CN107026224A - 发光器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及发光器件及其制造方法。本发明技术的发光器件包括：衬底；设置在衬底上的第III族氮化物半导体层；设置在第III族氮化物半导体层上的电流阻挡层；设置在第III族氮化物半导体层和电流阻挡层上的透明导电氧化物膜；覆盖透明导电氧化物膜的至少一部分和第III族氮化物半导体层的介电膜；以及设置在介电膜上的含磷光体的树脂涂层。第III族氮化物半导体层的折射率大于透明导电氧化物膜的折射率。透明导电氧化物膜的折射率大于介电膜的折射率。介电膜的折射率大于含磷光体的树脂涂层的折射率。电流阻挡层的折射率小于含磷光体的树脂涂层的折射率。
Description
技术领域
本发明技术涉及发光器件和用于制造该装置的方法。
背景技术
通常，第III族氮化物半导体发光器件具有通过电子和空穴的复合发光的发光层、n型半导体层、以及p型半导体层。然而，在发光层中产生的光没有被完全从第III族氮化物半导体发光器件提取到外部。光被第III族氮化物半导体发光器件的构件部分地吸收，或被第III族氮化物半导体发光器件的构件反射。
为了解决这个问题，已经开发了用于从第III族氮化物半导体发光器件中适当地提取光的一些技术。在这些技术中，专利文献1公开了在ITO(折射率：约1.9)上形成透明高折射率膜15(TiO2)的技术(参见，例如，专利文献1的图6)。在透明高折射率膜15中，膜的折射率从ITO侧朝向光提取侧逐渐减小(参见专利文献1的[0060]段和图6)，由此可以有利于从发光层提取光。
专利文献1：日本公开特许公报(特开)第2013-84739号。
如上所述，即使半导体发光元件的光提取效率已成功地得到提高，但是当光进入含磷光体的树脂涂层时，从半导体发光元件发射的光可以被含磷光体的树脂涂层反射。另外，当光进入电极时，光在某种程度上被电极吸收。因而，通常开发的发光器件呈现出降低的光提取效率。
发明内容
为了解决传统技术中所涉及的上述问题，已经构思了本发明技术。因而，本发明技术的一个目的是提供一种实现对电极的光吸收的抑制以及易于光提取的发光器件。另一个目的是提供一种用于该发光器件的制造方法。
在本发明技术的第一方面，提供了一种发光器件，其包括：衬底；设置在衬底上的第III族氮化物半导体层；设置在第III族氮化物半导体层上的电流阻挡层；设置在第III族氮化物半导体层和电流阻挡层上的透明导电氧化物膜；覆盖第III族氮化物半导体层的至少一部分和透明导电氧化物膜的至少一部分的第一介电膜；以及设置在第一介电膜上的含磷光体的树脂涂层。第III族氮化物半导体层的折射率大于透明导电氧化物膜的折射率。透明导电氧化物膜的折射率大于第一介电膜的折射率。第一介电膜的折射率大于含磷光体的树脂涂层的折射率。电流阻挡层的折射率小于含磷光体的树脂涂层的折射率。
在发光器件中，折射率沿第III族氮化物半导体层、透明导电氧化物膜、第一介电膜和含磷光体的树脂涂层的方向减小。由发光层发射的光依次穿过第III族氮化物半导体层、透明导电氧化物膜、第一介电膜、以及含磷光体的树脂涂层。因而，由发光器件发射的光可以被提取到外部，而在一定程度上防止全反射。另外，电流阻挡层的折射率小于含磷光体的树脂涂层的折射率。因而，由第III族氮化物半导体层发射并且经由电流阻挡层入射到透明导电氧化物膜的光倾向于被电流阻挡层与透明导电氧化物膜之间的界面被反射。因此，经过该路径到达外部的光不可能在发光器件内部进行反射，而朝向电极行进的光易于在发光器件内部反射。因此，所发射的光没有被电极完全吸收，并且可以提取到外部。因此，本发明技术的发光器件呈现出优异的光提取率。
在本发明技术的第二方面，发光器件包括设置在透明导电氧化物膜上的反射膜以及覆盖反射膜的第二介电膜。另外，第二介电膜的折射率小于含磷光体的树脂涂层的折射率。
在本发明技术的第三方面，第一介电膜覆盖衬底的侧面。衬底的折射率大于第一介电膜的折射率。
在本发明技术的第四方面，发光器件的发射波长为400nm至800nm。
在本发明技术的第五方面，透明导电氧化物膜由IZO形成。
