CN107109650A - 用于对大面积的基板覆层的cvd或pvd反应器 - Google Patents

用于对大面积的基板覆层的cvd或pvd反应器 Download PDF

Info

Publication number
CN107109650A
CN107109650A CN201580071269.1A CN201580071269A CN107109650A CN 107109650 A CN107109650 A CN 107109650A CN 201580071269 A CN201580071269 A CN 201580071269A CN 107109650 A CN107109650 A CN 107109650A
Authority
CN
China
Prior art keywords
housing
cvd
holding unit
fixed
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201580071269.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107109650B (zh
Inventor
P.M.A.巴克斯
R.阿布德尔-卡里姆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Aixtron SE
Original Assignee
Aixtron SE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aixtron SE filed Critical Aixtron SE
Publication of CN107109650A publication Critical patent/CN107109650A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107109650B publication Critical patent/CN107109650B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/02—Feed or outlet devices therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/03—Pressure vessels, or vacuum vessels, having closure members or seals specially adapted therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及一种CVD或PVD覆层装置，具有壳体(1、2)和固定在壳体(1、2)上的具有进气机构(7)的组件(23)，所述进气机构具有具备排气口(8)的、在排气平面内延伸的排气面(7’)，所述组件(23)通过固定件(13、14)固定在壳体(1)的上部区段中的多个悬挂位置(6’)上，其中，设有调温件(9)，所述进气机构(7)借助所述调温件能够从基本上与壳体(1、2)温度相当的第一温度调温至与壳体温度不同的第二温度，其中，所述固定件(13、14)具有力传递件(26.1、26.2、26.3、26.4；27、28、29)，当由于调温导致组件(23)的尺寸发生变化时，所述力传递件发生变形或相对移动。所述组件包括固持装置(3)，所述进气机构(7)借助多个在整个水平的延伸面上分散布置的悬吊件(6)固定在所述固持装置(3)上，并且所述固持装置(3)通过所述力传递件(26.1、26.2、26.3、26.4；27、28、29)固定在所述壳体(1)上。

Description

用于对大面积的基板覆层的CVD或PVD反应器
技术领域
本发明涉及一种CVD(化学气相沉积)或PVD(物理气相沉积)覆层装置，其具有壳体、固定在壳体上的进气机构、具有固定在壳体的上部区段上的固持装置，所述进气机构具有具备排气口的排气面，进气机构在多个悬挂位置上固定在所述固持装置上。
背景技术
在EP 1 815 493 B1中描述了这种类型的覆层装置，其示出覆层装置的壳体，在壳体内安置有固持装置，该固持装置固持进气机构。类似的设备在US 2008/0317973 A1中描述。
这种类型的覆层装置具有用于容纳待覆层的基板的基座和承担气体分配器作用的进气机构，处理气体通过进气机构可以被导入处理室内，处理室在气体分配器的下侧和基座之间延伸。气体分配器在其下侧具有多个排气口，处理气体通过排气口可以进入处理室内。在气体分配器的内部，用于分配处理气体的腔室位于排气口上。这种类型的气体分配器例如在DE 10 2013 101 534 A1内描述。
为了沉积OLED，在被加热的气体分配器内借助运载气体输入气态的有机的初始材料。气态的初始材料穿过排气口进入处理室内，以便在基板上冷凝，基板为此放置在被冷却的基座上。基板可以具有大于1m2的表面。随之要求制造具有2m至3m的基座对角线的CVD或PVD反应器。因为进气机构必须在基座的整个表面上延伸，所以需要提供具有2m至3m的对角线的进气机构。处理室具有数厘米的处理室高度。为了在整个基板表面上可以沉积相同的层厚度和相同的层质量，要求处理室高度在较小的公差范围内在整个处理室之上具有恒定的值。沉积过程在低压范围内开始，也就是在这个范围内大气压对壳体壁施加非常高的变形力。无法避免的是，壳体在压力下降时发生变形。此外，进气机构被加热，使得相对于机械力附加地要考虑热膨胀现象。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，如此改进这种类型的覆层装置，使得在整个基座面之上的或者在进气机构的排气面上的处理室高度仅在较小公差范围内变化。
所述技术问题通过在权利要求中提供发明解决，其中，每个权利要求原则上示出技术问题的独立的解决方案。
组件固定在壳体的上部区段上。所述组件包括带有配备排气口的排气面的进气机构。排气面沿尤其水平的排气平面延伸。组件在多个悬挂位置上固定在壳体上。设置调温件，利用所述调温件能够将进气机构从基本上与壳体温度相当的第一温度调温至与壳体的温度不同的第二温度。这可以通过对进气机构的加热实现，为此进气机构设置有加热设备。在未加热的状态下，进气机构具有壳体的温度。在加热状态下，进气机构比壳体具有更高的温度。然而还可以实现的是，进气机构能够利用冷却装置被冷却至低于壳体温度的温度。调温件可以是进气机构中的通道，调温的、也即热的或冷的液体穿流过所述通道。通过所述调温和由此导致的组件的部件的温度变化，组件的尺寸发生变化。至少基于热膨胀使进气机构的尺寸发生变化。固定件设计为，固定件在组件的这种尺寸变化时变形，或具有在尺寸变化时相互移动的元件。为此固定件具有力传递件，所述力传递件将组件的重力传递至壳体。力传递件是尤其可弹性变形的或具有优选能够无磨损地相互移动的元件。固定件优选仅固定在组件的外部的水平边缘上，并且尤其仅固定在固持装置上。力传递件优选可以仅沿水平向运动/变形，而不沿竖向运动/变形。优选在多角形的角上完成固定。多角形涉及虚拟的多角形，所述多角形定义了多个布置在固持装置的边缘上的水平面中的角点。在虚拟的多角形的角点上进行固定。多角形可以涉及三角形或四角形。例如可以将两个固定点配置于固持装置的角点，例如配置于窄边的两个角点。第三固定点可以布置在与所述窄边对置的窄边的中心。然而固定点也可以在位置上配属于宽边角或宽边。力传递件可以分别涉及弯曲元件。弯曲元件连接壳体侧的固定元件和组件侧的固定元件。可以涉及矩形的薄板。布置在角区域中的弯曲板相对于组件或固持装置定向为，组件或固持装置可以不仅沿宽侧延伸方向而且还沿窄侧延伸方向扩展。优选地，弯曲弹性的板位于垂直面中并且具有面法向，所述面法向沿着窄侧的侧壁与固持装置或组件的宽侧所成的夹角的角平分线延伸。面法向优选指向组件的几何重心、优选组件的位于水平面中的面重心，从而使组件在固定位置上的热膨胀方向与力传递件的主弯曲方向一致。在具有正方形基础面的固持装置或组件中，弯曲板由此优选以相对于宽侧或窄侧45°的角度延伸。两个分别布置在相邻的角上的弯曲板由此分别在平面中延伸，其中，两个竖直面以90°的角度相交。第三弯曲板在与所述两个固定点相对置的侧壁上大体布置在该侧壁的中心。同样沿竖直面延伸的弯曲板平行于固持装置或组件的侧壁延伸。在非正方形的基础面的情况下，力传递件的主弯曲方向、也即尤其扁平的弯曲元件的面法向朝向组件的、尤其进气机构或其固持装置的重心。此外还可以设置横向于弯曲移动方向的浮动式支承。为此优选设置销钉，所述销钉通过水平的运动间隙伸入开口中。尤其设置固定销，力传递件、尤其弯曲板利用所述固定销固定在固定件上，其中，固定销具有轴承侧边，所述轴承侧边支承在滑动元件上，所述滑动元件位于支承面上，从而使固定轴能够横向于弯曲元件的主变形方向相对于支承面移动。此外还可以设置保险设备，所述保险设备在力传递件可能发生断裂、尤其弯曲元件断裂时避免组件、尤其进气机构脱落。为此，保险设备以竖直的和/或水平的运动间距贯穿保险孔。在热膨胀时保险栓可以自由地穿过保险孔运动。在固持装置或组件的角区域中布置的固定件可以通过沿竖向延伸的杆件或缆索构成，然而固定件也可以固定在固持装置或组件的侧向壁部上的两个角点之间。实心的或中空的杆件仅具有上端部和下端部，所述上端部优选固定在壳体上，所述下端部优选固定在固持装置或组件上。然而呈实心或中空的杆件形式的弯曲元件也可以布置在组件的侧壁上。然而弯曲元件也可以具有其他设计。有利的是，弯曲元件允许组件或固持装置以最小摩擦水平运动。可以分别通过角元件实现固定。在角区域中布置的固定件还可以借助横梁固定在壳体上。在本发明的一种变型方案中，固定元件具有相互滚动的元件。第一元件可以牢固地固定在壳体上。第二元件可以牢固地固定在组件上或固持装置上，并且第三元件可以使第一和第二元件相连。还可以设置两个或多个元件，所述元件将牢固地固定在壳体上和牢固地固定在组件上的固定元件相连。在此优选涉及链节。在滚动式固定元件的布置方面可以援引针对弯曲元件的实施方式。这尤其适用于由滚动式固定元件所实现的运动方向。
组件优选具有固持装置，所述固持装置固定在壳体的上部区段上。其涉及一种可稳定温度的且机械稳定的固持装置。在这种形状稳定的固持装置上进气机构固定在多个悬挂位置上。悬挂位置基本上均匀地在进气机构的整个延伸面内分布。悬挂位置的相互距离小于进气机构的对角线延伸长度的至少3倍、但优选4倍或5倍。还可行的是，两个相邻的悬挂位置的最大间距等于进气机构的对角线延伸长度的最大十分之一。为了机械稳定性，固持装置可以具有机械的稳定元件。该机械的稳定元件可以由垂直壁构成。固持装置优选由桁架构成，该桁架由交叉的竖直壁构成。两个竖直的且必要时也相互平行延伸的竖直壁的间距比进气机构的对角线长度小最少3倍、4倍、优选5倍。沿竖向延伸的柱形的腔室设计有基础面，该基础面优选最大等于进气机构的基础面的百分之一并且可以具有棋盘形状或蜂巢形状的轮廓。固持装置优选仅通过水平边缘固定在壳体上。固持装置的水平边缘与壳体固定。固持装置的整个中央的面区域没有覆盖进气机构，但是在多个基本上均匀地在面上分布的位置上具有与进气机构的牢固连接。固持装置是温度稳定的。为此可以设有主动或被动的温度稳定装置。固持装置被如此稳定温度，使得当相对于进气机构的温度差变化时，进气机构的温度既不会在水平方向上，也不会在竖直方向上出现明显的改变。优选地，在整体由固持装置构成的部件的内部的温度、优选在桁架内的温度在+/-5度内变化。最冷点和最热点的温度差优选最大等于5度。为了被动地稳定温度可以设有热屏蔽件、例如其具有反射的表面或绝热体。为了主动地稳定温度，可以使用控温介质，例如控温液体，其流动穿过调温通道。调温通道可以布置在固持装置内。但是，调温通道优选设在固持装置的上部或下部。因为进气机构的温度在覆层过程中保持在较高的温度，所以固持装置必须为了控温而被冷却，则优选使用主动调温件，其安置在进气机构和固持装置之间的区域内。固持装置的蜂巢形状或盒子形状的结构赋予固持装置桁架的形状，这还实现了机械的稳定性。这还使得在内压力改变时可能待调节的壳体上部的形状改变不会影响固持装置的形状。固定件涉及所谓的弹性固定件，固持装置的边缘区域借助固定件固定在壳体上。在优选的设计方案中，在进气机构和固持装置之间延伸有竖直的间隔空间。为了将进气机构固定在固持装置上使用多个悬吊件。悬吊件可以涉及长形延伸的金属的或陶瓷的拉伸元件，其通过它的上端部固定在固持装置上并且通过它的下端部固定在进气机构的固定位置上。悬吊件可以是高度可调节的。由此，在每个悬挂位置上均可调节排气面和基座上侧之间的距离、也就是处理室高度。优选由具有较低热膨胀系数的材料制造悬吊件。进气机构的壁设有调温通道。尤其进气机构的构成排气面的壁、但也包括从排气面远离的壁具有多个通道，调温剂、例如较热的液体可以流动穿过这些通道。为了稳定固持装置的温度，不仅其形状发挥作用。固持装置设计为轻质构件。采取措施用于主动地避免从进气机构至固持装置的热传导，这些措施可以包括在进气机构和固持装置之间的间隔空间内安置一个或多个隔热件。隔热件涉及面状物体，其平行于进气机构的面延伸。隔热件的表面可以是高反射性的。备选地，也可以在间隔空间内安置绝热体。至少一个隔热件可以是主动冷却的。主动冷却的隔热件优选与固持装置直接相邻。主动冷却的隔热件可以涉及板件，该板件的延伸面大约相应于固持装置的延伸面或进气机构的延伸面。在板件的内部流动着冷却剂通道，冷却剂可以流动穿过冷却剂通道。由此，固持装置可以保持在恒定的温度。如果进气机构被加热，则固持装置基本上保持它的温度。在设备运行时可以改变的处理室高度的距离在1mm以下。壳体的表面温度大约处于30℃。固持装置的温度可以稳定在50℃。为此，主动隔热件将温度冷却到大约50℃。构成为喷淋头的进气机构在例如450℃的温度下运行，并且基板被冷却到20℃。通过一个或多个安装在主动隔热件和进气机构之间的被动隔热件，从进气机构至主动冷却的隔热件的热流被减小。直接邻接进气机构的隔热件例如可以具有350℃的表面温度。隔热件可以由金属或陶瓷材料构成。在被动隔热件和主动隔热件之间可以安置另外的被动隔热件，该另外的被动隔热件同样由金属板或陶瓷板构成。它们的温度在运行时大约为270℃。也可以在进气机构和主动冷却的隔热件之间设置两个以上的被动隔热件。隔热件的表面可以具有较低的光辐射度。这种表面可以是被研磨的、反射的表面。可以使用悬吊件，用于固定隔热件。但也可以规定，悬吊件仅穿过隔热件的开口，使得隔热件的变形在空间上不会影响进气机构的位置。按照本发明，固持装置针对变形是稳定的。在此涉及由于温度改变和/或压力改变而导致的变形。隔热件可以悬挂在独立的悬吊装置上，该悬吊装置或者固定在壳体盖上或者固定在固持装置上。本发明还涉及一种运行这种设备的方法。
附图说明
以下借助附图结合实施例对本发明进行更详尽的阐述。在附图中：
图1示出沿图2的剖切线I-I剖切示意示出的PVD覆层设备的剖面图，
图2示出覆层设备的俯视图，
图3示出根据图1的剖切线III-III所得的剖面图，
图4示出第二实施例的PVD反应器的壳体上部的基本根据图1的剖面图，
图5示出根据图4剖切的壳体上部的立体图，
图6示出根据图3视图方式的本发明的第三实施例，
图7示出根据图6的剖切线VII-VII的剖视图，
图8示出根据图6的剖切线VIII-VIII的剖视图，
图9示出作为第四实施例的另一固定件的立体图，
图10示出作为第五实施例的另一固定件的立体图，
图11示出作为第六实施例的另一固定件的立体图，
图12示出根据图11中XII的细节图，
图13a-d示出用于将固定件13在组件23上的布置的变型方案，
图14以类似图6的视图示出另一实施例，
图15示出由图14的固定件13.2的俯视图，
图16示出根据图15中的剖切线XVI-XVI的剖视图，
图17示出根据图16中的剖切线XVII-XVII的剖视图，
图18示出根据图16中的剖切线XVIII-XVIII的剖视图，
图19示出根据图16中的剖切线IXX-IXX的剖视图，
图19a示出图19中IXXa的放大剖视图，
图20示出由图14的固定件13.1，
图21示出根据图20中的剖切线XXI-XXI的剖视图，
图22示出根据图21中的剖切线XXII-XXII的剖视图，
图23示出根据图21中的剖切线XXIII-XXIII的剖视图，
图24示出根据图21中的剖切线XXIV-XXIV的剖视图，和
图24a示出图24中XXIVa的放大剖视图。
具体实施方式
图1至3所示的设备是用于对大面积的基板进行有机层覆层的PVD设备。基板可以具有矩形形状，其具有大于1m的对角线，尤其大约2m或3m。壳体下部2支承着用于放置基板的基座15。所述基座15具有多个冷却通道16，冷却剂通过冷却通道16可以被布置在处理室内。基座借助冷却剂保持在大约20℃的温度下。
壳体的上部1具有壳体盖，该壳体盖通过肋条结构17、18被机械地稳定。壳体下部2具有类似的肋条结构，用于机械地稳定壳体底板。在壳体盖内可以布置调温剂通道，液态的调温剂流动穿过调温剂通道，用于将壳体盖保持在预设的温度。
在壳体盖的边缘上和壳体上部1的侧壁的边缘上设有固定件13、14。这涉及弹性的固定件13、14，固持装置3通过固定件在其水平的边缘上固定在壳体上部1上。
固持装置3是桁架形式或蜂窝结构的轻质构件。该轻质构件具有多个沿竖向连接线相互连接的面状元件4、5。所述面状元件4、5构成竖向壁。在实施例中，固持装置3设计为由交叉的竖向壁4、5构成的固持架，该固持架通过其边缘3’借助固定件13、14固定在壳体1上。因为固持装置3仅在其边缘3’上与壳体固定，所以当在壳体1、2内部出现压力变化时无法避免的壳体盖的扭曲不会导致固持装置3在壳体1、2内部明显的位置变化。整体被边缘3’围绕的固持装置3的中央的平面区域没有承受与之平行延伸的壳体上部1的盖壁的应力。固定件13、14在壳体上部1的盖壁的边缘上固定。固持装置3构成开放的或封闭的腔室结构，其中，腔室的水平的面比固持装置3的水平的面小至少100倍。面的竖向高度可以处在腔室的水平面的等量圆对角线的数量级内。
涉及空腔体的进气机构7的壁板具有调温通道9，该进气机构7沿竖向安置在基座15的上方。进气机构7的构成排气面7’的下侧与基座15的上侧的间距等于数厘米。排气面7’具有多个喷淋头形状布置的排气口8，来自进气机构7的空腔内的处理气体通过排气口可以流到处理室内，该处理室由基座15的上侧和进气机构7的下侧构成。进气机构7将温度控制在大约450℃。
进气机构7通过机械的固定元件6固定在固持装置3上。机械的固定元件6基本上均匀地在进气机构7的整个延伸面内分布。相邻的固定元件6的相互距离显著地小于进气机构7的边棱长度或对角线。优选地，两个相邻的固定元件6的最大间距小于进气机构的等量圆对角线的十分之一。
机械的固定元件是悬吊件6，该悬吊件通过头部6’固定在固持装置3上并且在至进气机构7的竖向间隙内延伸。在此，悬吊件6在悬挂位置6’上通过其脚部固定在进气机构7上。进气机构7具有两个相互平行延伸的壁，这些壁分别具有调温剂通道9。固定位置6’可以设在进气机构7的上壁上。但在实施例中，固定位置6’也可以设在进气机构7的具有排气口8的壁上。悬吊件6的脚部在此则固定在进气机构7的下壁上。
悬吊件6的头部6”支承在固持装置3的上侧的开口或缺口19内。头部6”可以由螺栓构成，该螺栓旋入螺纹内，使得通过头部6”的旋转改变悬吊件6的长度或改变悬挂位置6’的竖向位置。但是，头部6”也可以由螺母或其它调节件构成，借此局部调节进气机构的高度位置。由此，处理室的高度可以局部地预设。悬吊件6优选由具有较低热膨胀系数的材料构成，使得对悬吊件6的加热不会影响处理室的局部高度。
在优选的设计方案中，其也在图1和3所示的实施例中实现，固持装置3不仅涉及机械稳定的固持框架，也涉及温度稳定的固持框架。为此，主动控温的隔热件11直接位于固持装置3的下方。隔热件11涉及由金属或陶瓷构成的、具有冷却剂通道12的板件。通过该冷却剂通道12导引穿流冷却剂，这使得主动冷却的隔热板11将温度置于大约50℃。然而固持装置也可以直接冷却。
在主动冷却的隔热件11和进气机构7之间可以安置一个或多个被动隔热件。在实施例中设计被动隔热件，其同样可以涉及金属板或陶瓷板。被动隔热件具有一个温度，该温度在进气机构的温度和主动隔热件的温度之间的范围内。被动隔热件的温度可以在400℃至200℃之间的范围内。在使用多个相互平行布置的被动隔热件的情况下，各个隔热件可以具有270℃或350℃的温度。固持装置的温度由此保持在大约50℃。壳体温度则处于大约30℃。被动隔热件10优选是具有高反射表面的金属板。其发射系数小于0.2。
图4和5示出壳体上部1的第二实施例同样具有设计为轻质构件的固持框架3，其由框架形式的隔间结构构成，其中，竖向的隔间壁4、5在竖向连接线上相互连接。隔间壁4、5在此也可以设计为薄的金属板。在此附加地，固持框架3还具有水平延伸的上水平壁20和下水平壁21。
即便在该实施例中，仅仅固持装置3的竖向延伸的边缘3’与壳体1相连。与之相关的固定件13可以是弹性的固定件。固持装置3的所有的壁板由最薄的面状材料构成，如板材。这构成了开放腔室的或封闭腔室形式的空间结构。固持装置3固定在壳体上部1的盖板的边缘上。然而还可行的是，固持装置3整体式地构成，例如由实心锭铣削而成的桁架。
具有多个排气口的进气机构7通过多个在进气机构7的延展面上基本均匀布置的固定位置6’固定在固持装置3上。进气机构连接机械的固定元件6，该固定元件6在此也由悬吊件构成。悬吊件6’的头部与固持装置3相连。悬吊件6的脚部在固定位置6’上与进气机构7相连。在此在固持装置3和进气机构7之间的竖向间隔空间内也设有多个热屏蔽件10、11。在此也设有至少一个主动冷却的热屏蔽件11，其直接安置在固持装置的下方并且平行于固持装置3的下侧延伸。在主动冷却的隔热件11和进气机构7的上侧之间延伸有多个相互平行延伸的被动热屏蔽件10。
在该实施例中，热屏蔽件与悬吊件6相连。悬吊件6由此不仅将进气机构7固持在固持装置3上，而且也将热屏蔽件10、11固定在其竖向位置上。热屏蔽件10、11也可以通过独立的悬吊件固定在固持装置3上。它们具有高反射的表面。安置在固持装置3的下方的板件11在固持装置3的整个延展面上延伸，该板件11具有冷却剂通道12，冷却水通过该冷却通道被导引穿流。
在未示出的实施例中可以规定，热屏蔽件10、11的竖向位置基本上是不重要的，热屏蔽件10、11通过独立的悬吊装置直接固定在壳体1上。与之相关的悬吊装置可以设在热屏蔽件10、11的边缘上。但是，悬吊装置也可以设在热屏蔽件10、11的中央的面区域内并且例如穿过固持装置3的通孔，用于固定在壳体上部1的盖子上。
在壳体上部1的盖区段内在加强肋条17、18之间的区域内设有可关闭的开口22。通过打开该开口22可以到达固持装置3的上侧或者到达上部水平壁20。开口19处在上述位置，悬吊件6的头部6”在开口19内延伸。头部6”可以由螺纹件构成，使得通过头部6”的转动影响悬吊件6的有效长度。悬吊件的头部6”由此构成调节机构，用于局部影响处理室的高度，即进气机构7与基座15的距离。
应用前述装置用于在大面积的基板上沉积OLED。在该方法中，固体的、粉末形状的初始材料通过蒸发器转变为气体形式。由此构成的有机蒸汽借助运载气体被输送到进气机构7内，在那里蒸汽从排气口7’排出，以便在位于基座15上的基板的表面上冷凝。
在上述实施例中，固持装置3连同进气机构7一起构成组件23，所述组件借助固定件13、14固定在壳体1的上部区段上。
在图6至8所示的实施例中仅示出组件23的固持装置3。固持装置3在此也是轻质结构体，例如通过桁架构成的框架。该框架具有矩形的基础面，其带有四个角和连接所述角的侧壁。在两个通过侧壁相连的角上具有固定件13.1。在相对置的侧壁的中心具有另一个固定件13.2，从而固定件13.1、13.2布置在等腰三角形的角点上。
固定件13.1、13.2基本上由三个固定元件组成。固定件分别具有固定元件24.1、24.2，利用所述固定元件将固定件13.1、13.2固定在壳体上部1上。另一个固定元件25.1、25.2固定在固持装置3上。固定元件25.1是角状元件，所述角状元件包围固持装置3的角区域并且具有角边，所述角边面状地与固持装置3的侧壁相连。固定元件25.2具有在一个平面内延伸的固定侧，所述固定侧大体固定在固持装置3的侧壁的中心。
两个固定元件24.1或24.2和25.1或25.2分别借助中间元件26.1、26.2相连。中间元件26.1、26.2用于力传递，利用所述中间元件将固定件25.1、25.2的重力传递至固定元件24.1、24.2。中间元件26.1、26.2由此涉及力传递件，所述力传递件在图6至8的实施例中分别具有矩形板的形状。弯曲元件26.1、26.2的上部区段分别与壳体侧的固定元件24.1、24.2相连。中间元件26.1、26.2的下部区段分别与组件侧的固定元件25.1、25.2相连。弯曲元件26.1、26.2具有沿竖向延伸的弯曲面，从而使面法向朝向水平方向。弯曲元件26.1的面法向指向固持装置3的在角点上相交的两个侧壁的角等分线的方向。在一种优选的变型方案中，弯曲元件26.1的面法向则指向固持装置3的几何重心M的方向，从而在固定点上的热膨胀方向h与弯曲元件26.1的面法向一致。弯曲元件26.2的面法向沿横向于固持装置的侧壁的方向延伸。在固持装置3热膨胀时，固持装置在水平面内膨胀。在此可以使固持装置3的各个角的间距扩大或缩小。固持装置3的这种尺寸变化导致面状的弯曲元件26.1、26.2的尽可能小的扭曲。
弯曲元件也可以涉及弯曲板，所述弯曲板具有相互平行的边棱，所述边棱分别利用固定钳口固定在壳体或固持装置的固定元件24.1、24.2、25.1、25.2上。根据本发明的力传递件这样设计且固定在固定元件上，从而使力传递件允许组件23、尤其进气机构仅在水平面中偏移运动。因此弯曲元件的移动位移比弯曲元件的弯曲区段的长度小至少一个数量级(十倍)。
图9示出固定元件13.4的一种变型方案。弯曲弹性的中间元件26.4可以是实心或中空的杆件的形式，所述中间元件借助上部的固定元件24.4与壳体1相连并且借助下部的固定元件25.4与固持装置3相连。然而也可以使用缆索，而非杆件。杆件和缆索是力传递件，利用所述力传递件将固持装置3或进气机构的重力传递至壳体。固定元件24.1、25.4可以涉及角元件。中间元件26.1优选和中间元件26.1、26.2一样由金属制成。杆件26.4沿竖向延伸。然而也可以相对于竖向倾斜地延伸。杆件具有矩形的横截面，然而也可以具有其他、例如多边形横截面。
在图10中所示的实施例基本上与图6至8所示的角固持部相当。然而示出了设计为横梁的壳体侧的固定元件24.1，所述固定元件利用螺栓固定在壳体上部1的内部侧壁上。组件侧的固定元件25.1具有两个相互成沿90°角的角边，所述角边同样借助螺栓与组件23相固定。分别相对于固定元件25.1的角边以45°错移的侧面与弯曲弹性的中间元件26.1相连。中间元件26.1和中间元件26.1同样涉及力传递件。
在图11和图12中所示的实施例示出了横梁30的连接，所述横梁被两个壳体侧的固定元件24.3、24.4支承，并且通过四个链节27、28、29与壳体侧的固定元件25.3相连，所述壳体侧的固定元件是角元件。上部链接27通过横梁30的固定销固持并且为此插进横梁30的开槽中。下部链节29固持在固定元件25.3的两个固定臂之间，并且同样被固定销贯穿。设置两个中间链节28，所述中间链节将上部链节27与下部链节29相连。链节27、28、29构成力传递件，以便传递重力。
如同图6所示的实施例，在此还可以角区域中实现相对于组件23的侧壁斜向的偏移运动，其中，链节27、28、29相互滚动。链节27和29的开口以90°相互错移。链节27、28、29是分别在平面内延伸的、分别以90°角错移地相互啮合的圆形物体。
通过与图6所示实施例类似的方式，可以在与两个角区域相对置的侧壁的中心设置未示出的第三固定件，所述第三固定件同样具有多个相互啮合的链节27、28、29，从而使在此处的窄壁能够沿横向于其延展方向的方向偏移。
图13a示意性示出固定件13在组件23的两个角区域和相对置的侧壁的中心上的布置，从而使固定件13布置在等腰三角形的角点上。
图13b示出固定件13在具有矩形基础面的组件的四个角点上的布置，其中，此处的固定件13布置在四角形的角点上。
图13c示出另一种变型方案，其中，固定件13大体布置在组件23的相互垂直的侧壁的中央。在此涉及弯曲元件，所述弯曲元件具有垂直于侧壁的延展方向的弯曲方向。弯曲元件构成为，组件23即使沿位于弯曲元件的面内的方向也能膨胀。为此弯曲元件不构成为面状体，而是例如梳齿状构成或具有辐条。
在图13d中所示的实施例示出在利用四个固定件13的情况下对组件23的固定，其中，分别两个固定件13固定在组件23的相互对置的侧壁上。固定件13在此与角点相间隔并且配属于较长的侧壁。弯曲元件在此可以通过杆件构成，所述杆件利用上端部位置固定地固定在壳体上，从而使固定在组件23上的下端部能够沿水平面弯曲弹性地移动。
图14至24a示出特别优选的实施例，其中，组件23固定在壳体上的三个固定位置上，所述组件可以涉及固持件3连同固定在固持件上的进气机构7或仅涉及进气机构。为此设置三个固定件13.1、13.2，所述固定件作用在组件23的水平边缘上并且相对于此构成组件侧的固定元件25.1和25.2。组件23具有非正方形的矩形基础面。在矩形的较短侧的两个角上固定两个组件侧的固定元件25.1。两个组件侧的固定元件25.1的每一个都与固定在壳体上的壳体侧的固定元件24.1相连，在与该较短的矩形边相对置的较短的矩形边上在其中心具有第三固定件13.1，所述第三固定件同样具有组件侧的固定元件25.2和壳体侧的固定元件24.2。
由图16至21和图中所示的剖视图可知，每个组件侧的固定元件25.1、25.2利用中间元件26.1、26.2与壳体侧的固定元件24.1、24.2相连。中间元件26.1、26.2涉及呈弯曲板形式的力传递件。弯曲板具有大体上矩形的横截面也即在其上侧和下侧上的材料加厚部。中间元件26.1、26.2的上部的材料加厚部具有螺栓孔，固定螺栓旋拧穿过所述螺栓孔，利用所述螺栓孔将中间元件26.1、26.2旋拧在壳体侧的固定元件24.1、24.2上。为此壳体侧的固定元件24.1、24.2具有可垂直移动的校准体14，力传递件固定在所述校准体上。借助支承有校准体41的校准螺栓42可以对校准体进行高度调整，以便调整进气机构7相对于基座15的间距。
中间元件26.1、26.2的下部的材料加厚部具有支承孔36。支承孔36被固定轴32贯穿，所述固定轴与组件侧的固定元件25.1、25.2牢固地相连。组件侧的固定元件25.1、25.2为此具有竖直延伸的开槽，中间元件26.1、26.2的下部的材料加厚部插入所述开槽中。所述开槽与固定孔35相交，固定轴32(销钉31的部分)插入所述固定孔中。
固持孔36具有沿水平方向延伸的支承面40，滑动元件39位于所述支承面上。在滑动元件39上支承固定轴32的支承侧边38，从而使支承侧边38相对于支承面40沿水平方向尽可能小地移动。由此可以补偿热膨胀运动的运动分量，热膨胀运动沿构成为弯曲元件的中间元件26.1、26.2的主弯曲方向的方向延伸。
针对中间元件26.1、26.2可能会断裂的情况设置保险装置34、33。保险设备涉及保险栓3，所述保险栓与两个组件24、25中的一个牢固地固定并且所述保险栓嵌合进相应另一个固定元件的开孔34中。在该实施例中，保险栓33位置固定地配属于组件侧的固定元件25.1、25.2。具体来说，保险栓33通过所述销钉31构成。保险开孔通过位于壳体侧的固定元件24.1、24.2的突伸部上的保险孔34构成。
保险孔34的直径大于保险栓33的直径，从而使保险栓33自由地伸入开孔34中。保险栓33的周向面在其整个周向上具有与保险孔34的内壁的间距，从而使保险栓33自由且无接触地伸入保险孔34中。
如果弯曲弹性的力传递件应该出现断裂，则组件23仅向下掉落至保险栓33碰触开孔34的壁部为止。
根据本发明的保险设备具有以全部方向上的间距嵌合进保险孔34中的保险栓33，其中，保险栓33要么配属于壳体侧要么配属于组件侧的固定元件，并且保险孔34分别配属于另一个固定元件，其中，组件侧的固定元件和壳体侧的固定元件否则将仅通过实现水平偏移运动的中间元件相互连接。
前述实施方式用于阐述本申请整体包含的发明，所述发明至少通过以下特征组合也分别独立地改进现有技术，即：
一种CVD或PVD覆层装置，其特征在于，所述固定件13、14具有力传递件26.1、26.2、26.3、26.4；27、28、29，当由于调温导致组件23的尺寸发生变化时，所述力传递件发生变形或相对移动。
一种CVD或PVD覆层装置，其特征在于，所述组件23仅在其水平边缘3’上固定在所述壳体1、2上。
一种CVD或PVD覆层装置，其特征在于，所述组件23通过可弹性变形的力传递件26.1、26.2、26.4固定在所述壳体1、2上，所述力传递件具有主变形方向，所述主变形方向指向组件23的水平的面重心M。
一种CVD或PVD覆层装置，其特征在于，进气机构7借助多个在水平的延伸面上分散布置的悬吊件6固定在组件23的利用固定件13、14固定在壳体上的固持装置3上，其中，悬吊件6沿竖向从悬挂位置6’延伸至固持装置3，并且在进气机构7与固持装置3之间的竖向间距中布置有调温装置11、12和/或一个或多个隔热件10、11。
一种CVD或PVD覆层装置，其特征在于，固定件13、14、13.1、13.2、13.3、13.4在具有矩形基础面的组件23的边缘上布置在多角形、尤其三角形或四角形的角点上。
一种CVD或PVD覆层装置，其特征在于，至少一个力传递件是可弹性变形的弯曲元件26.1、26.2、26.4。
一种CVD或PVC覆层装置，其特征在于，力传递件26.1、26.2是矩形板，或弯曲元件26.4是实心或中空的杆件，或弯曲元件是缆索。
一种CVD或PVD覆层装置，其特征在于，至少一个力传递件13.3具有相互滚动的元件27、28、29。
一种CVD或PVD覆层装置，其特征在于，在相互滚动的元件中的第一元件27牢固地固定在壳体1、2上，第二元件29牢固地固定在组件上，并且至少一个第三元件28将第一和第二元件27、29相连。
一种CVD或PVD覆层装置，其特征在于，相互滚动的元件27、29是链节。
一种CVD或PVD覆层装置，其特征在于，力传递件是中间元件26.1、26.3、26.4，利用所述中间元件至少一个尤其布置在角区域中的固定元件24.1、24.2、24.3、24.4固定在被紧固在组件23上的固定元件25.1、25.3、25.4上。
一种CVD或PVD覆层装置，其特征在于，弯曲元件26.4利用其固定在组件侧的固定元件25.4上的端部能够在水平面中相对于其固定在壳体侧的固定元件24.4上的端部弯曲弹性地移动。
一种CVD或PVD覆层装置，其特征在于，壳体侧的固定元件24.1-24.3大致处于相同的竖直高度上，如同所对应的组件侧的固定元件25.1-25.3一样。
一种CVD或PVD覆层装置，其特征在于，设有保险设备，其在力传递件26.1、26.2、26.3、26.4断裂时相互作用，用于将组件23固持在壳体1上，尤其用于将组件侧的固定元件25.1-25.4固持在壳体侧的固定元件24.1、24.2、24.3、24.4上，其中尤其，保险栓33无接触地嵌合在保险孔34中。
所有公开的特征(本身及其相互组合)都有发明意义或发明价值。在本申请的公开文件中，所属/附属的优先权文本(在先申请文件)的公开内容也被完全包括在内，为此也将该优先权文本中的特征纳入本申请的权利要求书中。从属权利要求的特征都是对于现有技术有独立发明意义或价值的改进设计，尤其可以这些从属权利要求为基础提出分案申请。
附图标记清单
1 壳体上部
2 壳体上部
3 固持装置
3 组件的边缘
4 垂直壁
5 垂直壁
6 悬吊件
6’ 固定元件
7 进气机构
8 排气口
9 调温通道
10 被动的隔热件
11 主动的隔热件
12 却冷剂通道
13 固定件
13.1 固定件
13.2 固定件
13.3 固定件
13.4 固定件
14 固定件
15 基座
16 冷却剂通道
17 肋条
18 肋条
19 开孔
20 上部的水平壁
21 下部的水平壁
22 开孔
23 组件
24.1 壳体侧的固定元件
24.2 壳体侧的固定元件
24.3 壳体侧的固定元件
24.4 壳体侧的固定元件
25.1 组件侧的固定元件
25.2 组件侧的固定元件
25.3 组件侧的固定元件
25.4 组件侧的固定元件
26.1 中间元件
26.2 中间元件
26.3 中间元件
26.4 中间元件
27 链节，壳体侧
28 链节，中部
29 链节，组件侧
30 横梁
31 销钉
32 固定销
33 保险栓
34 保险孔
35 固定孔
36 固持孔
38 支承侧边
39 滑动元件
40 支承面
41 校准体
42 校准螺栓

Claims (16)

1.一种CVD或PVD覆层装置，具有壳体(1、2)和固定在壳体(1、2)上的具有进气机构(7)的组件(23)，所述进气机构(7)具有具备排气口(8)的、在排气平面内延伸的排气面(7’)，所述组件(23)通过固定件(13、14)固定在壳体(1)的上部区段中的多个悬挂位置(6’)上，其中，设有调温件(9)，所述进气机构(7)借助所述调温件(9)能够从基本上与壳体(1、2)温度相当的第一温度调温至与壳体温度不同的第二温度，其中，所述固定件(13、14)具有力传递件(26.1、26.2、26.3、26.4；27、28、29)，当由于调温导致组件(23)的尺寸发生变化时，所述力传递件发生变形或相对移动，其特征在于，所述组件包括固持装置(3)，所述进气机构(7)借助多个在整个水平的延伸面上分散布置的悬吊件(6)固定在所述固持装置(3)上，并且所述固持装置(3)通过所述力传递件(26.1、26.2、26.3、26.4；27、28、29)固定在所述壳体(1)上。
2.根据权利要求1所述的CVD或PVD覆层装置，其特征在于，所述固持装置(3)仅在其水平边缘(3’)上固定在所述壳体(1、2)上。
3.根据上述权利要求中任一项所述的CVD或PVD覆层装置，其特征在于，所述固持装置(3)通过可弹性变形的力传递件(26.1、26.2、26.4)固定在所述壳体(1、2)上，所述力传递件具有主变形方向，所述主变形方向指向组件(23)的水平的面重心(M)。
4.根据上述权利要求中任一项所述的CVD或PVD覆层装置，其特征在于，所述悬吊件(6)沿竖向从悬挂位置(6)延伸至固持装置(3)。
5.根据上述权利要求中任一项所述的CVD或PVD覆层装置，其特征在于，在所述进气机构(7)与固持装置(3)之间的竖向间距内布置有调温装置(11、12)和/或一个或多个隔热件(10、11)。
6.根据上述权利要求中任一项所述的CVD或PVD覆层装置，其特征在于，所述固定件(13、14、13.1、13.2、13.3、13.4)在具有矩形基础面的组件(23)的边缘上布置在多角形、尤其三角形或四角形的角点上。
7.根据上述权利要求中任一项所述的CVD或PVD覆层装置，其特征在于，至少一个力传递件是可弹性变形的弯曲元件(26.1、26.2、26.4)。
8.根据权利要求7所述的CVD或PVC覆层装置，其特征在于，所述力传递件(26.1、26.2)是矩形板，或者所述弯曲元件(26.4)是实心或中空的杆件，或者所述弯曲元件是缆索。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的CVD或PVD覆层装置，其特征在于，至少一个力传递件(13.3)具有相互滚动的元件(27、28、29)。
10.根据权利要求9所述的CVD或PVD覆层装置，其特征在于，在相互滚动的元件中的第一元件(27)牢固地固定在所述壳体(1、2)上，第二元件(29)牢固地固定在所述组件上，并且至少一个第三元件(28)将第一和第二元件(27、29)相连。
11.根据权利要求9或10所述的CVD或PVD覆层装置，其特征在于，相互滚动的元件(27、28、29)是链节。
12.根据上述权利要求中任一项所述的CVD或PVD覆层装置，其特征在于，所述力传递件是中间元件(26.1、26.3、26.4)，至少一个尤其布置在角区域中的固定元件(24.1、24.2、24.3、24.4)通过所述中间元件固定在被紧固在所述组件(23)上的固定元件(25.1、25.3、25.4)上。
13.根据上述权利要求中任一项所述的CVD或PVD覆层装置，其特征在于，弯曲元件(26.4)利用其固定在组件侧的固定元件(25.4)上的端部能够在水平面中相对于其固定在壳体侧的固定元件(24.4)上的端部弯曲弹性地移动。
14.根据上述权利要求中任一项所述的CVD或PVD覆层装置，其特征在于，壳体侧的固定元件(24.1-24.3)大致处于相同的竖直高度上，如同所对应的组件侧的固定元件(25.1-25.3)一样。
15.一种CVD或PVD覆层装置，其特征在于，设有保险设备，其在力传递件(26.1、26.2、26.3、26.4)断裂时发挥作用，用于将所述组件(23)保持在所述壳体(1)上，尤其用于将组件侧的固定元件(25.1-25.4)保持在壳体侧的固定元件(24.1、24.2、24.3、24.4)上，其中尤其，保险栓(33)无接触地嵌合在保险孔(34)中。
16.一种CVD或PVD覆层装置，其特征在于上述权利要求中任一项的一个或多个技术特征。
CN201580071269.1A 2014-11-20 2015-11-18 用于对大面积的基板覆层的cvd或pvd反应器 Active CN107109650B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014019721.2 2014-11-20
DE102014019721 2014-11-20
DE102015110440.7 2015-06-29
DE102015110440.7A DE102015110440A1 (de) 2014-11-20 2015-06-29 CVD- oder PVD-Reaktor zum Beschichten großflächiger Substrate
PCT/EP2015/076912 WO2016079161A1 (de) 2014-11-20 2015-11-18 Cvd- oder pvd-reaktor zum beschichten grossflächiger substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107109650A true CN107109650A (zh) 2017-08-29
CN107109650B CN107109650B (zh) 2020-06-16

Family

ID=55914222

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580071269.1A Active CN107109650B (zh) 2014-11-20 2015-11-18 用于对大面积的基板覆层的cvd或pvd反应器

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP6602378B2 (zh)
KR (1) KR102525990B1 (zh)
CN (1) CN107109650B (zh)
DE (1) DE102015110440A1 (zh)
TW (1) TWI683700B (zh)
WO (1) WO2016079161A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108060410B (zh) * 2017-12-15 2023-08-18 浙江晶盛机电股份有限公司 用于平板式pecvd的进气管道保护结构

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040206305A1 (en) * 2003-04-16 2004-10-21 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition
US20050183827A1 (en) * 2004-02-24 2005-08-25 Applied Materials, Inc. Showerhead mounting to accommodate thermal expansion
US20080099146A1 (en) * 2006-10-25 2008-05-01 Applied Materials, Inc. Suspension for showerhead in process chamber
US20080317973A1 (en) * 2007-06-22 2008-12-25 White John M Diffuser support

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6772827B2 (en) 2000-01-20 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Suspended gas distribution manifold for plasma chamber
US20020083897A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Applied Materials, Inc. Full glass substrate deposition in plasma enhanced chemical vapor deposition
ES2301073T3 (es) 2004-11-24 2008-06-16 Oc Oerlikon Balzers Ag Camara de procesamiento al vacio para sustratos de area muy grande.
JP4749785B2 (ja) * 2005-07-19 2011-08-17 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置
TWI306782B (en) * 2005-09-02 2009-03-01 Applied Materials Inc Suspension for showerhead in process chamber
US8069817B2 (en) * 2007-03-30 2011-12-06 Lam Research Corporation Showerhead electrodes and showerhead electrode assemblies having low-particle performance for semiconductor material processing apparatuses
US20090071403A1 (en) * 2007-09-19 2009-03-19 Soo Young Choi Pecvd process chamber with cooled backing plate
JP5582816B2 (ja) * 2010-02-19 2014-09-03 東京エレクトロン株式会社 カバー固定具及び誘導結合プラズマ処理装置
US8721791B2 (en) * 2010-07-28 2014-05-13 Applied Materials, Inc. Showerhead support structure for improved gas flow
KR20120029166A (ko) * 2010-09-16 2012-03-26 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
WO2012056877A1 (ja) * 2010-10-29 2012-05-03 シャープ株式会社 蒸着方法、蒸着装置、及び有機ｅｌ表示装置
DE102013101534A1 (de) 2013-02-15 2014-08-21 Aixtron Se Gasverteiler für einen CVD-Reaktor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040206305A1 (en) * 2003-04-16 2004-10-21 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition
US20050183827A1 (en) * 2004-02-24 2005-08-25 Applied Materials, Inc. Showerhead mounting to accommodate thermal expansion
US20080099146A1 (en) * 2006-10-25 2008-05-01 Applied Materials, Inc. Suspension for showerhead in process chamber
US20080317973A1 (en) * 2007-06-22 2008-12-25 White John M Diffuser support

Also Published As

Publication number Publication date
CN107109650B (zh) 2020-06-16
DE102015110440A1 (de) 2016-05-25
JP6602378B2 (ja) 2019-11-06
JP2017538037A (ja) 2017-12-21
WO2016079161A1 (de) 2016-05-26
KR20170084159A (ko) 2017-07-19
TW201628705A (zh) 2016-08-16
KR102525990B1 (ko) 2023-04-25
TWI683700B (zh) 2020-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107109649A (zh) 用于对大面积基板覆层的cvd或pvd覆层设备
US10689749B2 (en) Linear evaporation source and vacuum deposition apparatus including the same
EP2672213A1 (en) Gasification device for low-temperature liquefied gas
KR101643803B1 (ko) 유리 기판의 제조 방법 및 냉각기
CN107109650A (zh) 用于对大面积的基板覆层的cvd或pvd反应器
CN107002238A (zh) 基板保持装置
CN107592889A (zh) 用于沉积已蒸发材料的蒸发源与用于沉积已蒸发材料的方法
CN108463572A (zh) 用于沉积有机材料的蒸发源、设备和方法
CN110578044A (zh) 一种起落架零件热处理变形控制装置及控制方法
CN104245969A (zh) 用于金属部件的热处理的固定工具
TWI684670B (zh) 用於塗佈大型基板之裝置
JP2020148448A5 (zh)
US20130255322A1 (en) Mould construction for bending glass sheets
CN107406982A (zh) 用于涂覆大面积的基板的设备
CN103077917A (zh) 衬底支撑座及应用所述衬底支撑座的半导体处理设备
KR101323881B1 (ko) 다층 건물의 층간소음 방지용 온돌형 마루
Kosonen et al. Comparison of the thermal environment in rooms with chilled beam and radiant panel systems
CN210569778U (zh) 一种分区控制多层带式干燥器
CN109844169A (zh) 材料沉积布置、真空沉积系统及其方法
TWI576450B (zh) 鍍膜裝置
US20190203342A1 (en) Cooling system and evaporation machine
CN108292625A (zh) 基板处理装置
KR102630348B1 (ko) 기판 처리 장치
CN106810057B (zh) 电子产品显示器前表面玻璃的制造装置
EP2644576A1 (en) Mould construction for bending glass sheets

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant