CN107075150A - 树脂膜、阻隔膜和导电性膜、以及它们的制造方法 - Google Patents

树脂膜、阻隔膜和导电性膜、以及它们的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种高温环境下的尺寸稳定性优异的树脂膜。一种树脂膜，由包含具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物的树脂形成，在150℃加热了1小时的情况下的热尺寸变化率的绝对值在膜面内的任意的方向上为1％以下。含有脂环式结构的聚合物优选为双环戊二烯的开环聚合物的氢化物。本发明还提供一种树脂膜的制造方法，其包含一边维持结晶膜平坦、一边缓和结晶膜的张紧的工序。

Description

树脂膜、阻隔膜和导电性膜、以及它们的制造方法
技术领域
本发明涉及树脂膜；具有上述树脂膜的阻隔膜和导电性膜；以及上述的树脂膜、阻隔膜和导电性膜的制造方法。
背景技术
已知如下技术：在包含具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物的树脂的膜中，通过对该膜加热，从而使含有脂环式结构的聚合物晶化(参照专利文献1和2)。这样由包含具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物的树脂形成的膜通常耐热性优异。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-194067号公报；
专利文献2：日本特开2013-010309号公报。
发明内容
发明要解决的课题
一般地，由包含不具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物的树脂形成的膜具有该膜之间的摩擦系数高的倾向。因此，将这样的膜卷取为卷状的情况下，通过例如对该膜实施抗粘连涂覆、将掩蔽膜与该膜贴合，从而防止膜之间的粘连。其中，膜的粘连是指用某面接触的膜在该接触的面附着而无法容易地剥离的现象。
对此，根据本发明人的研究，判明了由包含具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物的树脂构成的膜通常能够减小该膜之间的摩擦系数。因此，本发明人尝试了如下的膜的开发：通过使用包含具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物的树脂，即使没有实施抗粘连涂覆和掩蔽膜等的处理，也能够抑制粘连的发生。
进而，在膜中，除了粘连，有时发生暴筋(gauge band)和划伤。其中，膜的暴筋是指在将膜卷取为卷状的情况下在膜卷的表面形成的、在周向上延伸的带状的凹部或凸部。另外，膜的划伤是指在将膜卷取为卷状的情况下由于卷绕重叠的膜之间摩擦而产生的擦伤。因此，本发明人为了抑制上述的暴筋和划伤的发生，尝试了对膜进行滚花处理。
滚花处理是指在膜中形成突起部的处理。通过滚花处理所形成的突起部从该突起部的周围的膜表面突出而形成。因此，在形成了突起部的区域中，膜的表观上的厚度变厚。因此，例如通过在膜的宽度方向的端部附近的区域实施滚花处理，从而期待抑制暴筋和划伤的产生。这样的滚花处理例如可通过使用激光而进行。具体地，通过对膜照射激光，从而在照射了激光的地点形成突起部。
但是，由包含具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物的树脂形成的膜，判明了如果进行采用激光的滚花处理，则膜容易发生起伏等的变形。这样的膜的变形，根据本发明人的研究，认为是由于包含具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物的树脂在高温环境下容易发生大的尺寸变化(通常为热收缩)而产生的。即，认为通过吸收了激光的膜的温度上升，在该温度上升了的地点处膜产生大的尺寸变化，由于该尺寸变化，膜发生了变形。如果列举具体例，在超过以往的膜中所含的含有脂环式结构的聚合物的玻璃化转变温度(例如，140℃～150℃)的温度范围中，膜有时产生1.5％～4％左右的大的尺寸变化，发生变形。产生了这样的变形的膜如果卷取为卷状，则有可能产生卷绕不均，在膜中产生裂纹。
本发明鉴于上述的课题而首创，目的在于提供在高温环境下的尺寸稳定性优异的树脂膜；具有上述树脂膜的阻隔膜和导电性膜；以及上述的树脂膜、阻隔膜和导电性膜的制造方法。
用于解决课题的手段
[1]树脂膜，由包含具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物的树脂形成，在150℃加热了1小时的情况下的热尺寸变化率的绝对值在膜面内的任意的方向上为1％以下。
[2][1]所述的树脂膜，其中，上述的含有脂环式结构的聚合物为双环戊二烯的开环聚合物的氢化物。
[3][1]或[2]所述的树脂膜，其中，上述树脂膜为光学膜。
[4]阻隔膜，具有[1]～[3]中任一项所述的树脂膜、和在上述树脂膜上设置的阻隔层。
[5]导电性膜，具有[1]～[3]中任一项所述的树脂膜、和在上述树脂膜上设置的导电性层。
[6]树脂膜的制造方法，是[1]～[3]中任一项所述的树脂膜的制造方法，包含：
在保持由包含含有脂环式结构的聚合物的树脂形成的第1膜的至少二边而使其张紧的状态下，使所述第1膜成为所述含有脂环式结构的聚合物的玻璃化转变温度以上、且所述含有脂环式结构的聚合物的熔点以下的温度，得到结晶膜的工序，所述含有脂环式结构的聚合物具有结晶性，以及
在上述含有脂环式结构的聚合物的玻璃化转变温度以上、且上述含有脂环式结构的聚合物的熔点以下的温度，一边维持上述结晶膜平坦、一边缓和上述结晶膜的张紧的工序。
[7][6]所述的制造方法，其中，包含在上述得到结晶膜的工序之前对上述第1膜实施拉伸处理的工序。
[8]阻隔膜的制造方法，包含在[1]～[3]中任一项所述的树脂膜上形成阻隔层的工序。
[9]导电性膜的制造方法，包含在[1]～[3]中任一项所述的树脂膜上形成导电性层的工序。
发明的效果
根据本发明，能够提供高温环境下的尺寸稳定性优异的树脂膜；具有上述树脂膜的阻隔膜和导电性膜；以及上述的树脂膜、阻隔膜和导电性膜的制造方法。
附图说明
图1为示意地表示保持装置的例子的平面图。
图2为示意地表示保持装置的例子的平面图。
图3为示意地表示树脂膜的制造装置的例子的正面图。
图4为示意地表示树脂膜的制造装置的例子的平面图。
图5为示意地表示连接装置的一部分的平面图。
图6为示意地表示连接装置的一部分的平面图。
图7为示意地表示对树脂膜实施滚花处理而制造滚花膜的样子的一例的正面图。
图8为示意地表示滚花膜的一例的平面图。
图9为示意地表示可采用CVD法将阻隔层作为无机层成膜的成膜装置的一例的截面图。
具体实施方式
以下示出实施方式和例示物对本发明详细地说明。不过，本发明并不限定于以下所示的实施方式和例示物，在不脱离本发明的权利要求及其均等的范围的范围内可任意地变形而实施。
以下的说明中，“长条”的膜是指相对于宽度、具有5倍以上的长度的膜，是指优选地具有10倍或其以上的长度、具体地卷取为卷状而保管或搬运的程度的长度的膜。
以下的说明中，要素的方向“平行”、“垂直”和“正交”只要无另外地说明，可包含不损害本发明的效果的范围内、例如±5°的范围内的误差。
以下的说明中，长条的膜的长度方向通常与制造线中的膜搬运方向平行。
[1.树脂膜]
本发明的树脂膜是由包含具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物的树脂形成的膜。以下的说明中，有时将上述的树脂称为“结晶性树脂”。另外，本发明的树脂膜在高温环境下的尺寸稳定性优异。具体地，本发明的树脂膜在150℃加热了1小时的情形下的热尺寸变化率的绝对值在膜面内的任意的方向上为规定值以下。
[1.1.结晶性树脂]
结晶性树脂包含具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物。其中，含有脂环式结构的聚合物为在分子内具有脂环式结构的聚合物，是指可使用环状烯烃作为单体通过聚合反应得到的聚合物或其氢化物。另外，含有脂环式结构的聚合物可以单独使用1种，也可以以任意的比率将2种以上组合使用。
作为含有脂环式结构的聚合物具有的脂环式结构，例如可列举出环烷烃结构和环烯烃结构。这些中，从容易得到热稳定性等特性优异的树脂膜出发，优选环烷烃结构。1个脂环式结构中所含的碳原子的数优选为4个以上，更优选为5个以上，优选为30个以下，更优选为20个以下，特别优选为15个以下。通过1个脂环式结构中所含的碳原子的数在上述范围内，从而使机械强度、耐热性和成型性高度地均衡。
含有脂环式结构的聚合物中，相对于全部的结构单元的具有脂环式结构的结构单元的比例优选为30重量％以上，更优选为50重量％以上，特别优选为70重量％以上。通过如上述那样使含有脂环式结构的聚合物中的具有脂环式结构的结构单元的比例增多，从而能够提高耐热性。
另外，含有脂环式结构的聚合物中，具有脂环式结构的结构单元以外的残部并无特别的限定，可根据使用目的适当地选择。
结晶性树脂中所含的含有脂环式结构的聚合物具有结晶性。其中，“具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物”是指具有熔点Tm“即，能够采用差示扫描热量计(DSC)观测熔点”的含有脂环式结构的聚合物。含有脂环式结构的聚合物的熔点Tm优选为200℃以上，更优选为230℃以上，优选为290℃以下。通过使用具有这样的熔点Tm的含有脂环式结构的聚合物，能够得到成型性和耐热性的均衡更为优异的树脂膜。
含有脂环式结构的聚合物的重均分子量(Mw)优选为1000以上，更优选为2000以上，优选为1000000以下，更优选为500000以下。具有这样的重均分子量的含有脂环式结构的聚合物的成型加工性和耐热性的均衡优异。
含有脂环式结构的聚合物的分子量分布(Mw/Mn)优选为1.0以上，更优选为1.5以上，优选为4.0以下，更优选为3.5以下。其中，Mn表示数均分子量。具有这样的分子量分布的含有脂环式结构的聚合物的成型加工性优异。
含有脂环式结构的聚合物的重均分子量(Mw)和分子量分布(Mw/Mn)可采用以四氢呋喃为展开溶剂的凝胶渗透色谱(GPC)、作为聚苯乙烯换算值测定。
对含有脂环式结构的聚合物的玻璃化转变温度Tg并无特别限定，通常为85℃以上，通常为170℃以下。
作为上述的含有脂环式结构的聚合物，例如可列举出下述的聚合物(α)～聚合物(δ)。这些中，从容易得到耐热性优异的树脂膜出发，作为结晶性的含有脂环式结构的聚合物，优选聚合物(β)。
聚合物(α)：为环状烯烃单体的开环聚合物且具有结晶性的聚合物。
聚合物(β)：为聚合物(α)的氢化物且具有结晶性的聚合物。
聚合物(γ)：为环状烯烃单体的加成聚合物且具有结晶性的聚合物。
聚合物(δ)：为聚合物(γ)的氢化物等且具有结晶性的聚合物。
具体地，作为含有脂环式结构的聚合物，更优选为双环戊二烯的开环聚合物且具有结晶性的聚合物、以及、为双环戊二烯的开环聚合物的氢化物且具有结晶性的聚合物，特别优选为双环戊二烯的开环聚合物的氢化物且具有结晶性的聚合物。其中，双环戊二烯的开环聚合物是指相对于全部结构单元的来自双环戊二烯的结构单元的比例通常为50重量％以上、优选为70重量％以上、更优选为90重量％以上、进一步优选为100重量％的聚合物。
以下对聚合物(α)和聚合物(β)的制造方法进行说明。
