CN107032796A - 自愈合SiC/ZrSi2‑MoSi2涂层材料及制备方法 - Google Patents

自愈合SiC/ZrSi2‑MoSi2涂层材料及制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种自愈合SiC/ZrSi2‑MoSi2涂层材料及制备方法,其特征在于由以下质量百分比的成分组成:20%~50%ZrSi2,50%~80%MoSi2。在MoSi2陶瓷中引入均匀分布的ZrSi2使热喷涂陶瓷涂层中的裂纹尺寸从8.3μm减小到4.5μm。作为自愈合相,ZrSi2能在1450℃高温条件下氧化3~10h生成SiO2玻璃流动相愈合裂纹;同时生成ZrO2,发生体积膨胀并在涂层中产生压应力,抑制了降温过程中裂纹的产生。与传统方法相比,自愈合SiC/ZrSi2‑MoSi2陶瓷涂层的抗氧化性能由现有的29h失重2.24%提高到41h增重1.89%,且涂层截面无明显缺陷。拥有自愈合性能将使该涂层满足作为C/C复合材料高温涂层材料的要求。

Description

自愈合SiC/ZrSi2-MoSi2涂层材料及制备方法
技术领域
本发明属于自愈合涂层材料技术领域,涉及一种自愈合SiC/ZrSi2-MoSi2涂层材料及制备方法,具体涉及一种通过引入合金组分ZrSi2制备具有自愈合性能的SiC/ZrSi2-MoSi2复相陶瓷涂层的方法。
背景技术
C/C复合材料作为高温热结构材料在航空航天等领域有着广泛应用前景,然而在高于400℃的含氧气氛中就会被氧化腐蚀,从而严重影响材料的性能,制备高温涂层是解决该问题的有效途径。MoSi2陶瓷具有优异的高温抗氧化性能,是涂层的候选材料之一。然而,陶瓷材料存在脆性大、易断裂的缺点,尤其是用等离子喷涂法沉积的涂层,在制备过程中不可避免的受到温度骤变的影响,从而导致裂纹的产生。在涂层服役的过程中,裂纹会不断扩展,为氧气提供扩散通道,加速基底的氧化破坏甚至导致涂层剥落失效,使基体暴露受到侵蚀,这极大的限制了其实际应用的可靠性。因而,亟需研制一种能够愈合裂纹并恢复结构完整性的高温涂层。
自愈合涂层,即氧气在穿透的过程中与涂层材料发生反应生成流动相,进而填充并愈合裂纹,阻碍氧气的进一步腐蚀。单纯的MoSi2涂层虽然在高温下能氧化生成流动相SiO2,但是由于该材料本身的脆性导致涂层中裂纹尺寸过宽,难以完全愈合,需要与其他愈合相复合。文献1“T Ouyang,S Xiong,Y Zhang,D Liu,X Fang,Y Wang,S Feng,T Zhou,HSuo.Cycle oxidation behavior of SiC-containing self-healing TBC systemsfabricated by APS.Journal of Alloys and Compounds,2017[691]:811-821.”中指出热障涂层结构疏松,并存在裂纹,服役时易剥落失效。添加SiC自愈合组元后,该涂层的韧性和抗氧化性能得到提高,这主要是SiC氧化后生成的SiO2玻璃相对涂层缺陷的愈合作用。然而SiC氧化过程中会生成气体,并且单纯的SiO2相熔融流动温度范围较窄,对氧渗透的阻碍能力也有限。文献2“H Ouyang,C Li,J Huang,L Cao,J Fei,J Lu,Z Xu.Self-healing ZrB2-SiO2oxidation resistance coating for SiC coated carbon/carboncomposites.Corrosion Science,2016[110]:265-272”中指出在高温下,ZrB2氧化生成ZrO2和ZrSiO4会有体积膨胀,形成压应力来抑制涂层在降温时再次形成裂纹的趋势。然而在等离子喷涂的过程中高温会使低熔点的SiO2挥发,残留于涂层中的SiO2含量有限,难以愈合涂层中较大的孔洞和裂纹。此外,硼化物在1450℃高温下生成的B2O3剧烈挥发,会在玻璃相中形成较大的孔洞,影响涂层防护效果。因此,探寻一种能够形成阻氧率高的复相玻璃,并且在高温下无气态物质生成的自愈合相,是提升等离子喷涂法制备抗氧化涂层的关键。
发明内容
要解决的技术问题
为了避免现有技术的不足之处,本发明提出一种自愈合SiC/ZrSi2-MoSi2涂层材料及制备方法
技术方案
一种自愈合SiC/ZrSi2-MoSi2涂层材料,其特征在于组份的质量百分比为:20~50%的ZrSi2和50~80%的MoSi2
所述ZrSi2粉和MoSi2粉的平均粒径不超过5μm。
所述ZrSi2粉和MoSi2粉的纯度不低于99%。
一种利用所述任一项自愈合SiC/ZrSi2-MoSi2涂层材料在SiC包埋C/C复合材料制备的ZrSi2-MoSi2涂层的方法,其特征在于步骤如下:
步骤1:将ZrSi2粉和MoSi2粉混合得到混合粉;
步骤2:将混合粉与3%的PVA溶液混合得到料浆,混合体积比为1:1;
步骤3:将混合料浆进行离心喷雾干燥,得到球化粉末;所述的离心喷雾进口温度为300~350℃,出口温度为100~150℃;
步骤4:将球化粉末等离子喷涂在SiC包埋C/C复合材料上,得到ZrSi2-MoSi2涂层。
所述步骤4中SiC包埋C/C复合材料的制备过程为:
步骤a:将C/C复合材料并用无水乙醇超声清洗后烘干;
步骤b、包埋熔渗:将C/C复合材料置于石墨坩埚中并埋入包埋原料中,石墨坩埚置于高温石墨化热处理炉中常压处理1~2h,以氩气为保护气体,处理温度为1900~2000℃,升温速率为10℃/min,自然冷却,得到表面为SiC包埋涂层的C/C复合材料;
所述包埋原料组份的质量分数为:65~80%的硅粉,10~20%的碳粉和10~15%的氧化铝粉;
所述包埋原料的制备为:三种粉料在氧化锆球磨罐中混合为包埋原料。
所述三种粉料的粒度为300目。
有益效果
本发明提出的一种自愈合SiC/ZrSi2-MoSi2涂层材料及制备方法,针对现有等离子喷涂技术制备的陶瓷涂层中存在裂纹这一问题,提出在MoSi2陶瓷涂层中添加ZrSi2组分构建具有自愈合性能的SiC/ZrSi2-MoSi2涂层的方法,旨在降低基体和涂层热失配产生的应力,通过多相镶嵌结构的设计减小涂层的裂纹尺寸,利用ZrO2的体积相变及其对SiO2玻璃的镶嵌达到缝合裂纹并最终完全愈合的效果。与传统单相涂层相比,自愈合SiC/ZrSi2-MoSi2陶瓷涂层防护的C/C复合材料由氧化测试29h后失重2.24%提高到41h后增重1.89%,且涂层截面无明显缺陷,可在高温含氧环境中有效防护C/C基体。
附图说明
图1是自愈合SiC/ZrSi2-MoSi2涂层的表面裂纹形貌
图2是自愈合SiC/ZrSi2-MoSi2涂层在1450℃愈合后的表面形貌
具体实施方式
现结合实施例、附图对本发明作进一步描述:
步骤1:将C/C复合材料切成10×10×10mm3的小块,并用无水乙醇超声清洗1h后,置于80℃的鼓风干燥箱中烘干2h备用.
步骤2:在C/C复合材料表面制备SiC过渡层,具体过程为:
1)配备包埋法所需粉料:分别称取质量分数为65~80%的硅粉(300目),10~20%的碳粉(300目)和10~15%的氧化铝粉(300目),同时倒入氧化锆球磨罐中,以200r/min的转速混合2h,得到混合均匀的包埋原料;
2)包埋熔渗:在石墨坩埚内部铺两层石墨纸,然后在坩埚内把步骤1所得的C/C复合材料埋入混合好的包埋原料中。将准备好的坩埚置于高温石墨化热处理炉中常压处理1~2h,以氩气为保护气体,处理温度为1900~2000℃,升温速率为10℃/min,自然冷却,得到表面为SiC包埋涂层的C/C复合材料试样。
步骤3:在SiC包埋C/C复合材料的表面制备ZrSi2-MoSi2涂层,具体过程为:
1)配备等离子喷涂粉料:将质量分数为20~50%的ZrSi2加入MoSi2中,倒入氧化锆球磨罐中200r/min的转速球磨混合1~2h。然后将ZrSi2-MoSi2与3wt%的PVA溶液混合均匀,经离心干燥处理得到易于喷涂的球化团聚粉料。离心机的进口温度为300~350℃,出口温度为100~150℃,进料速度300~500ml/h,所得到的团聚粉料平均半径约为40μm。
2)制备等离子喷涂涂层:将上述所得到的球化粉末,置于等离子喷涂设备的送粉器中,在SiC包埋C/C复合材料表面喷涂得到ZrSi2-MoSi2涂层。进料速度为15~25g/min,功率为45~55kW。
步骤4:将制备好的试样置于1450℃的氧化炉中处理3~10h。然后,取出在空气中自然冷却。通过扫描电子显微镜观察涂层表面和截面的裂纹愈合情况。
具体实施例:
实施案例1
步骤1:将C/C复合材料切成10×10×10mm3的小块,并用无水乙醇超声波清洗1h后,置于80℃的鼓风干燥箱中烘干2h备用.
步骤2:在C/C复合材料表面制备SiC过渡层,具体过程为:
1)配备包埋法所需粉料:分别称取质量分数为65g的硅粉(300目),20g的碳粉(300目)和15g的氧化铝粉(300目),同时倒入氧化锆球磨罐中,以200r/min的转速混合2h,得到混合均匀的包埋原料粉末;
2)包埋熔渗:在石墨坩埚内部铺几层石墨纸,然后在坩埚内把步骤1所得的C/C复合材料试样埋入混合好的包埋原料中。将准备好的坩埚置于高温石墨化热处理炉中常压处理2h,以氩气为保护气体,处理温度为2000℃,升温速度为10℃/min,自然冷却,得到表面为SiC包埋涂层的C/C复合材料试样。
步骤3:在SiC包埋C/C复合材料的表面制备ZrSi2-MoSi2涂层,具体过程为:
1)配备等离子喷涂粉料:将40g的ZrSi2加入160g的MoSi2中,倒入氧化锆球磨罐中200r/min的转速球磨混合2h。然后将200gZrSi2-MoSi2混合粉与200ml3wt%的PVA溶液混合均匀,经离心干燥处理后得到150g球化的粉料。离心机的进口温度为300℃,出口温度为100℃,进料速度500ml/h。
2)制备等离子喷涂涂层:将上述所得到的150g球化粉末,置于等离子喷涂设备的送粉器中,在SiC包埋C/C复合材料表面喷涂ZrSi2-MoSi2涂层。进料速度为20g/min,功率为45kW。
步骤4:将制备好的试样置于1450℃的氧化炉中连续处理4h。然后,取出在空气中自然冷却。用扫描电子显微镜观察涂层表面和截面的裂纹愈合情况,发现涂层中原有的裂纹完全被ZrO2镶嵌SiO2复相玻璃填充愈合。最终自愈合SiC/ZrSi2-MoSi2陶瓷涂层的抗氧化性能为30h增重2.59%。
实施案例2
步骤1:将C/C复合材料切成10×10×10mm3的小块,并用无水乙醇超声波清洗1h后,置于80℃的鼓风干燥箱中烘干2h备用.
步骤2:在C/C复合材料表面制备SiC过渡层,具体过程为:
1)配备包埋法所需粉料:分别称取质量分数为80的硅粉(300目),10的碳粉(300目)和10g的氧化铝粉(300目),同时倒入氧化锆球磨罐中,以200r/min的转速混合2h,得到混合均匀的包埋原料粉末;
2)包埋熔渗:在石墨坩埚内部铺两层石墨纸,然后在坩埚内把步骤1所得的C/C复合材料试样埋入混合好的包埋原料中。将准备好的坩埚置于高温石墨化热处理炉中常压处理2h,以氩气为保护气体,处理温度为1900℃,得到表面为SiC包埋涂层的C/C复合材料试样。
步骤3:在SiC包埋C/C复合材料的表面制备ZrSi2-MoSi2涂层,具体过程为:
1)配备等离子喷涂粉料:将80g的ZrSi2加入120g MoSi2中,倒入氧化锆球磨罐中200r/min的转速球磨混合2h。然后将200g ZrSi2-MoSi2混合粉与200ml 3wt%的PVA溶液混合均匀,经离心干燥处理得到160g球化的粉料。离心机的进口温度为330℃,出口温度为120℃,进料速度450ml/h。
2)制备等离子喷涂涂层:将上述所得到的球化粉末,置于等离子喷涂设备的送粉器中,在SiC包埋C/C复合材料表面喷涂得到ZrSi2-MoSi2涂层。进料速度为18g/min,功率为47kW。
步骤4:将制备好的试样置于1450℃的氧化炉中连续处理4h。然后,取出在空气中自然冷却。用扫描电子显微镜观察涂层表面和截面的裂纹愈合情况,发现涂层中原有的裂纹完全被ZrO2镶嵌SiO2复相玻璃填充愈合。最终自愈合SiC/ZrSi2-MoSi2陶瓷涂层的抗氧化性能为24h增重2.27%。
实施案例3
步骤1:将C/C复合材料切成10×10×10mm3的小块,并用无水乙醇超声波清洗1h后,置于80℃的鼓风干燥箱中烘干2h备用.
步骤2:在C/C复合材料表面制备SiC过渡层,具体过程为:
1)配备包埋法所需粉料:分别称取质量分数为70g的硅粉(300目),20g的碳粉(300目)和10g的氧化铝粉(300目),同时倒入氧化锆球磨罐中,以200r/min的转速混合2h,得到混合均匀的包埋原料粉末;
2)包埋熔渗:在石墨坩埚内部铺两层石墨纸,然后在坩埚内把步骤1所得的C/C复合材料试样埋入混合好的包埋原料中。将准备好的坩埚置于高温石墨化热处理炉中常压处理2h,以氩气为保护气体,处理温度为2000℃,得到表面为SiC包埋涂层的C/C复合材料试样。
步骤3:在SiC包埋C/C复合材料的表面制备ZrSi2-MoSi2涂层,具体过程为:
1)配备等离子喷涂粉料:将质量分数为100g的ZrSi2加入100g MoSi2中,倒入氧化锆球磨罐中200r/min的转速球磨混合2h。然后将200g的ZrSi2-MoSi2混合粉与200ml3wt%的PVA溶液混合均匀,经离心干燥处理得到130g球化的粉料。离心机的进口温度为310℃,出口温度为130℃,进料速度400ml/h。
2)制备等离子喷涂涂层:分别将上述所得到的球化粉末,置于等离子喷涂设备的送粉器中,在SiC包埋C/C复合材料表面制备得到ZrSi2-MoSi2涂层。进料速度为20g/min,功率为45kW。
步骤4:将制备好的试样置于1450℃的氧化炉中连续处理5h。然后,取出在空气中自然冷却。用扫描电子显微镜观察涂层表面和截面的裂纹愈合情况,发现涂层中原有的裂纹完全被ZrO2镶嵌SiO2复相玻璃填充愈合。最终自愈合SiC/ZrSi2-MoSi2陶瓷涂层的抗氧化性能为13h增重2.77%。

Claims (6)

1.一种自愈合SiC/ZrSi2-MoSi2涂层材料,其特征在于组份的质量百分比为:20~50%的ZrSi2和50~80%的MoSi2
2.根据权利要求1所述自愈合SiC/ZrSi2-MoSi2涂层材料,其特征在于:所述ZrSi2粉和MoSi2粉的平均粒径不超过5μm。
3.根据权利要求1所述自愈合SiC/ZrSi2-MoSi2涂层材料,其特征在于:所述ZrSi2粉和MoSi2粉的纯度不低于99%。
4.一种利用权利要求1~3所述任一项自愈合SiC/ZrSi2-MoSi2涂层材料在SiC包埋C/C复合材料制备的ZrSi2-MoSi2涂层的方法,其特征在于步骤如下:
步骤1:将ZrSi2粉和MoSi2粉混合得到混合粉;
步骤2:将混合粉与3%的PVA溶液混合得到料浆,混合体积比为1:1;
步骤3:将混合料浆进行离心喷雾干燥,得到球化粉末;所述的离心喷雾进口温度为300~350℃,出口温度为100~150℃;
步骤4:将球化粉末等离子喷涂在SiC包埋C/C复合材料上,得到ZrSi2-MoSi2涂层。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:所述步骤4中SiC包埋C/C复合材料的制备过程为:
步骤a:将C/C复合材料并用无水乙醇超声清洗后烘干;
步骤b、包埋熔渗:将C/C复合材料置于石墨坩埚中并埋入包埋原料中,石墨坩埚置于高温石墨化热处理炉中常压处理1~2h,以氩气为保护气体,处理温度为1900~2000℃,升温速率为10℃/min,自然冷却,得到表面为SiC包埋涂层的C/C复合材料;
所述包埋原料组份的质量分数为:65~80%的硅粉,10~20%的碳粉和10~15%的氧化铝粉;
所述包埋原料的制备为:三种粉料在氧化锆球磨罐中混合为包埋原料。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于:所述三种粉料的粒度为300目。
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