CN107117803A - 划片设备及划片方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种划片设备及划片方法，所述划片设备沿着介入物质的图案切割粘合基板，所述粘合基板包括第一基板、第二基板、以及以预定图案介入于第一基板及第二基板之间的介入物质，其中，所述划片设备包括：划片单元，其沿着所述介入物质的图案在所述第一基板及第二基板的表面上形成划片线；以及，激光束照射单元，其向所述介入物质的至少一部分照射激光束，使所述介入物质的至少一部分变性。

Description

划片设备及划片方法
技术领域
本发明涉及一种为了切割基板在基板上形成划片线的设备及方法。
背景技术
通常，通过使用单元玻璃面板来制造用于平板显示器的液晶显示面板、有机电致发光面板、无机电致发光面板、透射投影基板、反射投影基板等，单元玻璃面板是通过将如玻璃等脆性母体玻璃面板切割成预定尺寸而获得。
母体玻璃面板是由第一基板及第二基板粘贴形成的粘合基板。第一基板可以具备薄膜晶体管，第二基板可以具备滤色片。作为粘着剂使用粘合膏来粘贴第一基板及第二基板。第一基板及第二基板之间具有液晶及/或电子元件等。
将粘合基板切割为单元基板的过程(工程)包括：划片过程和裂片过程，所述划片过程是沿着第一基板及第二基板上的假想的预定切割线按压并移动由如钻石等材质制成的划片轮来形成划片线，而所述裂片过程是通过沿着划片线按压粘合基板来切割粘合基板以获得单元基板。
另外，为了加大液晶及/或电子元件等在粘合基板之间实际所占的区域(有效区域)的大小，可以考虑沿着在粘合基板之间形成的粘合膏图案切割粘合基板的方案。这时，沿着粘合膏图案在第一基板及第二基板上形成有划片线，由此，在粘合基板之间被硬化的粘合膏与粘合基板一同被切割。
再者，粘合膏可以粘贴于形成在第一基板及第二基板内面的黑矩阵。也即，粘合膏图案可以与形成在第一基板及第二基板内面的黑矩阵图案一致。
如果粘合膏粘贴于黑矩阵，则在切割粘合基板时粘合膏及黑矩阵应与粘合基板一同被切割。但是，因黑矩阵的材质、粘合膏与黑矩阵之间的粘着力问题，存在粘合基板无法顺利切割的问题点。
上述问题不仅在切割粘合基板之间介入有粘合膏及黑矩阵的粘合基板时存在，在粘合基板之间介入有保护膜、电极、有机膜、粘着剂、密封剂等物质(以下称为“介入物质”)，沿着介入物质的图案在粘合基板上形成划片线而切割粘合基板的过程中也会发生。
现有文献
专利文献
韩国公开专利第10-2007-0070824号(2007.07.04)
发明内容
本发明致力于解决上述以往技术中存在的问题，目的在于提供一种划片设备及划片方法，所述划片设备可以沿着介入物质的图案容易地切割粘合基板，所述粘合基板包括第一基板、第二基板、以及以预定图案介入在第一基板及第二基板之间的介入物质。
为达到上述目的，本发明的实施例提供一种划片设备，其沿着介入物质的图案切割粘合基板，所述粘合基板包括第一基板、第二基板、以及以预定图案介入于第一基板及第二基板之间的介入物质，所述划片设备包括：划片单元，其沿着所述介入物质的图案在所述第一基板及第二基板的表面上形成划片线；以及，激光束照射单元，其向所述介入物质的至少一部分照射激光束，使所述介入物质的至少一部分变性。
为达到上述目的，本发明的另一实施例还提供一种划片方法，所述划片方法沿着介入物质的图案切割粘合基板，所述粘合基板包括第一基板、第二基板、以及以预定图案介入于第一基板及第二基板之间的介入物质，所述划片方法包括：(a)向所述介入物质的至少一部分照射激光束而使得所述介入物质的至少一部分变性的步骤；以及，(b)与所述介入物质的变性的部分对应地用划片轮按压所述第一基板及所述第二基板，从而形成划片线的步骤。
本发明实施例中的划片设备及划片方法向以预定图案介入于粘合基板之间的介入物质照射激光束来使得介入物质的至少一部分变性，根据介入物质的图案在粘合基板上形成划片线而切割粘合基板。由此，与粘合基板一同可以容易地切割介入于粘合基板之间的介入物质。
附图说明
图1为通过本发明实施例中的划片设备及划片方法切割的粘合基板的概略剖面图。
图2为本发明实施例中的划片设备的概略示意图。
图3为本发明实施例中划片设备所具备的激光束照射单元的概略示意图。
图4至图6为通过本发明实施例中的划片设备及划片方法向介入物质照射激光束，在粘合基板形成划片线的状态的示意图。
图7至图9为本发明实施例中的划片方法的流程图。
附图标记：
110、120：第一框架、第二框架
210、220：第一划片头、第二划片头
310、320：划片单元
410、420：激光束照射单元
S：基板
10：介入物质
具体实施方式
以下，参照附图对本发明实施例中的划片设备及划片方法进行说明。
