CN104128705A - 基板剥离方法以及基板剥离装置 - Google Patents
基板剥离方法以及基板剥离装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104128705A CN104128705A CN201310376495.3A CN201310376495A CN104128705A CN 104128705 A CN104128705 A CN 104128705A CN 201310376495 A CN201310376495 A CN 201310376495A CN 104128705 A CN104128705 A CN 104128705A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- joint body
- laser
- distance
- adhesive linkage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/04—Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
- B23K26/046—Automatically focusing the laser beam
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
- B32B38/10—Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
- B32B43/006—Delaminating
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
- H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
本发明提供一种基板剥离方法。根据基板剥离方法,包括:形成基板结合体的步骤,所述基板结合体包括第一基板以及与所述第一基板结合的具有柔性的第二基板,且区分为第一区域及第二区域;将所述基板结合体安装在工作台上的步骤;向所述第一区域照射激光的第一激光扫描步骤;测定配置在所述基板结合体上的距离测定部和所述基板结合体之间的距离的步骤;对应于所述距离测定部和所述基板结合体之间的距离而改变所述激光的焦点位置的步骤;向所述第二区域照射激光的第二激光扫描步骤。
Description
技术领域
本发明涉及一种基板剥离方法以及基板剥离装置,更详细而言,涉及一种利用激光的基板剥离方法以及基板剥离装置。
背景技术
在制造柔性显示装置时,为了方便制造,可以制造在柔性相对低的载体基板上形成柔性显示装置的构造物。载体基板支撑柔性显示装置的构造物,从而可以使柔性显示装置的制造工艺变得容易。在柔性显示装置的制造工艺中,载体基板从柔性显示装置的构造物分离,为分离载体基板和柔性显示装置的构造物,而可以使用基板剥离装置。
基板剥离装置用于分离包含在基板结合体的互相结合的基板,或从基板去除结合在基板的膜或薄膜。为了剥离基板,基板剥离装置可以使用激光。向基板照射激光,从而可使基板彼此间或基板和作为剥离对象的层间的结合力减弱。
发明内容
激光的幅度比相互结合的基板的幅度小时,通过一次激光扫描无法照射互相结合的基板的所有区域。此时,为了分离互相结合的基板,激光扫描可以进行数次。仅在基板结合体的局部区域进行激光扫描时,可以分离经激光扫描的区域的基板,而不能分离未经激光扫描的区域的基板。基板结合体包括柔性基板时,因仅在局部区域与其他基板分离的柔性基板,基板的外形会发生变化,因此,基板结合体的配置会发生变化。随着基板结合体的配置发生变化,基板结合体内激光焦点所处的区域会发生变化,因此,不能顺利地分离基板。
本发明所要解决的课题是,提供一种通过改变激光的焦点在基板结合体内所处的区域,从而能顺利地分离基板的基板剥离方法。
本发明所要解决的其他课题是,提供一种通过改变激光的焦点在基板结合体内所处的区域,从而能顺利地分离基板的基板剥离装置。
本发明的课题并不局限于以上所述的技术课题,对于未提及的其他技术课题,本领域的技术人员可通过以下记载将会明确地理解。
为解决所述问题,根据本发明的一实施例的基板剥离方法,包括:形成基板结合体的步骤,所述基板结合体包括第一基板以及与所述第一基板结合的具有柔性第的二基板,且区分为第一区域及第二区域;将所述基板结合体安装在工作台上的步骤;向所述第一区域照射激光的第一激光扫描步骤;测定配置在所述基板结合体上的距离测定部和所述基板结合体之间的距离的步骤;对应于所述距离测定部和所述基板结合体之间的距离而改变所述激光的焦点位置的步骤;向所述第二区域照射激光的第二激光扫描步骤。
为解决所述问题,根据本发明的其他实施例的基板剥离装置,包括:激光输出部,向包含第一基板及结合于所述第一基板的具有柔性的第二基板的基板结合体照射激光;工作台,在上部安装所述基板结合体;距离测定部,配置在所述基板结合体上,用于测定与所述基板结合体的距离;以及控制部,对应于所述距离测定部和所述基板结合体之间的距离而改变所述激光的焦点位置。
其他实施例的具体事项包含于详细说明及图面。
根据本发明的实施例至少具有以下效果。
即,通过容易改变激光的焦点在基板结合体内的区域,从而可以顺利地剥离基板。
并且,通过容易改变激光的焦点在基板结合体内的区域,从而可以减少在剥离基板时可能产生的基板损伤。
本发明的效果不局限于以上的内容,更多样的效果包含于本说明书内。
附图说明
图1是示出根据本发明的一实施例的基板剥离方法的顺序图。
图2是根据本发明的一实施例的基板结合体的截面图。
图3是根据本发明的一实施例的基板结合体的主视图。
图4是示出将根据本发明的一实施例的基板结合体安装到工作台上的步骤的图。
图5是根据本发明的一实施例的基板剥离装置的框图。
图6是示出在根据本发明的一实施例的基板剥离装置配置基板结合体的立体图。
图7是示出测定根据本发明的一实施例的距离测定部和基板结合体之间的距离的步骤的图。
图8及图9是示出根据本发明的一实施例的第一激光扫描步骤的图。
图10是示出第一激光扫描后的基板结合体的图。
图11是示出根据本发明的一实施例的第一激光扫描后测定距离测定部和基板结合体之间的距离的步骤的图。
图12是示出根据本发明的一实施例的调整激光的焦点位置的步骤的图。
图13及图14是示出根据本发明的一实施例的第二激光扫描步骤的图。
图15是示出第二激光扫描后的基板结合体的图。
图16是示出根据本发明的其他实施例的调整激光的焦点位置的步骤及第二激光扫描步骤的图。
图17是示出根据本发明的其他另一实施例的调整激光的焦点位置的步骤及第二激光扫描步骤的图。
图18是示出根据本发明的其他另一实施例的调整激光的焦点位置的步骤及第二激光扫描步骤的图。
附图翻译
10:基板剥离装置 11:激光输出部
12:控制部 13:光特性测定部
20、120:第一基板 30、130:第二基板
31:构造物 32、131:保护层
132:柔性基材 133:薄膜晶体管层
134:显示层 40:粘接层
140:第一粘接层 150:第一保护膜
160:第二粘接层 170:第二保护膜
180:第三粘接层
具体实施方式
本发明的优点、特征以及其方法,通过附图及后述的实施例将会更加明确。但是,本发明并不限定于以下实施例,可体现为各种不同的形态,本实施例是为使本发明的内容更加完整,并对本发明所属领域的技术人员提供发明的范畴而提供的,本发明通过权利要求范围所定义。
元件(elements)或层指称其他元件或层的“上(on)”包括在其他元件的上面或中间设置其他层或其他元件的情况。整个说明书中对相同的构成元件标注相同的符号。
虽然,第一、第二等为表示多样的构成元件而使用,但是,这些术语并不限定构成元件。这些术语是为将一个构成元件与其他构成元件区别而使用的。因此,以下所述的第一构成元件在本发明的技术思想内也可为第二构成元件。
以下,参照附图说明本发明的实施例。
图1是示出根据本发明的一实施例的基板剥离方法的顺序图。
根据图1,基板剥离方法,可以包括:形成基板结合体的步骤(S10);在工作台上安装基板结合体的步骤(S20);测定距离测定部和基板结合体之间的距离的步骤(S30);第一激光扫描步骤(S40);第一激光扫描后,测定距离测定部和基板结合体之间的距离的步骤(S50);调整激光的焦点位置的步骤(S60);第二激光扫描步骤(S70);分离第一基板和第二基板的步骤(S80)。
以下,参照图2及图3说明形成基板结合体的步骤(S10)。图2是根据本发明的一实施例的基板结合体的截面图。图3是根据本发明的一实施例的基板结合体的主视图。根据图2,基板结合体10可包括第一基板11、第二基板12及粘接层13。
所述第一基板11可由光学上透明的材料形成,至少可由能够使激光L透过的材料形成。例如,所述第一基板11可由玻璃或透明的合成树脂形成。所述第一基板11相对于所述第二基板12弯曲程度少,可作为用于支撑所述第二基板12的载体基板使用,但并不限定于此。
所述第二基板12可配置于所述第一基板11上。所述第二基板12可结合于所述第一基板11。所述第二基板12可为具有柔性的基板。所述第二基板12可为用于形成柔性显示装置的显示面板的基板,但并不限定于此。所述第二基板12为用于形成柔性显示装置的显示面板的基板时,虽未图示,所述第二基板12,在其内部可以包括用于显示图像的显示层以及用于控制所述显示层的包含薄膜晶体管的薄膜晶体管层。所述第二基板12可为用于形成具有柔性的有机发光显示面板、液晶显示面板或电泳显示面板的基板,但并不限定于此。所述第二基板12可形成在所述第一基板11上。当具有柔性的第二基板12形成在弯曲程度相对少的所述第一基板11上时,防止所述第二基板12的形状变形,可更加容易形成所述第二基板12。
第二基板12可包括主基板12a及辅助层12b。主基板12a可包括显示层及薄膜晶体管层。辅助层12b可配置在主基板12a上。辅助层12b可粘贴于主基板12a。虽未图示,辅助层12b可通过粘接剂粘贴于主基板12a。辅助层12b配置在主基板12a的上部,在第一基板11和第二基板12分离之后支撑主基板12a,从而防止主基板12a的移动,据此使以后的工序变得容易。而且,辅助层12b可从外部保护主基板12a。辅助层12b可覆盖主基板12a的侧面,通过后述的第二粘接层13b可与第一基板11结合。辅助层12b可由包含聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚醚砜(Polyethersulfone)等塑料,以及包含不锈钢等的金属箔等形成,但并不限定于此。
粘接层13可配置在所述第一基板11和第二基板12之间。所述粘接层13可结合所述第一基板11和第二基板12。粘接层13的至少局部区域因激光而可能使结合所述第一基板11和所述第二基板12的粘接力变弱。
粘接层13可以包括第一粘接层13a及第二粘接层13b。第一粘接层13a比第二粘接层13b配置在基板结合体10的内侧。更详细而言,第一粘接层13a可配置在主基板12a和第一基板11之间。当激光照射在第一粘接层13a时,构成物质会发生变形,因此,结合第一基板11和第二基板12的粘接力变弱。例如,第一粘接层13a可由光降解性高分子物质、氢化氮化硅或氢化非晶硅形成,但并不限定于此。当第一粘接层13a由光降解性高分子物质形成时,若激光照射到第一粘接层13a,则高分子物质的共价键被断裂或碳化,而第一粘接层13a被分解。当第一粘接层13a由氢化氮化硅或氢化非晶硅形成时,若激光照射到第一粘接层13a,则氢化氮化硅或氢化非晶硅所含有的氢被排放,同时,第一粘接层13a和第一基板11的结合力变弱而能够容易分离第一基板11和第二基板12。
所述第二粘接层13b比所述第一粘接层13a可配置在基板结合体10的相对外侧。所述第二粘接层13b可以配置在基板结合体11的外围。更详细而言,所述第二粘接层13b配置在辅助层12b和所述第一基板11之间,可以结合辅助层12b和所述第一基板11。即便照射激光,所述第二粘接层13b的粘接力也不会变弱。
虽未图示,基板结合体,为辅助所述第一基板11和所述第二基板12的结合,在所述粘接层13和所述第一基板11之间可进一步包括粘接层。
参照图3,基板结合体10可分为第一区域R1及第二区域R2。第一区域R1是在第一激光扫描步骤(S40)照射激光的基板结合体10的区域,第二区域R2是在第二激光扫描步骤(S70)照射激光的基板结合体10的区域。激光扫描时,当激光的幅度dL比基板结合体10的幅度dS小时,通过一次激光扫描不能将激光照射到基板结合体10的整个区域,因此,基板结合体10分为第一区域R1和第二区域R2,从而经两次进行激光扫描。即便进行两次激光扫描,激光也无法照射到基板结合体10的整个区域时,可以进一步进行激光扫描,基板结合体10除第一区域R1和第二区域R2之外还可进一步区分。
以下,参照图4说明将基板结合体10安装到工作台21上的步骤(S20)。图4是示出将根据本发明的一实施例的基板结合体安装到工作台的步骤的图。基板结合体10安装在工作台21时,基板结合体10可以配置成使所述第一基板11位于基板结合体的上部,使第二基板12位于基板结合体的下部而与工作台21面对。
工作台21支撑基板结合体10,基板剥离装置可以配置在工作台21上。工作台21可包含于基板剥离装置20。以下,参照图5及图6说明基板剥离装置20。图5是根据本发明的一实施例的基板剥离装置的框图。图6是示出在根据本发明的一实施例的基板剥离装置配置基板结合体的立体图。
参照图5及图6,基板剥离装置20可以包括工作台21、激光输出部22、距离测定部23及控制部24。
在工作台21上可以配置基板结合体10,工作台21可以支撑基板结合体10。工作台21可上下移动,工作台21的移动可通过控制部24来控制。
激光输出部22可与工作台21隔开而配置于工作台21的上部。激光输出部22可输出激光,输出的激光可照射于配置在工作台21上的基板结合体10。激光输出部22可朝水平方向移动,激光输出部22朝水平方向移动的同时输出激光,从而在基板结合体10可以进行激光扫描。
距离测定部23可与工作台21隔开而配置于工作台21的上部。距离测定部23可以测定距离测定部23和配置在工作台21上的基板结合体10之间的距离。距离测定部23可以包括互相隔开的第一距离测定部23a和第二距离测定部23b。第一距离测定部23a配置于第一区域R1上,第二距离测定部23b配置在第二区域R2上,但并不限定于此。
控制部24可以控制工作台21、激光输出部22及距离测定部23的动作。控制部24可对应于由距离测定部23测定的距离测定部23和基板结合体10之间的距离而控制工作台21的上下移动。基板剥离装置20包括控制部24,所述控制部对应于由距离测定部23测定的距离测定部23和基板结合体10之间的距离而控制工作台21的上下移动,从而可以调整从激光输出部22输出的激光的焦点所处的基板结合体10内的区域,增加激光的焦点所处的区域和粘接层13重叠的范围,可以有效地剥离基板结合体10。并且,减少激光的焦点所处的区域与第二基板12重叠的范围,可以减少向基板结合体10照射激光时第二基板12因激光而受到的损伤。对此,在后面详细说明。
以下,参照图7说明测定距离测定部23和基板结合体10之间的距离的步骤(S30)。图7是示出测定根据本发明的一实施例的距离测定部和基板结合体之间的距离的步骤的图。根据图7,距离测定部23可以释放试验光TL。试验光TL可通过基板结合体10反射,更详细而言,可通过第一基板11的上部表面反射。距离测定部23可接受通过基板结合体10反射的试验光TL,距离测定部23可由接受的试验光TL计算距离测定部23和基板结合体10之间的距离。第一距离测定部23a和第二距离测定部23b可以测定基板结合体10的互相不同区域的距离。第一距离测定部23a可以测定配置在第一距离测定部23a的下部的第一区域R1的局部区域和第一距离测定部23a之间的距离da。第二距离测定部23b可以测定配置在第二距离测定部23b的下部的第二区域R2的局部区域和第二距离测定部23b之间的距离db。根据几个实施例,也可以省略测定距离测定部23和基板结合体10之间的距离的步骤(S30)。
以下,参照图8及图9说明第一激光扫描步骤(S40)。图8及图9是示出根据本发明的一实施例的第一激光扫描步骤的图。根据图8及图9,在第一激光扫描步骤(S40),激光输出部22输出第一激光L1,通过在第一区域R1的上部水平移动,向第一区域R1照射第一激光L1。在第一激光扫描步骤(S40),第一激光L1的第一焦点f1可位于粘接层13。若激光照射到粘接层13,则第一粘接层13a的粘接力减弱而可以分离第一基板11和第二基板12,因此,当第一激光L1的焦点位于粘接层13时,才能有效地分离基板结合体10。基板结合体10的各层的厚度可以是事先设定的,由此,工作台21的高度可以设定为使第一激光L1的第一焦点f1位于粘接层13。
根据几个实施例,虽未图示,基板剥离方法可以在第一激光扫描步骤(S40)之前进一步包括对应于在测定距离测定部和基板结合体之间的距离的步骤(S30)测定的距离测定部23和基板结合体10之间的距离而调整激光的焦点位置的步骤。控制部24在保持距离测定部23和基板结合体10之间的距离的状态下进行第一激光扫描(S40)时,若判断为第一激光L1的第一焦点f1不在粘接层13a,,则通过调整第一激光L1的第一焦点f1的位置,使第一激光L1的第一焦点f1位于粘接层13a。第一激光L1的第一焦点f1的位置的调整可通过上下移动工作台21,或者上下移动激光输出部22,或者调整从激光输出部22输出的第一激光L1的第一焦点f1的距离来实现。
以下,参照图10说明第一激光扫描步骤(S40)后的基板结合体10。图10是示出第一激光扫描后的基板结合体的图。在第一激光扫描步骤(S40)后,被照射第一激光L1的第一区域R1内的第一粘接层13a的粘接力减弱,从而,通过第一粘接层13a而粘接的第一区域R1内的第一基板11和第二基板12可互相分离,而第二基板12有可能被翘起。由于第一区域R1内的第二粘接层13b的粘接力没有变弱,因此通过第二粘接层13b而粘接的第一区域R1内的第一基板11和第二基板12可保持互相结合状态。由于第一激光L1没有照射到第二区域R2,因此,第二区域R2内的第一基板11和第二基板12可以保持结合状态。如上所述,在第一激光扫描步骤(S40)之后,在基板结合体10的局部区域,第一基板11和第二基板12保持结合,而在其他区域,第一基板11和第二基板12可能被分离。与第二基板12分离的具有柔性的第一基板11的形状有可能发生变形,因此,基板结合体10的形状也有可能发生变形。具体而言,如图10所示,由于基板结合体10的上部面倾斜而不能保持水平,因此,第二区域R2内的粘接层13也不能保持水平。
以下,参照图11说明第一激光扫描后测定距离测定部23和基板结合体10之间的距离的步骤(S50)。图11是示出根据本发明的一实施例的第一激光扫描后测定距离测定部和基板结合体之间的距离的步骤的图。根据图11,距离测定部23可以释放试验光TL,接受通过基板结合体10反射的试验光TL可以检测距离测定部23和基板结合体之间的距离。第一距离测定部23a可以测定配置在第一距离测定部23a的下部的第一区域R1的局部区域和第一距离测定部23a之间的距离da′。第二距离测定部23b可以测定配置在第二距离测定部23b的下部的第二区域R2的局部区域和第二距离测定部23b之间的距离db′。
以下,参照图12说明调整激光的焦点位置的步骤(S60)。图12是示出根据本发明的一实施例的激光的焦点位置调整步骤的图。激光的焦点位置对应于在第一激光扫描后所测定的距离测定部23和基板结合体10之间的距离进行调整。控制部24从第一激光扫描后测定的距离测定部23和基板结合体10之间的距离可以检测基板结合体10的上部表面的位置,由此可以导出第二区域R2内的粘接层13的位置。为检测基板结合体10的上部表面的位置,距离测定部23从所入射的试验光TL计算与基板结合体10的上部表面的绝对距离,或者也可以比较在第一激光扫描步骤(S40)之前的测定距离测定部23和基板结合体10之间的距离的步骤(S30)所计算的距离测定部23和基板结合体10的上部面之间的距离而利用距离之差。根据所计算的第一激光扫描后测定的距离测定部23和基板结合体10之间的距离,控制部24可以调整激光的焦点位置以便在第二激光扫描步骤(S70)输出的激光的焦点位置与粘接层13重叠的区域增加。为此,可以调整激光的焦点位置以便在第二激光扫描步骤(S70)输出的激光的焦点位置在第二区域R2的中央位于粘接层13的厚度的中央。在第二激光扫描步骤(S70)输出的激光的焦点位置和粘接层13重叠的区域增加时,在第二激光扫描步骤(S70)照射到第一粘接层13a的激光的量增加而有效地减弱第一粘接层13a的结合力,从而可以容易分离第一基板11和第二基板12。而且,第一激光扫描步骤(S40)后由于第一基板11和第二基板12翘起,因此,第二区域R2内的第二基板12的位置与第一激光扫描步骤(S40)之前相比有可能移动到上部。从而,以与第一激光扫描步骤(S40)相同的激光的焦点位置进行第二激光扫描步骤(S70)时,激光的焦点可能位于第二基板12,此时,会对第二基板12导致损伤。根据本发明的一实施例的基板剥离方法包括调整激光的焦点位置的步骤(S60),从而,在剥离基板时,可以减少因激光而引起的第二基板12的损伤。为调整激光的焦点位置,控制部24可以上下移动工作台21。例如,在第一激光扫描步骤(S40)后,第二基板12翘起时,控制部24可以将工作台21移动到下侧。
以下,参照图13及图14说明第二激光扫描步骤(S70)。图13及图14是示出根据本发明的一实施例的第二激光扫描步骤的图。根据图13及图14,在第二激光扫描步骤(S70),激光输出部22输出具有第二焦点f2的第二激光L2,通过在第二区域R2的上部水平移动,可向第二区域R2照射第二激光L2。第二激光L2实际上可与第一激光L1相同,从激光输出部22到第二焦点f2的距离实际上可与激光输出部22到第一焦点f1的距离相同。第二焦点f2的至少一部分可与粘接层13重叠。例如,在第二区域R2的中央R2C,第二焦点f2可位于粘接层13的厚度的中央。
以下,参照图15说明第二激光扫描步骤(S70)后的基板结合体。图15是示出第二激光扫描后的基板结合体的图。因第二激光扫描步骤(S70),第二区域R2内的第一粘接层13a的粘接力有可能变弱,从而,在第一基板11和第二基板12通过第一粘接层13a而结合的区域,第一基板11和第二基板12可以互相分离。在第一基板11和第二基板12通过第二粘接层13b而结合的区域,由于第二粘接层13b的粘接力不会因激光而变弱,从而可以保持结合状态。
在分离第一基板11和第二基板12的步骤(S80)中,在第一基板11和第二基板12通过第二粘接层13b而结合的区域也通过外力分离第一基板11和第二基板12,从而可以完全分离第一基板11和第二基板12。
以下,参照图16说明本发明的其他实施例。图16是示出根据本发明的其他实施例的调整激光的焦点位置的步骤及第二激光扫描步骤的图。参照图16,根据本发明的其他实施例,在激光的焦点位置调整步骤(S60),为调整激光的焦点位置可以上下移动激光输出部22。例如,在第一激光扫描步骤(S40)后第二基板12翘起时,控制部24可以使激光输出部22朝上侧移动以便在第二激光扫描步骤(S70)输出的第二激光L2的焦点f2的位置与粘接层13重叠的区域增加。对根据本发明的其他实施例的基板剥离方法的其他说明实际上与对参照图1至图15说明的基板剥离方法的说明相同,因此省略对其的说明。
以下,参照图17说明本发明的其他另一实施例。图17是示出根据本发明的其他另一实施例的调整激光的焦点位置的步骤及第二激光扫描步骤的图。参照图17,根据本发明的其他实施例,在激光的焦点位置调整步骤(S60),为调整激光的焦点位置,可以改变在激光输出部22输出的激光的焦点距离。例如,在第一激光扫描步骤(S40)后第二基板12翘起时,控制部24可以减小激光的焦点距离以便在第二激光扫描步骤(S70)输出的第二激光L2的焦点f2的位置与粘接层13重叠的区域增加,由此,第二焦点f2可以比第一焦点f1位于上部。对根据本发明的其他另一实施例的基板剥离方法的其他说明实际上与对参照图1至图15说明的基板剥离方法的说明相同,因此省略对其的说明。
以下,参照图18说明本发明的其他另一实施例。图18是示出根据本发明的其他另一实施例的调整激光的焦点位置的步骤及第二激光扫描步骤的图。根据本发明的其他另一实施例,控制板24可从在测定距离测定部23和基板结合体10之间的距离的步骤(S30)所测定的距离测定部23和基板结合体10之间的距离导出基板结合体10的上部面倾斜的程度,由此,可以导出配置在第二区域R2内的粘接层13倾斜的程度。基板结合体10的上部表面倾斜的程度可由在第一激光扫描后测定距离测定部23和基板结合体10之间的距离的步骤(S50)所测定的第一距离测定部23a和基板结合体10之间的距离da′和第二距离测定部23b和基板结合体10之间的距离db′之差导出。在调整激光的焦点位置的步骤(S60),可以旋转工作台21,以便粘接层13成为水平。旋转工作台21的同时,通过上下移动工作台21或上下移动激光输出部22,可以将第二激光L2的焦点f2配置在粘接层13内。根据本发明的其他另一实施例,可以控制为使激光L2的焦点不脱离粘接层13,由此可以顺利地分离第一基板11和第二基板12,并可以防止第二基板12因激光而损伤。对根据本发明的其他另一实施例的基板剥离方法的其他说明实际上与对参照图1至图15说明的基板剥离方法的说明相同,因此省略对其的说明。
以上,虽参照附图说明了本发明的实施例,但是,本发明所属领域的技术人员可以理解在不改变本发明的技术思想或必要特征的状态下可以实施其他具体形态。因此,在所有方面以上所述的实施例只是举例说明而已,并不限定本发明。
Claims (20)
1.一种基板剥离方法,其特征在于,包括:
形成基板结合体的步骤,所述基板结合体包括第一基板以及与所述第一基板结合的具有柔性的第二基板,且区分为第一区域及第二区域;
将所述基板结合体安装在工作台上的步骤;
向所述第一区域照射激光的第一激光扫描步骤;
测定配置在所述基板结合体上的距离测定部和所述基板结合体之间的距离的步骤;
对应于所述距离测定部和所述基板结合体之间的距离而改变所述激光的焦点位置的步骤;
向所述第二区域照射激光的第二激光扫描步骤。
2.根据权利要求1所述的基板剥离方法,其特征在于,改变所述激光的焦点位置的步骤包括对所述基板结合体改变所述工作台的高度的步骤。
3.根据权利要求2所述的基板剥离方法,其特征在于,所述距离测定部包括用于测定与所述基板结合体的互相不同的区域的距离的第一距离测定部及第二距离测定部,
测定配置在所述基板结合体上的距离测定部和所述基板结合体之间的距离的步骤,包括:测定所述基板结合体和所述第一距离测定部之间的距离;及测定所述基板结合体和所述第二距离测定部之间的距离;进一步包括对应于从所述基板结合体和所述第一距离测定部之间的距离及所述基板结合体和所述第二距离测定部之间的距离导出的所述基板结合体的上部表面倾斜的程度而倾斜所述工作台的步骤。
4.根据权利要求1所述的基板剥离方法,其特征在于,改变所述激光的焦点位置的步骤包括改变所述激光的焦点距离。
5.根据权利要求1所述的基板剥离方法,其特征在于,改变所述激光的焦点位置的步骤包括改变用于输出所述激光的激光输出部的高度。
6.根据权利要求1所述的基板剥离方法,其特征在于,所述基板结合体进一步包括第一粘接层,所述第一粘接层配置在所述第一基板和所述第二基板之间而结合所述第一基板和所述第二基板,其结合力因所述激光而变弱,
改变所述激光的焦点位置的步骤包括在配置于所述第二区域内的所述第一粘接层中的至少一部分配置所述激光的焦点。
7.根据权利要求6所述的基板剥离方法,其特征在于,改变所述激光的焦点位置的步骤包括在所述第二区域的中央使所述激光的焦点配置于所述第一粘接层的厚度的中央。
8.根据权利要求6所述的基板剥离方法,其特征在于,所述基板结合体进一步包括第二粘接层,所述第二粘接层在所述第一基板和第二基板之间配置于所述基板结合体的外围,并由与所述第一粘接层不同的物质而成。
9.根据权利要求1所述的基板剥离方法,其特征在于,进一步包括在所述第一激光扫描步骤之前测定所述距离测定部和所述基板结合体之间的距离的步骤,
改变所述激光的焦点位置的步骤包括对应于在所述第一激光扫描步骤之前测定的所述距离测定部与所述基板结合体之间的距离和在所述第一激光扫描后测定的所述距离测定部与所述基板结合体之间的距离之差,改变配置所述激光的焦点的位置。
10.一种基板剥离装置,其特征在于,包括:
激光输出部,向包含第一基板及结合于所述第一基板的具有柔性的第二基板的基板结合体照射激光;
工作台,在上部安装所述基板结合体;
距离测定部,配置在所述基板结合体上,用于测定与所述基板结合体的距离;以及
控制部,对应于所述距离测定部和所述基板结合体之间的距离而改变所述激光的焦点位置。
11.根据权利要求10所述的基板剥离装置,其特征在于,所述基板结合体区分为第一区域及第二区域,
所述激光输出部向所述第一区域照射所述激光,
向所述第一区域照射所述激光后,所述控制部对应于所述距离测定部和所述基板结合体之间的距离,改变在所述基板结合体上的所述激光的焦点位置,
改变所述激光的焦点位置之后,所述激光输出部向所述第二区域照射所述激光。
12.根据权利要求11所述的基板剥离装置,其特征在于,所述控制部对应于所述距离测定部和所述基板结合体之间的距离而改变所述工作台的高度。
13.根据权利要求12所述的基板剥离装置,其特征在于,所述控制部对应于向所述第一区域照射激光之前的所述距离测定部与所述基板结合体之间的距离和向所述第一区域照射所述激光之后的所述距离测定部与所述基板结合体之间的距离之差而改变所述工作台的高度。
14.根据权利要求12所述的基板剥离装置,其特征在于,所述基板结合体包括第一粘接层,所述第一粘接层配置在所述第一基板和第二基板之间而结合所述第一基板和第二基板,其结合力因所述激光而变弱,
所述控制部改变所述工作台的高度以使所述激光的焦点在所述第二区域的中央位于所述第一粘接层。
15.根据权利要求12所述的基板剥离装置,其特征在于,所述距离测定部包括用于测定与所述基板结合体的互相不同的区域的距离的第一距离测定部和第二距离测定部,
所述控制部对应于从所述第一距离测定部与所述基板结合体之间的距离以及所述第二距离测定部与所述基板结合体之间的距离导出的所述基板结合体的上部表面倾斜的程度而使所述工作台倾斜。
16.根据权利要求11所述的基板剥离装置,其特征在于,所述控制部对应于所述距离测定部与所述基板结合体之间的距离而改变所述激光的焦点距离。
17.根据权利要求16所述的基板剥离装置,其特征在于,所述基板结合体包括第一粘接层,所述第一粘接层配置在所述第一基板和所述第二基板之间而结合所述第一基板和所述第二基板,其结合力因所述激光而变弱,
所述控制部改变所述激光的焦点距离以使所述激光的焦点在所述第二区域的中央位于所述第一粘接层。
18.根据权利要求11所述的基板剥离装置,其特征在于,所述控制部对应于所述距离测定部和所述基板结合体之间的距离而改变所述激光输出部的高度。
19.根据权利要求18所述的基板剥离装置,其特征在于,所述基板结合体进一步包括第一粘接层,所述第一粘接层配置在所述第一基板和第二基板之间而结合所述第一基板和第二基板,其结合力因所述激光而变弱,
所述控制部改变所述激光输出部的高度以使所述激光的焦点在所述第二区域的中央位于所述第一粘接层。
20.根据权利要求14、17、19中任意一项所述的基板剥离装置,其特征在于,所述基板结合体进一步包括第二粘接层,所述第二粘接层在所述第一基板和所述第二基板之间配置在所述基板结合体的外围,并由与所述第一粘接层不同的物质构成。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2013-0050110 | 2013-05-03 | ||
KR1020130050110A KR102065370B1 (ko) | 2013-05-03 | 2013-05-03 | 기판 박리 방법 및 기판 박리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104128705A true CN104128705A (zh) | 2014-11-05 |
CN104128705B CN104128705B (zh) | 2018-03-27 |
Family
ID=51801700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310376495.3A Active CN104128705B (zh) | 2013-05-03 | 2013-08-26 | 基板剥离方法以及基板剥离装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102065370B1 (zh) |
CN (1) | CN104128705B (zh) |
TW (1) | TWI616974B (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107117807A (zh) * | 2016-12-01 | 2017-09-01 | 塔工程有限公司 | 划片设备 |
CN107154364A (zh) * | 2016-03-03 | 2017-09-12 | Ap系统股份有限公司 | 激光剥离工序间对象物反转检测方法 |
CN107994053A (zh) * | 2016-10-26 | 2018-05-04 | 三星显示有限公司 | 显示面板以及制造该显示面板的方法 |
CN108333818A (zh) * | 2018-01-27 | 2018-07-27 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
CN112388151A (zh) * | 2019-08-16 | 2021-02-23 | 阳程科技股份有限公司 | 软性显示器与附加电路板预分离的方法 |
CN113257979A (zh) * | 2021-05-12 | 2021-08-13 | 华南理工大学 | 芯片转移基板、芯片转移装置和芯片转移方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180077385A (ko) * | 2016-12-28 | 2018-07-09 | 주식회사 비아트론 | 폴리곤 스캐너를 이용한 기판 열처리 장치 및 방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1057638C (zh) * | 1992-08-26 | 2000-10-18 | 株式会社日立制作所 | 用于从基板上拆除电子元件的方法和装置 |
JP2003066858A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-05 | Sony Corp | 薄膜デバイス基板の製造方法 |
JP2007038570A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Seiko Epson Corp | ノズルプレートの製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、および液滴吐出ヘッド |
US20090266471A1 (en) * | 2008-04-29 | 2009-10-29 | Myung-Hwan Kim | Method of fabricating flexible display device |
JP2012079871A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Shibaura Mechatronics Corp | 支持基板、基板積層体、貼り合わせ装置、剥離装置、および基板の製造方法 |
CN102471129A (zh) * | 2009-09-18 | 2012-05-23 | 日本电气硝子株式会社 | 玻璃膜的制造方法及玻璃膜的处理方法以及玻璃膜层叠体 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4659300B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
JP2004188422A (ja) * | 2002-12-06 | 2004-07-08 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP2008012542A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
KR101774278B1 (ko) * | 2011-07-18 | 2017-09-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치의 제조방법 |
-
2013
- 2013-05-03 KR KR1020130050110A patent/KR102065370B1/ko active IP Right Grant
- 2013-08-26 CN CN201310376495.3A patent/CN104128705B/zh active Active
- 2013-10-09 TW TW102136637A patent/TWI616974B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1057638C (zh) * | 1992-08-26 | 2000-10-18 | 株式会社日立制作所 | 用于从基板上拆除电子元件的方法和装置 |
JP2003066858A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-05 | Sony Corp | 薄膜デバイス基板の製造方法 |
JP2007038570A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Seiko Epson Corp | ノズルプレートの製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、および液滴吐出ヘッド |
US20090266471A1 (en) * | 2008-04-29 | 2009-10-29 | Myung-Hwan Kim | Method of fabricating flexible display device |
CN102471129A (zh) * | 2009-09-18 | 2012-05-23 | 日本电气硝子株式会社 | 玻璃膜的制造方法及玻璃膜的处理方法以及玻璃膜层叠体 |
JP2012079871A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Shibaura Mechatronics Corp | 支持基板、基板積層体、貼り合わせ装置、剥離装置、および基板の製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107154364A (zh) * | 2016-03-03 | 2017-09-12 | Ap系统股份有限公司 | 激光剥离工序间对象物反转检测方法 |
CN107154364B (zh) * | 2016-03-03 | 2023-06-16 | Ap系统股份有限公司 | 激光剥离工序间对象物反转检测方法 |
CN107994053A (zh) * | 2016-10-26 | 2018-05-04 | 三星显示有限公司 | 显示面板以及制造该显示面板的方法 |
CN107117807A (zh) * | 2016-12-01 | 2017-09-01 | 塔工程有限公司 | 划片设备 |
CN108333818A (zh) * | 2018-01-27 | 2018-07-27 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
CN108333818B (zh) * | 2018-01-27 | 2020-12-25 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
CN112388151A (zh) * | 2019-08-16 | 2021-02-23 | 阳程科技股份有限公司 | 软性显示器与附加电路板预分离的方法 |
CN112388151B (zh) * | 2019-08-16 | 2022-08-02 | 阳程科技股份有限公司 | 软性显示器与附加电路板预分离的方法 |
CN113257979A (zh) * | 2021-05-12 | 2021-08-13 | 华南理工大学 | 芯片转移基板、芯片转移装置和芯片转移方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20140131140A (ko) | 2014-11-12 |
TW201444015A (zh) | 2014-11-16 |
KR102065370B1 (ko) | 2020-02-12 |
TWI616974B (zh) | 2018-03-01 |
CN104128705B (zh) | 2018-03-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104128705A (zh) | 基板剥离方法以及基板剥离装置 | |
TWI635601B (zh) | 製造被動光學元件的方法及包含該元件的裝置 | |
CN102398114B (zh) | 分割方法 | |
EP2169449A1 (en) | Method and apparatus for manufacturing liquid crystal component | |
CN105637638A (zh) | 用于显示面板的显示基板的制造方法 | |
CN103777812A (zh) | 液态光学透明粘合剂层叠过程控制 | |
CN108730921B (zh) | 导光模组、全反射式显示装置和制造导光模组的方法 | |
US20210191024A1 (en) | Optical body and light emitting device | |
CN104742484A (zh) | 贴合载具及贴合方法 | |
JP2015535940A (ja) | パネル取り付け装置 | |
JP2009025345A (ja) | 液晶部品の製造方法 | |
TWI818182B (zh) | 加工方法以及樹脂黏貼機 | |
JP4933368B2 (ja) | 液晶部品の製造方法 | |
KR101561766B1 (ko) | 다이 본딩 장치 | |
CN207255482U (zh) | 划片设备 | |
KR20160100956A (ko) | 제한된 시각적 접근성에 의한 웨이퍼 정렬 | |
JP2017034123A (ja) | 密着度合検出方法 | |
KR102354971B1 (ko) | 디스플레이 제조방법 및 이에 사용될 수 있는 디스플레이 제조장치 | |
CN109387958A (zh) | 一种玻璃面板切割方法 | |
JP2011242478A (ja) | 光学素子の製造方法および光学素子の製造装置 | |
CN219738910U (zh) | 一种晶圆键合的检测装置 | |
US10788756B2 (en) | Method of detecting size of pattern formed by photolithography | |
CN105103049A (zh) | 半导体加工装置以及半导体加工方法 | |
CN206421156U (zh) | 一种掩膜板及曝光系统 | |
KR101159686B1 (ko) | 일체형 도광판 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |