CN107164732B - 沉积设备及使用该沉积设备制造显示装置的方法 - Google Patents

沉积设备及使用该沉积设备制造显示装置的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107164732B
CN107164732B CN201611076290.3A CN201611076290A CN107164732B CN 107164732 B CN107164732 B CN 107164732B CN 201611076290 A CN201611076290 A CN 201611076290A CN 107164732 B CN107164732 B CN 107164732B
Authority
CN
China
Prior art keywords
deposition material
deposition
rotating
inner module
deposition apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201611076290.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107164732A (zh
Inventor
鲁硕原
金陶煐
朴国喆
尹振硕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN107164732A publication Critical patent/CN107164732A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107164732B publication Critical patent/CN107164732B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

公开了沉积设备和制造显示装置的方法,制造显示装置的方法包括:提供互相面对的沉积源和衬底,沉积源包括旋转杆、与旋转杆接合并且具有用于存储沉积材料的存储单元的内部模块,以及覆盖旋转杆和内部模块并且具有与环境空气连通的出口的外壳;旋转沉积源中的旋转杆,使得与旋转杆接合的内部模块旋转;以及将通过外壳的出口排放的沉积材料施加至衬底上。

Description

沉积设备及使用该沉积设备制造显示装置的方法
相关申请的交叉引用
于2016年3月7日提交至韩国知识产权局且名称为“沉积设备及使用该沉积设备制造显示装置的方法”的第10-2016-0027193号韩国专利申请通过引用以其全部内容并入本文。
技术领域
本公开涉及沉积设备和使用该沉积设备制造显示装置的方法。
背景技术
随着多媒体的发展,显示装置的重要性已提高。因此,多种种类的显示装置被使用,例如,液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器。
显示装置可通过在衬底上层压多种种类的薄膜来制造。在衬底上形成薄膜的方法中的一个包括通过蒸发膜形成材料并将蒸发的膜形成材料施加至衬底上来形成薄膜。
发明内容
本公开的一方面提供了沉积设备,其中沉积材料的平直度是优异的。
本公开的另一方面提供了沉积设备,其中沉积材料的转移率是优异的。
本发明的再一方面提供了使用沉积设备制造显示装置的方法。
根据本公开的一方面,提供了沉积设备,包括旋转杆、内部模块以及外壳,其中,内部模块与旋转杆接合并且包括用于存储沉积材料的存储单元,外壳覆盖旋转杆和内部模块并且具有与环境空气连通的出口。
外壳可具有圆柱形形状。
外壳和旋转杆可以可旋转地互相接合。
沉积设备还可包括布置在出口的至少一侧处的引导板。
内部模块可包括布置成以预定的间隔互相间隔开的第一旋转板和第二旋转板。
沉积设备还可包括布置在第一旋转板和第二旋转板之间的旋转支承件。
内部模块还可包括在平行于旋转杆的方向上延伸的侧壁和从侧壁的一端弯曲并延伸的上盖。
上盖的端部可以以预定的间隔与旋转支承件间隔开。
内部模块可包括分隔件,并且沉积材料可存储在由分隔件限定的空间中。
分隔件可包括在平行于旋转杆的方向上延伸的侧壁和从侧壁的一端弯曲并延伸的上盖。
可提供多个内部模块,并且多个内部模块可沿旋转杆的长度方向重叠。
多个内部模块可包括第一内部模块和第二内部模块,第一内部模块可存储第一沉积材料,以及第二内部模块可存储与第一沉积材料不同的第二沉积材料。
外壳可包括多个出口,并且多个出口可具有互不相同的开口方向。
根据本公开的另一方面,提供了沉积设备,包括旋转杆、内部模块以及外壳,其中,旋转杆顺时针或逆时针旋转,内部模块包括用于存储沉积材料的存储单元并且与旋转杆接合以在与旋转杆的旋转方向相同的方向上旋转,外壳覆盖旋转杆和内部模块并且具有用于排放沉积材料的出口。
可通过内部模块的旋转将离心力提供至沉积材料。
可提供多个内部模块,并且多个内部模块可在与旋转杆的旋转方向相同的方向上旋转。
多个内部模块可包括第一内部模块和第二内部模块,并且第一内部模块和第二内部模块可以以互不相同的速度旋转。
根据本公开的再一方面,提供了制造显示装置的方法,包括:提供沉积源和面对沉积源的衬底,沉积源包括旋转杆、与旋转杆接合并且包括用于存储沉积材料的存储单元的内部模块、以及覆盖旋转杆和内部模块并且具有与环境空气连通的出口的外壳;使旋转杆旋转以使与旋转杆接合的内部模块旋转;以及将通过外壳的出口排放的沉积材料施加至衬底上。
