CN107039327B - 电子元件的制造方法及层叠体 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种电子元件的制造方法及层叠体。本发明涉及一种在制造电子元件时可将层叠体中的基层与电子元件良好地剥离的技术。当一面向腔室内供给含有氢的气体，一面在该腔室内形成类金刚石碳层时，调整相对于供给至基层的一方向侧的碳的供给量的氢的供给量的比率。类金刚石碳层作为通过使该层中的氢成分进行气化而从基层上剥离电子元件的剥离层发挥功能。因此，通过事先调整类金刚石碳层中的氢含有率，其后可从基层上良好地剥离电子元件。

Description

电子元件的制造方法及层叠体
技术领域
本发明涉及一种在制造电子元件时，从层叠体中的基层上剥离电子元件的技术。
背景技术
就用于便携式机器等的观点而言，具有柔性的电子元件的制造技术正受到瞩目。例如，已知有在具有柔性的塑料膜上形成发光元件来制造电致发光(electro-luminescence)显示装置(以下，称为EL显示装置)的技术。
然而，当在具有柔性的塑料膜上形成发光元件来制造EL显示装置时，对形状不稳定的对象物执行用以制造EL显示装置的各处理，而难以制造具有良好的电特性的EL显示装置。
例如，在专利文献1中公开有如下的技术：在基层上形成剥离层，并在剥离层上形成电子元件，获得包含基层与剥离层及电子元件的层叠体后，以剥离层为界线从基层上剥离电子元件，由此制造电子元件。
在该技术中，通过将玻璃基板等刚性材料用作基层，即便在电子元件具有柔性的情况下，生成层叠体的过程的中间体作为整体也具有刚性。因此，可对形状稳定的中间体执行用以形成电子元件的各处理，而可制造具有良好的电特性的电子元件。
另外，在专利文献1中公开有如下的技术：将非晶硅层或类金刚石碳(Diamond-Like Carbon)层(以下，称为DLC层)等含有氢的层用作剥离层，并对该剥离层照射激光，由此使剥离层中的氢进行气化，并以剥离层为界线从基层上剥离电子元件。在该技术中，通过剥离层中所产生的氢气来促进基层与电子元件的剥离，因此在剥离时减少对基层或电子元件所造成的损害。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2009-260387号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
然而，在专利文献1中，关于为了从基层上良好地剥离电子元件而要求的剥离层的性质，除了在剥离层中含有氢这一点以外，无任何公开。因此，需要对于所述性质的新的见解。
关于该见解，并不限于制造具有柔性的电子元件的情况或将刚性材料用作基层的情况，而在以剥离层为界线从基层上剥离电子元件的整个技术中需要。
本发明鉴于此种课题，目的在于提供一种在制造电子元件时可将层叠体中的基层与电子元件良好地剥离的技术。
[解决问题的技术手段]
本发明的第1种实现方式的电子元件的制造方法包括：类金刚石碳层形成步骤，一面向腔室内供给含有氢的气体，一面在所述腔室内在基层的一方向侧形成类金刚石碳层；电子元件形成步骤，在所述类金刚石碳层的所述一方向侧形成电子元件，而获得具有所述基层与所述类金刚石碳层及所述电子元件的层叠体；以及剥离步骤，使所述类金刚石碳层中的氢成分进行气化而从所述基层上剥离所述电子元件；且在所述类金刚石碳层形成步骤中，调整相对于供给至所述基层的所述一方向侧的碳的供给量的所述氢的供给量的比率。
本发明的第2种实现方式的电子元件的制造方法根据本发明的第1种实现方式的电子元件的制造方法：在所述类金刚石碳层形成步骤中，以所述比率经时地变化的方式进行调整。
本发明的第3种实现方式的电子元件的制造方法根据本发明的第2种实现方式的电子元件的制造方法：所述类金刚石碳层形成步骤包括前期步骤，形成位于所述类金刚石碳层中的厚度方向上的所述基层侧的第1区域；中期步骤，形成位于所述类金刚石碳层中的所述厚度方向上的中央侧的第2区域；以及后期步骤，形成位于所述类金刚石碳层中的所述厚度方向上的所述电子元件侧的第3区域；且在所述类金刚石碳层形成步骤中，以所述比率在所述前期步骤及所述后期步骤中的至少一个步骤中高于所述中期步骤的方式进行调整。
本发明的第4种实现方式的电子元件的制造方法根据本发明的第3种实现方式的电子元件的制造方法：在所述类金刚石碳层形成步骤中，以所述比率在所述前期步骤中高于所述中期步骤的方式进行调整。
本发明的第5种实现方式的电子元件的制造方法根据本发明的第3种实现方式的电子元件的制造方法：在所述类金刚石碳层形成步骤中，以所述比率在所述后期步骤中高于所述中期步骤的方式进行调整。
本发明的第6种实现方式的电子元件的制造方法根据本发明的第3种实现方式的电子元件的制造方法：在所述类金刚石碳层形成步骤中，以所述比率在所述前期步骤及所述后期步骤中高于所述中期步骤的方式进行调整。
本发明的第7种实现方式的电子元件的制造方法根据本发明的第1种实现方式至第6种实现方式中任一种实现方式的电子元件的制造方法：在所述类金刚石碳层形成步骤中，在所述腔室内进行溅镀处理，由此在所述基层的所述一方向侧形成所述类金刚石碳层。
本发明的第8种实现方式的电子元件的制造方法根据本发明的第1种实现方式至第6种实现方式中任一种实现方式的电子元件的制造方法：在所述类金刚石碳层形成步骤中，在所述腔室内进行化学蒸镀处理，由此在所述基层的所述一方向侧形成所述类金刚石碳层。
本发明的第9种实现方式的电子元件的制造方法根据本发明的第1种实现方式至第8种实现方式中任一种实现方式的电子元件的制造方法：在所述剥离步骤中，从所述基层侧对所述类金刚石碳层执行闪光灯退火。
本发明的第10种实现方式的层叠体包括：基层；类金刚石碳层，形成在所述基层的一方向侧；以及电子元件，形成在所述类金刚石碳层的所述一方向侧；且当一面向腔室内供给含有氢的气体，一面在所述腔室内形成所述类金刚石碳层时，调整相对于供给至所述基层的所述一方向侧的碳的供给量的所述氢的供给量的比率。
本发明的第11种实现方式的层叠体根据本发明的第10种实现方式的层叠体：所述类金刚石碳层中的氢含有率沿着其厚度方向而变化。
本发明的第12种实现方式的层叠体根据本发明的第11种实现方式的层叠体：所述类金刚石碳层包括第1区域，位于所述厚度方向上的所述基层侧；第2区域，位于所述厚度方向上的中央侧；以及第3区域，位于所述厚度方向上的所述电子元件侧；且所述第1区域及所述第3区域中的至少一个区域中的氢含有率高于所述第2区域中的氢含有率。
本发明的第13种实现方式的层叠体根据本发明的第12种实现方式的层叠体：关于所述厚度方向，所述第1区域中的氢含有率高于所述第2区域中的氢含有率。
本发明的第14种实现方式的层叠体根据本发明的第12种实现方式的层叠体：关于所述厚度方向，所述第3区域中的氢含有率高于所述第2区域中的氢含有率。
本发明的第15种实现方式的层叠体根据本发明的第12种实现方式的层叠体：所述第1区域及所述第3区域中的氢含有率高于所述第2区域中的氢含有率。
本发明的第16种实现方式的层叠体根据本发明的第10种实现方式至第15种实现方式中任一种实现方式的层叠体：所述类金刚石碳层通过在所述腔室内进行溅镀处理而形成。
本发明的第17种实现方式的层叠体根据本发明的第10种实现方式至第15种实现方式中任一种实现方式的层叠体：所述类金刚石碳层通过在所述腔室内进行化学蒸镀处理而形成。
[发明的效果]
在本发明的第1至第17的任一个种实现方式中，DLC层作为通过使该层中的氢成分进行气化而从基层上剥离电子元件的剥离层发挥功能。因此，通过事先调整DLC层中的氢含有率，其后可从基层上良好地剥离电子元件。
附图说明
图1是示意性地表示制造电子元件的过程的侧面图。
图2是示意性地表示制造电子元件的过程的侧面图。
图3是示意性地表示制造电子元件的过程的侧面图。
图4是示意性地表示制造电子元件的过程的侧面图。
图5是示意性地表示DLC层的扩大侧面图。
图6是表示第1处理例的DLC层的膜厚与氢含有率的关系的图表。
图7是表示第2处理例的DLC层的膜厚与氢含有率的关系的图表。
图8是表示第3处理例的DLC层的膜厚与氢含有率的关系的图表。
图9是表示第4处理例的DLC层的膜厚与氢含有率的关系的图表。
图10是表示第5处理例的DLC层的膜厚与氢含有率的关系的图表。
附图标记说明：
110：基层；
120：DLC层；
121：第1区域；
122：第2区域；
123：第3区域；
123A：部分区域；
129：固形物；
130：电子元件；
131：支撑层；
132：障壁层；
133：TFT电路层；
200：层叠体。
具体实施方式
以下，一面参照附图，一面对本发明的实施例进行说明。在附图中对具有同样的构成及功能的部分标注相同的符号，并省略重复说明。再者，以下的实施例是将本发明加以具体化的一例，并非限定本发明的技术范围的事例。另外，在附图中，为了容易理解，有时将各部的尺寸或数量加以夸张或简化来图示。
＜1实施例＞
＜1.1电子元件制造处理的整体的流程＞
图1～图4是示意性地表示制造电子元件130的过程的侧面图。以下，一面参照各图，一面对制造电子元件130时的整体的流程进行说明。
首先，作为基层110，例如准备厚度为0.5mm～1.1mm的玻璃基板等刚性材料。然后，一面向未图示的腔室内供给含有氢的气体，一面在该腔室内在基层110的一方向侧形成DLC层120(DLC层形成步骤：图2)。在DLC层形成步骤中，例如一面供给乙炔气一面进行使用等离子的化学蒸镀处理(以下，称为等离子化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)处理)，由此形成具有1nm～500nm的膜厚的DLC层120。此处，所谓DLC层120，是指非晶质的碳层。
另外，在DLC层形成步骤中，调整相对于供给至基层110的一方向侧的碳的供给量的氢的供给量的比率。由此，也调整DLC层120中的氢含有率。与包含其他原材料的层(例如，非晶硅层)相比，DLC层120的氢含有率的可调整范围广，例如在0～50％的范围内调整DLC层120中的氢含有率。
在如本实施例般，在形成DLC层120的阶段使层中含有氢的实现方式中，与向形成后的层中注入氢离子的实现方式(例如，日本专利特开2004-335968号公报中所记载的实现方式)相比，处理时间得到缩短。另外，在本实施例的实现方式中，如其后在＜1.2DLC层形成步骤的处理例＞中所述般，可精密地调整DLC层120中的氢含有率。
继而，在DLC层120的所述一方向侧形成电子元件130(电子元件形成步骤：图3)。以下，作为一例，对电子元件130为依次层叠有支撑层131、障壁层132、及薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，TFT)电路层133的TFT元件的情况进行说明。
在此情况下，首先通过狭缝涂布法等方法来将聚酰胺酸的溶液涂布在DLC层120上，并在350℃以上的温度下对该溶液进行煅烧。由此，聚酰胺酸的溶液进行酰亚胺化，而在DLC层120上形成聚酰亚胺的支撑层131。然后，在该支撑层131上，例如通过等离子CVD处理来使氮化硅膜等障壁层132成膜。进而，经过阵列工序(array process)而在该障壁层132上形成TFT电路层133。由此，可获得具有基层110与DLC层120及电子元件130的层叠体200。
若如本实施例般基层110具有刚性，则即便在电子元件130具有柔性的情况下，生成层叠体200的过程的中间体作为整体也具有刚性。因此，可对形状稳定的中间体执行用以形成电子元件130的各处理，而可形成具有良好的电特性的电子元件130。
然后，使DLC层120中的氢成分进行气化，由此从基层110上剥离电子元件130(剥离步骤：图4)。具体而言，例如从基层110侧对层叠体200执行Xe闪光灯退火。基层110如所述般包含玻璃，而使Xe闪光灯所发出的光线透过。因此，对DLC层120进行几毫秒加热后DLC层120中的氢成分进行气化，而从基层110上剥离电子元件130。
剥离后的电子元件130经过其后的处理而得以制品化。在本实施例中，电子元件130的支撑层131包含聚酰亚胺，由此可获得柔性的电子元件130。另外，剥离后的基层110作为用以制造后续的电子元件130的基层而得到再利用。
再者，如图4所示，剥离步骤后也存在DLC的固形物129以附着的状态残留在基层110的一方向侧(图示上侧)及电子元件130的另一方向侧(图示下侧)的情况。在此情况下，视需要执行去除固形物129的去除处理。当对附着在基层110上的固形物129进行去除处理时，例如进行使氧等离子作用于固形物129来将DLC中的碳成分气化成二氧化碳的等离子清洗处理。
＜1.2DLC层形成步骤的处理例＞
如上所述，DLC层作为通过使该层中的氢成分进行气化而从基层110上剥离电子元件130的剥离层发挥功能。
在本实施例中，在DLC层形成步骤中，以相对于供给至基层110的一方向侧的碳的供给量的氢的供给量的比率经时地变化的方式进行调整。具体而言，例如准备可供给至进行等离子CVD处理的腔室内的多种气体，并适宜地调整所述多种气体的供给量，由此调整所述比率。其结果，DLC层形成步骤中所形成的DLC层120中的氢含有率得到调整，在其后的剥离步骤中可从基层110上良好地剥离电子元件130。
图5是示意性地表示DLC层120的扩大侧面图。
在DLC层形成步骤中，首先，形成位于DLC层120中的厚度方向上的基层110侧的第1区域121(前期步骤)。其次，形成位于DLC层120中的厚度方向上的中央侧的第2区域122(中期步骤)。最后，形成位于DLC层120中的厚度方向上的电子元件130侧的第3区域123(后期步骤)。
以下，一面参照图5及后述的图6～图10，一面对DLC层形成步骤的5个处理例进行说明。
＜1.2.1第1处理例＞
图6是表示第1处理例的DLC层120的膜厚与氢含有率的关系的图表。
在第1处理例中，以相对于供给至基层110的一方向侧的碳的供给量的氢的供给量的比率在后期步骤中高于中期步骤的方式进行调整。更具体而言，以所述比率按照前期步骤、中期步骤、后期步骤的顺序阶段性地增加的方式进行调整。其结果，在第1处理例中所形成的DLC层120中，第2区域122中的氢含有率高于第1区域121中的氢含有率，且第3区域123中的氢含有率高于第2区域122中的氢含有率。
因此，若在剥离步骤中对DLC层120执行闪光灯退火，则在DLC层120中的氢含有率相对高的第3区域123中，相对多的氢进行气化。其结果，进一步促进电子元件130侧的剥离，DLC的固形物129难以附着在剥离后的电子元件130上。
＜1.2.2第2处理例＞
图7是表示第2处理例的DLC层120的膜厚与氢含有率的关系的图表。
在第2处理例中，以相对于供给至基层110的一方向侧的碳的供给量的氢的供给量的比率在前期步骤中高于中期步骤的方式进行调整。更具体而言，以所述比率按照前期步骤、中期步骤、后期步骤的顺序阶段性地减少的方式进行调整。其结果，在第2处理例中所形成的DLC层120中，第2区域122中的氢含有率高于第3区域123中的氢含有率，且第1区域121中的氢含有率高于第2区域122中的氢含有率。
因此，若在剥离步骤中对DLC层120执行闪光灯退火，则在DLC层120中的氢含有率相对高的第1区域121中，相对多的氢进行气化。其结果，进一步促进基层110侧的剥离，DLC的固形物129难以附着在剥离后的基层110上。
＜1.2.3第3处理例＞
图8是表示第3处理例的DLC层120的膜厚与氢含有率的关系的图表。
在第3处理例中，以相对于供给至基层110的一方向侧的碳的供给量的氢的供给量的比率在前期步骤及后期步骤中高于中期步骤的方式进行调整。更具体而言，以所述比率在从前期步骤过渡至中期步骤时减少，从中期步骤过渡至后期步骤时再次增加的方式进行调整。其结果，在第3处理例中所形成的DLC层120中，第1区域121及第3区域123中的氢含有率高于第2区域122中的氢含有率。
因此，若在剥离步骤中对DLC层120执行闪光灯退火，则在DLC层120中的氢含有率相对高的第1区域121及第3区域123中，相对多的氢进行气化。其结果，进一步促进基层110侧及电子元件130侧的剥离，DLC的固形物129难以附着在剥离后的基层110及电子元件130上。
＜1.2.4第4处理例＞
图9是表示第4处理例的DLC层120的膜厚与氢含有率的关系的图表。
在第4处理例中，与第1处理例同样地，以相对于供给至基层110的一方向侧的碳的供给量的氢的供给量的比率在后期步骤中高于中期步骤的方式进行调整。再者，在第4处理例中，与第1处理例不同，以所述比率按照前期步骤、中期步骤、后期步骤的顺序在各步骤内也增加的方式进行调整。其结果，在第4处理例中所形成的DLC层120中，第2区域122中的氢含有率高于第1区域121中的氢含有率，且第3区域123中的氢含有率高于第2区域122中的氢含有率。尤其在第3区域123内，越靠近电子元件130侧，氢含有率也变得越高。
因此，若在剥离步骤中对DLC层120执行闪光灯退火，则在DLC层120中的氢含有率相对高的第3区域123(特别是第3区域123内靠近电子元件130的部分)中，相对多的氢进行气化。其结果，进一步促进电子元件130侧的剥离，DLC的固形物129难以附着在剥离后的电子元件130上。
＜1.2.5第5处理例＞
图10是表示第5处理例的DLC层120的膜厚与氢含有率的关系的图表。
在第5处理例中，与第1处理例同样地，以相对于供给至基层110的一方向侧的碳的供给量的氢的供给量的比率在后期步骤中高于中期步骤的方式进行调整。再者，在第5处理例中，与第1处理例不同，以除了后期步骤的一部分以外，所述比率在各步骤中成为固定的方式进行调整，并以仅在后期步骤的一部分中增加的方式进行调整。其结果，在第5处理例中所形成的DLC层120中，第3区域123中的氢含有率高于第1区域121及第2区域122中的氢含有率。尤其在第3区域123内的部分区域123A(对应于所述后期步骤的一部分的区域)中，氢含有率变高。
因此，若在剥离步骤中对DLC层120执行闪光灯退火，则在DLC层120中的氢含有率相对高的第3区域123(特别是部分区域123A)中，相对多的氢进行气化。其结果，进一步促进电子元件130侧的剥离，DLC的固形物129难以附着在剥离后的电子元件130上。
另外，在第5处理例中，如图10所示，从电子元件130隔开间隔来设置部分区域123A。因此，即便在部分区域123A中相对多的氢进行气化，其影响也不会直接到达电子元件130的底面(图4中所示的下侧的面)。因此，抑制电子元件130的底面因部分区域123A中相对多的氢进行气化而受到损害。
＜2变形例＞
以上，对本发明的实施例进行了说明，但只要不脱离其主旨，则该发明除了所述实施例以外，也可进行各种变更。
在所述实施例中，对电子元件130为TFT元件的情况进行了说明，但并不限定于此。除了TFT元件以外，电子元件130也可以包含EL显示装置等各种元件。
另外，在所述实施例中，对电子元件130的支撑层131包含聚酰亚胺层的实现方式进行了说明，但并不限定于此。支撑层131可包含聚酰亚胺以外的有机树脂层，另外，作为其他例，也可以包含比基层110薄的玻璃基板(例如，0.1mm～0.2mm)。
另外，在所述实施例中，对在DLC层形成步骤中进行等离子CVD处理的实现方式进行了说明，但并不限定于此。在DLC层形成步骤中，也可以执行等离子CVD处理以外的处理，例如化学蒸镀处理、离子束蒸镀处理、阴极电弧蒸镀处理、或溅镀处理等。
例如，当通过溅镀处理来进行DLC层形成步骤时，使氩离子碰撞靶材的碳，由此靶材的粒子堆积在基层110上而形成DLC层120。因此，在溅镀处理中，可形成氢含有率低的DLC层120。
另一方面，当通过等离子CVD处理来进行DLC层形成步骤时，使用含有碳成分与氢成分的处理气体(例如，乙炔)，并通过化学作用来使气体中的粒子堆积在基层110上而形成DLC层120。因此，在等离子CVD处理中，只要调整等离子强度或处理气体的成分比，便能够以范围广的氢含有率选择性地形成DLC层120。
另外，在所述实施例中，对第1处理例至第5处理例进行了说明，但这些处理例仅为可应用本发明的处理的例示，也可以进行其他处理。例如，在图10所示的第5处理例中，在第3区域123中设置有氢含有率局部高的区域(部分区域123A)，但也可以在第1区域121中设置氢含有率局部高的区域(与部分区域123A相同的区域)。
另外，在第1处理例至第5处理例的任一者中，均对以相对于供给至基层110的一方向侧的碳的供给量的氢的供给量的比率在前期步骤及后期步骤中的至少一个步骤中高于中期步骤的方式进行调整的情况进行了说明。即，对第1区域121及第3区域123中的至少一个区域中的氢含有率高于第2区域122中的氢含有率的DLC层120进行了说明。并不限定于此，也能够以所述比率在中期步骤中高于前期步骤或后期步骤的方式进行调整。在此情况下，可获得第2区域122中的氢含有率高于第1区域121或第3区域123中的氢含有率的DLC层120。另外，作为其他例，也能够以所述比率在前期步骤、中期步骤、及后期步骤中成为固定的方式进行调整。在此情况下，可获得第1区域121、第2区域122、及第3区域123中的氢含有率固定的DLC层120。
另外，在所述实施例中，对在剥离步骤中从基层110侧对层叠体200执行Xe闪光灯退火的实现方式进行了说明，但并不限定于此。例如，也可以是在剥离步骤中从基层110侧对层叠体200照射激光的实现方式。在此情况下，激光的照射区域为DLC层120的整个面的一部分，但通过对所述整个面扫描激光，在DLC层120的整个面中，层中的氢成分进行气化，而从基层110上剥离电子元件130。
再者，在执行闪光灯退火的实现方式中，可对DLC层120的基层110侧的整个面进行加热，与照射激光的实现方式不同，不需要所述扫描，因此可缩短剥离步骤所需的时间。另外，在执行闪光灯退火的实现方式中，与照射激光的实现方式不同，因输出功率高而对支撑层131(进而，电子元件130)造成损害之虞小。
以上，对实施例及其变形例的电子元件的制造方法及层叠体进行了说明，但这些是本发明中优选的实施例的例子，并不限定本发明的实施范围。本发明可在所述发明的范围内进行各实施例的自由的组合、或各实施例的任意的构成要素的变形、或各实施例中任意的构成要素的增减。

Claims (13)

1.一种电子元件的制造方法，其特征在于包括：
类金刚石碳层形成步骤，一面向腔室内供给含有氢的气体，一面在所述腔室内在基层的一方向侧形成类金刚石碳层；
电子元件形成步骤，在所述类金刚石碳层的所述一方向侧形成电子元件，而获得具有所述基层、所述类金刚石碳层及所述电子元件的层叠体；以及
剥离步骤，使所述类金刚石碳层中的氢成分进行气化而从所述基层上剥离所述电子元件；且
在所述类金刚石碳层形成步骤中，调整相对于供给至所述基层的所述一方向侧的碳的供给量的所述氢的供给量的比率，
在所述类金刚石碳层形成步骤中，以所述比率经时地变化的方式进行调整，
所述类金刚石碳层形成步骤包括：
前期步骤，形成位于所述类金刚石碳层中的厚度方向上的所述基层侧的第1区域；
中期步骤，形成位于所述类金刚石碳层中的所述厚度方向上的中央侧的第2区域；以及
后期步骤，形成位于所述类金刚石碳层中的所述厚度方向上的所述电子元件侧的第3区域；且
在所述类金刚石碳层形成步骤中，以所述比率在所述前期步骤及所述后期步骤中的至少一个步骤中高于所述中期步骤的方式进行调整。
2.根据权利要求1所述的电子元件的制造方法，其特征在于：
在所述类金刚石碳层形成步骤中，以所述比率在所述前期步骤中高于所述中期步骤的方式进行调整。
3.根据权利要求1所述的电子元件的制造方法，其特征在于：
在所述类金刚石碳层形成步骤中，以所述比率在所述后期步骤中高于所述中期步骤的方式进行调整。
4.根据权利要求1所述的电子元件的制造方法，其特征在于：
在所述类金刚石碳层形成步骤中，以所述比率在所述前期步骤及所述后期步骤中高于所述中期步骤的方式进行调整。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子元件的制造方法，其特征在于：
在所述类金刚石碳层形成步骤中，在所述腔室内进行溅镀处理，由此在所述基层的所述一方向侧形成所述类金刚石碳层。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的电子元件的制造方法，其特征在于：
在所述类金刚石碳层形成步骤中，在所述腔室内进行化学蒸镀处理，由此在所述基层的所述一方向侧形成所述类金刚石碳层。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的电子元件的制造方法，其特征在于：
在所述剥离步骤中，从基层侧对所述类金刚石碳层执行闪光灯退火。
8.一种层叠体，其特征在于包括：
基层；
类金刚石碳层，形成在所述基层的一方向侧；以及
电子元件，形成在所述类金刚石碳层的所述一方向侧；且
当一面向腔室内供给含有氢的气体，一面在所述腔室内形成所述类金刚石碳层时，调整相对于供给至所述基层的所述一方向侧的碳的供给量的所述氢的供给量的比率，
所述类金刚石碳层中的氢含有率沿着其厚度方向而变化，
所述类金刚石碳层包括：
第1区域，位于所述厚度方向上的所述基层侧；
第2区域，位于所述厚度方向上的中央侧；以及
第3区域，位于所述厚度方向上的所述电子元件侧；且
所述第1区域及所述第3区域中的至少一个区域中的氢含有率高于所述第2区域中的氢含有率。
9.根据权利要求8所述的层叠体，其特征在于：
关于所述厚度方向，所述第1区域中的氢含有率高于所述第2区域中的氢含有率。
10.根据权利要求8所述的层叠体，其特征在于：
关于所述厚度方向，所述第3区域中的氢含有率高于所述第2区域中的氢含有率。
11.根据权利要求8所述的层叠体，其特征在于：
所述第1区域及所述第3区域中的氢含有率高于所述第2区域中的氢含有率。
12.根据权利要求8至11中任一项所述的层叠体，其特征在于：
所述类金刚石碳层通过在所述腔室内进行溅镀处理而形成。
13.根据权利要求8至11中任一项所述的层叠体，其特征在于：
所述类金刚石碳层通过在所述腔室内进行化学蒸镀处理而形成。
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