CN107123723B - 发光器件封装件及其制造方法 - Google Patents

发光器件封装件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107123723B
CN107123723B CN201710102671.2A CN201710102671A CN107123723B CN 107123723 B CN107123723 B CN 107123723B CN 201710102671 A CN201710102671 A CN 201710102671A CN 107123723 B CN107123723 B CN 107123723B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
intermediate layer
wavelength conversion
layer
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710102671.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107123723A (zh
Inventor
金定燮
金容一
李东建
黄京旭
李振燮
权慜梗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN107123723A publication Critical patent/CN107123723A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107123723B publication Critical patent/CN107123723B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/208—Filters for use with infrared or ultraviolet radiation, e.g. for separating visible light from infrared and/or ultraviolet radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种发光器件封装件包括：设置为在水平方向上彼此间隔开的多个发光结构；位于所述多个发光结构上的中间层；以及位于中间层上的波长转换层，所述波长转换层与所述多个发光结构中的各自单独的发光结构垂直地重叠。中间层可包括多个层，所述多个层分别与不同的折射率相关联。中间层可包括多组孔，每组孔可包括分离的多个孔，并且每个波长转换层可与中间层上的单独一组孔垂直地重叠。

Description

发光器件封装件及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年2月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0022012的优先权，其公开内容以引用方式全文合并于此。
技术领域
本发明构思涉及发光器件封装件及其制造方法，更具体地，涉及被配置为发射具有一种或多种不同颜色的光的发光器件封装件及其制造方法。
背景技术
半导体发光器件具有较长的使用寿命、低功耗和较快的响应速度，并且环境友好，其作为光源用于诸如照明装置或显示装置的背光的各种产品中。在一些示例实施例中，需要一种能够提高半导体发光器件的发光效率且降低制造成本的发光器件封装件。
发明内容
本发明构思提供了配置为能够提高发光效率并降低其制造成本的发光器件封装件及其制造方法。
根据本发明构思的一些示例实施例，一种发光器件封装件可包括：多个发光结构；位于所述多个发光结构上的中间层，所述中间层包括多个层；位于中间层上的多个波长转换层；以及密封件，其配置为覆盖中间层和波长转换层。所述多个发光结构可在水平方向上彼此间隔开。所述多个层可分别与不同的折射率相关联。波长转换层可与所述多个发光结构中的各自单独的发光结构垂直地重叠。密封件还可配置为至少部分地填充至少两个相邻的波长转换层之间的至少一处空间。
根据本发明构思的一些示例实施例，一种发光器件封装件可包括：多个发光结构；位于所述多个发光结构上的中间层；以及位于中间层上的多个波长转换层。波长转换层可与所述多个发光结构中的各自单独的发光结构垂直地重叠。中间层可包括多个孔。所述多个发光结构可在水平方向上彼此间隔开。
根据本发明构思的一些示例实施例，一种发光器件封装件可包括：多个发光结构；位于所述多个发光结构上的中间层；以及位于中间层上的多个波长转换层。波长转换层可与所述多个发光结构中的各自单独的发光结构垂直地重叠。每个波长转换层可配置为对各自重叠的发光结构所发射的光进行过滤以发射单独的波长带中的光。所述多个发光结构可彼此间隔开。
附图说明
通过以下参考附图的详细说明，将更加清晰地理解本发明构思的实施例，其中：
图1是根据本发明构思的一些示例实施例的发光器件封装件的平面图；
图2A至图2B是示出包括与沿着图1的发光器件的线I-I截取的截面相对应的构造的实施例的截面图；
图3是示出根据一些示例实施例的光行进路径的图2A的区域A 的放大图；
图4是示出根据一些示例实施例的中间层与波长转换层之间的关系以及光行进路径的图2A的区域B的放大图；
图5是示出与沿着图1的发光器件的线II-II截取的截面相对应的构造的截面图；
图6是示出根据一些示例实施例的发光结构和电极的图5的区域C的放大图；
图7是示出图1的发光器件封装件的光行进路径的截面图；
图8、图9、图10、图11和图12A至图12B是根据本发明构思的一些示例实施例的发光器件封装件的截面图；
图13是示出中间层与波长转换层之间的关系以及光行进路径的图12A的区域D的放大图；
图14是根据本发明构思的一些示例实施例的发光器件封装件的截面图；
图15是示出中间层与波长转换层之间的关系以及光行进路径的图14的区域E的放大图；
图16A至图16G是以处理顺序示出制造图2A至图6的发光器件封装件的方法的截面图；
图17A至图17B是以处理顺序示出制造图11的发光器件封装件的方法的截面图；
图18A至图18C是以处理顺序示出制造图12A的发光器件封装件的方法的截面图；以及
图19A至图19C是以处理顺序示出制造图14的发光器件封装件的方法的截面图。
具体实施方式
图1是根据本发明构思的一些示例实施例的发光器件封装件的平面图。图2A是包括与沿着图1的发光器件的线I-I截取的截面相对应的构造的发光器件封装件100的截面图。图5是包括与沿着图1 的发光器件的线II-II截取的截面相对应的构造的发光器件封装件 100的截面图。图6是示出发光结构和电极的图5的区域C的放大图。附图中相同的附图标记代表相同的元件，因此将简要阐述对它们的描述。
参照图1和图2A，发光器件封装件100可包括：多个发光结构 113、连接至多个发光结构113的电极115、包围多个发光结构113 和电极115的第一密封件117、形成在多个发光结构113和第一密封件117上的中间层121、形成在中间层121上的波长转换层123以及包围中间层121和波长转换层123的第二密封件125。如本文所使用的那样，除非上下文另外明确表示，否则单数形式“一个”、“一”和“该”也旨在包括复数形式。
多个发光结构113可包括第一至第三发光结构113_1、113_2和 113_3。第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3可布置为在水平方向(X方向)上彼此间隔开。参照图5和图6，第一发光结构113_1 可包括第一导电半导体层113s1、有源层113ac和第二导电半导体层113s2顺序堆叠的结构。第一导电半导体层113s1和第二导电半导体层113s2可分别连接至第一电极115s1和第二电极115s2。稍后将在下文参照图5和图6进行详细描述。
第一发光结构113_1可根据至少部分地构成第一发光结构 113_1的化合物半导体的材料而发射蓝光、绿光、红光和紫外光中的至少一种。在一些示例实施例中，可通过形成在第一发光结构113_1 上的第一波长转换层123_1来转换第一发光结构113_1所发射的光的波长，从而可输出不同颜色的光。
在一些示例实施例中，与第一发光结构113_1具有相同结构的第二发光结构113_2和第三发光结构113_3可发射与第一发光结构 113_1所发射的光处于相同波长带内的光(本文中也被称作具有相同波长带或与相同波长带相关联的光)。可通过分别形成在第二发光结构113_2和第三发光结构113_3上的第二波长转换层123_2和第三波长转换层123_3来转换第二发光结构113_2和第三发光结构113_3 所发射的光的波长、波长带(例如，波长谱、波长范围，等等)。在一些示例实施例中，如果第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3 中的每一个发射处于相同或实质上相同(例如，在制造容差和材料容差内相同)的波长带内的各自单独的光束和/或当第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3中的每一个发射处于相同或实质上相同(例如，在制造容差和材料容差内相同)的波长带内的各自单独的光束时，单独的各光束可在穿过第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3 中的各自单独的一个波长转换层的同时作为具有各自不同的波长带的光束而输出。
第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3中的每一个可具有分别与第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3中的对应的一个的宽度相同或实质上相同的宽度。第一至第三发光结构113_1、 113_2和113_3中的每一个的宽度可分别小于第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3中的对应的一个的宽度。在一些示例实施例中，第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3可分别覆盖第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3的整个发光表面。稍后将在下文参照图9进行详细描述。