在本发明技术的第六方面，提供了一种用于制造发光器件的方法，该方法包括：在衬底上形成第III族氮化物半导体层的半导体层形成步骤；在第III族氮化物半导体层上形成电流阻挡层的电流阻挡层形成步骤；在第III族氮化物半导体层和电流阻挡层上形成透明导电氧化物膜的透明导电氧化物膜形成步骤；利用第一介电膜覆盖第III族氮化物半导体层的至少一部分和透明导电氧化物膜的至少一部分的第一介电膜形成步骤；以及在第一介电膜上形成含磷光体的树脂涂层的含磷光体的树脂涂层形成步骤。第III族氮化物半导体层的折射率大于透明导电氧化物膜的折射率。透明导电氧化物膜的折射率大于第一介电膜的折射率。第一介电膜的折射率大于含磷光体的树脂涂层的折射率。电流阻挡层的折射率小于含磷光体的树脂涂层的折射率。
在本发明技术的第七方面，发光器件制造方法包括在透明导电氧化物膜上形成反射膜的反射膜形成步骤以及利用第二介电膜覆盖反射膜的第二介电膜形成步骤。第二介电膜的折射率小于含磷光体的树脂涂层的折射率。
在本发明技术的第八个方面，第一介电膜形成在衬底的侧面上。衬底的折射率大于第一介电膜的折射率。
根据本发明技术的发光器件及其制造方法，可以抑制电极的光吸收，并且可以有利于至外部的光提取。
附图说明
由于在结合附图考虑的情况下，通过参考以下对优选实施方案的详细描述，本发明技术的各种其它目的、特征和许多附带优点将变得更好理解，所以可以容易地获得本发明技术的各种其它目的、特征和许多附带优点，在附图中：
图1是第一实施方案的发光器件的结构的平面图；
图2是图1的沿II-II截取的截面；
图3是示出层堆叠构造和各个层的折射率的示图；
图4是示出材料的波长-折射率关系的图；
图5是示出由发光器件发射的光的波长与光的强度之间的关系的图；
图6是在模拟中采用的堆叠构造的示意图；
图7是示出在光波长为450nm的情况下入射角与透射率之间的关系的图；
图8是示出在光波长为570nm的情况下入射角与透射率之间的关系的图；
图9是根据第一实施方案的变化方案的发光器件的结构的平面图；
图10是图9的沿X-X截取的截面；
图11是第二实施方案的发光器件的结构的平面图；
图12是图11的沿XII-XII截取的截面；以及
图13是第三实施方案的发光器件的结构的截面。
具体实施方式
参照附图，接下来将对本发明技术的半导体发光器件及其制造方法的具体实施方案进行详细描述。然而，这些实施方案不应被解释为限制本发明技术的技术。以下描述的该半导体发光器件的层和电极结构的堆叠构造仅用于说明的目的而给出，并且也可以采用不同于上述堆叠构造的其他堆叠构造。在附图中示出的层中的每一个的厚度不是实际值，而是概念值。
第一实施方案
1.发光器件
图1是示出根据第一实施方案的发光器件1的结构的平面图。图2是在图1中所示的发光器件1的沿II-II截取的截面。发光器件1具有发光元件100和含磷光体的树脂涂层200。发光器件1是发射白光的第III族氮化物半导体发光器件。发光器件1提供具有400nm至800nm的波长的光。发光元件100是面朝上型的半导体发光器件，其具有由第III族氮化物半导体形成的多个半导体层。
如图1和图2所示，发光元件100具有衬底110、n型半导体层120、发光层130、p型半导体层140、电流阻挡层CB1、透明导电氧化物膜TE1、介电膜F1、介电膜FN1、介电膜FP1、介电膜FK1、反射膜RN1、反射膜RP1、n侧点电极N1、n侧配线电极N2、n侧焊盘电极NE、p侧点电极P1、p侧配线电极P2和p侧焊盘电极PE。
衬底110用作用于支承半导体层的支承衬底，或者也可以用作生长衬底。衬底110的主表面优选为浮凸的。衬底110由蓝宝石制成或可以由另一材料例如SiC、ZnO、Si或GaN形成。
n型半导体层120、发光层130和p型半导体层140是形成在衬底110上的第III族氮化物半导体层。n型半导体层120包括n型接触层、n侧防静电击穿层和n侧超晶格层。n型半导体层120可以包括未掺杂有施主的未掺杂的GaN层或类似层。p型半导体层140包括p侧覆层和p型接触层。p型半导体层140可以包括未掺杂有受主的未掺杂的GaN层或类似层。n型半导体层120或p型半导体层140可以具有与上述构造不同的任意层结构。
电流阻挡层CB1是用于防止电流在电极正下方流动以及用于使电流在发光面中扩散的层。电流阻挡层CB1形成在p型半导体层140上。电流阻挡层CB1形成在p型半导体层140与透明导电氧化物膜TE1之间。电流阻挡层CB1由诸如MgF或SiO2的材料制成。
透明导电氧化物膜TE1形成在p型半导体层140和电流阻挡层CB1上。透明导电氧化物膜TE1用作透明电极。透明导电氧化物膜TE1的材料的实例包括ITO、IZO、ICO、ZnO、TiO2、NbTiO2、TaTiO2和SnO2。可替代地，透明导电氧化物膜TE1可以由其他透明氧化物形成。
介电膜F1用作第一介电膜。介电膜F1覆盖透明导电氧化物膜TE1的至少一部分和第III族氮化物半导体层。此外，介电膜F1覆盖n侧配线电极N2和p侧配线电极P2。介电膜F1由例如Al2O3、SiN、SiON、Y2O3和HfO2中的任一种形成。
反射膜RN1是用于防止从发光层130发射的光辐射到n侧配线电极N2或其他构件的膜。反射膜RP1是用于防止从发光层130发射的光辐射到p侧配线电极P2或其他构件的膜。反射膜RN1形成在n型半导体层120上，而反射膜RPl设置在透明导电氧化物膜TE1上。介电膜FN1覆盖反射膜RN1，并且介电膜FP1用作覆盖反射膜RP1的第二介电膜。
n侧点电极N1中的每一个用作与n型接触层接触的n型接触电极。n侧配线电极N2用作用于使n侧点电极N1电连接至n侧焊盘电极NE的电极。n侧焊盘电极NE用作电连接至外部电源的电极。
p侧点电极P1中的每一个用作与p型接触层接触的p型接触电极。p侧配线电极P2用作用于使p侧点电极P1电连接至p侧焊盘电极PE的电极。p侧焊盘电极PE用作电连接至外部电源的电极。
含磷光体的树脂涂层200是由含有磷光体的树脂形成的涂层。磷光体是，例如，基于YAG的磷光体。含磷光体的树脂涂层200形成在介电膜F1上。
上述半导体层和电极的堆叠构造仅出于说明的目的而给出。因而，不必说，可以采用半导体层和电极的其他堆叠构造。
2.堆叠构造与折射率之间的关系
2-1.堆叠构造
图3是示出层堆叠构造和各个层的折射率的示图。如图3所示，p型半导体层140、电流阻挡层CB1、透明导电氧化物膜TE1、介电膜F1、p侧点电极P1、p侧配线电极P2以及含磷光体的树脂涂层200从半导体层侧依次堆叠。
如图3所示，发光器件1包括第一区R1和第二区R2。第一区R1不包括电极如p侧点电极P1，但第二区R2包括如p侧点电极P1的电极。在第一区R1中，从发光层130发射的光被尽可能高效地提取到外部。然而，在第二区R2中，抑制了从发光层130发射的光对电极的辐照。
第二区R2包括p侧点电极P1和p侧配线电极P2以及电流阻挡层CB1。因而，电流阻挡层CB1被设置成围绕p侧点电极P1到半导体层的投影区域。
2-2.折射率
在图3中，示出了每个层的典型折射率。即，折射率值仅仅是示例，并且不应限于此。如图3所示，p型半导体层140具有2.4的折射率，并且电流阻挡层CB1具有1.46的折射率。透明导电氧化物膜TE1具有1.96的折射率。介电膜F1具有1.7的折射率。含磷光体的树脂涂层200具有1.53的折射率。
p型半导体层140的折射率大于透明导电氧化物膜TE1的折射率。透明导电氧化物膜TE1的折射率大于介电膜F1的折射率。介电膜F1的折射率大于含磷光体的树脂涂层200的折射率。电流阻挡层CB1的折射率小于含磷光体的树脂涂层200的折射率。
电流阻挡层CB1的折射率小于p型半导体层140的折射率。电流阻挡层CB1的折射率小于透明导电氧化物膜TE1的折射率。
尽管在图3中未示出，但是，介电膜FP1具有例如1.46的折射率。介电膜FP1的折射率小于含磷光体的树脂涂层200的折射率。
发光元件100包括：第一区R1，所述第一区R1不存在于电流阻挡层CB1正下方；以及第二区R2，所述第二区R2存在于电流阻挡层CB1正下方。当电压施加到发光元件100时，电流在不包括电流阻挡层CB1的第一区R1中流动。因此，光从发光层130的第一区R1发射。
在第一区R1中，p型半导体层140、透明导电氧化物膜TE1、介电膜F1和含磷光体的树脂涂层200从半导体层侧依次形成。折射率从半导体层侧至含磷光体的树脂涂层200逐渐减小。因此，在第一区R1中防止了在相邻层之间的每个界面处的光反射。因而，发光元件100获得高发光效率。
发光层130的第二区R2基本上不涉及光发射。然而，从发光层130的第一区R1发射的光的一部分(该部分具有倾斜成分)可以进入第二区R2。在第二区R2中，电流阻挡层CB1的折射率小于透明导电氧化物膜TE1的折射率。因此，从电流阻挡层CB1到透明导电氧化物膜TE1行进的光具有小的临界角。因而，从电流阻挡层CB1到透明导电氧化物膜TE1行进的光倾向于全反射，由此在第二区R2中p侧点电极P1没有被光显著地辐照。因此，p侧点电极P1的光吸收减少。
如上所述，在发光器件1中，在光的透射的路径中全反射被抑制，但是在不用于光的透射的路径上全反射被促进。因而，发光器件1提供优异的光提取效率。
2-3.材料的折射率与波长之间的关系
图4是示出材料的折射率-波长关系的图。在图4中，横轴表示入射光的波长，并且纵轴表示折射率。在图4中，线A1表示GaN的折射率的变化；线A2表示IZO的折射率的变化；线A3表示ITO的折射率的变化；线A4表示HfO2的折射率的变化；线A5表示蓝宝石的折射率的变化；线A6表示Al2O3的折射率的变化；线A7表示SiO2的折射率的变化；并且线A8表示MgF2的折射率的变化。
ITO和IZO是透明导电氧化物膜TE1的材料。蓝宝石是衬底的材料。HfO2和Al2O3是介电膜F1的材料。SiO2和MgF2是电流阻挡层CB1的材料。
如图4所示，任何材料的折射率某种程度上取决于入射光的波长。例如，ITO的折射率随着波长的增加而减小。当波长为300nm时，ITO的折射率为2.4，而当波长为900nm时，ITO的折射率为约1.67。
将对波长为500nm的情况进行描述。GaN的折射率为约2.42；IZO的折射率为约2.05；ITO的折射率为约1.95；HfO2的折射率为约1.93；蓝宝石的折射率为约1.78；Al2O3的折射率为约1.68；SiO2的折射率为约1.46；并且MgF2的折射率为约1.4。
2-4.光谱
图5是示出由发光元件100发射的光的波长与光的强度之间的关系的图。在图5中，横轴表示发射的光的波长，并且纵轴表示发射强度。如图5所示，在约450nm的波长处存在大的峰并且在约560nm的波长处存在不尖锐的峰。如从图5清楚可见，发光元件100的发射波长窗是400nm至800nm。
2-5.光透射率的模拟
对在图6中所示的设想结构的光透射特征进行模拟。设想结构是由GaN层、IZO层、介电膜和树脂层构成的主体，层元件从底部堆叠。IZO层的厚度为70nm，并且介电膜的厚度为100nm。对由Al2O3制成介电膜的情况和由SiO2制成介电膜的情况进行了研究。
图7是示出在光波长为450nm的情况下入射角与透射率之间的关系的图。在图7中，横轴表示入射角，并且纵轴表示透射率。在介电膜由Al2O3制成的情况下，在大于约75°的入射角范围内透射率急剧下降。当介电膜由Al2O3制成并且入射角为约75°时，透射率为约90％。在介电膜由SiO2制成的情况下，在大于约60°的入射角范围内透射率急剧下降。当介电膜由SiO2制成并且入射角为约60°时，透射率为约90％。再如图7所示，当介电膜由Al2O3制成时所获得的透射率大于当介电膜由SiO2制成时所获得的透射率。
图8是示出在光波长为570nm的情况下入射角与透射率之间的关系的图。在图8中，横轴表示入射角，并且纵轴表示透射率。在介电膜由Al2O3制成的情况下，在大于约75°的入射角范围内透射率急剧下降。当介电膜由Al2O3制成并且入射角为约75°时，透射率为约90％。在介电膜由SiO2制成的情况下，在大于约60°的入射角范围内透射率急剧下降。当介电膜由SiO2制成并且入射角为约60°时，透射率为约90％。再如图8所示，当介电膜由Al2O3制成时所获得的透射率大于当介电膜由SiO2制成时所获得的透射率。
3.发光器件的制造方法
该制造方法包括：在衬底上形成第III族氮化物半导体的半导体层形成步骤；在第III族氮化物半导体层上形成电流阻挡层的电流阻挡层形成步骤；在第III族氮化物半导体层和电流阻挡层上形成透明导电氧化物膜的透明导电氧化物膜形成步骤；利用第一介电膜覆盖透明导电氧化物膜的至少一部分和第III族氮化物半导体层的第一介电膜形成步骤；以及在第一介电膜上形成含磷光体的树脂涂层的含磷光体的树脂涂层形成步骤。
3-1.半导体层形成步骤
在衬底110上形成n型半导体层120、发光层130和p型半导体层140。更具体地，在衬底110上，依次形成半导体层、n型接触层、n侧防静电击穿层、n侧超晶格层、发光层、p侧覆层和p型接触层。结晶层的形式的半导体层通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延形成。在半导体层的生长中使用的载气为氢气(H2)、氮气(N2)或氢气与氮气的混合物(H2+N2)。使用氨气(NH3)作为氮源。使用三甲基镓(Ga(CH3)3：(TMG))作为镓源。使用三甲基铟(In(CH3)3：(TMI))作为铟源，并且使用三甲基铝(Al(CH3)3：(TMA))作为铝源。使用硅烷(SiH4)作为n型掺杂气体，并且使用双环戊二烯基镁(Mg(C5H5)2)作为p型掺杂气体。不必说，还可以使用上述以外的气体。
3-2.电流阻挡层形成步骤
在p型半导体层140的p型接触层上形成电流阻挡层CB1。电流阻挡层CB1可以通过CVD来形成。电流阻挡层CB1的膜厚度为例如100nm。可以通过光刻法来进行在所希望的位置处的电流阻挡层CB1的图案化并且图案化成所希望的形状。
3-3.透明导电氧化物膜形成步骤
然后在电流阻挡层CB1和p型接触层上形成透明导电氧化物膜TE1。在实施例中，通过溅射来形成IZO膜。透明导电氧化物膜TE1的厚度为例如70nm。然后透明导电氧化物膜TE1在650℃的气氛中经受热处理。
3-4.n型半导体层露出步骤
随后，通过ICP对p型半导体层140的一部分和发光层130的一部分进行去除，由此露出n型半导体层120的一部分。
3-5.点电极形成步骤
然后，形成n侧点电极N1和p侧点电极P1。在一种模式中，通过气相沉积技术依次形成Ni(50nm)、Au(250nm)和Al(10nm)。然后，在氧气下在550℃下进行热处理。热处理时的压力为，例如，15Pa。
3-6.反射膜形成步骤(第二介电膜形成步骤)
通过CVD形成介电膜FN1和介电膜FP1，以使每个膜的厚度控制为300nm。通过气相沉积技术形成反射膜RN1和反射膜RP1。其后，通过CVD进一步形成介电膜FN1和介电膜FP1以具有100nm的膜厚度。通过上述过程，反射膜RP1被介电膜FP1覆盖。反射膜RN1和反射膜RP1由例如Al形成。反射膜RN1和反射膜RP1分别具有例如100nm的膜厚度。
3-7.配线电极形成步骤
然后，形成n侧配线电极N2和p侧配线电极P2。在一种模式中，通过气相沉积技术依次形成Ti(50nm)、Au(1500nm)和Al(10nm)。注意，n侧焊盘电极NE和p侧焊盘电极PE可以分开形成。
3-8.保护膜形成步骤(第一介电膜形成步骤)
然后，形成介电膜F1。半导体层、透明导电氧化物膜TE1的一部分、p侧配线电极P2和n侧配线电极N2被介电膜F1覆盖。在一种模式中，通过CVD形成介电膜F1以便具有例如100nm的膜厚度。可替代地，也可以采用原子层沉积(ALD)技术。
3-9.元件分离步骤
将该产品晶片切割成许多发光元件100。
3-10.含磷光体的树脂涂层形成步骤
在每个发光元件100的光提取面上，设置含磷光体的树脂涂层200。
3-11.其他步骤
该制造方法还可以包括其他步骤，例如，用于给各个焊盘电极提供配线的配线步骤。注意，所提到的制造步骤作为示例提供。因此，上述堆叠构造、数值等也作为示例给出。不必说，除上述给出的那些之外还可以采用其他数值。
4.变化方案
4-1.配线电极
第一实施方案的发光器件1具有n侧配线电极N2和p侧配线电极P2。然而，本实施方案的技术还可以应用于不具有n侧配线电极N2或p侧配线电极P2的发光器件。
图9是不具有配线电极的发光器件2的平面图。图10是图9中所示的发光器件2的沿X-X截取的截面；如图9和图10所示，发光器件2具有发光元件300和含磷光体的树脂涂层200。发光元件300具有衬底110、n型半导体层120、发光层130、p型半导体层140、电流阻挡层CB1、透明导电氧化物膜TE1、介电膜F1、介电膜FP1、反射膜RP1、n侧焊盘电极NE2和p侧焊盘电极PE2。
在上述情况中，在对应于第一区R1的区域中，从半导体层侧依次堆叠p型半导体层140、透明导电氧化物膜TE1、介电膜F1和含磷光体的树脂涂层200。在对应于第二区R2的区域中，从半导体层侧依次堆叠p型半导体层140、电流阻挡层CB1、透明导电氧化物膜TE1、介电膜FP1、反射膜RP1、介电膜FP1、p侧焊盘电极PE2和含磷光体的树脂涂层200。因而，发光器件2具有与第一实施方案的折射率分布相同的折射率分布。也就是说，第一实施方案的技术可以应用于发光器件2。
4-2.p型接触电极和n型接触电极
在第一实施方案中，p型接触电极由p侧点电极P1形成，并且n型接触电极由n侧点电极N1形成。对接触电极没有强加特别限制，并且还可以采用另一形状的p型接触电极和n型接触电极。
5.第一实施方案的概要
如上所述，在第一实施方案的发光器件1中，p型半导体层140、电流阻挡层CB1、透明导电氧化物膜TE1、介电膜F1、p侧点电极P1、p侧配线电极P2以及含磷光体的树脂涂层200从半导体层侧依次堆叠。p型半导体层140的折射率大于透明导电氧化物膜TE1的折射率；透明导电氧化物膜TE1的折射率大于介电膜F1的折射率；介电膜F1的折射率大于含磷光体的树脂涂层200的折射率；电流阻挡层CB1的折射率小于含磷光体的树脂涂层200的折射率。因此，发光器件1提供了优异的发光强度。
注意，上述实施方案是出于说明的目的而给出。因而，不必说，可以作出各种修改方案和变化方案，只要它们落在本发明技术的范围之内即可。对层结构的堆叠构造没有强加特别限制，并且除以上所描述的那些之外，可以采用任何堆叠构造。例如，可以选择堆叠构造、层组的重复数目等而没有任何限制地。膜形成技术不限于金属有机化学气相沉积(MOCVD)。也可以采用其他类似的技术，只要它们在晶体生长中使用载气即可。可替代地，半导体层可以通过另一外延生长技术来形成，例如液相外延或分子束外延。
第二实施方案
将对第二实施方案进行描述。
1.发光器件
图11是第二实施方案的发光器件3的一般结构的平面图，并且图12是图11中所示的发光器件3的沿XII-XII截取的截面。发光器件3具有发光元件400和含磷光体的树脂涂层200。
如图11和图12所示，发光元件400具有衬底110、n型半导体层120、发光层130、p型半导体层140、电流阻挡层CB1、透明导电氧化物膜TE1、介电膜F2、介电膜FN1、介电膜FP1、介电膜FK1、反射膜RN1、反射膜RP1、n侧点电极N1、n侧配线电极N2、n侧焊盘电极NE、p侧点电极P1、p侧配线电极P2和p侧焊盘电极PE。
2.在堆叠构造与折射率之间的关系
第二实施方案的发光元件400与第一实施方案的发光元件100的不同之处在于介电膜。介电膜F2用作第一介电膜。发光元件400的介电膜F2覆盖透明导电氧化物膜TE1的至少一部分和第III族氮化物半导体层。介电膜F2覆盖n侧配线电极N2和p侧配线电极P2。此外，发光元件400的介电膜F2覆盖第III族氮化物半导体层的侧面和衬底110的侧面。
衬底110的折射率为1.78。介电膜F2的折射率为1.7。含磷光体的树脂涂层200的折射率为1.53。因而，衬底110的折射率大于介电膜F2的折射率，并且介电膜F2的折射率大于含磷光体的树脂涂层200的折射率。
3.发光器件制造方法
用于制造第二实施方案的发光器件的方法与用于制造第一实施方案的发光器件的方法基本上相同。因而，将仅对两种制造方法之间的区别进行描述。在包括在用于制造第二实施方案的发光器件的方法中的第一介电膜形成步骤中，除了第III族氮化物半导体层上之外，介电膜F2还形成在衬底110的侧面上。
第三实施方案
将对第三实施方案进行描述。
1.发光器件
图13是第三实施方案的发光器件4的截面。发光器件4具有发光元件500和含磷光体的树脂涂层200。
如图13所示，发光元件500具有衬底110、n型半导体层120、发光层130、p型半导体层140、分布式布拉格反射器DBR1、透明导电氧化物膜TE1、分布式布拉格反射器DBR2、分布式布拉格反射器DBR3、介电膜F3、n侧点电极N1、n侧配线电极N2、n侧焊盘电极NE、p侧点电极P1、p侧配线电极P2和p侧焊盘电极PE。
分布式布拉格反射器DBR1、DBR2和DBR3用作均对具有波长λ的光进行选择性反射的膜。介电膜F3用作减反射器(AR)。
因而，当采用分布式布拉格反射器DBR1、DBR2、DBR3和减反射器时，也可以实现与第一实施方案中获得的效果相同的效果。
Claims (12)
1.一种发光器件，包括：
衬底；
在所述衬底上的第III族氮化物半导体层；
在所述第III族氮化物半导体层上的电流阻挡层；
在所述第III族氮化物半导体层和所述电流阻挡层上的透明导电氧化物膜；
第一介电膜，其覆盖所述第III族氮化物半导体层的至少一部分和所述透明导电氧化物膜的至少一部分；以及
在所述第一介电膜上的含磷光体的树脂涂层，其中
所述第III族氮化物半导体层的折射率大于所述透明导电氧化物膜的折射率；
所述透明导电氧化物膜的折射率大于所述第一介电膜的折射率；
所述第一介电膜的折射率大于所述含磷光体的树脂涂层的折射率；并且
所述电流阻挡层的折射率小于所述含磷光体的树脂涂层的折射率。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述发光器件包括：在所述透明导电氧化物膜上的反射膜；覆盖所述反射膜的第二介电膜，并且所述第二介电膜的折射率小于所述含磷光体的树脂涂层的折射率。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一介电膜覆盖所述衬底的侧面，并且所述衬底的折射率大于所述第一介电膜的折射率。
4.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一介电膜覆盖所述衬底的侧面，并且所述衬底的折射率大于所述第一介电膜的折射率。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其具有400nm至800nm的发射波长。
6.根据权利要求2所述的发光器件，其具有400nm至800nm的发射波长。
7.根据权利要求3所述的发光器件，其具有400nm至800nm的发射波长。
8.根据权利要求4所述的发光器件，其具有400nm至800nm的发射波长。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的发光器件，其中所述透明导电氧化物膜由IZO形成。
10.一种用于制造发光器件的方法，所述方法包括：
在衬底上形成第III族氮化物半导体层，
在所述第III族氮化物半导体层上形成电流阻挡层，
在所述第III族氮化物半导体层和所述电流阻挡层上形成透明导电氧化物膜，
利用第一介电膜覆盖所述第III族氮化物半导体层的至少一部分和所述透明导电氧化物膜的至少一部分，以及
在所述第一介电膜上形成含磷光体的树脂涂层，其中
所述第III族氮化物半导体层的折射率大于所述透明导电氧化物膜的折射率；所述透明导电氧化物膜的折射率大于所述第一介电膜的折射率；所述第一介电膜的折射率大于所述含磷光体的树脂涂层的折射率；并且所述电流阻挡层的折射率小于所述含磷光体的树脂涂层的折射率。
11.根据权利要求10所述的发光器件制造方法，其中所述方法还包括在所述透明导电氧化物膜上形成反射膜，以及利用第二介电膜覆盖所述反射膜，并且所述第二介电膜的折射率小于所述含磷光体的树脂涂层的折射率。
12.根据权利要求10或11所述的发光器件制造方法，其中形成所述第一介电膜时，在所述衬底的侧面上形成所述第一介电膜，并且所述衬底的折射率大于所述第一介电膜的折射率。
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Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102443694B1 (ko) * | 2016-03-11 | 2022-09-15 | 삼성전자주식회사 | 전류 확산 특성 및 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자 |
| US10458623B2 (en) * | 2017-02-28 | 2019-10-29 | Panasonic Corporation | Optical device comprising light reflection film |
| JP7492666B2 (ja) * | 2022-01-27 | 2024-05-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110198641A1 (en) * | 2010-02-17 | 2011-08-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting element |
| US20110284885A1 (en) * | 2010-08-06 | 2011-11-24 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emittig device package and image display apparatus including the same |
| CN104518064A (zh) * | 2013-10-02 | 2015-04-15 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件和具有该发光器件的发光器件封装 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080049011A (ko) * | 2005-08-05 | 2008-06-03 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 반도체 발광장치 |
| KR100703217B1 (ko) * | 2006-02-22 | 2007-04-09 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 제조방법 |
| JP4882792B2 (ja) * | 2007-02-25 | 2012-02-22 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP2011009502A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Showa Denko Kk | 発光素子、その製造方法、ランプ、電子機器及び機械装置 |
| JP5719110B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2015-05-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
| TWI597349B (zh) * | 2012-09-21 | 2017-09-01 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 複合波長變換粉體、含有複合波長變換粉體的樹脂組成物及發光裝置 |
| JP6032823B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2016-11-30 | 富士機械製造株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR20140073351A (ko) * | 2012-12-06 | 2014-06-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| US9312453B2 (en) * | 2013-04-30 | 2016-04-12 | Semicon Light Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| JP5945736B2 (ja) * | 2014-12-02 | 2016-07-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光素子 |
-
2015
- 2015-09-18 JP JP2015185220A patent/JP2017059752A/ja not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-08-31 US US15/253,558 patent/US20170084784A1/en not_active Abandoned
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110198641A1 (en) * | 2010-02-17 | 2011-08-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting element |
| US20110284885A1 (en) * | 2010-08-06 | 2011-11-24 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emittig device package and image display apparatus including the same |
| CN104518064A (zh) * | 2013-10-02 | 2015-04-15 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件和具有该发光器件的发光器件封装 |
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