CN107004750A - 纳米材料发光器件及纳米材料发光器件的封装方法 - Google Patents

纳米材料发光器件及纳米材料发光器件的封装方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107004750A
CN107004750A CN201680003920.6A CN201680003920A CN107004750A CN 107004750 A CN107004750 A CN 107004750A CN 201680003920 A CN201680003920 A CN 201680003920A CN 107004750 A CN107004750 A CN 107004750A
Authority
CN
China
Prior art keywords
nano
optics
pipe cap
light hole
luminescent device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201680003920.6A
Other languages
English (en)
Inventor
伍燕锋
张建兵
何江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Tong Gan Microtronics AS
Original Assignee
Shenzhen Tong Gan Microtronics AS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Tong Gan Microtronics AS filed Critical Shenzhen Tong Gan Microtronics AS
Publication of CN107004750A publication Critical patent/CN107004750A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明公开了一种纳米材料发光器件及纳米材料发光器件的封装方法，其中该纳米材料发光器件包括基座、设置于所述基座上的发光件、以及安装在所述基座上的管帽；所述管帽上开有一出光孔，且所述出光孔上安装一光学器件，所述光学器件上设置有滤光涂层，所述滤光涂层为纳米材料涂层。本发明的纳米材料发光器件及纳米材料发光器件的封装方法中，管帽上开的出光孔上安装光学器件，光学器件上的纳米材料涂层具有滤光效果佳、光能利用率高的优点。

Description

纳米材料发光器件及纳米材料发光器件的封装方法
技术领域
本发明涉及发光器件领域，尤其涉及一种纳米材料发光器件及纳米材料发光器件的封装方法。
背景技术
现有技术中，发光器件领域产品中的管帽往往是一体成型结构，工艺成本高且滤光、聚光效率不佳。除此之外，管帽透光部分大多采用普通材料的涂层进行滤光，使得LED的光能利用率很低。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于，提供一种改进的纳米材料发光器件及纳米材料发光器件的封装方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种纳米材料发光器件，包括基座、设置于所述基座上的发光件、以及安装在所述基座上的管帽；所述管帽上开有一出光孔，且所述出光孔上安装一光学器件，所述光学器件上设置有滤光涂层，所述滤光涂层为纳米材料涂层。
优选地，所述光学器件包括玻璃基材，所述玻璃基材上设置有一通过将纳米材料液体烘干以形成的纳米材料涂层片，所述滤光涂层包括所述纳米材料涂层片。
优选地，所述光学器件包括玻璃基材，所述玻璃基材上设置有所述滤光涂层，所述滤光涂层通过将纳米材料涂层液体设置于所述玻璃基材上并经由高温或紫外烘干而形成。
优选地，所述管帽和所述基座在氮气保护或者真空环境下封焊封装；所述发光件与所述光学器件相对设置，并且两者之间的空间内填充氮气或为真空状态。
优选地，所述纳米材料涂层液体由纳米材料溶液和/或粉末与AB胶和/或UV胶混合制成。
优选地，所述纳米材料溶液和/或粉末为量子点溶液和/或粉末。
还提供一种纳米材料发光器件的封装方法，包括如下步骤：
将发光件封装到基座；
在管帽上开一出光孔，并在所述出光孔上安装一光学器件，所述光学器件上涂覆有滤光涂层，所述滤光涂层为纳米材料涂层；
将所述管帽和所述基座封焊封装。
优选地，在所述在管帽上开一出光孔、并在所述出光孔上安装一光学器件的步骤中，包括：
将纳米材料液体使用悬涂工艺涂于一玻璃基材上；
将所述玻璃基材进行高温或者紫外烘干，形成所述光学器件；
将所述光学器件裁剪后镶嵌进所述管帽。
优选地，在所述在管帽上开一出光孔、并在所述出光孔上安装一光学器件的步骤中，包括：
将纳米材料液体烘干，形成一纳米材料涂层片；
将所述纳米材料涂层片贴到具有玻璃基材的所述管帽上，所述玻璃基材覆盖于所述出光孔上。
优选地，在所述在管帽上开一出光孔、并在所述出光孔上安装一光学器件的步骤中，包括：
将纳米材料涂层液体以点胶的方式，点到所述管帽的玻璃平窗上，所述玻璃基材覆盖于所述出光孔上；
将所述纳米材料涂层液体与所述管帽一起进行高温或者紫外烘干。
优选地，在所述在管帽上开一出光孔、并在所述出光孔上安装一光学器件的步骤中，包括：
将纳米材料液体使用悬涂工艺涂于一玻璃基材上；
将所述玻璃基材进行高温或者紫外烘干，形成一整体件；
将所述整体件裁剪为数个所述光学器件；
将所述光学器件镶嵌进所述管帽。
实施本发明的有益效果是：本发明的纳米材料发光器件及纳米材料发光器件的封装方法中，管帽上开的出光孔上安装光学器件，光学器件上的纳米材料涂层具有滤光效果佳、光能利用率高的优点。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
图1是本发明一些实施例中纳米材料发光器件的结构示意图；
图2是本发明一些实施例中纳米材料发光器件的封装方法的流程图。
具体实施方式
为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本发明的具体实施方式。
图1示出了本发明一些实施例中的纳米材料发光器件，通过使用纳米材料和特定结构，可使蓝光led芯片实现红外(800-2000nM)发射功能。本发明一些实施例中的纳米材料发光器件包括基座10、发光件20以及管帽30，发光件20设置于基座10上，管帽30安装在基座10上。
其中，基座10可以用常见的基座10材料制成。管帽30和基座10优选在氮气保护或者真空环境下封焊封装。
发光件20可以为常见的、任何发光的器件，发光件20可实现其发光光谱经过光学器件32后，只出对应的红外光。优选地，发光件20为纳米材料红外LED。作为选择，可将440nM-460nM蓝光LED芯片封装到基座10。
管帽30上开有一出光孔31，且出光孔31上安装一光学器件32。发光件20与光学器件32相对设置，并且两者之间的空间内填充氮气或为真空状态。
光学器件32上设置有滤光涂层，滤光涂层为纳米材料涂层。光学器件32上的纳米材料涂层能级具有光能级转换，滤光效果佳、光能利用率高的优点。纳米材料涂层液体由纳米材料溶液和/或粉末与AB胶和/或UV胶混合制成，混合时各部分的比例可根据具体需求进行设定，只要可以实现相关功能即可。优选地，纳米材料溶液和/或粉末为量子点溶液和/或粉末。
光学器件32的形成方式有多种，在第一种实施方式中，光学器件32包括玻璃基材，玻璃基材上设置有一通过将纳米材料液体烘干以形成的纳米材料涂层片，滤光涂层包括纳米材料涂层片。
在第二种实施方式中，光学器件32包括玻璃基材，玻璃基材上设置有滤光涂层，滤光涂层通过将纳米材料涂层液体设置于玻璃基材上并经由高温或紫外烘干而形成。作为选择，将纳米材料涂层液体设置于玻璃基材上的先后顺序可以不做限定。例如，可以先将纳米材料液体使用悬涂工艺涂于一玻璃基材上；然后，将玻璃基材进行高温或者紫外烘干，形成光学器件32；最后将光学器件32裁剪后镶嵌进管帽30。或者，也可以先将纳米材料涂层液体以点胶的方式，点到管帽30的玻璃平窗上，玻璃基材覆盖于出光孔31上；再将纳米材料涂层液体与管帽30一起进行高温或者紫外烘干。
在第三种实施方式中，先将纳米材料液体使用悬涂工艺涂于一玻璃基材上。接着将玻璃基材进行高温或者紫外烘干，形成一整体件。可以理解地，本实施方式中的玻璃基材与其他实施方式中的不同，此处的玻璃基材体积较大，整体件为一较大的玻璃片。之后再将整体件裁剪为数个光学器件32。这样的方式下，可批量做多个滤光片，效率较高。最后再将光学器件32镶嵌进管帽30。
以下结合图1、图2和本发明一些实施例中纳米材料发光器件的封装方法对本发明实施例中纳米材料发光器件的封装原理进行说明。
本发明一些实施例中纳米材料发光器件的封装方法中，首先将发光件20封装到基座10。其中，发光件20可以为常见的发光材料，优选为纳米材料红外LED。作为选择，可将440nM-460nM蓝光LED芯片封装到基座10。
接着，在管帽30上开一出光孔31，并在出光孔31上安装一光学器件32，光学器件32上涂覆有滤光涂层，滤光涂层为纳米材料涂层。纳米材料涂层液体由纳米材料溶液和/或粉末与AB胶和/或UV胶混合制成，混合时各部分的比例可根据具体需求进行设定，只要可以实现相关功能即可。优选地，纳米材料溶液和/或粉末为量子点溶液和/或粉末。
本步骤中，可以有多种实施例来实现相关功能，详见如下实施例1至4。
在实施例1中，先将纳米材料液体使用悬涂工艺涂于一玻璃基材上。再将玻璃基材进行高温或者紫外烘干，形成光学器件32。最后将光学器件32裁剪后镶嵌进管帽30。
在实施例2中，先将纳米材料液体单独烘干，形成一纳米材料涂层片。再将纳米材料涂层片贴到具有玻璃基材的管帽30上，玻璃基材覆盖于出光孔31上。
在实施例3中，先将纳米材料涂层液体以点胶的方式，点到管帽30的玻璃基材上，玻璃基材覆盖于出光孔31上；再将纳米材料涂层液体与管帽30一起进行高温或者紫外烘干。
在实施例4中，先将纳米材料液体使用悬涂工艺涂于一玻璃基材上。接着将玻璃基材进行高温或者紫外烘干，形成一整体件。可以理解地，实施例4中的玻璃基材与实施例1至3中的不同，此处的玻璃基材体积较大，整体件为一较大的玻璃片。再将整体件裁剪为数个光学器件32。这样的方式下，可批量做多个滤光片，效率较高。再将光学器件32镶嵌进管帽30。
经过上述各步骤后，最后将管帽30和基座10封焊封装。其中，基座10可以用常见的基座10材料制成。管帽30和基座10优选在氮气保护或者真空环境下封焊封装。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理前提下的若干个改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种纳米材料发光器件，其特征在于，包括基座(10)、设置于所述基座(10)上的发光件(20)、以及安装在所述基座(10)上的管帽(30)；所述管帽(30)上开有一出光孔(31)，且所述出光孔(31)上安装一光学器件(32)，所述光学器件(32)上设置有滤光涂层，所述滤光涂层为纳米材料涂层。
2.根据权利要求1所述的纳米材料发光器件，其特征在于，所述光学器件(32)包括玻璃基材，所述玻璃基材上设置有一通过将纳米材料液体烘干以形成的纳米材料涂层片，所述滤光涂层包括所述纳米材料涂层片。
3.根据权利要求1所述的纳米材料发光器件，其特征在于，所述光学器件(32)包括玻璃基材，所述玻璃基材上设置有所述滤光涂层，所述滤光涂层通过将纳米材料涂层液体设置于所述玻璃基材上并经由高温或紫外烘干而形成。
4.根据权利要求1至3任一项所述的纳米材料发光器件，其特征在于，所述管帽(30)和所述基座(10)在氮气保护或者真空环境下封焊封装；所述发光件(20)与所述光学器件(32)相对设置，并且两者之间的空间内填充氮气或为真空状态。
5.根据权利要求2或3所述的纳米材料发光器件，其特征在于，所述纳米材料涂层液体由纳米材料溶液和/或粉末与AB胶和/或UV胶混合制成。
6.根据权利要求5所述的纳米材料发光器件，其特征在于，所述纳米材料溶液和/或粉末为量子点溶液和/或粉末。
7.一种纳米材料发光器件的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
将发光件(20)封装到基座(10)；
在管帽(30)上开一出光孔(31)，并在所述出光孔(31)上安装一光学器件(32)，所述光学器件(32)上涂覆有滤光涂层，所述滤光涂层为纳米材料涂层；
将所述管帽(30)和所述基座(10)封焊封装。
8.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，在所述在管帽(30)上开一出光孔(31)、并在所述出光孔(31)上安装一光学器件(32)的步骤中，包括：
将纳米材料液体使用悬涂工艺涂于一玻璃基材上；
将所述玻璃基材进行高温或者紫外烘干，形成所述光学器件(32)；
将所述光学器件(32)裁剪后镶嵌进所述管帽(30)。
9.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，在所述在管帽(30)上开一出光孔(31)、并在所述出光孔(31)上安装一光学器件(32)的步骤中，包括：
将纳米材料液体烘干，形成一纳米材料涂层片；
将所述纳米材料涂层片贴到具有玻璃基材的所述管帽(30)上，所述玻璃基材覆盖于所述出光孔(31)上。
10.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，在所述在管帽(30)上开一出光孔(31)、并在所述出光孔(31)上安装一光学器件(32)的步骤中，包括：
将纳米材料涂层液体以点胶的方式，点到所述管帽(30)的玻璃平窗上，所述玻璃基材覆盖于所述出光孔(31)上；
将所述纳米材料涂层液体与所述管帽(30)一起进行高温或者紫外烘干。
11.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，在所述在管帽(30)上开一出光孔(31)、并在所述出光孔(31)上安装一光学器件(32)的步骤中，包括：
将纳米材料液体使用悬涂工艺涂于一玻璃基材上；
将所述玻璃基材进行高温或者紫外烘干，形成一整体件；
将所述整体件裁剪为数个所述光学器件(32)；
将所述光学器件(32)镶嵌进所述管帽(30)。
CN201680003920.6A 2016-08-12 2016-08-12 纳米材料发光器件及纳米材料发光器件的封装方法 Pending CN107004750A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2016/094923 WO2018027920A1 (zh) 2016-08-12 2016-08-12 纳米材料发光器件及纳米材料发光器件的封装方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107004750A true CN107004750A (zh) 2017-08-01

Family

ID=59431260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680003920.6A Pending CN107004750A (zh) 2016-08-12 2016-08-12 纳米材料发光器件及纳米材料发光器件的封装方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN107004750A (zh)
WO (1) WO2018027920A1 (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1741293A (zh) * 2004-08-23 2006-03-01 安捷伦科技公司 使用荧光材料产生可见和红外输出光的装置及方法
CN201590434U (zh) * 2009-12-23 2010-09-22 北京瑞普北光电子有限公司 半导体红外发光二极管
CN102983245A (zh) * 2011-09-06 2013-03-20 青岛杰生电气有限公司 一种紫外发光二极管的封装结构
CN103597568A (zh) * 2011-04-01 2014-02-19 纳晶科技股份有限公司 白光发光器件
WO2014154722A1 (en) * 2013-03-26 2014-10-02 Koninklijke Philips N.V. Hermetically sealed illumination device with luminescent material and manufacturing method therefor
CN104365181A (zh) * 2012-06-15 2015-02-18 欧司朗股份有限公司 光电子半导体器件
CN205881946U (zh) * 2016-08-12 2017-01-11 深圳通感微电子有限公司 纳米材料发光器件

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103959490B (zh) * 2011-10-13 2016-11-09 英特曼帝克司公司 用于固态发光装置及灯的光致发光波长转换组件
EP2831933B1 (en) * 2012-03-30 2021-05-12 Lumileds LLC Optical cavity including a light emitting device and wavelength converting material
DE202013012940U1 (de) * 2012-05-04 2023-01-19 Soraa, Inc. LED-Lampen mit verbesserter Lichtqualität

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1741293A (zh) * 2004-08-23 2006-03-01 安捷伦科技公司 使用荧光材料产生可见和红外输出光的装置及方法
CN201590434U (zh) * 2009-12-23 2010-09-22 北京瑞普北光电子有限公司 半导体红外发光二极管
CN103597568A (zh) * 2011-04-01 2014-02-19 纳晶科技股份有限公司 白光发光器件
CN102983245A (zh) * 2011-09-06 2013-03-20 青岛杰生电气有限公司 一种紫外发光二极管的封装结构
CN104365181A (zh) * 2012-06-15 2015-02-18 欧司朗股份有限公司 光电子半导体器件
WO2014154722A1 (en) * 2013-03-26 2014-10-02 Koninklijke Philips N.V. Hermetically sealed illumination device with luminescent material and manufacturing method therefor
CN205881946U (zh) * 2016-08-12 2017-01-11 深圳通感微电子有限公司 纳米材料发光器件

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018027920A1 (zh) 2018-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105102580B (zh) 多孔颗粒中的封装的量子点
CN107017325A (zh) 量子点复合材料及其制造方法与应用
CN105226166B (zh) 一种量子点led结构及封装方法
US20180138359A1 (en) Stratified Quantum Dot Phosphor Structure
CN102034917A (zh) 光半导体封装材料
KR20140000207A (ko) 칼러 튜닝 물질을 가진 조명 장치 및 조명 장치의 칼러 출력 튜닝 방법
Xie et al. White light-emitting diodes with enhanced efficiency and thermal stability optimized by quantum dots-silica nanoparticles
CN106299089A (zh) 一种白光led封装器件及其制备方法
CN106716001B (zh) 封闭环境中的量子点
CN105977245A (zh) 一种可调色温的cob封装结构及其封装方法
CN107892487A (zh) 一种基于低熔点硼硅酸盐玻璃粉的远程荧光片的制备方法
CN105977244A (zh) 一种可调色温的csp封装器件及其封装方法
CN205881946U (zh) 纳米材料发光器件
CN105244427B (zh) 一种白光led荧光膜以及基于荧光膜的led
CN108155272A (zh) 量子点led器件及其封装方法、背光灯条和背光模组
CN107004750A (zh) 纳米材料发光器件及纳米材料发光器件的封装方法
CN107785476B (zh) 一种白光led用荧光玻璃薄膜及其制备方法
CN207529973U (zh) 量子点led器件、背光灯条和背光模组
CN104728644B (zh) 一种led补光灯珠
CN109873070A (zh) 一种用于led照明的发光陶瓷及其制备方法和应用
CN109742220A (zh) 含液态量子点的白光led及其制备方法
KR20150030324A (ko) Led용 색변환 소재 제조 방법
CN106905954A (zh) 水滑石包覆的量子点微球及其制备方法
CN108076672A (zh) 通过粘合剂转移方法制备颜色转换层
CN207097855U (zh) 一种量子点led封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170801