CN107253394B - 转印装置以及基板处理装置 - Google Patents

转印装置以及基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107253394B
CN107253394B CN201710303738.9A CN201710303738A CN107253394B CN 107253394 B CN107253394 B CN 107253394B CN 201710303738 A CN201710303738 A CN 201710303738A CN 107253394 B CN107253394 B CN 107253394B
Authority
CN
China
Prior art keywords
porous
layer
substrate
sheet material
pattern layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710303738.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107253394A (zh
Inventor
铃木智也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of CN107253394A publication Critical patent/CN107253394A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107253394B publication Critical patent/CN107253394B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
    • B41F17/00—Printing apparatus or machines of special types or for particular purposes, not otherwise provided for
    • B41F17/08—Printing apparatus or machines of special types or for particular purposes, not otherwise provided for for printing on filamentary or elongated articles, or on articles with cylindrical surfaces
    • B41F17/10—Printing apparatus or machines of special types or for particular purposes, not otherwise provided for for printing on filamentary or elongated articles, or on articles with cylindrical surfaces on articles of indefinite length, e.g. wires, hoses, tubes, yarns
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
    • B41F17/00—Printing apparatus or machines of special types or for particular purposes, not otherwise provided for
    • B41F17/08—Printing apparatus or machines of special types or for particular purposes, not otherwise provided for for printing on filamentary or elongated articles, or on articles with cylindrical surfaces
    • B41F17/14—Printing apparatus or machines of special types or for particular purposes, not otherwise provided for for printing on filamentary or elongated articles, or on articles with cylindrical surfaces on articles of finite length
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Printing Methods (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

本发明提供一种转印装置。转印装置具备：版保持部，其对转印版进行保持，该转印版具有由规定厚度的多孔质材料形成的多孔质板、以及形成于该多孔质板的一方的面侧的转印用的图案层；对象物保持部，其对能够供上述转印版的图案层转附的对象物以使得该对象物与转印版的一方的面密接或接近的方式进行保持；以及流体供给部，其从多孔质板的另一方的面侧向一方的面侧供给规定压力的流体。

Description

转印装置以及基板处理装置
本申请是申请日为2015年1月30日、申请号为201380040811.8、发明名称为“转印装置以及基板处理装置”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及转印装置以及基板处理装置。
本申请基于2012年8月6日申请的日本特愿2012－173983号而主张优先权，并在此引用其内容。
背景技术
作为构成显示器装置等显示装置的显示元件，公知有例如液晶显示元件、有机电致发光(有机EL)元件、在电子纸中使用的电泳元件等。作为制作上述元件的手法之一，公知有例如被称为辊对辊(roll to roll)方式(以下，仅记为“辊式”)的手法(例如，参照专利文献1)。
辊式手法是将卷绕于基板供给侧的辊的一张片状的基板送出，并且一边利用基板回收侧的辊对送出的基板进行卷取一边输送基板，在基板被送出到被卷取的期间，在基板上依次形成显示电路、驱动电路等的图案(pattern)。近年来，例如大型的显示器装置等的需求很多，从而要求在基板上的广阔范围高效地形成图案的技术。作为这样的技术之一，公知有例如将预先形成于转印版的图案层转印到基板的转印法(转附法)。
专利文献1：国际公开第2006/100868号
然而，在转印法中，当将图案层向基板转印时，图案的一部分有可能残留于转印版。
发明内容
本发明所涉及的实施方式的目的在于，提供一种在转印时能够抑制图案层残留于转印版的转印装置以及基板处理装置。
本发明所涉及的一个实施方式的转印装置具备：版保持部，其对转印版进行保持，该转印版具有由规定厚度的多孔质材料形成的多孔质板、以及形成于该多孔质板的一方的面侧的转印用的图案层；对象物保持部，其对能够供转印版的图案层转附的对象物以使得该对象物与转印版的一方的面密接或接近的方式进行保持；以及流体供给部，其从多孔质板的另一方的面侧向一方的面侧供给规定压力的流体。
本发明所涉及的一个实施方式的基板处理装置具备：基板输送部，其对形成为带状的基板进行输送；以及多个基板处理部，它们对由上述基板输送部输送的基板进行处理，使用上述转印装置作为基板处理部。