可通过内部模块的旋转将离心力提供至沉积材料。
可提供多个内部模块,并且多个内部模块可在与旋转杆的旋转方向相同的方向上旋转。
根据本公开的又一方面,提供了沉积设备,包括旋转杆、与旋转杆接合的内部模块、以及外壳,其中,内部模块包括用于存储沉积材料的存储单元,外壳容纳旋转杆和内部模块,外壳包括面对沉积目标的出口,并且旋转杆和内部模块可在外壳内旋转。
存储单元的开口可与旋转杆同轴线,存储单元可与旋转杆一起旋转。
内部模块还可包括在平行于旋转杆的方向上延伸的侧壁和从侧壁向旋转杆弯曲的上盖,侧壁和上盖限定围绕旋转杆的存储单元,并且存储单元的开口被限定在上盖的边缘和旋转杆之间。
存储单元的内部可通过开口与存储单元的外部流体连通。
旋转杆和内部模块可在相同方向上一起旋转。
附图说明
通过参考附图详细描述示例性实施方式,特征将对本领域普通技术人员变得显而易见,在附图中:
图1示出了根据实施方式的沉积设备的示意性布局视图;
图2示出了图1的配置的放大视图;
图3示出了图2的剖视立体图;
图4示出了图3的配置的放大视图;
图5示出了沿图4的线I-I’截取的剖视图;
图6示出了根据实施方式的沉积设备的剖视立体图;
图7示出了根据实施方式的沉积设备的立体图;
图8示出了根据实施方式的沉积设备的剖视图;
图9示出了根据另一实施方式的沉积设备的剖视立体图;
图10示出了图9的沉积设备的纵向剖视图;
图11示出了根据另一实施方式的沉积设备的剖视图;
图12示出了根据再一实施方式的沉积设备的剖视图;
图13示出了根据再一实施方式的沉积设备的剖视图;以及
图14示出了根据再一实施方式的沉积设备的剖视图。
具体实施方式
现将在下文中参考附图更全面地描述示例性实施方式;然而,它们可以以不同的形式实现并且不应解释为受限于本文中阐述的实施方式。相反,这些实施方式被提供以使得本公开将是全面和完整的,并且将把示例性实现方式全面地传达给本领域技术人员。
在附图中,为了说明的清楚,层和区域的尺寸可能被夸大。还应理解的是,当层(或元件)被称为在另一层或衬底“上”时,其可直接在另一层或衬底上,或者也可存在介于其间的层。另外,还应理解的是,当层被称为在两个层“之间”时,其可以是该两个层之间的唯一层,或者也可存在一个或多个介于其间的层。在全文中,相同的附图标记表示相同的元件。
虽然用语“第一,第二等”用于描述各种组成元件,但是此类组成元件不被这些用语限制。这些用语仅用于将组成元件与其他组成元件区别开。因此,在下面的描述中,第一组成元件可以是第二组成元件。
在下文中,将参考附图详细地描述优选的实施方式。
图1是根据实施方式的沉积设备的示意性布局视图,图2是用于说明图1的配置的放大视图,图3是图2的剖视立体图,图4是用于说明图3的配置的放大视图,以及图5是沿图4的线I-I’截取的剖视图。
参考图1至图5,根据实施方式的沉积设备可包括旋转杆RR、内部模块IM和外壳HO,其中,内部模块IM与旋转杆RR接合并且包括用于存储沉积材料的存储单元,外壳HO覆盖旋转杆RR和内部模块IM并且具有与环境空气连通的出口GO。
根据实施方式的沉积设备可包括腔室CH。腔室CH可具有预定大小的内部空间。即,腔室CH可提供其中布置有后文将描述的多种配置的空间。腔室CH的内部空间可与腔室CH的外部空间阻隔开,即,腔室CH的内部空间可以是由腔室CH的侧壁限定的密封空间。换言之,腔室CH的内部空间和外部空间是互相分离的,例如,通过腔室CH的侧壁分离,并且空气的流动可在腔室CH的内部空间和外部空间之间被切断。但是,腔室CH不设计为一直密封,而可设计为通过另外形成入口和出口来允许腔室CH在密封模式和通风模式之间切换。图1示出了腔室CH的内部空间具有长方体形状的情况,但是腔室CH的内部空间的形状不限于此。
沉积源可布置在腔室CH中。沉积源用于将沉积材料传输至衬底S,其中,衬底S将在后文描述。沉积源可包括旋转杆RR、内部模块IM、外壳HO和引导板GP。
旋转杆RR可在长度方向上延伸,例如,沿图1中的X轴。详细地,旋转杆RR可具有在长度方向上延伸的棒形状。旋转杆RR的旋转轴线可平行于长度方向。即,旋转杆RR可关于平行于长度方向的旋转轴线顺时针或逆时针旋转。
为了使旋转杆RR旋转,旋转杆RR的至少一端可与用于旋转杆RR的驱动单元连接。驱动单元可用于将旋转力提供给旋转杆RR。用于旋转杆RR的驱动单元的类型可以是任何适合的驱动器,例如,能够将旋转力提供给棒状的杆的机构通常可用作驱动单元。例如,驱动单元可为马达或者致动器。
旋转杆RR的至少一端可与腔室CH的内壁可旋转地接合。在这里,“旋转杆RR的至少一端可旋转地接合”表示旋转杆RR的至少一端接合为在位置被固定的状态下旋转。
在另一实施方式中,旋转杆RR可沿腔室CH的内壁水平移动。当旋转杆RR与腔室CH的内壁接合以水平移动时,整个沉积源可随旋转杆RR水平移动。
在再一实施方式中,旋转杆RR可沿腔室CH的内壁竖直移动。当旋转杆RR沿腔室CH的内壁竖直移动时,整个沉积源可随旋转杆RR竖直移动。
旋转杆RR可由金属材料制成。然而,本公开不限于此,并且具有支承沉积源所需的强度的任何适合的材料都可用作旋转杆RR的材料。
外壳HO可布置成覆盖旋转杆RR的至少一部分。例如,外壳HO可具有圆柱形形状。例如,外壳HO可具有在与旋转杆RR的长度方向相同的方向(例如,沿图1中的X轴)上延伸的圆柱形形状。此外,外壳HO可与旋转杆RR可旋转地接合。外壳HO可旋转地接合的含义与前述含义相同。即,当旋转杆RR旋转时,外壳HO可固定而不旋转。换言之,即使当布置在外壳HO中的旋转杆RR旋转时,覆盖旋转杆RR的外壳HO也可固定在其原位置处,并且可不旋转。
