CN107117807A - 划片设备 - Google Patents

划片设备 Download PDF

Info

Publication number
CN107117807A
CN107117807A CN201611253490.1A CN201611253490A CN107117807A CN 107117807 A CN107117807 A CN 107117807A CN 201611253490 A CN201611253490 A CN 201611253490A CN 107117807 A CN107117807 A CN 107117807A
Authority
CN
China
Prior art keywords
base plate
adhesive base
concavo
substrate
scribing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201611253490.1A
Other languages
English (en)
Inventor
金镇洛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Top Engineering Co Ltd
Original Assignee
Top Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Top Engineering Co Ltd filed Critical Top Engineering Co Ltd
Publication of CN107117807A publication Critical patent/CN107117807A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/10—Glass-cutting tools, e.g. scoring tools
    • C03B33/102—Glass-cutting tools, e.g. scoring tools involving a focussed radiation beam, e.g. lasers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/023—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor the sheet or ribbon being in a horizontal position
    • C03B33/033—Apparatus for opening score lines in glass sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明提供一种划片设备，其沿着介入物质的图案切割粘合基板，所述粘合基板包括第一基板、第二基板、以及以预定图案介入于第一基板及第二基板之间的介入物质，所述划片设备包括：划片单元，其沿着所述介入物质的图案在所述粘合基板的表面上形成划片线；激光束照射单元，其向所述介入物质的至少一部分照射激光束，使所述介入物质的至少一部分变性；凹凸测量单元，其用于测量所述粘合基板表面的凹凸；以及移动装置，其根据由所述凹凸测量单元测量的所述粘合基板表面的凹凸，向朝向所述粘合基板的方向及远离所述粘合基板的方向移动所述激光束照射单元。

Description

划片设备
技术领域
本发明涉及一种为了切割基板在基板上形成划片线的设备。
背景技术
通常，通过使用单元玻璃面板来制造用于平板显示器的液晶显示面板、有机电致发光面板、无机电致发光面板、透射投影基板、反射投影基板等，单元玻璃面板是通过将如玻璃等脆性母体玻璃面板切割成预定尺寸而获得。
母体玻璃面板是由第一基板及第二基板粘贴形成的粘合基板。第一基板可以具备薄膜晶体管，第二基板可以具备滤色片。作为粘着剂使用粘合膏来粘贴第一基板及第二基板。第一基板及第二基板之间具有液晶及/或电子元件等。
将粘合基板切割为单元基板的过程(工程)包括：划片过程和裂片过程，所述划片过程是沿着第一基板及第二基板上的假想的预定切割线按压并移动由如钻石等材质制成的划片轮来形成划片线，而所述裂片过程是通过沿着划片线按压粘合基板来切割粘合基板以获得单元基板。
另外，为了加大液晶及/或电子元件等在粘合基板之间实际所占的区域(有效区域)的大小，可以考虑沿着在粘合基板之间形成的粘合膏图案切割粘合基板的方案。这时，沿着粘合膏图案在第一基板及第二基板上形成有划片线，由此，在粘合基板之间被硬化的粘合膏与粘合基板一同被切割。
再者，粘合膏可以粘贴于形成在第一基板及第二基板内面的黑矩阵。也即，粘合膏图案可以与形成在第一基板及第二基板内面的黑矩阵图案一致。
如果粘合膏粘贴于黑矩阵，则在切割粘合基板时，粘合膏及黑矩阵应与粘合基板一同被切割。但是，因黑矩阵的材质、粘合膏与黑矩阵之间的粘着力问题，存在粘合基板无法顺利切割的问题点。
上述问题不仅在切割粘合基板之间介入有粘合膏及黑矩阵的粘合基板时存在，在粘合基板之间介入有保护膜、电极、有机膜、粘着剂、密封剂等物质(以下称为“介入物质”)，沿着介入物质的图案在粘合基板上形成划片线而切割粘合基板的过程中也会发生。
现有文献
专利文献
韩国公开专利第10-2007-0070824号(2007.07.04)
发明内容
本发明致力于解决上述以往技术中存在的问题，目的在于提供一种划片设备，所述划片设备可以沿着介入物质的图案容易地切割粘合基板，所述粘合基板包括第一基板、第二基板、以及以预定图案介入于第一基板及第二基板之间的介入物质。
为达到上述目的，本发明实施例提供一种划片设备，其沿着介入物质的图案切割粘合基板，所述粘合基板包括第一基板、第二基板、以及以预定图案介入于第一基板及第二基板之间的介入物质，所述划片设备包括：划片单元，其沿着所述介入物质的图案在所述粘合基板的表面上形成划片线；激光束照射单元，其向所述介入物质的至少一部分照射激光束，使所述介入物质的至少一部分变性；凹凸测量单元，其用于测量所述粘合基板表面的凹凸；以及，移动装置，其根据由所述凹凸测量单元测量的所述粘合基板表面的凹凸，向朝向所述粘合基板的方向及远离所述粘合基板的方向移动所述激光束照射单元。
本发明实施例中的划片设备，向以预定图案介入于粘合基板之间的介入物质照射激光束，使得至少一部分介入物质变性，根据介入物质的图案在粘合基板上形成划片线，从而切割粘合基板。由此，可以与粘合基板一同轻松切割介入于粘合基板之间的介入物质。
再者，本发明实施例中的划片设备，根据被凹凸测量单元测量的粘合基板表面的凹凸，激光束照射单元向Z轴方向移动，因此，激光束照射单元和粘合基板表面之间的间隔可以维持预定间隔。因此，即使在粘合基板表面上具有凹凸的情况下，从激光束照射单元照射出的激光束的光斑也可以位于粘合基板之间的介入物质内的准确位置上，从而可以达到介入物质的准确变性。由此，可以与粘合基板一同轻松切割介入于粘合基板之间的介入物质。
附图说明
图1为通过本发明第一实施例中的划片设备切割的粘合基板的概略剖面图。
图2为本发明第一实施例中的划片设备的概略示意图。
图3为本发明第一实施例中划片设备所具备的激光束照射单元的概略示意图。
图4至图6为通过本发明第一实施例中的划片设备向介入物质照射激光束，在粘合基板形成划片线的状态的示意图。
图7至图9为用于说明本发明第一实施例中的划片设备的动作的流程图。
图10为本发明第二实施例中的划片设备的概略示意图。
图11为本发明第二实施例中划片设备的凹凸测量单元的概略示意图。
图12为本发明第三实施例中划片设备的凹凸测量单元的概略示意图。
附图标记：
110、120：第一框架、第二框架
210、220：第一划片头、第二划片头
310、320：划片单元
410、420：激光束照射单元
510、520：移动装置
610、620：凹凸测量单元
700：控制单元
810：凹凸测量单元
S：基板
10：介入物质
具体实施方式
以下，参照附图对本发明实施例中的划片设备进行说明。
如图1所示，本发明第一实施例所述划片设备的切割对象是粘合了第一基板S1及第二基板S2的粘合基板S。例如，第一基板S1可以具备薄膜晶体管，第二基板S2可以具备滤色片。粘合基板S之间可以预定图案介入有如粘合膏、黑矩阵、保护膜、电极、有机膜、粘着剂、密封剂等那样的介入物质10，通过上述介入物质10可以维持第一基板S1及第二基板S2之间的间隔。图1示出了在第一基板S1及第二基板S2的内面，作为第一介入物质形成有黑矩阵11，在黑矩阵11之间作为第二介入物质形成有粘合膏12的状态。在粘合基板S之间可以配置有液晶及/或电子元件，为了加大液晶及/或电子元件等在粘合基板S之间所占区域(有效区域)的大小，可以考虑沿着介入物质10的图案切割粘合基板S的方案。
因此，本发明第一实施例提供与介入物质10一同轻松切割粘合基板S的划片设备。
另外，欲形成划片线的粘合基板S的移送方向定义为Y轴方向，与粘合基板S的移送方向(Y轴方向)交叉的方向定义为X轴方向。并且，垂直于放置粘合基板S的X-Y平面的方向定义为Z轴方向。
如图2所示，本发明第一实施例中的划片设备包括：第一框架110，其向X轴方向延长；第一划片头210，其可在X轴方向上移动地设置于第一框架110；第二框架120，其在第一框架110的下方与第一框架110平行地向X轴方向延长；第二划片头220，其可在X轴方向上移动地设置于第二框架120。
第一框架110上朝着X轴方向设置有多个第一划片头210，第二框架120上朝着X轴方向设置有多个第二划片头220。第一框架110及第二框架120一体形成。
