CN107077036A - 有源矩阵基板及显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明之作为有源矩阵基板20a之构成要件的多条源极线(数据线)15S及多条栅极线13G中一者为于纵方向延伸之纵线，另一者为横线。于设置于多个像素之各者且与数据线15S及栅极线13G连接、并控制对应之像素之显示之多个像素控制元件16T中，与同一条横线连接之像素控制元件16T之一部分是其相对于所连接之纵线之配置方向不同于与同一条横线连接之其他像素控制元件之配置方向。作为栅极驱动器(驱动电路)11之构成要件的多个开关元件18中至少一部分是配置于相邻之纵线之间之区域，且为相邻之像素控制元件16T之间之距离较其他相邻之像素控制元件16T之间之距离更宽之区域。

Description

有源矩阵基板及显示面板

技术领域

本发明是关于有源矩阵基板及显示面板。

背景技术

具备多条数据线及与多条数据线交叉且至少包含多条栅极线之多条配线之有源矩阵基板为已知。于专利文献1中，揭示作为有将连接于多条配线中至少一部分且控制该配线之电位之驱动电路之构成要件的多个开关元件中，至少一部分之开关元件配置于显示区域内之有源矩阵基板。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:国际公开第2014/069529号

发明内容

发明要解决的课题

于有源矩阵基板，设置有设于构成显示区域之多个像素之各者且与数据线及栅极线连接，并用于控制对应像素之显示的多个像素控制元件(像素TFT)。于专利文献1记载之有源矩阵基板中，对于俯视时于纵方向延伸之数据线，所有像素控制元件之配置方向相同。因此，相邻之像素控制元件之间隔相同。于相邻之数据线之间，即相邻之像素控制元件之间之区域配置开关元件之情形，因该区域狭窄，故无法配置较大开关元件。

本发明之目的在于提供一种可于显示区域内配置较大开关元件之有源矩阵基板。

用于解决课题的方案

本发明之一种实施方式之有源矩阵基板具备：多条数据线；多条配线，其与所述多条数据线交叉且至少包含多条栅极线；驱动电路，其具有多个开关元件，且连接于所述多条配线之至少一部分，根据自显示区域之外侧供给之控制信号而控制该配线之电位；及多个像素控制元件，其设置于构成显示区域之多个像素之各者，与所述数据线及所述栅极线连接，控制对应之像素之显示；所述多条数据线及所述多条栅极线中之一者是于俯视时于纵方向延伸之多条纵线，另一者是于俯视时于横方向延伸之多条横线，所述多个像素控制元件中，与同一条所述横线连接之像素控制元件之一部分，其相对于所连接之所述纵线之配置方向不同于与所述同一条横线连接之其他像素控制元件之配置方向；所述多个开关元件中之至少一部分是配置于相邻之所述纵线之间之区域，且为相邻之所述像素控制元件之间之距离较其他相邻之所述像素控制元件之间之距离更宽之区域。

发明效果

根据本发明，作为控制包含多条栅极线之多条配线之电位之驱动电路的构成要件的多个开关元件，可将较大之开关元件配置于显示区域内。

附图说明

图1是显示第一实施方式之液晶显示装置之概略构成之示意图。

图2是显示有源矩阵基板之概略构成之示意图。

图3是显示省略了源极线之图示之有源矩阵基板、及与有源矩阵基板连接之各部之概略构成之示意图。

图4是显示用以驱动GL(n)之栅极线之栅极驱动器之等效电路之一例之图。

图5是栅极驱动器扫描栅极线时之时序图。

图6是用以说明第一实施方式之有源矩阵基板之构成之示意图。

图7是显示相邻之源极线之间隔为非等间隔，但与同一条栅极线连接之多个像素TFT之配置方向相对于与各像素TFT连接之源极线为相同之方向之比较构成例之图。

图8A是显示现有的有源矩阵基板之构成之图。

图8B是显示第一实施方式之有源矩阵基板之构成之图。

图9A是显示用以说明内部节点长度之现有的有源矩阵基板之构成之图。

图9B是显示用以说明内部节点长度之第一实施方式之有源矩阵基板之构成之图。

图10A是显示用以比较说明内部节点或驱动器配线、与源极线或栅极线之交叉部位之数之图，即现有的有源矩阵基板之构成之图。

图10B是显示用以比较说明内部节点或驱动器配线、与源极线或栅极线之交叉部位之数之图，即第一实施方式之有源矩阵基板之构成之图。

图11A是显示将图4所示之栅极驱动器之电路配置于图8A所示之现有的有源矩阵基板之显示区域时之等效电路之一例之图。

图11B是显示将图4所示之栅极驱动器之电路配置于图8A所示之现有的有源矩阵基板之显示区域时之等效电路之一例之图。

图11C是显示将图4所示之栅极驱动器之电路配置于图8A所示之现有的有源矩阵基板之显示区域时之等效电路之一例之图。

图11D是显示将图4所示之栅极驱动器之电路配置于图8A所示之现有的有源矩阵基板之显示区域时之等效电路之一例之图。

图12是自图11C摘录放大一部分之TFT-C之图。

图13A是显示将图4所示之栅极驱动器之电路配置于第一实施方式之有源矩阵基板之显示区域时之等效电路之一例之图。

图13B是显示将图4所示之栅极驱动器之电路配置于第一实施方式之有源矩阵基板之显示区域时之等效电路之一例之图。

图13C是显示将图4所示之栅极驱动器之电路配置于第一实施方式之有源矩阵基板之显示区域时之等效电路之一例之图。

图14是自图13A～图13B摘录放大TFT-C之图。

图15A是示意性显示现有的有源矩阵基板之栅极驱动器之配置区域、及栅极驱动器之非配置区域之图。

图15B是示意性显示第一实施方式之有源矩阵基板之栅极驱动器之配置区域、及栅极驱动器之非配置区域之图。

图16A是显示第二实施方式之有源矩阵基板之构成之图。

图16B是显示于各色配线栅极线，且将源极线配线于各像素之构成中现有的有源矩阵基板之构成之图。

图17A是显示将图4所示之栅极驱动器之电路配置于图16B所示之现有的有源矩阵基板之显示区域时之等效电路之一例之图。

图17B是显示将图4所示之栅极驱动器之电路配置于图16B所示之现有的有源矩阵基板之显示区域时之等效电路之一例之图。

图17C是显示将图4所示之栅极驱动器之电路配置于图16B所示之现有的有源矩阵基板之显示区域时之等效电路之一例之图。

图17D是显示将图4所示之栅极驱动器之电路配置于图16B所示之现有的有源矩阵基板之显示区域时之等效电路之一例之图。

图18是自图17C摘录一部分之TFT-C之图。

图19A是显示将图4所示之栅极驱动器之电路配置于第二实施方式之有源矩阵基板之显示区域时之等效电路之一例之图。

图19B是显示将图4所示之栅极驱动器之电路配置于第二实施方式之有源矩阵基板之显示区域时之等效电路之一例之图。

图19C是显示将图4所示之栅极驱动器之电路配置于第二实施方式之有源矩阵基板之显示区域时之等效电路之一例之图。

图20是自图19A～图19B，摘录一部分之TFT-C之图。

图21是显示第三实施方式之有源矩阵基板之构成之图。

图22是显示将图4所示之栅极驱动器之电路配置于第三实施方式之有源矩阵基板之显示区域时之等效电路之一例之图。

图23是自图22摘录放大了一部分之TFT-C之图。

图24是显示第四实施方式之有源矩阵基板之构成之图。

图25是显示将图4所示之栅极驱动器之电路配置于第四实施方式之有源矩阵基板之显示区域时之等效电路之一例之图。

图26是自图25摘录放大一部分之TFT-C之图。

图27是用以说明源极层相对于栅极层之位置偏移之图。

图28是用以说明于第一实施方式之有源矩阵基板中，产生源极线相对于栅极线之位置偏移、及漏极垫相对于栅极线之位置偏移时之影响之图。

图29是显示形成于栅极层之抵消图案之一例之图。

图30是显示用以抵消漏极垫于左右方向相对于栅极线之位置偏移时栅极线与漏极垫之间之重叠面积变化之栅极层之抵消图案之一例之图。

图31是显示用以抵消漏极垫于上下左右方向相对于栅极线位置偏移时栅极线与漏极垫之间之电容变化之栅极层之抵消图案之一例之图。

图32是显示与二个像素TFT对应设置之栅极层之抵消图案之一例之图。

图33是显示相对于非矩形之漏极垫设置之栅极层之抵消图案、与漏极垫之形状之一例之图。

图34是显示相对于非矩形之漏极垫设置之抵消图案、漏极垫之形状之其他例之图。

图35是用以说明相邻之源极线之间隔为等间隔之有源矩阵基板之构成之示意图。

具体实施方式

本发明之一实施方式之有源矩阵基板具备：多条数据线；多条配线，其与所述多条数据线交叉且至少包含多条栅极线；驱动电路，其具有多个开关元件，且连接于所述多条配线之至少一部分，根据自显示区域之外侧供给之控制信号而控制该配线之电位；及多个像素控制元件，其设置于构成显示区域之多个像素之各者，与所述数据线及所述栅极线连接，控制对应之像素之显示；所述多条数据线及所述多条栅极线中之一者是于俯视时于纵方向延伸之多条纵线，另一者是于俯视时于横方向延伸之多条横线；所述多个像素控制元件中，与同一条所述横线连接之像素控制元件之一部分，其相对于所连接之所述纵线之配置方向不同于与所述同一条横线连接之其他像素控制元件之配置方向；所述多个开关元件中之至少一部分是配置于相邻之所述纵线之间之区域，且为相邻之所述像素控制元件之间之距离较其他相邻之所述像素控制元件之间之距离更宽之区域。

依据该构成，与相对于纵方向延伸之纵线，全部像素控制元件之配置方向相同之现有的有源矩阵基板不同，存在相邻之纵线之间之区域，且为相邻之像素控制元件之间之距离较其他相邻之像素控制元件之间之距离更宽之区域。于该区域，作为配置驱动电路之构成要件的多个开关元件中至少一部分，因而可配置较大之开关元件。由此，因可缩小驱动电路之配置区域，故可缩短驱动电路之内部节点之配线长。通过缩短内部节点之配线长，内部节点或驱动器配线、与栅极线或源极线之交叉部位减少，因而成品率提高。又，通过缩短内部节点之配线长，可使内部节点之寄生电容降低，因而可减少电力消耗。

所述多条纵线之间隔为非等间隔，所述多个开关元件中之至少一部分是配置于以非等间隔配置之所述多条纵线之间之区域中，相邻纵线之间之间隔较其他相邻纵线之间之间隔更宽之区域。

依据该构成，可进而增大于配置开关元件之区域中，俯视时之横方向之区域，因而可配置更大之开关元件。

所述多个像素控制元件中，与同一条所述纵线连接之像素控制元件之一部分，其相对于所连接之所述横线之配置方向不同于与所述同一条纵线连接之其他像素控制元件之配置方向；作为所述驱动电路之构件要件的多个开关元件中之至少一部分是配置于相邻之所述横线之间，且相邻之所述像素控制元件之间之距离较其他相邻之所述像素控制元件之间之距离更宽之区域。

依据该构成，可增大于配置开关元件之区域中，俯视时纵方向之区域，因而可配置更大之开关元件。

所述多条横线之间隔为非等间隔，所述多个开关元件中之至少一部分是配置于以非等间隔配置之所述多条横线之间之区域中，相邻之横线之间之间隔较其他相邻之横线之间之间隔更宽之区域。

依据该构成，可进而增大于配置开关元件之区域中，俯视时之纵方向之区域，因而可配置更大之开关元件。

所述多条纵线可为所述多条数据线，所述多条横线可为所述多条栅极线。又，所述多条纵线亦可为所述多条栅极线，所述多条横线亦可为所述多条数据线。

所述像素控制元件之漏极垫是形成于与形成所述栅极线之栅极层于层叠方向中不同之层；于所述栅极层中，于所述漏极垫与该栅极层之间产生位置偏移时，设置有用以抑制所述漏极垫与该栅极层之重叠面积变化之区域。

依据该构成，于漏极垫与栅极层之间产生位置偏移时，亦可抑制漏极垫与该栅极层之重叠面积变化。因此，可抑制漏极垫与栅极层之间之电容变化，且可抑制电容变化引起之显示品质之下降。

本发明之一实施方式之显示面板具备：所述有源矩阵基板；对向基板，其具备彩色滤光片及对向电极；及液晶层，其夹于所述有源矩阵基板与所述对向基板之间。

依据该显示面板，由于可于有源矩阵基板中，缩小驱动电路之配置区域，因而可增大驱动电路之非配置区域。由于驱动电路之非配置区域可切断，因而可提高将显示面板设为矩形以外之形状之异形化时之自由度，且可提高显示面板之设计之自由度。

[实施方式]

以下，参照图式详细说明本发明之实施方式。对图中相同或相当部分附注相同符号，不重复其说明。另，为了便于理解说明，于下文参照之图式中，简略化或示意性显示构成，或省略一部分之构成构件。又，各图所示之构成构件间之尺寸比并非表示必定之实际尺寸比者。各图所示之显示像素虽设为短边40μm左右，长边120μm左右，但其为便于说明而设定之值，并非显示必定之实际尺寸者，且非限定实施方式者。

<第一实施方式>(液晶显示装置之构成)

图1是显示本实施方式之液晶显示装置之概略构成之示意图。液晶显示装置1具有显示面板2、源极驱动器3、显示控制电路4、及电源5。显示面板2具有有源矩阵基板20a、对向基板20b、及夹于所述基板之间之液晶层(省略图示)。于图1中省略了图示，但于有源矩阵基板20a之下表面侧与对向基板20b之上表面侧设置有偏光板。于对向基板20b形成有黑矩阵、红(R)、绿(G)、蓝(B)之三色之彩色滤光片、共通电极(均省略图示)。

如图1所示，有源矩阵基板20a是与形成于可挠性基板之源极驱动器3电性连接。显示控制电路4与显示面板2、源极驱动器3、及电源5电性连接。显示控制电路4对源极驱动器3、形成于有源矩阵基板20a之后述之驱动电路(以下称为栅极驱动器)输出控制信号。

控制信号包含用以于显示面板2显示图像之复位信号(CLR)、时钟信号(CKA、CKB)、数据信号等。电源5与显示面板2、源极驱动器3、及显示控制电路4电性连接，对各者供给电源电压信号。

(有源矩阵基板之构成)

图2是显示有源矩阵基板20a之概略构成之示意图。于有源矩阵基板20a中，自X轴方向之一端至另一端，大致平行地形成多条栅极线13G。又，于有源矩阵基板20a，以与栅极线13G群交叉之方式，于Y轴方向大致平行地形成有多条源极线15S(数据线)。即，源极线15S是于俯视时于纵方向延伸之纵线，栅极线13G是于俯视时于横方向延伸之横线。

如下所述，于栅极线13G与源极线15S之交叉部之附近，设置有用以控制像素之显示之TFT(以下称为像素TFT)(像素控制元件)。各像素与设置于对向基板20b侧之红(R)、绿(G)、蓝(B)之任一颜色之彩色滤光片对应。通过相邻之红色像素、绿色像素、及蓝色像素之三个像素构成一个显示像素，可进行多种颜色显示。

图3是显示省略了源极线15S之图示之有源矩阵基板20a、及与有源矩阵基板20a连接之各部之概略构成之示意图。如图3之例所示，栅极驱动器11(驱动电路)是形成于显示区域中之栅极线13G与栅极线13G之间。于图3所示之例中，多条栅极线13G之各者与一个栅极驱动器11连接，但亦可与多个栅极驱动器11连接。

于有源矩阵基板20a之显示区域中，于设置有源极驱动器3之边之边框区域，形成有端子部12g(第二端子部)。端子部12g与显示控制电路4及电源5连接。端子部12g接收自显示控制电路4及电源5输出之控制信号(CKA、CKB)或电源电压信号等之信号。输入至端子部12g之控制信号(CKA、CKB)或电源电压信号等之信号是经由驱动器配线15L1供给至各栅极驱动器11。

栅极驱动器11是根据供给之控制信号，对于所连接之栅极线13G，输出显示选择状态与非选择状态之一者之电压信号，且对后段之栅极线13G输出该电压信号。于以下说明中，将分别对应于选择状态与非选择状态之电压信号称为扫描信号。又，将栅极线13G被选择之状态称为栅极线13G之驱动。

又，于有源矩阵基板20a中，于设置有源极驱动器3之边之边框区域，形成有连接源极驱动器3与源极线15S之端子部12s(第一端子部)。源极驱动器3是根据自显示控制电路4输入之控制信号，对各源极线15S输出数据信号。

(栅极驱动器之构成)

此处，对本实施方式之栅极驱动器11之构成进行说明。图4是显示用以驱动GL(n)之栅极线13G之栅极驱动器11之等效电路之一例之图。如图4所示，栅极驱动器11具有作为开关元件之以薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)构成之TFT-A～TFT-E、电容器Cbst、端子111～117、及输入低电平之电源电压信号之端子群。

端子111经由前段之GL(n－1)之栅极线13G接收设定信号(S)。另，与GL(1)之栅极线13G连接之栅极驱动器11之端子111接收自显示控制电路4输出之栅极开始脉冲信号(S)。端子113、116接收自显示控制电路4输出之复位信号(CLR)。端子114接收输入之时钟信号(CKA)。端子112、115接收输入之时钟信号(CKB)。端子117将设定信号(S)输出至后段之栅极线13G。

时钟信号(CKA)与时钟信号(CKB)是于每一水平扫描期间反转相位之2相时钟信号(参照图5)。

于图4中，将连接有TFT-A之源极端子、TFT-B之漏极端子、电容器Cbst之一电极、TFT-C之栅极端子之配线称为netA(n)。

TFT-A之栅极端子与端子112连接，漏极端子与端子111连接，源极端子连接于netA(n)。

TFT-B之栅极端子与端子113连接，漏极端子与netA(n)连接，源极端子连接于电源电压端子VSS。

TFT-C之栅极端子与netA(n)连接，漏极端子与端子114连接，源极端子与输出端子117连接。

电容器Cbst是一电极与netA(n)连接，另一电极与端子117连接。

TFT-D之栅极端子与端子115连接，漏极端子与端子117连接，源极端子连接于电源电压端子VSS。

TFT-E之栅极端子与端子116连接，漏极端子与端子117连接，源极端子连接于电源电压端子VSS。

(栅极驱动器之动作)

接着，边参照图4及图5，边对栅极驱动器11之动作进行说明。图5是栅极驱动器11扫描栅极线13G时之时序图。于图5中，t3至t4之期间为选择GL(n)之栅极线之期间。自显示控制电路4供给之于每一水平扫描期间相位反转之时钟信号(CKA)与时钟信号(CKB)经由端子112、114、115输入至栅极驱动器11。又，虽于图5中省略，但于每一垂直扫描期间成为特定期间H(High)电平之复位信号(CLR)自显示控制电路4经由端子113、116输入至栅极驱动器11。若输入复位信号(CLR)，则netA(n)、栅极线13G转换至L(Low)电平。

于图5之时刻t0至t1，L电平之时钟信号(CKA)输入至端子114，H电平之时钟信号(CKB)输入至端子112、115。由此，TFT-A与TFT-D为导通状态，netA(n)充电至L电平之电源电压(VSS)，TFT-C为断开状态，自端子117输出L电平之电位。

其次，于时刻t1，若时钟信号(CKA)成为H电平，时钟信号(CKB)成为L电平，则TFT-A与TFT-D成为断开状态，netA(n)之电位维持于L电平，并自端子117输出L电平之电位。

于时刻t2，时钟信号(CKA)为L电平，时钟信号(CKB)为H电平，经由GL(n－1)之栅极线，设定信号(S)输入至端子111。由此，TFT-A成为导通状态，netA(n)被充电至自H电平减去TFT-A之阈值电压之电位。其间，因TFT-D成为导通状态，故自端子117输出L电平之电位。

于时刻t3，若时钟信号(CKA)成为H电平，时钟信号(CKB)成为L电平，则TFT-C成为导通状态，TFT-D成为断开状态。由此，端子117之电位开始充电至H电平。同时，netA(n)经由电容器Cbst被充电至更高之电位。此时，设计为使netA(n)之电位高于对H电平加上TFT-C之阈值电压之电位。由此，因TFT-C维持导通状态，故与端子117连接之GL(n)之栅极线13G被充电至H电平，成为选择之状态。

于时刻t4，若时钟信号(CKA)成为L电平，时钟信号(CKB)成为H电平，则经由TFT-A，使netA(n)之电位成为L电平，TFT-C成为断开状态。又，因TFT-D成为导通状态，故自端子117输出L电平之电位。

如此，通过自栅极驱动器11之端子117对栅极线13G输出设定信号(S)，而成为该栅极线13G被选择之状态。液晶显示装置1是通过连接于各栅极线13G之栅极驱动器11而依序扫描栅极线13G，且通过源极驱动器3对各源极线15S供给数据信号，由此于显示面板2显示图像。

如上所述，相对于俯视时于纵方向延伸之多条源极线15S，像素TFT(像素控制元件)配置于相同方向之情形，作为配置构成栅极驱动器11之TFT-A～TFT-E等之TFT(以下称为驱动器TFT)之区域，无法确保较宽之区域。因此，于本实施方式中，与同一条栅极线

13G(横线)连接之多个像素TFT中，一部分之像素TFT配置于相对于与该像素TFT连接之源极线15S(纵线)于左右不同之方向。

又，于本实施方式中，虽相邻之栅极线13G之间隔为等间隔，但相邻之源极线15S之间隔并非等间隔，而为非等间隔。

更具体而言，于相邻之两条源极线15S间之间隔中，位于配置驱动器TFT之位置之两邻侧之两条源极线15S间之间隔最宽。与位于配置驱动器TFT之位置之左邻侧之源极线15S连接之像素TFT是相对于所连接之源极线15S配置于右侧。又，与位于配置驱动器TFT之位置之右邻侧之源极线15S连接之像素TFT是相对于所连接之源极线15S配置于左侧。

图6是用以说明本实施方式之有源矩阵基板20a之构成之示意图。源极线15S1与源极线15S2之间之间隔、源极线15S2与源极线15S3之间之间隔、源极线15S3与源极线15S4之间之间隔各自不同。具体而言，源极线15S2与源极线15S3之间之间隔，宽于源极线15S1与源极线15S2之间之间隔、及源极线15S3与源极线15S4之间之间隔，至少隔开1个像素以上。另，于图6中，亦显示各像素之像素电极17。

又，于与同一条栅极线13G连接之像素TFT16T1、16T2、及16T3中，与源极线15S1连接之像素TFT16T1、及与源极线15S2连接之像素TFT16T2是相对于各自连接之源极线15S配置于右侧，但与源极线15S3连接之像素TFT16T3相对于所连接之源极线15S配置于左侧。

驱动器TFT18是配置于相邻两条源极线15S之间之区域中、间隔较宽之源极线15S2与源极线15S3之间。

图7是显示相邻之源极线15S之间隔为非等间隔，但与同一条栅极线13G连接之多个像素TFT之配置方向相对于与各像素TFT连接之源极线为相同之方向之比较构成例之图。即，相对于所连接之源极线15S，全部像素TFT16T配置于右侧。于图7所示之构成中，亦与图6所示之构成同样，源极线15S2与源极线15S3之间之间隔宽于源极线15S1与源极线15S2之间之间隔、及源极线15S3与源极线15S4之间之间隔。

于图7所示之比较构成例之情形，亦可将驱动器TFT18配置于间隔较宽之源极线15S2与源极线15S3之间。然而，于图7所示之构成中，因源极线15S2、驱动器配线15L1、源极线15S3配置于像素区域(开口区域)上，故开口率下降。

与此相对，根据图6所示之本实施方式之构成，于与同一条栅极线13G连接之多个像素TFT中，一部分之像素TFT相对于所连接之源极线15S配置于不同之方向，因而可将源极线15S2及驱动器配线15L1配置于像素之间之遮光区域，且与图7所示之构成相比可提高开口率。

图8A及图8B是用以比较说明本实施方式之有源矩阵基板20a之构成、及相邻之源极线间之间隔大致相同，且与同一条栅极线13G连接之多个像素TFT之配置方向相同之现有的有源矩阵基板之构成之图。图8A是显示现有的有源矩阵基板之构成，图8B是显示本实施方式之有源矩阵基板20a之构成。

于图8A及图8B中，记载为(红)、(蓝)、(绿)时是表示对应之彩色滤光片之颜色。又，于图8A及图8B中，以双点划线所示之区域BM是通过形成于对向基板20b之黑矩阵(省略图示)遮光之遮光区域BM。

如图8A所示，于现有的有源矩阵基板中，于BM区域以等间隔配置有多条源极线15S。又，于配置驱动器TFT18之位置，将与驱动器TFT18连接之驱动器配线15L1配置于像素区域(开口区域)。另一方面，于未配置驱动器TFT18之位置，将用以配合与驱动器配线15L1之配置位置对应之开口率之虚设配线(省略图示)配置于像素区域。

另一方面，于本实施方式之有源矩阵基板20a中，如图8B所示，驱动器配线15L1配置于BM区域。又，于多条源极线15S中，源极线15S1及15S2配置于BM区域，源极线15S3配置于像素区域。该情形时，1个显示像素中源极线15S之配置位置不管驱动器TFT18之配置有无均为相同，因此无需用以配合开口率之虚设配线。

图9A及图9B是用以比较说明本实施方式之有源矩阵基板20a之内部节点之长度、与现有的有源矩阵基板之内部节点之长度之图。图9A是显示现有的有源矩阵基板之构成，图9B是显示本实施方式之有源矩阵基板20a之构成。另，内部节点是与图4所示之netA对应之配线。

如图9A所示，于现有的有源矩阵基板中，多条源极线15S以等间隔配置，且与同一条栅极线13G连接之多个像素TFT之配置方向相同，因而配置驱动器TFT18之区域狭窄，只能配置较小之驱动器TFT18。因此，必须将较小之驱动器TFT18配置于多个部位，使栅极驱动器11之内部节点变长。于图9A所示之例中，栅极驱动器11之内部节点为跨及5个显示像素之长度。又，通过使内部节点变长，内部节点之寄生电容变大，电力消耗变大。

另一方面，于本实施方式之有源矩阵基板20a中，如上所述，与现有的有源矩阵基板相比，驱动器TFT18之配置区域较宽。因此，相对于现有的有源矩阵基板，因可配置较大之驱动器TFT18，故可缩小栅极驱动器11整体之配置区域。由此，可缩短栅极驱动器11之内部节点。相对于于图9A所示之现有的有源矩阵基板中，必须配置三个较小之驱动器TFT18，于图9B所示之本实施方式之有源矩阵基板20a中，作为相同处理能力之驱动器TFT18，可仅配置一个较大之驱动器TFT18。由此，于图9B所示之例中，驱动器11之内部节点为跨及3个显示像素之长度。通过缩短内部节点，而使内部节点之寄生电容变小，且使电力消耗变小。

图10A及图10B是用以比较说明本实施方式之有源矩阵基板20a与现有的有源矩阵基板之内部节点(netA)或驱动器配线15L1、与源极线15S或栅极线13G之交叉部位之数之图。图10A是显示现有的有源矩阵基板之构成，图10B是显示本实施方式之有源矩阵基板20a之构成。于图10A及图10B中，以虚线包围显示内部节点(netA)或驱动器配线15L1、与源极线15S或栅极线13G之交叉部位。

如上所述，于现有的有源矩阵基板中，因栅极驱动器11之内部节点变长，故X轴方向之内部节点(netA)与Y轴方向之源极线15S之连接部位变多。又，因必须跨及多个部位配置较小之驱动器

TFT18，故Y轴方向之驱动器配线15L1与X轴方向之栅极线13G之连接部位变多。

另一方面，于本实施方式之有源矩阵基板20a中，如上所述，栅极驱动器11之内部节点变短。因此，如比较图10A与图10B所明确，X轴方向之内部节点与Y轴方向之源极线15S之连接部位变少。又，若与现有的有源矩阵基板相比，因可配置较大之驱动器TFT18，故可减少驱动器TFT18之数。因此，可减少Y轴方向之驱动器配线与X轴方向之栅极线13G之连接部位。由此，交叉部位之泄漏不良之产生机率下降，成品率提高。

又，于本实施方式之有源矩阵基板20a中，与现有的有源矩阵基板相比，于Y轴方向延伸之驱动器配线15L1、与作为电性连接于像素电极之要件的像素TFT16T之漏极垫之距离变长。由此，因像素电极与驱动器配线15L1之间之电容耦合变小，故可减少对于像素电位之来自驱动器配线之杂讯传播，且可提高画质。

图11A～图11D是显示将图4所示之栅极驱动器11之电路配置于图8A所示之现有的有源矩阵基板之显示区域时之等效电路之一例之图。于描绘之图式大小之关系上，将一个电路图分为图11A～图11D之四个图式。例如，图11A之右端所示之源极线15S是与图11B之左端所示之源极线15S相同者。又，图11B之右端所示之源极线15S是与图11C之左端所示之源极线15S相同者。而且，图11C之右端所示之源极线15S是与图11D之左端所示之源极线15S相同者。又，图12是自图11C摘录放大一部分之TFT-C(驱动器TFT18)之图。

于图11A～图11D及图12所示之例中，1个显示像素只能配置X轴方向之长度最大为6μm之TFT-C(驱动器TFT18)。因此，将配置之TFT-C之条件设为Y轴方向之长度L＝6μm、X轴方向之长度W＞80μm时，必须配置十四个Y轴方向之长度L＝6μm、X轴方向之长度W＝6μm之TFT-C(6μm×14＝84μm＞80μm)。于每1个显示像素配置一个TFT-C之情形，必须跨及十四个显示像素配置TFT-C。

图13A～图13C是显示将图4所示之栅极驱动器11之电路配置于本实施方式之有源矩阵基板20a之显示区域时之等效电路之一例之图。于描绘之图式大小之关系上，将一个电路图分为图13A～图13C之三个图式。例如，图13A之右端所示之源极线15S是与图13B之左端所示之源极线15S相同。又，图13B之右端所示之源极线15S是与图13C之左端所示之源极线15S相同。又，图14是自图13A～图13B摘录放大TFT-C(驱动器TFT18)之图。

如上所述，于本实施方式之有源矩阵基板20a中，与现有的有源矩阵基板相比，可配置更大之驱动器TFT18。于图13A～图13C及图14所示之例中，可配置Y轴方向之长度为6μm，X轴方向之长度为18μm之TFT-C(驱动器TFT18)。因此，将配置之TFT-C之条件设为Y轴方向之长度L＝6μm、X轴方向之长度W＞80μm时，只要配置五个Y轴方向之长度为6μm、X轴方向之长度为18μm之TFT-C即可(18μm×5＝90μm＞80μm)。于每1个显示像素配置一个TFT-C时，跨及五个显示像素配置即可。通过，与现有的有源矩阵基板相比，可缩小栅极驱动器11之配置区域。

图15A是示意性显示现有的有源矩阵基板之栅极驱动器11之配置区域151、及栅极驱动器11之非配置区域152之图。又，图15B是示意性显示本实施方式之有源矩阵基板20a之栅极驱动器11之配置区域151、及栅极驱动器11之非配置区域152之图。

如使用图11A～图11D、及图13A～图13C说明，于本实施方式之有源矩阵基板20a中，与现有的有源矩阵基板相比，可缩小栅极驱动器11之配置区域151。由此，可增大栅极驱动器11之非配置区域152(参照图15A、图15B)。

未配置栅极驱动器11之栅极驱动器非配置区域152可切断。于图15A及图15B中，将可切断之区域之一例作为区域152a显示。于本实施方式之有源矩阵基板20a中，因与现有的有源矩阵基板相比，可增大栅极驱动器11之非配置区域152，故切断区域152a亦增大。由此，可提高将显示面板2设为矩形以外之形状之异形化时之自由度，且提高液晶显示装置1之设计自由度。

<第二实施方式>

于第一实施方式之有源矩阵基板20a中，于各色配线源极线

15S，且于各像素配线有栅极线13G。于第二实施方式之有源矩阵基板20a中，于各色配线栅极线13G，且于各像素配线源极线15S。即，栅极线13G是于俯视时于纵方向延伸之纵线，源极线15S是于俯视时于横方向延伸之横线。

于本实施方式之有源矩阵基板20a中，于与同一条源极线15S连接之多个像素TFT16T中，一部分之像素TFT16T相对于所连接之栅极线13G配置于不同之方向。又，相邻之栅极线13G之间隔并非等间隔，而为非等间隔。

更具体而言，于相邻之两条栅极线13G间之间隔中，位于配置驱动器TFT18之位置之两邻侧之两条栅极线13G间之间隔最宽，隔开1个像素以上。又，与位于配置驱动器TFT18之位置之左邻之栅极线13G连接之像素TFT16T相对于所连接之栅极线13G配置于右侧，与位于配置驱动器TFT18之位置之右邻之栅极线13G连接之像素TFT16T相对于所连接之栅极线13G配置于左侧。

图16A是显示第二实施方式之有源矩阵基板20a之构成之图。栅极线13G4与栅极线13G5之间之间隔、栅极线13G5与栅极线13G6之间之间隔、栅极线13G6与栅极线13G7之间之间隔各自不同。具体而言，栅极线13G5与栅极线13G6之间之间隔较栅极线13G4与栅极线13G5之间之间隔、及栅极线13G6与栅极线13G7之间之间隔更宽，至少隔开1个像素以上。

又，于与同一条源极线15S连接之像素TFT16T14、16T15、及16T16中，与栅极线13G4连接之像素TFT16T14、及与栅极线13G5连接之像素TFT16T15是相对于各自连接之栅极线13G配置于右侧。另一方面，与栅极线13G6连接之像素TFT16T16相对于所连接之栅极线13G配置于左侧。

驱动器TFT18配置于间隔较宽之栅极线13G5与栅极线13G6之间。与驱动器TFT18电性连接之驱动器配线15L1配置于相邻之像素之间之遮光区域BM。

于多条栅极线13G中，一部分之栅极线13G配置于像素区域。于图16A所示之例中，栅极线13G1、13G2、13G4、13G5、13G7、13G8、13G10配置于相邻之像素之间之遮光区域BM，但栅极线13G3、13G6、13G9配置于像素区域。该情形时，栅极线13G不管驱动器TFT18之配置之有无均使各显示像素为相同配置，因此无需用以配合开口率之虚设配线。

图16B是显示于各色配线栅极线13G，且将源极线15S配线于各像素之构成中现有的有源矩阵基板之构成之图。于该现有的有源矩阵基板中，多条栅极线13G以等间隔配置，且相对于所连接之栅极线13G，与同一条源极线15S连接之多个像素TFT16T之配置方向相同。于图16B所示之构成例中，全部像素TFT16T相对于各自连接之栅极线13G配置于右侧。

于图16B所示之现有的有源矩阵基板中，因与图8A所示之现有的有源矩阵基板同样之理由，配置驱动器TFT18之区域较窄，只能配置较小之驱动器TFT18。因此，必须将较小之驱动器TFT18跨及多个部位配置，使栅极驱动器11之内部节点变长。通过使内部节点变长，而使内部节点之寄生电容变大，电力消耗变大。

又，于现有的有源矩阵基板中，因栅极驱动器11之内部节点变长，故Y轴方向之内部节点与X轴方向之源极线15S之连接部位变多。

与此相对，于本实施方式之有源矩阵基板中，将栅极线13G之配置间隔设为非等间隔，且于与同一条源极线15S连接之多个像素TFT16T中，将一部分之像素TFT16T相对于所连接之栅极线13G配置于不同方向，由此使X轴方向之驱动器TFT18之配置区域变宽。由此，与现有的有源矩阵基板相比，因可配置较大之驱动器TFT18，故可缩小栅极驱动器11整体之配置区域。由此，因可缩短栅极驱动器11之内部节点，故内部节点之寄生电容变小，且电力消耗变小。

又，因栅极驱动器11之内部节点变短，故Y轴方向之内部节点与X轴方向之源极线15S之连接部位变少。

而且，与第一实施方式之有源矩阵基板20a同样，与现有的有源矩阵基板相比，于Y轴方向延伸之驱动器配线15L1、与电性连接于像素电极之要件(例如，像素TFT16T之漏极垫)之距离变长。由此，因像素电极与驱动器配线15L1之间之电容耦合变小，故可减少对于像素电位之来自驱动器配线之杂讯传播，且可提高画质。

图17A～图17D是显示将图4所示之栅极驱动器11之电路配置于图16B所示之现有的有源矩阵基板之显示区域时之等效电路之一例之图。于描绘之图式大小之关系上，将一个电路图分为图17A～图17D之四个图式。例如，图17A之下端所示之源极线15S是与图17B之上端所示之源极线15S相同者。又，图17B之下端所示之源极线15S是与图17C之上端所示之源极线15S相同者。而且，图17C之下端所示之源极线15S是与图17D之上端所示之源极线15S相同者。又，图18是自图17C摘录放大一部分之TFT-C(驱动器TFT18)之图。

于现有的有源矩阵基板中，配置驱动器TFT18之区域之大小有所限制。于配置X轴方向之长度为6μm之TFT-C之情形时，如图18所示，因无法于相邻之像素TFT16T之间配置TFT-C(驱动器TFT18)，故无法配置于Y轴方向较长之TFT-C。于图18所示之例中，只能配置Y轴方向之长度最大为6μm之TFT-C。因此，将配置之TFT-C之条件设为X轴方向之长度L＝6μm、Y轴方向之长度W＞80μm时，必须配置十四个X轴方向之长度L＝6μm、Y轴方向之长度W＝6μm之TFT-C(6μm×14＝84μm＞80μm)。于每1个显示像素配置一个TFT-C之情形，必须跨及十四个显示像素配置TFT-C。

图19A～图19C是显示将图4所示之栅极驱动器11之电路配置于本实施方式之有源矩阵基板20a之显示区域时之等效电路之一例之图。于描绘之图式大小之关系上，将一个电路图分为图19A～图19C之三个图式。例如，图19A之下端所示之源极线15S是与图19B之上端所示之源极线15S相同者。又，图19B之下端所示之源极线15S是与图19C之上端所示之源极线15S相同者。又，图20是自图19A～图19B摘录一部分之TFT-C(驱动器TFT18)之图。

如上所述，于本实施方式之有源矩阵基板20a中，与现有的有源矩阵基板相比，配置更大之驱动器TFT18。尤其，与现有的有源矩阵基板相比，于配置驱动器TFT18之区域中，X轴方向之区域变宽，因而可将X轴方向之长度为6μm之TFT-C配置于相邻之像素TFT16T之间(参照图20)。因此，于图20所示之例中，可配置X轴方向之长度为6μm，Y轴方向之长度为18μm之TFT-C。

因此，将配置之TFT-C之条件设为X轴方向之长度L＝6μm、Y轴方向之长度W＞80μm时，只要配置五个X轴方向之长度为6μm、Y轴方向之长度为18μm之TFT-C即可(18μm×5＝90μm＞80μm)。于每1个显示像素配置一个TFT-C时，仅跨及五个显示像素配置即可。由此，与现有的有源矩阵基板相比，可缩小栅极驱动器11之配置区域。

<第三实施方式>

于第一实施方式之有源矩阵基板20a中，于与同一条栅极线13G连接之多个像素TFT16T中，一部分之像素TFT16T相对于所连接之源极线15S配置于不同之方向。又，相邻之源极线15S之间隔并非等间隔，而为非等间隔。

于第三实施方式之有源矩阵基板20a中，具备所述之第一实施方式之有源矩阵基板20a之构成之特征，且进而于与同一条源极线15S(纵线)连接之多个像素TFT16T中，一部分之像素TFT16T相对于所连接之栅极线13G(横线)配置于不同之方向，且相邻之栅极线13G之间隔并非等间隔，而为非等间隔。

图21是显示第三实施方式之有源矩阵基板20a之构成之图。源极线15S1与源极线15S2之间之间隔、源极线15S2与源极线15S3之间之间隔、源极线15S3与源极线15S4之间之间隔各自不同。具体而言，源极线15S2与源极线15S3之间之间隔较源极线15S1与源极线15S2之间之间隔、及源极线15S3与源极线15S4之间之间隔更宽。

又，于与同一条栅极线13G1连接之像素TFT16T11、16T12、及16T13中，与源极线15S1连接之像素TFT16T11、及与源极线15S2连接之像素TFT16T12是相对于所连接之源极线15S配置于右侧，与源极线15S3连接之像素TFT16T13相对于所连接之源极线15S配置于左侧。

而且，栅极线13G1与栅极线13G2之间之间隔是与栅极线13G2与栅极线13G3之间之间隔不同。具体而言，栅极线13G2与栅极线13G3之间之间隔宽于栅极线13G1与栅极线13G2之间之间隔，隔开2个像素。

又，于与同一条源极线15S1连接之像素TFT16T11、16T21、16T31、16T41中，与栅极线13G1连接之像素TFT16T11、及与栅极线13G3连接之像素TFT16T31是相对于所连接之栅极线13G配置于下侧，但与栅极线13G2连接之像素TFT16T21、及与栅极线13G4连接之像素TFT16T41是相对于所连接之栅极线13G配置于上侧。

驱动器TFT18配置于相邻之两条栅极线13G之间之中，间隔较宽之栅极线13G之间，且为于Y轴方向相邻之像素间之遮光区域BM。于图21所示之例中，配置于栅极线13G2与栅极线13G3之间，且为于Y轴方向相邻之像素间之遮光区域BM。

与驱动器TFT18电性连接、且于Y轴方向延伸之驱动器配线15L1是配置于于X轴方向相邻之像素间之遮光区域BM。又，与驱动器TFT18电性连接、且于X轴方向延伸之驱动器配线15N1、15N2、15N3是与驱动器TFT18相同，配置于栅极线13G2与栅极线13G3之间，且为于Y轴方向相邻之像素间之遮光区域BM。即，全部之驱动器配线15L1、15N1～15N3配置于遮光区域BM，而未配置于像素区域。

于多条源极线15S中，一部分之源极线15S配置于像素区域。于图21所示之例中，源极线15S1、15S2、15S4、15S5、15S7、15S8是配置于于X轴方向相邻之像素间之遮光区域BM，而源极线15S3、15S6、15S9是配置于像素区域。于该情形，源极线15S对于各显示像素为相同配置，因此无需用以配合开口率之虚设配线。

根据第三实施方式之有源矩阵基板，因可与第一实施方式之有源矩阵基板同样，使X轴方向之驱动器TFT18之配置区域变宽，故相对于现有的有源矩阵基板，可配置较大之驱动器TFT18。由此，因可缩小栅极驱动器11整体之配置区域，故可缩短栅极驱动器11之内部节点。因缩短内部节点，故使内部节点之寄生电容变小，且使电力消耗变小。

又，因栅极驱动器11之内部节点变短，故X轴方向之内部节点与Y轴方向之源极线15S之连接部位变少。而且，若与现有的有源矩阵基板相比，因可配置较大之驱动器TFT18，故可减少驱动器TFT18之数。因此，可减少Y轴方向之驱动器配线15L1与X轴方向之栅极线13G之连接部位。

而且，作为因于与像素电极17电性连接之要件的像素TFT16T之漏极垫、与驱动器配线15L1之间，于Y轴方向隔开1个像素，故电容耦合变小。由此，可减小对于像素电位之来自驱动器配线之杂讯传播，且可提高画质。

又，如图21所示，作为于Y轴方向相邻之像素间的遮光区域BM中，于配置驱动器TFT18之区域，未配置像素TFT16T，而配置驱动器TFT18及驱动器配线15N1～15N3，因而可于较第一实施方式之有源矩阵基板更宽之区域配置驱动器TFT。因此，容易于配置驱动器TFT18之区域，配置所谓之静电性保护电路或电容形成部之需要较大面积之要件。

于图11A～图11D所示之现有的有源矩阵基板中，每一个显示像素只能配置X轴方向之长度最大为6μm之TFT-C(驱动器TFT18)。因此，将配置之TFT-C之条件设为Y轴方向之长度L＝6μm、X轴方向之长度W＞80μm之情形，必须跨及十四个显示像素配置Y轴方向之长度L＝6μm、X轴方向之长度W＝6μm之TFT-C(6μm×14＝84μm＞80μm)。

图22是显示将图4所示之栅极驱动器11之电路配置于本实施方式之有源矩阵基板20a之显示区域时之等效电路之一例之图。又，图23是自图22摘录放大一部分之TFT-C(驱动器TFT18)之图。

将配置之TFT-C之条件设为Y轴方向之长度L＝6μm、X轴方向之长度W＞80μm时，于图22及图23所示之例中，只要配置Y轴方向之长度为6μm、X轴方向之长度分别为12μm、44μm、12μm、6μm、6μm之TFT-C即可满足条件。因此，如图23所示，因TFT-C(驱动器TFT18)之配置区域仅为二个显示像素量，故与现有的有源矩阵基板相比，可减小栅极驱动器11之配置区域。

<第四实施方式>

于第二实施方式之有源矩阵基板20a中，于与相同之源极线15S连接之多个像素TFT16T中，一部分之像素TFT16T相对于所连接之栅极线13G配置于不同之方向。又，相邻之栅极线13G之间隔并非等间隔，而为非等间隔。

于第四实施方式之有源矩阵基板20a中，具备所述之第二实施方式之有源矩阵基板20a之构成之特征，且进而于与相同之栅极线13G(纵线)连接之多个像素TFT16T中，一部分之像素TFT16T相对于所连接之源极线15S(横线)配置于不同之方向，且相邻之源极线15S之间隔并非等间隔，而为非等间隔。

图24是显示第四实施方式之有源矩阵基板20a之构成之图。栅极线13G1与栅极线13G2之间之间隔、栅极线13G2与栅极线13G3之间之间隔、栅极线13G3与栅极线13G4之间之间隔各自不同。具体而言，栅极线13G1与栅极线13G2之间之间隔较栅极线13G2与栅极线13G3之间之间隔、及栅极线13G3与栅极线13G4之间之间隔更宽，至少隔开1个像素以上。

又，于与同一条源极线15S1连接之像素TFT16T11、16T12、及16T13中，与栅极线13G1连接之像素TFT16T11、及与栅极线13G3连接之像素TFT16T13是相对于所连接之栅极线13G配置于右侧，与栅极线13G2连接之像素TFT16T12相对于所连接之栅极线13G配置于左侧。

而且，源极线15S1与源极线15S2之间之间隔是与源极线15S2与源极线15S3之间之间隔不同。具体而言，源极线15S2与源极线15S3之间之间隔较源极线15S1与源极线15S2之间之间隔更宽，隔开2个像素量。

又，于与同一条栅极线13G1连接之像素TFT16T11、16T21、16T31、及16T41中，与源极线15S1连接之像素TFT16T11、及与源极线15S3连接之像素TFT16T31是相对于所连接之源极线15S配置于上侧，但与源极线15S2连接之像素TFT16T21、及与源极线15S4连接之像素TFT16T41相对于所连接之源极线15S配置于下侧。

驱动器TFT18配置于于Y轴方向相邻之两条源极线15S之间之中，间隔较宽之源极线15S之间，即于Y轴方向相邻之像素间之遮光区域BM。于图24所示之例中，配置于源极线15S2与源极线15S3之间，即于Y轴方向相邻之像素间之遮光区域BM。

与驱动器TFT18电性连接，且于Y轴方向延伸之驱动器配线15L1配置于于X轴方向相邻之像素间之遮光区域BM。又，与驱动器TFT18电性连接，且于X轴方向延伸之驱动器配线15N1、15N2、15N3是配置于源极线15S2与源极线15S3之间，即于Y轴方向相邻之像素间之遮光区域BM。即，全部之驱动器配线配置于遮光区域BM，未配置于像素区域。

于多条栅极线13G中，一部分之栅极线13G配置于像素区域。于图24所示之例中，栅极线13G1、13G2、13G4、13G5、13G7、13G8、13G10配置于于X轴方向相邻之像素间之遮光区域BM，但栅极线13G3、13G6、13G9配置于像素区域。于该情形，栅极线13G对于各显示像素为相同配置，因此无需用以配合开口率之虚设配线。

根据第四实施方式之有源矩阵基板20a，因与第二实施方式之有源矩阵基板同样，可使驱动器TFT18之配置区域变宽，故相对于现有的有源矩阵基板，可配置较大之驱动器TFT18。由此，因可缩小栅极驱动器11整体之配置区域，故可缩短栅极驱动器11之内部节点。通过缩短内部节点，而使内部节点之寄生电容变小，且使电力消耗变小。

又，因栅极驱动器11之内部节点变短，故Y轴方向之内部节点与X轴方向之源极线15S之连接部位变少。

而且，与现有的有源矩阵基板相比，于Y轴方向延伸之驱动器配线15L1、与作为电性连接于像素电极之要件的漏极垫之距离变大，因而杂讯降低效果变大。

而且，因作为与像素电极电性连接之要件的漏极垫、与驱动器配线15N1～15N3之间，于Y轴方向隔开1个像素，故电容耦合变小。由此，可减少对于像素电位之来自驱动器配线之杂讯传播，且可提高画质。

又，如图24所示，作为于Y轴方向相邻之像素间的遮光区域BM中，于配置驱动器TFT18之区域，未配置像素TFT16T，而配置驱动器TFT18及驱动器配线15N1～15N3，因而可于较第二实施方式之有源矩阵基板更宽之区域配置驱动器TFT18。因此，容易于配置驱动器TFT18之区域，配置所谓之静电性保护电路或电容形成部之需要较大面积之要件。

如第二实施方式所说明，于现有的有源矩阵基板中，配置驱动器TFT18之区域之大小有所限制。于图17A～图17D及图18所示之例中，将配置之TFT-C(驱动器TFT18)之条件设为短轴方向之长度L＝6μm、长轴方向之长度W＞80μm之情形，必须跨及十四个显示像素配置X轴方向之长度L＝6μm、Y轴方向之长度W＝6μm之TFT-C(6μm×14＝84μm＞80μm)。

图25是显示将图4所示之栅极驱动器11之电路配置于本实施方式之有源矩阵基板20a之显示区域时之等效电路之一例之图。又，图26是自图25摘录放大一部分之TFT-C(驱动器TFT18)之图。

将配置之TFT-C之条件设为短轴方向之长度L＝6μm、长轴方向之长度W＞80μm之情形，于图25及图26所示之例中，只要配置二个Y轴方向之长度为6μm、X轴方向之长度分别为40μm之TFT-C(驱动器TFT18)即可满足条件。因此，如图26所示，因TFT-C(驱动器TFT18)之配置区域为2个显示像素量即可，故与现有的有源矩阵基板相比，可缩小栅极驱动器11之配置区域。

<第五实施方式>

为了形成所述之第一～第四之实施方式之有源矩阵基板20a，而于玻璃基板上形成构成栅极线13G之栅极层、或形成源极线15S之源极层。栅极层与源极层是于层叠方向中形成于不同之层。此时，因于与层叠方向正交之面方向各层位置偏移，故存在栅极层与源极层之重叠面积于各基板或各部位不同之情形。于产生此种位置偏移之情形，即便栅极层与源极层之间之电容为设计上相同之图案，实际之电容亦有于各部位不均一之可能性。

该影响尤其于像素TFT16T之漏极垫与其他要件之间显著显现，成为使显示品质下降之原因。例如，漏极垫与栅极线13G之间之电容因位置偏移而增减，且使像素TFT之断开时之馈通量增减。

图27是用以说明源极层272相对于栅极层271之位置偏移之图。相对于源极层272之作为基准之位置272a，若偏移至位置272b，则栅极层271与源极层272之间之重叠面积增加且电容增加，若偏移至位置272c，则栅极层271与源极层272之间之重叠面积减少且电容减少。

图28是用以说明于第一实施方式之有源矩阵基板20a中，产生源极线15S相对于栅极线13G之位置偏移、及漏极垫28D相对于栅极线13G之位置偏移时之影响之图。于图28中，以实线显示源极线15S及漏极垫28D之作为基准之位置，且以虚线显示产生位置偏移时之位置。

如上所述，于第一实施方式之有源矩阵基板20a中，于与同一条栅极线13G连接之多个像素TFT16T中，一部分之像素TFT相对于所连接之源极线15S配置于不同方向。于图28所示之例中，像素TFT16T1配置于源极线15S1之右侧，像素TFT16T2配置于源极线15S2之左侧。

于此种配置中，如图中之虚线所示之位置，若于源极线15S及漏极垫28D产生位置偏移，则于相对于所连接之源极线15S之配置方向不同之像素TFT16T间，于栅极线13G与漏极垫28D之间重叠面积产生变化，且电容产生变化。于图28所示之例中，栅极线13G与漏极垫28D1之间之重叠面积减少，电容减少，像素TFT16T之断开时之馈通量减少。另一方面，栅极线13G与漏极垫28D2之间之重叠面积增加，电容增加，像素TFT16T之断开时之馈通量增加。

因此，于第五实施方式之有源矩阵基板20a中，将用以于产生了层位置偏移时，亦能抵消位置偏移引起之栅极层与漏极垫之间之重叠面积之变化之抵消图案形成于栅极层。

图29是显示形成于栅极线13G(栅极层)之抵消图案290之一例之图。于图29中，亦以实线显示源极线15S及漏极垫28D之基准位置，且以虚线显示产生位置偏移时之位置。

抵消图案290是设为于栅极线13G与漏极垫28D之间产生位置偏移时，可抑制栅极线13G与漏极垫28D之重叠面积变化般之形状。于图29所示之例中，于漏极垫28D形成于基准位置时，未形成抵消图案290时之栅极线13G与漏极垫28D之重叠区域、及抵消图案290与漏极垫28D之重叠区域以相对于漏极垫28D之中心点呈点对称之方式形成有抵消图案290。通过如图29所示设置抵消图案290，于漏极垫28D之位置自以实线显示之基准位置偏移至以虚线显示之位置之情形，因可抑制栅极线13G与漏极垫28D之间之重叠面积之变化，故可抑制两者之间之电容变化。

图30是显示用以抵消漏极垫28D相对于栅极线13G于左右方向位置偏移时之栅极线13G与漏极垫28D之间之重叠面积变化之栅极线13G(栅极层)之抵消图案300之一例之图。

于漏极垫28D形成于基准位置时，以使未形成抵消图案300时之栅极线13G与漏极垫28D之重叠区域、及抵消图案300与漏极垫28D之重叠区域以相对于将漏极垫28D于X轴方向一分为二之中心线左右对称之方式形成抵消图案300。通过如此形成抵消图案300，即便于漏极垫28D之位置自基准位置朝左方向或右方向位置偏移之情形，亦可防止栅极线13G与漏极垫28D之间之重叠面积之变化(电容之变化)。

图31是显示用以抵消漏极垫28D相对于栅极线13G于上下左右方向位置偏移时之栅极线13G与漏极垫28D之间之电容变化之栅极线13G(栅极层)之抵消图案310之一例之图。

于漏极垫28D形成于基准位置时，以未形成抵消图案310时之栅极线13G与漏极垫28D之重叠区域、及抵消图案310与漏极垫28D之重叠区域以相对于将漏极垫28D于X轴方向一分为二之中心线左右对称，且相对于将漏极垫28D于Y轴方向一分为二之中心线上下对称之方式，形成抵消图案310。通过如此形成抵消图案310，于漏极垫28D之位置自基准位置于上下左右之任一方向位置偏移之情形，亦可防止栅极线13G与漏极垫28D之间之重叠面积之变化(电容之变化)。

栅极层之抵消图案亦可与多个像素TFT16T对应形成，而不必设置于每1像素TFT16T。于图32～图34显示与多个像素TFT对应设置之栅极层之抵消图案之一例。

图32是显示与二个像素TFT16T对应设置之栅极层之抵消图案320之一例之图。于漏极垫28D形成于基准位置之情形，未形成抵消图案320之情形之栅极线13G与漏极垫28D之重叠区域、及抵消图案320与漏极垫28D之重叠区域以相对于将漏极垫28D于X轴方向一分为二之中心线左右对称，且相对于将漏极垫28D于Y轴方向一分为二之中心线上下对称之方式，形成抵消图案320。通过如此设置抵消图案320，于漏极垫28D之位置自基准位置于上下左右之任一方向位置偏移之情形，亦可防止栅极线13G与漏极垫28D之间之重叠面积之变化(电容之变化)。

于漏极垫28D为非矩形之形状时，于栅极线13G(栅极层)设置抵消图案，且将漏极垫28D之形状设为于产生漏极垫28D相对于栅极线13G之位置偏移时，可抑制栅极线13G(栅极层)与漏极垫28D之间之重叠面积之变化般之形状。

图33是显示相对于非矩形之漏极垫28D设置之栅极层之抵消图案330、与漏极垫28D之形状之一例之图。漏极垫28D成为相对于将自身于X轴方向一分为二之中心线左右对称，且相对于于Y轴方向一分为二之中心线上下对称之形状。又，于漏极垫28D形成于基准位置时，未形成抵消图案330时之栅极线13G与漏极垫28D之重叠区域、及抵消图案330与漏极垫28D之重叠区域以相对于将漏极垫28D于X轴方向一分为二之中心线左右对称，且相对于将漏极垫28D于Y轴方向一分为二之中心线上下对称之方式，形成抵消图案330。由此，于漏极垫28D之位置自基准位置于上下左右之任一方向位置偏移之情形，亦可防止栅极线13G与漏极垫28D之间之重叠面积之变化(电容之变化)。

图34是显示相对于非矩形之漏极垫28D设置之抵消图案340、与漏极垫28D之其他形状之例之图。于图33所示之例中，将漏极垫28D之形状设为与各个像素TFT16T对应且可抵消重叠面积变化之形状，但于图34所示之例中，成为与多个像素TFT对应且可抵消重叠面积变化之形状。

另，虽省略图示，但于将栅极线13G配线于各色，且将源极线15S配线于各像素之构成中，亦同样可于栅极层形成抵消图案。

本发明并非限定于所述之实施方式。例如，于第一实施方式之有源矩阵基板20a中，将相邻之源极线15S之间隔设为非等间隔，但亦可为等间隔。

图35是用以说明相邻之源极线15S之间隔为等间隔之有源矩阵基板20a之构成之示意图。相邻之源极线15S之间隔为等间隔。又，与同一条栅极线13G连接之多个像素TFT16T中，一部分之像素TFT相对于所连接之源极线15S配置于不同方向。于图35所示之例中，与源极线15S1连接之像素TFT16T1、及与源极线15S3连接之像素TFT16T3是相对于各自连接之源极线15S配置于右侧，但与源极线15S2连接之像素TFT16T2相对于所连接之源极线15S配置于左侧。

驱动器TFT18配置于相邻之源极线15S之间之区域，且为相邻之像素控制元件16T之间之距离较其他相邻之像素控制元件16T之间之距离更宽之区域。于图35所示之例中，驱动器TFT18配置于源极线15S2与源极线15S3之间。像素TFT16T2配置于源极线15S2之左侧，像素TFT16T3配置于源极线15S3之右侧，由此于源极线15S2与源极线15S3之间未配置像素TFT16T。由此，可将较大之驱动器TFT18配置于源极线15S2与源极线15S3之间。

同样，于第二实施方式之有源矩阵基板20a中，相邻之栅极线13G之间隔亦可不为非等间隔，而为等间隔。又，于第三实施方式之有源矩阵基板20a中，相邻之源极线15S之间隔亦可不为非等间隔，而为等间隔。而且，于第四实施方式之有源矩阵基板20a中，相邻之栅极线13G之间隔亦可不为非等间隔，而为等间隔。

于所述之各实施方式中，说明了与现有的有源矩阵基板相比可配置较大之驱动器TFT18者。然而，亦可串联连接配置二个以上之较小之驱动器TFT。

于作为栅极驱动器11之构成要件的多个驱动器TFT18中，亦可将一部分之驱动器TFT18配置于显示区域内，且将其他驱动器TFT18配置于显示区域之外。

Claims (8)

1.一种有源矩阵基板，其具备：

多条数据线；

多条配线，其与所述多条数据线交叉且至少包含多条栅极线；

驱动电路，其具有多个开关元件，且连接于所述多条配线之至少一部分，根据自显示区域之外侧供给之控制信号而控制该配线之电位；及

多个像素控制元件，其设置于构成显示区域之多个像素之各者，与所述数据线及所述栅极线连接，控制对应之像素之显示；

所述多条数据线及所述多条栅极线中之一者是于俯视时于纵方向延伸之多条纵线，另一者是于俯视时于横方向延伸之多条横线；

所述多个像素控制元件中，与同一条所述横线连接之像素控制元件之一部分，其相对于所连接之所述纵线之配置方向不同于与所述同一条横线连接之其他像素控制元件之配置方向；

所述多个开关元件中之至少一部分是配置于相邻之所述纵线之间且相邻之所述像素控制元件之间之距离较其他相邻之所述像素控制元件之间之距离更宽之区域。

2.根据权利要求1之有源矩阵基板，其特征在于，所述多条纵线之间隔为非等间隔；

所述多个开关元件中之至少一部分是配置于以非等间隔而配置之所述多条纵线之间之区域中，相邻之纵线之间之间隔较其他相邻之纵线之间之间隔更宽之区域。

3.根据权利要求1或2之有源矩阵基板，其特征在于，所述多个像素控制元件中，与相同之所述纵线连接之像素控制元件之一部分，其相对于所连接之所述横线之配置方向不同于与所述相同之纵线连接之其他像素控制元件之配置方向；

作为所述驱动电路之构件要件的多个开关元件中之至少一部分是配置于相邻之所述横线之间且相邻之所述像素控制元件之间之距离较其他相邻之所述像素控制元件之间之距离更宽之区域。

4.根据权利要求3之有源矩阵基板，其特征在于，所述多条横线之间隔为非等间隔；

所述多个开关元件中之至少一部分是配置于以非等间隔配置之所述多条横线之间之区域中，相邻之横线之间之间隔较其他相邻之横线之间之间隔更宽之区域。

5.根据权利要求1至4中任一项之有源矩阵基板，其特征在于，所述多条纵线为所述多条数据线，所述多条横线为所述多条栅极线。

6.根据权利要求1至4中任一项之有源矩阵基板，其特征在于，所述多条纵线为所述多条栅极线，所述多条横线为所述多条数据线。

7.根据权利要求1至6中任一项之有源矩阵基板，其特征在于，所述像素控制元件之漏极垫与形成所述栅极线之栅极层形成于层叠方向上不同之层；

于所述栅极层设有于所述漏极垫与该栅极层之间产生位置偏移时，用以抑制所述漏极垫与该栅极层之重叠面积变化之区域。

8.一种显示面板，其具备：

权利要求1至7中任一项之有源矩阵基板；

对向基板，其具备彩色滤光片及相对电极；及

液晶层，其夹于所述有源矩阵基板与所述对向基板之间。