可用于聚合物(α)和聚合物(β)的制造的环状烯烃单体为具有由碳原子形成的环结构、在该环中具有碳-碳双键的化合物。作为环状烯烃单体的例子，可列举出降冰片烯系单体等。另外，聚合物(α)为共聚物的情况下，作为环状烯烃单体，可使用单环的环状烯烃。
降冰片烯系单体为包含降冰片烯环的单体。作为降冰片烯系单体，例如可列举出双环[2.2.1]庚-2-烯(惯用名：降冰片烯)、5-亚乙基-双环[2.2.1]庚-2-烯(惯用名：亚乙基降冰片烯)及其衍生物(例如，在环中具有取代基的衍生物)等2环式单体；三环[4.3.0.12,5]癸-3,7-二烯(惯用名：双环戊二烯)及其衍生物等3环式单体；7,8-苯并三环[4.3.0.12,5]癸-3-烯(惯用名：桥亚甲基四氢芴；也称为1,4-桥亚甲基-1,4,4a,9a-四氢芴)及其衍生物、四环[4.4.0.12,5.17,10]十二碳-3-烯(惯用名：四环十二碳烯)、8-亚乙基四环[4.4.0.12, 5.17,10]-3-十二碳烯及其衍生物等4环式单体等。
作为上述的单体中的取代基，例如可列举出甲基、乙基等烷基；乙烯基等烯基；丙烷-2-亚基等亚烷基；苯基等芳基；羟基；酸酐基；羧基；甲氧基羰基等烷氧基羰基等。另外，上述的取代基可单独具有1种，也可以以任意的比率具有2种以上。
作为单环的环状烯烃，例如可列举出环丁烯、环戊烯、甲基环戊烯、环己烯、甲基环己烯、环庚烯、环辛烯等环状单烯烃；环己二烯、甲基环己二烯、环辛二烯、甲基环辛二烯、苯基环辛二烯等环状二烯烃等。
环状烯烃单体可单独使用1种，也可以以任意的比率将2种以上组合使用。使用2种以上的环状烯烃单体的情况下，聚合物(α)可以为嵌段共聚物，也可以为无规共聚物。
在环状烯烃单体中可存在内型体和外型体的立体异构体。作为环状烯烃单体，内型体和外型体都可使用。另外，可单独只使用内型体和外型体中的一者的异构体，也可使用以任意的比例包含内型体和外型体的异构体混合物。其中，从含有脂环式结构的聚合物的结晶性提高，容易得到耐热性更为优异的树脂膜出发，优选提高一者的立体异构体的比例。例如，内型体或外型体的比例优选为80％以上，更优选为90％以上，进一步优选为95％以上。另外，从合成容易出发，优选内型体的比例高。
聚合物(α)和聚合物(β)通常通过提高其间同立构规整性的程度(外消旋二单元组的比例)，从而能够提高结晶性。从提高聚合物(α)和聚合物(β)的立构规整性的程度的观点出发，针对于聚合物(α)和聚合物(β)的结构单元的外消旋二单元组的比例优选为51％以上，更优选为60％以上，特别优选为70％以上。
外消旋二单元组的比例可通过13C-NMR波谱分析测定。具体地，可采用下述的方法测定。
以邻二氯苯-d4作为溶剂，在200℃、应用反转门控去耦法进行聚合物试样的13C-NMR测定。由该13C-NMR测定的结果，以邻二氯苯-d4的127.5ppm的峰作为基准位移，基于来自内消旋二单元组的43.35ppm的信号与来自外消旋二单元组的43.43ppm的信号的强度比，可求出聚合物试样的外消旋二单元组的比例。
聚合物(α)的合成中通常使用开环聚合催化剂。开环聚合催化剂可单独使用1种，也可以以任意的比率将2种以上组合使用。作为这样的聚合物(α)的合成用的开环聚合催化剂，优选可使环状烯烃单体开环聚合、生成具有间同立构规整性的开环聚合物的开环聚合催化剂。作为优选的开环聚合催化剂，可列举出包含由下述式(1)表示的金属化合物的开环聚合催化剂。
M(NR1)X4-a(OR2)a·Lb (1)
(式(1)中，
M表示选自周期表第6族的过渡金属原子中的金属原子，
R1表示可在3位、4位和5位的至少1个位置具有取代基的苯基、或者由-CH2R3(R3表示选自氢原子、可具有取代基的烷基、和可具有取代基的芳基中的基团。)表示的基团，
R2表示选自可具有取代基的烷基、和可具有取代基的芳基中的基团，
X表示选自卤素原子、可具有取代基的烷基、可具有取代基的芳基、和烷基甲硅烷基中的基团，
L表示给电子性的中性配体，
a表示0或1的数，
b表示0～2的整数。)
式(1)中，M表示选自周期表第6族的过渡金属原子中的金属原子。作为该M，优选铬、钼和钨，更优选钼和钨，特别优选钨。
式(1)中，R1表示可在3位、4位和5位的至少1个位置具有取代基的苯基、或者由-CH2R3表示的基团。
R1的可在3位、4位和5位的至少1个位置具有取代基的苯基的碳原子数优选为6～20，更优选为6～15。另外，作为上述取代基，例如可列举出甲基、乙基等烷基；氟原子、氯原子、溴原子等卤素原子；甲氧基、乙氧基、异丙氧基等烷氧基等。这些取代基可以单独地具有1种，也可以以任意的比率具有2种以上。进而，R1中存在于3位、4位和5位的至少2个位置的取代基可相互结合而形成环结构。
作为可在3位、4位和5位的至少1个位置具有取代基的苯基，例如可列举出未取代苯基；4-甲基苯基、4-氯苯基、3-甲氧基苯基、4-环己基苯基、4-甲氧基苯基等一取代苯基；3,5-二甲基苯基、3,5-二氯苯基、3,4-二甲基苯基、3,5-二甲氧基苯基等二取代苯基；3,4,5-三甲基苯基、3,4,5-三氯苯基等三取代苯基；2-萘基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-2-萘基等可具有取代基的2-萘基等。
在R1的、由-CH2R3表示的基团中，R3表示选自氢原子、可具有取代基的烷基、和可具有取代基的芳基中的基团。
R3的、可具有取代基的烷基的碳原子数优选为1～20，更优选为1～10。该烷基可以为直链状，可以为分支状。进而，作为上述取代基，例如可列举出苯基、4-甲基苯基等可具有取代基的苯基；甲氧基、乙氧基等烷氧基等。这些取代基可单独使用1种，也可以以任意的比率将2种以上组合使用。
作为R3的、可具有取代基的烷基，例如可列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、新戊基、苄基、苯叔丁基等。
R3的、可具有取代基的芳基的碳原子数优选为6～20，更优选为6～15。进而，作为上述取代基，例如可列举出甲基、乙基等烷基；氟原子、氯原子、溴原子等卤素原子；甲氧基、乙氧基、异丙氧基等烷氧基等。这些取代基可单独使用1种，也可以以任意的比率将2种以上组合使用。
作为R3的、可具有取代基的芳基，例如可列举出苯基、1-萘基、2-萘基、4-甲基苯基、2,6-二甲基苯基等。
这些中，作为由R3表示的基团，优选碳原子数为1～20的烷基。
式(1)中，R2表示选自可具有取代基的烷基、和可具有取代基的芳基中的基团。作为R2的、可具有取代基的烷基和可具有取代基的芳基，可分别任意地使用从作为R3的、可具有取代基的烷基和可具有取代基的芳基所示的范围中选择的基团。
式(1)中，X表示选自卤素原子、可具有取代基的烷基、可具有取代基的芳基、和烷基甲硅烷基中的基团。
作为X的卤素原子，例如可列举出氯原子、溴原子、碘原子。
作为X的、可具有取代基的烷基和可具有取代基的芳基，可分别任意地使用从作为R3的、可具有取代基的烷基和可具有取代基的芳基所示的范围中选择的基团。
作为X的烷基甲硅烷基，例如可列举出三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基等。
由式(1)表示的金属化合物在1分子中具有2个以上的X的情况下，这些X可以彼此相同，也可不同。进而，2个以上的X可相互结合而形成环结构。
式(1)中，L表示给电子性的中性配体。
作为L的给电子性的中性配体，例如可列举出含有周期表第14族或第15族的原子的给电子性化合物。作为其具体例，可列举出三甲基膦、三异丙基膦、三环己基膦、三苯基膦等膦类；二乙基醚、二丁基醚、1,2-二甲氧基乙烷、四氢呋喃等醚类；三甲胺、三乙胺、吡啶、二甲基吡啶等胺类等。这些中，优选醚类。另外，由式(1)表示的金属化合物在1分子中具有2个以上的L的情况下，这些L可以彼此相同，也可不同。
作为由式(1)表示的金属化合物，优选具有苯基亚氨基的钨化合物。即，优选式(1)中M为钨原子、并且R1为苯基的化合物。进而，其中，更优选苯基亚氨基四氯化钨(四氢呋喃)络合物。
对由式(1)表示的金属化合物的制造方法并无特别限定。例如，可以通过如日本特开平5-345817号公报中记载那样，将第6族过渡金属的氧卤化物；可在3位、4位和5位的至少1个位置具有取代基的苯基异氰酸酯类或一取代甲基异氰酸酯类；给电子性的中性配体(L)；以及根据需要使用的、醇类、金属的醇盐和金属芳基氧化物混合，从而制造由式(1)表示的金属化合物。
上述的制造方法中，由式(1)表示的金属化合物通常在包含于反应液中的状态下得到。金属化合物的制造后可将上述的反应液原样地作为开环聚合反应的催化剂液使用。另外，也可通过晶化等精制处理，将金属化合物从反应液离析和精制后，将得到的金属化合物供于开环聚合反应。
开环聚合催化剂可单独地使用由式(1)表示的金属化合物，也可将由式(1)表示的金属化合物与其他成分组合使用。例如，通过将由式(1)表示的金属化合物与有机金属还原剂组合使用，能够提高聚合活性。
作为有机金属还原剂，例如可列举出具有碳原子数1～20的烃基的周期表第1族、第2族、第12族、第13族或14族的有机金属化合物。作为这样的有机金属化合物，例如可列举出甲基锂、正丁基锂、苯基锂等有机锂；丁基乙基镁、丁基辛基镁、二己基镁、乙基氯化镁、正丁基氯化镁、烯丙基溴化镁等有机镁；二甲基锌、二乙基锌、二苯基锌等有机锌；三甲基铝、三乙基铝、三异丁基铝、二乙基氯化铝、乙基铝倍半氯化物、乙基二氯化铝、二乙基乙氧基铝、二异丁基异丁氧基铝、乙基二乙氧基铝、异丁基二异丁氧基铝等有机铝；四甲基锡、四(正丁基)锡、四苯基锡等有机锡等。这些中，优选有机铝或有机锡。另外，有机金属还原剂可单独使用1种，也可以以任意的比率将2种以上组合使用。
开环聚合反应通常在有机溶剂中进行。有机溶剂可使用可在规定的条件下使开环聚合物及其氢化物溶解或分散、并且不阻碍开环聚合反应和氢化反应的有机溶剂。作为这样的有机溶剂，例如可列举出戊烷、己烷、庚烷等脂肪族烃类；环戊烷、环己烷、甲基环己烷、二甲基环己烷、三甲基环己烷、乙基环己烷、二乙基环己烷、十氢萘、双环庚烷、三环癸烷、六氢茚、环辛烷等脂环族烃类；苯、甲苯、二甲苯等芳香族烃类；二氯甲烷、氯仿、1,2-二氯乙烷等卤素系脂肪族烃类；氯苯、二氯苯等卤素系芳香族烃类；硝基甲烷、硝基苯、乙腈等含氮烃类；二乙醚、四氢呋喃等醚类；将它们组合而成的混合溶剂等。这些中，作为有机溶剂，优选芳香族烃类、脂肪族烃类、脂环族烃类、醚类。另外，有机溶剂可单独使用1种，也可以以任意的比率将2种以上组合使用。
开环聚合反应例如可以通过将环状烯烃单体、由式(1)表示的金属化合物、和根据需要使用的有机金属还原剂混合而使其开始。将这些成分混合的顺序并无特别限定。例如，可在包含环状烯烃单体的溶液中混合包含由式(1)表示的金属化合物和有机金属还原剂的溶液。另外，也可在包含有机金属还原剂的溶液中混合包含环状烯烃单体和由式(1)表示的金属化合物的溶液。进而，还可在包含环状烯烃单体和有机金属还原剂的溶液中混合由式(1)表示的金属化合物的溶液。将各成分混合时，可将各个成分的全部量一次性地混合，也可分多次进行混合。另外，可历时比较长的时间(例如1分钟以上)连续地混合。
开环聚合反应的开始时的反应液中的环状烯烃单体的浓度优选为1重量％以上，更优选为2重量％以上，特别优选为3重量％以上，优选为50重量％以下，更优选为45重量％以下，特别优选为40重量％以下。通过使环状烯烃单体的浓度成为上述范围的下限值以上，从而能够提高生产率。另外，通过成为上限值以下，从而能够降低开环聚合反应后的反应液的粘度，因此能够容易地进行其后的氢化反应。