如图1所示，本发明实施例中的划片设备及划片方法的切割对象是粘合了第一基板S1及第二基板S2的粘合基板S。例如，第一基板S1可以具备薄膜晶体管，第二基板S2可以具备滤色片。粘合基板S之间可以预定图案介入有如粘合膏、黑矩阵、保护膜、电极、有机膜、粘着剂、密封剂那样的介入物质10，通过上述介入物质10可以维持第一基板S1及第二基板S2之间的间隔。图1示出了在第一基板S1及第二基板S2的内面作为第一介入物质分别形成有黑矩阵11，在黑矩阵11之间作为第二介入物质形成有粘合膏12的状态。在粘合基板S之间可以配置有液晶及/或电子元件，为了加大液晶及/或电子元件等在粘合基板S之间所占区域(有效区域)的大小，可以考虑沿着介入物质10的图案切割粘合基板S的方案。
因此，本发明实施例提供与介入物质10一同轻松切割粘合基板S的划片设备及划片方法。
另外，欲形成划片线的粘合基板S被移送的方向定义为Y轴方向，与粘合基板S的移送方向(Y轴方向)交叉的方向定义为X轴方向。并且，垂直于放置粘合基板S的X-Y平面的方向定义为Z轴方向。
如图2所示，本发明实施例中的划片设备包括：第一框架110，其向X轴方向延长；第一划片头210，其可在X轴方向上移动地设置于第一框架110；第二框架120，其在第一框架110的下方与第一框架110平行地向X轴方向延长；第二划片头220，其可在X轴方向上移动地设置于第二框架120。
第一框架110上朝着X轴方向设置有多个第一划片头210，第二框架120上朝着X轴方向设置有多个第二划片头220。第一框架110及第二框架120一体形成。
第一划片头210及第二划片头220在Z轴方向上相对而设置。第一划片头210可以包括第一划片单元310，第一划片单元310可以包括具备划片轮311的第一划片轮模块313及具备辊315的第一辊模块317。第二划片头220可以包括第二划片单元320，第二划片单元320可以包括具备划片轮321的第二划片轮模块323及具备辊325的第二辊模块327。
第一划片轮模块313的划片轮311与第二辊模块327的辊325相对齐地配置，第二划片轮模块323的划片轮321与第一辊模块317的辊315相对齐地配置。第一划片轮模块313的划片轮311及第一辊模块317的辊315在X轴方向上排成一列，第二划片轮模块323的划片轮321及第二辊模块327的辊325在X轴方向上排成一列。
第一划片轮模块313的划片轮311及第一辊模块317的辊315可按压第一基板S1，第二划片轮模块323的划片轮321及第二辊模块327的辊325可按压第二基板S2。
第一划片轮模块313及第二划片轮模块323可在Z轴方向上移动，由此，可以调整第一划片轮311及第二划片轮321按压粘合基板S的按压力。并且，通过第一划片轮模块313及第二划片轮模块323在Z轴方向上的移动，可以调整第一划片轮311及第二划片轮321在粘合基板S内的切割深度。
由此，在多个划片轮311、321分别按压第一基板S1及第二基板S2的状态下，通过第一划片头210及第二划片头220相对于粘合基板S1向X轴方向移动，可以在第一基板S1及第二基板S2分别形成划片线。在此过程中，多个辊315、325起到支撑多个划片轮311、321按压第一基板S1及第二基板S2的力度的作用。
此时，多个划片轮311、321与平行于介入物质10的图案的线L对齐设置，由此，由多个划片轮311、321形成的划片线可以与平行于介入物质10的图案的线L对齐。因此，粘合基板S可以沿着介入物质10的图案切割。
如图2至图4所示，第一划片头210可以具备第一激光束照射单元410，第二划片头220可以具备第二激光束照射单元420。第一激光束照射单元410及第二激光束照射单元420向介入物质10的至少一部分照射激光束而使得介入物质10的至少一部分变性。当激光束照射到介入物质10，则介入物质10会烧毁。由此，在沿着介入物质10的图案切割粘合基板S时，介入物质10也容易被切割。
第一激光束照射单元410及第二激光束照射单元420可以放出可被介入物质10吸收的波段的激光束。第一激光束照射单元410及第二激光束照射单元420可以与产生激光束的激光源(未图示)连接，作为激光源，可以使用CO2激光、YAG激光、脉冲激光、飞秒激光等各种激光源。并且，在激光源与第一激光束照射单元410及第二激光束照射单元420之间可以根据需要包括扩束器、准直器等光学元件。
第一激光束照射单元410及第二激光束照射单元420可向Z轴方向移动，由此，可以调整由第一激光束照射单元410及第二激光束照射单元420照射的激光束的光斑P在Z轴方向上的位置。随着激光束的光斑P在Z轴方向上的位置被调整，激光束依次照射于第一介入物质11及第二介入物质12，由此，第一介入物质11及第二介入物质12会依次发生变性。
参照图4至图9，对本发明实施例中的划片方法进行说明。
首先，如图4及图7所示，步骤S110：第一激光束照射单元410及第二激光束照射单元420位于与介入物质10的图案相对齐的位置，向介入物质10照射激光束。随着激光束的光斑P位于介入物质10，介入物质10的至少一部分在激光束的光及热的影响下变性。
由此，如图5所示，在介入物质10内存在有变性的部分A，变性的部分A与介入物质10的其他部分相比容易被切割。
再者，如本发明的实施例，介入物质10包括作为第一介入物质11的黑矩阵和作为第二介入物质12的粘合膏时，第一激光束照射单元410及第二激光束照射单元420向Z轴方向移动，激光束依次照射于第一介入物质11及第二介入物质12。由此，第一介入物质11及第二介入物质12上存在变性的部分，第一介入物质11及第二介入物质12容易被切割。
如上所述，介入物质10的至少一部分变性后，如图5及图7所示，步骤S120：与介入物质10的变性的部分对应地用划片轮311、321按压粘合基板S，在粘合基板S上形成划片线。在划片轮311、321的按压力下，上述划片线形成为粘合基板S内的裂纹C。由此，粘合基板S可以沿着划片线切割。
如上所述，由于介入物质10的变性的部分A，介入物质10变脆弱的状态下在粘合基板S上形成划片线，因此，粘合基板S容易切割。作为另外一例，在介入物质10变性、粘合基板S上形成有划片线的状态下，粘合基板S移送至裂片过程后被切割。
另外一例，如图6及图8所示，还可以包括步骤S130：在介入物质10变性、粘合基板S上形成划片线的状态下，用划片轮311、321按压介入物质10的变性的部分A，在介入物质10的变性的部分A形成划片线。
如本发明的实施例，介入物质10包括作为第一介入物质11的黑矩阵和作为第二介入物质12的粘合膏时，第一划片轮模块313及第二划片轮模块323向Z轴方向移动，在第一介入物质11及第二介入物质12上依次形成划片线。由此，通过形成在第一介入物质11及第二介入物质12的划片线，容易切割第一介入物质11及第二介入物质12。
为了使得划片轮311、321容易到达介入物质10，在粘合基板S上形成划片线的过程中，划片单元310、320可以在粘合基板S上形成划片线而使得介入物质10的变性的部分A暴露于外部。
如上，不仅在粘合基板S上形成划片线，在介入物质10上也会形成划片线，因此可更加容易地切割粘合基板S。
另一例，如图9所示，首先执行步骤S210：与介入物质10的图案对应地用划片轮311、321按压粘合基板S而在粘合基板S上形成划片线，之后，步骤S220：向沿着划片线存在的介入物质10的至少一部分照射激光束，使得介入物质10的至少一部分产生变性。
此时，在粘合基板S形成划片线的过程中，划片单元310、320可以形成划片线来使得介入物质10的一部分暴露于外部，使得激光束顺利地照射至介入物质10。
并且，在粘合基板S形成划片线的过程中，划片单元310、320可以在介入物质10的一部分上形成划片线。
如本发明的实施例，介入物质10包括作为第一介入物质11的黑矩阵和作为第二介入物质12的粘合膏时，第一激光束照射单元410及第二激光束照射单元420向Z轴方向移动，激光束依次照射于第一介入物质11及第二介入物质12。
本发明实施例中的划片设备及划片方法向以预定图案介入于粘合基板S之间的介入物质10照射激光束来使得介入物质10的至少一部分变性，根据介入物质10的图案在粘合基板S上形成划片线而切割粘合基板S。由此，与粘合基板S一同可以轻松切割介入于粘合基板S之间的介入物质10。
虽然已经在上面描述了本发明的示例性实施方式，但是本发明的范围并不限于上述特定实施例，可以在权利要求范围内进行适当的变更。

Claims (10)

1.一种划片设备，其沿着介入物质的图案切割粘合基板，所述粘合基板包括第一基板、第二基板、以及以预定图案介入于第一基板及第二基板之间的介入物质，其中，
所述划片设备包括：
划片单元，其沿着所述介入物质的图案在所述第一基板及第二基板的表面上形成划片线；以及
激光束照射单元，其向所述介入物质的至少一部分照射激光束，使所述介入物质的至少一部分变性。
2.根据权利要求1所述的划片设备，其中，
所述划片单元在所述第一基板及所述第二基板上形成划片线，使得所述介入物质的变性的部分暴露于外部。
3.根据权利要求2所述的划片设备，其中，
所述划片单元在暴露于外部的所述介入物质的变性的部分形成划片线。
4.一种划片方法，所述划片方法沿着介入物质的图案切割粘合基板，所述粘合基板包括第一基板、第二基板、以及以预定图案介入于第一基板及第二基板之间的介入物质，其中，
所述划片方法包括：
步骤a)，在所述步骤a)中，向所述介入物质的至少一部分照射激光束而使得所述介入物质的至少一部分变性；以及
步骤b)，在所述步骤b)中，与所述介入物质的变性的部分对应地用划片轮按压所述第一基板及所述第二基板，从而形成划片线。
5.根据权利要求4所述的划片方法，其中，
在所述步骤b)中，形成划片线使得所述介入物质的变性的部分暴露于外部。
6.根据权利要求5所述的划片方法，其中，还包括：
步骤c)，在所述步骤c)中，用划片轮按压暴露于外部的所述介入物质的变性的部分，从而形成划片线。
7.根据权利要求4所述的划片方法，其中，
所述介入物质包括第一介入物质及第二介入物质，
在所述步骤a)中，依次向所述第一介入物质及第二介入物质照射激光束。
8.根据权利要求4所述的划片方法，其中，
所述介入物质包括第一介入物质及第二介入物质，
在所述步骤b)中，用划片轮依次按压所述第一介入物质及所述第二介入物质，在所述第一介入物质及所述第二介入物质上形成划片线。
9.一种划片方法，所述划片方法沿着介入物质的图案切割粘合基板，所述粘合基板包括第一基板、第二基板、以及以预定图案介入于第一基板及第二基板之间的介入物质，其中，
所述划片方法包括：
步骤a)，在所述步骤a)中，对应于所述介入物质的图案按压划片轮而在所述第一基板及所述第二基板上形成划片线；以及
步骤b)，在所述步骤b)中，在沿着划片线存在的所述介入物质的至少一部分照射激光束，使得所述介入物质的至少一部分变性。
10.根据权利要求9所述的划片方法，其中，
所述介入物质包括第一介入物质及第二介入物质，
在所述步骤b)中，向所述第一介入物质及第二介入物质依次照射激光束。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109553289A (zh) * 2017-09-27 2019-04-02 塔工程有限公司 基板切割装置
CN113492266A (zh) * 2020-03-18 2021-10-12 塔工程有限公司 基板切割方法及基板切割装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102730955A (zh) * 2011-03-29 2012-10-17 精工电子有限公司 玻璃体的切断方法、封装件的制造方法、封装件、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟
CN105189020A (zh) * 2013-03-28 2015-12-23 浜松光子学株式会社 激光加工方法
CN105278136A (zh) * 2014-06-25 2016-01-27 三星钻石工业股份有限公司 贴合基板的分断方法
CN105314835A (zh) * 2014-06-25 2016-02-10 三星钻石工业股份有限公司 贴合基板的分断方法
CN105479020A (zh) * 2014-10-06 2016-04-13 三星钻石工业股份有限公司 接合基板的切割方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100689314B1 (ko) * 2003-11-29 2007-03-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시패널의 절단방법
KR100753162B1 (ko) 2005-12-29 2007-08-30 주식회사 탑 엔지니어링 모터의 포지션 에러를 이용한 기판 위치 검출 방법 및 이를이용한 스크라이버
JP5374098B2 (ja) * 2008-09-08 2013-12-25 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
KR101084179B1 (ko) * 2009-12-28 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 소자의 봉지 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102730955A (zh) * 2011-03-29 2012-10-17 精工电子有限公司 玻璃体的切断方法、封装件的制造方法、封装件、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟
CN105189020A (zh) * 2013-03-28 2015-12-23 浜松光子学株式会社 激光加工方法
CN105278136A (zh) * 2014-06-25 2016-01-27 三星钻石工业股份有限公司 贴合基板的分断方法
CN105314835A (zh) * 2014-06-25 2016-02-10 三星钻石工业股份有限公司 贴合基板的分断方法
CN105479020A (zh) * 2014-10-06 2016-04-13 三星钻石工业股份有限公司 接合基板的切割方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109553289A (zh) * 2017-09-27 2019-04-02 塔工程有限公司 基板切割装置
CN109553289B (zh) * 2017-09-27 2022-12-16 塔工程有限公司 基板切割装置
CN113492266A (zh) * 2020-03-18 2021-10-12 塔工程有限公司 基板切割方法及基板切割装置
CN113492266B (zh) * 2020-03-18 2023-09-08 塔工程有限公司 基板切割方法及基板切割装置

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