CN107188135A - 一种碲化镉晶体 - Google Patents

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    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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    • C01B19/007—Tellurides or selenides of metals

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Abstract

本发明公开一种碲化镉晶体的制备工艺，包括以下步骤：将高纯碲及高纯镉按照4∶6比例混合装入高温炉中；设置升温曲线，使高温炉在氮气保护条件下按照升温曲线进行升温过程，以使所述高纯碲及高纯镉发生化学反应气相沉积，形成晶体；所述升温曲线的最高温度不超过1200℃；且在最高温度条件下的保温时间不超过5小时；将高温炉冷却至室温，打开后取出碲化镉晶体；将合格的碲化镉晶体切割成不同直径，采用真空铝塑纸按片分装，并用真空封装机封口。整个制备工艺过程升温控制安全可靠，反应过程中没有蒸气外泄，不会对环境和工作人员的健康造成损害，更不会导致碲化镉分解，反应过程充分，制备的碲化镉晶体纯度高，质量好，稳定性高。

Description

一种碲化镉晶体
技术领域
本发明涉及一种碲化镉晶体。
背景技术
碲化镉广泛地应用于光谱分析、太阳能电池、红外调制器、红外窗场致发光器件、光电池、红外探测、X射线探测、核放射性探测器、接近可见光区的发光器件中。
但是目前国内还没有比较成熟配套的生产工艺系统，大部分碲化镉晶体仍然依赖进口，而采用传统将热棒插入碲和镉混合粉末中加热的方法制备碲化镉，其热棒加热不够均匀，反应不够充分；而采用坩埚蒸发碲和镉反应生成碲化镉薄膜的方法，难于准确控制碲和镉的蒸发量，并且在大量制备碲化镉薄膜过程中，工作人员可能接触镉粉的机会较多，对工作人员和环境容易造成污染和损害。
发明内容
针对上述技术问题，本发明公开一种碲化镉晶体，包括以下步骤：
将高纯碲及高纯镉按照4∶6比例混合装入高温炉中；
设置升温曲线，使高温炉在氮气保护条件下按照升温曲线进行升温过程，以使所述高纯碲及高纯镉发生化学反应气相沉积，形成晶体；所述升温曲线的最高温度不超过1200℃；且在最高温度条件下的保温时间不超过5小时；
将高温炉冷却至室温，打开后取出碲化镉晶体；将合格的碲化镉晶体切割成不同直径，采用真空铝塑纸按片分装，并用真空封装机封口。
本发明的有益效果是所述碲化镉晶体生产过程中没有添加任何其它的辅助材料或溶剂，整个过程全部在洁净间中进行，升温控制安全可靠，反应过程中没有蒸气外泄，不会对环境和工作人员的健康造成损害，更不会导致碲化镉分解，反应过程充分，制成的碲化镉晶体纯度高，质量好，稳定性高。
具体实施方式
下面对本发明做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
本发明公开一种碲化镉晶体，包括以下步骤：将高纯碲及高纯镉按照4∶6比例混合装入高温炉中；设置升温曲线，使高温炉在氮气保护条件下按照升温曲线进行升温过程，以使所述高纯碲及高纯镉发生化学反应气相沉积，形成晶体；所述升温曲线的最高温度不超过1200℃；且在最高温度条件下的保温时间不超过5小时；所述升温过程为1小时内从室温升至300℃，保温30min；之后，1小时内升至600℃，保温2h；然后，1小时内升至700℃，保温6h；最后3小时内升至1000～1200℃，最高温度不超过1200℃，并保温2～5h，且保温时间不超过5小时；反应完成后，将高温炉冷却至室温，打开后取出碲化镉晶体；将合格的碲化镉晶体切割成不同直径，采用真空铝塑纸按片分装，并用真空封装机封口。所述碲化镉晶体过程中没有添加任何其它的辅助材料或溶剂，整个过程全部在洁净间中进行，升温控制安全可靠，反应过程中没有蒸气外泄，不会对环境和工作人员的健康造成损害，更不会导致碲化镉分解，反应过程充分，制成的碲化镉晶体纯度高，质量好，稳定性高。洁净间的内部和外部环境空气均通过高效过滤隔离，同时生产人员必须严格佩戴健康防护用具上岗，一方面是为了保护产品本身的品质，另一方面更是加强了对生产人员与外部环境的保护。对于外形、硬度、颜色、透过率达到设定指标的碲化镉晶体合格品，进行下一步的切割分装，对于不合格的碲化镉晶体或者边角料，提纯分离或卖给回收 公司，更加节约环保。
尽管本发明的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本发明的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本发明并不限于特定的细节和这里示出与描述的文字。

Claims (1)

1.一种碲化镉晶体的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
将高纯碲及高纯镉按照4∶6比例混合装入高温炉中；
设置升温曲线，使高温炉在氮气保护条件下按照升温曲线进行升温过程，以使所述高纯碲及高纯镉发生化学反应气相沉积，形成晶体；所述升温曲线的最高温度不超过1200℃；且在最高温度条件下的保温时间不超过5小时；
将高温炉冷却至室温，打开后取出碲化镉晶体；将合格的碲化镉晶体切割成不同直径，采用真空铝塑纸按片分装，并用真空封装机封口。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111204718A (zh) * 2020-02-28 2020-05-29 盱眙新远光学科技有限公司 一种碲化镉晶体的低温液相制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101734630A (zh) * 2009-12-30 2010-06-16 峨嵋半导体材料研究所 一种高纯碲化镉的制备方法
CN102086031A (zh) * 2010-11-25 2011-06-08 广东先导稀有材料股份有限公司 一种碲化镉液相合成方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101734630A (zh) * 2009-12-30 2010-06-16 峨嵋半导体材料研究所 一种高纯碲化镉的制备方法
CN102086031A (zh) * 2010-11-25 2011-06-08 广东先导稀有材料股份有限公司 一种碲化镉液相合成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111204718A (zh) * 2020-02-28 2020-05-29 盱眙新远光学科技有限公司 一种碲化镉晶体的低温液相制备方法

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