CN201590434U - 半导体红外发光二极管 - Google Patents

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刘宪章
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Abstract

本实用新型公开了一种半导体红外发光二极管，包括负电极和正电极，其特征在于，还包括金属玻璃管帽，金属玻璃管帽上设置一玻璃透光窗，金属玻璃管帽与金属玻璃管座密封焊接形成一空腔，负电极穿过金属玻璃管座，负电极一端位于空腔外，另一端位于空腔内并与空腔内的发光芯片连接，正电极穿过金属玻璃管座，正电极一端位于空腔内，另一端位于空腔外，正电极通过键合丝与发光芯片连接，所述的金属玻璃管座与负电极之间、负电极与正电极之间、正电极与金属玻璃管座之间设置有玻璃绝缘子。本实用新型的有益效果为：本实用新型采用金属玻璃管帽和管座，提高了发光二极管的可靠性，延长了其使用寿命。

Description

半导体红外发光二极管
技术领域
本实用新型涉及一种半导体红外发光二极管。
背景技术
随着中国航天事业的迅猛发展，航天用户对半导体器件小型化、轻量化、可靠性的要求日益突出。目前，国内重点项目中大多数使用塑封红外发光二极管，存在着材料易老化、寿命短、工作温度低、可靠性不高等缺点。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种可靠性高、寿命长的半导体红外发光二极管。
为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案实现：
半导体红外发光二极管，包括负电极和正电极，其特征在于，还包括金属玻璃管帽，金属玻璃管帽上设置一玻璃透光窗，金属玻璃管帽与金属玻璃管座密封焊接形成一空腔，负电极穿过金属玻璃管座，负电极一端位于空腔外，另一端位于空腔内并与空腔内的发光芯片连接，正电极穿过金属玻璃管座，正电极一端位于空腔内，另一端位于空腔外，正电极通过键合丝与发光芯片连接，所述的金属玻璃管座与负电极之间、负电极与正电极之间、正电极与金属玻璃管座之间设置有玻璃绝缘子。
本实用新型的有益效果为：本实用新型采用金属玻璃管帽和管座，提高了发光二极管的可靠性，延长了其使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型结构剖视图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型进行详细的描述：
如图1所示，半导体红外发光二极管，包括金属玻璃管帽1，金属玻璃管帽1上设置玻璃透光窗11，金属玻璃管帽1与金属玻璃管座2密封焊接形成一空腔3，其焊接方式采用激光焊接，负电极4穿过金属玻璃管座2，负电极4一端41位于空腔3外，另一端42位于空腔3内并与空腔3内的发光芯片5连接，正电极6穿过金属玻璃管座2，正电极6一端62位于空腔3外，另一端61位于空腔3内并通过键合丝7与发光芯片5连接，金属玻璃管座2与负电极4之间、负电极4与正电极6之间、正电极6与金属玻璃管座2之间设置有玻璃绝缘子8。
负电极4、发光芯片5、键合丝7与正电极6组成导电通路，接通电源后，发光芯片5可发光，操作者可通过玻璃透光窗11观察到发光芯片5发出的光。
本实用新型中的实施例仅用于对本实用新型进行说明，并不构成对权利要求范围的限制，本领域内技术人员可以想到的其他实质上等同的替代，均在本实用新型保护范围内。

Claims (1)

1.半导体红外发光二极管，包括负电极和正电极，其特征在于，还包括金属玻璃管帽，金属玻璃管帽上设置一玻璃透光窗，金属玻璃管帽与金属玻璃管座密封焊接形成一空腔，负电极穿过金属玻璃管座，负电极一端位于空腔外，另一端位于空腔内并与空腔内的发光芯片连接，正电极穿过金属玻璃管座，正电极一端位于空腔内，另一端位于空腔外，正电极通过键合丝与发光芯片连接，所述的金属玻璃管座与负电极之间、负电极与正电极之间、正电极与金属玻璃管座之间设置有玻璃绝缘子。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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