开环聚合反应中使用的由式(1)表示的金属化合物的量优选以“金属化合物∶环状烯烃单体”的摩尔比在规定的范围内的方式设定。具体地，上述的摩尔比优选为1∶100～1∶2000000，更优选为1∶500～1000000，特别优选为1∶1000～1∶500000。通过使金属化合物的量成为上述范围的下限值以上，从而能够获得充分的聚合活性。另外，通过成为上限值以下，从而能够在反应后将金属化合物容易地除去。
有机金属还原剂的量，相对于由式(1)表示的金属化合物1摩尔，优选为0.1摩尔以上，更优选为0.2摩尔以上，特别优选为0.5摩尔以上，优选为100摩尔以下，更优选为50摩尔以下，特别优选为20摩尔以下。通过使有机金属还原剂的量成为上述范围的下限值以上，从而能够使聚合活性足够高。另外，通过成为上限值以下，从而能够抑制副反应的发生。
聚合物(α)的聚合反应系可包含活性调节剂。通过使用活性调节剂，从而能够使开环聚合催化剂稳定化，调节开环聚合反应的反应速度，或者调节聚合物的分子量分布。
作为活性调节剂，可使用具有官能团的有机化合物。作为这样的活性调节剂，例如可列举出含氧化合物、含氮化合物、含磷有机化合物等。
作为含氧化合物，例如可列举出二乙醚、二异丙醚、二丁醚、茴香醚、呋喃、四氢呋喃等醚类；丙酮、二苯甲酮、环己酮等酮类；醋酸乙酯等酯类等。
作为含氮化合物，例如可列举出乙腈、苯甲腈等腈类；三乙胺、三异丙胺、奎宁环、N,N-二乙基苯胺等胺类；吡啶、2,4-二甲基吡啶、2,6-二甲基吡啶、2-叔-丁基吡啶等吡啶类等。
作为含磷化合物，例如可列举出三苯基膦、三环己基膦、磷酸三苯酯、磷酸三甲酯等膦类；三苯基氧化膦等氧化膦类等。
活性调节剂可单独使用1种，也可以以任意的比率将2种以上组合使用。
聚合物(α)的聚合反应系中的活性调节剂的量，相对于由式(1)表示的金属化合物100摩尔％，优选为0.01摩尔％～100摩尔％。
为了调节聚合物(α)的分子量，聚合物(α)的聚合反应系可包含分子量调节剂。作为分子量调节剂，例如可列举出1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯等α-烯烃类；苯乙烯、乙烯基甲苯等芳香族乙烯基化合物；乙基乙烯基醚、异丁基乙烯基醚、烯丙基缩水甘油基醚、醋酸烯丙酯、烯丙醇、甲基丙烯酸缩水甘油酯等含有氧的乙烯基化合物；烯丙基氯等含有卤素的乙烯基化合物；丙烯酰胺等含有氮的乙烯基化合物；1,4-戊二烯、1,4-己二烯、1,5-己二烯、1,6-庚二烯、2-甲基-1,4-戊二烯、2,5-二甲基-1,5-己二烯等非共轭二烯；1,3-丁二烯、2-甲基-1,3-丁二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1,3-戊二烯、1,3-己二烯等共轭二烯等。
分子量调节剂可单独使用1种，也可以以任意的比率将2种以上组合使用。
用于将聚合物(α)聚合的聚合反应系中的分子量调节剂的量可根据目标分子量适当地确定。分子量调节剂的具体的量相对于环状烯烃单体，优选为0.1摩尔％～50摩尔％的范围。
聚合温度优选为-78℃以上，更优选为-30℃以上，优选为+200℃以下，更优选为+180℃以下。
聚合时间可依赖于反应规模。具体的聚合时间优选为1分钟至1000小时的范围。
采用上述的制造方法，得到聚合物(α)。通过对该聚合物(α)进行氢化，从而能够制造聚合物(β)。
聚合物(α)的氢化例如可以通过按照常规方法在氢化催化剂的存在下向包含聚合物(α)的反应系内供给氢而进行。该氢化反应中，如果适当地设定反应条件，通常氢化物的立构规整度不会因氢化反应而变化。
作为氢化催化剂，可使用作为烯烃化合物的氢化催化剂公知的均一系催化剂和不均一催化剂。
作为均一系催化剂，例如可列举出醋酸钴/三乙基铝、乙酰丙酮镍/三异丁基铝、二氯化二茂钛/正丁基锂、二氯化二茂锆/仲丁基锂、四丁氧基钛(tetrabutoxy titanate)/二甲基镁等由过渡金属化合物和碱金属化合物的组合构成的催化剂；二氯双(三苯基膦)钯、氯氢化羰基三(三苯基膦)钌、氯氢化羰基双(三环己基膦)钌、双(三环己基膦)亚苄基二氯化钌(IV)、氯三(三苯基膦)铑等贵金属络合物催化剂等。
作为不均一催化剂，例如可列举出镍、钯、铂、铑、钌等金属催化剂；镍/二氧化硅、镍/硅藻土、镍/氧化铝、钯/碳、钯/二氧化硅、钯/硅藻土、钯/氧化铝等使上述金属负载于碳、二氧化硅、硅藻土、氧化铝、氧化钛等载体而成的固体催化剂。
氢化催化剂可单独地使用1种，也可以以任意的比率将2种以上组合使用。
氢化反应通常在非活性有机溶剂中进行。作为非活性有机溶剂，可列举出苯、甲苯等芳香族烃类；戊烷、己烷等脂肪族烃类；环己烷、十氢萘等脂环族烃类；四氢呋喃、乙二醇二甲基醚等醚类等。非活性有机溶剂可单独使用1种，也可以以任意的比率将2种以上组合使用。另外，非活性有机溶剂可以是与开环聚合反应中使用的有机溶剂相同的有机溶剂，也可以是不同的有机溶剂。进而，可在开环聚合反应的反应液中混合氢化催化剂，进行氢化反应。
氢化反应的反应条件通常也因使用的氢化催化剂而异。
氢化反应的反应温度优选为-20℃以上，更优选为-10℃以上，特别优选为0℃以上，优选为+250℃以下，更优选为+220℃以下，特别优选为+200℃以下。通过使反应温度成为上述范围的下限值以上，从而能够使反应速度加快。另外，通过成为上限值以下，从而能够抑制副反应的发生。
氢压力优选为0.01MPa以上，更优选为0.05MPa以上，特别优选为0.1MPa以上，优选为20MPa以下，更优选为15MPa以下，特别优选为10MPa以下。通过使氢压力成为上述范围的下限值以上，能够使反应速度加速。另外，通过成为上限值以下，高耐压反应装置等特别的装置变得不需要，能够抑制设备成本。
氢化反应的反应时间可设定为实现所期望的氢化率的任意的时间，优选为0.1小时～10小时。
氢化反应后，通常按照常规方法将作为聚合物(α)的氢化物的聚合物(β)回收。
氢化反应中的氢化率(氢化了的主链双键的比例)优选为98％以上，更优选为99％以上。氢化率越升高，则越能使含有脂环式结构的聚合物的耐热性变得良好。
其中，聚合物的氢化率可以以邻二氯苯-d4作为溶剂、在145℃、通过1H-NMR测定测定。
接下来，对聚合物(γ)和聚合物(δ)的制造方法进行说明。
作为聚合物(γ)和(δ)的制造中使用的环状烯烃单体，可任意地使用从作为可用于聚合物(α)和聚合物(β)的制造的环状烯烃单体所示的范围中选择的环状烯烃单体。另外，环状烯烃单体可单独使用1种，也可以以任意的比率将2种以上组合使用。
聚合物(γ)的制造中，作为单体，可与环状烯烃单体组合地使用可与环状烯烃单体共聚的任意的单体。作为任意的单体，例如可列举出乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯等碳原子数2～20的α-烯烃；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等芳香环乙烯基化合物；1,4-己二烯、4-甲基-1,4-己二烯、5-甲基-1,4-己二烯、1,7-辛二烯等非共轭二烯等。这些中，优选α-烯烃，更优选乙烯。另外，任意的单体可单独使用1种，也可以以任意的比率将2种以上组合使用。
环状烯烃单体与任意的单体的量的比例用重量比(环状烯烃单体∶任意的单体)表示，优选为30∶70～99∶1，更优选为50∶50～97∶3，特别优选为70∶30～95∶5。
使用2种以上环状烯烃单体的情况下以及将环状烯烃单体与任意的单体组合使用的情况下，聚合物(γ)可以为嵌段共聚物，也可以为无规共聚物。
在聚合物(γ)的合成中通常使用加成聚合催化剂。作为这样的加成聚合催化剂，例如可列举出由钒化合物和有机铝化合物形成的钒系催化剂、由钛化合物和有机铝化合物形成的钛系催化剂、由锆络合物和铝氧烷形成的锆系催化剂等。另外，加成聚合物催化剂可单独使用1种，也可以以任意的比率将2种以上组合使用。
加成聚合催化剂的量，相对于单体1摩尔，优选为0.000001摩尔以上，更优选为0.00001摩尔以上，优选为0.1摩尔以下，更优选为0.01摩尔以下。
环状烯烃单体的加成聚合通常在有机溶剂中进行。作为有机溶剂，可任意地使用从作为可用于环状烯烃单体的开环聚合的有机溶剂所示的范围中选择的有机溶剂。另外，有机溶剂可单独使用1种，也可以以任意的比率将2种以上组合使用。
用于制造聚合物(γ)的聚合中的聚合温度优选为-50℃以上，更优选为-30℃以上，特别优选为-20℃以上，优选为250℃以下，更优选为200℃以下，特别优选为150℃以下。另外，聚合时间优选为30分钟以上，更优选为1小时以上，优选为20小时以下，更优选为10小时以下。
采用上述的制造方法，得到聚合物(γ)。通过对该聚合物(γ)进行氢化，从而能够制造聚合物(δ)。
聚合物(γ)的氢化可采用与作为对聚合物(α)进行氢化的方法在前面所示的方法同样的方法进行。
结晶性树脂中，具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物的比例优选为50重量％以上，更优选为70重量％以上，特别优选为90重量％以上。通过使具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物的比例成为上述范围的下限值以上，从而能够提高本发明的树脂膜的耐热性。
结晶性树脂中所含的含有脂环式结构的聚合物在制造本发明的树脂膜之前，也可以尚未晶化。但是，在制造了本发明的树脂膜之后，形成该树脂膜的结晶性树脂包含的含有脂环式结构的聚合物通常已晶化，从而能够具有高结晶度。具体的结晶度的范围可根据所期望的性能适当地选择，但优选为10％以上，更优选为15％以上。通过使树脂膜中所含的含有脂环式结构的聚合物的结晶度成为上述范围的下限值以上，从而能够对树脂膜赋予高的耐热性、耐化学品性。
树脂膜中所含的含有脂环式结构的聚合物的结晶度可采用X射线衍射法测定。
结晶性树脂除了具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物以外，可含有任意的成分。作为任意的成分，例如可列举出酚系抗氧化剂、磷系抗氧化剂、硫系抗氧化剂等抗氧化剂；受阻胺系光稳定剂等光稳定剂；石油系蜡、费托蜡、聚烯烃蜡等蜡；山梨醇系化合物、有机磷酸的金属盐、有机羧酸的金属盐、高岭土和滑石等成核剂；二氨基均二苯乙烯衍生物、香豆素衍生物、唑系衍生物(例如，苯并噁唑衍生物、苯并三唑衍生物、苯并咪唑衍生物、和苯并噻唑衍生物)、咔唑衍生物、吡啶衍生物、萘二甲酸衍生物、和咪唑酮衍生物等荧光増白剂；二苯甲酮系紫外线吸收剂、水杨酸系紫外线吸收剂、苯并三唑系紫外线吸收剂等紫外线吸收剂；滑石、二氧化硅、碳酸钙、玻璃纤维等无机填充材料；着色剂；阻燃剂；阻燃助剂；抗静电剂；增塑剂；近红外线吸收剂；滑动剂；填料、以及软质聚合物等具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物以外的任意的聚合物等。另外，任意的成分可以单独使用1种，也可以以任意的比率将2种以上组合使用。
[1.2.树脂膜的物性]
本发明的树脂膜由上述的结晶性树脂形成。由结晶性树脂形成的以往的膜一般具有结晶性树脂的玻璃化转变温度以上的高温环境下的尺寸稳定性差的倾向。但是，本发明的树脂膜虽然是由结晶性树脂形成的膜，但在该结晶性树脂的玻璃化转变温度以上的高温环境下的尺寸稳定性优异。具体地，本发明的树脂膜在150℃加热了1小时的情形的热尺寸变化率的绝对值在膜面内的任意的方向上通常为1％以下，优选为0.5％以下，更优选为0.1％以下。另外，本发明的树脂膜通常在高温环境下收缩，因此上述的热尺寸变化率通常成为负值。
树脂膜的热尺寸变化率可采用下述的方法测定。
在室温23℃的环境下将树脂膜切出为150mm×150mm的大小的正方形，制成试样膜。将该试样膜在150℃的烘箱内加热60分钟，冷却到23℃(室温)后，测定试样膜的四边的长度和2条对角线的长度。
基于所测定的四边各自的长度，基于下述式(I)，算出试样膜的热尺寸变化率。式(I)中，LA表示加热后的试样膜的边的长度。
热尺寸变化率(％)＝[(LA-150)/150]×100 (I)
另外，基于所测定的2条对角线的长度，基于下述式(II)，算出试样膜的热尺寸变化率。式(II)中，LD表示加热后的试样膜的对角线的长度。
热尺寸变化率(％)＝[(LD-212.13)/212.13]×100 (II)
然后，采用得到的6个热尺寸变化率的计算值中绝对值成为最大的值作为树脂膜的热尺寸变化率。
本发明的树脂膜优选透明性优异。具体地，本发明的树脂膜的全光线透射率优选为80％以上，更优选为85％以上，特别优选为88％以上。
树脂膜的全光线透射率可使用紫外-可见分光计、在波长400nm～700nm的范围内测定。
本发明的树脂膜优选雾度小。具体地，本发明的树脂膜的雾度优选为5％以下，更优选为3％以下，特别优选为1％以下。
树脂膜的雾度可通过在选择的任意的部位将该树脂膜切出为50mm×50mm的正方形的薄膜样品，然后对于薄膜样品使用雾度计测定。
本发明的树脂膜根据用途可具有延迟。例如，将本发明的树脂膜用作相位差膜、光学补偿膜等光学膜的情况下，树脂膜优选具有延迟。
本发明的树脂膜的厚度可根据所期望的用途适当地选择，但优选为1μm以上，更优选为3μm以上，特别优选为10μm以上，优选为1mm以下，更优选为500μm以下，特别优选为200μm以下。通过使树脂膜的厚度成为上述范围的下限值以上，能够获得适度的强度。另外，通过成为上限值以下，能够使制造长条的膜的情形的卷取成为可能。
本发明的树脂膜可用于任意的用途。其中，本发明的树脂膜例如优选作为光学各向同性膜和相位差膜等光学膜、电气电子用膜、阻隔膜用的基材膜、以及导电性膜用的基材膜。作为上述的光学膜，例如可列举出液晶显示装置用的相位差膜、偏振片保护膜、有机EL显示装置的圆偏振片用的相位差膜等。作为电气电子用膜，例如可列举出柔性配线基板、膜电容器用绝缘材料等。作为阻隔膜，例如可列举出有机EL元件用的基板、密封膜、太阳能电池的密封膜等。作为导电性膜，例如可列举出有机EL元件、太阳能电池的柔性电极、触摸面板构件等。
[2.树脂膜的制造方法]
本发明的树脂膜例如可采用如下的制造方法制造，该制造方法包含：使由包含具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物的结晶性树脂形成的第1膜在保持第1膜的至少二边而使其张紧的状态下成为含有脂环式结构的聚合物的玻璃化转变温度Tg以上、且含有脂环式结构的聚合物的熔点Tm以下的温度，得到结晶膜的工序(晶化工序)；和在含有脂环式结构的聚合物的玻璃化转变温度Tg以上、且含有脂环式结构的聚合物的熔点Tm以下的温度，一边维持结晶膜平坦、一边缓和结晶膜的张紧的工序(缓和工序)。采用该制造方法，在使用在高温环境下可收缩的结晶性树脂制造树脂膜的情况下，能够容易地制造本发明的树脂膜。
以下对该制造方法进行说明。
[2.1.原版膜的准备]
上述的制造方法中，进行准备作为第1膜的原版膜的工序。原版膜为由结晶性树脂形成的膜。该原版膜例如可采用注射成型法、挤出成型法、模压成型法、吹胀成型法、吹塑成型法、压延成型法、铸塑成型法、压缩成型法等树脂成型法制造。这些中，从厚度的控制容易出发，优选采用挤出成型法制造原版膜。
采用挤出成型法制造原版膜的情况下，该挤出成型法中的制造条件优选如下述所述。机筒温度(熔融树脂温度)优选为Tm以上，更优选为“Tm+20”℃以上，优选为“Tm+100”℃以下，更优选为“Tm+50”℃以下。另外，流延辊温度优选为“Tg-50”℃以上，优选为“Tg+70”℃以下，更优选为“Tg+40”℃以下。进而，冷却辊温度优选为“Tg-70”℃以上，更优选为“Tg-50”℃以上，优选为“Tg+60”℃以下，更优选为“Tg+30”℃以下。通过在这样的条件下制造原版膜，能够容易地制造厚1μm～1mm的原版膜。其中，“Tm”表示含有脂环式结构的聚合物的熔点，“Tg”表示含有脂环式结构的聚合物的玻璃化转变温度。
另外，如上述那样制造的原版膜可直接供给至晶化工序，也可在例如实施拉伸处理等任意的处理后供给至晶化工序。
对原版膜的拉伸方法并无特别的限制，可使用任意的拉伸方法。例如，可列举出对原版膜在长度方向上进行单轴拉伸的方法(纵向单轴拉伸法)、对原版膜在宽度方向上进行单轴拉伸的方法(横向单轴拉伸法)等单轴拉伸法；对原版膜在长度方向上进行拉伸的同时在宽度方向上进行拉伸的同时双轴拉伸法、对原版膜在长度方向和宽度方向的一者上进行了拉伸后在另一者上进行拉伸的逐次双轴拉伸法等双轴拉伸法；对原版膜在与宽度方向既不平行也不垂直的倾斜方向上进行拉伸的方法(倾斜拉伸法)等。
作为上述的纵向单轴拉伸法，例如可列举出利用了辊间的周速之差的拉伸方法等。
另外，作为上述的横向单轴拉伸法，例如可列举出使用了拉幅拉伸机的拉伸方法等。
进而，作为上述的同时双轴拉伸法，例如可列举出使用具有沿着导轨可移动地设置并且可固定原版膜的多个夹子的拉幅拉伸机，在打开夹子的间隔对原版膜在长度方向上进行拉伸的同时利用导轨的扩展角度对原版膜在宽度方向上进行拉伸的拉伸方法等。
另外，作为上述的逐次双轴拉伸法，例如可列举出利用辊间的周速之差将原版膜在长度方向上拉伸后，用夹子把持该原版膜的两端部利用拉幅拉伸机在宽度方向上进行拉伸的拉伸方法等。
进而，作为上述的倾斜拉伸法，例如可列举出使用可对原版膜附加在长度方向或宽度方向上左右不同的速度的输送力、拉伸力或牵引力的拉幅拉伸机，对原版膜在倾斜方向上连续地进行拉伸的拉伸方法等。
对原版膜进行拉伸时的拉伸温度，相对于含有脂环式结构的聚合物的玻璃化转变温度Tg，优选为“Tg-30”℃以上，更优选为“Tg-10”℃以上，优选为“Tg+60”℃以下，更优选为“Tg+50”℃以下。通过在这样的温度范围内进行拉伸，从而能够使原版膜中所含的聚合物分子适当地取向。
对原版膜进行拉伸时的拉伸倍率可根据所期望的光学特性、厚度、强度等适当地选择，但通常为1.1倍以上，优选为1.2倍以上，更优选为1.5倍以上，通常为20倍以下，优选为10倍以下，更优选为5倍以下。其中，例如如双轴拉伸法那样在不同的多个方向上进行拉伸的情况下，拉伸倍率为用各拉伸方向上的拉伸倍率之积表示的总拉伸倍率。通过使拉伸倍率成为上述范围的上限值以下，能够减小膜断裂的可能性，因此能够容易地进行树脂膜的制造。
通过对原版膜实施上述那样的拉伸处理，能够得到具有所期望的特性的树脂膜。进而，通过对原版膜实施拉伸处理，能够抑制晶化工序中的大的晶粒的产生，因此能够抑制起因于晶粒的白化，因此能够提高树脂膜的透明性。
原版膜的厚度可根据树脂膜的厚度任意地设定，通常为5μm以上，优选为10μm以上，通常为1mm以下，优选为500μm以下。
[2.2.晶化工序]
准备了原版膜后，为了使原版膜中所含的含有脂环式结构的聚合物晶化，进行晶化工序。晶化工序中，通过在保持原版膜的至少二边而使其张紧的状态下成为规定的温度范围，从而进行使含有脂环式结构的聚合物晶化的晶化处理。
使原版膜张紧的状态是指对原版膜施加了张力的状态。不过，使该原版膜张紧的状态中不含实质上将原版膜拉伸的状态。另外，实质上将其拉伸是指在原版膜的任一方向上的拉伸倍率通常成为1.1倍以上。
保持原版膜的情况下，利用适当的保持具保持原版膜。保持具可以是可连续地保持原版膜的边的全长的工具，也可以是留有间隔地间歇地进行保持的工具。例如，可利用以规定的间隔排列的保持具间歇地保持原版膜的边。
晶化工序中，对于原版膜而言，保持该原版膜的至少二边而使其成为张紧的状态。由此，在所保持的边之间的区域中防止原版膜的热收缩引起的变形。为了在原版膜的宽大的面积中防止变形，优选保持包含相对的二边的边，使其成为将该所保持的边之间的区域张紧的状态。例如，对于矩形的单张的原版膜而言，通过保持相对的二边(例如，长边之间或短边之间)而使其成为将上述二边之间的区域张紧的状态，从而能够在该单张的原版膜的全面防止变形。另外，对于长条的原版膜而言，通过将位于宽度方向的端部的二边(即，长边)保持而使其成为将上述二边之间的区域张紧的状态，从而能够在该长条的原版膜的全面防止变形。就这样防止了变形的原版膜而言，即使由于热收缩而在膜内产生应力，也抑制褶皱等变形的发生。使用实施了拉伸处理的拉伸膜作为原版膜的情况下，通过保持与拉伸方向(双轴拉伸的情况下拉伸倍率大的方向)正交的至少二边，从而变形的抑制变得更为可靠。
为了更确实地抑制晶化工序中的变形，优选保持更多的边。因此，例如，对于单张的原版膜，优选保持其全部的边。如果列举具体例，对于矩形的单张的原版膜而言，优选保持四边。
作为可保持原版膜的边的保持具，优选在原版膜的边以外的部分不与原版膜接触的保持具。通过使用这样的保持具，能够得到平滑性更为优异的树脂膜。
另外，作为保持具，优选在晶化工序中可将保持具之间的相对的位置固定的保持具。这样的保持具由于在晶化工序中保持具之间的位置不相对地移动，因此容易抑制晶化工序中的原版膜的实质的拉伸。
作为优选的保持具，例如，作为矩形的原版膜用的保持具，可列举出在模框以规定间隔设置、可把持原版膜的边的夹子等把持子。另外，例如，作为用于保持位于长条的原版膜的宽度方向的端部的二边的保持具，可列举出设置于拉幅拉伸机、可把持原版膜的边的把持子。
使用长条的原版膜的情况下，可把持位于该原版膜的长度方向的端部的边(即，短边)，但也可代替保持上述的边而保持待实施原版膜的晶化处理的区域的长度方向的两侧。例如，可在待实施原版膜的晶化处理的区域的长度方向的两侧设置可保持原版膜以致不热收缩而使其成为张紧的状态的保持装置。作为这样的保持装置，例如可列举出2个辊的组合、挤出机与牵引辊的组合等。通过利用这些组合对原版膜施加搬运张力等张力，从而能够在待实施晶化处理的区域中抑制该原版膜的热收缩。因此，如果使用上述的组合作为保持装置，则能够一边在长度方向上搬运原版膜一边保持该原版膜，因此能够进行树脂膜的高效的制造。
晶化工序中，在如上述那样保持原版膜的至少二边而使其张紧的状态下，使该原版膜成为含有脂环式结构的聚合物的玻璃化转变温度Tg以上、且含有脂环式结构的聚合物的熔点Tm以下的温度。在使其成为了上述的温度的原版膜中，含有脂环式结构的聚合物的晶化进行。因此，通过该晶化工序，得到包含晶化的含有脂环式结构的聚合物的结晶膜。此时，边防止结晶膜的变形边使其成为了张紧的状态，因此能够在不损害结晶膜的平滑性的情况下促进晶化。
晶化工序中的温度范围，如上述那样，可在含有脂环式结构的聚合物的玻璃化转变温度Tg以上、且含有脂环式结构的聚合物的熔点Tm以下的温度范围内任意地设定。其中，优选设定为晶化的速度变大的温度。晶化工序中的原版膜的温度优选为“Tg+20”℃以上，更优选为“Tg+30”℃以上，优选为“Tm-20”℃以下，更优选为“Tm-40”℃以下。通过使晶化工序中的温度成为上述范围的上限以下，从而能够抑制树脂膜的白浊，因此得到适合作为光学膜的使用的树脂膜。
使原版膜成为上述那样的温度的情况下，通常进行原版膜的加热。作为此时使用的加热装置，由于加热装置与原版膜的接触不需要，因此优选可使原版膜的气氛温度上升的加热装置。如果列举优选的加热装置的具体例，则可列举出烘箱和加热炉。
晶化工序中，将原版膜维持在上述的温度范围的处理时间优选为1秒以上，更优选为5秒以上，优选为30分钟以下，更优选为10分钟以下。在晶化工序中，通过使含有脂环式结构的聚合物的晶化充分地进行，从而能够提高树脂膜的耐热性。另外，通过使处理时间成为上述范围的上限以下，从而能够抑制树脂膜的白浊，因此得到适于作为光学膜的使用的树脂膜。
[2.3.缓和工序]
在晶化工序之后，为了使晶化工序中得到的结晶膜热收缩而将残留应力除去，进行缓和工序。缓和工序中，进行一边维持晶化工序中得到的结晶膜平坦、一边在规定的温度范围内使上述结晶膜的张紧缓和的缓和处理。
使结晶膜的张紧缓和是指从被保持装置保持而张紧的状态将结晶膜释放，如果结晶膜没有张紧，则可以用保持装置保持结晶膜。如果这样地使张紧缓和，则结晶膜成为可发生热收缩的状态。在缓和工序中，通过使结晶膜中产生热收缩，从而消除了树脂膜中加热时可产生的应力。因此，由于能够减小本发明的树脂膜的高温环境下的热收缩，因此得到高温环境下的尺寸稳定性优异的树脂膜。
结晶膜的张紧的缓和可一时地进行，也可花费时间连续地或阶段性地进行。不过，为了抑制得到的树脂膜的起伏和褶皱等变形的发生，张紧的缓和优选连续地或阶段性地进行。
一边维持结晶膜平坦，一边进行上述的结晶膜的张紧的缓和。这里所谓维持结晶膜平坦，是指将结晶膜维持为平面形状以致在结晶膜中没有发生起伏和褶皱这样的变形。由此，能够抑制得到的树脂膜的起伏和褶皱等变形的发生。
缓和处理时的结晶膜的处理温度可在含有脂环式结构的聚合物的玻璃化转变温度Tg以上、且含有脂环式结构的聚合物的熔点Tm以下的温度范围内设定。具体的处理温度可根据含有脂环式结构的聚合物的种类设定。例如，使用双环戊二烯的开环聚合物的氢化物作为含有脂环式结构的聚合物的情况下，优选为“Tg+20”℃以上，更优选为“Tg+30”℃以上，优选为“Tm-20”℃以下，更优选为“Tm-40”℃以下。另外，从晶化工序不经冷却地连续进行缓和工序的情况下，缓和工序中的结晶膜的处理温度优选与晶化工序中的温度相同。由此，能够抑制缓和工序中的结晶膜的温度不均，提高树脂膜的生产率。
缓和工序中，将结晶膜维持于上述的温度范围的处理时间优选为1秒以上，更优选为5秒以上，优选为10分钟以下。通过使处理时间成为上述范围的下限值以上，从而能够有效地提高本发明的树脂膜的高温环境下的尺寸稳定性。另外，通过成为上限值以下，从而能够有效地提高本发明的树脂膜的高温环境下的尺寸稳定性，另外，能够抑制缓和工序中的晶化的进行引起的树脂膜的白浊。
在上述这样的缓和工序中对单张的结晶膜实施缓和处理的情况下，例如可采用如下的方法：边保持该结晶膜的四边，边连续地或阶段性地使保持部分的间隔变窄。这种情况下，可在结晶膜的四边中同时使保持部分的间隔变窄。另外，也可在一部分的边中使保持部分的间隔变窄后，使另外的一部分的边的保持部分的间隔变窄。进而，还可以不使一部分的边的保持部分的间隔变窄地维持。另外，可以使一部分的边的保持部分的间隔连续地或阶段性地变窄，使另外的一部分的边的保持部分的间隔一时地变窄。
另外，上述这样的缓和工序中对长条的结晶膜实施缓和处理的情况下，例如可列举出如下的方法：使用拉幅拉伸机，使可引导夹子的导轨的间隔在结晶膜的搬运方向上变窄，或者使相邻的夹子的间隔变窄。
通过如上述那样在保持结晶膜的状态下使保持部分的间隔变窄而进行结晶膜的张紧的缓和的情况下，使间隔变窄的程度可根据晶化工序中得到的结晶膜中残留的应力的大小而设定。
例如，使用实施了拉伸处理的拉伸膜作为原版膜的情况下，具有在晶化工序中得到的结晶膜中残留大的应力的倾向。因此，优选使为了将该结晶膜的张紧缓和而使间隔变窄的程度变大。另外，例如，使用未实施拉伸处理的未拉伸膜作为原版膜的情况下，具有在晶化工序中得到的结晶膜中残留小的应力的倾向。因此，优选使为了将该结晶膜的张紧缓和而使间隔变窄的程度变小。
缓和工序中使保持间隔变窄的程度，在将缓和工序中的结晶膜的处理温度时对结晶膜没有给予张紧的状态下的热收缩率设为S(％)的情况下，通常为0.1S以上，优选为0.5S以上，更优选为0.7S以上，另外，通常为1.2S以下，优选为1.0S以下，更优选为0.95S以下。另外，例如，如在正交的2个方向上热收缩率S不同的情形那样，上述热收缩率S具有各向异性的情况下，可对于各个方向在上述范围内确定使保持间隔变窄的程度。通过使其成为这样的范围，能够充分地除去树脂膜的残留应力，并且维持平坦性。
结晶膜的热收缩率S可采用下述的方法测定。
在室温23℃的环境下将结晶膜切出为150mm×150mm的大小的正方形，制成试样膜。将该试样膜在设定为与缓和工序的处理温度相同的温度的烘箱内加热60分钟，冷却到23℃(室温)后，测定与想要求出试样膜的热收缩率S的方向平行的二边的长度。
基于所测定的二边各自的长度，基于下述式(III)，算出试样膜的热收缩率S。在式(III)中，L1表示加热后的试样膜的测定的二边中的一边的长度，L2表示另一边的长度。
热收缩率S(％)＝[(300-L1-L2)/300]×100 (III)
[2.4.晶化工序和缓和工序的第一例]
以下对上述的晶化工序和缓和工序的第一例进行说明。第一例表示使用单张的原版膜制造单张的树脂膜的方法的例子。不过，晶化工序和缓和工序并不限定于该第一例。
图1和图2为示意地表示保持装置的例子的平面图。
如图1中所示那样，保持装置100为用于保持单张的原版膜10的装置，具有模框110、和作为在模框110可位置调节地设置的多个保持具的夹子121、122、123和124。夹子121、夹子122、夹子123和夹子124各自以可把持原版膜10的边11、边12、边13和边14的方式设置。
使用这样的保持装置100进行晶化工序的情况下，将由包含含有脂环式结构的聚合物的树脂形成的原版膜10安装于保持装置100。具体地，通过用夹子121～124把持原版膜10，从而保持原版膜10的四边11～14而使其成为张紧的状态。然后，对于这样张紧的状态的原版膜10，采用未图示的烘箱，加热到原版膜10中所含的含有脂环式结构的聚合物的玻璃化转变温度Tg以上、且上述含有脂环式结构的聚合物的熔点Tm以下的温度范围。
由此，原版膜10中所含的含有脂环式结构的聚合物的晶化进行，如图2中所示那样，得到结晶膜20。此时，由于保持原版膜10的四边11～14而成为了张紧的状态，因此在结晶膜20中没有产生热收缩导致的变形。因此，通常在结晶膜20中残留有要使热收缩产生的应力。
然后，对于如上述这样制造的结晶膜20进行缓和工序。上述的结晶膜20在结束了晶化工序的时刻，将该结晶膜20的边21、边22、边23和边24保持于保持装置100的夹子121、夹子122、夹子123和夹子124。缓和工序中，在将该结晶膜20接着加热至含有脂环式结构的聚合物的玻璃化转变温度Tg以上、且上述含有脂环式结构的聚合物的熔点Tm以下的温度范围的状态下，使保持装置100的夹子121～124的间隔I121、I122、I123和I124变窄。由此，以追随结晶膜20的热收缩引起的尺寸变化的方式，夹子121～124产生的结晶膜20的保持部分的间隔变窄。因此，对于结晶膜20，一边维持平坦一边缓和张紧，得到单张的树脂膜。
对于这样得到的树脂膜而言，已将可成为高温环境下的尺寸变化的原因的膜内的应力消除。因此，在得到的树脂膜中，能够提高高温环境下的尺寸稳定性。另外，由于树脂膜中所含的含有脂环式结构的聚合物已晶化，因此该树脂膜通常耐热性优异。
[2.5.晶化工序和缓和工序的第二例]
以下对上述的晶化工序和缓和工序的第二例进行说明。第二例表示使用长条的原版膜制造长条的树脂膜的方法的例子。不过，晶化工序和缓和工序并不限定于该第二例。
图3为示意地表示树脂膜的制造装置的例子的正面图，图4为示意地表示树脂膜的制造装置的例子的平面图。
如图3和图4中所示那样，制造装置200具有作为保持装置的拉幅拉伸机300、搬运辊410和420、以及作为加热装置的烘箱500。
如图4中所示那样，拉幅拉伸机300具有在膜搬运路的左右两肋设置的环状的连接装置310和320、用于驱动上述的连接装置310和320的链轮齿330和340。另外，上述的连接装置310和320各自作为多个保持具设置了夹子311和321。
夹子311和321以通过把持原版膜30的宽度方向的端部的边31和32、结晶膜40的宽度方向的端部的边41和42、以及树脂膜50的宽度方向的端部的边51和52而可保持的方式设置。另外，这些夹子311和321可随着连接装置310和320的旋转而移动地设置。
连接装置310和320以如下方式设置：通过用链轮齿330和340驱动，从而沿着由在膜搬运路的两肋设置的未图示的导轨所规定的转圈轨道，能够如箭头A310和A320所示那样旋转。因此，设置于连接装置310和320的夹子311和321具有在膜搬运路的两肋能够沿着所期望的转圈轨道移动的构成。
进而，夹子311和321以如下方式设置：通过适当的任意的机构，在烘箱500的入口510附近保持原版膜30的二边31和32，在维持该保持的状态的状态下，随着连接装置310和320的旋转而在膜搬运方向上移动，在烘箱500的出口520附近释放树脂膜50。
进而，该拉幅拉伸机300具有能够任意地调节膜搬运方向上的夹子311和321的间隔WMD以及宽度方向上的夹子311和321的间隔WTD的构成。在此所示的例子中，示出如下的例子：通过使用电弓架式的连接装置310和320，从而可调节上述那样的夹子311和321的间隔WMD和WTD。
图5和图6为示意地表示上述的连接装置310的一部分的平面图。
如图5和图6中所示那样，连接装置310具有连结的多个连接板312a～312d。在该例中所示的连接装置310中，通过使这些多个连接板312a～312d连结为轮状，从而使连接装置310的形状成为环状。
另外，连接装置310具有轴承滚柱313a和313b。这些轴承滚柱313a和313b以可在由未图示的导轨形成的沟槽内通过的方式设置。因此，通过调节导轨的轨道，能够调节沿着该导轨旋转的连接装置310的转圈轨道，乃至能够调节设置于该连接装置310的夹子311的行走轨道。因此，该连接装置310具有通过调节导轨的轨道，从而在膜搬运方向的任意的位置使宽度方向上的夹子311的位置变化的构成。而且，通过这样使宽度方向上的夹子311的位置变化，从而可使宽度方向上的夹子311和321的间隔WTD变化。
进而，如图5和图6中所示那样，连接装置310的一单元具有：(a)在外侧的轴承滚柱313a和内侧的轴承滚柱313b的两者上具有支点、进而向内侧延长、在其内侧端具有夹子311的连接板312a；(b)在连接板312a和轴承滚柱313b上具有共同的支点、向另外的轴承滚柱313a上的另一点的支点延长的连接板312b；(c)在连接板312b的支点间的部分具有支点、由其向内侧延长、在内侧端具有夹子311的连接板312c；以及(d)在连接板312c的内侧端和外侧端之间具有支点、由其向外侧延长、在邻接的单元的连接板312a上具有支点的连接板312d。其中，外侧表示远离膜搬运路的一侧，内侧表示接近膜搬运路的一侧。在这样的连接装置310中，能够根据导辊的沟槽的间隔D1和D2使连接间隔在收缩状态与伸展状态之间变化。因此，该连接装置310具有如下的构成：通过调节导辊的沟槽的间隔D1和D2，从而在膜搬运方向上的任意的位置使膜搬运方向上的夹子311之间的间隔WMD变化。
另外，另一连接装置320除了相对于膜搬运路、设置于与连接装置310的相反侧以外，具有与上述的连接装置310同样的构成。因此，连接装置320也具有在与连接装置310同样的区域中可调节膜搬运方向上的夹子321之间的间隔WMD和宽度方向上的夹子321的位置的构成。
如图3和图4中所示那样，在膜搬运方向上在拉幅拉伸机300的两侧设置了搬运辊410和420。在拉幅拉伸机300的上游侧设置的搬运辊410为以可搬运原版膜30的方式设置的辊，在拉幅拉伸机300的下游侧设置的搬运辊420为以可搬运树脂膜50的方式设置的辊。这些搬运辊410和420以为了搬运而可对原版膜30给予规定的搬运张力的方式设置。因此，这些搬运辊410和420能够作为如下的保持装置发挥功能：可在拉幅拉伸机300(相当于原版膜30的待实施晶化处理的区域。)的长度方向的两侧将原版膜30以不热收缩的方式保持而使其成为张紧的状态。
另外，如图4中所示那样，烘箱500具有隔壁530，烘箱500内的空间被该隔壁530划分为上游的晶化室540和下游的缓和室550。
使用这样的制造装置200制造树脂膜50的情况下，将由包含含有脂环式结构的聚合物的树脂构成的长条的原版膜30经由搬运辊410供给至拉幅拉伸机300。
已输送至拉幅拉伸机300的原版膜30，如图4中所示那样，通过在烘箱500的入口510的附近被夹子311和321把持，从而用夹子311和321把持二边31和32。由夹子311和321保持的原版膜30通过采用上述的夹子311和321的保持以及采用搬运辊410和420的保持，使其成为张紧的状态。然后，原版膜30在这样张紧的状态下，将原版膜30通过入口510搬运至烘箱500内的晶化室540。
在晶化室540中，将原版膜30加热至该原版膜30中所含的含有脂环式结构的聚合物的玻璃化转变温度Tg以上、且上述含有脂环式结构的聚合物的熔点Tm以下的温度范围，进行晶化工序。由此，原版膜30中所含的含有脂环式结构的聚合物的晶化进行，得到结晶膜40。此时，保持原版膜30的二边31和32而成为了张紧的状态，进而也通过采用搬运辊410和420的保持而成为了张紧的状态，因此在结晶膜40中没有发生热收缩引起的变形。因此，通常在结晶膜40中残留有要使热收缩产生的应力。
然后，所制造的结晶膜40在用夹子311和321保持着二边41和42的状态下被送至烘箱500的缓和室550。在缓和室550中，在将结晶膜40接着加热到含有脂环式结构的聚合物的玻璃化转变温度Tg以上、且上述含有脂环式结构的聚合物的熔点Tm以下的温度范围的状态下，使膜搬运方向上的夹子311和321的间隔WMD以及宽度方向上的夹子311和321的间隔WTD变窄。由此，以追随结晶膜40的热收缩引起的尺寸变化的方式，夹子311和321产生的结晶膜40的保持部分的间隔变窄。因此，对于结晶膜40，一边维持平坦一边缓和张紧，得到长条的树脂膜50。
将树脂膜50通过出口520向烘箱500之外送出。然后，将树脂膜50在烘箱500的出口520的附近从夹子311和321释放，经由搬运辊420送出而回收。
对于这样得到的树脂膜50而言，消除了可成为高温环境下的尺寸变化的原因的膜内的应力。因此，在得到的树脂膜50中，能够提高高温环境下的尺寸稳定性。另外，由于树脂膜50中所含的含有脂环式结构的聚合物已晶化，因此该树脂膜50通常耐热性优异。
[2.6.任意的工序]
本发明的树脂膜的制造方法中，可以与上述的晶化工序和缓和工序组合地进一步进行任意的工序。
例如，可对得到的树脂膜进行表面处理。
[3.滚花膜]
本发明的树脂膜的高温环境下的尺寸稳定性优异。因此，有效利用这样优异的性质，可对本发明的树脂膜利用激光实施滚花处理。以下有时将这样实施了滚花处理的树脂膜称为“滚花膜”。
图7为示意地表示对树脂膜50实施滚花处理而制造滚花膜60的样子的一例的正面图。
如图7中所示那样，制造滚花膜60的情况下，如箭头A50所示那样边在长度方向上连续地搬运树脂膜50，边由激光照射装置600对树脂膜50断续地照射激光610。如果将激光610照射至树脂膜50的表面53，在其表面53的照射了激光610的区域中局部地产生热熔融或烧蚀。由此能够在照射了激光610的区域形成突起部61，因此得到具有该突起部61的滚花膜60。此时，由于树脂膜50在高温环境下的尺寸稳定性优异，因此能够抑制滚花膜60的起伏和褶皱的产生。
进行滚花处理时的激光610的每1次的照射时间优选为0.001ms以上，更优选为0.005ms以上，进一步优选为0.01ms以上，优选为0.5ms以下，更优选为0.3ms以下，进一步优选为0.1ms以下。通过使激光610的照射时间成为该范围，从而能够容易地形成适当大小的突起部61。
作为激光610，例如可使用ArF准分子激光、KrF准分子激光、XeCl准分子激光、YAG激光的第3高次谐波或第4高次谐波、YLF或YVO4的固体激光的第3高次谐波或第4高次谐波、Ti：S激光、半导体激光、光纤激光、二氧化碳激光等。这些中，从高输出功率产生的生产率提高的观点出发，优选二氧化碳激光。
激光610的输出功率优选为1W以上，更优选为5W以上，进一步优选为15W以上，优选为30W以下，更优选为25W以下。通过使激光610的输出功率成为上述范围的下限值以上，从而能够防止激光610的照射量不足，稳定地形成突起部61。另外，通过使激光610的输出功率成为上述范围的上限值以下，从而能够防止在树脂膜50中产生贯通孔，另外，能够抑制突起部61的无意的扩大。
激光610的集光径(即，照射激光610的区域的每1处的直径)可根据突起部61的直径设定。通常，激光610的集光径设定得比突起部61的直径要小。具体的集光径优选为100μm以上，更优选为200μm以上，优选为500μm以下，更优选为300μm以下。
通过采用上述这样的激光610的照射的滚花处理，即使在厚度薄的树脂膜50中也能够防止突起部61的形成时的树脂膜50的断裂。另外，即使使树脂膜50弯曲，在突起部61也难以发生断裂。推测这起因于：如果要用激光器形成突起部61，则没有施加对于树脂膜50不需要的挤压，在树脂膜50中不易残存残留应力。
另外，通过采用激光610的照射的滚花处理，能够在对于树脂膜50不会产生磨损和污染的情况下形成突起部61。
图8为示意地表示滚花膜60的一例的平面图。
如图8中所示那样，通常在滚花膜60的宽度方向的端部形成突起部61。因此，滚花膜60在该滚花膜60的宽度方向的两端部具有形成了突起部61的带状的区域62和63。该区域62和63的宽度W62和W63优选1.0mm以上，更优选2.0mm以上，特别优选3.0mm以上，另外，优选12mm以下，更优选11mm以下，特别优选10mm以下。通过使形成了突起部61的区域62和63的宽度W62和W63成为上述范围的下限值以上，从而能够稳定地防止滚花膜60的卷偏，另外，通过成为上限值以下，能够确保不具有突起部61的有效区域的大小宽大，使制造成本降低。
突起部61的平均高度，在滚花膜的厚度为约20μm以上的情况下，优选0.5μm以上，更优选1.0μm以上，特别优选2.0μm以上，另外，优选5.0μm以下，更优选4.5μm以下，特别优选4.0μm以下。滚花膜的厚度低于20μm的情况下，优选为滚花膜的厚度的2.5％以上，更优选为5％以上，进一步优选为10％以上，优选为25％以下，更优选为22.5％以下，进一步优选为20％以下。通过使突起部61的平均高度成为上述范围的下限值以上，能够有效地抑制树脂膜50的卷偏、卷进、厚度不均引起的外观不良等，另外，通过成为上限值以下，能够稳定地防止裂纹。
突起部61的直径优选为150μm以上，更优选为200μm以上，特别优选为250μm以上，优选为600μm以下，更优选为550μm以下，特别优选为500μm以下。通过使突起部61的直径成为上述范围的下限值以上，能够稳定地发挥形成了突起部61的效果，另外，通过成为上限值以下，能够避免在突起部61中的局部的应力集中。
另外，在采用激光610的滚花处理中，通常在突起部61的中央部形成凹陷。该凹陷的深度优选滚花膜的厚度的2％以上，更优选4％以上，特别优选8％以上，另外，优选50％以下，更优选40％以下，特别优选30％以下。通过使凹陷的深度成为上述的范围，从而能够稳定地发挥形成了突起部61的效果，因此能够使卷绕滚花膜60的辊的外观变得良好。
滚花膜60的长度方向上的突起部61的间隔优选3.0mm以上，更优选3.5mm以上，特别优选4.0mm以上，另外，优选7.0mm以下，更优选6.5mm以下，特别优选6.0mm以下。通过使长度方向上的突起部61的间隔成为上述范围的下限值以上，从而能够稳定地抑制滚花膜60的粘连，另外，通过成为上限值以下，从而能够抑制在突起部61中的应力集中引起的裂纹。
滚花膜60的宽度方向上的突起部61的间隔优选0.5mm以上，更优选1.0mm以上，特别优选1.5mm以上，另外，优选6.0mm以下，更优选5.5mm以下，特别优选5.0mm以下。通过使宽度方向上的突起部61的间隔成为上述范围的下限值以上，从而能够稳定地抑制滚花膜60的粘连，另外，通过成为上限值以下，能够抑制突起部61中的应力集中引起的裂纹。
[4.阻隔膜]
本发明的树脂膜如上述那样，高温环境下的尺寸稳定性优异。因此，实施了无机层的形成工序等这样的包含高温工艺的成膜工序的情况下，可以进行良好的成膜。具体地，能够使在高温工艺中所搬运的树脂膜的行为稳定，抑制高温环境引起的对树脂膜的热损伤，因此能够形成平坦且均匀的层。
因此，有效利用这样优异的性质，可将本发明的树脂膜用作阻隔膜的基材膜。该阻隔膜为具有本发明的树脂膜、和在该树脂膜上直接或间接地设置的阻隔层的复层结构的膜。通常，树脂膜由于与阻隔层的密合性优异，因此阻隔层能够直接地设置于树脂膜的表面，但根据需要也可经由平坦化层等基底层设置。
作为阻隔层的材料，例如可使用无机材料。作为这样的无机材料的例子，可列举出包含金属氧化物、金属氮化物、金属氧化氮化物、和它们的混合物的材料。作为构成金属氧化物、金属氮化物、和金属氧化氮化物的金属的例子，可列举出硅、铝，特别优选硅。更具体地，作为金属氧化物、金属氮化物、和金属氧化氮化物的组成的例子，可列举出分别由SiOx(1.5＜x＜1.9)、SiNy(1.2＜y＜1.5)、和SiOxNy(1＜x＜2和0＜y＜1)表示的组成。通过使用这样的材料，可得到透明性和阻隔性优异的阻隔膜。
阻隔层的厚度优选为3nm以上，更优选为10nm以上，优选为2000nm以下，更优选为1000nm以下。
阻隔层的水蒸汽透过率的上限优选为0.1g/m2·天以下，更优选为0.01g/m2·天以下。
阻隔膜可采用包含在本发明的树脂膜上形成阻隔层的工序的制造方法制造。对阻隔层的形成方法并无特别限定，例如可采用蒸镀法、溅射法、离子镀法、离子束辅助蒸镀法、电弧放电等离子体蒸镀法、热CVD法、等离子体CVD法等成膜方法形成。在电弧放电等离子体法中，能够生成具有适度的能量的蒸发粒子，形成高密度的阻隔层。另外，通过将多种的成分同时地蒸镀或溅射，从而能够形成包含这些多个成分的阻隔层。
对于上述这样的阻隔膜的制造方法的具体例，参照进行其的装置的例子进行说明。图9为示意地表示可采用CVD法将阻隔层作为无机层成膜的成膜装置的一例的截面图。
如图9中所示那样，成膜装置700为膜卷取式的等离子体CVD装置，进行如下的一连串的操作：对从长条的树脂膜50的卷体701抽出的树脂膜50，采用CVD法将阻隔层连续地成膜，得到阻隔膜70，将该阻隔膜70卷取为卷体702。
成膜装置700通过具有导辊711、金属外壳辊712和导辊713，由此，能够将抽出的树脂膜50在由箭头A1表示的方向上导出，供于制造工序。通过适当地调节导辊711、金属外壳辊712和导辊713的位置以及它们对树脂膜50给予的张力，从而使树脂膜50在采用金属外壳辊712导出的期间成为与金属外壳辊712密合的状态。
金属外壳辊712在由箭头A2表示的方向上旋转，将其上的树脂膜50在接近反应管721的状态下搬运。此时，从电源723对电极722施加电力，另一方面，通过适当的接地手段(未图示)将金属外壳辊712接地，并且从气体导入口724在箭头A3的方向上导入阻隔层的材料的气体。由此，能够在树脂膜50的面上连续地形成阻隔层。该一连串的操作在用真空槽790围绕的空间内进行。真空槽790内的压力通过对真空排气装置730进行操作而减压，可调节为适于CVD法的压力。
以高输出功率实施了这样的工序的情况下，假如树脂膜50在高温环境下的尺寸稳定性差，则容易发生从金属外壳辊212的树脂膜50的浮起，或者发生树脂膜50的变形，因此有可能良好的阻隔层的连续的形成变得困难。但是，本发明的树脂膜50由于高温环境下的尺寸稳定性优异，因此难以发生上述那样的浮起。因此，如果使用本发明的树脂膜50，则能够连续地形成平坦且均匀的阻隔层，因此可以进行阻隔膜70的效率良好的制造。另外，本发明的树脂膜50由于耐热性优异，因此能够抑制对树脂膜50的热损伤。因此，能够容易地制造水蒸汽透过率小的阻隔膜70。
另外，上述的阻隔膜可与树脂膜和阻隔层组合地具有任意的层。作为这样的任意的层的例子，可列举出抗静电层、硬涂层和防污染层等。这些任意的层例如可采用在阻隔层上涂布任意的层的材料并使其固化的方法、或者通过热压接进行粘贴的方法等方法设置。
[5.导电性膜]
本发明的树脂膜，由于如上述那样高温环境下的尺寸稳定性优异，因此在实施了无机层的形成工序等这样的包含高温工艺的成膜工序的情况下，可进行良好的成膜。
因此，可有效利用这样优异的性质，将本发明的树脂膜用作导电性膜的基材膜。该导电性膜为具有本发明的树脂膜、和在该树脂膜上直接或间接地设置的导电性层的复层结构的膜。通常，树脂膜由于与导电性层的密合性优异，因此导电性层能够直接地设置于树脂膜的表面，但根据需要可设置平坦化层等基底层。
作为导电性层的材料，例如可使用导电性的无机材料。其中，优选使用可实现透明的导电性层的材料。作为这样的无机材料的例子，可列举出ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、ZnO(氧化锌)、IWO(氧化铟钨)、ITiO(氧化铟钛)、AZO(氧化铝锌)、GZO(氧化镓锌)、XZO(锌系特殊氧化物)、IGZO(氧化铟镓锌)等。
导电性层的厚度优选为30nm以上，更优选为50nm以上，优选为250nm以下，更优选为220nm以下。
通过形成导电性层，可对得到的导电性膜赋予作为电极的功能。这样的导电性膜的导电性层侧的面的表面电阻率可根据使用的目的适当地选择，通常为1000Ω/sq以下，优选为100Ω/sq以下。
导电性膜可采用包含在本发明的树脂膜上形成导电性层的工序的制造方法制造。对导电性层的形成方法并无特别限定，例如可采用溅射法、蒸镀法等成膜方法形成。如上述那样，本发明的树脂膜在高温环境下的尺寸稳定性和耐热性优异，因此能够进行高出力下的成膜，因此，能够迅速地将平坦、导电性优异的导电性层成膜。
另外，上述的导电性膜可与树脂膜和导电性层组合地具有光学功能层、阻隔层等任意的层。
实施例
以下示出实施例，对本发明具体地说明。不过，本发明并不限定于以下所示的实施例，可在不脱离本发明的权利要求及其均等的范围的范围内任意地变形而实施。
以下的说明中，表示量的“％”和“份”只要无另外地说明，则为重量基准。另外，以下说明的操作只要无另外地说明，则在常温和常压的条件下进行。进而，在以下的说明中，“sccm”为气体的流量的单位，将每1分钟流过的气体的量用该气体为25℃、1atm时的体积(cm3)表示。
[评价方法]
[重均分子量和数均分子量的测定方法]
聚合物的重均分子量和数均分子量使用凝胶渗透色谱(GPC)系统(东曹株式会社制“HLC-8320”)、作为聚苯乙烯换算值测定。测定时，使用H型柱(东曹株式会社制造)作为柱，使用了四氢呋喃作为溶剂。另外，测定时的温度为40℃。
[玻璃化转变温度Tg和熔点Tm的测定方法]
将在氮气氛下加热到300℃的试样用液氮急冷，使用示差操作热量计(DSC)，以10℃/分钟升温，分别求出了试样的玻璃化转变温度Tg和熔点Tm。
[聚合物的氢化率的测定方法]
聚合物的氢化率是以邻二氯苯-d4作为溶剂、在145℃、通过1H-NMR测定测定。
[聚合物的外消旋二单元组的比例的测定方法]
以邻二氯苯-d4作为溶剂，在200℃应用反转门控去耦法，进行了聚合物的13C-NMR测定。由该13C-NMR测定的结果，以邻二氯苯-d4的127.5ppm的峰作为基准位移，基于来自内消旋二单元组的43.35ppm的信号和来自外消旋二单元组的43.43ppm的信号的强度比，求出了聚合物的外消旋二单元组的比例。
[膜的全光线透射率的测定方法]
膜的全光线透射率使用紫外-可见分光计(JASCO Corporation制“V-550”)、在波长400nm～700nm的范围内测定。
[膜的雾度的测定方法]
在选择的任意的部位将膜切出成50mm×50mm的正方形的薄膜样品。然后，对于薄膜样品，使用雾度计(日本电色工业株式会社制“NDH5000”)测定了雾度。
[膜的热尺寸变化率的测定方法]
在室温23℃的环境下将膜切出为150mm×150mm的大小的正方形，制成试样膜。将该试样膜在150℃的烘箱内加热60分钟，冷却到23℃(室温)后，测定了试样膜的四边的长度和2条对角线的长度。
基于所测定的四边各自的长度，基于下述式(I)，算出了试样膜的热尺寸变化率。式(I)中，LA表示加热后的试样膜的边的长度。
热尺寸变化率(％)＝[(LA-150)/150]×100 (I)
另外，基于测定的2条对角线的长度，基于下述式(II)，算出了试样膜的热尺寸变化率。式(II)中，LD表示加热后的试样膜的对角线的长度。
热尺寸变化率(％)＝[(LD-212.13)/212.13]×100 (II)
然后，采用得到的6个热尺寸变化率的计算值中绝对值成为最大的值作为膜的热尺寸变化率。
[结晶膜的热收缩率S的测定方法]
在室温23℃的环境下将结晶膜切出为150mm×150mm的大小的正方形，制成试样膜。将该试样膜在设定成与缓和工序的处理温度相同的温度的烘箱内加热60分钟，冷却到23℃(室温)后，测定了与想要求出试样膜的热收缩率S的方向平行的二边的长度。
基于所测定的二边各自的长度，基于下述式(III)，算出了试样膜的热收缩率S。在式(III)中，L1表示加热后的试样膜的测定的二边中的一边的长度，L2表示另一边的长度。
热收缩率S(％)＝[(300-L1-L2)/300]×100 (III)
[膜的激光加工性的评价方法]
将膜切出成30mm×30mm的大小的正方形，得到了试样膜。对该试样膜的中央20mm×20mm的区域照射激光，形成了多个突起部。此时，作为激光的照射装置，使用了CO2激光照射装置(KEYENCE CORPORATION制“MLZ9510”、激光波长10.6μm)。另外，激光的照射强度设为20W。进而，调节每一次的激光的照射时间和激光照射至试样膜的范围的大小以致得到直径200μm的点状的突起。
这样，在试样膜中在纵向和横向分别以4mm间隔形成了6列、合计36个的点状的突起部。
接下来，使试样膜的照射了激光的一侧的面为上，将试样膜放置在平坦的平台上。在该试样膜上放置了厚1.2mm、纵50mm×横50mm的大小的玻璃板。在该状态下，使用超深度显微镜(KEYENCE CORPORATION制“VK-9500”)测定了所形成的各个突起部处的试样膜的厚度(即，从平台至突起部的最顶部的高度)。求出这样得到的测定值的最大值与最小值之差，得到该差作为激光的照射产生的膜的变形量。
该变化量在由于吸收了激光的膜中产生的热而使膜局部地收缩的情况下，表示由于该膜的弯曲而在何种程度上失去平坦性。因此，上述的变化量越小，表示膜的激光加工性越优异。
[制造例1.双环戊二烯的开环聚合物的氢化物的制造]
将金属制的耐压反应器充分地干燥后，进行了氮置换。在该金属制耐压反应器中加入环己烷154.5份、双环戊二烯(内型体含有率99％以上)的浓度70％环己烷溶液42.8份(以双环戊二烯的量计，30份)、和1-己烯1.9份，加热到53℃。
在将苯基亚氨基四氯钨(四氢呋喃)络合物0.014份溶解于0.70份的甲苯的溶液中，加入浓度19％的二乙基乙氧基铝/正己烷溶液0.061份，搅拌10分钟，制备了催化剂溶液。
将该催化剂溶液加入耐压反应器中，开始了开环聚合反应。然后，边保持53℃边使其反应4小时，得到了双环戊二烯的开环聚合物的溶液。
得到的双环戊二烯的开环聚合物的数均分子量(Mn)和重均分子量(Mw)分别为8750和28100，由它们求出的分子量分布(Mw/Mn)为3.21。
在得到的双环戊二烯的开环聚合物的溶液200份中加入作为终止剂的1,2-乙二醇0.037份，加热到60℃，搅拌1小时，使聚合反应停止。向其中加入类水滑石化合物(协和化学工业株式会社制“KYOWAAD(注册商标)2000”)1份，加热到60℃，搅拌了1小时。然后，加入过滤助剂(昭和化学工业株式会社制“ラヂオライト(注册商标)#1500”)0.4份，使用PP褶筒式过滤器(ADVANTEC东洋株式会社制“TCP-HX”)将吸附剂和溶液过滤分离。
在过滤后的双环戊二烯的开环聚合物的溶液200份(聚合物量30份)中加入环己烷100份，添加氯氢化羰基三(三苯基膦)钌0.0043份，在氢压6MPa、180℃进行了4小时氢化反应。由此得到了包含双环戊二烯的开环聚合物的氢化物的反应液。该反应液的氢化物析出，成为了浆料溶液。
使用离心分离机将上述的反应液中所含的氢化物和溶液分離，在60℃减压干燥24小时，得到了具有结晶性的双环戊二烯的开环聚合物的氢化物28.5份。该氢化物的氢化率为99％以上，玻璃化转变温度Tg为93℃，熔点(Tm)为262℃，外消旋二单元组的比例为89％。
[制造例2.未拉伸膜的制造]
在制造例1中得到的双环戊二烯的开环聚合物的氢化物100份中混合抗氧化剂(四[亚甲基-3-(3’,5’-二-叔-丁基-4’-羟基苯基)丙酸酯]甲烷；BASF日本公司制“Irganox(注册商标)1010”)1.1份，得到了成为膜的材料的树脂。
将上述的树脂投入具有4个内径3mmΦ的模头孔的双螺杆挤出机(东芝机械株式会社制“TEM-37B”)。采用上述的双螺杆挤出机，通过热熔融挤出成型将树脂成型为线束状的成型体。将该成型体用线束切割机细切，得到了树脂的粒料。以下示出上述的双螺杆挤出机的运转条件。
·机筒设定温度：270℃～280℃
·模头设定温度：250℃
·螺杆转数：145rpm
·进料器转数：50rpm
接着，将得到的粒料供给到具有T型模头的热熔融挤出膜成型机。使用该膜成型机，采用以2m/分钟的速度卷取至辊的方法制造由上述的树脂形成的长条的未拉伸膜(厚度150μm、宽度120mm)。以下示出上述的膜成型机的运转条件。
·机筒温度设定：280℃～290℃
·模头温度：270℃
·螺杆转数：30rpm
测定了得到的未拉伸膜的雾度，结果为0.3％。
[实施例1]
[1-1.拉伸工序]
将制造例2中得到的长条的未拉伸膜在任意的部位切出成90mm×90mm的正方形。该切出以如下方式进行：所切出的未拉伸膜的正方形的边与长条的未拉伸膜的长度方向或宽度方向平行。然后，将所切出的未拉伸膜设置于小型拉伸机(东洋精机制作所株式会社制“EX10-B型”)。该小型拉伸机具有可把持膜的四边的多个夹子，具有通过使该夹子从而能够拉伸膜的结构。使用该小型拉伸机，将未拉伸膜在与长条的未拉伸膜的长度方向对应的纵向上以拉伸倍率2倍进行拉伸，然后，在与长条的未拉伸膜的宽度方向对应的横向上以拉伸倍率2倍进行拉伸，作为原版膜得到了拉伸膜。以下示出小型拉伸机的运转条件。
·拉伸速度：10000mm/min
·拉伸温度：100℃
[1-2.晶化工序]
准备了可固定原版膜的四边的SUS制的框。通过将上述的原版膜的四边保持于该框，从而使原版膜成为了张紧的状态。然后，进行通过对该原版膜在200℃、在烘箱内进行加热处理30秒钟从而使原版膜中所含的双环戊二烯的开环聚合物的氢化物晶化的晶化工序，得到了结晶膜。
测定了得到的结晶膜的雾度，结果雾度为0.4％。另外，采用上述的方法测定了温度200℃时的热收缩率S，结果结晶膜的纵向为3.2％，横向为4.1％。
[1-3.缓和工序]
通过使这样得到的结晶膜的四边把持于上述的小型拉伸装置的夹子，从而将结晶膜安装于小型拉伸机。然后，在温度200℃进行一边维持结晶膜平坦、一边缓和结晶膜的张紧的缓和工序，得到了树脂膜。该缓和工序中，通过使小型拉伸装置的夹子在结晶膜的面内方向上移动，通过使夹子间距离缩小，从而使结晶膜的张紧缓和。另外，对于上述的夹子间距离而言，历时30秒钟，在结晶膜的纵向缩小3.0％，在结晶膜的横向缩小了4.0％。
采用上述的方法测定了这样得到的树脂膜的热尺寸变化率和激光的照射产生的膜的变形量。
[1-4.阻隔膜的制造工序]
准备了可在树脂膜的单面采用CVD法形成阻隔层的成膜装置。该成膜装置是与图9中所示的成膜装置同样地可在该装置内搬运的膜的表面形成所期望的阻隔层的膜卷取式的等离子体CVD装置。不过，这里使用的成膜装置由于在单张的树脂膜形成阻隔层，因此具有可在固定于载膜的树脂膜形成阻隔层的结构。具体地，准备的成膜装置在该装置内连续地搬运的长条的载膜上将树脂膜固定的情况下，具有可在该树脂膜的表面形成所期望的阻隔层的结构。另外，作为载膜，使用了聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。
将得到的树脂膜切出为100mm×100mm的大小的正方形。将切出的树脂膜用聚酰亚胺带固定于载膜。然后，将该载膜供应至上述的成膜装置，在树脂膜的单面形成了阻隔层。此时的成膜条件设为四甲基硅烷(TMS)流量10sccm、氧(O2)流量100sccm、输出功率0.8kW、总压5Pa、膜搬运速度0.5m/分钟，通过RF等离子体放电进行了成膜。
其结果，得到在树脂膜的单面形成由SiOx构成的厚300nm的阻隔层、具有阻隔层和树脂膜的阻隔膜。
对于这样得到的阻隔膜，采用下述的方法评价了成膜适当性、卷曲量和密合性。
(阻隔层的成膜适当性的评价方法)
观察得到的阻隔膜的面状，按照下述的评价标准对制膜适应性进行了评价。
良好···膜面平坦或只是单纯的卷曲，无褶皱和起伏等变形。
不良···在膜面产生了褶皱和起伏等变形。
(阻隔膜的卷曲量的评价方法)
将得到的阻隔膜在平坦的平台上使阻隔层侧为下放置。测定了从平台浮起的阻隔膜的4角落的角的、距离平台的高度。将测定的高度的测定值的平均作为卷曲量。
(阻隔层与树脂膜的密合性的评价方法)
对于得到的阻隔膜，按照JIS K5400，进行1mm见方100个的棋盘格试验，采用透明胶带(JIS Z1522中规定的透明胶带)确认了阻隔层的剥离状态。此时，将在阻隔层侧粘贴的透明胶带剥离时，计数阻隔层没有从树脂膜剥离的棋盘格的数。阻隔层没有从树脂膜剥离的棋盘格的数越多，则表示阻隔层与树脂膜的密合性越优异。
[1-5.导电性膜的制造工序]
准备了可在树脂膜的单面采用溅射法形成导电性层的成膜装置。该成膜装置为在该装置内连续地搬运的长条的载膜上固定的树脂膜的表面可形成所期望的导电性层的膜卷取式的磁控管溅射装置。另外，作为载膜，使用了聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。
将得到的树脂膜切出为100mm×100mm的大小的正方形。将切出的树脂膜用聚酰亚胺带固定于载体。然后，将该载膜供给至成膜装置，在树脂膜的单面形成了导电性层。此时，作为溅射的靶，使用了In2O3-SnO2陶瓷靶。另外，成膜条件设为氩(Ar)流量150sccm、氧(O2)流量10sccm、输出功率4.0kw、真空度0.3Pa、膜搬运速度0.5m/分钟。
其结果在树脂膜的单面形成由ITO构成的厚100nm的透明的导电性层，得到了具有导电性层和树脂膜的导电性膜。
对于这样得到的导电性膜，采用下述的方法对成膜适当性、卷曲量和密合性进行了评价。
(导电性层的成膜适当性的评价方法)
观察得到的导电性膜的面状，按照下述的评价标准对制膜适应性进行了评价。
良好···膜面平坦或只是单纯的卷曲，无褶皱和起伏等变形。
不良···在膜面产生了褶皱和起伏等变形。
(导电性膜的卷曲量的评价方法)
将得到的导电性膜在平坦的平台上使导电性层侧为下放置。测定了从平台浮起的导电性膜的4角落的角的、距离平台的高度。将测定的高度的测定值的平均作为卷曲量。
(导电性层与树脂膜的密合性的评价方法)
对于得到的导电性膜，按照JIS K5400，进行1mm见方100个的棋盘格试验，采用透明胶带(JIS Z1522中规定的透明胶带)确认了导电性层的剥离状态。此时，将在导电性层侧粘贴的透明胶带剥离时，计数导电性层没有从树脂膜剥离的棋盘格的数。导电性层没有从树脂膜剥离的棋盘格的数越多，表示导电性层与树脂膜的密合性越优异。
[实施例2]
在上述的工序[1-3.缓和工序]中，历时180秒钟进行了夹子间距离的缩小。除了以上的事项以外，进行了与实施例1同样的操作。
[实施例3]
在上述的工序[1-3.缓和工序]中，在结晶膜的纵向没有使夹子间距离缩小。即，将缓和工序中的结晶膜的在纵向的卡盘间距离的缩小率变为了0.0％。除了以上的事项以外，进行了与实施例1同样的操作。
[实施例4]
在上述的工序[1-3.缓和工序]中，将使夹子间距离缩小时的温度变为170℃，历时60秒钟进行夹子间距离的缩小，进而将结晶膜的夹子间距离的缩小率变为了纵向2.5％和横向3.5％。除了以上的事项以外，进行了与实施例1同样的操作。
[实施例5]
在上述的工序[1-2.晶化工序]中，作为原版膜，代替工序[1-1.拉伸工序]中制造的拉伸膜而使用了被拉伸前的未拉伸膜。另外，在上述工序[1-2.晶化工序]中，将加热温度变为了220℃。进而，在上述工序[1-3.缓和工序]中，将夹子间距离的缩小率在结晶膜的纵向和横向分别变为了1.0％。除了以上的事项以外，进行了与实施例1同样的操作。
[比较例1]
没有进行上述工序[1-3.缓和工序]，将结晶膜原样地用作树脂膜。除了以上的事项以外，进行了与实施例1同样的操作。
比较例1中，为了激光加工性的评价，对树脂膜照射了激光时，由于用激光将树脂膜局部地加热，因此树脂膜起伏，产生了大的变形。
另外，比较例1中，由于在阻隔膜和导电性膜产生大的卷曲，膜蜷曲，因此未能进行卷曲量的评价。
[比较例2]
在上述的工序[1-3.缓和工序]中，将结晶膜的夹子间距离的缩小率变为纵向4.5％和横向6.0％，进行了结晶膜的张紧的过剩的缓和。除了以上的事项以外，进行了与实施例1同样的操作。
比较例2中，在工序[1-3.缓和工序]中使夹子间距离过度缩小，因此缓和张紧时不能维持结晶膜平坦，在得到的树脂膜产生了起伏形状的变形。因此，未能进行阻隔膜和导电性膜的制造。
[比较例3]
在上述的工序[1-3.缓和工序]中，将结晶膜的夹子间距离的缩小率变为纵向1.5％和横向2.0％，不充分地进行了结晶膜的张紧的缓和。除了以上的事项以外，进行了与实施例1同样的操作。
[比较例4]
在上述的工序[1-3.缓和工序]中，将使夹子间距离缩小时的温度变为110℃，另外，历时180秒钟进行了夹子间距离的缩小。除了以上的事项以外，进行了与实施例1同样的操作。
[结果]
将上述的实施例和比较例的构成示于表1中，将其结果示于表2中。下述的表中，简称的含义如以下所述。
“缩小率”：缓和工序中使安装了结晶膜的小型拉伸装置的夹子间距离缩小的比率。将使夹子移动前的夹子间距离设为100％。
“透射率”：全光线透射率。
“膜变形量”：为了评价树脂膜的激光加工性而测定的、激光的照射产生的膜的变形量。
[表1]
[表1.实施例和比较例的构成]
[表2]
[表2.实施例和比较例的结果]
※1：在膜中产生在的卷曲，膜蜷缩，因此未能进行卷曲量的测定。
※2：膜在纵向和横向产生了波浪形状的变形，因此未能进行测定。
※3：没有将树脂膜以平坦的状态贴合于载膜，因此未能进行成膜。
[探讨]
上述的实施例1～5中测定的热尺寸变化率的绝对值为在多个方向上测定的热尺寸变化率的绝对值内的最大值。因此，如果获知该热尺寸变化率的绝对值足够小，则能够确认该树脂膜的热尺寸变化率的绝对值在任意的方向上都小。其中，实施例1～5的树脂膜的热尺寸变化率的绝对值小。因此，可知实施例1～5的树脂膜在高温环境下的尺寸稳定性优异。
另外，确认了实施例1～5的树脂膜通过作为用于形成阻隔层的基材膜使用，从而得到良好的阻隔膜，以及通过作为用于形成导电性层的基材膜使用，从而得到良好的导电性膜。
附图标记的说明
10：原版膜；
11、12、13和14：原版膜的边；
20：结晶膜；
21、22、23和24：结晶膜的边；
30：原版膜；
31和32：原版膜的边；
40：结晶膜；
41和42：结晶膜的边；
50：树脂膜；
51和52：树脂膜的边；
53：树脂膜的表面；
60：滚花膜；
61：突起部；
62和63：形成了突起部的区域；
70：阻隔膜；
100：保持装置；
110：模框；
121、122、123和124：夹子；
200：树脂膜的制造装置；
300：拉幅拉伸机；
310和320：连接装置；
311和321：夹子；
312a～312d：连接板；
313a和313b：轴承滚柱；
330和340：链轮齿；
410和420：搬运辊；
500：烘箱；
510：烘箱的入口；
520：烘箱的出口；
530：烘箱的隔壁；
540：晶化室；
550：缓和室；
600：激光照射装置；
610：激光；
700：成膜装置；
701：树脂膜的卷体；
702：阻隔膜的卷体；
711：导辊；
712：金属外壳辊；
713：导辊；
721：反应管；
722：电极；
723：电源；
724：气体导入口；
730：真空排气装置；
790：真空槽。

Claims (9)

1.一种树脂膜，其由包含含有脂环式结构的聚合物的树脂形成，所述含有脂环式结构的聚合物具有结晶性，
所述树脂膜在150℃加热了1小时的情况下的热尺寸变化率的绝对值在膜面内的任意的方向上为1％以下。
2.根据权利要求1所述的树脂膜，其中，
所述含有脂环式结构的聚合物为双环戊二烯的开环聚合物的氢化物。
3.根据权利要求1或2所述的树脂膜，其中，
所述树脂膜为光学膜。
4.一种阻隔膜，其具有：
权利要求1～3中任一项所述的树脂膜、以及
在所述树脂膜上设置的阻隔层。
5.一种导电性膜，其具有：
权利要求1～3中任一项所述的树脂膜、以及
在所述树脂膜上设置的导电性层。
6.一种树脂膜的制造方法，其是权利要求1～3中任一项所述的树脂膜的制造方法，包含：
在保持由包含含有脂环式结构的聚合物的树脂形成的第1膜的至少二边而使其张紧的状态下，使所述第1膜成为所述含有脂环式结构的聚合物的玻璃化转变温度以上、且所述含有脂环式结构的聚合物的熔点以下的温度，得到结晶膜的工序，所述含有脂环式结构的聚合物具有结晶性，以及
在所述含有脂环式结构的聚合物的玻璃化转变温度以上、且所述含有脂环式结构的聚合物的熔点以下的温度，一边维持所述结晶膜平坦、一边缓和所述结晶膜的张紧的工序。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，
其包含在所述得到结晶膜的工序之前对所述第1膜实施拉伸处理的工序。
8.一种阻隔膜的制造方法，其包含在权利要求1～3中任一项所述的树脂膜上形成阻隔层的工序。
9.一种导电性膜的制造方法，其包含在权利要求1～3中任一项所述的树脂膜上形成导电性层的工序。
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