CN113257979A - 芯片转移基板、芯片转移装置和芯片转移方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种芯片转移基板、芯片转移装置和芯片转移方法。该芯片转移基板包括转移载板和光辐射释放膜层；光辐射释放膜层设置于转移载板的表面，光辐射释放膜层用于转移待转移芯片，并在待转移芯片转移后通过光辐射释放待转移芯片。在芯片转移基板转移待转移芯片时，可以实现采用光辐射的方式快速的批量转移待转移芯片，不仅能够有效地克服了采用转移头转移待转移芯片时的物理空间、机械运动等诸多限制，提高了待转移芯片批量转移的效率。另外，使用光辐射释放膜层转移待转移芯片时，可以适应待转移芯片之间具有不同的间距，从而提高了芯片转移基板的通用性。

Description

芯片转移基板、芯片转移装置和芯片转移方法
技术领域
本发明实施例涉及芯片转移技术领域，尤其涉及一种芯片转移基板、芯片转移装置和芯片转移方法。
背景技术
在制作Mini发光二极管(Light Emitting Diode，LED)显示面板以及microLED显示面板时，需要通过转移的方式，将发光颜色不同的mini/micro LED芯片从芯片基板上以特定的排列方式转移到同一芯片承载基板上，从而形成像素阵列。现有技术中，在转移LED芯片时，可以通过多组转移头，采用一一对应的方式，实现LED芯片的拾取和释放。由于转移过程中LED芯片的数量巨大，且转移头受物理空间、机械运动等诸多限制，导致采用转移头转移LED芯片时效率低下，单台芯片转移设备的转移效率一般为每分钟转移数十颗至数百颗LED芯片，成了制约mini LED显示面板和micro LED显示面板量产的瓶颈。
发明内容
本发明提供一种芯片转移基板、芯片转移装置和芯片转移方法，以提高芯片批量转移的效率。
第一方面，本发明实施例提供了一种芯片转移基板，包括转移载板和光辐射释放膜层；
所述光辐射释放膜层设置于所述转移载板的表面，所述光辐射释放膜层用于转移待转移芯片，并在所述待转移芯片转移后通过光辐射释放所述待转移芯片。
可选地，所述光辐射释放膜层包括衬底以及设置在所述衬底上的缓冲层和非晶硅层，所述缓冲层设置于所述衬底上，所述非晶硅层设置于所述缓冲层上；所述非晶硅层的材料包括氢化非晶硅。
可选地，所述氢化非晶硅中的氢含量占所述氢化非晶硅的比例为8％-15％。
可选地，还包括第一对位标记；
所述第一对位标记设置于所述转移载板上，所述第一对位标记用于在所述芯片转移基板转移所述待转移芯片时与芯片基板或芯片承载基板对位。
第二方面，本发明实施例还提供了一种芯片转移装置，包括芯片基板、芯片承载基板和第一方面提供的芯片转移基板；
所述芯片基板设置有待转移芯片，所述芯片转移基板与所述芯片基板相对设置，且所述芯片转移基板的光辐射释放膜层与所述待转移芯片贴合，用于转移所述待转移芯片至所述芯片承载基板；所述芯片转移基板还用于通过光辐射释放所述待转移芯片。
第三方面，本发明实施例还提供了一种芯片转移方法，采用第二方面提供的芯片转移装置实施，其特征在于，包括：
转移芯片转移基板，使所述第一对位标记与所述芯片基板上的第二对位标记对准，并使所述芯片转移基板上的光辐射释放膜层与芯片基板上的待转移芯片贴合；
剥离所述待转移芯片，使所述待转移芯片附着于所述光辐射释放膜层上；
转移所述芯片转移基板，使所述待转移芯片与芯片承载基板相对设置；
曝光所述光辐射释放膜层，使所述光辐射释放膜层释放所述待转移芯片至所述芯片承载基板上。
可选地，所述芯片承载基板上设置有第三对位标记，所述第三对位标记包括至少两类对位标记；在转移所述芯片转移基板时，使所述芯片转移基板上的第一对位标记与一类所述第三对位标记对准。
可选地，转移所述芯片转移基板，使所述待转移芯片与芯片承载基板相对设置，包括：
转移所述芯片转移基板，使所述芯片转移基板上的第一对位标记与所述芯片承载基板上的第三对位标记对准；
设置掩膜版上的第四对位标记与所述第一对位标记对准，使所述第三对位标记对应的所述待转移芯片在所述掩膜版上的垂直投影位于所述掩膜版的开口内。
可选地，曝光所述光辐射释放膜层，包括：
采用紫外光源通过所述掩膜版对所述光辐射释放膜层曝光，使所述光辐射释放膜层释放所述第一对位标记对准的一类所述第三对位标记对应的所述待转移芯片。
可选地，转移所述芯片转移基板，使所述待转移芯片与芯片承载基板相对设置，包括：
设置所述芯片转移基板上的第一对位标记与所述芯片承载基板上的第三对位标记对准，使所述第三对位标记对应的所述待转移芯片在所述芯片转移基板上的垂直投影位于所述芯片转移基板的镂空内。
本发明实施例的技术方案，通过在芯片转移基板上设置光辐射释放膜层，在芯片转移基板转移待转移芯片时，光辐射释放膜层拾取待转移芯片，在待转移芯片转移至芯片承载基板的上方时，采用光源照射光辐射释放膜层，使得光辐射释放膜层在光源的作用下释放待转移芯片，从而实现采用光辐射的方式快速的批量转移待转移芯片，不仅能够有效地克服了采用转移头转移待转移芯片时的物理空间、机械运动等诸多限制，提高了待转移芯片批量转移的效率。而且，当待转移芯片的尺寸越小时，光辐射释放膜层单位面积内转移的待转移芯片数量越多，待转移芯片的转移效率就越高。另外，使用光辐射释放膜层转移待转移芯片时，可以适应待转移芯片之间具有不同的间距，从而提高了芯片转移基板的通用性。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种芯片转移基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种芯片转移基板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种芯片转移基板的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种芯片转移装置的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种芯片转移方法的流程示意图；
图6为步骤S510对应的一种芯片转移装置的部分结构示意图；
图7为步骤S520对应的一种芯片转移装置的部分结构示意图；
图8为步骤S530对应的一种芯片转移装置的部分结构示意图；
图9为步骤S540对应的一种芯片转移装置的部分结构示意图；
图10为本发明实施例提供的一种芯片承载基板的俯视结构示意图；
图11为本发明实施例提供的另一种芯片转移方法的流程示意图；
图12为步骤S630对应的一种芯片转移装置的部分结构示意图；
图13为步骤S640对应的一种芯片转移装置的部分结构示意图；
图14为步骤S650对应的一种芯片转移装置的部分结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1为本发明实施例提供的一种芯片转移基板的结构示意图。如图1所示，该芯片转移基板包括转移载板110和光辐射释放膜层120；光辐射释放膜层120设置于转移载板110的表面，光辐射释放膜层120用于转移待转移芯片，并在待转移芯片转移后通过光辐射释放待转移芯片。
具体地，在芯片批量转移过程中，芯片转移基板可以拾取芯片基板上的待转移芯片并将待转移芯片转移至芯片承载基板的上方，然后将待转移芯片以特定的排列方式释放至芯片承载基板上，使待转移芯片在芯片承载基板上形成像素阵列。芯片转移基板的转移载板110具有承载作用，示例性地，转移载板110可以为柔性载板，也可以为刚性载板(例如玻璃载板)。光辐射释放膜层120设置于转移载板110的表面，在芯片转移基板转移待转移芯片时，光辐射释放膜层120拾取待转移芯片，在待转移芯片转移至芯片承载基板的上方时，采用光源照射光辐射释放膜层120，使得光辐射释放膜层120在光源的作用下释放待转移芯片，从而实现采用光辐射的方式快速的批量转移待转移芯片，不仅能够有效地克服了采用转移头转移待转移芯片时的物理空间、机械运动等诸多限制，提高了待转移芯片批量转移的效率。而且，当待转移芯片的尺寸越小时，光辐射释放膜层120单位面积内转移的待转移芯片数量越多，待转移芯片的转移效率就越高。例如，采用本发明实施例提供的芯片转移基板的单台芯片转移设备的转移效率可以达到每分钟转移十万颗至数千万颗待转移芯片。另外，使用光辐射释放膜层120转移待转移芯片时，可以适应待转移芯片之间具有不同的间距，从而提高了芯片转移基板的通用性。
示例性地，光辐射释放膜层120可以为具有粘性的光辐射释放胶。在光辐射释放膜层120拾取待转移芯片时，可以通过光辐射释放膜层120的粘性拾取待转移芯片，然后通过光源照射光辐射释放膜层120，使光辐射释放膜层120的粘性消失，从而实现释放待转移芯片。另外，图2为本发明实施例提供的另一种芯片转移基板的结构示意图。如图2所示，光辐射释放膜层120还可以是通过点胶形成的图案化膜层，点胶的位置与待转移芯片的位置相对设置，从而既可以实现光辐射释放膜层120转移待转移芯片，同时可以减少光辐射释放膜层120的使用。
图3为本发明实施例提供的另一种芯片转移基板的结构示意图。如图3所示，光辐射释放膜层120包括衬底121以及设置在衬底121上的缓冲层122和非晶硅层123，缓冲层122设置于衬底121上，非晶硅层123设置于缓冲层122上；非晶硅层123的材料包括氢化非晶硅。
具体地，衬底121可以为透光性好的基板，例如为玻璃基板，从而可以保证光源提供的光线通过衬底121和缓冲层122照射至非晶硅层123。缓冲层122的材料可以是二氧化硅，通过在衬底121和非晶硅层123之间设置缓冲层122，可以避免衬底121上的钠、钾等离子污染非晶硅层123，保证非晶硅层123的纯净。非晶硅层123设置于缓冲层122上，当光辐射释放膜层120拾取待转移芯片时，待转移芯片与非晶硅层123贴合。非晶硅层123可以通过化学气相沉积工艺形成，非晶硅层123中包括氢化非晶硅，当光源照射至非晶硅层123时，非晶硅层123可以瞬间吸收光源内的能量，使得非晶硅层123产生氢爆，从而形成推力使贴合在非晶硅层123的待转移芯片脱落，实现了光辐射释放膜层120释放待转移芯片。
示例性地，光源可以为激光，激光的能量比较高，使得非晶硅层123容易吸收比较的能量从而产生氢爆。
在上述技术方案的基础上，氢化非晶硅中的氢含量占氢化非晶硅的比例为8％-15％。
具体地，非晶硅层123中的氢化程度可以直接影响非晶硅层123产生氢爆的程度。当非晶硅层123中的氢化程度比较低时，在非晶硅层123吸收光源内的能量后，非晶硅层123产生的氢爆程度比较低，此时对待转移芯片形成的推力比较小，容易造成待转移芯片无法由光辐射释放膜层120释放的情况。当非晶硅层123中的氢化程度比较高时，在非晶硅层123吸收光源内的能量后，非晶硅层123产生的氢爆程度比较高，此时对待转移芯片形成的推力比较大，容易造成待转移芯片的损坏或释放至芯片承载基板时位置发生偏移的现象。此时可以设置氢化非晶硅中的氢含量占氢化非晶硅的比例为8％-15％，既可以保证待转移芯片被释放，同时可以降低待转移芯片的损坏或位置偏移。
继续参考图3，芯片转移基板还包括第一对位标记130；第一对位标记130设置于转移载板110上，第一对位标记130用于在芯片转移基板转移待转移芯片时与芯片基板或芯片承载基板对位。
具体地，芯片基板上设置有待转移芯片，同时设置有标记位，用于定位芯片位置。在芯片转移基板与芯片基板对准时，可以通过第一对位标记130与芯片基板上的标记位对准，从而使得芯片转移基板在拾取待转移芯片后能够确定待转移芯片在芯片转移基板上的位置。当芯片转移基板转移待转移芯片至承载基板的上方时，芯片转移基板可以通过第一对位标记130与芯片承载基板上的对位标记进行对位，使得芯片转移基板与芯片承载基板对准，从而可以根据待转移芯片的位置按照特定的排列方式释放至芯片承载基板上，实现待转移芯片快速的批量转移。
本发明实施例还提供了一种芯片转移装置。图4为本发明实施例提供的一种芯片转移装置的结构示意图。如图4所示，该芯片转移装置包括芯片基板200、芯片承载基板300和本发明任意实施例提供的芯片转移基板100；芯片基板200设置有待转移芯片210，芯片转移基板100与芯片基板200相对设置，且芯片转移基板100的光辐射释放膜层120与待转移芯片210贴合，用于转移待转移芯片210至芯片承载基板300；芯片转移基板100还用于通过光辐射释放待转移芯片210。
具体地，在芯片转移基板100转移待转移芯片210时，先移动芯片转移基板100与芯片基板200相对设置，并使得光辐射释放膜层120与待转移芯片210贴合，光辐射释放膜层120拾取待转移芯片210。然后移动芯片转移基板100至芯片承载基板300的上方，使芯片转移基板100上的待转移芯片210与芯片承载基板300相对设置，然后采用光源照射光辐射释放膜层120，光辐射释放膜层120在光源的作用下释放待转移芯片210，使待转移芯片210与芯片承载基板300上的芯片电极对准贴合，实现采用光辐射的方式快速的批量转移待转移芯片210，不仅能够有效地克服了采用转移头转移待转移芯片210时的物理空间、机械运动等诸多限制，提高了待转移芯片210批量转移的效率。而且，当待转移芯片210的尺寸越小时，光辐射释放膜层120单位面积内转移的待转移芯片210数量越多，待转移芯片210的转移效率就越高。另外，使用光辐射释放膜层120转移待转移芯片210时，可以适应待转移芯片210之间具有不同的间距，从而提高了芯片转移基板100的通用性。
本发明实施例还提供一种芯片转移方法，采用本发明任意实施例提供的芯片转移装置实施。图5为本发明实施例提供的一种芯片转移方法的流程示意图。如图5所示，该芯片转移方法包括：
S510、转移芯片转移基板，使第一对位标记与芯片基板上的第二对位标记对准，并使芯片转移基板上的光辐射释放膜层与芯片基板上的待转移芯片贴合；
具体地，图6为步骤S510对应的一种芯片转移装置的部分结构示意图。如图6所示，芯片基板200设置有待转移芯片210和第二对位标记220。芯片转移基板100包括光辐射释放膜层120和第一对位标记130，在转移过程中，通过移动芯片转移基板100，使第一对位标记130与第二对位标记220准确对位，然后通过沿垂直于芯片基板200的方向移动芯片转移基板100，使光辐射释放膜层120与待转移芯片210贴合，从而为芯片转移基板100转移待转移芯片210做好准备。
继续参考图6，芯片转移装置还可以包括图像获取元件，用于实时获取第一对位标记130和第二对位标记220的相对位置，从而可以根据第一对位标记130和第二对位标记220的相对位置调整芯片转移基板100的位置，使第一对位标记130与第二对位标记220准确对位。示例性地，芯片转移装置可以包括电荷耦合元件(Charge-coupled Device，CCD)，在第一对位标记130与第二对位标记220对位过程中，可以通过CCD实时获取第一对位标记130与第二对位标记220的相对位置，然后根据第一对位标记130与第二对位标记220的相对位置调整芯片转移基板100的位置，直至第一对位标记130与第二对位标记220准确对位。
需要说明的是，第一对位标记130和第二对位标记220均可以包括多个，此时可以设置多个图像获取元件，每个图像获取单元对应一个第一对位标记130和第一对位标记130对应的第二对位标记220，然后根据不同的图像获取元件分别对多个第一对位标记130和第二对比标记220进行准确对位。
S520、剥离待转移芯片，使待转移芯片附着于光辐射释放膜层上；
具体地，图7为步骤S520对应的一种芯片转移装置的部分结构示意图。如图7所示，在芯片基板200与芯片转移基板100对准后，可以将待转移芯片210从芯片基板200上剥离，然后待转移芯片210通过光辐射释放膜层120拾取待转移芯片210，使待转移芯片210附着于光辐射释放膜层120上，实现待转移芯片210随芯片转移基板100的移动而移动。如图7所示，在芯片基板200上剥离待转移芯片210时，可以使用紫外激光从芯片基板200远离芯片转移基板100的一侧扫描芯片基板200，紫外激光的能量透光芯片基板200后作用在待转移芯片210与芯片基板200的界面处，将待转移芯片210从芯片基板200上无损剥离。
S530、转移芯片转移基板，使待转移芯片与芯片承载基板相对设置；
具体地，图8为步骤S530对应的一种芯片转移装置的部分结构示意图。如图8所示，在待转移芯片210附着于光辐射释放膜层120上时，转移芯片转移基板100，可以实现待转移芯片210的转移，并使待转移芯片210与芯片承载基板300相对设置，为后续将待转移芯片210放置到芯片承载基板300上做准备。
需要说明的是，芯片承载基板300上设置有电极310，每一电极310可以对应放置一个待转移芯片210，从而可以实现待转移芯片210与芯片承载基板300的信号连接，使得芯片承载基板300能够形成像素阵列。
S540、曝光光辐射释放膜层，使光辐射释放膜层释放待转移芯片至芯片承载基板上。
具体地，图9为步骤S540对应的一种芯片转移装置的部分结构示意图。如图9所示，对光辐射释放膜层120进行曝光，使光辐射释放膜层120在光源的作用下释放待转移芯片210，从而实现采用光辐射的方式快速的批量转移待转移芯片210，不仅能够有效地克服了采用转移头转移待转移芯片210时的物理空间、机械运动等诸多限制，提高了待转移芯片210批量转移的效率。而且，当待转移芯片210的尺寸越小时，光辐射释放膜层120单位面积内转移的待转移芯片210数量越多，待转移芯片210的转移效率就越高。另外，使用光辐射释放膜层120转移待转移芯片210时，可以适应待转移芯片210之间具有不同的间距，从而提高了芯片转移基板210的通用性。
需要说明的是，在对光辐射释放膜层120进行曝光时，可以采用紫外光，使光线能够提供足够多的能量对光辐射释放膜层120进行曝光。而且，可以采用无掩膜曝光，例如激光直写工艺，实现对光辐射释放膜层120的曝光。
在其他实施例中，芯片承载基板上设置有第三对位标记，第三对位标记包括至少两类对位标记；在转移芯片转移基板时，使芯片转移基板上的第一对位标记与一类第三对位标记对准。
具体地，图10为本发明实施例提供的一种芯片承载基板的俯视结构示意图。如图10所示，芯片承载基板300包括阵列排布的电极310和5类第三对位标记320，不同类的第三对位标记320对应芯片承载基板300上不同位置的电极310。当第一对位标记130与其中一类第三对位标记320对准时，芯片转移基板100上的待转移芯片210与不同的电极310对准，从而实现待转移芯片210根据第三对位标记320放置。示例性地，继续参考图10，芯片承载基板300上设置有阵列排布的电极310，“+”对位标记对应(3m+1，3n+1)的电极310，例如(1,1)(4,1)(7,1)...(4,1)(4,4)(4,7)...等。“□”对位标记对应(3m+2，3n+1)的电极310，例如(2,1)(5,1)(8,1)...(5,1)(5,4)(5,7)...等。
Figure BDA0003063233520000121
对位标记对应(3m+3，3n+1)的电极310，例如(3,1)(6,1)(9,1)...(6,1)(6,4)(6,7)...等。“O”对位标记对应(3m+1，3n+2)的电极310，例如(2,2)(5,2)(8,2)...(5,2)(5,5)(5,8)...等。“Δ”对位标记对应(3m+1，3n+3)的电极310，例如(2,3)(5,3)(8,3)...(5,3)(5,6)(5,9)...等。其中，m为大于或等于0，且小于或等于电极310行数的三分之一的整数，n为大于或等于0，且小于或等于电极310列数的三分之一的整数。不同类的第三对位标记130对应不同的电极310。当第一对位标记130与第三对位标记320对准时，可以根据待转移芯片210需要放置的电极310位置与不同的第三对位标记320对准，从而可以根据芯片承载基板300的尺寸、部分释放待转移芯片210的需求以及特定芯片间距的需求实现芯片转移，进一步地提高了芯片转移基板100的通用性。
图11为本发明实施例提供的另一种芯片转移方法的流程示意图。如图11所示，该芯片转移方法包括：
S610、转移芯片转移基板，使第一对位标记与芯片基板上的第二对位标记对准，并使芯片转移基板上的光辐射释放膜层与芯片基板上的待转移芯片贴合；
S620、剥离待转移芯片，使待转移芯片附着于光辐射释放膜层上；
S630、转移芯片转移基板，使芯片转移基板上的第一对位标记与芯片承载基板上的第三对位标记对准；
具体地，图12为步骤S630对应的一种芯片转移装置的部分结构示意图。如图12所示，芯片承载基板300上设置有电极310和第三对位标记320。在转移芯片转移基板100时，可以将芯片转移基板100上的第一对位标记130与一类第三对位标记320对准，可以在待转移芯片210放置在芯片承载基板300上时与该类第三对位标记320对应的电极310一一对应，实现芯片承载基板300的像素排列。
需要说明的是，在第一对位标记130与第三对位标记320对准时，可以通过图像获取元件实时获取第一对位标记130和第三对位标记320的相对位置，然后根据第一对位标记130和第三对位标记320的相对位置调整芯片转移基板100的位置，使第一对位标记130与第三对位标记320对准。
S640、设置掩膜版上的第四对位标记与第一对位标记对准，使第三对位标记对应的待转移芯片在掩膜版上的垂直投影位于掩膜版的开口内。
具体地，图13为步骤S640对应的一种芯片转移装置的部分结构示意图。如图13所示，在曝光光辐射释放膜层120之前，可以通过掩膜版400设置在芯片转移基板100远离芯片承载基板300的一侧，掩膜版400上设置有开口410，不同的开口410对应芯片转移基板100上不同位置的待转移芯片210。通过设置光源穿过开口410传输至芯片转移基板100上对应的位置，可以使开口410对应的待转移芯片210在后续的曝光光辐射释放膜层120时，被释放至芯片承载基板300上的电极310，从而实现待转移芯片210的转移。
S650、曝光光辐射释放膜层，使光辐射释放膜层释放待转移芯片至芯片承载基板上。
具体地，图14为步骤S650对应的一种芯片转移装置的部分结构示意图。如图14所示，曝光光辐射释放膜层，包括：
采用紫外光源通过掩膜版对光辐射释放膜层曝光，使光辐射释放膜层释放第一对位标记对准的一类第三对位标记对应的待转移芯片。
其中，紫外光源可以通过掩膜版400的开口410照射至光辐射释放膜层120，对光辐射释放膜层120与开口410对应的位置进行曝光。使光辐射释放膜层120与开口410对应位置的待转移芯片210释放，实现了部分待转移芯片210的转移。
需要说明的是，实现部分待转移芯片210转移后，可以重复上述步骤S630至S650，使第一对位标记130与不同类的第三对位标记230对准，从而可以将芯片转移基板100上的待转移芯片210分批次的转移至芯片承载基板300上不同的指定位置，使芯片转移基板100适用于不同的芯片承载基板300尺寸，以及特定芯片间距的需求实现芯片转移，进一步地提高了芯片转移基板100的通用性。
在其他实施例中，转移芯片转移基板，使待转移芯片与芯片承载基板相对设置，包括：
设置芯片转移基板上的第一对位标记与芯片承载基板上的第三对位标记对准，使第三对位标记对应的待转移芯片在芯片转移基板上的垂直投影位于芯片转移基板的镂空内。
具体地，芯片转移基板还可以是具有镂空结构的基板，示例性地，芯片转移基板为掩膜版，即通过掩膜版复用为芯片转移基板，此时可以直接在掩膜版上设置光辐射释放膜层。在芯片转移过程中，芯片转移基板上的第一对位标记直接与芯片承载基板上的第三对位标记对准，使第三对位标记对应的待转移芯片在芯片转移基板上的垂直投影位于芯片转移基板的镂空内。当光源从芯片转移基板远离芯片承载基板的一侧从镂空处照射至对应的光辐射释放膜层时，光辐射释放膜层对应镂空处的待转移芯片被释放，实现了部分待转移芯片的转移。
需要说明的是，当芯片转移基板为掩膜版时，可以在掩膜版刻线上增加一侧防护层，减少掩膜版上刻线的磨损。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种芯片转移基板，其特征在于，包括转移载板和光辐射释放膜层；
所述光辐射释放膜层设置于所述转移载板的表面，所述光辐射释放膜层用于转移待转移芯片，并在所述待转移芯片转移后通过光辐射释放所述待转移芯片。
2.根据权利要求1所述的芯片转移基板，其特征在于，所述光辐射释放膜层包括衬底以及设置在所述衬底上的缓冲层和非晶硅层，所述缓冲层设置于所述衬底上，所述非晶硅层设置于所述缓冲层上；所述非晶硅层的材料包括氢化非晶硅。
3.根据权利要求2所述的芯片转移基板，其特征在于，所述氢化非晶硅中的氢含量占所述氢化非晶硅的比例为8％-15％。
4.根据权利要求1所述的芯片转移基板，其特征在于，还包括第一对位标记；
所述第一对位标记设置于所述转移载板上，所述第一对位标记用于在所述芯片转移基板转移所述待转移芯片时与芯片基板或芯片承载基板对位。
5.一种芯片转移装置，其特征在于，包括芯片基板、芯片承载基板和权利要求1-4任一项所述的芯片转移基板；
所述芯片基板设置有待转移芯片，所述芯片转移基板与所述芯片基板相对设置，且所述芯片转移基板的光辐射释放膜层与所述待转移芯片贴合，用于转移所述待转移芯片至所述芯片承载基板；所述芯片转移基板还用于通过光辐射释放所述待转移芯片。
6.一种芯片转移方法，采用权利要求5所述的芯片转移装置实施，其特征在于，包括：
转移芯片转移基板，使所述第一对位标记与所述芯片基板上的第二对位标记对准，并使所述芯片转移基板上的光辐射释放膜层与芯片基板上的待转移芯片贴合；
剥离所述待转移芯片，使所述待转移芯片附着于所述光辐射释放膜层上；
转移所述芯片转移基板，使所述待转移芯片与芯片承载基板相对设置；
曝光所述光辐射释放膜层，使所述光辐射释放膜层释放所述待转移芯片至所述芯片承载基板上。
7.根据权利要求6所述的芯片转移方法，其特征在于，所述芯片承载基板上设置有第三对位标记，所述第三对位标记包括至少两类对位标记；在转移所述芯片转移基板时，使所述芯片转移基板上的第一对位标记与一类所述第三对位标记对准。
8.根据权利要求7所述的芯片转移方法，其特征在于，转移所述芯片转移基板，使所述待转移芯片与芯片承载基板相对设置，包括：
转移所述芯片转移基板，使所述芯片转移基板上的第一对位标记与所述芯片承载基板上的第三对位标记对准；
设置掩膜版上的第四对位标记与所述第一对位标记对准，使所述第三对位标记对应的所述待转移芯片在所述掩膜版上的垂直投影位于所述掩膜版的开口内。
9.根据权利要求8所述的芯片转移方法，其特征在于，曝光所述光辐射释放膜层，包括：
采用紫外光源通过所述掩膜版对所述光辐射释放膜层曝光，使所述光辐射释放膜层释放所述第一对位标记对准的一类所述第三对位标记对应的所述待转移芯片。
10.根据权利要求6所述的芯片转移方法，其特征在于，转移所述芯片转移基板，使所述待转移芯片与芯片承载基板相对设置，包括：
设置所述芯片转移基板上的第一对位标记与所述芯片承载基板上的第三对位标记对准，使所述第三对位标记对应的所述待转移芯片在所述芯片转移基板上的垂直投影位于所述芯片转移基板的镂空内。
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