第一密封件117可包围多个发光结构113和电极115。第一封装件117可具有比第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3的杨氏模量更高的杨氏模量，以使得第一密封件117配置为支承第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3中的每一个。在一些示例实施例中，第一封装件117可包括其导热性高于第一至第三发光结构113_1、 113_2和113_3的导热性的材料，以使得第一密封件117配置为散发由第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3发出的热。例如，第一密封件117可包括环氧树脂或硅树脂。在一些示例实施例中，第一密封件117可包括光反射颗粒，以使得第一密封件117配置为反射光。二氧化钛(TiO2)和/或氧化铝(Al2O3)可用作光反射颗粒，但是光反射颗粒不限于此。
中间层121可形成在第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3 上。中间层121可包括具有彼此不同的折射率的多个层彼此堆叠的结构。中间层121可包括具有彼此不同的折射率的多个层彼此堆叠的结构。例如，中间层121可具有包括一组交替堆叠的第一层121a_1和第二层121b_1以及一组第一层121a_2和第二层121b_2的结构，但是不限于此。中间层121还可具有包括三组或更多组的三个或多个交替堆叠的层的结构。
第一层121a_1和121a_2以及第二层121b_1和121b_2可具有彼此不同的折射率，因为它们包括彼此不同的透光材料。例如，第一层121a_1和121a_2以及第二层121b_1和121b_2可包括具有彼此不同的折射率的氮化物、碳化物和氧化物中的至少一种，从而使得第一层121a_1和121a_2包括第一透光材料，第二层121b_1和121b_2 包括不同于第一透光材料的第二透光材料。具体而言，第一层121a_1 和121a_2以及第二层121b_1和121b_2中的每一个可以是ZrN层、 CrN层、ZrC层、ZnO层、TiC层、TaC层、Ga2O3层、Cr2O3层、AlN层和GaN层中的两种类型的层。
第一层121a_1和121a_2以及第二层121b_1和121b_2可由于其孔隙(void)密度的差异而具有彼此不同的折射率。由于孔隙的折射率与空气的折射率相同，因此折射率趋于随着孔隙密度变高而降低。在一些示例实施例中，甚至同类材料也会由于其孔隙(void)密度的差异而具有彼此不同的折射率。
在一些示例实施例中，当第一层121a_1和121a_2以及第二层 121b_1和121b_2包括彼此不同的透光材料时，第一层121a_1和 121a_2以及第二层121b_1和121b_2的孔隙密度可存在差异。
图2A中第一层121a_1和121a_2的厚度与第二层121b_1和 121b_2的厚度近似，但不限于此。第一层121a_1和121a_2的厚度可不同于第二层121b_1和121b_2的厚度。在一些示例实施例中，具有相同折射率的第一层121a_1和121a_2的厚度可彼此不同。这对于具有相同折射率的第二层121b_1和121b_2来说也是正确的，如上所述。
具有上述结构的中间层121可将所发射的光的方向角减小至特定角度或更小。光的方向角是指垂直于中间层121的表面的方向与发光结构113之一所发射的光的行进方向之间的角度。第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3所发射的光束可各向同性地发射，并且穿过第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3上的中间层121的光束可以较低的方向角行进。在一些示例实施例中，第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3所发射的光束可入射到分别对应于第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3的第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3。换言之，在第一至第三发光结构113_1、113_2 和113_3之间不会发生光干涉。稍后将在下文参照图3进行详细描述。
波长转换层123可设置在中间层121上。波长转换层123可包括多个波长转换层部件。例如，波长转换层123可包括第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3。第一至第三波长转换层123_1、123_2 和123_3可与第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3在竖直方向(Z方向)上重叠，其中第一至第三波长转换层123_1、123_2和 123_3可与第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3间隔开。这种竖直方向上的重叠在本文中可被称作竖直重叠。
第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3可在至少部分地构成它们的波长转换材料以及波长转换材料的浓度中的至少一个上具有相对差异。在一些示例实施例中，第一至第三波长转换层123_1、 123_2和123_3可分别过滤由各自的发光结构发射且在各自的波长转换层接收的光，从而即使相同波长带内的光束入射至各自的第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3，第一至第三波长转换层123_1、 123_2和123_3也会发射彼此不同的波长带内的光束(例如，发射具有不同波长带的光束)。
在一些示例实施例中，当第一至第三发光结构113_1、113_2和 113_3发射紫外(UV)光时，第一波长转换层123_1可包括红色磷光体并且可透射红光。在一些示例实施例中，第二波长转换层123_2 可包括绿色磷光体并且可透射绿光，第三波长转换层123_3可包括蓝色磷光体并且可透射蓝光。在其它实施例中，当第一至第三发光结构 113_1、113_2和113_3发射蓝光时，第一波长转换层123_1可包括红色磷光体，第二波长转换层123_2可包括绿色磷光体，并且第三波长转换层123_3可包括其浓度低于第二波长转换层123_2的绿色磷光体浓度的绿色磷光体。
第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3可至少部分地包括不可吸收穿过相应波长转换层123_1、123_2和123_3的光的材料。在一些示例实施例中，第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3 可包括KSF(K2SiF6:Mn4+)磷光体，但是不限于此。稍后将参照图2A 描述第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3。
图2A中各个波长转换层分别与第一至第三发光结构113_1、 113_2和113_3重叠，但是本发明构思不限于此。在一些示例实施例中，可在中间层121上设置仅两个波长转换层，其设置为分别与第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3中的两个重叠。稍后将在下文参照图8进行详细描述。
还可在第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3上形成至少一个滤光层。所述至少一个滤光层可选择性地阻挡特定范围的波长带内(例如，特定波长谱内)的光，并且更加确切地选择(例如，选择性地透射)特定波长带内的光。稍后将在下文参照图11进行详细描述。
中间层121和波长转换层123可被第二密封件125密封。第二密封件125可填充第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3之间的空间。
第二密封件125可至少部分地包括其透光率为约40％至约100％的材料。特别地，第二密封件125可至少部分地包括其可见光透射率为约40％至约100％的材料。第二密封件125可至少部分地包括树脂与分散剂的混合物。在一些示例实施例中，可根据第二密封件125中包括的分散剂(例如，碳)的浓度来调节第二密封件125的透光率。在一些示例实施例中，第二密封件125还可包括氧化硅。
在一些示例实施例中，第二密封件125可为黑树脂，但是不限于此。第二密封件125可包括诸如硅树脂、环氧树脂或其混合树脂的透明有机材料，并且可在加热固化、光照射固化或随时间固化之后使用。硅树脂可以是基于甲基的树脂(例如聚二甲基硅氧烷)和基于苯基的树脂(例如聚甲基苯基硅氧烷)，并且基于甲基的树脂可以在折射率、透湿性、透光率、耐光稳定性或耐热稳定性上不同于基于苯基的树脂。
第二密封件125可填充在第一至第三波长转换层123_1、123_2 和123_3之间，并且可形成在波长转换层123上。在一些示例实施例中，第二密封件125可至少部分地包括具有更高透光率的材料。
总体而言，包括各自发射不同颜色的光的多个单元C1、C2和C3 的发光器件封装件可形成被配置为防止各个发光结构113和波长转换层123之间的颜色混合的屏障。在一些示例实施例中，所述屏障可由具有非常低的透光率的材料形成(即，至少部分地包括具有非常低的透光率的材料)。由于各个单元之一所发射的光被屏障屏蔽，因此其不会泄露到相邻的单元中，但是光提取效率会由于光被吸收到屏障中而降低。在一些示例实施例中，会需要额外的光学处理和刻蚀处理来形成多个单元之间的屏障，从而制造成本会增加。
根据本发明构思的一些示例实施例，发光器件封装件100可去除第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3之间的屏障，并且可引入位于发光结构113上的中间层121。中间层121可防止各个发光结构113和波长转换层123之间的颜色(例如，具有特定波长谱的光)的混合。同时，可去除第一至第三波长转换层123_1、123_2和 123_3之间的屏障，从而可在第一至第三波长转换层123_1、123_2 和123_3之间以及第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3上一体化地形成具有适当透光率的第二密封件125。作为结果，第二密封件125可为在第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3上以及至少部分地在第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3之间延伸的单片元件。在一些示例实施例中，基于屏障的去除以及中间层 121的引入，可提高发光器件封装件100的光提取效率并且可降低制造成本。