内部模块IM可布置在外壳HO中。内部模块IM可包括用于存储沉积材料的存储单元。将参考图3至图5描述内部模块IM的详细说明。
外壳HO可包括出口GO。出口GO可在外壳HO的内部和外部之间连通,例如,出口GO可在外壳HO的内部和外部之间提供流体连通。即,外壳HO的出口GO可以是开口。如后面将要解释的,外壳HO可填充有气态的沉积材料(例如,膜形成材料),并且气态的沉积材料可通过出口GO排放至腔室CH中。在后文中将参考图6和图7描述该沉积设备的操作的详细说明。
引导板GP可布置在出口GO的至少一侧处。引导板GP可引导从出口GO排放的沉积材料的移动,例如,引导从出口GO排放的沉积材料的移动方向。换言之,引导板GP引导从出口GO排放的沉积材料,以引起沉积材料朝向衬底S而不朝向腔室CH的侧壁的移动。
衬底S可布置成面对沉积源。衬底S可设置有多种元件。为了形成具有特定图案的薄膜,多种掩模可布置在衬底S和沉积源之间。然而,为了清楚地限定实施方式的范围,与掩模有关的配置被省略。
衬底S可由用于支承衬底S的边缘的衬底支承件SS支承。衬底支承件SS可支承衬底S的边缘,并且可暴露衬底S的中心。例如,外壳HO的出口GO可定向成面对衬底S的暴露的中心并与衬底S的暴露的中心重叠。因此,从沉积源提供的(例如,从外壳HO的出口GO释放的)膜形成材料到达衬底S的中心,以在其上形成薄膜。
腔室CH还可包括用于移动衬底S的传送单元TR。例如,传送单元TR可配置为包括机械臂或者多种夹具。然而,本公开不限于此,例如,传送单元TR可包括可取出和抽出衬底S的所有类型的传送单元。
衬底S可由传送单元TR水平地或竖直地移动。即,如上所述,沉积源和/或衬底S可竖直地和/或水平地移动以在衬底S上形成均匀的薄膜。
图1示出了旋转杆RR的长度方向垂直于重力方向(即,沿图1中的X轴)的情况,但是旋转杆RR的长度方向不限于此。在另一实施方式中,旋转杆RR的长度方向可与重力方向相同。在此情况下,旋转杆RR可以以垂直于腔室CH的下表面的方向布置在腔室CH中。当旋转杆RR以重力方向布置在腔室CH中时,与旋转杆RR对应的衬底S也可布置在垂直于腔室CH的下表面的方向上。
在下文中,将参考图2描述外壳HO。
外壳HO可具有圆柱形形状或者筒形形状。外壳HO可具有圆柱形或者筒形形状,并且可在与旋转杆RR的长度方向相同的方向上延伸。外壳HO可布置成覆盖旋转杆RR的至少一部分。即,如图2所示,旋转杆RR的至少一部分可布置在外壳HO中,例如,布置在外壳HO内。布置在外壳HO中的旋转杆RR可与后文将描述的内部模块IM接合。
旋转杆RR可与外壳HO的一端和/或另一端可旋转地接合。即,即使当旋转杆RR旋转时,外壳HO也可固定而不旋转。
在外壳HO具有圆柱形形状的实施方式中,外壳HO可包括互相面对的顶表面和底表面,以及连接该顶表面和底表面的侧表面。在此情况下,旋转杆RR可与顶表面和底表面的中心部分接合。为了可旋转地接合旋转杆RR,顶表面和底表面可分别具有插入孔。即,旋转杆RR分别插入形成在顶表面和底表面中的插入孔以支承外壳HO。
外壳HO可由金属材料制成。然而,本公开不限于此,并且能维持足够的强度以取代金属材料的任何适合的材料(例如,工程塑料)可用作外壳HO的材料。
出口GO可布置在外壳HO的一侧处。出口GO可在外壳HO的长度方向上延伸,例如,沿X轴延伸。
外壳HO的内部空间可通过出口GO与环境空气连通。即,如后文将描述的,外壳HO可填充有气态的沉积材料,并且气态的沉积材料可通过出口GO从外壳HO排放进腔室CH中。
引导板GP可布置在出口GO的至少一侧处。引导板GP可引导从出口GO排放的沉积材料的移动。详细地,引导板GP引导从出口GO排放的沉积材料使得沉积材料向衬底S移动。引导板GP可具有板形状。引导板GP可平行于出口GO的一侧延伸,并且其延伸长度可基本上等于出口GO的长度。引导板GP的一端可布置成面对衬底S。由此,当引导板GP的一端布置成面对衬底S时,引导板GP引导从出口GO排放的沉积材料使得该沉积材料向衬底S移动,以防止沉积材料向腔室CH的内壁移动。
图2示出了引导板GP仅形成在出口GO的一侧处的情况,但是本公开不限于此。引导板GP可布置在出口GO的两侧处。在此情况下,从出口GO排放的沉积材料的移动方向被进一步约束,并因此,可改善沉积材料的平直度,例如,均匀性。
虽然在附图中未示出,用于加热沉积材料M(图5)的加热器可布置在外壳HO的内部和/或外部。加热器用于通过加热沉积材料M来蒸发固态的或者液态的沉积材料M。加热器的位置不被限制,并且只要加热器配置为执行上述功能,加热器就可用作根据实施方式的沉积设备的加热器。
下面将参考图3、图4和图5详细描述内部模块IM。
参考图3,内部模块IM可布置在外壳HO的内部空间中。内部模块IM可包括第一旋转板RP1、第二旋转板RP2、分隔件PT、旋转支承件RS和开口OP。
第一旋转板RP1和第二旋转板RP2可布置成互相面对,例如,互相平行。第一旋转板RP1和第二旋转板RP2可布置成以预定的间隔彼此间隔开。第一旋转板RP1和第二旋转板RP2可具有基本相同的形状。
例如,第一旋转板RP1和第二旋转板RP2中的每个可具有盘形状。在外壳HO具有圆柱形形状的实施方式中,第一旋转板RP1和第二旋转板RP2中的每个的前表面的直径(即,具有圆形的表面的直径)可小于或等于外壳HO的顶表面和底表面中的每个的直径。如后文将要描述的,第一旋转板RP1和第二旋转板RP2可在外壳HO中随旋转杆RR旋转。在此情况下,当第一旋转板RP1和第二旋转板RP2中的每个的前表面的直径小于或等于外壳HO的顶表面和底表面中的每个的直径时,第一旋转板RP1和第二旋转板RP2可在外壳HO内流畅地旋转。
旋转支承件RS可布置在第一旋转板RP1和第二旋转板RP2之间。旋转支承件RS可支承第一旋转板RP1和第二旋转板RP2,同时在它们之间维持距离,例如,维持恒定的距离。
旋转支承件RS可与第一旋转板RP1和第二旋转板RP2中的每个的中心部分接合。详细地,旋转支承件RS的第一端可与第一旋转板RP1接合,并且旋转支承件RS的第二端可与第二旋转板RP2接合。
旋转支承件RS可具有圆柱形形状,但是本公开不限于此。旋转支承件RS可与旋转杆RR接合。在旋转支承件RS与旋转杆RR接合的情况中,旋转支承件RS可随旋转杆RR旋转。当旋转支承件RS旋转时,与旋转支承件RS接合的第一旋转板RP1和第二旋转板RP2也可在相同方向上随旋转杆RR旋转,例如,围绕旋转杆RR的旋转轴线旋转。
用于存储沉积材料M的存储单元可布置在第一旋转板RP1和第二旋转板RP2之间。在图3至图5中,示出了沉积材料M存储在由分隔件PT限定的内部空间中的情况作为存储单元的示例。然而,该情况应被理解为用于存储沉积材料M的存储单元的示例,并且存储单元的结构不由分隔件PT的形状限制。即,应理解的是,存储单元包括能够存储沉积材料M的全部机械结构。
分隔件PT可包括侧壁SW和从侧壁SW弯曲并延伸的上盖UC。侧壁SW可形成为在垂直于第一旋转板RP1和/或第二旋转板RP2的方向上延伸。图3至图5示出了侧壁SW从第二旋转板RP2向第一旋转板RP1延伸的情况,但是本公开不限于此。即,在另一实施方式中,侧壁SW可从第一旋转板RP1延伸,或者可从第一旋转板RP1和第二旋转板RP2延伸。
侧壁SW可布置成以预定的间隔与旋转支承件RS间隔开,例如,侧壁SW可径向地与旋转支承件RS隔开。当侧壁SW布置成以预定的间隔与旋转支承件RS间隔开时,预定的空间可在侧壁SW和旋转支承件RS之间形成。如图5所示,在侧壁SW和旋转支承件RS之间形成的空间可填充有沉积材料M。
沉积材料M可以以气体、液体和固体中的任何一个形态存储,或者可以以两个或更多个形态的混合形态存储。沉积材料M可为有机沉积材料,但是本公开不限于此。在另一实施方式中,沉积材料M可部分地包括无机材料。
分隔件PT可包括从侧壁SW的上端向内部弯曲(即,向旋转支承件RS弯曲)的上盖UC。上盖UC可使用与侧壁SW相同的材料形成为与侧壁SW为整体,但是本公开不限于此。上盖UC也可作为独立结构与侧壁SW连接。
上盖UC可布置成从侧壁SW的一端向内部弯曲。图5示出了上盖UC和侧壁SW布置成基本上直角的情况,但是本公开不限于此。上盖UC可布置成相对于侧壁SW以任何适合的预定角度倾斜。
上盖UC的第一端可连接至侧壁SW,并且上盖UC的第二端可面对旋转支承件RS。上盖UC的面对旋转支承件RS的第二端可以以预定的间隔与旋转支承件RS间隔开。在下文中,上盖UC的第二端和旋转支承件RS之间的空间将被称为开口OP。开口OP可提供限定在分隔件PT内的空间(即,侧壁SW和旋转支承件RS之间的空间)与外壳HO的内部空间之间的连通。
在实施方式中,沉积材料M的至少一部分可以以气态存在。在此情况下,当内部模块IM旋转时,气态的沉积材料M可通过开口OP从限定在分隔件PT内的空间排放进外壳HO的内部空间。即,上盖UC的、在其第一端和第二端之间的宽度(例如,半径)可调整为控制开口OP的(例如,沿径向的)宽度(例如,半径)以进一步控制沉积材料M通过开口OP的排放量。
在下文中,将参考图6至图8描述根据本公开的实施方式的沉积设备的操作。
图6是根据本公开的实施方式的沉积设备的剖视立体图,图7是根据本公开的实施方式的沉积设备的立体图,以及图8是根据本公开的实施方式的沉积设备的剖视图。
参考图6,如上所述,旋转杆RR可顺时针或者逆时针旋转。在下文中,以旋转杆RR逆时针旋转的情况为例,但是旋转杆RR的旋转方向不限于此。
当旋转杆RR逆时针旋转时,与其接合的内部模块IM也可与旋转杆RR一起逆时针旋转。当内部模块IM旋转时,沉积材料M通过离心力向侧壁SW聚集。当沉积材料M被离心力影响时,沉积材料M的一部分可通过开口OP(沿图6的箭头①)排放至外壳HO的内部空间。
随后,参考图7和图8,排放进外壳HO的内部空间的沉积材料M可继续逆时针旋转(图7和图8的箭头②)。在此情况下,沉积材料M的一部分可通过外壳HO的出口GO从外壳HO的内部空间排放至外部(图7和图8的箭头③),即,排放进腔室CH。如之前参考图1所描述的,通过出口GO排放的沉积材料M通过引导板GP引导,并且可向目标主体(例如,衬底S)行进。
当填充有沉积材料M的内部模块IM旋转时,离心力施加至存在于内部模块IM中的沉积材料M,从而改善沉积材料M的平直度,即,改善沉积材料M向衬底S行进的力,例如,流率和均匀性。另外,沉积材料M的转移率可通过离心力的影响来改善。
在此情况下,沉积材料M通过足够的力到达作为目标主体的衬底S,使得容易地形成膜并且减少形成膜花费的时间。即,例如,与通过其它设备的薄膜沉积比较,薄膜可更迅速和有效地形成在衬底S上。
在下文中,将描述根据另一实施方式的沉积设备。
图9是根据本公开的另一实施方式的沉积设备的剖视立体图,以及图10是图9的沉积设备的纵向剖视图。图9至图10中的沉积设备与前述的参考图3描述的沉积设备不同,不同之处在于图9至图10中的沉积设备具有多个内部模块IM。
