TWI618166B - 劃刻設備 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種劃刻設備，其沿著介入物質的圖案切割粘合基板，所述粘合基板包括第一基板、第二基板、以及以預定圖案介入於第一基板及第二基板之間的介入物質，所述劃刻設備包括：劃刻單元，其沿著所述介入物質的圖案在所述粘合基板的表面上形成劃刻線；雷射束照射單元，其向所述介入物質的至少一部分照射雷射束，使所述介入物質的至少一部分變性；凹凸測量單元，其用於測量所述粘合基板表面的凹凸；以及移動裝置，其根據由所述凹凸測量單元測量的所述粘合基板表面的凹凸，向朝向所述粘合基板的方向及遠離所述粘合基板的方向移動所述雷射束照射單元。
Description
本發明涉及一種為了切割基板在基板上形成劃刻線的設備。
通常，通過使用單元玻璃面板來製造用於平板顯示器的液晶顯示面板、有機電致發光面板、無機電致發光面板、透射投影基板、反射投影基板等，單元玻璃面板是通過將如玻璃等脆性母體玻璃面板切割成預定尺寸而獲得。
母體玻璃面板是由第一基板及第二基板粘貼形成的粘合基板。第一基板可以具備薄膜電晶體，第二基板可以具備濾色片。作為粘著劑使用粘合膏來粘貼第一基板及第二基板。第一基板及第二基板之間具有液晶及/或電子元件等。
將粘合基板切割為單元基板的過程(工程)包括：劃刻過程和裂片過程，所述劃刻過程是沿著第一基板及第二基板上的假想的預定切割線按壓並移動由如鑽石等材質製成的劃刻輪來形成劃刻線，而所述裂片過程是通過沿著劃刻線按壓粘合基板來切割粘合基板以獲得單元基板。
另外，為了加大液晶及/或電子元件等在粘合基板之間實際所占的區域(有效區域)的大小，可以考慮沿著在粘合基板之間形成的粘合膏圖案切割粘合基板的方案。這時，沿著粘合膏圖案在第一基板及第二
基板上形成有劃刻線，由此，在粘合基板之間被硬化的粘合膏與粘合基板一同被切割。
再者，粘合膏可以粘貼于形成在第一基板及第二基板內面的黑矩陣。也即，粘合膏圖案可以與形成在第一基板及第二基板內面的黑矩陣圖案一致。
如果粘合膏粘貼于黑矩陣，則在切割粘合基板時，粘合膏及黑矩陣應與粘合基板一同被切割。但是，因黑矩陣的材質、粘合膏與黑矩陣之間的粘著力問題，存在粘合基板無法順利切割的問題。
上述問題不僅在切割粘合基板之間介入有粘合膏及黑矩陣的粘合基板時存在，在粘合基板之間介入有保護膜、電極、有機膜、粘著劑、密封劑等物質(以下稱為“介入物質”)，沿著介入物質的圖案在粘合基板上形成劃刻線而切割粘合基板的過程中也會發生。
韓國公開專利第10-2007-0070824號(2007.07.04)
本發明致力於解決上述以往技術中存在的問題，目的在於提供一種劃刻設備，所述劃刻設備可以沿著介入物質的圖案容易地切割粘合基板，所述粘合基板包括第一基板、第二基板、以及以預定圖案介入於第一基板及第二基板之間的介入物質。
為達到上述目的，本發明實施例提供一種劃刻設備，其沿著
介入物質的圖案切割粘合基板，所述粘合基板包括第一基板、第二基板、以及以預定圖案介入於第一基板及第二基板之間的介入物質，所述劃刻設備包括：劃刻單元，其沿著所述介入物質的圖案在所述粘合基板的表面上形成劃刻線；雷射束照射單元，其向所述介入物質的至少一部分照射雷射束，使所述介入物質的至少一部分變性；凹凸測量單元，其用於測量所述粘合基板表面的凹凸；以及，移動裝置，其根據由所述凹凸測量單元測量的所述粘合基板表面的凹凸，向朝向所述粘合基板的方向及遠離所述粘合基板的方向移動所述雷射束照射單元。
本發明實施例中的劃刻設備，向以預定圖案介入於粘合基板之間的介入物質照射雷射束，使得至少一部分介入物質變性，根據介入物質的圖案在粘合基板上形成劃刻線，從而切割粘合基板。由此，可以與粘合基板一同輕鬆切割介入於粘合基板之間的介入物質。
再者，本發明實施例中的劃刻設備，根據被凹凸測量單元測量的粘合基板表面的凹凸，雷射束照射單元向Z軸方向移動，因此，雷射束照射單元和粘合基板表面之間的間隔可以維持預定間隔。因此，即使在粘合基板表面上具有凹凸的情況下，從雷射束照射單元照射出的雷射束的光斑也可以位於粘合基板之間的介入物質內的準確位置上，從而可以達到介入物質的準確變性。
由此，可以與粘合基板一同輕鬆切割介入於粘合基板之間的介入物質。
10‧‧‧介入物質
11‧‧‧第一介入物質
12‧‧‧第二介入物質
110‧‧‧第一框架
120‧‧‧第二框架
210‧‧‧第一劃刻頭
220‧‧‧第二劃刻頭
310‧‧‧第一劃刻單元
311‧‧‧劃刻輪
313‧‧‧第一劃刻輪模塊
315‧‧‧輥
317‧‧‧第一輥模塊
320‧‧‧第二劃刻單元
321‧‧‧劃刻輪
323‧‧‧第二劃刻輪模塊
325‧‧‧輥
327‧‧‧第二輥模塊
410‧‧‧第一雷射束照射單元
420‧‧‧第二雷射束照射單元
510、520‧‧‧移動裝置
610、620‧‧‧凹凸測量單元
611‧‧‧凹凸測量頭
612‧‧‧凹凸測量部件
613‧‧‧位置測量裝置
614‧‧‧基準部件
615‧‧‧感應部件
619‧‧‧降低摩擦部件
700‧‧‧控制單元
810‧‧‧凹凸測量單元
811‧‧‧凹凸測量頭
813‧‧‧距離測量裝置
814‧‧‧發光部
815‧‧‧收光部
A‧‧‧變性的部分
C‧‧‧裂紋
L‧‧‧線
P‧‧‧光斑
S‧‧‧基板
S1‧‧‧第一基板
S2‧‧‧第二基板
圖1為通過本發明第一實施例中的劃刻設備切割的粘合基板的概略剖面圖。
圖2為本發明第一實施例中的劃刻設備的概略示意圖。
圖3為本發明第一實施例中劃刻設備所具備的雷射束照射單元的概略示意圖。
圖4至圖6為通過本發明第一實施例中的劃刻設備向介入物質照射雷射束，在粘合基板形成劃刻線的狀態的示意圖。
圖7至圖9為用於說明本發明第一實施例中的劃刻設備的動作的流程圖。
圖10為本發明第二實施例中的劃刻設備的概略示意圖。
圖11為本發明第二實施例中劃刻設備的凹凸測量單元的概略示意圖。
圖12為本發明第三實施例中劃刻設備的凹凸測量單元的概略示意圖。
以下，參照附圖對本發明實施例中的劃刻設備進行說明。
如圖1所示，本發明第一實施例所述劃刻設備的切割對象是粘合了第一基板S1及第二基板S2的粘合基板S。例如，第一基板S1可以具備薄膜電晶體，第二基板S2可以具備濾色片。粘合基板S之間可以預定圖案介入有如粘合膏、黑矩陣、保護膜、電極、有機膜、粘著劑、密封劑等那樣的介入物質10，通過上述介入物質10可以維持第一基板S1及第二基板S2之間的間隔。圖1示出了在第一基板S1及第二基板S2的內面，作為第一介入物質
11形成有黑矩陣，在黑矩陣之間作為第二介入物質12形成有粘合膏的狀態。在粘合基板S之間可以配置有液晶及/或電子元件，為了加大液晶及/或電子元件等在粘合基板S之間所占區域(有效區域)的大小，可以考慮沿著介入物質10的圖案切割粘合基板S的方案。
因此，本發明第一實施例提供與介入物質10一同輕鬆切割粘合基板S的劃刻設備。
另外，欲形成劃刻線的粘合基板S的移送方向定義為Y軸方向，與粘合基板S的移送方向(Y軸方向)交叉的方向定義為X軸方向。並且，垂直於放置粘合基板S的X-Y平面的方向定義為Z軸方向。
如圖2所示，本發明第一實施例中的劃刻設備包括：第一框架110，其向X軸方向延長；第一劃刻頭210，其可在X軸方向上移動地設置於第一框架110；第二框架120，其在第一框架110的下方與第一框架110平行地向X軸方向延長；第二劃刻頭220，其可在X軸方向上移動地設置於第二框架120。
第一框架110上朝著X軸方向設置有多個第一劃刻頭210，第二框架120上朝著X軸方向設置有多個第二劃刻頭220。第一框架110及第二框架120一體形成。
第一劃刻頭210及第二劃刻頭220在Z軸方向上相對而設置。第一劃刻頭210可以包括第一劃刻單元310，第一劃刻單元310可以包括具備劃刻輪311的第一劃刻輪模塊313及具備輥315的第一輥模塊317。第二劃刻頭220可以包括第二劃刻單元320，第二劃刻單元320可以包括具備劃刻輪321
的第二劃刻輪模塊323及具備輥325的第二輥模塊327。
第一劃刻輪模塊313的劃刻輪311與第二輥模塊327的輥325相對齊地配置，第二劃刻輪模塊323的劃刻輪321與第一輥模塊317的輥315相對齊地配置。第一劃刻輪模塊313的劃刻輪311及第一輥模塊317的輥315在X軸方向上排成一列，第二劃刻輪模塊323的劃刻輪321及第二輥模塊327的輥325在X軸方向上排成一列。
第一劃刻輪模塊313的劃刻輪311及第一輥模塊317的輥315可按壓第一基板S1，第二劃刻輪模塊323的劃刻輪321及第二輥模塊327的輥325可按壓第二基板S2。
第一劃刻輪模塊313及第二劃刻輪模塊323可沿著Z軸方向上移動，由此，可以調整第一劃刻輪311及第二劃刻輪321按壓粘合基板S的按壓力。並且，通過第一劃刻輪模塊313及第二劃刻輪模塊323在Z軸方向上的移動，可以調整第一劃刻輪311及第二劃刻輪321在粘合基板S內的切割深度。
由此，在多個劃刻輪311、321分別按壓第一基板S1及第二基板S2的狀態下，通過第一劃刻頭210及第二劃刻頭220相對於粘合基板S1向X軸方向移動，可以在第一基板S1及第二基板S2分別形成劃刻線。在此過程中，多個輥315、325起到支撐多個劃刻輪311、321按壓第一基板S1及第二基板S2的力度的作用。
此時，多個劃刻輪311、321與平行於介入物質10的圖案的線L對齊設置，由此，由多個劃刻輪311、321形成的劃刻線可以與平行於介入物質10的圖案的線L對齊。因此，粘合基板S可以沿著介入物質10的圖案切
割。
如圖2至圖4所示，第一劃刻頭210可以具備第一雷射束照射單元410，第二劃刻頭220可以具備第二雷射束照射單元420。第一雷射束照射單元410及第二雷射束照射單元420向介入物質10的至少一部分照射雷射束而使得介入物質10的至少一部分變性。當雷射束照射到介入物質10，則介入物質10會燒毀。由此，在沿著介入物質10的圖案切割粘合基板S時，介入物質10也容易被切割。
第一雷射束照射單元410及第二雷射束照射單元420可以放出可被介入物質10吸收的波段的雷射束。第一雷射束照射單元410及第二雷射束照射單元420可以與產生雷射束的雷射源(未圖示)連接，作為雷射源，可以使用CO2雷射、YAG雷射、脈衝雷射、飛秒雷射等各種雷射源。並且，在雷射源與第一雷射束照射單元410及第二雷射束照射單元420之間可以根據需要包括擴束器、準直器等光學元件。
第一雷射束照射單元410及第二雷射束照射單元420可向Z軸方向移動，由此，可以調整由第一雷射束照射單元410及第二雷射束照射單元420照射的雷射束的光斑P的Z軸方向上的位置。隨著雷射束的光斑P在Z軸方向上的位置被調整，雷射束依次照射於第一介入物質11及第二介入物質12，由此，第一介入物質11及第二介入物質12會依次發生變性。
參照圖4至圖9，對本發明第一實施例中的劃刻設備的動作進行說明。
首先，如圖4及圖7所示，步驟S110：第一雷射束照射單元410
及第二雷射束照射單元420位於與介入物質10的圖案相對齊的位置，向介入物質10照射雷射束。隨著雷射束的光斑P位於介入物質10，介入物質10的至少一部分在雷射束的光及熱的影響下變性。
由此，如圖5所示，在介入物質10內存在有變性的部分A，變性的部分A與介入物質10的其他部分相比容易被切割。
再者，如本發明的第一實施例，介入物質10包括作為第一介入物質11的黑矩陣和作為第二介入物質12的粘合膏時，第一雷射束照射單元410及第二雷射束照射單元420一邊向Z軸方向移動，一邊依次向第一介入物質11及第二介入物質12照射雷射束。由此，第一介入物質11及第二介入物質12上存在變性的部分，第一介入物質11及第二介入物質12容易被切割。
如上所述，介入物質10的至少一部分變性後，如圖5及圖7所示，步驟S120：與介入物質10的變性的部分對應地用劃刻輪311、321按壓粘合基板S，在粘合基板S上形成劃刻線。在劃刻輪311、321的壓力下，上述劃刻線形成為粘合基板S內的裂紋C。由此，粘合基板S可以沿著劃刻線切割。
如上所述，在由於介入物質10的變性的部分A介入物質10變脆弱的狀態下，在粘合基板S上形成劃刻線，因此，粘合基板S容易切割。作為另外一例，在介入物質10變性、粘合基板S上形成劃刻線的狀態下，粘合基板S移送至裂片過程後被切割。
另外一例，如圖6及圖8所示，還可以包括步驟S130：在介入物質10變性、粘合基板S上形成劃刻線的狀態下，用劃刻輪311、321按壓介入物質10的變性的部分A，在介入物質10的變性的部分A形成劃刻線。
如本發明的第一實施例，介入物質10包括作為第一介入物質11的黑矩陣和作為第二介入物質12的粘合膏時，第一劃刻輪模塊313及第二劃刻輪模塊323向Z軸方向移動，在第一介入物質11及第二介入物質12上依次形成劃刻線。由此，通過形成在第一介入物質11及第二介入物質12的劃刻線，容易切割第一介入物質11及第二介入物質12。
為了使得劃刻輪311、321容易到達介入物質10，在粘合基板S上形成劃刻線的過程中，劃刻單元310、320可以在粘合基板S上形成劃刻線而使得介入物質10的變性的部分A暴露於外部。
如上，不僅在粘合基板S上形成劃刻線，在介入物質10上也會形成劃刻線，因此可更加容易地切割粘合基板S。
，作為另一例，如圖9所示，首先執行步驟S210：與介入物質10的圖案對應地用劃刻輪311、321按壓粘合基板S而在粘合基板S上形成劃刻線，之後執行步驟S220：向沿劃刻線存在的介入物質10的至少一部分照射雷射束，使得介入物質10的至少一部分產生變性。
此時，在粘合基板S上形成劃刻線的過程中，劃刻單元310、320可以形成劃刻線來使得介入物質10的一部分暴露於外部，使得雷射束圓滑地照射至介入物質10。
並且，在粘合基板S上形成劃刻線的過程中，劃刻單元310、320可以在介入物質10的一部分上形成劃刻線。
如本發明的第一實施例，介入物質10包括作為第一介入物質11的黑矩陣和作為第二介入物質12的粘合膏時，第一雷射束照射單元410及
第二雷射束照射單元420向Z軸方向移動，雷射束依次照射於第一介入物質11及第二介入物質12。
本發明第一實施例中的劃刻設備向以預定圖案介入於粘合基板S之間的介入物質10照射雷射束來使得介入物質10的至少一部分變性，根據介入物質10的圖案，在粘合基板S上形成劃刻線，而切割粘合基板S。由此，與粘合基板S一同可以輕鬆切割介入於粘合基板S之間的介入物質10。
以下，參照圖10至圖11對本發明第二實施例中的劃刻設備進行說明。與本發明的第一實施例結構相同的部分將使用相同的參考符號，對此的詳細說明將省略。
根據情況，粘合基板S的表面並不會一直保持平坦，而會形成輕微的凹凸。如果粘合基板S具有凹凸，粘合基板S在Z軸方向上的位置會發生變化，並且介入於粘合基板S之間的介入物質10在Z軸方向上的位置也會發生變化。由此，在粘合基板S具有凹凸的狀態下，由雷射束照射單元410、420照射雷射束時，會產生雷射束的光斑P沒有位於介入物質10，導致介入物質10無法正確變性的問題。
由此，在本發明的第二實施例提供一種劃刻設備，其測量粘合基板S的凹凸，根據粘合基板S的凹凸，來調整雷射束照射單元410、420在Z軸方向上的位置，從而使得雷射束的光斑P準確位於介入物質10。
如圖10及圖11所示，本發明第二實施例中的劃刻設備包括：移動裝置510、520，其將雷射束照射單元410、420向Z軸方向移動；凹凸測
量單元610、620，用於測量粘合基板S表面的凹凸；控制單元700，根據由凹凸測量單元610、620測量的粘合基板S的凹凸來控制移動裝置510、520，以調整雷射束照射單元410、420在Z軸方向上的位置。
移動裝置510、520分別與雷射束照射單元410、420連接，將雷射束照射單元410、420向相鄰於粘合基板S的方向及與粘合基板S相分開的方向移動。作為移動裝置510、520可以使用通過氣壓或油壓運行的致動器、通過電磁作用來運行的直線電機或如球杆裝置的直線移動裝置。
凹凸測量單元610、620包括設置於第一劃刻頭210的第一凹凸測量單元610及設置於第二劃刻頭220的第二凹凸測量單元620。設置於第一劃刻頭210的第一凹凸測量單元610與設置於第二劃刻頭220的第二凹凸測量單元620具有相同的結構及作用效果。以下，將設置於第一劃刻頭210的第一凹凸測量單元610為代表稱為凹凸測量單元610，參照圖11對凹凸測量單元610進行說明。
如圖11所示，凹凸測量單元610包括：凹凸測量頭611，其設置於第一劃刻頭210，與第一劃刻頭210一同沿著粘合基板S的表面移動；凹凸測量部件612，其設置於凹凸測量頭611上，根據粘合基板S表面的凹凸，可以向朝向粘合基板S表面的方向及遠離粘合基板S表面的方向移動；位置測量裝置613，用於測量凹凸測量部件612在Z軸方向的位置。
凹凸測量部件612維持接觸於粘合基板S的表面的狀態。當凹凸測量頭611移動時，凹凸測量部件612可以隨著粘合基板S的凹凸向Z軸方向移動。
凹凸測量部件612可向Z軸方向滑動地設置於凹凸測量頭611，使得凹凸測量部件612可以隨著粘合基板S的凹凸向Z軸方向移動。並且，凹凸測量部件612上可以連接有如彈簧的彈性件，使得凹凸測量部件612可以隨著粘合基板S表面的凹凸向Z軸方向移動。與粘合基板S的表面接觸的凹凸測量部件612的端部，優選地設置有如球或輥那樣的降低摩擦部件619。降低摩擦部件619在接觸於粘合基板S的表面的狀態下可以進行滾動。作為另一例，降低摩擦部件619可以是柔性的塑料、樹脂等材料。
位置測量裝置613與控制單元700連接，由位置測量裝置613測量的凹凸測量部件612的位置及位移相關的信息可以被傳送至控制單元700。
位置測量裝置613包括：基準部件614，其設置於凹凸測量部件612；感應部件615，與基準部件614相對地設置於位置測量頭611。作為另一例，基準部件614可以設置在位置測量頭611，感應部件615可以設置在凹凸測量部件612。上述位置測量裝置613利用基準部件614與感應部件615的相互作用來測量凹凸測量部件612的位置及位移。
作為一例，基準部件614可以包括具有預定刻度的標尺，感應部件615可以包括拍攝標尺的攝像機。這種時候，以通過感應部件615拍攝的標尺的圖像為基準，測量基準部件614與感應部件615之間的相對位置，以測量的相對位置為準可以測量凹凸測量部件612的位置。
作為另一例，基準部件614可以包括根據位置不同而反射角度不同的反射面，感應部件615包括向反射面發光的發光傳感器和接收從反
射面反射的光的收光傳感器。這時候，通過測量從反射面反射的光的反射角度，來測量基準部件614與感應部件615之間的相對位置，以測量的相對位置為準來測量凹凸測量部件612的位置。
根據如上構成，在凹凸測量部件612的端部接觸於粘合基板S的表面的狀態下，凹凸測量頭611沿著粘合基板S的表面移動，則凹凸測量部件612根據粘合基板S表面的凹凸向Z軸方向移動。
隨著凹凸測量部件612的移動，基準部件614與感應部件615之間的相對位置會變，以這種相對位置的變化為準可以測量凹凸測量部件612的位移。
這種凹凸測量部件612的位移表示粘合基板S表面的凹凸的大小。此時，控制單元700以由位置測量裝置613測量的凹凸測量部件612的位移為準來控制移動裝置510，使得移動裝置510對應於凹凸測量部件612的位移移動雷射束照射單元410。
由此，根據由位置測量裝置613測量的凹凸測量部件612的位移，雷射束照射單元410可以向朝向粘合基板S的方向及遠離粘合基板S的方向移動，因此，雷射束照射單元410與粘合基板S表面之間的間隔可以均衡維持預定間隔。
在這裡，預定間隔是指由雷射束照射單元410照射的雷射束的光斑P位於介入物質10內的準確位置時的間隔。預定間隔可以通過多次的實驗或模擬來設定。
如上所述，雷射束照射單元410根據由凹凸測量單元610測量
的粘合基板S表面的凹凸向Z軸方向移動，因此，雷射束照射單元410和粘合基板S表面之間的間隔可以均衡維持預定間隔。由此，即使粘合基板S表面上形成有凹凸，由雷射束照射單元410照射的雷射束的光斑P可以位於粘合基板S之間的介入物質10內的準確位置，從而可以使得介入物質10準確變性，可以與粘合基板S一同輕鬆切割介入於粘合基板S之間的介入物質10。
以下，參照圖12對本發明第三實施例中的劃刻設備進行說明。與本發明的第一實施例及第二實施例中說明的結構相同的部分用相同的附圖標記表示，並省略對此的詳細說明。
如圖12所示，本發明第三實施中的劃刻設備包括：移動裝置510，其將雷射束照射單元410、420向Z軸方向移動；凹凸測量單元810，用於測量粘合基板S表面的凹凸；控制單元700，根據由凹凸測量單元810測量的粘合基板S的凹凸來控制移動裝置510，以調整雷射束照射單元410在Z軸方向上的位置。
凹凸測量單元810包括：凹凸測量頭811，其設置於第一劃刻頭210，與第一劃刻頭210一同沿著粘合基板S的表面移動；距離測量裝置813，其設置於凹凸測量頭811，測量與粘合基板S之間的距離。
在凹凸測量頭811移動時，距離測量裝置813實時測量與粘合基板S的距離，根據與粘合基板S的距離的變化來測量粘合基板S的凹凸。
距離測量裝置813包括：發光部814，其向粘合基板S的表面放射雷射；收光部815，與發光部814間隔開預定距離，接收被粘合基板S反射的雷射。
上述距離測量裝置813將電信號輸出至控制單元700，從而測量與粘合基板S的距離，所述電信號是根據從發光部814發光後被粘合基板S反射的雷射的成像位置產生。
在上述結構中，當凹凸測量頭811沿著粘合基板S的表面移動，則由距離測量裝置813測量與粘合基板S表面的距離。
此時，控制單元700以由距離測量裝置813測量的與粘合基板S表面的距離為準來控制移動裝置510，使得移動裝置510根據與粘合基板S表面的距離的變化來移動雷射束照射單元410。
由此，雷射束照射單元410根據由距離測量裝置813測量的與粘合基板S表面的距離的變化，來向朝向粘合基板S的方向及遠離粘合基板S的方向移動，因此，雷射束照射單元410與粘合基板S表面之間的間隔可以均衡維持預定間隔。
在這裡，預定間隔是指由雷射束照射單元410照射的雷射束的光斑P位於介入物質10內的準確位置時的間隔。預定間隔可以通過多次的實驗或模擬來設定。
如上所述，雷射束照射單元410根據由凹凸測量單元810測量的粘合基板S表面的凹凸向Z軸方向移動，因此，雷射束照射單元410與粘合基板S表面之間的間隔可以均衡維持預定間隔。由此，即使粘合基板S表面上形成有凹凸，由雷射束照射單元410照射的雷射束的光斑P可以位於粘合基板S之間的介入物質10內的準確位置，從而可以使得介入物質10準確變性。從而可以與粘合基板S一同輕鬆切割介入於粘合基板S之間的介入物質
10。
雖然已經在上面描述了本發明的示例性實施方式，但是本發明的範圍並不限於上述特定實施例，可以在申請專利範圍內進行適當的變化。
110‧‧‧第一框架
120‧‧‧第二框架
210‧‧‧第一劃刻頭
220‧‧‧第二劃刻頭
310‧‧‧第一劃刻單元
311‧‧‧劃刻輪
313‧‧‧第一劃刻輪模塊
315‧‧‧輥
317‧‧‧第一輥模塊
320‧‧‧第二劃刻單元
321‧‧‧劃刻輪
323‧‧‧第二劃刻輪模塊
325‧‧‧輥
327‧‧‧第二輥模塊
410‧‧‧第一雷射束照射單元
420‧‧‧第二雷射束照射單元
510、520‧‧‧移動裝置
610、620‧‧‧凹凸測量單元
S‧‧‧基板
S1‧‧‧第一基板
S2‧‧‧第二基板
Claims (7)
- 一種劃刻設備，其沿著介入物質的圖案切割粘合基板，所述粘合基板包括第一基板、第二基板、以及以預定圖案介入於第一基板及第二基板之間的介入物質，其中，所述劃刻設備包括：劃刻單元，其沿著所述介入物質的圖案，在所述粘合基板的表面上形成劃刻線；雷射束照射單元，其向所述介入物質的至少一部分照射雷射束，使所述介入物質的至少一部分變性；凹凸測量單元，其用於測量所述粘合基板表面的凹凸；以及移動裝置，其根據由所述凹凸測量單元測量的所述粘合基板表面的凹凸，向朝向所述粘合基板的方向及遠離所述粘合基板的方向移動所述雷射束照射單元。
- 如請求項1所述的劃刻設備，其中，所述凹凸測量單元包括：凹凸測量頭，其能夠沿著所述粘合基板的表面移動；凹凸測量部件，其設置於所述凹凸測量頭，與所述粘合基板的表面接觸，隨著所述粘合基板表面的凹凸，可以向朝向所述粘合基板的方向及遠離所述粘合基板的方向移動；以及位置測量裝置，用於測量所述凹凸測量部件的位置。
- 如請求項2所述的劃刻設備，其中，接觸於所述粘合基板表面的所述凹凸測量部件的端部具有降低摩擦部件。
- 如請求項3所述的劃刻設備，其中， 所述降低摩擦部件為接觸於所述粘合基板進行滾動的球或輥。
- 如請求項1所述的劃刻設備，其中，所述凹凸測量單元包括距離測量裝置，所述距離測量裝置包括：發光部，其向所述粘合基板的表面放射雷射；以及收光部，與所述發光部隔開預定距離並接收被所述粘合基板反射的雷射。
- 如請求項1所述的劃刻設備，其中，所述劃刻單元在所述第一基板及第二基板形成劃刻線，使得所述介入物質的變性的部分暴露於外部。
- 如請求項6所述的劃刻設備，其中，所述劃刻單元在暴露於外部的所述介入物質的變性的部分形成劃刻線。
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