本发明所涉及的一个实施方式的设备制造方法是在柔性的基板上制造包含薄膜晶体管的电子设备的方法，所述设备制造方法包括：第一工序，在该第一工序中，在由规定厚度的多孔质材料形成的多孔质板的一方的面侧，形成构成上述薄膜晶体管的电极层、半导体层、绝缘层中的任意两层的层叠构造体；第二工序，在该第二工序中，在使形成有上述层叠构造体的上述多孔质板的一方的面侧、与上述基板的表面密接或者接近的状态下，从上述多孔质板的另一方的面侧向上述一方的面侧供给规定压力的流体，将上述多孔质板上的上述层叠构造体转印于上述基板的表面；以及第三工序，在该第三工序中，在被转印到上述基板的表面的上述层叠构造体的表面或者上述基板的表面，形成构成上述薄膜晶体管的剩余的层、或者与上述电极连接的配线层。
根据本发明所涉及的实施方式，能够提供在转印时抑制图案层残留于转印版的转印装置以及基板处理装置。
附图说明
图1是示出本发明所涉及的第一实施方式的转印装置的整体结构的立体图。
图2是示出本实施方式的多孔质片材的结构的剖视图。
图3是示出本实施方式的喷气辊的结构的立体图。
图4是示出本实施方式的喷气辊的内部结构的立体图。
图5是示出本实施方式的转印动作的一个例子的局部剖视图。
图6是示出本实施方式的转印动作的一个例子的局部剖视图。
图7是示出本实施方式的转印动作的一个例子的局部剖视图。
图8A是示出本实施方式中的喷气辊的变形例的剖视图。
图8B是示出本实施方式中的喷气辊的变形例的剖视图。
图9是示出本发明所涉及的第二实施方式的设备制造系统的整体结构的图。
图10是示出本发明所涉及的多孔质片材的其它结构的剖视图。
图11是对利用本发明所涉及的多孔质片材进行的多层图案层的转印进行说明的剖视图。
图12A是示出利用本发明所涉及的第三实施方式的设备制造方法形成的电路的一个例子的图。
图12B是示出利用本发明所涉及的第三实施方式的设备制造方法形成的电路的一个例子的图。
图12C是示出利用本发明所涉及的第三实施方式的设备制造方法形成的电路的一个例子的图。
图13A是示出本发明所涉及的第三实施方式的设备制造方法的电路形成工序的一个例子的图。
图13B是示出本发明所涉及的第三实施方式的设备制造方法的电路形成工序的一个例子的图。
图13C是示出本发明所涉及的第三实施方式的设备制造方法的电路形成工序的一个例子的图。
图14A是示出本发明所涉及的第三实施方式的设备制造方法的电路形成工序的一个例子的图。
图14B是示出本发明所涉及的第三实施方式的设备制造方法的电路形成工序的一个例子的图。
图14C是示出本发明所涉及的第三实施方式的设备制造方法的电路形成工序的一个例子的图。
具体实施方式
[第一实施方式]
对本发明所涉及的第一实施方式进行说明。
图1是示出本实施方式的转印装置100的结构的立体图。
如图1所示，转印装置100是使用具有挠性、且由多孔质材料形成为环形带状的作为转印版的多孔质片材Ts，将形成于该多孔质片材Ts的外周面Ta的图案层转印于作为转印对象物的薄膜状的基板P的装置。转印装置100具有保持多孔质片材Ts的片材保持部(版保持部)10、保持基板P的基板保持部(对象物保持部)20、以及从多孔质片材Ts的内周面Tb侧向外周面Ta侧供给气体的气体供给部(流体供给部)30。此外，基板P能够采用PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)等树脂制薄膜、塑料片材、极薄的能够弯曲的玻璃板、将不锈钢压延为箔状的薄膜片材、或加工成抑制液体的吸收的纸、布等具有挠性的基板、所谓的柔性基板。
在本实施方式中，尤其着眼于材料费廉价这一点，而采用树脂制薄膜、塑料片材作为基板P。
这里，在说明转印装置100的各结构之前，先对本实施方式中所使用的多孔质片材Ts的结构予以说明。图2是示出多孔质片材Ts的结构的剖视图。
如图2所示，多孔质片材Ts具有多孔质层11、基底金属层12(覆盖部)以及电镀层13(覆盖部)。
多孔质层11采用例如聚酰亚胺等多孔质材料而形成为例如20μm～50μm左右的膜厚。多孔质层11能够使气体从其内部通过。多孔质层11的第二面11b相当于多孔质片材Ts的内周面Tb。
这种多孔质聚酰亚胺膜例如在国际公开号为WO2010/038873号的文献中被公开。
基底金属层12在多孔质层11的第一面11a形成为规定的图案形状。基底金属层12的图案形状成为相对于欲转印到基板P的图案层互补的形状。基底金属层12的图案例如通过蒸镀法等形成，并将多孔质层11的第一面11a的一部分封盖。
通过电镀法而使电镀层13层叠于基底金属层12。电镀层13的表面13a相当于多孔质片材Ts的外周面(表层)Ta。电镀层13具有与基底金属层12相同的图案。例如以规定时间将具有被刻画出图案的基底金属层12的多孔质片材Ts浸渍于电镀液，对其进行无电解电镀或者电解电镀，由此，以所需的厚度形成电镀层13。
这样，多孔质层11的第一面11a的一部分被基底金属层12以及电镀层13的图案封盖。另一方面，在多孔质层11的第一面11a中，在未设置有基底金属层12以及电镀层13的区域，结果形成了露出部14的图案。向该露出部14填充构成欲转印到基板P的图案层的被转印材料，对其详细内容在后文中进行叙述。
因此，多孔质片材Ts借助相对于基底金属层12以及电镀层13凹陷的露出部14进行转印，从而，发挥与印刷中的凹版同样的功能。
在使气体从多孔质层11的第二面11b朝第一面11a通过的情况下，该气体被基底金属层12以及电镀层13阻挡而从第一面11a的露出部14喷出。
这种多孔质片材(树脂膜、薄膜等)能够利用耐热性、尺寸稳定性等较高的芳纶树脂基的多孔质薄膜、对超高分子量聚乙烯粉末的烧结多孔质成形体进行切削而制成的超高分子量聚乙烯多孔质薄膜、疏液性·耐热性·耐药品性等特性优异的四氟化乙烯树脂多孔质膜等，但是，对于多孔质层11的第一面11a而言，优选具有比基底金属层12的微细图案的最小尺寸小的气孔尺寸，且平坦性较好的材质。
另外，多孔质片材也可以利用通过氟气对由合成树脂构成的多孔质膜的表面进行氟化处理而成的表面氟化多孔质膜。
接下来，对转印装置100的各结构进行说明。
如图1所示，片材保持部10具有辊R1以及辊R2，它们用于对多孔质片材Ts施加规定的张力并对该多孔质片材Ts进行输送。辊R1以及辊R2中的至少一个辊被设置为能够借助未图示的驱动部而旋转。通过使该辊旋转，环状的多孔质片材Ts能够向一个方向旋转。
如图1所示，基板保持部20具有用于输送基板P的压印滚筒DR。压印滚筒DR例如形成为圆筒状、圆柱状等的外周面DRa构成圆筒面的形状，其外周由适当厚度的橡胶材料、树脂材料覆盖。基板P以卷绕于压印滚筒DR的外周面DRa的状态被输送。压印滚筒DR被设置为能够借助未图示的旋转驱动部而沿外周面DRa的周向旋转。压印滚筒DR设置于使得卷绕于外周面DRa的基板P与多孔质片材Ts的外周面Ta密接(或者接近)的位置。
另外，张力辊TR1、TR2设置为，使得多孔质片材Ts的长度方向(输送方向)上的恒定长度的部分与卷绕于压印滚筒DR的外周面DRa基板P稳定地密接。
气体供给部30配置于环形带状的多孔质片材Ts的内侧。气体供给部30具有：喷气辊ABR，其将多孔质片材Ts按压于基板P并向该多孔质片材Ts供给气体；以及气体供给部35，其能够向上述喷气辊ABR供给气体。
图3是示出气体供给部30的结构的立体图。
如图3所示，喷气辊ABR具有：圆筒轴(管状的金属性轴)31，其形成为圆筒状；轴承部32，其在该圆筒轴31中的轴线方向的两端部分别配置有一个；圆筒状的多孔质管33，其采用多孔质材料形成为圆筒状，且被轴承部32支承为能够在圆筒轴31的外侧旋转；以及磁性流体34，其设置在圆筒轴31的外周面与多孔质管33的内周面之间。
多孔质管33例如通过对多孔质陶瓷材料进行烧制而成型为壁厚为几毫米左右且具有规定的内外径的筒状。多孔质管33能够使加压气体从其内周面向外周面经由无数的微小孔(气孔)而穿过。根据在多孔质片材Ts的第一面11a形成的露出部14的图案形状的最小尺寸(线宽等)，对孔的平均尺寸、密度进行设定。
图4是示出将图3中示出的圆筒状的多孔质管33除去后的样子的立体图，圆筒轴31具有中空部31a。该中空部31a例如经由配管等气体供给路径35a而与气体供给部35连接。圆筒轴31具有将中空部31a与外部贯通的开口部31b(喷出部)。开口部31b构成如下喷出口：在圆筒轴31的轴线(或多孔质管33的旋转中心线)延伸的方向上，以与多孔质片材Ts的宽度对应的长度而形成为插口(slot)状，并将从气体供给部35经由气体供给路径35a供给的气体喷出。
若从圆筒轴31的开口部31b喷出加压后的气体，则该气体从多孔质管33的内周面中与开口部31b对置的部分向多孔质管33的外周面穿过。此时，虽然喷出程度因多孔质管33的壁厚、孔的直径、孔的密度而不同，但气体从多孔质管33的外周面以大致相同的压力分布被喷出。
该喷出气体的压力被施加于多孔质片材Ts的第二面11b，并且，从多孔质片材Ts的多孔质层11通过的加压气体，对填充于第一面11a侧的露出部14的被转印材料所形成的图案层施加使该图案层从第一面11a剥离的力。
在此前的图1中，图3、图4所示的圆筒轴31的开口部31b朝向压印滚筒DR。因此，填充于多孔质片材Ts的第一面11a侧的露出部14的被转印材料所形成的图案层从第一面11a剥离，并被以强力按压于基板P的表面而进行转印。
此时，将多孔质片材Ts侧的被转印材料所形成的图案层按压于基板P的转印力(压接力)取决于如下力：由压印滚筒DR与多孔质管33对基板P和多孔质片材Ts的夹持力；喷出气体对多孔质片材Ts的第二面11b侧进行按压的背压；以及喷出气体使被转印材料从露出部14剥离的剥离力。
在以上的结构中，轴承部32将多孔质管33支承为能够沿圆筒轴31的周向旋转。多孔质管33在周向上的一整周范围由多孔质材料形成，因此，来自圆筒轴31的开口部31b的加压气体能够从多孔质管33的周向上的一整周范围的所有部位通过。多孔质片材Ts的第二面11b与多孔质管33的外周面33a密接。多孔质管33能够借助轴承部32而绕圆筒轴31旋转。因此，例如能够使多孔质管33以与多孔质片材Ts的移动对应的方式而从动地旋转，或能够使多孔质管33以与被旋转驱动部(马达等)驱动的压印滚筒DR的旋转对应的方式而从动地旋转。
然而，图3、图4所示的磁性流体34在形成于圆筒轴31的外周面与多孔质管33的内周面之间的微小间隙(例如1毫米～数毫米)填满，其主要作用是防止从开口部31b喷出的加压气体绕进圆筒轴31的外周面与多孔质管33的内周面的间隙部。因此，磁性流体34作为提高开口部31b与多孔质管33的内周面之间的气密性的密封件而发挥功能。
磁性流体34被在圆筒轴31的外周面埋设的磁体(永久磁铁、电磁铁等)捕捉。特别是在圆筒轴31的外周面的开口部31b的周边，为了使磁性流体不洒落到开口部31b内，设置以将开口部31b包围的方式排列的强磁体(稀土类的永久磁铁)。
除了上述结构之外，如图1所示，转印装置100具有图案层形成部PH，该图案层形成部PH例如用于在形成于多孔质片材Ts的外周面Ta的露出部14形成图案层。图案层形成部PH采用将构成图案层的功能性材料，例如包含纳米金属粒子的导电性油墨、包含碳纳米线的紫外线硬化树脂、干燥时结晶而构成半导体的有机物、氧化物的溶剂等液状、凝胶状的功能性材料印刷(填充)至多孔质片材Ts的露出部14的印刷头等。在本实施方式的情况下，印刷头优选为能够对准露出部14而使功能性材料滴落的喷墨方式的头，但在网版印刷、凹版印刷、凸版印刷、胶版印刷等中使用的版(平版或滚筒版)也能够用作印刷头。
另外，在本实施方式中，如图2所示，形成于多孔质片材Ts的外周面Ta的基底金属层12以及电镀层13构成间隔壁层(凸部)，其周围的露出部14构成凹部。因此，对于图案层形成部PH而言，可以具有如下的涂覆机构，即：在多孔质片材Ts上供露出部14形成的区域，同样地涂覆功能性材料或者选择性地涂覆功能性材料，然后，将残留于基底金属层12以及电镀层13的间隔壁层上的功能性材料除去，并使功能性材料残留于露出部14内。
此外，图案层形成部PH可以以沿多孔质片材Ts的输送方向排列的方式设置多个。
另外，转印装置100具有支承机构PLT，该支承机构PLT对多孔质片材Ts中由图案层形成部PH形成图案层(被填充至露出部14的层)的部分的内周面Tb进行支承。支承机构PLT能够采用例如利用形成为平面状的支承面以非接触的方式对内周面Tb进行支承的气垫式支承件(holder)、对多孔质片材Ts的一部分进行卷绕的旋转鼓等。
接下来，对具有上述结构的转印装置100的动作进行说明。
首先，对于转印装置100而言，在图案层形成部PH中，如图5所示那样，在使支承机构PLT对多孔质片材Ts进行支承的状态下，向该多孔质片材Ts的露出部14填充规定的被转印材料(液状或者凝胶状的功能性材料)，由此形成被转印图案层15。
此时，构成被转印图案层15的功能性材料所被填充到的露出部14的底部(多孔质层11的第一面11a)，优选形成为相对于功能性材料具有疏液性的分子构造、即功能性材料难以进入到多孔质层11的孔内，且密接性不良的状态。为此，可以实施利用氟基将露出部14的底部(多孔质层11的第一面11a)的表面改性这样的化学处理，例如为了不将具有疏液性的SAM(Self Assemble Monolayer：自组装单分子膜)材料的溶液填充到多孔质层11的孔中，可以利用喷雾沉积法等进行涂覆。
接下来，转印装置100通过使辊R1以及辊R2旋转而使多孔质片材Ts移动，并且，通过使压印滚筒DR旋转而使基板P移动，由此，使形成于多孔质片材Ts的第一面11a(Ta)的被转印图案层15与基板P上的转印对象区域接触(压接)。与此同时，从构成喷气辊ABR的圆筒轴31的开口部31b向多孔质片材Ts的第二面11b(Tb)喷出加压气体。
在该状态下，如图6所示，转印装置100从喷气辊ABR向多孔质片材Ts的内周面Tb以规定的压力供给气体。从内周面Tb供给到多孔质层11的内部的气流在形成有基底金属层12以及电镀层13的区域被阻挡，因此，压力被施加于露出部14。利用该压力(剥离力)而将形成于露出部14的被转印图案层15向基板P侧按压，使得被转印图案层15与基板P接合(转附)。
继续使辊R1以及辊R2旋转，并且使压印滚筒DR旋转，从而，如图7所示，在配置于露出部14的被转印图案层15被转印到基板P的状态下，对多孔质片材Ts以及基板P进行输送。通过反复进行该动作，而将形成于多孔质片材Ts上的被转印图案层15连续地转印到基板P上。
在以上的实施方式中，为了提高基板P的表面与构成被转印图案层15的功能性材料的密接性，优选预先将表面改质，或预先形成提高了密接性的薄膜。
并且，为了使被转印图案层15良好地从露出部14剥离，可以设置能够使喷出加压气体的圆筒轴31的开口部31b的周向宽度发生变更的调整机构，或可以改变开口部31b的开口形状本身。
图8A以及8B示出了上述这种变形例。图8A示出了在圆筒轴31的开口部31b的外周部附近对置设置能够使开口的周向宽度发生变更的板片31w的情况。板片31w构成为能够在圆筒轴31的周向上移动，从而能够调整被喷射加压气体的多孔质管33的内周面上的区域的周向宽度。
图8B示出了如下例子：将形成于圆筒轴31的外周面的加压气体的喷出口设为在轴线方向上离散地排列的小开口31h，以此取代在轴线方向上连续的插口状。各小开口31h与在圆筒轴31的内周面沿轴线方向延伸配置的槽31g连通。如该图8B所示，若由多个小开口31h构成喷出口，则还能够体现出如下优点：能够减小包围上述小开口31h的磁性流体34的区域，从而能够使永久磁铁等磁体Mg减少。
如上述图8A以及8B所示，使供加压气体喷出的开口缩小，能够使向多孔质管33的内周面喷出的气体的流速变大，还能够增大使被转印图案层15从露出部14剥离的力。
因此，当将多孔质片材Ts的被转印图案层15向基板P侧转印时，可以使多孔质片材Ts的外周面Ta与基板P的表面不密接，而是隔开微小的间隙(例如数μm～数十μm)地分离。如果能够像这样地在使多孔质片材Ts与基板P不密接而是接近的状态下进行转附，则在转附之前容易以微米级对多孔质片材Ts与基板P进行相对定位，还能够使新的图案层对准已经形成于基板P上的图案层而与之重叠。
如上所述，本实施方式的转印装置100具备：片材保持部10，其对多孔质片材Ts进行保持，其中，所述多孔质片材Ts具有由规定厚度的多孔质材料形成的多孔质层11、和形成于多孔质层11的第一面11a侧的被转印图案层15；基板保持部20，对于能够供该多孔质片材Ts的被转印图案层15转附(预定转附)的基板P而言，所述基板保持部20将其保持为与多孔质片材Ts的外周面Ta密接或接近；以及气体供给部30，其从多孔质层11的第二面11b向第一面11a供给规定压力的气体，因此，利用经由多孔质片材Ts供给的气体的压力，将配置于多孔质片材Ts的外周面Ta的被转印图案层15压向基板P。由此，能够在转印时抑制图案层15残留于多孔质片材Ts。
[第二实施方式]
对本发明所涉及的第二实施方式进行说明。
图9示出了应用上述第一实施方式的转印装置100的设备制造系统(基板处理装置)1的整体结构。
如图9所示，在本实施方式的制造生产线上设置有：前期处理装置U1，其对卷绕于供给辊FR1的长条状的基板P实施规定的前期处理(表面改质等)；转印装置U2，其对前期处理后的基板P进行图案转印；以及后续处理装置U3，其对图案转印后的基板P实施后续的处理。
转印装置U2采用上述第一实施方式的转印装置100。除了在上述第一实施方式中说明的片材保持部10、基板保持部20、气体供给部30之外，转印装置U2还具有：图案形成装置40，其用于在环形带状的多孔质片材Ts的表面形成图案；清洗装置50(维护部)，其对多孔质片材Ts上的图案被转印装置U2转印到基板P之后的多孔质片材Ts进行清洗；干燥装置60(维护部)，其使清洗后的多孔质片材Ts干燥；以及基底处理装置70(维护部)，其对干燥后的多孔质片材Ts的表面实施规定的基底处理。
在图案形成装置40内设置有：多个印刷头部(印刷头部PH1、印刷头部PH2以及印刷头部PH3)，它们通过印刷方式、喷墨方式等将油墨材料涂覆于基底处理后的多孔质片材Ts2的表面(露出部14)，由此形成TFT、有机EL用的各种电极部、布线部等的图案；以及支承机构PLT，其与各印刷头部(PH1、PH2、PH3)对应，且是对多孔质片材Ts2的背面进行支承的平面状的气垫式保持件、或者对一部分多孔质片材Ts2进行卷绕的旋转鼓等。
被卷绕于供给辊FR1的基板P由夹紧的驱动辊DR1沿X方向以规定速度朝前期处理装置U1送入。前期处理装置U1在基板P的表面即图中朝下的面Pa形成使图案的转印(定影)牢固的基底层。借助如下方法等而形成上述基底层：通过向基板P的表面照射电子束等能量线而对表层面进行改质(形成活性化的面)的方法；以及较薄地堆积使得欲转印的图案的材料牢固地贴附于基板P的粘合剂层的方法。
对于前期处理后的基板P而言，利用空气转向杆(air turn bar)ATB以非接触的方式对输送方向进行转换，将该基板P按照转印装置U2内的辊R1、空气转向杆ATB、压印滚筒DR、空气转向杆ATB、辊R2、空气转向杆ATB的顺序而架设于这些部件，并将其向接下来的后续处理装置U3输送。
对辊R1以及辊R2的旋转速度、扭矩进行控制，以便保持规定的张力而在输送方向上将基板P卷绕于压印滚筒DR。压印滚筒DR的外周部由金属或者硬质橡胶等构成，其外周面形成为纯圆度较高的圆筒状。
而且，在转印装置U2内设置有：张力辊TR1和张力辊TR2，它们用于使从图案形成装置40送来的带图案的多孔质片材Ts1与卷绕于压印滚筒DR的下侧的基板P密接；以及喷气辊ABR。对于张力辊TR1、张力辊TR2以及喷气辊ABR而言，它们的Z方向上的位置都能够被致动器Act调整。
如在上述第一实施方式中说明的那样，喷气辊ABR具备如下功能，即：当多孔质片材Ts1与基板P在压印滚筒DR的下侧部分密接(压接)时，从多孔质片材Ts1的背面侧喷出压缩气体，使形成于多孔质片材Ts1的上表面的被转印图案层15完美地剥离。
借助转印装置U2而使得被转印图案层15剥离后的多孔质片材Ts从辊R10、辊R11通过并折回，将该多孔质片材Ts向清洗装置50内的湿洗槽输送，利用从高压的清洗喷嘴等喷射的清洗液对其进行清洗，接着利用纯水进行涮洗处理。然后，多孔质片材Ts被输送至干燥装置60内，利用热风、通过红外线照射的方式使多孔质片材Ts干燥，以充分除去进入到多孔质内的水分。
干燥处理后的多孔质片材Ts(带有基底金属层12和电镀层13)被输送至基底处理装置70，再次为了形成图案而进行所需的基底制作。在该基底处理中，对基底赋予如下性质，即：不会使多孔质片材的露出部14的孔眼堵塞(保证通气性)，使得形成于露出部14的被转印图案层15的材料易容易剥离的性质，例如，使其相对于图案材料具有某种程度的疏液性。作为一个例子，可以将此前举例示出的SAM材料等选择性地涂覆于多孔质片材的露出部14。
基底处理后的多孔质片材Ts2借助辊R12以及辊R13而折回，并被再次输送至图案形成装置40。
在辊R12与辊R13之间设置有基于空气转向杆ATB的张力调整机构，利用致动器Act使空气转向杆ATB沿X方向移动，从而调整环形带状的多孔质片材Ts整体的张力。
如上所述，本实施方式的设备制造系统1具备：基板保持部20(基板输送部)，其用于输送形成为带状的基板P；以及多个基板处理部(前期处理装置U1、转印装置U2以及后续处理装置U3)，它们对由上述基板保持部20输送的基板P进行处理，转印装置U2采用本发明所涉及的第一实施方式的转印装置100，因此，能够在转印时抑制被转印图案层15残留于多孔质片材Ts。由此，能够得到处理精度较高、且成品率较高的设备制造系统1。
本发明的技术范围不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的宗旨的范围内能够适当地进行变更。
例如，在上述第一实施方式中，作为多孔质片材Ts的结构，列举如下结构为例进行了说明：在多孔质层11的第一面11a通过蒸镀法而形成有基底金属层12，并在该基底金属层12上形成有电镀层13，但是，并不限定于此。例如图10所示，也可以构成为，在多孔质层11的第一面11a形成蒸镀膜16，然后，通过对蒸镀膜16进行蚀刻而形成露出部14的图案。在该情况下，蒸镀膜16的表面16a相当于多孔质片材Ts的外周面Ta。
另外，在上述实施方式中，作为向多孔质片材Ts供给的流体，列举气体为例进行了说明，但并不限定于此。例如在将具有疏水性的功能性材料(油墨等)用于被转印图案层15并将其填充于多孔质片材Ts的露出部14内的情况等下，也可以构成为使用纯水等液体作为流体。
另外，在上述实施方式中，作为多孔质板，列举使用多孔质片材Ts的结构为例进行了说明，但并不限定于此。例如也可以构成为在图3所示的喷气辊ABR的多孔质管33的表面直接形成图案层(基底金属层12与电镀层13形成的间隔壁层以及被转印图案层15)，针对每一图案层而使该多孔质管33直接与基板P抵接。在该情况下，多孔质管33由能够以规定的曲率弯曲的挠性的薄板状多孔质板构成，将该薄板状多孔质板的另一侧的面作为内侧，并将多孔质管33设置为卷绕于圆筒轴31的外周面的状态。
另外，在上述实施方式中，列举在多孔质片材Ts的整个面设置多孔质材料的结构为例进行了说明，但并不限定于此，也可以构成为仅在供图案层形成的区域配置多孔质材料。
另外，在上述实施方式中，列举从喷气辊ABR向多孔质片材Ts供给气体的结构为例进行了说明，但是，可以构成为，在此基础上，喷气辊ABR还具备能够吸引多孔质片材Ts的吸引部。具体而言，列举图3所示的结构为例进行说明，能举出将真空泵等与圆筒轴31的中空部31a连接的结构等。
然而，在以上的实施方式中，举例示出了向基板P上转印一层图案层15的情况，但是，如图11所示，也能够形成两层以上的图案层15A。
在图11中，在多孔质片材Ts的多孔质层11的上方，例如利用光刻等重合曝光技术和光蚀刻技术，形成基于金属、氧化物、氮化物等膜的第一图案层16M，并在其上层叠第二图案层16N。
在这样的多孔质片材Ts的露出部14，通过涂覆或蒸镀的方式而将构成被转印图案层15的功能性材料向基板P侧转附，从而能够形成多层构造的图案层15A。
此外，在多孔质片材Ts的多孔质层11上密接形成的多层构造的图案层16N、16M可以通过如下的两阶段蚀刻的方式而形成，即：使相同材料的层以同样的厚度堆积，然后，施加第一掩膜而进行第一蚀刻，该第一掩膜用于将上述堆积层除去直至到达多孔质层11的第一面11a为止，然后，施加用于形成第二层的第二掩膜而进行第二蚀刻。
[第三实施方式]
接下来，参照图12A～14C说明本发明所涉及的第三实施方式。在本实施方式中，作为一个例子，以有源矩阵方式的有机EL(AMOLED)显示器的像素电路部作为制造对象，说明其形成方法。AMOLED显示器的像素电路部例如形成为图12A那样的电路结构，具有：影像信号总线Sy，其用于供给与影像信号的亮度对应的信号；扫描总线Sh，其用于供给选择水平扫描线的扫描信号(同步时钟)；电源总线Vdd，其用于对像素电路部施加正的电源电压；以及电源总线Vss，其用于施加负的电源电压(或者接地电位)。
针对各像素(RGB的子像素)，至少设置切换发光层OLED的接通/断开的第一薄膜晶体管TR1(以下，设为TFT－TR1)、以及向发光层OLED供给与影像信号的亮度对应的电流的第二薄膜晶体管TR2(以下，设为TFT－TR2)这两个晶体管。TFT－TR1的源极电极S与影像信号总线Sy连接，TFT－TR1的栅极电极G与扫描总线Sh连接。并且，TFT－TR2的栅极电极G与TFT－TR1的漏极电极D连接，TFT－TR2的漏极电极D与电源总线Vdd连接，TFT－TR2的源极电极S与发光层OLED的阳极侧连接。发光层OLED的阴极侧与电源总线Vss连接，在TFT－TR2的栅极电极G(TFT－TR1的漏极电极D)与电源总线Vss之间，连接有用于保持发光层OLED的发光时间的电容器CP。
将该图12A的电路结构形成于此前的各实施方式中说明的基板P上的情况下的平面配置的一个例子在图12B中示出。在影像信号总线Sy、扫描总线Sh、电源总线Vdd(Vss)的交叉部分夹入由圆圈所示的绝缘层Iso。构成TFT－TR1、TFT－TR2的半导体层Sc在本实施方式中形成于最下侧(基板P侧)，在该半导体层Sc上形成漏极电极D和源极电极S，在该漏极电极D和源极电极S上形成构成栅极绝缘膜的绝缘层Iso，进而，在该绝缘层Iso上形成栅极电极G。图12C示出在图12B中对TFT－TR1的漏极电极D和源极电极S进行横切、且对TFT－TR2的漏极电极D进行横切的C－C’向视的截面构造。
如图12C那样，在基板P的表面形成有一体地对各TFT的半导体层Sc、漏极电极D、源极电极S进行支承的绝缘性的支承层MR，在该支承层MR上层叠有作为栅极绝缘膜的绝缘层Iso、栅极电极G或一部分总线。在本实施方式中，通过夹设这样的支承层MR，能够应用使用此前的第二实施方式等中说明的多孔质片材Ts的转印法。
图13A示出在此前的图5或图10那样的多孔质片材Ts上形成支承层MR、且将其转印(压接)于基板P的样子。支承层MR以设为包含作为TFT－TR1和TFT－TR2的主要部分的源极电极S、漏极电极D、半导体层Sc在内的适当的平面尺寸(例如，50μm×25μm)的方式，形成于多孔质片材Ts的多孔质层11露出的露出部14(参照图5或者图10)内。另外，包含源极电极S、漏极电极D、半导体层Sc的支承层MR的厚度大约为层叠于多孔质层11的上表面(11a)的基底金属层12与电镀层13的合计厚度(数百nm～数μm)。
对于图13A那样的支承层MR而言，如图13B、图13C所示，首先，在第一阶段，在多孔质片材Ts的露出部14内的多孔质层11的第一面11a上，形成由低阻力材料(金属膜、碳纳米管等)构成的各TFT的源极电极S和漏极电极D。图13B是包含露出部14在内的多孔质片材Ts的局部剖视图，图13C是露出部14的俯视图。源极电极S与漏极电极D对置的间隙Gp的宽度称为沟道长度，为了使TFT的各种特性收敛于所需的范围而精密地进行加工。
作为在露出部14(由电镀层13的间隔壁包围的窗状的区域)内的多孔质层11的表面11a精密地定位而形成源极电极S和漏极电极D的方法，可以采用如下方法，即：使用光致抗蚀剂的光刻法(包含基于能量线的曝光工序、显像工序、蚀刻工序)；取代光致抗蚀剂而采用因紫外线照射而使得表面的亲液性、疏液性发生变化的感光性功能材料的照片辅助(photo asist)法(无需显像和蚀刻的无电解电镀等)；或者借助喷墨打印机并利用包含导电性纳米粒子的油墨直接描绘各电极的印刷法等。在从描绘图案阶段开始正确管理间隙Gp的宽度的情况下，适合采用光刻法、照片辅助法。然而，例如在多孔质层11的表面11a上形成将源极电极S与漏极电极D连接的一个线状(长方形)图案作为电极以后，在能够使用利用激光束的光斑对相当于间隙Gp的部分进行切割(切断)的工序的情况下，利用印刷法也能够以足够的精度形成间隙Gp。
在如图13B、13C那样形成源极电极S和漏极电极D时，为了不使电极S、D与多孔质层11的表面11a的密接性过高或过低，选择并确定多孔质层11的材质、表面11a的孔的平均尺寸，并根据需要来实施表面11a的预处理(基于UV照射的活性化等)。
接下来，在第二阶段，如图14A、14B所示，为了将各TFT的源极电极S与漏极电极D之间的间隙Gp覆盖，涂覆溶液状的半导体材料(有机半导体、氧化物半导体、碳纳米管等)，并通过适当的结晶取向处理而形成半导体层Sc。图14A是露出部14的俯视图，图14B是包含露出部14在内的多孔质片材Ts的局部剖视图。半导体层Sc的形成范围只要处于可靠地将间隙Gp覆盖的状态即可，从精度方面考虑，优选利用基于喷墨打印机等的印刷法。
一般在滴落或者涂覆溶液状的半导体材料而制作半导体层的情况下，由于结晶化的缘故，需要某种程度的高温。例如在使用基于PET树脂的柔性的基板作为基板P的情况下，其玻璃化转变温度大约为100°左右，若设为该温度以上的温度，则会引起极度的变形(收缩)。在本实施方式中，作为一个例子，采用聚酰亚胺制的多孔质膜作为多孔质层11，从而能够进行200°～250°左右的高温处理。如图14A、14B所示，在利用喷射的墨滴涂覆半导体层Sc的阶段，在多孔质片材Ts仅形成有金属层12、电镀层(金属)13以及金属系的电极S、D，因此，能够在200°～250°左右的高温下使半导体层Sc的液滴实现结晶(取向)化，能够期待TFT性能的提高。另外，能够被用作半导体层Sc的材料的选项也有所增加。另外，若由陶瓷取代聚酰亚胺，则能够对多孔质层11的材料进行更高温度的处理。
接下来，在第三阶段，在如图14A、14B那样形成有源极电极S、漏极电极D、半导体层Sc的露出部14(凹部)的整体，以同样的厚度涂覆构成支承层MR的绝缘性的溶液材料、例如紫外线硬化树脂等。在进行该涂覆时，能够利用喷墨打印机。另外，在仅能够将露出部14的周围的电镀层13的表面设定为高疏液状态的情况下，也可以通过喷雾沉积法、浸渍法而将绝缘性的溶液材料填充于露出部14内。在支承层MR的材料为紫外线硬化树脂的情况下，继而向多孔质片材Ts照射紫外线而使其硬化至适当的硬度。在支承层MR的材料为其它溶液材料的情况下，通过红外线、微波的照射或加热器的加热，将溶液材料中的溶剂成分除去而使其适度地硬化。
通过以上的第一阶段～第三阶段的处理，在多孔质片材Ts上以图13A那样的状态形成支承层MR，因此，如在此前的各实施方式中说明的那样，只要向多孔质片材Ts的背面11b侧供给加压气体，将支承层MR转印(压接)于基板P上的规定位置即可。
若将支承层MR转印于基板P上，则根据此前的图12C的截面构造可知，形成为源极电极S与漏极电极D在支承层MR的上表面露出的状态。因此，若在上述源极电极S和漏极电极D上，借助喷墨等印刷法并利用导电性油墨使各种总线Sy、Sh、Vdd、栅极电极G以层叠的方式形成，则能确保电导通。
在如图12B、12C那样的像素电路的情况下，在基板P上的支承层MR上，以将半导体层Sc覆盖、且不会将源极电极S和漏极电极D的端部覆盖的尺寸(面积)，形成作为栅极绝缘膜的绝缘层Iso。通过在支承层MR上涂覆疏液性的感光性功能材料且利用紫外线将与绝缘层Iso对应的部分改质为亲液性的物质的图片辅助法、在被改质为亲液性的部分涂覆作为绝缘层Iso的溶液材料的喷墨等印刷法、喷雾沉积法、或者浸渍(沉浸)法的组合，形成上述绝缘层Iso。
在作为栅极绝缘膜的绝缘层Iso形成以后，在绝缘层Iso、支承层MR的上表面或基板P的表面，通过喷墨等印刷法、利用照片辅助法的无电解电镀法等而形成栅极电极G、各种总线Sy、Sh、Vdd、Vss。在此前的形成绝缘层Iso的阶段，若向支承层MR的表面涂覆疏液性的感光性功能材料，则如图12C那样，需要层叠作为TFT－TR2的栅极电极G的导电性油墨的TFT－TR1的漏极电极D的端部表面保持较高的疏液性(基于氟分子)。因此，预先向支承层MR、基板P的表面照射与栅极电极G、各种总线Sy、Sh、Vdd、Vss的图案形状对应的紫外线，将该部分的疏液性改质为亲液性。
在本实施方式的情况下，如图12B所示，位于最下层的是总线Vdd，位于其上方的是总线Sy，进而，位于该总线Sy上方的是总线Sh。因此，在作为栅极绝缘膜的绝缘层Iso形成以后，由导电性油墨最初形成的导线部成为TFT－TR2的栅极电极G和总线Vdd。因此，根据与TFT－TR2的栅极电极G和总线Vdd对应的形状而照射紫外线，将支承层MR和基板P的各表面改质为亲液性。在具有电镀还原能的胺基等仅在通过该紫外线的照射而改质(除去氟分子)后的表面部分露出的情况下，在紫外线照射以后，将基板P浸渍于无电解电镀液中，从而形成与TFT－TR2的栅极电极G和总线Vdd对应的配线。由此，TFT－TR1的漏极电极D与TFT－TR2的栅极电极G电连接，TFT－TR2的漏极电极D与总线Vdd电连接。
接下来，在总线Vdd上，在总线Sy与总线Sh的交叉部分形成绝缘层Iso。这也能够在仅采用喷墨等印刷法、或者同时采用照片辅助法与印刷法的湿式工序中实施。然后，总线Sy通过印刷法、或者基于照片辅助的无电解电镀法等而形成。由此，TFT－TR1的源极电极S与总线Sy电连接。接下来，在总线Sy上的与总线Sh交叉的部分形成绝缘层Iso，然后，总线Sh和TFT－TR1的栅极电极G通过印刷法、或者基于照片辅助的无电解电镀法等而形成。
如上所述，在本实施方式中，一体地在多孔质片材Ts形成构成TFT的源极电极S和漏极电极D、以及半导体层Sc的层叠构造体，因此，能够使用于TFT的半导体层Sc的结晶化的温度条件缓和，能够实现高温化，虽然是在湿式工序中，也能够提高TFT的性能(电子移动度、接通/断开比等)。
另外，如图12C所示，在支承层MR的表面露出的源极电极S、漏极电极D相对于基板P的表面具有与支承层MR的厚度相应的阶梯差。因此，位于基板P的表面与支承层MR的表面的双方的各种总线Sy、Sh、Vdd(Vss)以跨越支承层MR的周边的阶梯部的方式而形成。若支承层MR的周边的阶梯部处于接近垂直的状态，则跨越该阶梯部的各种总线Sy、Sh、Vdd(Vss)容易断线而无法顺利地形成。
因此，如图14B那样，对于形成于多孔质片材Ts的露出部14的电镀层13的边缘(间隔壁的侧面)而言，预先使其形成为从露出部14(窗状)的内侧观察时向外侧扩展的锥状部SL。这样，如图14C所示，转印于基板P上的支承层MR的周边的边缘部SL’向支承层MR的内侧倾斜，从而，跨越该倾斜的边缘部SL’的各种总线Sy、Sh、Vdd(Vss)的断线得以抑制。
另外，在本实施方式中，通过顶栅型的方式构成TFT，但是，即便是底栅型的TFT，也同样能够在多孔质片材Ts的露出部14内一体地形成构成TFT的电极(源极和漏极D)与半导体层的层叠构造、半导体层与绝缘层的层叠构造、或者电极(栅极G)与绝缘层的层叠构造，并能够将上述构造转印于基板P侧。
一般情况下，TFT由隔开间隙Gp(沟道长度)对置的作为源极和漏极的第一电极层、半导体层、栅极绝缘层、作为将间隙Gp覆盖的栅极的第二电极层的层叠构造体构成。在本实施方式中，在上述层中，第一电极层(源极电极S和漏极电极D)和半导体层(Sc)这两层与支承层MR一起作为层叠构造体而形成于多孔质片材Ts的露出部14内，但是，也可以将第一电极层、半导体层、栅极绝缘层(Iso)这三层与支承层MR一起作为层叠构造体。在该情况下，最初仅在多孔质片材Ts的露出部14内的一部分形成栅极绝缘层(Iso)，跨越该栅极绝缘层上方和露出部14内的多孔质层11的第一面11a而形成第一电极层(源极电极S和漏极电极D)，进而，在该第一电极层上方且在收敛于栅极绝缘层(Iso)的内侧的范围形成半导体层(Sc)。另外，在底栅型的TFT的情况下，在多孔质片材Ts的露出部14内的第一面11a上，最初形成半导体层(Sc)，通过加热等方式而进行结晶化，然后，能够以将该半导体层覆盖的大小，实现在其上形成有栅极绝缘层(Iso)的双层的层叠构造体。在该情况下，栅极电极G预先在基板P上的规定位置形成，栅极绝缘层和半导体层的层叠构造体与支承层MR一起被转印到该栅极电极G上。这样，通过设置支承层MR，能够使构成薄膜晶体管(TFT)的电极层、半导体层、绝缘层中的至少两层作为层叠构造体而预先在多孔质片材Ts上形成，从而能够良好将其向基板P转印。
在以上的各实施方式中使用的多孔质片材Ts，可以是将平均孔径、膜厚或空穴率不同的两种多孔质薄膜层叠而成的构造。例如可以形成如下的多层构造，即：在供TFT、配线层等构造体形成的多孔质片材Ts的表面侧设置平均孔径为5μm以下的较薄的膜厚(例如20μm)的第一多孔质层，在多孔质片材Ts的被面侧设置平均孔径为10μm以上的较厚的膜厚(例如100μm)的第二多孔质层。
附图标记的说明
U2、100…转印装置；1…设备制造系统；Ts…多孔质片材；Ta…外周面；Tb…内周面；P…基板；DR…压印滚筒；ABR…喷气辊；PH…图案层形成部；PLT…支承机构；10…片材保持部；11…多孔质层；11a…第一面；11b…第二面；12…基底金属层；13…电镀层；13a…表面；14…露出部；15…被转印图案层；16…蒸镀膜；16a…表面；20…基板保持部；30…气体供给部；31…圆筒轴；31a…中空部；31b…开口部；33…多孔质管；35…气体供给部；40…图案形成装置；50…清洗装置；60…干燥装置。

Claims (6)

1.一种转印方法，其特征在于，包括：
在由规定厚度的多孔质材料形成的多孔质板的一方的面侧由液状或者凝胶状的功能性材料形成转印用的图案层的步骤，所述转印用的图案层由构成电子设备的层叠构造构成；
使能够供所述图案层转附的对象物与所述多孔质板的所述一方的面侧密接而使所述图案层与所述对象物的表面接触的步骤；以及
以使规定压力的气体从所述多孔质板的另一方的面侧向所述一方的面侧通过的方式供给所述气体，由此利用所述气体的压力使由所述功能性材料形成的所述图案层从所述多孔质板的所述一方的面侧剥离并转附于所述对象物的步骤。
2.根据权利要求1所述的转印方法，其特征在于，
所述多孔质板的形成所述图案层的部分具有相对于所述功能性材料具有疏液性的分子构造。
3.根据权利要求2所述的转印方法，其特征在于，
为了形成相对于所述功能性材料具有疏液性的分子构造，而利用氟基对所述多孔质板的形成所述图案层的所述一方的面侧的表面实施改性。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的转印方法，其特征在于，
以从所述多孔质板的另一方的面侧向所述一方的面侧通过的方式供给的所述气体从喷出部喷出，所述喷出部具有沿一方向呈插口状地延伸的开口部、或者沿一方向排列的多个小开口。
5.根据权利要求4所述的转印方法，其特征在于，
在将形成于所述多孔质板的所述图案层转附于所述对象物时，移动所述多孔质板以及所述喷出部中的至少一方，以使所述开口部或者所述多个小开口沿着所述多孔质板的另一方的面相对移动。
6.根据权利要求5所述的转印方法，其特征在于，
所述多孔质板形成为具有外周面和内周面的筒状，
所述图案层形成于所述筒状的多孔质板的外周面。
CN201710303738.9A 2012-08-06 2013-08-02 转印装置以及基板处理装置 Active CN107253394B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012173983 2012-08-06
JP2012-173983 2012-08-06
CN201380040811.8A CN104507685B (zh) 2012-08-06 2013-08-02 转印装置以及基板处理装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380040811.8A Division CN104507685B (zh) 2012-08-06 2013-08-02 转印装置以及基板处理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107253394A CN107253394A (zh) 2017-10-17
CN107253394B true CN107253394B (zh) 2019-05-03

Family

ID=50068026

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710303738.9A Active CN107253394B (zh) 2012-08-06 2013-08-02 转印装置以及基板处理装置
CN201380040811.8A Active CN104507685B (zh) 2012-08-06 2013-08-02 转印装置以及基板处理装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380040811.8A Active CN104507685B (zh) 2012-08-06 2013-08-02 转印装置以及基板处理装置

Country Status (3)

Country Link
JP (4) JP6287839B2 (zh)
CN (2) CN107253394B (zh)
WO (1) WO2014024797A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106501299B (zh) * 2016-10-18 2019-07-26 北京印刷学院 一种自组装印刷电子产品连续烧结实验装置
CN106393972A (zh) * 2016-11-25 2017-02-15 邹杨 一种数码喷绘、毯带转移、免蒸洗的制造方法及装置
CN107351554B (zh) * 2017-08-14 2018-11-09 湖南嘉业达电子有限公司 用于打印标识的油墨打印机及印章的制作方法
TWI661947B (zh) * 2017-11-17 2019-06-11 財團法人工業技術研究院 凹版轉印機台
JP2021003806A (ja) * 2018-01-29 2021-01-14 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 糸状部材への印刷方法、及び糸状のこぎり
JP6564105B2 (ja) * 2018-04-23 2019-08-21 株式会社三共 遊技機
CN108749294B (zh) * 2018-08-24 2020-04-24 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种转印装置及转印方法
CN110676383A (zh) * 2019-09-29 2020-01-10 合肥京东方显示技术有限公司 曲面基板的制作装置及采用该装置的制作方法
CN113211949B (zh) * 2020-02-06 2022-08-26 京东方科技集团股份有限公司 图案转印设备及方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1446039A (zh) * 2002-03-14 2003-10-01 华通电脑股份有限公司 便于残锡脱落的锡膏印刷装置
CN1660596A (zh) * 2004-02-25 2005-08-31 理想科学工业株式会社 模版印刷机
CN101973157A (zh) * 2010-09-28 2011-02-16 深圳市凯力诚实业发展有限公司 高速印刷装置、方法及生产线
CN202186106U (zh) * 2011-08-22 2012-04-11 安伦通讯设备(苏州)有限公司 一种网版印刷机吸胶装置
CN102452239A (zh) * 2010-10-22 2012-05-16 韩国科学技术院 图案转印方法和图案转印装置以及利用该方法制造的产品

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6045430B2 (ja) * 1977-10-01 1985-10-09 キヤノン株式会社 画像形成方法
JPS5793169U (zh) * 1980-11-28 1982-06-08
JPS5968291A (ja) * 1982-10-14 1984-04-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd スクリ−ン印刷方法
JP2866730B2 (ja) * 1990-11-14 1999-03-08 日本電信電話株式会社 半導体回路の形成方法
JPH06234202A (ja) * 1993-02-08 1994-08-23 Kyushu Hitachi Maxell Ltd スクリーン印刷用マスクの製造方法
JP4454056B2 (ja) * 1998-08-03 2010-04-21 大日本印刷株式会社 高精細印刷方法
JP3556102B2 (ja) * 1998-09-17 2004-08-18 松下電器産業株式会社 印刷方法及び印刷装置
US6433359B1 (en) * 2001-09-06 2002-08-13 3M Innovative Properties Company Surface modifying layers for organic thin film transistors
JP2003257654A (ja) * 2001-12-25 2003-09-12 Hitachi Ltd 画像表示装置およびその製造方法
US6620657B2 (en) * 2002-01-15 2003-09-16 International Business Machines Corporation Method of forming a planar polymer transistor using substrate bonding techniques
JP4230217B2 (ja) * 2002-12-27 2009-02-25 シャープ株式会社 転写装置
JP2004319538A (ja) * 2003-04-10 2004-11-11 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、集積回路、電子光学装置及び電子機器
JP4700976B2 (ja) * 2005-02-10 2011-06-15 キヤノン株式会社 電界効果型有機トランジスタの製造方法
JP4951868B2 (ja) * 2005-03-18 2012-06-13 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JP2006302814A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス層の形成方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2008129819A1 (ja) * 2007-04-13 2008-10-30 Nikon Corporation 表示素子の製造方法、表示素子の製造装置、及び表示素子
JP2009073005A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Nec Corp スクリーン印刷方法及びスクリーン印刷装置
JP2009078425A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Toppan Printing Co Ltd 印刷用版およびその製造方法および印刷物の製造方法
JP5294141B2 (ja) * 2008-03-25 2013-09-18 株式会社ニコン 表示素子の製造装置
CN101587839B (zh) * 2008-05-23 2011-12-21 清华大学 薄膜晶体管的制备方法
JPWO2010001537A1 (ja) * 2008-06-30 2011-12-15 株式会社ニコン 表示素子の製造方法及び製造装置、薄膜トランジスタの製造方法及び製造装置、及び回路形成装置
CN102047396B (zh) * 2008-08-04 2013-01-09 松下电器产业株式会社 柔性半导体装置及其制造方法
JP2011201271A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Toppan Printing Co Ltd マスク面塗布材料押込みスクリーン印刷装置及びその印刷法
WO2011128932A1 (ja) * 2010-04-13 2011-10-20 パナソニック株式会社 有機半導体装置及び有機半導体装置の製造方法
JP2012000946A (ja) * 2010-06-21 2012-01-05 Toppan Printing Co Ltd 印刷定盤及び裏面用基材並びにフィルム基材のパターン形成方法
US9518224B2 (en) * 2010-08-29 2016-12-13 Shinshu University Organic semiconductor particulate material, organic semiconductor thin-film, dispersion liquid for forming organic semiconductor film, method for producing organic semiconductor thin-film, and organic thin-film transistor
JP2012060057A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Komuratekku:Kk 有機薄膜トランジスタの製法
JP2012119531A (ja) * 2010-12-01 2012-06-21 Seiko Epson Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法、電気装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1446039A (zh) * 2002-03-14 2003-10-01 华通电脑股份有限公司 便于残锡脱落的锡膏印刷装置
CN1660596A (zh) * 2004-02-25 2005-08-31 理想科学工业株式会社 模版印刷机
CN101973157A (zh) * 2010-09-28 2011-02-16 深圳市凯力诚实业发展有限公司 高速印刷装置、方法及生产线
CN102452239A (zh) * 2010-10-22 2012-05-16 韩国科学技术院 图案转印方法和图案转印装置以及利用该方法制造的产品
CN202186106U (zh) * 2011-08-22 2012-04-11 安伦通讯设备(苏州)有限公司 一种网版印刷机吸胶装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6287839B2 (ja) 2018-03-07
JP6481784B2 (ja) 2019-03-13
JP2019096890A (ja) 2019-06-20
CN107253394A (zh) 2017-10-17
CN104507685B (zh) 2017-06-09
JP6665953B2 (ja) 2020-03-13
JP6950767B2 (ja) 2021-10-13
JP2018082214A (ja) 2018-05-24
CN104507685A (zh) 2015-04-08
JP2020145419A (ja) 2020-09-10
JPWO2014024797A1 (ja) 2016-07-25
WO2014024797A1 (ja) 2014-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107253394B (zh) 转印装置以及基板处理装置
JP6424940B2 (ja) ミストによる成膜装置
JP4636921B2 (ja) 表示装置の製造方法、表示装置および電子機器
TWI290734B (en) Electronic device, method of manufacturing an electronic device, and electronic apparatus
TWI304650B (en) Method of forming film pattern, active matrix substrate, electro-optic device, and electronic apparatus
JP2006269599A (ja) パターン形成方法、有機電界効果型トランジスタの製造方法、及び、フレキシブルプリント回路板の製造方法
US9064778B2 (en) Method of manufacturing thin film transistor
CN110379715A (zh) 转印基板
US7999253B2 (en) Organic transistor and active matrix display
JP5838692B2 (ja) Ｃｍｏｓ半導体装置の製造方法
TWI317254B (en) Method of forming a wiring pattern, method of manufacturing a device, device, electro-optic device, and electronic instrument
JP2010219375A (ja) 有機トランジスタアクティブ基板、有機トランジスタアクティブ基板の製造方法および有機トランジスタアクティブ基板を用いた電気泳動ディスプレイ
JP2015005618A (ja) 有機半導体膜の製造方法、有機半導体膜、薄膜トランジスタ、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器
JP2004342741A (ja) 膜形成方法、配線形成方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器
Rodrigues Towards printed carbon nanotube transistors on paper substrates
JP2004342740A (ja) 膜形成方法、配線形成方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant