CN108463572A - 用于沉积有机材料的蒸发源、设备和方法 - Google Patents

用于沉积有机材料的蒸发源、设备和方法 Download PDF

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Abstract

描述一种用于在基板(10)上沉积源材料的蒸发源(100)。所述蒸发源包括：蒸发坩埚(104)，其中所述蒸发坩埚被配置为蒸发源材料；分配单元(130)，所述分配单元具有一个或多个出口(212)，其中分配单元与蒸发坩埚流体连通，并且其中一个或多个出口被配置为用于在沉积方向(101)上将源材料提供到基板；第一冷却屏蔽布置(201)，所述第一冷却屏蔽布置设为包括一个或多个开口(221)；受热屏蔽布置(202)，所述受热屏蔽布置设于距第一冷却屏蔽布置(201)的某个距离，其中受热屏蔽布置(202)包括一个或多个孔隙(222)。第一冷却屏蔽布置(201)布置在分配单元(130)与受热屏蔽布置(202)之间，并且蒸发源(100)被配置为限定源材料在沉积方向(101)上从一个或多个出口(212)穿过一个或多个开口(221)和一个或多个孔隙(222)到基板的路径。

Description

用于沉积有机材料的蒸发源、设备和方法
技术领域
本公开内容的实施方式涉及对有机材料的沉积、用于沉积材料(例如有机材料)的系统、用于有机材料的源、以及用于有机材料的沉积设备。本公开内容的实施方式尤其涉及用于有机材料(例如，用于蒸发设备)的蒸发源和/或用于制造装置(特别是包括有机材料在其中的器件)的制造系统。
背景技术
有机蒸发器是用于生产有机发光二极管(OLED)的工具。OLED是其中发射层包括某些有机化合物的薄膜的特殊类型的发光二极管。有机发光二极管(OLED)用来制造用于显示信息的电视机屏、计算机监视器、移动电话和其它手持装置。OLED还可用于一般空间照明。OLED显示器的可能色彩、亮度和视角的范围大于传统LCD显示器，因为OLED像素直接发光而不需要背光。因此，OLED显示器能耗显著小于传统LCD显示器能耗。另外，OLED可制造于柔性基板上的事实产生另外应用。典型OLED显示器例如可以包括安置在两个电极之间的有机材料层，它们全都以形成具有可单独激励的像素的矩阵显示面板的方式沉积在基板上。OLED大体放在两个玻璃面板之间，并且密封玻璃面板的边缘以将OLED封装在其中。
在制造此类显示装置时遇到许多挑战。OLED显示器或OLED发光应用包括例如在真空中蒸发的若干有机材料的堆叠。有机材料随后以通过阴影掩模的方式沉积。为了高效率地制造OLED堆叠，两种或更多种材料(例如，主体和掺杂剂)共沉积或共蒸发以产生混合/掺杂的层是有益的。另外，必须要考虑到蒸发非常敏感的有机材料的若干工艺条件。
为了在基板上沉积材料，加热材料直到材料蒸发。管道通过喷嘴将已蒸发的材料导向到基板。在过去几年中，已提高了沉积工艺精度，例如，以便能够使像素的大小越来越小。在一些工艺中，掩模用于在已蒸发的材料经过掩模开口时限定像素。然而，掩模的遮蔽效应、已蒸发的材料的扩散等等使得难以进一步地提高蒸发工艺的精度和可预测性。
鉴于上文，提高用于制造具有高质量和精度的装置的蒸发工艺的精度和可预测性是有益的。
发明内容
鉴于上文，提供一种根据独立权利要求的将已蒸发的材料沉积到基板上的蒸发源、沉积设备和方法。另外优点、特征、方面和细节通过从属权利要求、说明书和附图显而易见。
根据本公开内容的一个方面，提供一种用于在基板上沉积材料的蒸发源。所述蒸发源包括：蒸发坩埚，其中所述蒸发坩埚被配置为蒸发材料；分配单元，所述分配单元具有一个或多个出口，其中分配单元与蒸发坩埚流体连通，并且其中一个或多个出口被配置为用于在沉积方向上将材料提供到基板；第一冷却屏蔽布置，所述第一冷却屏蔽布置设为包括一个或多个开口；受热屏蔽布置，所述受热屏蔽布置设于距第一冷却屏蔽布置的某个距离，其中受热屏蔽布置包括一个或多个孔隙，其中第一冷却屏蔽布置布置在分配单元与受热屏蔽布置之间，其中蒸发源被配置为限定材料在沉积方向上从一个或多个出口穿过一个或多个开口和一个或多个孔隙到基板的路径。
根据本公开内容的另一方面，提供一种沉积设备，所述沉积设备包括根据本文中描述的实施方式的一个或多个蒸发源。
根据本公开内容的另一方面，提供一种沉积设备，所述沉积设备包括根据本文中描述的实施方式的一个或多个蒸发源。所述蒸发源包括：蒸发坩埚，其中所述蒸发坩埚被配置为蒸发材料；分配单元，所述分配单元具有一个或多个出口，其中分配单元与蒸发坩埚流体连通，并且其中一个或多个出口被配置为用于在沉积方向上将材料提供到基板；第一冷却屏蔽布置，所述第一冷却屏蔽布置设为包括一个或多个开口；受热屏蔽布置，所述受热屏蔽布置设于距第一冷却屏蔽布置的某个距离，其中受热屏蔽布置包括一个或多个孔隙，其中第一冷却屏蔽布置布置在分配单元与受热屏蔽布置之间，其中蒸发源被配置为限定材料在沉积方向上从一个或多个出口穿过一个或多个开口和一个或多个孔隙到基板的路径。
根据本公开内容的另一方面，提供一种用于在基板上沉积材料的方法。所述方法包括：蒸发材料；以及将已蒸发的材料施加到基板，其中将已蒸发的材料施加到基板包括：通过分配单元的一个或多个出口在沉积方向上提供已蒸发的材料；以及传递已蒸发的材料通过第一冷却屏蔽布置的一个或多个开口并且通过受热屏蔽布置的一个或多个孔隙。
本公开内容还涉及一种用于进行所公开的方法的设备，所述设备包括用于执行所述方法的设备部分。这些方法可借助于硬件部件、由适当软件编程的计算机、这两者的任何组合或以任何其它方式执行。此外，本公开内容还涉及所描述的设备的操作方法。它包括了用于进行所述设备的每一功能的方法。
附图说明
因此，为了能够详细理解本公开内容的上述特征结构所用方式，上文所简要概述的本公开内容的更具体的描述可以参考实施方式进行。附图涉及本公开内容的各个实施方式，并且描述如下：
图1示出了根据本文中的实施方式的蒸发源的示意图；
图2示出了根据本文中的另外实施方式的蒸发源的示意图；
图3A和图3B示出了根据本文中描述的实施方式的蒸发源的部分的示意图；
图3C示出了根据本文中描述的实施方式的另一蒸发源的示意图；
图4A和图4B示出了根据本文中的实施方式的蒸发源的示意侧视图；
图5示出了根据本文中的另外实施方式的蒸发源的示意俯视图；
图6示出了根据本文中的另外实施方式的蒸发源的示意俯视图；
图7示出了根据本文中描述的实施方式的用于在真空腔室中沉积源材料的沉积设备的示意俯视图；
图8A和图8B示出了图解根据本文中描述的实施方式的在基板上沉积源材料的方法的示意方框图；
具体实施方式
现将详细参考本公开内容的各种实施方式，这些实施方式的一或多个示例在附图中示出。在以下对附图的描述内，相同元件符号是指相同部件。在下文中，仅描述了相对于个别实施方式的差异。每个示例以解释公开内容的方式提供，而不表示本公开内容的限制。另外，示出或描述为一个实施方式的部分的特征可以用于其它实施方式或与它们结合产生另一实施方式。预期的是，描述包括这样的修改和变化。
在本公开内容中，术语“源材料”可理解为被蒸发且沉积在基板的表面上的材料。例如，在本文中描述的实施方式中，沉积在基板的表面上的已蒸发的材料可为有机源材料。非限制性有机材料示例包括以下项的一个或多个：ITO、NPD、Alq3、喹吖啶酮(Quinacridone)、Mg/AG、星形(starburst)材料等等。
在本公开内容中，术语“流体连通”可以被理解为呈流体连通的两个元件可以经由连接交换流体，从而允许流体在这两个元件之间流动。在一个示例中，呈流体连通的元件可以包括流体可从中流过的中空结构。根据一些实施方式，呈流体连通的元件中的至少一个可为管状元件。
在本公开内容中，术语“蒸发源”可以被理解为提供要沉积在基板上的源材料的布置。具体来说，蒸发源可以被配置为用于在真空腔室(诸如沉积设备的真空沉积腔室)中提供要沉积在基板上的源材料。根据本文中描述的一些实施方式，蒸发源可以被配置为蒸发要沉积在基板上的源材料。例如，蒸发源可以包括蒸发要沉积在基板上的源材料的蒸发器或坩埚，以及特定地在朝基板的方向上释放已蒸发的源材料(例如，通过一个或多个出口)的分配单元。
在本公开内容中，术语“坩埚”可以被理解为提供或容纳要沉积的源材料的装置或贮器。通常，可加热坩埚以蒸发要沉积在基板上的源材料。根据本文中的实施方式，坩埚可与分配单元流体连通，由坩埚蒸发的源材料可以被输送到分配单元。
“分配单元”或“分配管道”可以是用于提供已蒸发的源材料的单元。具体来说，分配单元可以被配置为从坩埚将已蒸发的源材料通过一个或多个出口而提供到基板。“分配单元”或“分配管道”可以包括一个或多个出口。“分配单元”或“分配管道”可为细长的管，例如，使得出口远离或不直接邻近坩埚。
在本公开内容中，术语“冷却屏蔽布置”可以被理解为被配置为主动冷却的屏蔽布置。具体来说，本文所述的冷却屏蔽布置可以被配置为冷却到要沉积在基板上的源材料的冷凝温度，如本文描述。例如，本文所述的冷却屏蔽布置可以被配置为冷却到低于50℃、特定地是低于40℃、更特定地低于30℃的温度，例如，约20℃。
在本公开内容中，术语“受热屏蔽布置”可以被理解为被配置为主动加热的屏蔽布置。具体来说，本文所述的受热屏蔽布置可以被配置为主动加热到对应要沉积在基板上的源材料的蒸发温度的某个温度，如本文描述。应理解，如本文所述的受热屏蔽布置也可被配置为将主动加热到高于要沉积在基板上的源材料的蒸发温度的某个温度。
在本公开内容中，术语“沉积方向”可以被理解为通过本文描述的分配单元的一个或多个出口提供的已蒸发的源材料的主要发射方向。具体来说，本文所述的沉积方向可以被理解为相对于水平线+/-20°的方向。
图1示出了根据本文中的实施方式的蒸发源100的示意图。具体来说，如图1中示例性地示出，蒸发源100包括蒸发坩埚104，所述蒸发坩埚104被配置为蒸发源材料。另外，蒸发源100包括具有一个或多个出口212的分配单元130。分配单元130与蒸发坩埚104流体连通。分配单元130的一个或多个出口212被配置为用于在沉积方向101上将源材料提供到基板10。另外，蒸发源100包括第一冷却屏蔽布置201，所述第一冷却屏蔽布置201包括一个或多个开口221。如图1中示例性地示出，蒸发源100还包括了受热屏蔽布置202，所述受热屏蔽布置202设于距第一冷却屏蔽布置201的某个距离。受热屏蔽布置202包括一个或多个孔隙222。第一冷却屏蔽布置201布置在分配单元130与受热屏蔽布置202之间。另外，根据本文中如图1中示例性地示出的实施方式，蒸发源100被配置为限定源材料在沉积方向101上从一个或多个出口212通过一个或多个开口221和一个或多个孔隙222到基板10的路径。
因此，通过提供根据本文中描述的实施方式的蒸发源，可以提供在沉积方向上在受热屏蔽布置之后的预定发射角度，使得可以限制例如通过掩模提供到基板的已蒸发的源材料的入射角度，以便使掩模的遮蔽效应减小。因此，可以实现提高在基板上沉积的源材料的分辨率。另外，根据本文中描述的实施方式的蒸发源有益地提供防止或甚至是避免受热屏蔽布置的一个或多个孔隙和分配单元的一个或多个出口的堵塞，使得可以在较长时间内维持稳定沉积工艺条件。这是因为不通过受热屏蔽布置的一个或多个孔隙的已蒸发的源材料被向后散射到第一冷却屏蔽布置，在第一冷却屏蔽布置处冷凝，使得被向后散射的源材料可以收集在第一冷却屏蔽布置上。因此，在整个沉积工艺中，受热屏蔽布置的一个或多个孔隙和分配单元的一个或多个出口保持清洁。
如在图1中示例性地示出，受热屏蔽布置202的一个或多个孔隙222可以限制通过分配单元130的一个或多个出口212提供的已蒸发的源材料的发射角度(θ)。因此，应理解，根据本文中描述的实施方式，受热屏蔽布置202可以被配置为用于界定朝基板10分配的已蒸发的源材料的分配锥体或羽流318。具体来说，受热屏蔽布置202可以被配置为阻挡已蒸发的源材料的至少一部分，如图1中从受热屏蔽布置202反射的点线箭头示例性地指示。通常，受热屏蔽布置202的一个或多个孔隙222可以被布置为在沉积方向101上与分配单元130的一个或多个出口212对准。具体来说，受热屏蔽布置202的一个或多个孔隙222被配置和布置为使得在受热屏蔽布置202之后(即，当已蒸发的源材料已经通过一个或多个孔隙222时)，可以提供预定发射角度(θ)。换句话说，受热屏蔽布置202可以适于阻挡具有与分配单元130的一个或多个出口212中任一个提供的已蒸发的源材料的主要发射方向(在本文中也被称为沉积方向)成大于30°、特定地是大于40°(例如，大于45°)的预定发射角度(θ)的已蒸发的源材料。因此，通过提供根据本文中描述的实施方式的蒸发源，可以减小在基板之前提供的掩模所导致的遮蔽效应，使得可以实现提高沉积在基板上的源材料的分辨率。
根据可与本文中描述的任何其它实施方式组合的实施方式，受热屏蔽布置202被配置为将加热到第一温度。具体来说，受热屏蔽布置202可被加热到的第一温度可对应于要沉积的源材料的蒸发温度。例如，受热屏蔽布置202可以包括加热元件。加热元件可以被安装或附接到受热屏蔽布置。另外或替代地，加热元件可以布置在受热屏蔽布置内。例如，加热元件可为热电加热装置。因此，通过提供被加热到或高于要沉积的源材料的蒸发温度的受热屏蔽布置，离开一个或多个出口(例如，喷嘴)的已蒸发的源材料的分子以大角度撞击围绕受热屏蔽布置的一个或多个孔隙的壁，但是不粘附到受热屏蔽布置。因此，在整个沉积工艺中受热屏蔽布置的一个或多个孔隙保持清洁，并且可以避免受热屏蔽布置的一个或多个孔隙的堵塞。
根据本文中描述的实施方式，受热屏蔽布置可以被配置为将加热到约100℃至约600℃的蒸发温度，特定地是将加热到约150℃至约450℃的蒸发温度。在一些实施方式中，受热屏蔽布置可以包括对例如已蒸发的有机材料为化学惰性的材料。根据一些实施方式，受热屏蔽布置可以包括从不锈钢、石英晶体玻璃、Ta、Ti、Nb、DLC和石墨组成的组中选择的至少一种材料，或者可以包括具有所提到的材料中的至少一种的涂层。因此，可以防止已蒸发的源材料积聚在受热屏蔽布置上。
如图1中示例性地示出，根据可与本文中描述的任何其它实施方式组合的实施方式，第一冷却屏蔽布置201可以被配置为侧向包围分配单元130的一个或多个出口212。具体来说，第一冷却屏蔽布置201可以被配置为主动冷却到要沉积的源材料的冷凝温度。因此，第一冷却屏蔽布置被配置为收集从受热屏蔽布置向后散射的已蒸发的源材料。另外，在整个沉积工艺中都会有益地保持分配单元的一个或多个出口的清洁，并且可以避免分配单元的一个或多个出口的堵塞，使得可以在较长时间内维持稳定沉积工艺条件。
根据可与本文中描述的其它实施方式组合的一些实施方式，第一冷却屏蔽布置201可由一个或多个金属板提供，所述一个或多个金属板具有用于冷却流体(诸如空气、氮、水或其它适当冷却流体)的导管。例如，用于冷却流体的导管可以被附接到第一冷却屏蔽布置或提供在第一冷却屏蔽布置内。另外或可替代地，第一冷却屏蔽布置可以包括热电冷却装置或适于第一冷却屏蔽布置的任何其它冷却装置。根据一些实施方式，第一冷却屏蔽布置可以包括从Cu(例如，被覆盖有Ni镀层)、Ta、Ti、Nb、DLC和石墨组成的组中选择的至少一种材料，或者可以包括具有所提到的材料中的至少一种的涂层。
根据可与本文中描述的任何其它实施方式组合的实施方式，分配单元130的一个或多个出口212可以提供在分配单元的受热的壁135中，如图1中示例性地示出。例如，受热的壁135可以包括加热元件。加热元件可以被安装或附接到受热的壁135。另外或替代地，加热元件可以布置在分配单元的受热的壁135内。例如，加热元件可为热电加热装置。具体来说，受热的壁135被配置为将加热到实质上对应于受热屏蔽布置被加热到的第一温度的第二温度。因此，受热的壁和受热屏蔽布置可以被配置为具有实质上相同的热膨胀，使得在整个沉积工艺中，分配单元的可连接到受热的壁的一个或多个出口保持相对于受热屏蔽布置的一个或多个孔隙而对准。
根据可与本文中描述的任何其它实施方式组合的一些实施方式，受热屏蔽布置202和分配单元130的受热的壁135被配置为呈现实质上相同的热膨胀。例如，受热屏蔽布置202和分配单元130的受热的壁135可由相同材料制成。另外或替代地，如上所述，受热屏蔽布置202和/或分配单元130的受热的壁135可以包括加热元件，所述加热元件被加热以使得受热屏蔽布置202的热膨胀和受热的壁135的热膨胀是相同的。例如，在受热屏蔽布置202由具有比制成受热的壁135的材料更高的热膨胀的材料制成的情况下，分配单元130的受热的壁135可以被加热到比受热屏蔽布置202高的温度，以便提供相同的热膨胀。因此，在整个沉积工艺中，分配单元的可连接到受热的壁的一个或多个出口的位置有益地保持相对于受热屏蔽布置的一个或多个孔隙的位置而对准。
示例性地参考图2，根据可与本文中描述的任何其它实施方式组合的实施方式，蒸发源100的受热屏蔽布置202可以经由连接元件232与分配单元130的受热的壁135连接。因此，可以改进分配单元的一个或多个出口的位置与受热屏蔽布置的一个或多个孔隙的位置的对准。
根据一些实施方式，连接元件232可以被配置为用于调整分配单元130的受热的壁135与受热屏蔽布置202之间的距离。例如，连接元件232可以被配置为相对于受热的壁135而移动受热屏蔽布置202。因此，应理解，通过调整分配单元130的受热的壁135与受热屏蔽布置202之间的距离，可以调整已蒸发的源材料在受热屏蔽布置之后的发射角度(θ)。例如，通过增大分配单元130的受热的壁135与受热屏蔽布置202之间的距离，可以减小已蒸发的源材料在受热屏蔽布置之后的发射角度(θ)。因此，可以减小提供在受热屏蔽布置与基板之间的掩模的遮蔽效应，从而导致提高沉积在基板上的源材料的分辨率。
根据可与本文中描述的任何其它实施方式组合的实施方式，蒸发源100包括第二冷却屏蔽布置203，如图2中示例性地示出。具体来说，第二冷却屏蔽布置203可以在沉积方向101上布置在受热屏蔽布置202之后。如图2中示例性地示出，第二冷却屏蔽布置203包括一个或多个开口223，所述一个或多个开口223被布置为在沉积方向101上与受热屏蔽布置202的一个或多个孔隙222对准。因此，通过提供在沉积方向上布置在受热屏蔽布置之后的第二冷却屏蔽布置，可以减少掩模20和/或基板10处的热负荷，这可能对实现提高沉积在基板上的材料的分辨率是有益的。
根据可与本文中描述的任何其它实施方式组合的实施方式，分配单元130的一个或多个出口212是一个或多个喷嘴125，如图2中示例性地示出。具体来说，一个或多个喷嘴125可以被布置和配置为沿着沉积方向101延伸。更具体来说，一个或多个喷嘴125可以被布置和配置为从第一冷却屏蔽布置201的一个或多个开口221伸出。例如，一个或多个喷嘴125可以在朝基板的方向(例如，沉积方向101)上从第一冷却屏蔽布置201的一个或多个开口221伸出达2mm或更多、特定地是4mm或更多、更特定地5mm或更多的距离。因此，可以防止或甚至是消除分配单元的一个或多个出口，使得可以在较长时间内保持稳定沉积工艺条件。
图3A至图3C示出了根据本文中描述的实施方式的蒸发源的部分。如图3A所示，蒸发源可以包括分配单元130或分配管道106、以及蒸发坩埚104。例如，分配单元130或分配管道106可以是具有加热单元215的细长的管。蒸发坩埚可以是用于源材料(诸如要通过坩埚加热元件225蒸发的有机材料)的贮器。
根据可与本文中描述的其它实施方式组合的实施方式，多个开口和/或出口(诸如喷嘴)可以沿着蒸发源的长度方向而布置。具体来说，多个开口和/或出口可以沿着分配单元或分配管道的长度方向而布置。根据替代实施方式，可以提供沿着蒸发源的长度方向和/或分配单元(例如，分配管道)的长度而延伸的一个细长开口。例如，细长开口可为狭缝。
根据可与本文中描述的其它实施方式组合的一些实施方式，分配单元(例如，分配管道)在长度方向上基本上垂直地延伸。例如，分配单元或分配管道的长度至少对应要沉积在沉积设备中的基板的高度。在许多情况下，分配单元、特别是分配管道的长度将会比要沉积的基板的高度长至少10％或甚至是20％，这允许了在基板的上端和/或在基板的下端实现均匀沉积。
根据可与本文中描述的其它实施方式组合的一些实施方式，分配单元、特别是分配管道的长度可以是1.3m或更大，例如，2.5m或更大。根据一个配置，如图3A所示，蒸发坩埚104设于分配单元130或分配管道106的下端。通常，在蒸发坩埚104中蒸发源材料。已蒸发的源材料进入分配管道底部，并被基本上向侧面(例如，朝向基本上垂直地取向的基板)导引而通过分配管道中的多个开口。
根据可与本文中描述的其它实施方式组合的一些实施方式，分配单元的多个出口、例如一个或多个出口被布置为具有相对于水平线+/-20°的主要发射方向。根据一些特定实施方式，主要发射方向可以略微向上取向，例如，在从水平线至向上15°的范围内，诸如向上3°至7°。类似地，基板可略微倾斜成实质上垂直于蒸发方向，这会减少不需要的粒子产生。
图3B示出了蒸发源的一部分、特别是连接到蒸发坩埚104的分配单元130(例如，分配管道106)的一部分的放大示意图。可以提供凸缘单元233，所述凸缘单元被233配置为提供蒸发坩埚104与分配管道106之间的连接。例如，蒸发坩埚和分配单元是作为单独单元而提供的，它们可以在凸缘单元处分离和连接或组装，例如，用于操作蒸发源。
根据可与本文中描述的其它实施方式组合的一些实施方式，分配单元130(例如，分配管道106)具有内部中空空间210。另外，可提供加热单元215以加热分配单元130、特别是分配管道106。分配单元130可以被加热到某个温度，使得由蒸发坩埚104提供的已蒸发的源材料不会在分配单元130(例如，分配管道106)的壁的内部部分处冷凝。如图3B中示例性地示出，可以在分配单元130的管周围提供两个或更多个热屏蔽件217。热屏蔽件被配置为将由加热单元215提供的热能反射回内部中空空间210。因此，可以减少用于加热分配单元130(例如，分配管道106)的能量，即，提供到加热单元215的能量，因为热屏蔽件217有益地减少了热量损失。可以减少向其它分配单元和/或向掩模或基板的热量传递。根据可与本文中描述的其它实施方式组合的一些实施方式，热屏蔽件217可以包括两个或更多个热屏蔽层、五个或更多个热屏蔽层，诸如十个热屏蔽层。
通常，如图3B所示，热屏蔽件217在分配单元130(例如，分配管道106)中的出口212的位置包括例如开口。图3B中示出的蒸发源的放大图示出了四个出口。出口212可以沿着分配单元130或分配管道106的长度方向而提供。如本文描述的，分配单元130或分配管道106可以被提供为直线分配单元，特别是被提供为直线分配管道，具有设置在其中的多个开口(在本文中也被称为一个或多个出口)。例如，分配管道可以具有一个出口。例如，分配管道可以具有多于30个出口，诸如沿着分配单元的长度方向而布置的40、50或54个出口。根据本文中的实施方式，出口可以彼此间隔开来。例如，出口可以以1cm或更大的距离间隔开来，例如，以1cm至3cm的距离间隔开来，就像例如以2cm的距离间隔开来。
如本文理解的分配单元(例如，分配管道)具有罩壳、中空空间或管道，其中材料可以例如从蒸发坩埚来提供或导引到其中。分配单元可以具有多个开口(或狭长狭缝)，使得分配单元内的压力高于分配单元外的压力。例如，喷头内的压力可以比分配单元外的压力高至少一个数量级。
在操作期间，分配单元130(例如，分配管道106)在凸缘单元233处被连接到蒸发坩埚104。蒸发坩埚104被配置为接收要蒸发的源材料并且蒸发源材料。图3B示出了穿过蒸发坩埚104的壳体的截面。如图3B中示例性地示出，可以例如在蒸发坩埚的上部部分提供再装开口，所述再装开口可使用插塞252、盖、盖件等等关闭以封闭蒸发坩埚104的罩壳。
示例性地参考图3B，外部坩埚加热元件225可以提供在蒸发坩埚104的罩壳内。外部坩埚加热元件225可以至少沿着蒸发坩埚104的壁的一部分延伸。根据可与本文中描述的其它实施方式组合的一些实施方式，另外或替代地，可以提供一个或多个中心加热元件。图3B示出了两个中心加热元件。第一中心加热元件226和第二中心加热元件228可以分别包括用于向中心加热元件提供电力的第一导体229和第二导体230。
根据本文已描述的一些实施方式，可以提供热屏蔽件(诸如热屏蔽件217和热屏蔽件227)用于蒸发源。热屏蔽件可以减少从蒸发源的能量损失，这又减少了被蒸发源消耗用来蒸发源材料的总体能量。然而，作为另一方面，特别是对于有机材料沉积来说，可以减少来自蒸发源的热量辐射、尤其在沉积期间朝掩模和基板的热量辐射。特别是对于有机材料在被掩蔽的基板上沉积来说，并且甚至对于显示器制造来说，基板和掩模的温度需要被精确地控制。来自蒸发源的热量辐射可以通过热屏蔽件(诸如热屏蔽件217和热屏蔽件227)来减少或避免。
这些屏蔽件可包括若干屏蔽层以减少向蒸发源外部的热量辐射。作为另一选项，热屏蔽件可以包括屏蔽层，所述屏蔽层是由流体(诸如空气、氮、水或其它适当冷却流体)主动冷却。根据本文中描述的另外实施方式，一个或多个热屏蔽件可以包括包围蒸发源的相应部分(例如，包围分配管道106和/或蒸发坩埚104)的金属片材。根据本文中的实施方式，金属片材可以具有0.1mm至3mm的厚度，可以从由含铁金属(SS)和非铁金属(Cu、Ti、Al)组成的组中选择的至少一种材料中选择，和/或可相对于彼此而间隔开例如0.1mm或更大的间隙。
根据本文中描述的一些实施方式并且如关于图3A和图3B示例性地示出，蒸发坩埚104提供在分配单元130的下侧。根据可与本文中描述的其它实施方式组合的另外实施方式，蒸气管道242可以提供在分配单元130的中心部分或提供在分配单元的下端与分配单元的上端之间的另一位置处。
图3C示出了具有分配管道道106和设置在分配管道的中心部分的蒸气导管242的蒸发源的示例。在蒸发坩埚104中产生的已蒸发的源材料通过蒸气导管242被导引到分配管道106的中心部分。已蒸发的源材料通过多个出口212离开分配管道106。分配管道106是由关于本文中描述的其它实施方式描述的支撑器102支撑。根据本文中的另外实施方式，两个或更多个蒸气导管242可以提供在沿着分配管道106的长度的不同位置处。蒸气导管242可连接到一个蒸发坩埚或连接到若干蒸发坩埚。例如，每个蒸气导管242可以具有对应蒸发坩埚104。或者，蒸发坩埚104可与连接到分配管道106的两个或更多个蒸气导管242流体连通。
如本文所使用，术语“分配管道”可以被理解为用于导引和分配已蒸发的源材料的管道。具体来说，分配管道可以将已蒸发的源材料从坩埚导引到分配管道中的多个出口(诸如开口)。如本文所使用的，术语“多个出口”通常包括至少两个或更多个出口。根据本文中的实施方式，分配管道可以是在第一、具体是纵向方向上延伸的直线分配管道。在本文中描述的实施方式中，纵向方向通常可以是指分配管道的长度方向。在一些实施方式中，分配管道可以包括具有柱体的形状的管道。柱体可以具有圆形底部形状或任何其它合适底部形状(例如，三角形形状)。
例如，分配管道可为中空柱体。术语“柱体”可以被理解为如通常认为的那样具有圆形底部形状和圆形上部形状、以及连接上部圆形和下部圆形的弯曲表面区域或壳。根据可与本文中描述的其它实施方式组合，另外附加或替代的实施方式，术语“柱体”可进一步在数学意义上被理解为具有任意底部形状和相同上部形状、以及连接上部形状和下部形状的弯曲表面区域或壳。柱体并不一定必需具有圆形截面。
图4A示出了根据本文中可与本文中描述的任何其它实施方式组合的实施方式的蒸发源的一部分的示意侧视图。如图4A所示，分配单元130的一个或多个出口212被配置为用于在沉积方向101上例如穿过掩模20将源材料提供到基板10。另外，提供包括一个或多个开口221的第一冷却屏蔽布置201用于收集被受热屏蔽布置202阻挡的已蒸发的源材料，所述受热屏蔽布置设于距第一冷却屏蔽布置201的某个距离。受热屏蔽布置202包括用于限制通过一个或多个出口212提供的已蒸发的源材料的发射角度(θ)的一个或多个孔隙222。另外，提供在沉积方向101上布置在受热屏蔽布置202之后的第二冷却屏蔽布置203。第二冷却屏蔽布置203可由一个或多个金属板提供，所述一个或多个金属板具有用于冷却流体(诸如空气、氮、水或其它适当冷却流体)的导管。例如，用于冷却流体的导管可以被附接到第二冷却屏蔽布置或提供在第二冷却屏蔽布置内。另外或可替代地，第二冷却屏蔽布置可以包括热电冷却装置或适于第一冷却屏蔽布置的任何其它冷却装置。如图4A中示例性地示出，第二冷却屏蔽布置203包括一个或多个开口223，所述一个或多个开口223被布置为在沉积方向101上与受热屏蔽布置202的一个或多个孔隙222对准。因此，如图4A所示，蒸发源100被配置为限定源材料在沉积方向101上从一个或多个出口212穿过一个或多个开口221和一个或多个孔隙222到基板的路径，其中从一个或多个出口212提供的已蒸发的源材料的一部分被受热屏蔽布置202阻挡而使得可以提供在受热屏蔽布置202之后的预定发射角度(θ)。
示例性地参考图4B，根据可与本文中描述的其它实施方式组合的一些实施方式，一个或多个出口212中的至少一个出口、特定地是一个或多个出口中的每者可具有单独受热屏蔽布置202和/或单独第二冷却屏蔽布置203。例如，一个或多个出口212可以是可根据本文中描述的实施方式而为其提供单独受热屏蔽布置202和/或单独第二冷却屏蔽布置203的一个或多个喷嘴。例如，在图5中示出的示例性实施方式中一个出口212具有单独加热屏蔽布置202和单独第二冷却屏蔽布置203。
图5示出了根据本文中可与本文中描述的任何其它实施方式组合的另外实施方式的蒸发源的示意俯视图。为了避免不必要的重复，仅描述了相对于图1、图2和图4中示出的实施方式的差异。图5中示出的蒸发源包括分配单元130，诸如分配管道106，所述分配单元130具有三角形侧截面。分配单元的壁可以通过安装或附接到壁的加热元件380加热。为了减少从分配单元内部到分配单元外部的热量辐射，可以提供将分配单元包围的外屏蔽件302。通常，可冷却外屏蔽件302。例如，外屏蔽件可由金属板提供，所述金属板具有被附接到外屏蔽件或提供在外屏蔽件内的用于冷却流体(诸如，水)的导管。另外或替代地，可提供热电冷却装置或另一冷却装置来冷却外屏蔽件。
示例性地参考图5，根据可与本文中描述的其它实施方式组合的一些实施方式，可以提供另一冷却屏蔽布置211。具体来说，另一冷却屏蔽布置211可以设于绕一个或多个出口中的某个出口的某个横向距离。具体来说，另一冷却屏蔽布置211可至少部分地在沉积方向101上延伸，如图5中示例性地示出。例如，另一冷却屏蔽布置211可以是L形的，它具有的主要部分在沉积方向上延伸。类似第一冷却屏蔽布置，另一冷却屏蔽布置211可以被配置为将冷却到要沉积在基板上的源材料的冷凝温度，如本文描述的。因此，应理解，没有通过受热屏蔽布置的孔隙的已蒸发的源材料被向后散射到另一冷却屏蔽布置211和/或冷凝已蒸发的源材料冷凝的第一冷却屏蔽布置201，使得被向后散射的源材料可以收集在另一冷却屏蔽布置上和/或收集在第一冷却屏蔽布置上。
在本文中描述的一些实施方式中，可利用穿过掩模20(例如，阴影掩模)沉积在基板10上的已蒸发的源材料来处理基板，如图5中示例性地示出。对于在例如超过每英寸800像素的高分辨率下沉积，在基板表面处形成的已蒸发的源材料的每个像素通常是由从蒸发源中的出口中的多于一个发射的已蒸发的源材料形成。例如，来自蒸发源的一个或多个出口中的十个的蒸发的源材料可以参与在基板表面处形成的每个像素的形成。应理解，本文中描述的实施方式对于高分辨率显示器生产是特别有益的。具体来说，通过提供被配置为根据从一个或多个出口提供的蒸发源材料的羽流的发射角度阻挡已蒸发的源材料以便在掩模处限制已蒸发的源材料的发射角度(θ)的蒸发源，可以减小掩模的遮蔽效应，从而导致提高沉积在基板上的源材料的分辨率。
在本文中描述的实施方式中，术语“来自一个或多个出口的已蒸发的源材料的羽流的角度”应当被本领域的技术人员理解为包括来自蒸发源的任何数量出口中的每者的已蒸发的材料的羽流的角度。
图6示出了根据本文中可与本文中描述的任何其它实施方式组合的另外实施方式的蒸发源的示意俯视图。为了避免不必要的重复，仅描述了相对于图5中示出的实施方式的差异。图6示出了具有三个分配单元(例如，三个分配管道)的实施方式，所述三个分配单元是提供在与分配单元相邻的蒸发器控制壳体402上方并且经由热绝缘器479而连接到其上。蒸发器控制壳体被配置为维持蒸发器控制壳体内的大气压力，并且被配置为容纳从由开关、阀、控制器、冷却单元、冷却控制单元、加热控制单元、电源和测量装置组成的组中选择的至少一个元件。在本文中的实施方式中，用于操作蒸发源的部件可以在大气压力下而提供在靠近蒸发坩埚和分配单元的位置，并且可以与蒸发源一起移动通过沉积设备。
在本文中的实施方式中，一个或多个出口可以沿着可以被配置为分配管道的分配单元(例如，分配管道106、107、108)中的每者的长度分布。每个分配单元与蒸发坩埚(图6中未示出)流体连通。每个分配单元(例如，分配管道106、107、108)的多个开口中的每者具有已蒸发的源材料的主要发射方向101A、101B、101C。由于分配单元的基本上三角形的形状，源自三个分配单元的蒸发锥体或羽流彼此密切接近，使得来自不同的分配单元和出口的源材料的混合可以得到改进。应理解，图6中示出的示例性实施方式的受热屏蔽布置202可以以上文关于图1、图2、图4和图5描述的类似的方式界定从分配管道(例如，分配管道106、107、108)中的每者朝基板10和/或掩模20分配的已蒸发的源材料的分配锥体或羽流。
鉴于上文，应理解，本文中描述的蒸发源的实施方式被配置为限制例如穿过掩模提供到基板的已蒸发的源材料的入射角度。具体来说，通过提供被加热到或高于要沉积的源材料的蒸发温度且适于阻挡具有相对于主要发射方向的预定发射角度(θ)大于30°、特定地是大于40°(例如，大于45°)的蒸发源材料的受热屏蔽布置，可以限制例如穿过掩模提供到基板的已蒸发的源材料的入射角度，以便减少掩模的遮蔽效应。因此，可以提高在基板上沉积的源材料的分辨率。另外，通过提供被配置为将冷却到要沉积的源材料的冷凝温度且布置在分配单元的一个或多个出口周围和其之后的第一冷却屏蔽布置，可以收集从受热屏蔽布置向后散射的已蒸发的源材料，使得可以防止分配单元的一个或多个出口的堵塞。有鉴于此，以小角度离开喷嘴的已蒸发的源材料的分子将会穿过孔隙。以大角度而离开一个或多个出口(例如，喷嘴)的分子撞击围绕受热屏蔽布置的一个或多个孔隙的壁，但是不粘附到受热屏蔽布置，因为受热屏蔽布置被加热到或高于要沉积的源材料的蒸发温度。相反，分子将会向后散射并且将会撞击放置在喷嘴周围的第一冷却屏蔽布置。因此，已蒸发的源材料(例如，用于OLED生产的已蒸发的源材料)将会在第一冷却屏蔽布置处冷凝。因此，被向后散射的已蒸发的源材料收集在第一冷却屏蔽件上，从而保持受热屏蔽布置的一个或多个孔隙和分配单元的一个或多个出口的清洁，使得可以防止或甚至是消除堵塞。因此，如本文中描述的实施方式在较长时间内提供稳定工艺条件。
图7示出了用于在真空腔室110中沉积源材料的沉积设备150的示意俯视图，所述沉积设备150包括根据本文中描述的任何实施方式的蒸发源100。根据可与本文中描述的其它实施方式组合的一些实施方式，蒸发源被配置为用于平移移动和围绕轴线的旋转。根据本文中的典型实施方式，蒸发源可以具有一个或多个蒸发坩埚和一个或多个分配单元，例如，一个或多个分配管道。例如，图7中示出的蒸发源包括两个蒸发坩埚104和两个分配单元130。如图7所示，第一基板121和第二基板122提供在用于接收已蒸发的源材料的真空腔室110中。
根据本文中的实施方式，用于掩蔽基板的掩模组件可以提供在基板和蒸发源之间。掩模组件可以包括掩模和掩模框架，从而将掩模保持于预定位置。在本文中的实施方式中，可提供一个或多个附加轨道来支撑掩模组件并且使其移位。例如，图7中示出的实施方式具有由布置在蒸发源100与第一基板121之间的第一掩模框架131支撑的第一掩模133和由布置在蒸发源100与第二基板122之间的第二掩模框架132支撑的第二掩模134。第一基板121和第二基板122可以支撑在真空腔室110内的相应运输轨道(附图中未示出)上。
图7还示出了根据本文中的实施方式的受热屏蔽布置202，提供所述受热屏蔽布置202来根据从一个或多个出口提供的已蒸发的源材料的羽流的发射角度阻挡已蒸发的源材料，以便限制在沉积方向上、位于受热屏蔽布置之后的已蒸发的源材料的发射角度(θ)，如本文描述的。在本文中的实施方式中，如果掩模用于在基板上沉积材料(诸如在OLED生产系统中)，那么掩模可以是具有像素开口的像素掩模，像素开口的大小为约50μm×50μm或甚至更小，诸如像素开口的截面尺寸(例如最小截面尺寸)为约30μm或更小，或约20μm。在一个示例中，像素掩模可以具有约40μm的厚度。考虑到掩模厚度和像素开口大小的，在掩模中的像素开口的壁遮蔽像素开口的地方可能出现遮蔽效应。应理解，通过提供如本文中描述的蒸发源，可以减小遮蔽效应。因此，可以实现提高在基板上沉积的源材料的分辨率。
根据本文中描述的实施方式，基板可以以基本上垂直的位置被涂覆有源材料。通常，分配单元提供基本上垂直地延伸的线源。在可与本文所述的其它实施方式组合的本文中描述的实施方式中，术语“基本上垂直地”被理解为尤其在涉及基板取向时允许与垂直方向的20°或更低(例如，10°或更低)的偏差。例如，可以提供这个偏差，因为与垂直取向存在一定偏差的基板支撑可能造成更稳定的基板位置。然而，在沉积源材料期间的基本上垂直的基板取向被认为是不同于水平基板取向的。具体来说，基板表面通过线源涂覆，所述线源在对应于一个基板尺寸的一个方向上并且以沿着对应于另一基板尺寸的另一方向的平移移动延伸。
如图7中示出的蒸发源100可以提供在沉积设备150的真空腔室110中的轨道(例如，环状轨道(附图中未示出))或直线导件120上。轨道或直线导件120被配置为用于蒸发源100的平移移动。根据可与本文中描述的其它实施方式组合的不同实施方式，用于平移移动的驱动器可以提供在蒸发源100中、在轨道或直线导件120处、在真空腔室110内或以上项的组合。
图7还示出了阀105，例如，闸阀。阀105允许对相邻真空腔室(附图中未示出)的真空密封。根据本文中的实施方式，可打开阀105以将基板或掩模运输到真空腔室110中和/或从真空腔室运输出。
根据可与本文中描述的其它实施方式组合的一些实施方式，另一真空腔室(例如，维护真空腔室111)被提供在真空腔室110附近。真空腔室110和维护真空腔室111是由阀109连接。阀109被配置为用于将真空腔室110与维护真空腔室111之间的真空密封打开和关闭。根据本文中的实施方式，在阀109处于打开状态时，蒸发源100可以被传送至维护真空腔室111。之后，阀可以关闭，以便在真空腔室110与维护真空腔室111之间提供真空密封。如果阀109关闭，那么维护真空腔室111可排气和打开，以便维护蒸发源100而不打破真空腔室110中的真空。
所描述的材料沉积布置可以用于各种应用，包括用于包括处理方法在内的OLED装置制造的应用，其中两种或更多种源材料(例如，两种或更多种有机材料)同时蒸发。在图7中示出的实例中，两个或更多个分配单元和对应的蒸发坩埚彼此相邻提供。
虽然图7中示出的实施方式提供具有可移动蒸发源的沉积设备，但是本领域技术人员可以理解，上述实施方式也可以应用于其中在处理期间移动基板的沉积系统。例如，可以沿着固定材料沉积布置而导引和驱动要涂覆的基板。
本文中描述的实施方式尤其涉及例如用于在大面积基板上的OLED显示器制造的有机材料沉积。根据一些实施方式，大面积基板或支撑一个或多个基板的载体可以具有至少0.174m2的大小。例如，沉积系统可以适于处理大面积基板，诸如对应于约1.4m2基板(1.1m×1.3m)的第5代基板、对应于约4.29m2基板(1.95m×2.2m)的第7.5代基板、对应于约5.7m2基板(2.2m×2.5m)的第8.5代基板、或甚至是对应于约8.7m2基板(2.85m×3.05m)的第10代的基板。可类似地实现甚至更高的代(诸如第11代和第12代)以及对应基板面积。
根据可与本文中描述的其它实施方式组合的实施方式，基板厚度可为从0.1mm至1.8mm，并且用于基板的固持布置可以适于此类基板厚度。然而，具体来说，基板厚度可为约0.9mm或更小，诸如0.5mm或0.3mm，并且固持布置适于此类基板厚度。通常，基板可由适合于材料沉积的任何材料制成。例如，基板可由选自由以下项组成的组中的材料制成：玻璃(例如，钙钠玻璃或硼硅玻璃)、金属、聚合物、陶瓷、化合材料、碳纤维材料或可通过沉积工艺涂覆的任何其它材料或材料的组合。
图8A示出了示出根据本文中描述的实施方式的在基板上沉积源材料的方法800的示意方框图。所述方法包括蒸发810源材料并且将已蒸发的源材料施加820到基板。另外，将已蒸发的源材料施加820到基板可以包括：通过分配单元的一个或多个出口在沉积方向上提供821已蒸发的源材料，并且传递822已蒸发的源材料通过第一冷却屏蔽布置的一个或多个开口并且通过受热屏蔽布置的一个或多个孔隙。具体来说，如本文所述的沉积源材料的方法的实施方式通过采用根据本文中描述的实施方式的蒸发源进行。
根据可与本文中描述的其它实施方式组合的本文中的实施方式，在基板上沉积源材料的方法可以包括将受热屏蔽布置加热到或高于要沉积的源材料的蒸发温度。因此，可以防止已蒸发的源材料积聚在受热屏蔽布置上。具体来说，可以防止或甚至是消除受热屏蔽布置的一个或多个孔隙的堵塞。
示例性地参考图8B，根据可与本文中描述的任何其它实施方式组合的另外实施方式，所述方法可以包括收集830已蒸发的源材料的已被第一冷却布置上的受热屏蔽布置阻挡的部分。因此，在整个沉积工艺中都会保持分配单元的一个或多个出口的清洁，并且可以避免或甚至是消除分配单元的一个或多个出口的堵塞，使得可以在较长时间内维持稳定沉积工艺条件。
因此，鉴于上文，应理解，如本文所述的在基板上沉积源材料的方法的实施方式提供防止或甚至是消除受热屏蔽布置的一个或多个孔隙和分配单元的一个或多个出口的堵塞，使得可以在较长时间内实现稳定工艺条件。另外，如本文所述的在基板上沉积源材料的方法的实施方式提供减小遮蔽效应并且提高在基板上沉积的源材料的分辨率，例如，以便进行高分辨率显示器生产、特别是高分辨率OLED显示器。
本书面描述使用示例来公开公开内容，包括最佳模式，并且还使得本领域的任何技术人员都能够实践所描述的主题，包括制造与使用任何装置或系统和执行任何所包含的方法。虽然在上文中已公开了各种特定实施方式，但是上文描述的实施方式的互不排斥特征可以彼此组合。专利保护范围是由权利要求限定，并且其它示例预期在权利要求范围内，只要它们具有不与权利要求的字面语言相异的结构要素、或者只要它们包括与权利要求的字面语言无实质差异的等效结构要素即可。

Claims (15)

1.一种用于在基板(10)上沉积源材料的蒸发源(100)，包括：
蒸发坩埚(104)，其中所述蒸发坩埚被配置为蒸发所述源材料；
分配单元(130)，所述分配单元具有一个或多个出口(212)，其中所述分配单元与所述蒸发坩埚流体连通，并且其中所述一个或多个出口被配置为用于在沉积方向(101)上将所述源材料提供到所述基板；
第一冷却屏蔽布置(201)，所述第一冷却屏蔽布置包括一个或多个开口(221)；和
受热屏蔽布置(202)，所述受热屏蔽布置设于距所述第一冷却屏蔽布置(201)的某个距离，其中所述受热屏蔽布置(202)包括一个或多个孔隙(222)，
其中所述第一冷却屏蔽布置(201)布置在所述分配单元(130)与所述受热屏蔽布置(202)之间，并且
其中所述蒸发源(100)被配置为限定所述源材料在所述沉积方向(101)上从所述一个或多个出口(212)穿过所述一个或多个开口(221)和所述一个或多个孔隙(222)到所述基板的路径。
2.根据权利要求1所述的蒸发源(100)，其中所述受热屏蔽布置(202)被配置为将加热到第一温度，其中所述第一温度实质上对应于要沉积的所述源材料的蒸发温度。
3.根据权利要求1或2所述的蒸发源(100)，其中所述第一冷却屏蔽布置(201)被配置为冷却至要沉积的所述源材料的冷凝温度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的蒸发源(100)，其中所述受热屏蔽布置(201)的所述一个或多个孔隙(222)被布置成在所述沉积方向(101)上与所述分配单元(130)的所述一个或多个出口(212)对准。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的蒸发源(100)，其中所述第一冷却屏蔽布置(201)被配置为侧向包围所述分配单元(130)的所述一个或多个出口(212)。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的蒸发源(100)，其中所述分配单元(130)的所述一个或多个出口(212)提供在所述分配单元的受热的壁(135)中。
7.根据权利要求6所述的蒸发源(100)，其中所述受热屏蔽布置(202)和所述分配单元(130)的所述受热的壁(135)被配置为呈现实质上相同的热膨胀。
8.根据权利要求6或7所述的蒸发源(100)，其中所述受热屏蔽布置(202)经由连接元件(232)与所述分配单元(130)的所述受热的壁(135)连接。
9.根据权利要求8所述的蒸发源(100)，其中所述连接元件(232)被配置为用于调整所述分配单元(130)的所述受热的壁(135)与所述受热屏蔽布置(202)之间的距离。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的蒸发源(100)，其中提供第二冷却屏蔽布置(203)，所述第二冷却屏蔽布置在所述沉积方向(101)上布置在所述受热屏蔽布置(202)之后。
11.根据权利要求10所述的蒸发源(100)，其中所述第二冷却屏蔽布置(203)包括一个或多个开口(223)，所述一个或多个开口被布置为在所述沉积方向(101)上与所述受热屏蔽布置(202)的所述一个或多个孔隙(222)对准。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的蒸发源(100)，其中所述分配单元(130)的所述一个或多个出口(212)是沿着所述沉积方向(101)延伸而从所述第一冷却屏蔽布置(201)的所述一个或多个开口(221)伸出的一个或多个喷嘴(125)。
13.一种用于在真空腔室中沉积源材料的沉积设备(150)，其中所述设备包括根据权利要求1至12中任一项所述的一个或多个蒸发源(100)。
14.一种在基板上沉积源材料的方法(800)，包括：
蒸发(810)所述源材料；和
将已蒸发的源材料施加(820)到所述基板，其中将所述已蒸发的源材料施加(820)到所述基板包括：
通过分配单元的一个或多个出口在沉积方向上提供(821)所述已蒸发的源材料；和
传递(822)所述已蒸发的源材料通过第一冷却屏蔽布置的一个或多个开口并且通过受热屏蔽布置的一个或多个孔隙。
15.根据权利要求14所述的沉积源材料的方法(800)，其进一步包括收集(830)已蒸发的源材料的已被所述第一冷却布置上的所述受热屏蔽布置阻挡的部分。
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