CN107331338B - 一种阵列基板、显示装置及其检测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种阵列基板及其检测方法、显示装置，涉及显示技术领域，可提高阵列基板的良率。所述阵列基板包括设置在衬底上的多条相互平行的第一电源线和多条相互平行的第二电源线，所述第一电源线和所述第二电源线相交构成多个像素区域；所述第一电源线和所述第二电源线形成多个交叠点，所述交叠点包括使所述第一电源线和所述第二电源线连接的第一交叠点、和使所述第一电源线和所述第二电源线绝缘的第二交叠点；对应每根所述第一电源线的所述第一交叠点间隔分布；对应每根所述第二电源线的所述第一交叠点间隔分布。

Description

一种阵列基板、显示装置及其检测方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示装置及其检测方法
背景技术
随着多媒体技术的快速发展，OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)由于具有能自发光、高对比度、色域广、制备工艺简单、功耗低、易于实现柔性显示等优点，成为显示装置中重要的发光元件。
在现有的OLED中，电源线(VDD线)作用是为OLED提供电压信号，产生电流以供OLED发光。在产生电流的过程中，由于VDD线本身存在电阻，其沿VDD线延伸方向上会存在一定的压降，很容易引起OLED驱动电压信号的变化，进而影响整个面板显示效果的均一性。本领域技术人员为了解决上述问题，如图1所示，通常将VDD线设置成网状结构，在减小VDD线电阻的同时解决了显示效果不均一的难题。
然而，如图2所示，现有的OLED像素包括VDD线，数据线Data，栅极信号线GN及检测线Sense。从图2中可看出，VDD线与其他几类信号线均有交叠处，其线与线之间发生短路的概率较大。由于AT(Array Test，阵列基板检测)设备目前只能通过相应的测试模式将发生不良的VDD线通过相应的测试激励纵向或横向的检出，而由于VDD线受到网状结构的制约，使得AT设备无法检测出不良位置，导致带有此类不良的面板无法被检测出，从而降低产品的良率。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板、显示装置及其检测方法，可解决AT设备无法检测出显示面板发生短路的问题，提高产品良率。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种阵列基板，包括设置在衬底上的多条相互平行的第一电源线和多条相互平行的第二电源线，所述第一电源线和所述第二电源线相交构成多个像素区域；所述第一电源线和所述第二电源线形成多个交叠点，所述交叠点包括使所述第一电源线和所述第二电源线连接的第一交叠点、和使所述第一电源线和所述第二电源线绝缘的第二交叠点；对应每根所述第一电源线的所述第一交叠点间隔分布；和/或，对应每根所述第二电源线的所述第一交叠点间隔分布。
优选的，每连续分布的M根所述第一电源线组成一个第一电源线单元，每连续分布的M根所述第二电源线组成一个第二电源线单元，每个第一电源线单元中的第i根所述第一电源线与每个第二电源线单元中的第i根所述第二电源线连接形成所述第一交叠点；其中，M为大于1的整数，i＝{1、2、……、M}。
优选的，多条所述第一电源线同层设置、多条所述第二电源线同层设置；所述第一电源线和所述第二电源线之间设置有层间绝缘层，两者在所述第一交叠点通过过孔连接。
或者，多条所述第一电源线同层设置、多条所述第二电源线同层设置；所述第一电源线和所述第二电源线之间仅在所述第二交叠点设置有绝缘图案。
优选的，多条所述第一电源线同层设置，所述第二电源线包括多条与所述第一电源线同层设置、且与所述第一电源线不交叠的线段；在所述第一交叠点，相邻的所述线段相互靠近的末端与所述第一电源线连接；在所述第二交叠点，相邻所述线段通过架桥连接，所述架桥与所述第一电源线通过绝缘图案隔离。
优选的，所述第一电源线的方块电阻大于所述第二电源线的方块电阻。
优选的，所述第一电源线设置在所述第二电源线靠近所述衬底一侧。
优选的，还包括与所述第二电源线同层设置的栅线。
优选的，M≤5。
优选的，M＝2；或者，M＝3。
优选的，所述第一电源线与所述第二电源线垂直。
第二方面，提供一种显示装置，包括第一方面所述的阵列基板、以及设置在所述阵列基板上的阳极。
第三方面，提供一种用于检测第二方面所述的显示装置的方法，包括：采用检测器检测显示装置阳极上的电压，通过判断阳极上的电压是否发生变化，确定发生不良的区域；通过光学检测确定发生不良的位置。
优选的，采用检测器检测显示装置阳极上的电压，通过判断阳极上的电压是否发生变化，确定发生不良的区域的步骤包括：通过所述检测器中的电极感应所述阳极上的电压；若所述检测器中的液晶发生旋转，使所述检测器发光，则确定所述阳极所在像素发生不良。
优选的，通过光学检测确定发生不良的位置的步骤包括：通过显微镜抓取正常像素的像素结构作为基准像素结构；再抓取发生不良像素的像素结构与所述基准像素结构对比，以确定不良位置。
本发明实施例提供的阵列基板、显示装置及其检测方法，在解决VDD线压降及串扰问题的基础上，通过增加VDD线上的连接线之间的电阻R，使得发生缺陷位置处的压降增大，从而使得AT设备能够检测到发生缺陷的具体位置，进而达到提高产品良率的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的一种VDD线的结构示意图；
图2为现有技术提供的一种阵列基板上信号线的布线图；
图3为本发明实施例提供的一种VDD线的结构示意图一；
图4为本发明实施例提供的AT检测信号图；
图5为本发明实施例提供的像素电路图；
图6为本发明实施例提供的一种VDD线的结构示意图二；
图7为本发明实施例提供的一种VDD线的结构示意图三；
图8为本发明实施例提供的一种VDD线的结构示意图四；
图9为图8中沿A-A向的剖面图；
图10为本发明实施例提供的一种VDD线的结构示意图五；
图11为图10中沿B-B向的剖面图；
图12为本发明实施例提供的一种VDD线的结构示意图六；
图13为本发明实施例提供的一种VDD线的结构示意图七。
附图标记
10-第一电源线；20-第二电源线；21-线段；22-架桥；23-绝缘图案；30-交叠点；31-第一交叠点；32-第二交叠点。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种阵列基板，如图3所示，包括设置在衬底上的多条相互平行的第一电源线10和多条相互平行的第二电源线20，第一电源线10和第二电源线20相交构成多个像素区域；第一电源线10和第二电源线20形成多个交叠点30，交叠点30包括使第一电源线10和第二电源线20连接的第一交叠点31、和使第一电源线10和第二电源线20绝缘的第二交叠点32；对应每根第一电源线10的第一交叠点31间隔分布；对应每根第二电源线20的第一交叠点31间隔分布。
需要说明的是，第一，多条第一电源线10之间相互平行，多条第二电源线20之间相互平行，第一电源线10与第二电源线20相交。交叠点30，即为第一电源线10与第二电源线20在空间上重叠的部分。优选的，第一电源线10与第二电源线20垂直。
其中，使第一电源线10和第二电源线20连接的第一交叠点31所在位置处，第一电源线10和第二电源线20之间没有绝缘层；使第一电源线10和第二电源线20绝缘的第二交叠点32所在位置处，第一电源线10和第二电源线20之间设置有绝缘层。
第二，对应每根第一电源线10的第一交叠点31间隔分布，即，如图3所示，沿第一电源线10延伸的方向，相邻两个第一交叠点31之间有第二交叠点32。
对应每根第二电源线20的第一交叠点31间隔分布，即，如图3所示，沿第二电源线20延伸的方向，相邻两个第一交叠点31之间有第二交叠点32。
相邻两个第一交叠点31之间的第二交叠点32，可以是一个、两个、三个等正整数，相邻第一电源线10或相邻第二电源线20上第一交叠点31的排布方式可以相同，也可以不同，根据阵列基板的结构具体选择即可。
其中，第一交叠点31的排布方式可以是规律的，也可以如图3所示，是任意的排布方式，满足第一交叠点31间隔分布即可。
第三，第一电源线10和第二电源线20的材料可以相同，也可以不同，本发明实施例不对此进行限定。
现有技术提供的阵列基板良率较低的原因为：如图1所示，为传统设计中，VDD线网格结构架构图，纵向与横向排布构成网状结构，其作用为减少VDD线的电阻及将VDD电压均一化，从而为显示带来均一化的效果，此处的孔为当VDD信号线不在同一层制作时，需要将其与其他层通过过孔连接，其缺点为若VDD线上与其他线有短路处，无法通过AT设备定位检出，AT设备目前只能通过相应的测试模式(Pattern)将发生不良的VDD信号线通过相应的测试激励纵向或横向的检出，而由于网格结构的存在其无法定位到具体的不良位置，即无法准确定位不良点，从而带有此类不良的面板也无法进行维修，从而损失了相应的良率。
AT检测的原理为：以数据线Data为例，可通过图4的AT检测Pattern将VDD和Data的短路检出，由于VDD网格结构的存在，其短路(short)电压会使Data线会受到VDD的影响，导致short点所在的Data线上的电压与VDD信号线上的电压相同。
像素电路图如图5所示，具体的检测步骤为：T1：将Vdata设置为高电平，G1打开，VDD为低电平，由此Dr TFT打开，此时ITO上的电压为低电平。
T2：将Vdata设置为低电平，G1打开，VDD为低电平，此时Dr TFT关闭。
T3：将VDD设置为高电平，G1打开，若VDD与Data有short点，则Data被拉高，Dr TFT打开，ITO上的电压会变为高电平，由此检出不良线的位置。
其中，ITO上的电压由低电平变为高电平的变化量与VDD上的压降有关，VDD上的压降越大，ITO上的变化量越大，则越容易被检测。现有技术中就是由于VDD上的压降太小，导致ITO上的变化量无法被检测到，从而导致产品良率降低。
具体的，
Figure BDA0001391205660000061
其中，如果VDD线上有缺陷(Defect)存在，信号线加上不同的电压，VDD线上会有电流I流过；L为VDD连接处的距离(即两个第一交叠点31之间的距离)，W为VDD线宽，Rs为VDD线的方块电阻。
本发明提供的阵列基板能够提升良率的原理为：现有技术中，通过将VDD Mesh结构进行优化分割，从图1的VDD Mesh结构对比可看出，图1中VDD的连接架构在Defect处(图中黑色闪电图案处)其构成口字型，其连接线之间的电阻为R1，R1＝Rs1*L1/W1，从图中VDD线之间会有个压降存在：
Figure BDA0001391205660000062
Defect处的VDD由于这种Mesh结构存在，L1较小，其△V1差异性非常小，VDD信号非常强，导致VDD线上的信号基本不受Defect的影响，导致ITO上的电压变化不明显，从而AT无法检出具体位置。
本发明提供的VDD线的连接结构设计为每列每行隔开连接的方式，通过ShieldMetal连接，可有效的增加了连接点之间的电阻，其电阻为R2＝Rs2*L2/W2，其L2＝N*L1，N为大于1的正整数，其电压的差异为：
Figure BDA0001391205660000071
从公式可知，由于L2>>L1,所以△V2>>△V1，通过此种设计可将Defect处的VDD电压与周围的VDD电压差异性放大，从而将Defect处的VDD线周边的电压差异性表现出来，进而通过相应的检测激励将VDD信号线上的不良检出。此种结构可将VDD信号的不良检出率进行提升，从而提高良率。
本发明实施例提供一种阵列基板，如图6所示，包括设置在衬底上的多条相互平行的第一电源线10和多条相互平行的第二电源线20，第一电源线10和第二电源线20相交构成多个像素区域；第一电源线10和第二电源线20形成多个交叠点30，交叠点30包括使第一电源线10和第二电源线20连接的第一交叠点31、和使第一电源线10和第二电源线20绝缘的第二交叠点32；对应每根第一电源线10的第一交叠点31间隔分布。
其中，对应每根第一电源线10的第一交叠点31间隔分布，即，如图6所示，沿第一电源线10延伸的方向，相邻两个第一交叠点31之间有第二交叠点32。
在此基础上，如图6所示，对于第二电源线20，其上的第一交叠点31可以间隔分布，也可以没有第一交叠点31，也可以相邻分布，本发明实施例不对此进行限定。
此处，提供的阵列基板可提高产品良率的原理与前述阵列基板相同，不再赘述。
本发明实施例提供一种阵列基板，如图7所示，包括设置在衬底上的多条相互平行的第一电源线10和多条相互平行的第二电源线20，第一电源线10和第二电源线20相交构成多个像素区域；第一电源线10和第二电源线20形成多个交叠点30，交叠点30包括使第一电源线10和第二电源线20连接的第一交叠点31、和使第一电源线10和第二电源线20绝缘的第二交叠点32；对应每根第一电源线10的第一交叠点31间隔分布；对应每根第二电源线20的第一交叠点31间隔分布。
其中，对应每根第二电源线20的第一交叠点31间隔分布，即，如图7所示，沿第二电源线20延伸的方向，相邻两个第一交叠点31之间有第二交叠点32。
在此基础上，如图7所示，对于第一电源线10，其上的第一交叠点31可以间隔分布，也可以没有第一交叠点31，也可以相邻分布，本发明实施例不对此进行限定。
此处，提供的阵列基板可提高产品良率的原理与前述阵列基板相同，不再赘述。
优选的，如图8-图11所示，每连续分布的M根第一电源线10组成一个第一电源线单元，每连续分布的M根第二电源线20组成一个第二电源线单元，每个第一电源线单元中的第i根第一电源线与每个第二电源线单元中的第i根第二电源线连接形成第一交叠点31；其中，M为大于1的整数，i＝{1、2、……、M}。
为避免VDD线电阻太大，导致贤惠不均一化，进一步优选的，M≤5。
示例的，图8为M等于2，具体的，对于第一电源线10，第①②根为一个第一电源线单元，第③④根为一个第一电源线单元，第⑤⑥根为一个第一电源线单元；同理，对于第二电源线20，第①②根为一个第二电源线单元，第③④根为一个第二电源线单元，第⑤⑥根为一个第二电源线单元。每个第一电源线单元中有两根第一电源线10，每个第二电源线单元中有两根第二电源线20，第一根第一电源线10与第一根第二电源线20连接形成第一交叠点31，第二根第一电源线10与第二根第二电源线20连接形成第一交叠点31；而第一根电源线10与第二根第二电源线20连接形成第二交叠点32，第二根第一电源线10与第一根第二电源线20连接形成第二交叠点32。即，相邻两个第一交叠点31之间设置有一个第二交叠点32。
相当于将VDD线划分为两个面，其第①③⑤根第一电源线10和第二电源线20为一面，第②④⑥根第一电源线10和第二电源线20为一面。VDD连接处的距离L为现有技术的两倍。
图10为M等于3，具体的，对于第一电源线10，第①②③根为一个第一电源线单元，第④⑤⑥根为一个第一电源线单元。同理，对于第二电源线20，第①②③根为一个第二电源线单元，第④⑤⑥根为一个第二电源线单元。每个第一电源线单元中有三根第一电源线10，每个第二电源线单元中有三根第二电源线20，第一根第一电源线10与第一根第二电源线20连接形成第一交叠点31，第二根第一电源线10与第二根第二电源线20连接形成第一交叠点31；第三根第一电源线10与第三根第二电源线20连接形成第一交叠点31；而第一根电源线10与第二根第二电源线20和第三根第二电源线20连接形成第二交叠点32，第二根第一电源线10与第一根第二电源线20和第三根第二电源线20连接形成第二交叠点32，第三根第一电源线10与第一根第二电源线20和第二根第二电源线20连接形成第二交叠点32。即，相邻两个第一交叠点31之间设置有两个第二交叠点32。
相当于将VDD线划分为三个面，其第①④根第一电源线10和第二电源线20为一面，第②⑤⑥根第一电源线10和第二电源线20为一面，第③⑥根第一电源线10和第二电源线20为一面。VDD连接处的距离L为现有技术的三倍。
其中，本领域技术人员应该明白，i为1～M的正整数。每个单元中，1～i的排布方向是相同的，例如图8中，如果一个第一电源线单元中的第一根、第二根为从左到右数，则每个第一电源线单元中的第一根、第二根均为从左到右数；如果一个第二电源线单元中的第一根、第二根为从上到下数，则每个第一电源线单元中的第一根、第二根均为从上到下数。
本发明通过将阵列基板上的第一交叠点31均匀、规律排布，既便于阵列基板的制备，又便于AT设备的检测。
可选的，如图9和图11所示，多条第一电源线10同层设置、多条第二电源线20同层设置；第一电源线10和第二电源线20之间设置有层间绝缘层，两者在第一交叠点31通过过孔连接。
可选的，如图12所示，多条第一电源线10同层设置、多条第二电源线20同层设置；第一电源线10和第二电源线20之间仅在第二交叠点32设置有绝缘图案。
其中，第一电源线10和第二电源线20异层设置，第一电源线10和第二电源线20通过不同次构图工艺形成，两者的材料可以相同，也可以不同。例如，第一电源线10的材料可以为方块电阻Rs大的钼等材料，第二电源线20可以为方块电阻Rs小的铜等材料；当然，两者可同为方块电阻大的材料，也可以同为方块电阻小的材料。
Figure BDA0001391205660000101
通过在增加L的基础上，进一步增加Rs，可进一步增加VDD上的压降，便于AT检测。
优选的，第一电源线10的方块电阻大于第二电源线20的方块电阻。
通过将第一电源线10设置为方块电阻大于第二电源线20的方块电阻，通过第一电源线10来增加压降，使VDD上的信号通过第二电源线20流动，在增大VDD上压降的基础上保证显示效果。
进一步优选的，第一电源线10设置在第二电源线20靠近衬底的一侧。
即，第一电源线10设置在第二电源线20与衬底之间。
可选的，如图13所示，多条第一电源线10同层设置，第二电源线20包括多条与第一电源线10同层设置、且与第一电源线10不交叠的线段21；在第一交叠点31，相邻的线段21相互靠近的末端与第一电源线10连接；在第二交叠点32，相邻线段21通过架桥22连接，架桥22与第一电源线10通过绝缘图案23隔离。
其中，第一电源线10和第二电源线20中的线段21同层设置，通过同一层膜层制备得到，架桥22与线段21的材料可以相同也可以不同。本发明实施例优选的，架桥22的块电阻大于线段21的块电阻。
在第一交叠点31，相邻的线段21相互靠近的末端与第一电源线10连接，即，线段21的末端直接与第一电源线10连接上，并且并未跨过第一电源线10，第一电源线10和第二电源线20共用第一交叠点31位置处的结构。
此处提供的VDD线的结构，既便于VDD线的制备，又可以使阵列基板轻薄化。
为了使阵列基板轻薄化，并简化制备工艺，本发明实施例优选的，所述阵列基板还包括与第二电源线20同层设置的栅线。
即，但第一电源线10与第二电源线20异层设置时，第二电源线10可以与阵列基板上的金属层同层设置。例如可以与栅线同层设置。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述阵列基板、以及设置在阵列基板上的阳极。
其中，此处的显示装置可以只包括阵列基板和对盒基板，也可以还包括边框等结构。
上述显示装置具体可以是有机电致发光二极管显示器、液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑、导航仪等具有任何显示功能的产品或者部件。
本发明实施例提供的显示装置，包括上述阵列基板，其有益效果与阵列基板的相同，此处不再赘述。
本发明实施例还提供一种显示装置的检测方法，用于检测上述显示装置，所述方法包括：
采用检测器检测显示装置阳极上的电压，通过判断阳极上的电压是否发生变化，确定发生不良的区域。
具体的，通过检测器中的电极感应阳极上的电压；若检测器中的液晶发生旋转，使检测器发光，则确定阳极所在像素发生不良。
即，阳极上的电压发生变化，检测器的电极感应阳极上的电压后，其电压发生变化，从而产生压差使液晶发生偏转，使检测器发光。若检测器发光了，说明目前正在检测的阳极所在的像素发生了不良。
通过光学检测确定发生不良的位置。
具体的，通过显微镜抓取正常像素的像素结构作为基准像素结构；再抓取发生不良像素的像素结构与所述基准像素结构对比，以确定不良位置。
通过对比两个像素像素结构的不同，即可确定发生不良的位置。一般情况下，发生短路的位置处会有黑点或其他特征，通过对比即可发现。
需要说明的是，阳极上的压差是由第一电源线10或第二电源线20上的压降产生的，压降越大，阳极上的压差越大，检测器才能够检测出发生不良的区域。现有技术中良率较低的原因是电源线上的压降太小，发生不良的区域无法被检测出。本发明则是通过增大压降，来提高产品良率。
通过本发明实施例提供的检测方法检测上述阵列基板，根据前述计算压降的公式可知，由于本发明提供的阵列基板上相邻第一交叠点之间的距离大于现有技术中相邻第一交叠点之间的距离，使发生不良位置处的压降增大，可以明显被测出，从而可以准确、全面的检测出阵列基板上的缺陷，提高产品良率。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种阵列基板，包括设置在衬底上的多条相互平行的第一电源线和多条相互平行的第二电源线，所述第一电源线和所述第二电源线相交构成多个像素区域；其特征在于，所述第一电源线和所述第二电源线形成多个交叠点，所述交叠点包括使所述第一电源线和所述第二电源线连接的第一交叠点、和使所述第一电源线和所述第二电源线绝缘的第二交叠点；
对应每根所述第一电源线的所述第一交叠点间隔分布；和/或，对应每根所述第二电源线的所述第一交叠点间隔分布；
所述第一电源线的方块电阻大于所述第二电源线的方块电阻；
多条所述第一电源线同层设置，所述第二电源线包括多条与所述第一电源线同层设置、且与所述第一电源线不交叠的线段；
在所述第一交叠点，相邻的所述线段相互靠近的末端与所述第一电源线连接；
在所述第二交叠点，相邻所述线段通过架桥连接，所述架桥与所述第一电源线通过绝缘图案隔离；
所述架桥的方块电阻大于线段的方块电阻。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每连续分布的M根所述第一电源线组成一个第一电源线单元，每连续分布的M根所述第二电源线组成一个第二电源线单元，每个第一电源线单元中的第i根所述第一电源线与每个第二电源线单元中的第i根所述第二电源线连接形成所述第一交叠点；
其中，M为大于1的整数，i＝{1、2、……、M}。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，M≤5。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，M＝2；或者，M＝3。
5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电源线与所述第二电源线垂直。
6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板、以及设置在所述阵列基板上的阳极。
7.一种用于检测权利要求6所述的显示装置的方法，其特征在于，所述方法包括：采用检测器检测显示装置阳极上的电压，通过判断阳极上的电压是否发生变化，确定发生不良的区域；
通过光学检测确定发生不良的位置。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，采用检测器检测显示装置阳极上的电压，通过判断阳极上的电压是否发生变化，确定发生不良的区域的步骤包括：
通过所述检测器中的电极感应所述阳极上的电压；
若所述检测器中的液晶发生旋转，使所述检测器发光，则确定所述阳极所在像素发生不良。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，通过光学检测确定发生不良的位置的步骤包括：
通过显微镜抓取正常像素的像素结构作为基准像素结构；
再抓取发生不良像素的像素结构与所述基准像素结构对比，以确定不良位置。
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