实现多畴液晶显示。
故,本发明提供的显示面板,可以扩大视角,提高显示画面效果。
在一些可选的实施方式中,所述保留层上设有的切孔为椭圆形,且所述切孔的长轴在所述第一基板上的正投影与所述第一过孔的长轴在所述第一基板上的正投影相交。
在一些可选的实施方式中,所述切孔的长轴在所述第一基板上的正投影与所述第一过孔的长轴在所述第一基板上的正投影之间的夹角大于0度且小于等于90度。
在一些可选的实施方式中,所述切孔的长轴在所述第一基板上的正投影与所述第一过孔的长轴在所述第一基板上的正投影之间的夹角大于等于35度且小于等于75度。在这个角度范围内,更容易实现多畴液晶显示。
在一些可选的实施方式中,所述保留层与所述数据线同层设置、且与所述数据线的形成材料相同。将保留层在制备数据线时同时形成,制备起来较方便,且结构简单。
在一些可选的实施方式中,所述保留层与所述有源层同层设置、且与所述有源层的形成材料相同。将保留层在制备数据线时同时形成,制备起来较方便,且结构简单。
在一些可选的实施方式中,所述公共电极层位于所述第一基板上、且与所述栅线同层设置。可以节省制备工艺,制备较方便。
在一些可选的实施方式中,所述公共电极层位于所述第二基板上,所述像素单元还包括:位于所述保留层和所述第一基板之间、与所述栅线同层设置的栅线层以及位于所述栅线层和所述保留层之间的第二绝缘层,所述第二绝缘层上设有第二过孔,所述像素电极层的一部分穿过所述第二过孔与所述栅线层连接。
在一些可选的实施方式中,所述栅线层上设有锥型孔,且所述锥型孔的斜面与所述第一基板的上表面之间的夹角大于等于15度且小于等于75度。有利于提高多畴显示效果。
在一些可选的实施方式中,所述保留层包括:与所述数据线同层设置、且与所述数据线的形成材料相同的第一子保留层;
与所述有源层同层设置、且与所述有源层的形成材料相同的第二子保留层;
位于所述第一子保留层和所述第二子保留层之间的第三绝缘层,所述第一过孔包括:设置于所述第一绝缘层上的第一子过孔和设置于所述第三绝缘层上的第二子过孔。将保留层设置为多层结构,可以提高凹陷区域的高度差,提高多畴显示效果。
在一些可选的实施方式中,所述第一子保留层上设有的切孔的长轴在所述第一基板上的正投影和所述第二子保留层上设有的切口的长轴在所述第一基板上的正投影相交。这样的结构设置,可以提高凹陷区域周围电场的变化性,进而提高多畴显示效果。
在一些可选的实施方式中,所述第一子保留层上设有的切口的中心在所述第一基板上的正投影和所述第二子保留层上设有的切口的中心在所述第一基板上的正投影重合。
在一些可选的实施方式中,所述第一子保留层上设有的切孔的长轴在所述第一基板上的正投影和所述第二子保留层上设有的切口的长轴在所述第一基板上的正投影的夹角大于0度且小于等于90度。
在一些可选的实施方式中,所述第一子保留层上设有的切孔的长轴在所述第一基板上的正投影和所述第二子保留层上设有的切口的长轴在所述第一基板上的正投影的夹角大于等于35度且小于等于75度。
在一些可选的实施方式中,所述切孔的中心在所述第一基板上的正投影与所述第一过孔的圆心在所述第一基板上的正投影重合。
本发明还提供了一种显示装置,包括:如上述任一项所述的显示面板。由于上述显示面板,可以扩大视角,提高显示画面效果。故,本发明提供的显示装置,具有较好的显示效果。
附图说明
图1为本发明实施例提供的显示面板的一种平面结构示意图;
图2为本发明实施例提供的显示面板的交叠区域的第一种截面示意图;
图3为本发明实施例提供的过孔和切孔投影位置示意图;
图4为本发明实施例提供的显示面板的另一种平面结构示意图;
图5为本发明实施例提供的显示面板的交叠区域的第二种截面示意图;
图6为本发明实施例提供的显示面板的交叠区域的第三种截面示意图。
附图标记:
1-像素单元 2-像素电极层
3-公共电极层 4-保留层
41-切孔 51-第一绝缘层
52-第二绝缘层 53-第一过孔
54-第二过孔 6-有源层
7-数据线 8-栅线
9-栅线层 91-锥型孔
101-第一基板 A-交叠区域
a-第一设定角度 b-夹角
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明专利保护的范围。
如图1、图2和图3所示,本发明提供了一种显示面板,该显示面板包括:对向设置的第一基板101和第二基板;设置于第一基板101上的多条栅线8和与多条栅线交叉设置的多条数据线7;多个薄膜晶体管;第一基板101和第二基板之间被数据线7和栅线8划分为多个像素单元1,像素单元1包括像素电极层2;其中:薄膜晶体管包括:连接到栅线的栅极、连接到数据线7的源极、连接到像素电极层2的漏极、以及与栅极8交叠的有源层6;像素单元1还包括:与像素电极层2对向设置的公共电极层3、保留层4和第一绝缘层51,其中:
像素电极层2位于第一基板101上,保留层4位于像素电极层2与第一基板101之间,且像素电极层2在第一基板101上的正投影与保留层4在第一基板101上的正投影存在交叠区域A,第一绝缘层51位于保留层4和像素电极层2之间,像素电极层2的一部分穿过第一绝缘层51上设有的第一过孔53和保留层4连接,保留层4上设有切孔41,切孔41在第一基板101上的正投影与第一过孔53在第一基板101上的正投影部分重合,且第一过孔53在保留层4上的正投影至少覆盖保留层4未设置切口41的区域。
本发明提供的显示面板,通过在保留层4上设置切口41,切孔41在第一基板101上的正投影与第一过孔53在第一基板101上的正投影部分重合,且且第一过孔53在保留层4上的正投影至少覆盖保留层4未设置切口41的区域,使得像素电极层2形成阶梯凹陷区域,凹陷区域在周向存在深度差异,进而使得凹陷区域周围电场在周向上存在变化,像素电极层2和公共电极层3之间的电场发生变化,液晶分子沿着电场方向排列形成多畴态,实现多畴液晶显示。
故,本发明提供的显示面板,可以扩大视角,提高显示画面效果。
需要说明的是,本发明中所述的“像素电极与公共电极对向设置”表示像素电极与公共电极在垂直于基板显示面的平面上投影有交叠,或在平行于基板显示面的平面上投影有交叠,都符合本发明所述的“所述像素电极与公共电极对向设置”。
可选的,如图3所示,保留层4上设有的切孔41为椭圆形,且切孔41的长轴在第一基板101上的正投影与第一过孔53的长轴在第一基板101上的正投影相交。
上述切孔41的长轴在第一基板101上的正投影与第一过孔53的长轴在第一基板101上的正投影之间的夹角a的具体角度可以有多种,可选的,该夹角a大于0度且小于等于90度。例如:可以为15度、20度、25度、30度、34度、40度、55度、59度、70度、78度、83度、88度、90度等等,这里就不再一一赘述。
较佳的实施方式中,上述切孔41的长轴在第一基板101上的正投影与第一过孔53的长轴在第一基板101上的正投影之间的夹角a大于等于35度且小于等于75度。在这个角度范围内,更容易实现多畴液晶显示。
上述保留层4的具体材料以及在制备过程在现有的制备步骤中的哪一步形成,可以有多种选择方式:
一种可选的实施方式中,保留层4与数据线7同层设置、且与数据线7的形成材料相同。将保留层4在制备数据线7时同时形成,制备起来较方便,且结构简单。
另一种可选的实施方式中,保留层4与有源层6同层设置、且与有源层6的形成材料相同。将保留层4在制备数据线7时同时形成,制备起来较方便,且结构简单。
上述像素电极层以及公共电极层的形状可以根据实际需要设定。
上述公共电极层3的具体设置位置可以有多种,可选的,如图4和图5所示,在一些可选的实施方式中,公共电极层3位于第一基板101上、且与显示面板内的栅线8同层设置。这样的结构设置,可以节省制备工艺,制备较方便。
另一种可选的实施方式中,如图2所示,公共电极层位于第二基板上,每个像素单元1还包括:位于保留层4和第一基板101之间、与栅线8同层设置的删线层9以及位于栅线层9和保留层4之间的第二绝缘层52,第二绝缘层52上设有第二过孔54,像素电极层的一部分穿过第二过孔54与栅线层9连接。
如图6所示,栅线8层上设有锥型孔91,且锥型孔91的斜面与第一基板101的上表面之间的夹角b大于等于15度且小于等于75度。有利于提高多畴显示效果。上述夹角b可以为:15度、25度、30度、35度、40度、45度、60度、70度、75度等这里就不再一一赘述。
为了便于制备,第一过孔、第二过孔以及切孔也可以为锥型孔。
为了提高高度差,保留层4包括:与数据线7同层设置、且与数据线7的形成材料相同的第一子保留层;
与有源层6同层设置、且与有源层6的形成材料相同的第二子保留层;
位于第一子保留层和第二子保留层之间的第三绝缘层,第一过孔53包括:设置于第一绝缘层51上的第一子过孔和设置于第三绝缘层上的第二子过孔。提高凹陷区域的高度差,提高多畴显示效果。
进一步的,第一子保留层上设有的切孔41的长轴在第一基板101上的正投影和第二子保留层上设有的切口的长轴在第一基板101上的正投影相交。提高凹陷区域周围电场的变化性,进而提高多畴显示效果。
优选的实施方式中,第一子保留层上设有的切口的中心在第一基板101上的正投影和第二子保留层上设有的切口的中心在第一基板101上的正投影重合。便于制备,且可以提高凹陷区域周围电场变化的均匀性,提高显示效果。
上述第一子保留层上设有的切孔41的长轴在第一基板101上的正投影和第二子保留层上设有的切口的长轴在第一基板101上的正投影的夹角大于0度且小于等于90度。例如:可以为15度、20度、25度、30度、34度、40度、55度、59度、70度、78度、83度、88度、90度等等,这里就不再一一赘述。
可选的,上述第一子保留层上设有的切孔41的长轴在第一基板101上的正投影和第二子保留层上设有的切口的长轴在第一基板101上的正投影的夹角大于等于35度且小于等于75度。
为了便于制备,以及提高多畴显示效果,切孔41的中心在第一基板101上的正投影与第一过孔53的圆心在第一基板101上的正投影重合。
本发明还提供了一种显示装置,包括:如上述任一项所述的显示面板。由于上述显示面板,可以扩大视角,提高显示画面效果。故,本发明提供的显示装置,具有较好的显示效果。
上述显示装置可以为电脑、手机等电子产品。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (16)
1.一种显示面板,包括:对向设置的第一基板和第二基板;设置于所述第一基板上的多条栅线和与多条所述栅线交叉设置的多条数据线;多个薄膜晶体管;所述第一基板和所述第二基板之间被所述数据线和所述栅线划分为多个像素单元,所述像素单元包括像素电极层;其中:所述薄膜晶体管包括:连接到所述栅线的栅极、连接到所述数据线的源极、连接到所述像素电极层的漏极、以及与所述栅极交叠的有源层;其特征在于,所述像素单元包括:与所述像素电极层对向设置的公共电极层、保留层和第一绝缘层,其中:
所述像素电极层位于所述第一基板上,所述保留层位于所述像素电极层与所述第一基板之间,且所述像素电极层在所述第一基板上的正投影与所述保留层在所述第一基板上的正投影存在交叠区域,所述第一绝缘层位于所述保留层和所述像素电极层之间,所述像素电极层的一部分穿过所述第一绝缘层上设有的第一过孔和所述保留层连接,所述保留层上设有切孔,所述切孔在所述第一基板上的正投影与所述第一过孔在所述第一基板上的正投影部分重合,且所述第一过孔在所述保留层上的正投影至少覆盖所述保留层未设置所述切口的区域。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述保留层上设有的切孔为椭圆形,且所述切孔的长轴在所述第一基板上的正投影与所述第一过孔的长轴在所述第一基板上的正投影相交。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述切孔的长轴在所述第一基板上的正投影与所述第一过孔的长轴在所述第一基板上的正投影之间的夹角大于0度且小于等于90度。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述切孔的长轴在所述第一基板上的正投影与所述第一过孔的长轴在所述第一基板上的正投影之间的夹角大于等于35度且小于等于75度。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述保留层与所述数据线同层设置、且与所述数据线的形成材料相同。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述保留层与所述有源层同层设置、且与所述有源层的形成材料相同。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述公共电极层位于所述第一基板上、且与所述栅线同层设置。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述公共电极层位于所述第二基板上,所述像素单元还包括:位于所述保留层和所述第一基板之间、与所述栅线同层设置的栅线层以及位于所述栅线层和所述保留层之间的第二绝缘层,所述第二绝缘层上设有第二过孔,所述像素电极层的一部分穿过所述第二过孔与所述栅线层连接。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述栅线层上设有锥型孔,且所述锥型孔的斜面与所述第一基板的上表面之间的夹角大于等于15度且小于等于75度。
10.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述保留层包括:与所述数据线同层设置、且与所述数据线的形成材料相同的第一子保留层;
与所述有源层同层设置、且与所述有源层的形成材料相同的第二子保留层;
位于所述第一子保留层和所述第二子保留层之间的第三绝缘层,所述第一过孔包括:设置于所述第一绝缘层上的第一子过孔和设置于所述第三绝缘层上的第二子过孔。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述第一子保留层上设有的切孔的长轴在所述第一基板上的正投影和所述第二子保留层上设有的切口的长轴在所述第一基板上的正投影相交。
12.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述第一子保留层上设有的切口的中心在所述第一基板上的正投影和所述第二子保留层上设有的切口的中心在所述第一基板上的正投影重合。
13.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述第一子保留层上设有的切孔的长轴在所述第一基板上的正投影和所述第二子保留层上设有的切口的长轴在所述第一基板上的正投影的夹角大于0度且小于等于90度。
14.根据权利要求13所述的显示面板,其特征在于,所述第一子保留层上设有的切孔的长轴在所述第一基板上的正投影和所述第二子保留层上设有的切口的长轴在所述第一基板上的正投影的夹角大于等于35度且小于等于75度。
15.根据权利要求1~14任一项所述的显示面板,其特征在于,所述切孔的中心在所述第一基板上的正投影与所述第一过孔的圆心在所述第一基板上的正投影重合。
16.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1~15任一项所述的显示面板。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108550605A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-09-18 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
WO2019047695A1 (zh) * | 2017-09-05 | 2019-03-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、液晶显示面板和显示装置 |
WO2020107885A1 (en) * | 2018-11-28 | 2020-06-04 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, display panel, and display apparatus |
CN112581861A (zh) * | 2019-09-27 | 2021-03-30 | 群创光电股份有限公司 | 可挠式显示设备 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001083520A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Toshiba Corp | マルチドメイン型の液晶表示素子 |
US20020089630A1 (en) * | 2001-01-05 | 2002-07-11 | Hong-Da Liu | Multi-domain liquid crystal display having concave virtual bump structures |
CN101799597A (zh) * | 2009-02-09 | 2010-08-11 | 三星电子株式会社 | 显示器件及其制造方法 |
CN105161499A (zh) * | 2015-08-07 | 2015-12-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法和显示装置 |
CN105355630A (zh) * | 2015-10-10 | 2016-02-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板和包含其的液晶显示器 |
CN207366902U (zh) * | 2017-09-05 | 2018-05-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10200117A (ja) * | 1997-01-08 | 1998-07-31 | Seiko Epson Corp | コンタクトホール形成方法、薄膜半導体装置及びその製造方法、液晶表示装置及びその製造方法、並びに投写型表示装置 |
JP2000039632A (ja) * | 1998-07-21 | 2000-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | 反強誘電性液晶表示素子 |
JP3407707B2 (ja) * | 1999-12-20 | 2003-05-19 | 日本電気株式会社 | 垂直配向型マルチドメイン液晶表示装置 |
KR100679096B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2007-02-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 |
KR20040001972A (ko) * | 2002-06-29 | 2004-01-07 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 수직 배향 모드 액정표시장치 |
JP3570426B2 (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-29 | 松下電器産業株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
KR20050036128A (ko) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | 삼성전자주식회사 | 다중 도메인 액정 표시 장치 |
KR20050090191A (ko) | 2004-03-08 | 2005-09-13 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
US7426461B2 (en) * | 2004-06-30 | 2008-09-16 | International Business Machines Corporation | Method, system and program product for providing a configuration specification language supporting incompletely specified configuration entities |
JP4802896B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2011-10-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
CN100570453C (zh) * | 2006-03-21 | 2009-12-16 | 中华映管股份有限公司 | 液晶显示装置及其制造方法 |
WO2009060657A1 (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置 |
KR20100059052A (ko) * | 2008-11-25 | 2010-06-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 액정표시장치 |
JP2010156805A (ja) | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Casio Computer Co Ltd | 液晶表示素子 |
US8558960B2 (en) * | 2010-09-13 | 2013-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
JP6059968B2 (ja) * | 2011-11-25 | 2017-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び液晶表示装置 |
TWI642170B (zh) * | 2013-10-18 | 2018-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子裝置 |
TWI532154B (zh) | 2014-02-25 | 2016-05-01 | 群創光電股份有限公司 | 顯示面板及顯示裝置 |
CN107390443B (zh) | 2017-09-05 | 2020-06-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
-
2017
- 2017-09-05 CN CN201710790394.9A patent/CN107390443B/zh active Active
-
2018
- 2018-08-15 EP EP18854723.6A patent/EP3680711B1/en active Active
- 2018-08-15 JP JP2019564147A patent/JP7341064B2/ja active Active
- 2018-08-15 WO PCT/CN2018/100653 patent/WO2019047695A1/zh unknown
-
2019
- 2019-04-04 US US16/374,931 patent/US10818700B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001083520A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Toshiba Corp | マルチドメイン型の液晶表示素子 |
US20020089630A1 (en) * | 2001-01-05 | 2002-07-11 | Hong-Da Liu | Multi-domain liquid crystal display having concave virtual bump structures |
CN101799597A (zh) * | 2009-02-09 | 2010-08-11 | 三星电子株式会社 | 显示器件及其制造方法 |
CN105161499A (zh) * | 2015-08-07 | 2015-12-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法和显示装置 |
CN105355630A (zh) * | 2015-10-10 | 2016-02-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板和包含其的液晶显示器 |
CN207366902U (zh) * | 2017-09-05 | 2018-05-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019047695A1 (zh) * | 2017-09-05 | 2019-03-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、液晶显示面板和显示装置 |
US10818700B2 (en) | 2017-09-05 | 2020-10-27 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, liquid crystal display panel and display device |
CN108550605A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-09-18 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
CN108550605B (zh) * | 2018-04-28 | 2021-08-27 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
WO2020107885A1 (en) * | 2018-11-28 | 2020-06-04 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, display panel, and display apparatus |
US11402710B2 (en) | 2018-11-28 | 2022-08-02 | Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. | Display substrate, display panel, and display apparatus |
CN112581861A (zh) * | 2019-09-27 | 2021-03-30 | 群创光电股份有限公司 | 可挠式显示设备 |
CN112581861B (zh) * | 2019-09-27 | 2023-09-05 | 群创光电股份有限公司 | 可挠式显示设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019047695A1 (zh) | 2019-03-14 |
JP7341064B2 (ja) | 2023-09-08 |
JP2020532756A (ja) | 2020-11-12 |
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