第一划片头210及第二划片头220在Z轴方向上相对而设置。第一划片头210可以包括第一划片单元310，第一划片单元310可以包括具备划片轮311的第一划片轮模块313及具备辊315的第一辊模块317。第二划片头220可以包括第二划片单元320，第二划片单元320可以包括具备划片轮321的第二划片轮模块323及具备辊325的第二辊模块327。
第一划片轮模块313的划片轮311与第二辊模块327的辊325相对齐地配置，第二划片轮模块323的划片轮321与第一辊模块317的辊315相对齐地配置。第一划片轮模块313的划片轮311及第一辊模块317的辊315在X轴方向上排成一列，第二划片轮模块323的划片轮321及第二辊模块327的辊325在X轴方向上排成一列。
第一划片轮模块313的划片轮311及第一辊模块317的辊315可按压第一基板S1，第二划片轮模块323的划片轮321及第二辊模块327的辊325可按压第二基板S2。
第一划片轮模块313及第二划片轮模块323可沿着Z轴方向上移动，由此，可以调整第一划片轮311及第二划片轮321按压粘合基板S的按压力。并且，通过第一划片轮模块313及第二划片轮模块323在Z轴方向上的移动，可以调整第一划片轮311及第二划片轮321在粘合基板S内的切割深度。
由此，在多个划片轮311、321分别按压第一基板S1及第二基板S2的状态下，通过第一划片头210及第二划片头220相对于粘合基板S1向X轴方向移动，可以在第一基板S1及第二基板S2分别形成划片线。在此过程中，多个辊315、325起到支撑多个划片轮311、321按压第一基板S1及第二基板S2的力度的作用。
此时，多个划片轮311、321与平行于介入物质10的图案的线L对齐设置，由此，由多个划片轮311、321形成的划片线可以与平行于介入物质10的图案的线L对齐。因此，粘合基板S可以沿着介入物质10的图案切割。
如图2至图4所示，第一划片头210可以具备第一激光束照射单元410，第二划片头220可以具备第二激光束照射单元420。第一激光束照射单元410及第二激光束照射单元420向介入物质10的至少一部分照射激光束而使得介入物质10的至少一部分变性。当激光束照射到介入物质10，则介入物质10会烧毁。由此，在沿着介入物质10的图案切割粘合基板S时，介入物质10也容易被切割。
第一激光束照射单元410及第二激光束照射单元420可以放出可被介入物质10吸收的波段的激光束。第一激光束照射单元410及第二激光束照射单元420可以与产生激光束的激光源(未图示)连接，作为激光源，可以使用CO2激光、YAG激光、脉冲激光、飞秒激光等各种激光源。并且，在激光源与第一激光束照射单元410及第二激光束照射单元420之间可以根据需要包括扩束器、准直器等光学元件。
第一激光束照射单元410及第二激光束照射单元420可向Z轴方向移动，由此，可以调整由第一激光束照射单元410及第二激光束照射单元420照射的激光束的光斑P的Z轴方向上的位置。随着激光束的光斑P在Z轴方向上的位置被调整，激光束依次照射于第一介入物质11及第二介入物质12，由此，第一介入物质11及第二介入物质12会依次发生变性。
参照图4至图9，对本发明第一实施例中的划片设备的动作进行说明。
首先，如图4及图7所示，步骤S110：第一激光束照射单元410及第二激光束照射单元420位于与介入物质10的图案相对齐的位置，向介入物质10照射激光束。随着激光束的光斑P位于介入物质10，介入物质10的至少一部分在激光束的光及热的影响下变性。
由此，如图5所示，在介入物质10内存在有变性的部分A，变性的部分A与介入物质10的其他部分相比容易被切割。
再者，如本发明的第一实施例，介入物质10包括作为第一介入物质11的黑矩阵和作为第二介入物质12的粘合膏时，第一激光束照射单元410及第二激光束照射单元420一边向Z轴方向移动，一边依次向第一介入物质11及第二介入物质12照射激光束。由此，第一介入物质11及第二介入物质12上存在变性的部分，第一介入物质11及第二介入物质12容易被切割。
如上所述，介入物质10的至少一部分变性后，如图5及图7所示，步骤S120：与介入物质10的变性的部分对应地用划片轮311、321按压粘合基板S，在粘合基板S上形成划片线。在划片轮311、321的压力下，上述划片线形成为粘合基板S内的裂纹C。由此，粘合基板S可以沿着划片线切割。
如上所述，在由于介入物质10的变性的部分A介入物质10变脆弱的状态下，在粘合基板S上形成划片线，因此，粘合基板S容易切割。作为另外一例，在介入物质10变性、粘合基板S上形成划片线的状态下，粘合基板S移送至裂片过程后被切割。