在图2A中，第二密封件125将第一密封件117的各个侧表面、中间层121的各个侧表面和上表面以及波长转换层123的各个侧表面和上表面密封，但是不限于此。
参照图2B的发光器件封装件100'，第二密封件125'可不密封第一密封件117和中间层121的侧表面。
图3是示出光行进路径的图2A的区域A的放大图。
参照图3，其中顺序地堆叠了第一层121a_1、第二层121b_1、第一层121a_2和第二层121b_2的中间层121可形成在第一发光结构 113_1上。
参照第一发光结构113_1与中间层121的表面I之间的交界面，由于第一发光结构113_1与中间层121之间不同的折射率，光可在穿过该交界面的同时以规定角度折射。
第一发光结构113_1所发射的光可各向同性地发射，并且在入射至中间层121的各光束当中以临界角θC或更大的角入射至中间层121表面I的光束La可被全反射而不穿过中间层121。在一些示例实施例中，在入射至中间层121的各光束当中垂直入射至中间层121表面I(即，以零度入射)的光束Lc可穿过中间层121。
在入射至中间层121的各光束当中以大于零度且小于全反射临界角θC的角度入射至中间层121表面I的光束Lb可在中间层121 中以规定角度折射，并且可从中间层121表面J发射出去。在一些示例实施例中，中间层121可包括具有彼此不同的折射率的第一层 121a_1和121a_2以及第二层121b_1和121b_2，并且穿过第一层 121a_1和121a_2以及第二层121b_1和121b_2的光束Lb的倾斜度会由于折射率的不同而一再变大和变小。在一些示例实施例中，可通过适当地调整第一层121a_1和121a_2以及第二层121b_1和121b_2 中的一个或多个层的折射率和厚度中的一个或多个来控制光束Lb的行进路径。
第一层121a_1和121a_2以及第二层121b_1和121b_2的折射率和厚度T1、T2可以如下方式确定：光束Lb的行进路径可仅穿过与发射出光束Lb的第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3相对应的波长转换层123_1、123_2和123_3。稍后将在下文参照图4进行详细描述。
图4是示出中间层与波长转换层之间的关系以及光行进路径的图2A的区域B的放大图。
参照图4，中间层121形成在第一发光结构113_1以及邻近第一发光结构113_1的第二发光结构113_2上。在垂直方向(Y方向)上分别与第一发光结构113_1和第二发光结构113_2重叠的第一波长转换层123_1和第二波长转换层123_2可设置在中间层121上。
第一发光结构113_1的中心部分所发射的第一光束L1E可被折射以具有通过中间层121减小的方向角，并且可入射至第一波长转换层123_1。第一光束L1E可在被包围第一波长转换层123_1的侧壁的第二密封件125通过波长转换改变为第一反射光束L1R之后发射到外面(例如，相对于封装件100的外部环境)，或者可在被改变为透过第二密封件125的透射光束L1T之后直接发射到外面。换言之，当第一光束L1E被中间层121折射从而穿过第一波长转换层123_1时，可减少朝向第二波长转换层123_2的光泄漏，从而提高发光器件封装件的光提取效率。在一些示例实施例中，即使第一光束L1E的一部分在朝向第二波长转换层123_2的方向上入射，由于第一光束L1E的入射角是全反射临界角或更大，因此也不会发生光泄漏。因此，可改善发光器件封装件的光提取效率。
同时，第一发光结构113_1的边缘部分所发射的第二光束L2E 也可被折射以具有通过中间层121减小的方向角，并且可入射至第一波长转换层123_1。第二光束L2E可在被第二密封件125改变为第二反射光束L2R之后发射到外面，或者可在被改变为透过第二密封件125的透射光束L2T之后直接发射到外面。
在一些示例实施例中，作为第二光束L2E的一部分的透射光束 L2T可在邻近于第一波长转换层123_1的第二波长转换层123_2附近产生。在一些示例实施例中，中间层621与第一波长转换层123_1 和第二波长转换层123_2之间的关系由下面的公式1给出。
【公式1】
tanθ＜D/H
θ表示在第一发光结构113_1所发射的第二光束L2E从中间层 121的上表面发射时第二光束L2E的方向角。D表示彼此相邻的第一波长转换层123_1和第二波长转换层123_2之间的间隔距离。H表示彼此相邻的第一波长转换层123_1和第二波长转换层123_2的高度。
参照图4，公式1的条件可包括下面描述的关系。方向角θ1 可表示从中间层121的上表面发射的光束L2T相对于由第一发光结构 113_1发射的第二光束L2E的折射角。方向角θ1可小于角度θ2，角度θ2是第一波长转换层123_1与第二波长转换层123_2之间的间隔距离D1相对于第一波长转换层123_1和第二波长转换层123_2的高度H1的反正切值。因此，在一些示例实施例中，至少部分地基于第一波长转换层123_1和第二波长转换层123_2的间隔距离D1和高度H1，脱离第一波长转换层123_1的透射光束L2T不会泄漏到第二波长转换层123_2。
参照图3，可以看出，可调整中间层121的第一层121a_1和 121a_2以及第二层121b_1和121b_2的折射率和厚度以满足方向角θ1的条件，使得中间层121被配置为根据方向角对光进行折射，该方向角小于第一波长转换层123_1和第二波长转换层123_2之间的间隔距离D1相对于第一波长转换层123_1和第二波长转换层123_2的高度H1的反正切值。
公式1中的关系描述了由第一发光结构113_1、中间层121以及第一波长转换层123_1和第二波长转换层123_2发射的光作为示例，但是不限于此。公式1中的关系还可应用于由第二发光结构113_2 或第三发光结构113_3、中间层121以及第二波长转换层123_2和第三波长转换层123_3发射的光之间的关系。
图5是示出与沿着图1的发光器件的线II-II截取的截面相对应的构造的截面图。图6是示出发光结构和电极的图5的区域C的放大图。
参照图5和图6，第一发光结构113_1可包括第一导电半导体层 113s1、有源层113ac和第二导电半导体层113s2顺序堆叠的结构。第一导电半导体层113s1可至少部分地包括掺杂有p型杂质的半导体，并且第二导电半导体层113s2可至少部分地包括掺杂有n型杂质的半导体。相反，第一导电半导体层113s1可至少部分地包括掺杂有 n型杂质的半导体，并且第二导电半导体层113s2可至少部分地包括掺杂有p型杂质的半导体。第一导电半导体层113s1和第二导电半导体层113s2可至少部分地包括氮化物半导体，例如AlxInyGa(1-xy)N(0 ＜x＜1，0＜y＜1，0＜x+y＜1)。在一些示例实施例中，第一导电半导体层113s1和第二导电半导体层113s2可至少部分地包括GaAs 半导体或GaP半导体以及氮化物半导体。第一导电半导体层113s1、有源层113ac和第二导电半导体层113s2可为外延层。
介于第一导电半导体层113s1与第二导电半导体层113s2之间的有源层113ac可通过电子与空穴的复合而发射具有规定能量的光。有源层113ac可至少部分地包括其中量子阱层与量子势垒层交替地堆叠的多量子阱(MQW)结构，例如，InGaN/GaN结构或AlGaN/GaN结构。在一些示例实施例中，有源层113ac可为单量子阱(SQW)结构。第一发光结构113_1可根据形成第一发光结构113_1的化合物半导体的材料而发射蓝光、绿光、红光或紫外线。在一些示例实施例中，通过形成在第一发光结构113_1上的第一波长转换层123_1，可转换由第一发光结构113_1发射的光的波长，从而可输出各种颜色的光。
第一导电半导体层113s1和第二导电半导体层113s2可分别连接至第一电极115s1和第二电极115s2。具体而言，第一导电半导体层113s1可通过贯穿第二导电半导体层113s2和有源层113ac的通孔 190而暴露出来。在由通孔190中的绝缘膜114限定的空间中，第一电极115s1可形成为连接至第一导电半导体层113s1。绝缘膜114可形成在通孔190的内壁和第二导电半导体层113s2的下表面上，从而可防止第一电极115s1、有源层113ac和第二电极115s2之间的直接电连接。在一些示例实施例中，第二导电半导体层113s2可穿透形成在第二导电半导体层113s2上的绝缘膜114，并且可连接至第二电极 115s2。
第一电极115s1和第二电极115s2的侧表面可被第一密封件117 覆盖，但是第一电极115s1和第二电极115s2的下表面可暴露在外。第一电极115s1和第二电极115s2的下表面可电连接至在其上安装有发光器件封装件100的衬底(未示出)。
发光器件封装件100的第一电极115s1和第二电极115s2形成在同一平面上，但是不限于此。第一电极115s1和第二电极115s2 可设置为具有各种不同形状。
在一些示例实施例中，第一电极115s1和第二电极115s2可包括银(Ag)、镍(Ni)、铝(Al)、铑(Rh)、钯(Pd)、铱(Ir)、钌(Ru)、镁(Mg)、锌(Zn)、铂(Pt)或金(Au)，并且可具有包括至少两层的结构，例如Ni/Ag、Zn/Ag、Ni/Al、Zn/Al、Pd/Ag、 Pd/Al或Ir/Ag。在一些示例实施例中，第一电极115s1和第二电极 115s2可包括由Ni或铬(Cr)形成的种子层，并且可通过使用电镀工艺而至少部分地包括诸如Au的电极材料。
图6的第一导电半导体层113s1和第二导电半导体层113s2、有源层113ac、绝缘膜114以及第一电极115s1和第二电极115s2是第一发光结构113_1和电极115的电连接结构的示例，但是本发明构思不限于此。在一些示例实施例中，第一发光结构113_1可为发射具有规定能量的光的任意装置，并且电极115(其可包括各种结构)可向第一发光结构113_1输送能量。
图5仅示出了图1的第一单元C1的截面结构，但是第二单元C2 和第三单元C3也可具有与第一单元C1的结构相同的结构。类似地，图6仅示出了第一发光结构113_1，但是第二发光结构113_2和第三发光结构113_3也可具有与第一发光结构113_1的结构相同的结构。
中间层121可形成在第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3 上。波长转换层123可包括第一至第三波长转换层123_1、123_2和 123_3。第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3可分别与第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3重叠。在一些示例实施例中，在第一发光结构113_1、第一波长转换层123_1和中间层121当中，第一发光结构113_1和第一波长转换层123_1的重叠区域可形成第一单元C1。类似地，在第二发光结构113_2、第二波长转换层123_2 和中间层121当中，第二发光结构113_2和第二波长转换层123_2 的重叠区域可形成第二单元C2。在一些示例实施例中，在第三发光结构113_3、第三波长转换层123_3和中间层121当中，第三发光结构113_3和第三波长转换层123_3的重叠区域可形成第三单元C3。
图7是示出由图1的发光器件封装件的单独的发光结构发射的光束的光行进路径的截面图。
参照图7，如上文在图3和图4中所述，封装件可配置为：在从第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3分别发射的光束当中，对在传播路径上偏离第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3 的透射光束进行导向，以避免与相邻的波长转换层123_1,123_2和123_3相交，从而使得光束不会泄漏至相邻的波长转换层，进而提高发光器件封装件的光提取效率。
参照图1和图2A，由第一至第三单元C1、C2和C3中的第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3分别发射的光可被调整为仅穿过第一至第三单元C1、C2和C3中的波长转换层123_1、123_2和 123_3，从而第一至第三单元C1、C2和C3中每一个的操作可独立。
例如，由第一单元C1的第一发光结构113_1发射的光的方向角可随着穿过中间层121而更小。在一些示例实施例中，第一单元C1 的第一发光结构113_1所发射的光的一部分可以不会入射至第一单元C1的第一波长转换层123_1，但是可入射至第二单元C2的第二波长转换层123_2，从而可防止光从没有被操作的第二单元C2发出。
图8是根据本发明构思的一些示例实施例的发光器件封装件 200的截面图。除了波长转换层没有形成在第三发光结构113_3上之外，发光器件封装件200与图1的发光器件封装件100相似。在图8 中，与图1中相同的附图标记代表相同的元件，并且为了简明起见将省略多余的描述。
参照图8，中间层121可形成在第一至第三发光结构113_1、 113_2和113_3上，并且第一波长转换层123_1和第二波长转换层 123_2可与第一发光结构113_1和第二发光结构113_2重叠，其中第一波长转换层123_1和第二波长转换层123_2可与第一发光结构 113_1和第二发光结构113_2间隔开。
第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3可发射蓝色光束(例如，其波长谱在蓝色波长谱内的光束)。在一些示例实施例中，第一波长转换层123_1可包括红色磷光体，第二波长转换层123_2可包括绿色磷光体。在一些示例实施例中，第一发光结构113_1所发射的蓝色光束可通过穿过第一波长转换层123_1的红色磷光体而作为红光发射。在一些示例实施例中，第二发光结构113_2所发射的蓝色光束可通过穿过第二波长转换层123_2的绿色磷光体而作为绿光发射。由于第三发光结构113_3所发射的蓝色光束没有穿过任何波长转换层 223而被发射，因此该蓝色光束可不改变。在一些示例实施例中，第三发光结构113_1所发射的蓝光可通过穿过第一波长转换层123_1 的红色磷光体而作为红光发射。
图9是根据本发明构思的一些示例实施例的发光器件封装件 300的截面图。除了第一至第三发光结构313_1、313_2和313_3的宽度分别不同于第一至第三波长转换层123_1,123_2和123_3的宽度之外，发光器件封装件300(其包括第一封装件217)可与图1的发光器件封装件100相似。
参照图9，中间层121可形成在第一至第三发光结构313_1、 313_2和313_3(即，发光结构313)上，并且第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3可与第一至第三发光结构313_1、313_2 和313_3重叠，其中第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3 可与第一至第三发光结构313_1、313_2和313_3间隔开。
第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3的宽度W1可大于第一至第三发光结构313_1、313_2和313_3的宽度W2。在一些示例实施例中，第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3可分别留有间隙地覆盖第一至第三发光结构313_1、313_2和313_3的整个发光表面(例如，如图9所示，第一至第三波长转换层的一些部分可延伸超出第一至第三发光结构中的各自与所述部分重叠的发光结构)。换言之，由于第一至第三发光结构313_1、313_2和313_3的宽度W2相对较小，因此第一至第三发光结构313_1、313_2和313_3 之间的间隔距离相对较大，因此，第一至第三发光结构313_1、313_2 和313_3可以较少地通过第一发光结构313_1、第二发光结构313_2 和第三发光结构313_3发射的光束受到彼此的影响。要重申的是，第一至第三发光结构313_1、313_2和313_3之间的间隔距离可与第一至第三发光结构313_1、313_2和313_3的宽度W2成反比。
图10是根据本发明构思的一些示例实施例的发光器件封装件 400的截面图。除了中间层421即421a_1、421b_1、421a_2、421b_2 (其被分为三个单独的中间层421)被包括在第一至第三发光结构 113_1、113_2和113_3中的各自单独的发光结构上之外，发光器件封装件400可与图1的发光器件封装件100相似。
参照图10，各个中间层421可分别安装在第一至第三发光结构 113_1、113_2和113_3上。各个中间层421可形成为分别覆盖第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3的整个表面。
第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3可设置在各个中间层421上。
第二密封件425可形成为将中间层421的侧表面和各个中间层 421之间的空间、第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3的侧表面和上表面以及第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3 之间的空间密封。
图11是根据本发明构思的一些示例实施例的发光器件封装件 500的截面图。除了还包括滤光层529之外，发光器件封装件500可与图1的发光器件封装件100相似。
参照图11，发光器件封装件500可包括：多个发光结构113；连接至多个发光结构113的电极115；包围多个发光结构113和电极 115的第一密封件117；形成在多个发光结构113和第一密封件117 上的中间层121；形成在中间层121上的第一至第三波长转换层 523_1、523_2和523_3；形成在第一波长转换层523_1和第二波长转换层523_2上的滤光层529；以及包围中间层121、第一至第三波长转换层523_1、523_2和523_3和滤光层529的第二密封件525。
滤光层529可选择性地阻挡(或者更加明确地，过滤)特定波长带内的光。
多个发光结构113可包括第一至第三发光结构113_1、113_2和 113_3，并且第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3可发射蓝光。第一波长转换层523_1可包括红色磷光体，第二波长转换层523_2 可包括绿色磷光体，并且第三波长转换层523_3可包括其浓度低于第二波长转换层523_2的绿色磷光体浓度的绿色磷光体。滤光层529 还可形成在形成于第一发光结构113_1和第二发光结构113_2上方的第一波长转换层523_1和第二波长转换层523_2上。滤光层529可选择性地阻挡从第一发光结构113_1和第二发光结构113_2发出的蓝色光束。在一些示例实施例中，第一发光结构113_1和第二发光结构 113_2所发射的分别穿过第一波长转换层523_1和第二波长转换层 523_2的光束可为更加清晰的红光和绿光。
图11示出了布置在第一波长转换层523_1和第二波长转换层 523_2上的滤光层529，但是本发明构思不限于此。在一些示例实施例中，可在第一至第三波长转换层523_1、523_2和523_3中的至少一个上形成至少一个滤光层。例如，当第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3发射UV光束时，第一波长转换层523_1可包括红色磷光体，第二波长转换层523_2可包括绿色磷光体，并且第三波长转换层523_3可包括蓝色磷光体。在一些示例实施例中，滤光层可设置在第一至第三波长转换层523_1、523_2和523_3上，并且可选择性地阻挡从第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3发射的UV光，并且可传输分别从第一至第三波长转换层523_1、523_2和523_3发出的红色光束、绿色光束和蓝色光束。
图12A和12B是根据本发明构思的一些示例实施例的发光器件封装件600和600'的截面图。除了中间层621的结构之外，发光器件封装件600和600'可与图1的发光器件封装件100相似。
参照图12A，发光器件封装件600可包括：多个发光结构113；连接至多个发光结构113的电极115；包围多个发光结构113和电极 115的第一密封件117；形成在多个发光结构113和第一密封件117 上的中间层621；形成在中间层621上的第一至第三波长转换层 123_1、123_2和123_3；以及包围中间层621和第一至第三波长转换层523_1、523_2和523_3的第二密封件625。
中间层621可具有包括多个孔Hol1的结构。具体而言，多个孔 Hol1可形成在多个发光结构113与中间层621彼此重叠的区域中。在一些示例实施例中，孔Hol1可不形成在中间层621的与相邻发光结构之间的空间(即，第一发光结构113_1与第二发光结构113_2 之间的空间和/或第二发光结构113_2与第三发光结构113_3之间的空间)重叠的区段中。
通过适当地调节中间层621的高度H2以及孔Hol1的结构，可控制第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3所发射的光束的行进路径。在一些示例实施例中，第一至第三发光结构113_1、113_2 和113_3所发射的光束可被控制为仅穿过分别对应于第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3的第一至第三波长转换层123_1、123_2 和123_3。稍后将在下文参照图13进行详细描述。
除了还包括多个孔Hol1中的反射层627之外，图12B的发光器件封装件600'可与图12A的发光器件封装件600相同。反射层627 可通过反射穿过孔Hol1的光以使其不被吸收到中间层621中来提高光提取效率。
反射层627可为金属层。例如，反射层627可为包括Al、Ag或钛(Ti)中的至少一种的金属、其合金或混合物，等等。
图13是示出中间层621与第一波长转换层123_1和第二波长转换层123_2之间的关系以及光行进路径的图12A的区域D的放大图。
参照图13，中间层621形成在第一发光结构113_1以及邻近第一发光结构113_1的第二发光结构113_2上。在垂直方向(Z方向) 上分别与第一发光结构113_1和第二发光结构113_2重叠的第一波长转换层123_1和第二波长转换层123_2可设置在中间层621上。
第一发光结构113_1的边缘部分所发射的光束L3E可被折射以具有被中间层621减小的方向角，并且可入射至第一波长转换层 123_1。光束L3E可在被第二密封件625改变为反射光束L3R之后发射到外面(例如，发射到在发光器件封装件之外的外部环境)，或者可在被改变为透过第二密封件625的透射光束L3T之后直接发射到外面。
在一些示例实施例中，透射光束L3T可在邻近于第一波长转换层123_1的第二波长转换层123_2附近产生。在一些示例实施例中，中间层621与第一波长转换层123_1和第二波长转换层123_2之间的关系由下面的公式2给出。
【公式2】
tan-1(D2/H2)＜tan-1(D1/H1)
D1表示相邻的第一波长转换层123_1和第二波长转换层123_2 之间的间隔距离，H1表示第一波长转换层123_1和第二波长转换层 123_2的高度，D2表示每个孔Hol1的直径，H2表示每个孔Hol1的深度。
参照图13，公式2的条件可包括下面描述的关系。作为每个孔 Hol1的直径D2相对于每个孔Hol1的深度H2的反正切值的方向角θ3 可小于角度θ4，角度θ4是第一波长转换层123_1与第二波长转换层123_2之间的间隔距离D1相对于第一波长转换层123_1和第二波长转换层123_2的高度H1的反正切值。在一些示例实施例中，离开第一波长转换层123_1的透射光束L3T可不泄露到第二波长转换层 123_2，从而提高发光器件封装件的光提取效率。
公式2中的关系描述了由第一发光结构113_1、中间层621以及第一波长转换层123_1和第二波长转换层123_2发射的光束作为示例，但是不限于此。公式2中的关系还可应用于由第二发光结构113_2 或第三发光结构113_3、中间层621以及第二波长转换层123_2和第三波长转换层123_3发射的光束之间的关系。
图14是根据本发明构思的一些示例实施例的发光器件封装件 700的截面图。除了中间层721的上表面的水平高度的变化之外，发光器件封装件700可与图12A的发光器件封装件600相似。
参照图14，包括多个孔Hol2的中间层721可形成在第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3上。
孔Hol2可形成在多个发光结构113与中间层721彼此重叠的区域中。在一些示例实施例中，孔Hol2可不形成在中间层721的与相邻发光结构之间的空间(即，第一发光结构113_1与第二发光结构 113_2之间的空间和/或第二发光结构113_2与第三发光结构113_3之间的空间)重叠的区段中。
在一些示例实施例中，中间层721的上表面可位于不同的水平高度上。例如，在中间层721中，与多个发光结构113重叠的第一区段的上表面可具有第一水平高度，并且与多个发光结构113不重叠的第二区段的上表面可具有第二水平高度，其中第二水平高度可高于第一水平高度。
与第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3中的各自单独的发光结构重叠的第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3可设置在中间层721中的具有较低水平高度的第一区段中。在一些示例实施例中，第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3的侧表面的至少一部分可被中间层721中的第二区段包围。
第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3的侧表面未被中间层721包围的剩余部分可被将中间层721和波长转换层123密封的第二密封构件725包围。稍后将在下文参照图15进行详细描述。
图15是示出中间层721与第一波长转换层123_1和第二波长转换层123_2之间的关系以及光行进路径的图14的区域E的放大图。
参照图15，在中间层721中，与第一发光结构113_1和第二发光结构113_2重叠的第一区段的上表面可具有第一水平高度H3，并且与第一发光结构113_1和第二发光结构113_2不重叠的第二区段的上表面可具有第二水平高度H4，其中第二水平高度H4可高于第一水平高度H3。分别与第一发光结构113_1和第二发光结构113_2重叠的第一波长转换层123_1和第二波长转换层123_2可设置在中间层 721中具有第一水平高度H3的第一区段中。
第一发光结构113_1的边缘部分所发射的光束L4E可被折射以具有被中间层721减小的方向角，并且可入射至第一波长转换层 123_1。光束L4E可在被第二密封件625改变为反射光束L4R之后发射到外面，或者可在被改变为透过第二密封件625的透射光束L4T 之后直接发射到外面。
在一些示例实施例中，透射光束L4T可在邻近于第一波长转换层123_1的第二波长转换层123_2附近产生。在一些示例实施例中，中间层721与第一波长转换层123_1和第二波长转换层123_2之间的关系由下面的公式3给出。
【公式3】
tan-1(D2/H3)＜tan-1(D1/H1)
D1表示相邻的第一波长转换层123_1和第二波长转换层123_2 之间的间隔距离，H1表示第一波长转换层123_1和第二波长转换层 123_2的高度，D2表示每个孔Hol2的直径，H3表示每个孔Hol2的深度。
参照图15，公式3的条件可包括下面描述的关系。作为每个孔 Hol2的直径D2相对于每个孔Hol2的深度H3的反正切值的方向角θ5 可小于角度θ6，角度θ6是第一波长转换层123_1与第二波长转换层123_2之间的间隔距离D1相对于第一波长转换层123_1和第二波长转换层123_2的高度H1的反正切值。在一些示例实施例中，离开第一波长转换层123_1的透射光束L4T可不泄露到第二波长转换层 123_2，从而提高发光器件封装件的光提取效率。
公式3中的关系描述了由第一发光结构113_1、中间层721以及第一波长转换层123_1和第二波长转换层123_2发射的光作为示例，但是不限于此。公式3中的关系还可应用于由第二发光结构113_2 或第三发光结构113_3、中间层721以及第二波长转换层123_2和第三波长转换层123_3发射的光之间的关系。
本发明构思的实施例不限于本说明书中示出的特定形状，并且可包括制造工艺中造成的形状的变化。
图16A至图16G是以处理顺序示出制造图2A至图6的发光器件封装件100的方法的截面图。
参照图16A，可在衬底111上形成初步发光结构p113。衬底111 可为绝缘衬底、导电衬底或半导体衬底。例如，衬底111可为蓝宝石衬底、碳化硅(SiC)衬底、硅(Si)衬底、MgAl2O4衬底、MgO衬底、 LiAlO2衬底、LiGaO2衬底或GaN衬底。
参照图6和图16A，可通过顺序地堆叠初步第一导电半导体层113s1、初步有源层113ac和初步第二导电半导体层113s2来形成初步发光结构p113。可利用诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)或氢化物气相外延(HVPE)的晶体生长工艺来形成初步第一导电半导体层113s1、初步有源层113ac和初步第二导电半导体层113s2。
尽管未在图16A中示出，但是在将初步第一导电半导体层113s1 形成在衬底111上的处理之前，还可在衬底111上形成缓冲层。缓冲层可包括其晶格常数与第一导电半导体层113s1的晶格常数近似的材料。在一些示例实施例中，当缓冲层被设置为初步发光结构p113的生长表面并且在其上形成多个发光结构113时，缓冲层可以防止产生电势缺陷或该缺陷的向上传播。
参照图16B，可形成电连接至初步发光结构p113的电极115(参见区域F)。参照图6和图16B，第一电极115s1和第二电极115s2 可分别连接至初步第一导电半导体层113s1和初步第二导电半导体层113s2。具体而言，可形成穿透有源层113ac和第二导电半导体层113s2的通孔190，从而可暴露出第一导电半导体层113s1的至少一部分。可利用诸如反应离子刻蚀(RIE)的刻蚀工艺或使用激光或钻孔器的机械加工来形成通孔190。
可形成绝缘膜114以覆盖通孔190的内壁和第二导电半导体层 113s2的暴露表面。绝缘膜114可防止第一电极115s1、有源层113ac 和第二电极115s2之前的电连接。在由通孔190中的绝缘膜114限定的空间中，第一电极115s1可连接至第一导电半导体层113s1。第二电极115s2可穿透覆盖第二导电半导体层113s2的绝缘膜114，并且可连接至第二导电半导体层113s2。
第一电极115s1和第二电极115s2可为多个，从而使得分别为单独的各个发光器件芯片设置单独的各组电极，每个单独的组包括第一电极115s1和第二电极115s2。
参照图16C，通过将图16B的初步发光结构p113分离为单独的发光单元来形成多个发光结构113。分离处理中可包括一对第一电极 115s1和第二电极115s2。通过分离处理，可在相邻的发光结构113 之间暴露出衬底111的上表面。
尽管未在图16C中示出，但是发光结构113可具有上部窄于下部的梯形形状，并且在一些示例实施例中，发光结构113可包括相对于衬底111的上表面倾斜的侧表面。
可通过刻蚀来执行分离处理以防止发光结构113中产生裂痕，但是不限于此。
参照图16D，可在衬底111的上表面上形成初步第一密封件 p117，其围住了多个发光结构113以及连接至各个发光结构113中的每一个的电极115。初步第一密封件p117可填充电极115之间的空间以及发光结构113之间的空间。
可通过涂覆密封件材料从而覆盖电极115的上表面的处理来形成初步第一密封件p117。
参照图16E，可通过研磨将作为图16D的结果的初步第一密封件 p117平坦化，从而可暴露电极115的下表面115B。
此后，可基于将图16D中形成的器件翻转(例如，“反转”)来去除衬底111(192)。如果衬底111是诸如蓝宝石的透明衬底和/或当衬底111是诸如蓝宝石的透明衬底时，可通过利用激光剥离(LLO) 工艺将衬底111从发光结构113分离开。如果衬底111是诸如Si衬底的不透明衬底时，可通过研磨、抛光、干法刻蚀或它们的组合来去除衬底111。
在去除衬底111之后，可在发光结构113的上表面上形成不平坦图案来增加光提取效率。
参照图16F，可在初步第一密封件p117和发光结构113上形成中间层121。
可通过顺序地沉积第一层121a_1、第二层121b_1、第一层 121a_2和第二层121b_2来形成中间层121。第一层121a_1和121a_2 以及第二层121b_1和121b_2可分别包括具有彼此不同的折射率的氮化物、碳化物或氧化物。具体而言，第一层121a_1和121a_2以及第二层121b_1和121b_2中的每一个可以是ZrN层、CrN层、ZrC层、 ZnO层、TiC层、TaC层、Ga2O3层、Cr2O3层、AlN层和GaN层中的两种类型的层。
可通过改变沉积时间来分别调节第一层121a_1和121a_2以及第二层121b_1和121b_2的厚度。
参照图16G，可在发光结构113上形成波长转换层123。包括有第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3的波长转换层123可包括不同的磷光体以发射不同颜色的光。
第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3可通过分配处理分别与发光结构113重叠，其中第一至第三波长转换层123_1、123_2 和123_3可与发光结构113中包括的第一至第三发光结构113_1、 113_2和113_3间隔开。可通过曝光处理形成第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3。例如，在将波长转换层完全涂覆在中间层 121上之后，可利用光刻工艺形成分别与第一至第三发光结构113_1、113_2和113_3重叠并与其间隔开的第一至第三波长转换层123_1、 123_2和123_3。如图16G所示，当形成分别包括彼此不同的波长转换材料的第一至第三波长转换层123_1、123_2和123_3时，可多次执行光刻工艺。
接下来，可执行分割处理和模塑处理。分割处理可为将晶圆分离为各个单独的发光器件封装件的处理。分割处理可采取使用锯叶轮的锯切处理或使用图案刀片的切割处理。
模塑处理可为形成覆盖中间层121和第一至第三波长转换层 123_1、123_2和123_3的第二密封件125的处理。
可基于在分割处理之后执行模塑处理来制造图2A的发光器件封装件100。在一些示例实施例中，第二密封件125可形成为覆盖第一密封件117的侧表面、中间层121的侧表面和上表面以及波长转换层 123的侧表面和上表面。
在一些示例实施例中，包括图2B的发光器件封装件100，可在分割处理之前执行模塑处理。第二密封件125可覆盖中间层121的上表面以及波长转换层123的侧表面和上表面，并且可不覆盖第一密封件117和中间层121的侧表面。
如此，可如上文参照图16A至图16G所述制造图2A和图2B的发光器件封装件100和100'。
图17A和图17B是以处理顺序示出制造图11的发光器件封装件 500的方法的截面图。制造发光器件封装件500的方法可包括参照图 16A至图16E描述的制造操作来作为在先处理，并且此处将不再重复其描述。
参照图17A，可在衬底527上形成滤光层529以及包括第一至第三波长转换层523_1、523_2和523_3的波长转换层523。具体而言，可在衬底527上形成第一波长转换层523_1和滤光层529，并且可在滤光层529上分别形成第二波长转换层523_2和第三波长转换层 523_3。衬底527可为玻璃或树脂，但是不限于此。
可将该结构翻转并接合在图16F的产物上(194)。例如，第一至第三波长转换层523_1、523_2和523_3的上表面可接合到位于多个发光结构113上的中间层121上。
参照图17B，在将滤光层529以及第一至第三波长转换层523_1、 523_2和523_3附着至图16F的结果之后，可去除衬底527。
接下来，可通过执行分割处理和模塑处理来制造图11的发光器件封装件500。
图18A至图18C是以处理顺序示出制造图12A的发光器件封装件600的方法的截面图；制造发光器件封装件600的方法可包括参照图16A至图16D描述的制造操作来作为在先处理，并且此处将不再重复其描述。
参照图18A，可在将图16D的结果翻转之后通过平坦化处理来减小衬底111的厚度(196)，并且具有减小后厚度的衬底111可为初步中间层p621。
参照图18B，多个孔Hol1可形成在多个发光结构113与初步中间层p621彼此重叠的区域中。在一些示例实施例中，孔Hol1可不形成在中间层621的与相邻发光结构113之间的空间重叠的区段中。
可通过在初步中间层p621上形成掩模图案并执行刻蚀处理来形成孔Hol1。
参照图18C，可在发光结构113与中间层621彼此重叠的区域中形成多个波长转换层123。
接下来，可通过执行分割处理和模塑处理来制造图12A的发光器件封装件600。
除了在形成图12B的孔Hol1之后还要在孔Hol1的内壁上包括反射层627之外，制造图12B的发光器件封装件600'的方法与图18A 至图18C的方法相似。可通过电镀工艺、电子束沉积工艺或溅射工艺来制造反射层627，但是不限于此。
可在形成反射层627之后通过执行图18C的以下处理来制造图 12B的发光器件封装件600'。
图19A和图19B是以处理顺序示出制造图14的发光器件封装件 700的方法的截面图。制造发光器件封装件700的方法可包括参照图 16A至图16D和图18A描述的制造操作来作为在先处理，并且此处将不再重复其描述。
参照图19A，可形成沟槽191，使得在图18A的结果中的初步中间层p721的一部分195的上表面193的水平高度可低于初步中间层 p721的另一部分199中的上表面197的水平高度。具体而言，可在初步中间层p721的部分195中形成沟槽191，部分195与其中初步中间层p721和发光结构113分别彼此重叠的区域垂直地重叠。可通过在初步中间层p721上形成掩模图案并执行刻蚀处理来形成沟槽 191。
参照图19B，可通过在其上形成有沟槽191的初步中间层p721 中形成多个孔Hol2来形成中间层721。在一些示例实施例中，孔Hol2 可不形成在中间层721的与相邻发光结构113之间的空间重叠的区段中，如图19B所示。
参照图19C，可在发光结构113与中间层721彼此重叠的区域 (即，在其上形成沟槽的地方)中形成多个波长转换层123。
接下来，可通过执行分割处理和模塑处理来制造图14的发光器件封装件700。
当某个实施例可不同地实现时，可与所述顺序不同地执行特定的处理顺序。例如，两个连续描述的处理可基本同时执行或按照与所述顺序相反的顺序执行。
应当理解，本文所述的示例实施例应当被视为仅具有描述性意义而非为了限制的目的。根据示例实施例的每个装置或方法内的特征或方面的描述应当代表性地视为可用于根据示例实施例的其它装置或方法中的其它类似的特征或方面。虽然已经特别示出和描述了一些示例实施例，但是本领域普通技术人员之一应该理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，其中可做出各种形式和细节上的变化。

Claims (6)

1.一种发光器件封装件，包括：
多个发光结构，所述多个发光结构在水平方向上彼此间隔开；
位于所述多个发光结构上的中间层，所述中间层包括多个孔；以及
位于所述中间层上的多个波长转换层，所述波长转换层与所述多个发光结构中的各自单独的发光结构垂直地重叠，
其中，所述多个孔完全穿透所述中间层，暴露所述发光结构的上表面的仅一部分和所述波长转换层的下表面的一部分，
其中，所述多个孔中的多于两个孔对应于所述多个发光结构中的每一个，并且
所述多个孔构造为控制所述多个发光结构的所发射的光的行进路径。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，
所述多个波长转换层中的每组相邻的波长转换层在水平方向上根据相同的第一间隔距离间隔开；
所述多个波长转换层中的每个波长转换层具有在竖直方向上的相同的第一厚度；
所述多个孔中的每个孔具有在水平方向上的相同的第一直径和在竖直方向上的相同的第一深度；并且
第一直径与第一深度之比的反正切小于第一间隔距离与第一厚度之比的反正切。
3.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述中间层中的所述多个孔位于所述多个发光结构与所述中间层彼此重叠的区域。
4.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，
所述中间层包括第一区段和第二区段；
所述中间层的所述第一区段与所述多个发光结构中的至少一个发光结构垂直地重叠；
所述中间层的所述第二区段不与所述多个发光结构中的任何发光结构垂直地重叠；
所述中间层的所述第一区段包括上表面；
所述中间层的所述第二区段包括上表面；并且
所述第二区段的所述上表面被抬升为高于所述中间层的所述第一区段的所述上表面。
5.根据权利要求4所述的发光器件封装件，其中，
所述多个波长转换层位于所述中间层的所述第一区段上；并且
所述中间层的所述第二区段至少部分地覆盖所述多个波长转换层中的每个波长转换层的一个或多个侧表面。
6.根据权利要求2所述的发光器件封装件，还包括：
反射层，其位于所述多个孔中的一个或多个孔的一个或多个内壁上。
CN201710102671.2A 2016-02-24 2017-02-24 发光器件封装件及其制造方法 Active CN107123723B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0022012 2016-02-24
KR1020160022012A KR102527387B1 (ko) 2016-02-24 2016-02-24 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107123723A CN107123723A (zh) 2017-09-01
CN107123723B true CN107123723B (zh) 2020-08-18

Family

ID=59631229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710102671.2A Active CN107123723B (zh) 2016-02-24 2017-02-24 发光器件封装件及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9893251B2 (zh)
KR (1) KR102527387B1 (zh)
CN (1) CN107123723B (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6724634B2 (ja) * 2016-07-28 2020-07-15 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
KR20180076066A (ko) 2016-12-27 2018-07-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102429116B1 (ko) * 2017-11-30 2022-08-03 엘지디스플레이 주식회사 자체 발광 표시장치
KR102421729B1 (ko) 2017-12-14 2022-07-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102582424B1 (ko) 2017-12-14 2023-09-25 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102527384B1 (ko) * 2018-03-09 2023-04-28 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20190132215A (ko) * 2018-05-18 2019-11-27 서울반도체 주식회사 발광 다이오드, 발광 다이오드 모듈 및 그것을 갖는 표시 장치
JP7227458B2 (ja) * 2018-11-21 2023-02-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102293256B1 (ko) * 2019-03-11 2021-08-25 주식회사 루멘스 Csp led 제조방법
US11094530B2 (en) 2019-05-14 2021-08-17 Applied Materials, Inc. In-situ curing of color conversion layer
US11239213B2 (en) 2019-05-17 2022-02-01 Applied Materials, Inc. In-situ curing of color conversion layer in recess
CN110311027B (zh) * 2019-06-28 2021-04-13 佛山市国星光电股份有限公司 一种全彩化发光器件及显示模组
JP2021125616A (ja) * 2020-02-07 2021-08-30 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置
KR20210151591A (ko) * 2020-06-05 2021-12-14 삼성전자주식회사 생체 센서, 생체 센서 어레이 및 장치
US11888096B2 (en) 2020-07-24 2024-01-30 Applied Materials, Inc. Quantum dot formulations with thiol-based crosslinkers for UV-LED curing
US11646397B2 (en) 2020-08-28 2023-05-09 Applied Materials, Inc. Chelating agents for quantum dot precursor materials in color conversion layers for micro-LEDs

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080042153A1 (en) * 2006-03-24 2008-02-21 Goldeneye, Inc. Wavelength conversion chip for use with light emitting diodes and method for making same
US20100117997A1 (en) * 2007-03-08 2010-05-13 Haase Michael A Array of luminescent elements
US20110260187A1 (en) * 2010-04-23 2011-10-27 Sun Kyung Kim Light emitting device, method of manufacturing the same, light emitting device package and lighting system
CN103003966A (zh) * 2010-05-18 2013-03-27 首尔半导体株式会社 具有波长变换层的发光二级管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法
WO2015193763A1 (en) * 2014-06-19 2015-12-23 Koninklijke Philips N.V. Wavelength converted light emitting device with small source size
US20160005922A1 (en) * 2014-07-04 2016-01-07 Genesis Photonics Inc. Light emitting component

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4204222A (en) 1978-06-19 1980-05-20 Antoine Zacharie High output LED matrix color TV screen with vertical triad and tricolor faceplate
DE69739368D1 (de) 1996-08-27 2009-05-28 Seiko Epson Corp Trennverfahren und Verfahren zur Übertragung eines Dünnfilmbauelements
US6025894A (en) 1996-09-04 2000-02-15 Casio Computer Co., Ltd. Scatter control member for organic electroluminescent light source for passing light with or without scattering depending upon an incident angle
JPH10189237A (ja) 1996-12-25 1998-07-21 Casio Comput Co Ltd 面発光体およびそれを使用する液晶表示装置
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US6091195A (en) 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
US6155699A (en) * 1999-03-15 2000-12-05 Agilent Technologies, Inc. Efficient phosphor-conversion led structure
JP2000277260A (ja) 1999-03-23 2000-10-06 Seiko Epson Corp 発光装置
JP3906654B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
EP1420463A4 (en) 2001-08-22 2008-11-26 Sony Corp NITRID SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
KR20050022820A (ko) 2003-08-30 2005-03-08 (주)싸이버뱅크 ＬＥＤ 칩(ｃｈｉｐ)을 이용한 면광원 장치
KR100714639B1 (ko) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
KR100506740B1 (ko) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
KR100665222B1 (ko) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR100661614B1 (ko) 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100982980B1 (ko) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 면 광원 장치 및 이를 구비하는 ｌｃｄ 백라이트 유닛
KR101164026B1 (ko) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101341374B1 (ko) * 2007-07-30 2013-12-16 삼성전자주식회사 광자결정 발광소자 및 그 제조방법
KR101457362B1 (ko) * 2007-09-10 2014-11-03 주식회사 동진쎄미켐 유리 프릿 및 이를 이용한 전기소자의 밀봉방법
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
JP2009104844A (ja) 2007-10-22 2009-05-14 Omron Corp 面光源装置及び発光素子
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100030470A (ko) 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
JP2010189237A (ja) * 2009-02-19 2010-09-02 Aterisu:Kk 備前焼製造方法および備前焼
JP5118659B2 (ja) 2009-02-24 2013-01-16 パナソニック株式会社 発光素子
EP2367203A1 (en) 2010-02-26 2011-09-21 Samsung LED Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having multi-cell array and method for manufacturing the same
US20120257386A1 (en) * 2011-06-24 2012-10-11 Xicato, Inc. Led based illumination module with a reflective mask
KR20130104628A (ko) 2012-03-14 2013-09-25 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 조명 모듈
JP2013232588A (ja) * 2012-05-01 2013-11-14 Sharp Corp 発光装置
US8889439B2 (en) * 2012-08-24 2014-11-18 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method and apparatus for packaging phosphor-coated LEDs
JP6163754B2 (ja) * 2012-12-28 2017-07-19 日亜化学工業株式会社 発光装置に用いるバンドパスフィルタおよびこれを用いた発光装置
JP6276557B2 (ja) * 2013-10-25 2018-02-07 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
KR101641205B1 (ko) 2014-05-12 2016-07-21 주식회사 케이케이디씨 발광각도 조절이 가능한 형광필름이 구비된 led 조명 모듈 제조 방법
KR20160034534A (ko) * 2014-09-19 2016-03-30 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
GB2535197B (en) * 2015-02-12 2019-11-06 Toshiba Res Europe Limited An optical device and a method of fabricating an optical device
KR102415331B1 (ko) * 2015-08-26 2022-06-30 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 장치
KR101809259B1 (ko) * 2015-11-16 2017-12-14 연세대학교 산학협력단 디스플레이 패널 및 그 장치
KR102476137B1 (ko) * 2016-02-25 2022-12-12 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 제조 방법
KR102263041B1 (ko) * 2016-02-26 2021-06-09 삼성전자주식회사 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080042153A1 (en) * 2006-03-24 2008-02-21 Goldeneye, Inc. Wavelength conversion chip for use with light emitting diodes and method for making same
US20100117997A1 (en) * 2007-03-08 2010-05-13 Haase Michael A Array of luminescent elements
US20110260187A1 (en) * 2010-04-23 2011-10-27 Sun Kyung Kim Light emitting device, method of manufacturing the same, light emitting device package and lighting system
CN103003966A (zh) * 2010-05-18 2013-03-27 首尔半导体株式会社 具有波长变换层的发光二级管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法
WO2015193763A1 (en) * 2014-06-19 2015-12-23 Koninklijke Philips N.V. Wavelength converted light emitting device with small source size
US20160005922A1 (en) * 2014-07-04 2016-01-07 Genesis Photonics Inc. Light emitting component

Also Published As

Publication number Publication date
US20170244010A1 (en) 2017-08-24
KR20170099650A (ko) 2017-09-01
US9893251B2 (en) 2018-02-13
KR102527387B1 (ko) 2023-04-28
CN107123723A (zh) 2017-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107123723B (zh) 发光器件封装件及其制造方法
KR102421729B1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
US10403608B2 (en) Light-emitting diode (LED) device for realizing multi-colors
KR102553630B1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
TWI529959B (zh) 發光裝置，發光模組及製造發光裝置之方法
EP3327800B1 (en) Light emitting diode having a side reflection layer
US8314440B2 (en) Light emitting diode chip and method of fabricating the same
KR102323686B1 (ko) 발광 소자 및 그 제조 방법
KR101017394B1 (ko) 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
JP5985322B2 (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
KR102617962B1 (ko) 반도체 발광소자
JP2010087292A (ja) 発光素子
KR20190071152A (ko) 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR20110128545A (ko) 발광 소자, 발광 소자의 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR20200051911A (ko) 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
US11545595B2 (en) Contact structures for light emitting diode chips
TWI493758B (zh) 半導體發光裝置及發光模組
JP2014150245A (ja) 発光素子および発光素子パッケージ
KR20210074301A (ko) 발광 소자
US20190181298A1 (en) Ultraviolet semiconductor light emitting devices
KR101625132B1 (ko) 비극성 기판을 채택한 발광 다이오드
KR20210102741A (ko) 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR102610627B1 (ko) 복수의 파장변환기를 가지는 발광 다이오드
KR20120048331A (ko) 발광 다이오드 칩 및 그 제조 방법
US20120119242A1 (en) Light-emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant