CN220209002U - 一种纳米光芯片节能led结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及LED芯片技术领域，尤其涉及一种纳米光芯片节能LED结构。本实用新型采用如下技术方案：一种纳米光芯片节能LED结构，从上至下依次包括LED灯体、PCB铜片层和PET绝缘层，所述LED灯体焊接于PCB铜片层上，所述LED灯体上包设有面胶，所述PET绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层和第二绝缘层之间通过第一导热层连接。本实用新型的有益效果在于：通过在LED芯片的PET绝缘层和面胶中设置导热层，可有效提高LED芯片的散热效率，同时配合在绝缘层和面胶中掺入纳米氧化铝粉末和/或纳米银粉末，可以进一步提高LED芯片的散热效率，可有效降低LED芯片的工作温度，延长LED芯片的使用寿命，提高LED芯片的发光效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED芯片技术领域，尤其涉及一种纳米光芯片节能LED结构。
背景技术
LED是一种常用的发光器件，与普通的白炽灯相比，具备发光效率高、节能等优点。LED芯片作为LED灯的发光部件，LED芯片的使用寿命和发光效率也决定着LED灯整体的使用寿命和发光效率。目前，影响LED芯片使用寿命和发光效率的主要因素在于LED芯片在工作过程中的散热效率，由于LED芯片体积较小，其工作过程中产生的热量很难快速散发出去，在长时间使用后会导致LED芯片温度过高，从而影响LED芯片的寿命，同时温度过高也会导致LED芯片的封装面胶快速氧化从而导致其透光率降低，从而降低LED芯片的发光效率，另外，LED芯片的散热效率较低，也会导致LED芯片的发光效率较低，导致其能耗提高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种纳米光芯片节能LED结构，具体在于提供一种使用纳米材料具备散热效率高、使用寿命长、发光效率高的LED芯片结构。
为达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种纳米光芯片节能LED结构，从上至下依次包括LED灯体、PCB铜片层和PET绝缘层，所述LED灯体焊接于PCB铜片层上，所述LED灯体上包设有面胶，所述PET绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层和第二绝缘层之间通过第一导热层连接。
具体的，面胶包括第一面胶和第二面胶，所述第一面胶包设于LED灯体下部外围，第二面胶包设于LED灯体上端部，第一面胶和第二面胶之间设置有第二导热层。
具体的，第二面胶内设置有荧光粉层，所述荧光粉层贴于LED灯体顶端面。
具体的，第一绝缘层和第二绝缘层均采用掺有纳米氧化铝粉末和/或纳米银粉末的PET材料制成。
具体的，面胶采用掺有纳米氧化铝粉末和/或纳米银粉末的环氧树脂采用制成。
本实用新型的有益效果在于：通过在LED芯片的PET绝缘层和面胶中设置导热层，可有效提高LED芯片的散热效率，同时配合在绝缘层和面胶中掺入纳米氧化铝粉末和/或纳米银粉末，可以进一步提高LED芯片的散热效率，可有效降低LED芯片的工作温度，延长LED芯片的使用寿命，提高LED芯片的发光效率。
附图说明
附图1为实施例中LED结构的整体结构示意图。
实施方式
实施例1，参照图1，一种纳米光芯片节能LED结构，从上至下依次包括LED灯体1、PCB铜片层2和PET绝缘层3，LED灯体1焊接于PCB铜片层2上，LED灯体1上包设有面胶4，PET绝缘层3包括第一绝缘层31和第二绝缘层32，第一绝缘层31和第二绝缘层32之间通过第一导热层33连接。
在本实施例中，LED灯体1为包含P型半导体和N型半导体以及PN结的部件，P型半导体和N型半导体则分别焊接于PCB铜片层2上的两个电极，在通电后能发光。PCB铜片层2则镀设于PET绝缘层3上，LED灯体1在通电后产生的热量，会通过包设于LED灯体1外的面胶4和PET绝缘层3散发出去，本实施例中，PET绝缘层3由第一绝缘层31和第二绝缘层32组成，并在第一绝缘层31和第二绝缘层32之间设置导热层33，从而可以有效提高PET绝缘层3的散热效率，进而提高LED芯片整体的散热效率。
再者，为了进一步提高散热效率，面胶4包括第一面胶41和第二面胶42，所述第一面胶41包设于LED灯体1下部外围，第二面胶42包设于LED灯体1上端部，第一面胶41和第二面胶42之间设置有第二导热层43。
其中，为了提高面胶4和PET绝缘层3的导热系数，面胶4和PET绝缘层3内均掺有纳米氧化铝粉末和/或纳米银粉末，通过提高面胶4和PET绝缘层3的导热系数来提高LED芯片整体的散热效率，降低LED芯片的工作温度，提高LED芯片的发光效率。另外，本实施例的面胶4采用环氧树脂，其具有较高的透光性，可以提高LED芯片整体的发光效率。
另外，本实施例的LED芯片结构中，第二面胶42内设置有荧光粉层44，该荧光粉层44贴于LED灯体1顶端面。本实施例中的荧光粉层44，为贴于LED灯体1顶端面，即，荧光粉层44沉淀于第二面胶42内的底部，可有效减少荧光粉层44接触外部空气被氧化的机会，从而可以延缓荧光粉层44退化的速度，延长LED芯片的使用寿命。其中，为了使荧光粉层44能沉淀于LED灯体1顶端面，是先进行第一面胶41和第二导热层43的成型，并注入第二面胶42的同时加入荧光粉，通过离心的方式使荧光粉层44沉淀于LED灯体1顶端面，第二面胶42凝固后，即可得到本实施例所述的LED芯片结构。
当然，以上仅为本实用新型较佳实施方式，并非以此限定本实用新型的使用范围，故，凡是在本实用新型原理上做等效改变均应包含在本实用新型的保护范围内。
Claims (5)
1.一种纳米光芯片节能LED结构，其特征在于：从上至下依次包括LED灯体、PCB铜片层和PET绝缘层，所述LED灯体焊接于PCB铜片层上，所述LED灯体上包设有面胶，所述PET绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层和第二绝缘层之间通过第一导热层连接。
2.根据权利要求1所述的一种纳米光芯片节能LED结构，其特征在于：所述面胶包括第一面胶和第二面胶，所述第一面胶包设于LED灯体下部外围，第二面胶包设于LED灯体上端部，第一面胶和第二面胶之间设置有第二导热层。
3.根据权利要求2所述的一种纳米光芯片节能LED结构，其特征在于：所述第二面胶内设置有荧光粉层，所述荧光粉层贴于LED灯体顶端面。
4.根据权利要求1所述的一种纳米光芯片节能LED结构，其特征在于：所述第一绝缘层和第二绝缘层均采用掺有纳米氧化铝粉末和/或纳米银粉末的PET材料制成。
5.根据权利要求1所述的一种纳米光芯片节能LED结构，其特征在于：所述面胶采用掺有纳米氧化铝粉末和/或纳米银粉末的环氧树脂采用制成。
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