另外一例，如图6及图8所示，还可以包括步骤S130：在介入物质10变性、粘合基板S上形成划片线的状态下，用划片轮311、321按压介入物质10的变性的部分A，在介入物质10的变性的部分A形成划片线。
如本发明的第一实施例，介入物质10包括作为第一介入物质11的黑矩阵和作为第二介入物质12的粘合膏时，第一划片轮模块313及第二划片轮模块323向Z轴方向移动，在第一介入物质11及第二介入物质12上依次形成划片线。由此，通过形成在第一介入物质11及第二介入物质12的划片线，容易切割第一介入物质11及第二介入物质12。
为了使得划片轮311、321容易到达介入物质10，在粘合基板S上形成划片线的过程中，划片单元310、320可以在粘合基板S上形成划片线而使得介入物质10的变性的部分A暴露于外部。
如上，不仅在粘合基板S上形成划片线，在介入物质10上也会形成划片线，因此可更加容易地切割粘合基板S。
作为另一例，如图9所示，首先执行步骤S210：与介入物质10的图案对应地用划片轮311、321按压粘合基板S而在粘合基板S上形成划片线，之后执行步骤S220：向沿划片线存在的介入物质10的至少一部分照射激光束，使得介入物质10的至少一部分产生变性。
此时，在粘合基板S上形成划片线的过程中，划片单元310、320可以形成划片线来使得介入物质10的一部分暴露于外部，使得激光束圆滑地照射至介入物质10。
并且，在粘合基板S上形成划片线的过程中，划片单元310、320可以在介入物质10的一部分上形成划片线。
如本发明的第一实施例，介入物质10包括作为第一介入物质11的黑矩阵和作为第二介入物质12的粘合膏时，第一激光束照射单元410及第二激光束照射单元420向Z轴方向移动，激光束依次照射于第一介入物质11及第二介入物质12。
本发明第一实施例中的划片设备向以预定图案介入于粘合基板S之间的介入物质10照射激光束来使得介入物质10的至少一部分变性，根据介入物质10的图案，在粘合基板S上形成划片线，而切割粘合基板S。由此，与粘合基板S一同可以轻松切割介入于粘合基板S之间的介入物质10。
以下，参照图10至图11对本发明第二实施例中的划片设备进行说明。与本发明的第一实施例结构相同的部分将使用相同的幅图标记，对此的详细说明将省略。
根据情况，粘合基板S的表面并不会一直保持平坦，而会形成轻微的凹凸。如果粘合基板S具有凹凸，粘合基板S在Z轴方向上的位置会发生变化，并且介入于粘合基板S之间的介入物质10在Z轴方向上的位置也会发生变化。由此，在粘合基板S具有凹凸的状态下，由激光束照射单元410、420照射激光束时，会产生激光束的光斑P没有位于介入物质10，导致介入物质10无法正确变性的问题。
由此，在本发明的第二实施例提供一种划线设备，其测量粘合基板S的凹凸，根据粘合基板S的凹凸，来调整激光束照射单元410、420在Z轴方向上的位置，从而使得激光束的光斑P准确位于介入物质10。
如图10及图11所示，本发明第二实施例中的划片设备包括：移动装置510、520，其将激光束照射单元410、420向Z轴方向移动；凹凸测量单元610、620，用于测量粘合基板S表面的凹凸；控制单元700，根据由凹凸测量单元610、620测量的粘合基板S的凹凸来控制移动装置510、520，以调整激光束照射单元410、420在Z轴方向上的位置。
移动装置510、520分别与激光束照射单元410、420连接，将激光束照射单元410、420向相邻于粘合基板S的方向及与粘合基板S相分开的方向移动。作为移动装置510、520可以使用通过气压或油压运行的致动器、通过电磁作用来运行的直线电机或如球杆装置的直线移动装置。
凹凸测量单元610、620包括设置于第一划片头210的第一凹凸测量单元610及设置于第二划片头220的第二凹凸测量单元620。设置于第一划片头210的第一凹凸测量单元610与设置于第二划片头220的第二凹凸测量单元620具有相同的结构及作用效果。以下，将设置于第一划片头210的第一凹凸测量单元610为代表称为凹凸测量单元610，参照图11对凹凸测量单元610进行说明。
如图11所示，凹凸测量单元610包括：凹凸测量头611，其设置于第一划片头210，与第一划片头210一同沿着粘合基板S的表面移动；凹凸测量部件612，其设置于凹凸测量头611上，根据粘合基板S表面的凹凸，可以向朝向粘合基板S表面的方向及远离粘合基板S表面的方向移动；位置测量装置613，用于测量凹凸测量部件612在Z轴方向的位置。
凹凸测量部件612维持接触于粘合基板S的表面的状态。当凹凸测量头611移动时，凹凸测量部件612可以随着粘合基板S的凹凸向Z轴方向移动。凹凸测量部件612可向Z轴方向滑动地设置于凹凸测量头611，使得凹凸测量部件612可以随着粘合基板S的凹凸向Z轴方向移动。并且，凹凸测量部件612上可以连接有如弹簧的弹性件，使得凹凸测量部件612可以随着粘合基板S表面的凹凸向Z轴方向移动。与粘合基板S的表面接触的凹凸测量部件612的端部，优选地设置有如球或辊那样的降低摩擦部件619。降低摩擦部件619在接触于粘合基板S的表面的状态下可以进行滚动。作为另一例，降低摩擦部件619可以是柔性的塑料、树脂等材料。
位置测量装置613与控制单元700连接，由位置测量装置613测量的凹凸测量部件612的位置及位移相关的信息可以被传送至控制单元700。
位置测量装置613包括：基准部件614，其设置于凹凸测量部件612；感应部件615，与基准部件614相对地设置于位置测量头611。作为另一例，基准部件614可以设置在位置测量头611，感应部件615可以设置在凹凸测量部件612。上述位置测量装置613利用基准部件614与感应部件615的相互作用来测量凹凸测量部件612的位置及位移。
作为一例，基准部件614可以包括具有预定刻度的标尺，感应部件615可以包括拍摄标尺的摄像机。这种时候，以通过感应部件615拍摄的标尺的图像为基准，测量基准部件614与感应部件615之间的相对位置，以测量的相对位置为准可以测量凹凸测量部件612的位置。
作为另一例，基准部件614可以包括根据位置不同而反射角度不同的反射面，感应部件615包括向反射面发光的发光传感器和接收从反射面反射的光的收光传感器。这时候，通过测量从反射面反射的光的反射角度，来测量基准部件614与感应部件615之间的相对位置，以测量的相对位置为准来测量凹凸测量部件612的位置。
根据如上构成，在凹凸测量部件612的端部接触于粘合基板S的表面的状态下，凹凸测量头611沿着粘合基板S的表面移动，则凹凸测量部件612根据粘合基板S表面的凹凸向Z轴方向移动。
随着凹凸测量部件612的移动，基准部件614与感应部件615之间的相对位置会变，以这种相对位置的变化为准可以测量凹凸测量部件612的位移。
这种凹凸测量部件612的位移表示粘合基板S表面的凹凸的大小。此时，控制单元700以由位置测量装置613测量的凹凸测量部件612的位移为准来控制移动装置510，使得移动装置510对应于凹凸测量部件612的位移移动激光束照射单元410。
由此，根据由位置测量装置613测量的凹凸测量部件612的位移，激光束照射单元410可以向朝向粘合基板S的方向及远离粘合基板S的方向移动，因此，激光束照射单元410与粘合基板S表面之间的间隔可以均衡维持预定间隔。
在这里，预定间隔是指由激光束照射单元410照射的激光束的光斑P位于介入物质10内的准确位置时的间隔。预定间隔可以通过多次的实验或模拟来设定。
如上所述，激光束照射单元410根据由凹凸测量单元610测量的粘合基板S表面的凹凸向Z轴方向移动，因此，激光束照射单元410和粘合基板S表面之间的间隔可以均衡维持预定间隔。由此，即使粘合基板S表面上形成有凹凸，由激光束照射单元410照射的激光束的光斑P可以位于粘合基板S之间的介入物质10内的准确位置，从而可以使得介入物质10准确变性，可以与粘合基板S一同轻松切割介入于粘合基板S之间的介入物质10。
以下，参照图12对本发明第三实施例中的划片设备进行说明。与本发明的第一实施例及第二实施例中说明的结构相同的部分用相同的附图标记表示，并省略对此的详细说明。
如图12所示，本发明第三实施中的划片设备包括：移动装置510，其将激光束照射单元410、420向Z轴方向移动；凹凸测量单元810，用于测量粘合基板S表面的凹凸；控制单元700，根据由凹凸测量单元810测量的粘合基板S的凹凸来控制移动装置510，以调整激光束照射单元410在Z轴方向上的位置。
凹凸测量单元810包括：凹凸测量头811，其设置于第一划片头210，与第一划片头210一同沿着粘合基板S的表面移动；距离测量装置813，其设置于凹凸测量头811，测量与粘合基板S之间的距离。
在凹凸测量头811移动时，距离测量装置813实时测量与粘合基板S的距离，根据与粘合基板S的距离的变化来测量粘合基板S的凹凸。
距离测量装置813包括：发光部814，其向粘合基板S的表面放射激光；收光部815，与发光部814间隔开预定距离，接收被粘合基板S反射的激光。上述距离测量装置813将电信号输出至控制单元700，从而测量与粘合基板S的距离，所述电信号是根据从发光部814发光后被粘合基板S反射的激光的成像位置产生。
在上述结构中，当凹凸测量头811沿着粘合基板S的表面移动，则由距离测量装置813测量与粘合基板S表面的距离。
此时，控制单元700以由距离测量装置813测量的与粘合基板S表面的距离为准来控制移动装置510，使得移动装置510根据与粘合基板S表面的距离的变化来移动激光束照射单元410。
由此，激光束照射单元410根据由距离测量装置813测量的与粘合基板S表面的距离的变化，来向朝向粘合基板S的方向及远离粘合基板S的方向移动，因此，激光束照射单元410与粘合基板S表面之间的间隔可以均衡维持预定间隔。
在这里，预定间隔是指由激光束照射单元410照射的激光束的光斑P位于介入物质10内的准确位置时的间隔。预定间隔可以通过多次的实验或模拟来设定。
如上所述，激光束照射单元410根据由凹凸测量单元810测量的粘合基板S表面的凹凸向Z轴方向移动，因此，激光束照射单元410与粘合基板S表面之间的间隔可以均衡维持预定间隔。由此，即使粘合基板S表面上形成有凹凸，由激光束照射单元410照射的激光束的光斑P可以位于粘合基板S之间的介入物质10内的准确位置，从而可以使得介入物质10准确变性。从而可以与粘合基板S一同轻松切割介入于粘合基板S之间的介入物质10。
虽然已经在上面描述了本发明的示例性实施方式，但是本发明的范围并不限于上述特定实施例，可以在权利要求范围内进行适当的变化。

Claims (7)

1.一种划片设备，其沿着介入物质的图案切割粘合基板，所述粘合基板包括第一基板、第二基板、以及以预定图案介入于第一基板及第二基板之间的介入物质，其中，
所述划片设备包括：
划片单元，其沿着所述介入物质的图案，在所述粘合基板的表面上形成划片线；
激光束照射单元，其向所述介入物质的至少一部分照射激光束，使所述介入物质的至少一部分变性；
凹凸测量单元，其用于测量所述粘合基板表面的凹凸；以及
移动装置，其根据由所述凹凸测量单元测量的所述粘合基板表面的凹凸，向朝向所述粘合基板的方向及远离所述粘合基板的方向移动所述激光束照射单元。
2.根据权利要求1所述的划片设备，其中，
所述凹凸测量单元包括：
凹凸测量头，其能够沿着所述粘合基板的表面移动；
凹凸测量部件，其设置于所述凹凸测量头，与所述粘合基板的表面接触，随着所述粘合基板表面的凹凸，可以向朝向所述粘合基板的方向及远离所述粘合基板的方向移动；以及
位置测量装置，用于测量所述凹凸测量部件的位置。
3.根据权利要求2所述的划片设备，其中，
接触于所述粘合基板表面的所述凹凸测量部件的端部具有降低摩擦部件。
4.根据权利要求3所述的划片设备，其中，
所述降低摩擦部件为接触于所述粘合基板进行滚动的球或辊。
5.根据权利要求1所述的划片设备，其中，
所述凹凸测量单元包括距离测量装置，
所述距离测量装置包括：
发光部，其向所述粘合基板的表面放射激光；以及
收光部，与所述发光部隔开预定距离并接收被所述粘合基板反射的激光。
6.根据权利要求1所述的划片设备，其中，
所述划片单元在所述第一基板及第二基板形成划片线，使得所述介入物质的变性的部分暴露于外部。
7.根据权利要求6所述的划片设备，其中，
所述划片单元在暴露于外部的所述介入物质的变性的部分形成划片线。
CN201611253490.1A 2016-12-01 2016-12-30 划片设备 Pending CN107117807A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160162968A KR102665594B1 (ko) 2016-12-01 2016-12-01 스크라이빙 장치
KR10-2016-0162968 2016-12-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107117807A true CN107117807A (zh) 2017-09-01

Family

ID=59717828

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611253490.1A Pending CN107117807A (zh) 2016-12-01 2016-12-30 划片设备
CN201721008649.3U Expired - Fee Related CN207052568U (zh) 2016-12-01 2017-08-11 划片设备

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201721008649.3U Expired - Fee Related CN207052568U (zh) 2016-12-01 2017-08-11 划片设备

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102665594B1 (zh)
CN (2) CN107117807A (zh)
TW (2) TWM556927U (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109516682A (zh) * 2017-09-19 2019-03-26 塔工程有限公司 划片设备
CN109553289A (zh) * 2017-09-27 2019-04-02 塔工程有限公司 基板切割装置
CN109824253A (zh) * 2017-11-23 2019-05-31 塔工程有限公司 基板切割装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102665594B1 (ko) * 2016-12-01 2024-05-17 주식회사 탑 엔지니어링 스크라이빙 장치
TWI663016B (zh) * 2018-08-31 2019-06-21 晶達光電股份有限公司 面板切割裝置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1343542A (zh) * 2000-09-20 2002-04-10 精工爱普生株式会社 激光割断方法、激光割断装置、液晶装置的制造方法以及液晶装置的制造装置
CN102701578A (zh) * 2012-05-29 2012-10-03 安徽三鑫机械制造有限公司 数控微粒玻璃切割机
CN103447687A (zh) * 2012-05-31 2013-12-18 灿美工程股份有限公司 激光加工系统及方法
CN104128705A (zh) * 2013-05-03 2014-11-05 三星显示有限公司 基板剥离方法以及基板剥离装置
CN207052568U (zh) * 2016-12-01 2018-02-27 塔工程有限公司 划片设备

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3873328B2 (ja) * 1996-08-07 2007-01-24 住友電気工業株式会社 溝入れ加工方法及び加工装置
KR100753162B1 (ko) 2005-12-29 2007-08-30 주식회사 탑 엔지니어링 모터의 포지션 에러를 이용한 기판 위치 검출 방법 및 이를이용한 스크라이버
KR20070074269A (ko) * 2006-01-09 2007-07-12 주식회사 탑 엔지니어링 페이스트 도포장치의 디스펜스 헤드
JP4913481B2 (ja) * 2006-06-12 2012-04-11 株式会社ディスコ ウエーハ研削装置
JP5374098B2 (ja) * 2008-09-08 2013-12-25 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
KR20100046551A (ko) * 2008-10-27 2010-05-07 세메스 주식회사 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
KR101041140B1 (ko) * 2009-03-25 2011-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 방법
KR20120019649A (ko) * 2010-08-26 2012-03-07 삼성엘이디 주식회사 레이저 스크라이빙 장치 및 그의 스크라이빙 방법
TWI433625B (zh) * 2011-07-04 2014-04-01 Ind Tech Res Inst 軟性電子元件的製法
US8912078B1 (en) * 2014-04-16 2014-12-16 Applied Materials, Inc. Dicing wafers having solder bumps on wafer backside
WO2015175268A1 (en) * 2014-05-16 2015-11-19 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using an ultra-short pulsed laguerre gauss beam laser scribing process and plasma etch process
JP6432245B2 (ja) * 2014-09-26 2018-12-05 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板分断方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1343542A (zh) * 2000-09-20 2002-04-10 精工爱普生株式会社 激光割断方法、激光割断装置、液晶装置的制造方法以及液晶装置的制造装置
CN102701578A (zh) * 2012-05-29 2012-10-03 安徽三鑫机械制造有限公司 数控微粒玻璃切割机
CN103447687A (zh) * 2012-05-31 2013-12-18 灿美工程股份有限公司 激光加工系统及方法
CN104128705A (zh) * 2013-05-03 2014-11-05 三星显示有限公司 基板剥离方法以及基板剥离装置
CN207052568U (zh) * 2016-12-01 2018-02-27 塔工程有限公司 划片设备

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109516682A (zh) * 2017-09-19 2019-03-26 塔工程有限公司 划片设备
KR20190032721A (ko) * 2017-09-19 2019-03-28 주식회사 탑 엔지니어링 스크라이빙 장치
KR102582733B1 (ko) * 2017-09-19 2023-09-27 주식회사 탑 엔지니어링 스크라이빙 장치
CN109553289A (zh) * 2017-09-27 2019-04-02 塔工程有限公司 基板切割装置
KR20190036238A (ko) * 2017-09-27 2019-04-04 주식회사 탑 엔지니어링 기판 절단 장치
CN109553289B (zh) * 2017-09-27 2022-12-16 塔工程有限公司 基板切割装置
KR102582734B1 (ko) * 2017-09-27 2023-09-27 주식회사 탑 엔지니어링 기판 절단 장치
CN109824253A (zh) * 2017-11-23 2019-05-31 塔工程有限公司 基板切割装置
TWI697068B (zh) * 2017-11-23 2020-06-21 韓商塔工程有限公司 基板切割裝置
CN109824253B (zh) * 2017-11-23 2021-07-06 塔工程有限公司 基板切割装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201822290A (zh) 2018-06-16
TWI618166B (zh) 2018-03-11
TWM556927U (zh) 2018-03-11
KR102665594B1 (ko) 2024-05-17
KR20180063421A (ko) 2018-06-12
CN207052568U (zh) 2018-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN207052568U (zh) 划片设备
JP5517423B2 (ja) インプリント装置及びインプリント方法
CN104181768B (zh) 压印方法、压印装置和器件制造方法
CN104170055B (zh) 压印装置、模具、压印方法以及制造物品的方法
JP6128337B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び製造装置
US11971569B2 (en) Optical body and light emitting device
CN103157579A (zh) 粘结装置
TW201815503A (zh) 光均勻化模組及包括其的雷射焊接裝置
WO2022171103A1 (zh) 转移设备、转移方法和显示装置
CN207255482U (zh) 划片设备
JP5745129B2 (ja) インプリント装置及びインプリント方法
CN109824253A (zh) 基板切割装置
CN109516682A (zh) 划片设备
CN109553289A (zh) 基板切割装置
CN114660715B (zh) 波导模组的制备方法
CN215069888U (zh) 转移设备和显示装置
TW202001677A (zh) 標記識別裝置、標記識別方法及假壓對位設備
CN117681298B (zh) 一种实木复合门检测整平装置及其整平工艺
US20180366902A1 (en) Laser projector with angled reflector
CN109243968A (zh) 激光晶化装置的监控系统及监控方法
JP2015135975A (ja) インプリント装置及びインプリント方法
CN206578441U (zh) 基板厚度测量装置
CN106323177B (zh) 高准确度实时鉴别光电玻璃基板的装置及其方法
CN117800576A (zh) 玻璃焊接方法及装置
JP2001345290A (ja) ウェハのスクライブ装置および半導体レーザの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20170901