详细地,参考图9至图10,根据另一实施方式的沉积设备可具有第一内部模块IM1和第二内部模块IM2。为了便于解释,描述了仅包括两个内部模块(即,第一内部模块IM1和第二内部模块IM2)的实施方式。然而,内部模块IM的数量不限于此,例如,在另一实施方式中,内部模块IM的数量可为三或者更多。
第一内部模块IM1和第二内部模块IM2可基本上相同。即,第一内部模块IM1和第二内部模块IM2中的每个的结构和操作可与之前参考图3至图5所描述的内部模块IM基本上相同。因此,将省略它们的详细描述。
第一内部模块IM1和第二内部模块IM2可沿旋转杆RR的长度方向顺序地布置。即,第一内部模块IM1和第二内部模块IM2可在旋转杆RR的长度方向上重叠。换言之,第一内部模块IM1的旋转支承件RS和第二内部模块IM2的旋转支承件RS可在它们的长度方向上完全重叠,例如,沿与旋转杆RR的轴线相同的轴线共同延伸。
在实施方式中,第一内部模块IM1可与第二内部模块IM2接合,并且第一内部模块IM1和第二内部模块IM2可与旋转杆RR接合。换言之,第一内部模块IM1、第二内部模块IM2和旋转杆RR可相互接合。即,当旋转杆RR旋转时,第一内部模块IM1和第二内部模块IM2也可以以相同的速度旋转。
在另一实施方式中,第一内部模块IM1和第二内部模块IM2可以以不同的速度旋转。在此情况下,第一内部模块IM1和第二内部模块IM2可分别与不同的旋转杆接合。即,在另一实施方式中,沉积设备包括一个或多个旋转杆,以及多个内部模块与不同的旋转杆接合来以不同的速度旋转。
在实施方式中,第一内部模块IM1可填充有第一沉积材料M1,并且第二内部模块IM2可填充有第二沉积材料M2。在实施方式中,第一沉积材料M1和第二沉积材料M2可以是互相相同的材料。当多个内部模块存储相同的沉积材料时,例如,与从单个内部模块的沉积材料的排放比较,从出口GO排放的沉积材料的流量可变得均匀。在此情况下,可改善在衬底S上形成的薄膜的均匀性。
在另一实施方式中,第一沉积材料M1和第二沉积材料M2可互不相同。当第一沉积材料M1和第二沉积材料M2互不相同时,第一沉积材料M1和第二沉积材料M2可在外壳HO中混合。在沉积设备中,第一沉积材料M1和第二沉积材料M2的混合物施加至衬底S上,以形成由第一沉积材料M1和第二沉积材料M2的混合物制成的薄膜。
图11是根据本公开的另一实施方式的沉积设备的剖视图。
参考图11,在根据本公开的另一实施方式的沉积设备中,引导板GP可布置成面对沉积材料M的旋转方向。
如图11所示,当引导板GP布置成面对沉积材料M的旋转方向时,正在旋转的沉积材料M的一部分与引导板GP相撞,并且因此该沉积材料可在其行进方向被改变的同时被排放。照此,当引导板GP布置成面对沉积材料M的旋转方向(即,旋转杆RR的旋转方向)时,提供至沉积材料M的离心力减少,由此适当调整使沉积材料M行进的力,例如,流动。
图12是根据本公开的再一实施方式的沉积设备的剖视图。
参考图12,根据本公开的再一实施方式的沉积设备与之前参考图2所描述的前述沉积设备不同,不同之处在于引导板GP布置成以预定的角度倾斜。
在实施方式中,布置在出口GO的至少一侧处的引导板GP可布置成以预定的角度倾斜。为了便于说明,定义与外壳HO的外圆周接触的虚线切线CL。引导板GP可相对于切线CL以第一角度θ倾斜。当引导板GP相对于切线CL以第一角度θ倾斜时,沉积材料M的行进方向可被控制。即,沉积材料M由引导板GP引导,并因此该沉积材料M可行进为以预定的角度倾斜。
图13是根据本公开的再一实施方式的沉积设备的剖视图。
参考图13,根据本公开的再一实施方式的沉积设备可具有两个出口。例如,外壳HO可包括第一出口GO1和第二出口GO2。在图13中,描述了具有两个出口(即,布置在彼此相反的方向上的第一出口GO1和第二出口GO2)的情况。然而,第一出口GO1和第二出口GO2的位置不限于此,并且它们的位置可随着设计中的需要而调整。
第一衬底S1可布置成面对第一出口GO1,并且第二衬底S2可布置成面对第二出口GO2。在此情况下,膜形成工艺可在第一衬底S1和第二衬底S2上顺序地或者同时地执行。即,当外壳HO具有多个出口时,沉积工艺同时在数个衬底上执行,由此改善工艺效率并减少工艺时间。
图14是根据本公开的再一实施方式的沉积设备的剖视图。
参考图14,根据本公开的再一实施方式的沉积设备在其出口的数量上不同于之前参考图13描述的前述沉积设备。
即,如图14所示,外壳HO可包括四个出口,即,第一出口GO1、第二出口GO2、第三出口GO3和第四出口GO4。在实施方式中,第一出口GO1和第二出口GO2的开口方向可互相垂直,并且第一出口GO1和第三出口GO3的开口方向可彼此相反。即,第一出口GO1、第二出口GO2、第三出口GO3和第四出口GO4可布置成沿外壳HO的外圆周以规则的间距互相间隔开。
第一衬底S1、第二衬底S2、第三衬底S3和第四衬底S4可与第一出口GO1、第二出口GO2、第三出口GO3和第四出口GO4对应地布置。在此情况下,膜形成工艺可在第一衬底S1、第二衬底S2、第三衬底S3和第四衬底S4上顺序地或者同时地执行。即,当外壳HO具有多个出口时,沉积工艺在数个衬底上同时执行,从而改善工艺效率并减少工艺时间。
在图13和图14中,已经示出和描述了两个出口或四个出口。然而,出口的数量不受限制。在其他实施方式中,根据设计中的需要可使用三个出口或五个出口。
在下文中,将描述根据本公开的实施方式的制造显示装置的方法。作为示例,参考图1以及图6至图8来描述该方法。
根据本公开的实施方式的制造显示装置的方法包括以下步骤:提供沉积源和面对沉积源的衬底S(图1),沉积源包括旋转杆RR、内部模块IM以及外壳HO,其中,内部模块IM与旋转杆RR接合并包括用于存储沉积材料M的存储单元,外壳HO覆盖旋转杆RR和内部模块IM并且具有与环境空气连通的出口GO(图1和图6);使旋转杆RR旋转以使与旋转杆RR接合的内部模块IM旋转(图6至图8);以及将通过外壳HO的出口GO排放的沉积材料M施加至衬底S上(图1)。
根据本公开的实施方式的制造显示装置的方法可通过前述的根据本公开的一些实施方式的沉积设备来执行。然而,本公开不限于此,并且该方法也可使用与前述的沉积设备基本上相同的或使用相同原理的沉积设备来执行。
首先,提供沉积源和面对沉积源的衬底S。在这里,沉积源包括旋转杆RR、内部模块IM以及外壳HO,其中,内部模块IM与旋转杆RR接合并包括用于存储沉积材料M的存储单元,外壳HO覆盖旋转杆RR和内部模块IM并且具有与环境空气连通的出口GO。
旋转杆RR、内部模块IM和外壳HO可与在前述的根据一些实施方式的沉积设备中已描述过的旋转杆RR、内部模块IM和外壳HO基本上相同。因此,将省略它们的详细描述。
衬底S可布置成面对包括旋转杆RR、内部模块IM和外壳HO的沉积源。随后,使旋转杆RR旋转以使与旋转杆RR接合的内部模块IM旋转。如在前述的根据本公开的一些实施方式的沉积设备中描述的,旋转杆RR可与内部模块IM整体地旋转。
当旋转杆RR旋转时,存储在内部模块IM的存储单元中的沉积材料M可旋转。即,内部模块IM的旋转可将离心力施加至沉积材料M。内部模块IM中的气态的沉积材料M中的一部分在保持离心力的同时被排放至外壳HO的内部空间,并且沿外壳HO的内壁旋转。
随后,将通过外壳HO的出口GO排放的沉积材料M提供至衬底S。沿外壳HO的内壁旋转的沉积材料M中的一部分可通过出口GO排放。在此情况下,施加至沉积材料M的离心力用作驱动力,从而压出(例如,排放)沉积材料M。
通过出口GO排放的沉积材料M由引导板GP引导以提供至衬底S。到达衬底S的沉积材料M附着至衬底S,以形成薄膜。当离心力以这种方式施加至沉积材料M时,沉积材料M的前向力被改善,从而提高沉积工艺的效率并且减少工艺时间。
通过总结和回顾,蒸发用于在衬底上形成薄膜的膜形成材料的膜形成装置可展现出膜形成材料的弱的传输力,例如,膜形成材料的低流率,从而具有蒸发的膜形成材料的至衬底上的低转移率,例如,低沉积率。相反,如上所述,根据实施方式的沉积设备可具有改善的沉积材料的平直度。此外,在沉积设备中,可改善沉积材料的转移率。而且,在制造显示装置的方法中,可改善工艺效率,并且可减少工艺时间。
本文已经公开了示例性实施方式,并且虽然使用了专用用语,但是它们仅以一般性的和描述性的意义使用并且将仅以一般性的和描述性的意义解释,并且不是出于限制的目的。除非另外明确地指出,否则在一些情况下,如在提交本申请时应对本领域普通技术人员显而易见的,结合特定实施方式描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其它实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此,本领域的技术人员应理解,在不背离如所附权利要求书所阐述的本发明的精神和范围的情况下,可在形式和细节上进行各种改变。

Claims (16)

1.一种沉积设备,包括:
旋转杆,所述旋转杆关于平行于长度方向的旋转轴线旋转;
内部模块,包括用于存储沉积材料的存储单元;以及
外壳,覆盖所述旋转杆和所述内部模块并且具有用于排放所述沉积材料的出口,
其中,所述旋转杆沿所述长度方向延伸穿过所述内部模块;
其中,所述内部模块与所述旋转杆接合,并且基于所述旋转杆的旋转而围绕所述旋转杆的所述旋转轴线持续地沿顺时针或逆时针方向旋转,以将离心力提供至所述沉积材料;
其中,所述内部模块还包括旋转支承件、沿所述旋转杆的所述长度方向延伸的侧壁、和从所述侧壁的一端弯曲并延伸的上盖,所述上盖的第一端连接至所述侧壁,并且所述上盖的第二端面对所述旋转支承件;以及
其中,所述上盖的面对所述旋转支承件的所述第二端以预定的间隔与所述旋转支承件间隔开。
2.根据权利要求1所述的沉积设备,
其中,所述外壳具有圆柱形形状。
3.根据权利要求1所述的沉积设备,
其中,所述外壳和所述旋转杆彼此可旋转地接合。
4.根据权利要求1所述的沉积设备,还包括:
引导板,布置在所述出口的至少一侧处。
5.根据权利要求1所述的沉积设备,
其中,所述内部模块包括第一旋转板和第二旋转板,所述第一旋转板和所述第二旋转板布置成以预定的间隔互相间隔开。
6.根据权利要求5所述的沉积设备,
其中,所述旋转支承件布置在所述第一旋转板和所述第二旋转板之间。
7.根据权利要求1所述的沉积设备,
其中,所述内部模块包括分隔件,以及所述沉积材料存储在由所述分隔件限定的空间中。
8.根据权利要求7所述的沉积设备,
其中,所述分隔件包括沿所述旋转杆的所述长度方向延伸的侧壁和从所述侧壁的一端弯曲并延伸的上盖。
9.根据权利要求1所述的沉积设备,
其中,多个内部模块被提供,以及所述多个内部模块沿所述旋转杆的所述长度方向重叠。
10.根据权利要求9所述的沉积设备,
其中,所述多个内部模块包括第一内部模块和第二内部模块,以及
所述第一内部模块存储第一沉积材料,以及所述第二内部模块存储与所述第一沉积材料不同的第二沉积材料。
11.根据权利要求1所述的沉积设备,
其中,所述外壳包括多个出口,以及所述多个出口具有互不相同的开口方向。
12.一种沉积设备,包括:
旋转杆,所述旋转杆关于平行于长度方向的旋转轴线顺时针或逆时针旋转;
内部模块,包括用于存储沉积材料的存储单元,所述内部模块与沿所述长度方向延伸穿过所述内部模块的所述旋转杆接合以基于所述旋转杆的旋转而围绕所述旋转杆的所述旋转轴线持续地沿顺时针或逆时针方向旋转,从而将离心力提供至所述沉积材料;以及
外壳,覆盖所述旋转杆和所述内部模块并且具有用于排放所述沉积材料的出口,
其中,所述内部模块还包括旋转支承件、沿所述旋转杆的所述长度方向延伸的侧壁、和从所述侧壁的一端朝向所述旋转支承件弯曲并延伸的上盖;以及
其中,所述上盖的面对所述旋转支承件且远离所述侧壁的端部以预定的间隔与所述旋转支承件间隔开。
13.根据权利要求12所述的沉积设备,
其中,多个内部模块被提供,并且所述多个内部模块在与所述旋转杆的旋转方向相同的方向上旋转。
14.根据权利要求13所述的沉积设备,
其中,所述多个内部模块包括第一内部模块和第二内部模块,以及
所述第一内部模块和所述第二内部模块以互不相同的速度旋转。
15.一种制造显示装置的方法,包括:
提供沉积源和面对所述沉积源的衬底,所述沉积源包括旋转杆、内部模块、以及外壳,其中,所述内部模块与所述旋转杆接合并且包括用于存储沉积材料的存储单元,外壳覆盖所述旋转杆和所述内部模块并且具有用于排放所述沉积材料的出口,
使所述旋转杆关于平行于长度方向的旋转轴线旋转,以使与所述旋转杆接合的所述内部模块基于所述旋转杆的旋转而围绕所述旋转杆的所述旋转轴线持续地沿顺时针或逆时针方向旋转,从而将离心力提供至所述沉积材料,其中所述旋转杆沿所述长度方向延伸穿过所述内部模块;以及
将通过所述外壳的所述出口排放的所述沉积材料施加至所述衬底上,
其中,所述内部模块还包括旋转支承件、沿所述旋转杆的所述长度方向延伸的侧壁、和从所述侧壁的一端弯曲并延伸的上盖,所述上盖的第一端连接至所述侧壁,并且所述上盖的第二端面对所述旋转支承件;以及
其中,所述上盖的面对所述旋转支承件的所述第二端以预定的间隔与所述旋转支承件间隔开。
16.根据权利要求15所述的方法,
其中,提供多个内部模块,以及在与所述旋转杆的旋转方向相同的方向上旋转所述多个内部模块。
CN201611076290.3A 2016-03-07 2016-11-29 沉积设备及使用该沉积设备制造显示装置的方法 Active CN107164732B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160027193A KR102488260B1 (ko) 2016-03-07 2016-03-07 증착 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR10-2016-0027193 2016-03-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107164732A CN107164732A (zh) 2017-09-15
CN107164732B true CN107164732B (zh) 2021-10-08

Family

ID=59723986

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611076290.3A Active CN107164732B (zh) 2016-03-07 2016-11-29 沉积设备及使用该沉积设备制造显示装置的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20170253958A1 (zh)
KR (1) KR102488260B1 (zh)
CN (1) CN107164732B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1402800A (zh) * 1999-10-22 2003-03-12 寇脱J·莱斯克公司 在真空中涂覆基底的方法和设备
US20050147753A1 (en) * 1999-10-22 2005-07-07 Kurt J. Lesker Company Material deposition system and a method for coating a substrate or thermally processing a material in a vacuum
CN103270189A (zh) * 2010-12-24 2013-08-28 夏普株式会社 蒸镀装置、蒸镀方法和有机电致发光显示装置的制造方法
CN104167511A (zh) * 2013-05-16 2014-11-26 三星显示有限公司 有机层沉积设备和用其制造有机发光显示设备的方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990027844A (ko) * 1997-09-30 1999-04-15 윤종용 반도체장비의 공기유입장치 및 이를 이용한 화학물 오염 제거방법
US6830626B1 (en) * 1999-10-22 2004-12-14 Kurt J. Lesker Company Method and apparatus for coating a substrate in a vacuum
JP4384109B2 (ja) * 2005-01-05 2009-12-16 三星モバイルディスプレイ株式會社 蒸着システム用蒸着源の駆動軸及びこれを具備した蒸着システム
KR100729097B1 (ko) * 2005-12-28 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 증발원 및 이를 이용한 박막 증착방법
KR20130015144A (ko) * 2011-08-02 2013-02-13 삼성디스플레이 주식회사 증착원어셈블리, 유기층증착장치 및 이를 이용한 유기발광표시장치의 제조 방법
KR101371596B1 (ko) * 2011-10-19 2014-03-07 한국과학기술연구원 선형 증발원이 구비된 증착 장치
KR101989058B1 (ko) * 2012-10-24 2019-06-14 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20140103583A (ko) * 2013-02-18 2014-08-27 (주)와이에스썸텍 선형증발원

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1402800A (zh) * 1999-10-22 2003-03-12 寇脱J·莱斯克公司 在真空中涂覆基底的方法和设备
US20050147753A1 (en) * 1999-10-22 2005-07-07 Kurt J. Lesker Company Material deposition system and a method for coating a substrate or thermally processing a material in a vacuum
CN103270189A (zh) * 2010-12-24 2013-08-28 夏普株式会社 蒸镀装置、蒸镀方法和有机电致发光显示装置的制造方法
CN104167511A (zh) * 2013-05-16 2014-11-26 三星显示有限公司 有机层沉积设备和用其制造有机发光显示设备的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20170253958A1 (en) 2017-09-07
KR102488260B1 (ko) 2023-01-13
KR20170104709A (ko) 2017-09-18
CN107164732A (zh) 2017-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI567226B (zh) 在基板上沉積原子層之方法及裝置
US10151022B2 (en) Mask assembly for testing a deposition process, deposition apparatus including the mask assembly, and testing method for a deposition process using the mask assembly
JP6328766B2 (ja) 有機材料用の蒸発源、真空チャンバの中で有機材料を堆積させるための堆積装置、及び有機材料を蒸発させるための方法
US7905960B2 (en) Apparatus for manufacturing substrate
TWI444493B (zh) Film forming device
KR102095717B1 (ko) 코팅 장치 및 방법
KR20160138295A (ko) 기판 프로세싱을 위한 시스템, 기판 프로세싱을 위한 시스템을 위한 진공 회전 모듈 및 기판 프로세싱 시스템을 작동시키는 방법
JP2005213569A (ja) 真空蒸着機
CN101611167A (zh) 原子层沉积系统和方法
JP6454906B2 (ja) 真空蒸着装置及びそれを用いたデバイス製造方法
CN101910453A (zh) 成膜装置及成膜方法
CN107164732B (zh) 沉积设备及使用该沉积设备制造显示装置的方法
JP2006249541A (ja) 蒸着装置
US9243331B2 (en) Apparatus for producing laminated body
CN105874098A (zh) 连续式成膜装置的成膜准备方法和连续式成膜装置以及搬运器
WO2012046384A1 (ja) 真空処理装置
JP5265407B2 (ja) 真空蒸着方法
KR20130024296A (ko) 원료 공급 장치 및 이를 구비하는 박막 증착 시스템
TWM532466U (zh) 熱蒸鍍裝置之給料機構
JP5658520B2 (ja) 蒸着装置
JP4574739B1 (ja) 成膜装置
CN113544221A (zh) 光学薄膜的制备方法、卷绕镀膜机和微纳米结构色晶体
JP4440625B2 (ja) 真空蒸着装置
US20120097098A1 (en) Coating appratus having two coating devices for successively coating same surface of substrate
KR20130126269A (ko) 박막증착장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant