CN107108132B - 剥离多层基板的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供用于加工第一基板的方法,其中第一基板的第一主表面可移除地结合到载体基板的第一主表面。示例性方法包括以下步骤:在将该载体基板从该第一基板剥离时控制该载体基板的弯曲半径。在其它示例中,方法包括以下步骤:在附连构件相对于臂枢转时,利用附连构件将该载体基板的前周围边缘从第一基板剥离。示例性剥离设备也具备支撑真空附连构件的臂,其中该臂枢转地附连到真空板。

Description

剥离多层基板的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求保护在2014年11月19日提交的美国临时申请序列号No. 62/081,900的优先权的权益,本申请依靠该申请的内容并且该申请以全文引用的方式并入到本文中。
技术领域
本公开大体而言涉及包括剥离的加工方法和设备,并且更特定而言,涉及包括从第一基板剥离载体基板的前周围边缘的步骤的加工的方法和设备,其中第一基板包括玻璃基板和/或硅晶片。
背景技术
在柔性电子设备或其它装置的制造中使用薄的、柔性玻璃是受人关注的。柔性玻璃可具有与电子装置的制造或效能有关的有益性质,这些电子装置为例如液晶显示器(LCD)、电泳显示器(EPD)、有机发光二极管显示器(OLED)、等离子体显示面板(PDP)、触控传感器、光电器件等等。使用柔性玻璃的一个组成方面是能操纵呈片材形式而非卷材形式的玻璃。
为允许在柔性玻璃的加工期间操纵柔性玻璃,典型地使用聚合物粘结剂将柔性玻璃结合到相对刚性的载体基板。一旦结合到载体基板,载体基板的相对刚性的特性和大小允许在生产中操纵已结合的结构,而无需不利地弯曲或者不会引起对柔性玻璃的损坏。例如,薄膜晶体管(TFT)部件可在LCD的生产中附连到柔性玻璃。
在加工之后,从载体基板移除柔性玻璃。然而,鉴于柔性玻璃的精致本质,施加将柔性玻璃从载体基板拆离的力会损坏柔性玻璃。此外,典型地包括将器具插入到柔性玻璃-载体接口的分离过程也常常会损坏载体基板,从而使得载体基板对于未来使用而言不可用。因此,需要用于将薄的、柔性玻璃从载体基板拆离的实际解决方案,其减少损坏柔性玻璃及/或载体基板的可能性。
发明的公开
以下提出本公开的简要概述,以便提供对在具体实施方式中描述的一些示例性方面的基本理解。
在第一方面,提供一种用于加工第一基板的方法,其中该第一基板的第一主表面可移除地结合到载体基板的第一主表面。该方法包括以下步骤(I):通过向该载体基板的第二主表面的前周围表面部分施加压力来将该载体基板的前周围边缘从该第一基板剥离。该方法还包括步骤(II),继续从第一基板剥离载体基板直到该载体基板完全地从第一基板移除。该方法还包括以下歩骤 (III):在步骤(II)期间控制该载体基板的弯曲半径。
在第一方面的一个示例中,该第一基板的形状在步骤(I)和步骤(II)期间固定。在一特定示例中,该方法还包括将该第一基板真空附连到真空板,其中该真空附连提供在歩骤(I)和步骤(II)期间固定的该第一基板的该形状。
在第一方面的另一示例中,该第一基板包括选下列的基板:玻璃基板和硅晶片。
在第一方面的又一示例中,该第一基板包括约100微米至约300微米的厚度。
在第一方面的另一示例中,该载体基板包括约300微米至约700微米的厚度。
在第一方面的另一示例中,载体基板的占据面积大于第一基板的占据面积。
在第一方面的另一示例中,在歩骤(I)之前,该方法还包括以下歩骤:在将第一基板结合到该载体基板时加工该第一基板。
在第一方面的另一示例中,载体基板的第二主表面的前周围表面部分包括限定于载体基板的第一侧边缘与第二侧边缘之间的长度。此外,步骤(I)沿着载体基板的该第二主表面的前周围表面部分的基本上整个长度施加压力。在一特定示例中,步骤(I)包括沿着前周围表面部分的基本上整个长度均匀地施加压力。在另一特定示例中,步骤(I)包括基本上同时地沿着前周围表面部分的整个长度将载体基板的前周围边缘从第一基板剥离。
在第一方面的另一示例中,该方法还包括以下步骤:基于在歩骤(I)期间获得的信息确定该载体基板与该第一基板之间的结合强度。
在第一方面的又一示例中,歩骤(I)包括将附连构件真空附连到该载体基板的该第二主表面的前周围表面部分,并且随后利用附连构件向前周围表面部分施加压力。
在第一方面的另一示例中,在歩骤(I)之前,该方法还包括以下歩骤:减小该载体基板与该第一基板之间的结合强度。
第一方面可以单独地提供或者与上文所讨论的第一方面的示例中的任何一个或多个示例组合地提供。
在第二方面,提供一种加工第一基板的方法,其中第一基板的第一主表面可移除地结合到载体基板的第一主表面。该方法包括以下歩骤:(I)使臂在载体基板上延伸,其中附连构件由臂运载。该方法还包括步骤(II):将附连构件真空附连到载体基板的第二主表面的前周围表面部分;步骤 (III):利用附连构件向前周围表面部分施加压力。该方法还包括步骤(IV):在附连构件相对于所述臂枢转时,利用附连构件将载体基板的前周围边缘从第一基板剥离。
在第二方面的一个示例中,该附连构件相对于该臂枢转在大于0°至约15 °范围内的角度。
在第二方面的另一示例中,该方法包括以下步骤:在该臂相对于该第一基板枢转时持续将该载体基板从该第一基板剥离。在一个特定示例中,该方法可包括以下步骤:在该臂相对于该第一基板枢转时控制该载体基板的弯曲半径。
在第二方面的另一示例中,第一基板的形状在步骤(III)和步骤(IV)期间固定。在一个示例中,该方法包括:将该第一基板真空附连到真空板,其中真空附连提供在歩骤(III)和步骤(IV)期间固定的第一基板的该形状。
在第二方面的另一示例中,第一基板包括选下列的基板:玻璃基板和硅晶片。
在第二方面的另一示例中,该第一基板包括约100微米至约300微米的厚度。
在第二方面的另一示例中,该载体基板包括约300微米至约700微米的厚度。
在第二方面的又一示例中,该载体基板的占据面积大于该第一基板的占据面积。
在第二方面的又一示例中,在歩骤(I)之前,还包括以下步骤:在将第一基板结合到载体基板时加工第一基板。
在第二方面的另一示例中,该载体基板的第二主表面的前周围表面部分包括限定于该载体基板的第一侧边缘与第二侧边缘之间的长度。该方法还包括以下步骤(III):沿着载体基板的第二主表面的前周围表面部分的基本上整个长度施加压力。在一个特定示例中,步骤(III)包括沿着前周围表面部分的基本上整个长度均匀地施加该压力。在另一示例中,步骤(I)包括基本上同时地沿着该前周围表面部分的整个长度将该载体基板的周围边缘从第一基板剥离。
在第二方面的另一示例中,该方法还包括以下步骤:基于在步骤(I)期间获得的信息确定载体基板与第一基板之间的结合强度。
在第二方面的又一示例中,在步骤(IV)之前,该方法还包括以下步骤:减小载体基板与第一基板之间的结合强度。
第二方面可单独提供或与以上讨论的第二方面的示例的任何一个或多个组合地提供。
在第三方面,剥离设备被配置成将第一基板从第二基板剥离。该剥离设备包括真空板、真空附连构件和臂,臂支撑真空附连构件并且相对于真空板枢转地附连。该臂被配置成跨真空板延伸,并且真空附连构件被配置成在臂相对于真空板枢转时远离真空板移动。
在第二方面的一个示例中,真空附连构件被配置成相对于该臂枢转。在一个特定示例中,该真空附连构件被约束成相对于该臂枢转在大于0°至约15°范围内的最大角度。
在第三方面的另一示例中,真空板被配置成在真空附连构件远离真空板移动时平移。
在第二方面的另一示例中,剥离设备还包括铰链,铰链相对于真空板枢转地附连该臂。
在第三方面的另一示例中,铰链包括浮动铰链。
第三方面可单独提供,或与以上讨论的第三方面的示例的任何一个或多个组合地提供。
附图说明
当参考附图阅读以下具体实施方式时,这些和其它方面得以更好地理解,在附图中:
图1为示例性剥离设备的示意侧视图;
图2为剥离设备的沿着图1的线2-2的正视图,
图3为剥离设备的真空板的沿着图2的线3-3的顶视图;
图4为剥离设备的沿着图2的线4-4的真空附连构件和臂的底视图;
图5为图1的剥离设备呈打开取向的示意侧视图;
图6为图1的剥离设备呈打开取向的示意侧视图,其中第二载体基板真空附连到真空板;
图7为图1的剥离设备呈闭合取向的示意侧视图,其中第二载体基板真空附连到真空板并且附连构件真空附连到第一载体基板的第二主表面的前周围表面部分上;
图8示意性地示出沿着第一载体基板的第二主表面的前周围表面的部分的基本上整个长度均匀地施加压力;
图9为剥离设备沿着图8的线9-9的放大部分截面图;
图10为图9的局部视图,其示出了以下步骤:通过向第一载体基板的第二主表面的前周围表面部分施加压力,将第一载体基板的前周围边缘从第二载体基板和第一基板剥离;
图11示出了以下步骤:在将第一载体基板从第二载体基板和第一基板剥离时,控制第一载体基板的弯曲半径;
图12为示出从第二载体基板和第一载体基板完全剥离第一载体基板;
图13为图1的剥离设备呈打开取向的示意侧视图,其中第一基板真空附连到真空板;
图14为图1的剥离设备呈闭合取向的示意侧视图,其中第一基板真空附连到真空板并且附连构件真空附连到第二载体基板的第二主表面的前周围表面部分;
图15示出以下步骤:在将第二载体基板从第一基板剥离时控制第二载体基板的弯曲半径;以及
图16示出加工第一基板的方法中的示例性步骤,其中该第一基板的第一主表面可移除地结合到至少一个载体基板的第一主表面。
具体实施方式
现将在下文参考示出示例性实施例的附图更全面地描述示例。在任何可能的情况下,整个图中使用相同附图标记来指代相同或相似部件。然而,各方面可以许多不同形式来具体化并且不应解释为限于本文阐述的实施例。
本公开的剥离设备可用于促进载体基板从结合到该载体基板的第一基板的移除。在一个示例中,该剥离设备可促进载体基板从硅晶片或玻璃基板的初始或完全分离。例如,该剥离设备可适用于初始地或完全地将载体基板从玻璃基板或硅晶片剥离。在一些示例中,第一基板(例如,玻璃基板、硅晶片或玻璃基板)包括可移除地结合到一对载体基板的相应第一表面的主表面,其中第一基板夹在成对的载体基板之间。在这样的示例中,剥离设备可以用于从第一基板和第二载体基板最初或完全剥离第一载体基板。此外,在移除了第一载体基板之后,剥离设备可以用于从第一基板最初或完全剥离第二载体基板。
柔性玻璃片常常用于制造液晶显示器(LCD)、电泳显示器(EPD)、有机发光二极管显示器(OLED)、等离子体显示面板(PDP)、触控传感器、光电设备等等。为允许在加工期间操纵柔性玻璃片,可使用粘结剂(例如,聚合物粘结剂)将柔性玻璃片结合到刚性载体基板。该载体基板可由玻璃、树脂或能够耐受加工第一基板(例如,玻璃基板、硅晶片等等)期间的条件的其它材料制造,该第一基板可移除地结合到该载体基板。在一些示例中,载体基板和结合到载体基板的基板可各自包括限定于基板的相应主表面之间的厚度。该载体基板可选地通过提供具有一定厚度的载体基板而引入所希望水平的刚性,该厚度大于可移除地结合到该载体基板的基板的厚度。此外,在一些示例中,该载体基板可选择为而具有一厚度,其中该载体基板和结合到该载体基板的基板的总厚度在可与现有加工机器一起使用的范围内,现有加工机器配置成加工相对厚的玻璃基板,这些玻璃基板具有在该载体基板和结合到该载体基板的基板的总厚度的范围内的厚度。
在一些示例中,第一基板可包括具有约100微米至约300微米的厚度的玻璃基板或硅晶片。在其它示例中,载体基板(例如,以下讨论的第一载体基板和第二载体基板)可包括约300微米至约700微米的厚度。在这些示例中,该载体基板可包括一定厚度,该厚度大于结合到该载体基板的第一基板(例如,玻璃基板或硅晶片)的厚度。
该载体基板的刚性特性和大小允许在生产中操纵结合的玻璃片而无显著弯曲,显著弯曲原本可能会引起对柔性玻璃片及/或安装到柔性玻璃片的部件的损坏。在加工(例如,操纵、添加部件、处置等等)之后,本公开的剥离设备可用于初始地或完全地将载体基板从结合的第一基板(例如,玻璃基板或硅晶片)剥离。
转向图1和图2,示出示例性剥离设备101,其被配置成将载体基板从第一基板剥离。贯穿本公开,第一基板可包括硅晶片、玻璃基板(例如,薄的、柔性玻璃基板)。剥离设备101还包括真空板103,其被配置成可释放地将基板之一紧固就位。例如,真空板可真空附连到载体基板的主表面,以可释放地紧固载体基板就位。真空板103包括长度“L1”(参看图1)和宽度“W1”(参看图2)。在所图示示例中,长度“L1”大于宽度“W1”,尽管长度和宽度可基本上相等,或在其它示例中,宽度可大于长度。
如图3所示,真空板103可包括一个或多个真空端口,诸如在表面 303(例如,基本上平面表面)处敞开的多个真空端口301。多个真空端口301 可与真空源104流体连通,该真空源为诸如真空槽、真空泵等等。如图1 和图9所示,诸如柔性软管的真空导管901可提供在多个真空端口301与真空源104之间的流体连通。在一个示例中,如图9所示,真空腔室903可放置成与多个真空端口301成流体连通使得多个真空端口301与真空管道901成流体连通。
尽管未图示,可以提供一个或多个间隙器以防止基板的主表面与真空板103的表面303之间的实际接合。这些间隙器可包括周围间隙器,诸如外接多个真空端口301的环。另外或替代地,间隙器可包括分布于真空端口之间遍布真空端口301的图案的支柱。支柱可包含各种材料,诸如聚合物材料。间隙器可延伸约1.6mm(例如1/16英寸)的距离,但是在其它示例中使用其它距离。
参考图1,真空板103可选地被配置成沿着平移轴线105在第一方向 107a和与第一方向相反的第二方向107b之一上平移。例如,如示意地图示,多个轴承109可以接纳沿着平移轴线105延伸的平移轨111。在某些示例中,在轴承沿着平移轨111滑动时,真空板103可在方向107a、107b之一上自由地平移。可选地,诸如所图示固定螺钉113的锁定构件可选择性地将真空板103相对于平移轨111锁定。在锁定取向上,可防止真空板103相对于平移轨111移动。替代地,在解锁取向上,真空板103能够相对于平移轨111沿着方向107a、107b之一平移。真空板103可选择性地锁定或解锁以适应不同剥离程序。在其中仅涵盖锁定取向的应用中,可完全放弃平移机构。在这些示例中,真空板103可相对于诸如地板、桌顶部、支架或其它支撑表面的支撑表面115固定地安装。
剥离设备101还包括真空附连构件117,其被配置成相对于载体基板的第二主表面的前周围表面部分可释放地真空附连。为促进真空附连,真空附连构件可包括一个或多个真空端口。例如,如图4所示,一个或多个真空端口可包括在真空附连构件117的表面403(例如,基本上平面表面) 处敞开的多个真空端口401。在一个示例中,多个真空端口401可以一定图案布置以使力沿真空附连构件117的宽度“W2”分布。
多个真空端口401可与真空源118流体连通,该真空源为诸如真空槽、真空泵等等。如图1和图9所示,诸如柔性软管的真空导管905可提供在多个真空端口401与真空源118之间的流体连通。在一个示例中,如图9 所示,真空腔室907可以放置成与真空端口401成流体连通使得多个真空端口401与真空管道905成流体连通。
真空附连构件117可还包括间隙器,在一些示例中,该间隙器可防止真空附连构件117与载体基板的第二主表面之间的实际接合。例如,间隙器可充当缓冲器以保护载体基板免于因真空附连构件与载体基板的第二主表面之间的直接接触引起的损坏。如图4示意地示出,一个示例间隙器(若提供)可包括周围环形间隙器405,其外接多个真空端口401。间隙器405 可包括诸如聚合物材料的各种材料,并且在一些示例中,可从真空附连构件117的表面403延伸约1.6mm(例如,1/16英寸)的距离。
参考图1和图4,剥离设备101还包括臂119,其支撑真空附连构件 117。如图所示,臂119可包括板,尽管臂可包括框架、梁或被配置成支撑真空附连构件117的其它结构。在一些示例中,臂119可还包括长度“L2”,其小于真空板103的长度“L1”。在其中真空附连构件117可选地附连到臂119的外端的示例中,提供具有相对短长度“L2”的臂119可允许真空附连构件117延伸到真空板103的外端。允许真空附连构件117延伸到真空板103的外端可有助于在载体基板的前端真空附连于真空板103的前边缘121处或附近的应用中增加杠杆作用及/或适应这些应用。
在一个示例中,真空附连构件117相对于臂枢转地附连。例如,如图 1所示,剥离设备101可包括铰链116,以允许真空附连物相对于臂119例如从图9所示的位置枢转到图10所示的位置。在一些示例中,真空附连构件117可被配置成枢转大于0°至约15°的角度“A”,尽管可在其它示例中提供其它角度。在其它示例中,真空附连构件117可被约束成相对于臂119枢转例如大于0°至约15°的最大角度“A”,尽管可在其它示例中提供其它最大角度。约束枢转角度可以各种方式实现。例如,楔形开口可存在于真空附连构件117的抵接表面117a与臂119的抵接表面909之间。因此,一旦真空附连构件117枢转到最大角度“A”,如图10所示,抵接表面117a、909即彼此抵接,进而充当止挡件以防止在真空附连构件117与臂119之间的进一歩枢转。
臂119也相对于真空板103枢转地附连。例如,如图1所示,真空板 103的尾端123可相对于臂119的尾端125与铰链枢转地附连。在一些示例中,铰链可包括浮动铰链127,尽管固定饺链组态可用于替代示例。浮动铰链127可包括铰链销129,其被配置成在狭槽131内平移和旋转。因此,浮动铰链127可允许利用剥离设备101来加工不同厚度的基板堆叠。
如图1所示,剥离设备101还可包括促动器133,促动器133被配置成向真空附连构件117施加力“F”以提起真空附连构件117并且因此引起臂119在方向135上绕浮动铰链127枢转。仅在一个示例中,力“F”可经由连杆137来施加,该连杆连接(例如,利用挂钩138连接)到柔性细丝 139(例如,线材、缆线等等)。例如,如图2所示,细丝139的一端139a 可附连到从真空附连构件117的第一侧延伸的第一销201a,而细丝139的另一端139b可附连到从真空附连构件117的第二侧延伸的第二销201b。通过连杆137施加力“F”可导致向第一销201a和第二销201b施加拉力“F1”、“F2”。此外,如图1所示,绕浮动铰链127的力矩臂得以最大化,因为销201a、201b定位在真空附连构件117的最外前端处。因而,杠杆作用可得以最大化以更有效地施加力“F”来起始基板的剥离。
如图1和图2进一歩所图示,剥离设备101也可包括负载传感器141,其被配置成感测通过促动器133施加的力“F”。来自负载传感器141的信息可经由通信线路141a送回控制装置143(例如,可编程逻辑控制器)。控制装置143可被配置成(例如,“被编程为”、“被编码为”、“被设计为”和/或“被制作为”)经由通信线路133a来控制促动器133,并且经由相应通信线路104a、118a来控制真空源104、118。
现将初步参考图16来描述加工的方法。该方法可以利用第一基板以步骤1601开始,该步骤包括将第一基板的第一主表面可移除地结合到载体基板的第一主表面。贯穿本申请,第一基板可通过聚合物粘结剂或其它材料来可移除地结合到载体基板,该聚合物粘结剂或其它材料可耐受加工条件同时允许基板随后至少部分地剥离分开。
在步骤1601的一个示例中,如图6-图12所示,该方法可利用第一基板601开始,该第一基板包括玻璃基板(例如,薄的、柔性玻璃基板)或硅晶片。第一基板601可由一个或多个层制成。例如,第一基板601可为显示面板,其包括背板基板、盖基板和安置于它们之间的显示部件。该方法也可利用第一载体基板603(例如,玻璃载体基板)和第二载体基板605(例如,玻璃载体基板)开始,其中第一基板601夹在第一载体基板603与第二载体基板605之间。如图9所示,在一些示例中,第一基板601可包括在第一基板601的第一主表面601a与第二主表面601b之间的约100微米至约300微米的厚度T1。如图9进一歩所示,在一些示例中,第一载体基板 603和第二载体基板605可各自包括在相应载体基板603、605的相应第一主表面603a、605a与相应第二主表面603b、605b之间的约300微米至约 700微米的厚度T2。如图9进一歩所图示,在一些示例中,载体基板603、 605的厚度T2可大于第一基板601的厚度T1。提供相对较厚的载体基板可有助于增加第一基板(例如,玻璃基板或硅晶片)的有效刚度以促进第一基板的加工。相对较厚的载体基板也可有助于显著地增加结合到第二基板的第一基板的有效刚度。
如图9所图示,可将第一载体基板603的第一主表面603a可移除地结合到第一基板601的第一主表面601a。同样地,可将第二载体基板605的第一主表面605a可移除地结合到第一基板601的第二主表面601b。此外,如图9进一步所示,载体基板603、605可各自包括大于第一基板601的占据面积的占据面积。事实上,相应载体基板603、605的前周围边缘911、913各自延伸超出第一基板601的前周围边缘915。另外,相应载体基板603、 605的尾周围边缘917、919可各自延伸超出第一基板601的尾周围边缘921。实际上,在一些示例中,载体基板603、605的所有周围边缘可选地延伸超出第一基板601的相应周围边缘各种距离,例如超出约0.5mm至约3mm。提供比第一基板601具有更大占据面积的载体基板603、605可有助于在加工(例如,操纵)期间保护第一基板的相对易碎的周围边缘免于损坏。事实上,对已结合的基板的边缘的任何冲击将趋向于发生在载体基板603、605 之一的向外延伸周围边缘处,该向外延伸周围边缘将起作用保护第一基板 601的相对易碎的外周围边缘。
尽管图6-图12未示出,但在其它示例中,第一基板601和载体基板 603、605的占据面积可基本上相等。提供基本上相等的占据面积可简化制造。例如,第一基板或第一基板的一层和载体基板的一个或多个可首先结合在一起,并且随后已结合的基板可沿着共同分离路径分离,其中基板因而具有基本上相同的占据面积。
在又一示例中,尽管图6-图12未示出,但第一基板601可具有大于载体基板603、605中一个或多个的占据面积,以使得第一基板的外周围边缘之一或全部延伸超出相应载体基板的相应外周围边缘。替代地,无论相对占据面积大小如何,尽管未示出,但第一基板的前周围边缘915可选地包括悬伸部分(例如,舌片),其延伸超出相应载体基板603、605的前周围边缘911、91例如约50微米至约150微米,诸如约100微米。这些示例可有益于帮助将载体基板的前周围边缘从第一基板剥离。
如图16进一步所示,本公开内容的任何方法可选地沿箭头1603从开始1601进行到以下步骤1605:在第一基板601结合到载体基板603、605 中的至少一个时,加工第一基板601或第一基板的一层。第一基板601或第一基板的该层可被加工成例如以包括电子设备、滤色器、触控传感器、液晶阱以及显示应用中的其它电子设备。在另一示例中,加工可包括蚀刻玻璃或以其它方式加工玻璃基板。当使用硅晶片时,加工可包括将硅晶片切割成较小块件,或以其它方式加工硅晶片以制造电子部件。
如通过箭头1607所示,在加工的步骤1605之后,该方法可然后进行到以下步骤1609:通过向第一载体基板603的第二主表面603b的前周围表面部分923施加压力,将第一载体基板603的前周围边缘911从第一基板 601剥离。替代地,如通过箭头1611所指示,该方法可直接从开始1601 进行到剥离步骤1609。例如,该方法可在步骤1601处开始,而加工歩骤已经进行。
为准备剥离步骤1609,如图5所示,臂119连同附连到臂的远侧端的真空附连构件117可在方向501上绕浮动铰链127枢转到打开取向。
接着,如图6所示,在第二载体基板605定位于真空板103上之后。真空源104可施加真空,并且继而经由多个真空端口301抽吸。第二载体基板605的第二主表面605b之后真空附连到真空板103的表面303。一旦真空附连,第二载体基板605的形状和因此结合到第二载体基板605的第一载体基板601的形状即具有固定的形状。事实上,将具有结合的第一载体基板601的第二载体基板605真空附连到真空板103的歩骤固定第一基板601的形状。在所图示示例中,第一基板601可固定成基本上平坦平面形状,尽管可在其它示例中需要其它形状。固定形状可有助于防止在剥离的步骤期间对第一基板601和/或通过加工第一基板601提供的电气部件或其它特征的损坏。
在将第二载体基板605真空附连到真空板103之前、期间或之后,臂 119连同真空附连构件117可在方向607上绕浮动铰链127枢转到图7所示的闭合取向。在图7所示的闭合取向中,臂119在从第一载体基板603的尾周围边缘917到前周围边缘911的方向上跨第一载体基板603延伸。如图7进一歩所示,铰链销129可响应于臂在第一基板和载体基板的总厚度上闭合而沿着浮动铰链127的狭槽131向上行进。
可选地,在开始剥离步骤1609之前,该方法可包括以下步骤1610:减小第一载体基板603与第一基板601之间的结合强度。例如,如图7所示,刀片701或其它装置可用于攻击接口703以减小结合强度,进而促进第一载体基板从第一基板的初始剥离。
如图7所示,剥离步骤1609可包括以下步骤:将附连构件117真空附连到第一载体基板603的第二主表面603b的前周围表面部分923。事实上,真空源118可施加真空且继而经由多个真空端口401抽吸,以使得前周围表面部分923真空附连到真空附连构件117的表面403。
如图8所示,第一载体基板603的前周围表面部分923可包括限定于第一载体基板603的第一侧边缘801a与第二侧边缘801b之间的长度“L3”。如图中所示,长度“L3”在与真空板103的宽度“W1”相同的方向上延伸。在一些示例中,通过真空附连构件117的真空表面403提供的真空附连沿着载体基板603的前周围表面部分923的基本上整个长度“L3”延伸。在其它示例中,真空附连可延伸长度“L3”的约70%至约100%,诸如长度“L3”的约85%至约100%、诸如约90%至约100%、诸如约95%至约100%。增加真空附连沿着长度“L3”延伸的程度可有助于均匀地分布通过真空附连构件 117跨前周围边缘911的长度“L3”施加的压力,以减少应力集中且允许沿着整个长度“L3”同时剥离。
剥离的步骤1609可随后向真空附连构件117施加力“F”,真空附连构件因而向前周围表面部分923施加相应压力。事实上,参考图2,促动器 133可在向上方向上施加力“F”,从而引起拉力“F1”和“F2”施加于真空附连构件117的销201a、201b上。因而,真空附连构件117将这个力分布于真空表面403之上,以跨前周围表面部分923的区域施加压力。
如由图8中的一行平行箭头示意表示的压力分布所示,该方法可沿着第一载体基板603的前周围表面部分923的长度“L3”向前周围表面部分 923均匀地施加压力。因而,应力可跨前周围边缘911均匀地分布,以避免沿前周围边缘的不必要的高应力集中。如图9所示,因为力系施加于离铰链116的距离“D”处,所以力可集中在前周围边缘911与第一基板601之间的接口703处。最终,如图10所示,前周围边缘911处的应力造成前周围边缘911与第一基板601之间的初始分离1001,其中第一载体基板603 的外部部分1003绕铰链116枢转。初始分离可在沿着前周围表面部分的长度“L3”的任何位置处开始。替代地,在一些示例中,剥离步骤可基本上同时沿着前周围表面部分923的整个长度“L3”将第一载体基板603的前周围边缘911从第一基板601剥离。沿着前周围表面部分923的整个长度“L3”同时剥离可通过沿着前周围表面部分923的整个长度的均匀施加压力来实现,并且可有助于减少沿前周围边缘911的不必要的应力尖峰,该不必要的应力尖峰原本可能会损坏第一载体基板603。
在剥离第一载体基板603的前周围边缘911的歩骤1609之后的某时,该方法可选地包括以下步骤1611:基于在剥离的步骤1609期间获得的信息,确定第一载体基板603的前周围边缘911(例如,边缘部分)与第一基板 601之间的结合强度。例如,来自负载传感器141的信息(例如,力量测値) 可通过通信线路141a传输到控制装置143。控制装置143可被配置成监视来自负载传感器141的信息,并且可进一步被配置成由于信息(诸如,力量测値)中的尖峰而识别初始分离1001发生的时间,该尖峰发生在初始分离 1001之时。通过负载传感器141在初始分离1001之时提供的信息可用于确定(例如计算)第一载体基板603的前周围边缘911与第一基板601之间的结合强度。结合强度可以以多种方式来使用。例如,确定结合强度可用于帮助确定结合到载体基板的第一基板的规格。这条信息可提供至供货商,这些供货商可能需要这条信息来对第一基板进行适当的进一步加工。结合强度也可作为反馈提供到控制装置143,以用于修改将随后的第一载体基板从随后的第一基板分离的后续过程。事实上,涉及具有类似结合强度的基板,可采取一系列分离程序。因而,结合强度的反馈可用于帮助微调过程以提高分离的效率和效果(例如,减少实现初始分离的时间、在分离时维持最小弯曲半径等等)。
在剥离前周围边缘911的歩骤1609之后,该方法可还包括以下歩骤 1613:将第一载体基板603从第一基板601完全地移除。在又一示例中,如图11和图12所示,将第一载体基板603从第一基板601完全地移除的歩骤1613包括将第一载体基板从第一基板完全剥离。事实上,真空附连构件117可被提起,同时臂119在方向135上绕浮动铰链127枢转,以使得剥离设备101实现打开取向。如图11和图12所示,在一些示例中,真空板103可选地被配置成在附连构件117在方向1101上被提起时,沿着通过剥离设备101(参看图1)限定的平移轴线105在第一方向107a上平移。在一些方向上,方向1101可垂直于方向107a,尽管可在其它示例中提供其它角度。在附连构件117被提起时,允许真空板103沿着方向107a平移可有益于将力在垂直方向上导引,而不必移动促动器133的位置来向剥离程序更有效地施加力。在图12所示的打开取向中,第一载体基板603从第一基板601完全地剥离,即使附图示出第一载体基板603触碰(而不粘附)于第一基板601的外部拐角上也如此。
在一些示例中,在将第一基板从第二基板剥离(例如,初始地剥离、部分地剥离、完全地剥离)的歩骤期间,该方法可还包括以下歩骤1615:控制第一载体基板603的弯曲半径“R”(参看图11)。事实上,在一些示例中,可在臂119相对于第一基板601枢转时控制载体基板的弯曲半径“R”。可能需要确保第一载体基板603不以弯曲半径小于预定最小弯曲半径的方式剥离。预定最小弯曲半径可为第一载体基板603可安全弯曲而没有破裂或以其它方式遭损坏的显著机率的半径。在一个示例中,控制装置143可控制促动器133以在初始分离1001之后随时间推移提供预定变化力“F”。以随时间推移的受控方式来改变力“F”可被设计成确保弯曲半径“R”不降低到低于预定最小弯曲半径。在其它示例中,尽管未示出,可提供近接传感器,其感测第一载体基板的实际弯曲半径,其中控制装置143可基于来自近接传感器的反馈适当地修改由促动器施加的力“F”。
一旦将第一载体基板603从第一基板601完全地移除的步骤1613完成,该方法可在步骤1617处结束。
关于图16和图1-图12描述的方法可利用广泛范围的基板来进行。图 13-图15示出另一示例,除非另有指明,否则该示例可包括关于以上图16 和图1-图12所讨论的相同步骤及/或等效步骤。如图13-图15所示,在移除第一载体基板603之后(或在仅存在一个载体基板的情况下),第二载体基板605也可从第一基板601移除。事实上,如图13所示,第一基板601 可真空附连到真空板103。如图14所示,真空附连构件117可真空附连到第二载体基板605的第二主表面605b的前周围表面部分1401。类似地,如以上所讨论,第二载体基板605可如图15所示从第一基板601剥离且最终完全地剥离。
这些仅为可对以上所述的设备和方法做出的变化的几个示例。可在不偏离发明权利要求的精神和范围的情况下做出其它各种修改及变化。

Claims (25)

1.一种加工第一基板的方法,其中所述第一基板的第一主表面可移除地结合到载体基板的第一主表面,所述方法包括以下歩骤:
(I)使臂在所述载体基板上延伸,其中附连构件由所述臂运载;
(II)将所述附连构件真空附连到所述载体基板的第二主表面的前周围表面部分;
(III)利用所述附连构件向所述前周围表面部分施加压力;
(IV)减小所述载体基板与所述第一基板之间的结合强度;以及
(V)在所述附连构件相对于所述臂枢转时,利用所述附连构件将所述载体基板的前周围边缘从所述第一基板剥离;
(VI)基于在歩骤(V)期间获得的信息确定所述载体基板与所述第一基板之间的结合强度。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述附连构件相对于所述臂枢转在0°至15°的范围内的角度。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括以下歩骤:在所述臂相对于所述第一基板枢转时持续从所述第一基板剥离所述载体基板,还包括以下步骤:在所述臂相对于所述第一基板枢转时控制所述载体基板的弯曲半径。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一基板的形状在剥离步骤和施加压力步骤中的至少一个步骤期间固定。
5.根据权利要求4所述的方法,还包括将所述第一基板真空附连到真空板,其中所述真空附连提供在所述剥离步骤和所述施加压力步骤中的至少一个步骤期间固定的所述第一基板的形状。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述载体基板的所述第二主表面的所述前周围表面部分包括限定于所述载体基板的第一侧边缘与第二侧边缘之间的长度,并且施加压力步骤沿着所述载体基板的所述第二主表面的所述前周围表面部分的基本上整个长度施加压力。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一基板包括选自下列的基板:玻璃基板和硅晶片。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一基板包括100微米至300微米的厚度。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述载体基板包括300微米至700微米的厚度。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述载体基板的占据面积大于所述第一基板的占据面积。
11.根据权利要求1所述的方法,其中在步骤(I)之前,还包括在将所述第一基板结合到所述载体基板上的同时加工所述第一基板的步骤。
12.根据权利要求1所述的方法,其中施加压力步骤包括沿着所述前周围表面部分的基本上整个长度均匀地施加所述压力。
13.根据权利要求12所述的方法,其中剥离步骤包括从所述第一基板沿着所述前周围表面部分的整个长度基本上同时剥离所述载体基板的所述前周围边缘。
14.一种加工第一基板的方法,其中所述第一基板的第一主表面可移除地结合到载体基板的第一主表面,所述方法包括以下歩骤:
(I)减小所述载体基板与所述第一基板之间的结合强度;
(II)通过向所述载体基板的第二主表面的前周围表面部分施加压力来从所述第一基板剥离所述载体基板的前周围边缘;
(III)基于在歩骤(II)期间获得的信息确定所述载体基板与所述第一基板之间的结合强度;
(IV)从所述第一基板继续剥离所述载体基板直到所述载体基板完全从所述第一基板剥离;以及
其中,在步骤(IV)期间控制所述载体基板的弯曲半径。
15.根据权利要求14所述的方法,其中所述第一基板的形状在剥离步骤和施加压力步骤中的至少一个步骤期间固定。
16.根据权利要求15所述的方法,还包括将所述第一基板真空附连到真空板,其中所述真空附连提供在所述剥离步骤和所述施加压力步骤中的至少一个步骤期间固定的所述第一基板的形状。
17.根据权利要求14所述的方法,其中所述载体基板的所述第二主表面的所述前周围表面部分包括限定于所述载体基板的第一侧边缘与第二侧边缘之间的长度,并且施加压力步骤沿着所述载体基板的所述第二主表面的所述前周围表面部分的基本上整个长度施加压力。
18.根据权利要求14所述的方法,其中所述第一基板包括选自下列的基板:玻璃基板和硅晶片。
19.根据权利要求14所述的方法,其中所述第一基板包括100微米至300微米的厚度。
20.根据权利要求14所述的方法,其中所述载体基板包括300微米至700微米的厚度。
21.根据权利要求14所述的方法,其中所述载体基板的占据面积大于所述第一基板的占据面积。
22.根据权利要求14所述的方法,其中在步骤(I)之前,还包括在将所述第一基板结合到所述载体基板上的同时加工所述第一基板的步骤。
23.根据权利要求14所述的方法,其中施加压力步骤包括沿着所述前周围表面部分的基本上整个长度均匀地施加所述压力。
24.根据权利要求23所述的方法,其中剥离步骤包括从所述第一基板沿着所述前周围表面部分的整个长度基本上同时剥离所述载体基板的所述前周围边缘。
25.根据权利要求14所述的方法,其中施加压力步骤包括将附连构件附连到所述载体基板的所述第二主表面的所述前周围表面部分上并且然后利用所述附连构件向所述前周围表面部分施加所述压力。
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