CN106997851A - 一种晶圆级（或面板级）传感器芯片封装的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种晶圆级（或面板级）传感器芯片封装的制作方法，属于集成电路封装、传感器技术等领域。本发明的制作方法包括：在圆形或者矩形形状的承载片表面配置粘贴材料，将感器芯片正面向下配置于粘贴材料上，将塑封凸块配置于粘贴材料上，采用塑封工艺将塑封材料覆盖在传感器芯片和塑封凸块上，剥离承载片，清除粘贴材料，剥离塑封凸块，配置导电线路和再布线焊盘，切割形成单个封装。本发明制作方法直接在塑封工艺环节配置塑封凸块实现塑封材料上沟槽的制作，不仅避免了对传感器芯片本身进行蚀刻或者刀片切割制作沟槽，而且避免了对介质材料如塑封材料进行激光切割或者刀片切割制作沟槽，工艺成熟简单，成本低，可以提高封装良率，降低传感器芯片和塑封材料的破坏失效风险。
Description
技术领域
本发明涉及微电子封装技术、传感器技术以及芯片互联等技术。
背景技术
随着终端产品的智能化程度不断提高，各种传感器芯片层出不穷。传感芯片扩展了智能手机、平板电脑等产品的应用领域，例如，指纹识别芯片的出现就大大提高了上述产品的安全性。
目前典型的指纹识别传感器芯片，包括半导体芯片，其上形成有用于感测的传感器元件阵列作为感应区域，其最大的特征在于其芯片表面的感应区域与用户手指发生作用，产生芯片可以感测的电信号。为了保证感测的精确度和灵敏度，该感应区域与用户手指的距离要求尽可能小，但限于当前的芯片工艺，芯片焊盘一般也位于同一表面，若采用焊线方式将芯片焊盘引出，焊线高度不可避免的抬升了感应区域与封装体外界的距离。
国内的汇顶科技股份有限公司提出了一种在传感芯片边缘制作台阶，将芯片表面焊盘通过导电层引至该台阶处，然后再进行打线（CN201420009042）。该方式避免了焊线对传感器元件阵列与封装体外界的距离的影响。另外，美国的苹果公司公开了一项传感器封装方面的专利（US20140285263A1），其采用在硅基板上用沉积技术形成感应区域。上述硅基板边缘存在斜坡，以便于将感应区域产生的电信号通过导电层引出。该传感芯片的打线焊盘位于硅基板所在斜坡的下方，避免了焊线对感应区域与封装体外界的距离的影响。上述两公开专利都需要在传感芯片边缘制作台阶或者凹槽、制作导电层和引线键合等工艺，工艺环节较多，且较为复杂。更重要的是，传感芯片为脆性材料，极易在制作台阶或者凹槽工艺环节损坏而失效，良品率低，同时产品存在长期可靠性风险。
为了解决传感线芯片封装上述良率和可靠性问题，国内的华天科技（西安）股份有限公司提供了一种低成本、简单、可靠性高的封装与互连集成方案（CN201410794722），利用介质材料对传感芯片进行包覆，并在介质材料上形成低于芯片表面的沟槽，并将传感芯片上的焊盘通过导电线路引出到沟槽，在沟槽面上的导电层通过焊线用来与外部进行电互连，使得焊线高度低于芯片表面，避免了对传感芯片本身进行刻槽、挖孔等操作。在上述专利公开的封装结构中，介质材料上的沟槽采用激光刻蚀或者切割刀切削方法形成，该方法的激光刻蚀或者刀片切割效率低、成本高，而且机械加工容易引起微裂纹、分层等缺陷，导致封装良率下降。
发明内容
本发明针对传感器件结构，特别是指纹识别类传感器件提供了一种晶圆级（或面板级）、低成本、高集成度、高可靠性的封装方案。借鉴扇出型晶圆级封装（Wafer level fan out
package, FOWLP）的制作方法，在传感器芯片加工完成之后，经过测试分拣，进行划片，将确好传感器芯片（Know good die, KGD) 放置于圆形承载片或者矩形承载片上，然后利用塑封工艺的方式拼成再配置晶圆或面板，接着使用晶圆工艺或者面板工艺进行再布线层和加工，最后切片即获得封装结构。
本发明制作方法的优点是直接在塑封工艺环节配置塑封凸块实现塑封材料上沟槽的制作，不仅避免了对传感器芯片本身进行蚀刻或者刀片切割制作沟槽，而且避免了对介质材料如塑封材料进行激光切割或者刀片切割制作沟槽，本工艺成熟简单，成本低，可以提高封装产品良率，降低传感器芯片和塑封材料的破坏失效风险。本发明制作方法的另外一个优点是，由于本发明制作形成的塑封材料上沟槽的存在，可有效控制引线键合用金属导线的高度低于传感器芯片表面，从而可以对传感器芯片封装实施二次封装，可以直接在传感器芯片表面贴装高硬度、高介电常数的玻璃或蓝宝石盖片达到保护传感器芯片的目的，有效降低了封装整体厚度。
本发明公开了一种晶圆级（或面板级）传感器芯片封装的制作方法，所述制作步骤如下。
步骤一：在承载片表面配置粘贴材料，所述承载片可以为但不局限于硅、玻璃或者不锈钢等材料，所述承载片可以为但不局限于8英寸、12英寸圆形承载片或者矩形承载片，所述粘贴材料的配置方法可以为但不局限于粘贴胶膜或者涂覆高分子聚合物粘结层材料。
步骤二：采用表面贴装方式将表面具有传感器元件阵列和至少一个焊盘的传感器芯片正面向下配置于粘贴材料上，所述传感器芯片至少一个，传感器芯片之间保持一定距离。
步骤三：采用表面贴装方式将塑封凸块配置于粘贴材料上，所述塑封凸块至少一个，塑封凸块之间保持一定距离，所述塑封凸块可以为但不局限于硅、玻璃或者不锈钢等材料，所述塑封凸块的形状可以为但不局限于立方体、梯形柱或者具有曲面的三维形状。
步骤四：采用塑封工艺将塑封材料覆盖在传感器芯片和塑封凸块上，采用研磨、抛光等方式整平覆盖在传感器芯片上的塑封材料，所述塑封材料可以是但不局限于环氧树脂、聚酰亚胺等聚合物介质材料，步骤三中所述塑封凸块可以为塑封工艺所用塑封模具结构的组成部分。
步骤五：剥离承载片，清除粘贴材料，裸露出传感器芯片表面的传感器元件阵列和焊盘，剥离塑封凸块，裸露出塑封材料上形成的沟槽，所述沟槽位于传感器芯片之间，所述沟槽表面低于传感器芯片表面。
步骤六：依次采用涂覆光刻胶、曝光、显影等光刻工艺，电镀或者化学镀等镀层工艺在传感器芯片表面、塑封材料表面及其沟槽表面配置导电线路，在沟槽表面配置再布线焊盘，所述导电线路的一端与传感器芯片焊盘连接，所述导电线路的另一端与再布线焊盘连接，所述导电线路和再布线焊盘可以为但不局限于钛、铜、镍、金、铝等单层或者多层金属层。
步骤七：在塑封材料的沟槽中间部位进行切割分离，形成单个的所述封装。
本发明公开了一种晶圆级（或面板级）传感器芯片封装的制作方法，所述制作方法的主要步骤如下。
步骤一：在承载片表面配置粘贴材料，所述承载片可以为但不局限于硅、玻璃或者不锈钢等材料，所述承载片可以为但不局限于8英寸、12英寸圆形承载片或者矩形承载片，所述粘贴材料的配置方法可以为但不局限于粘贴胶膜或者涂覆高分子聚合物粘结层材料。
步骤二：采用表面贴装方式将表面具有传感器元件阵列和至少一个焊盘的传感器芯片正面向上配置于粘贴材料上，所述传感器芯片至少一个，传感器芯片之间保持一定距离。
步骤三：进行塑封工艺，将配置有传感器芯片的承载片放置于塑封模具中，所述塑封模具下表面具有塑封凸块，所述塑封凸块可以为塑封模具的组成部分，所述塑封凸块至少一个，塑封凸块之间保持一定距离，所述塑封凸块可以为但不局限于硅、玻璃或者不锈钢等材料，所述塑封凸块的形状可以为但不局限于立方体、梯形柱或者具有曲面的三维形状，填充塑封材料包覆传感器芯片，所述塑封材料可以是但不局限于环氧树脂、聚酰亚胺等聚合物介质材料。
步骤四：移除塑封模具和塑封凸块，裸露出传感器芯片表面的传感器元件阵列和焊盘，裸露出塑封材料上形成的沟槽，所述沟槽位于传感器芯片之间，所述沟槽表面低于传感器芯片表面，剥离承载片，清除粘贴材料。
步骤五：依次采用涂覆光刻胶、曝光、显影等光刻工艺，电镀或者化学镀等镀层工艺在传感器芯片表面、塑封材料表面及其沟槽表面配置导电线路，在沟槽表面配置再布线焊盘，所述导电线路的一端与传感器芯片焊盘连接，所述导电线路的另一端与再布线焊盘连接，所述导电线路和再布线焊盘可以为但不局限于钛、铜、镍、金、铝等单层或者多层金属层。
步骤六：在塑封材料的沟槽中间部位进行切割分离，形成单个的所述封装。
附图说明
图1是本发明制作方法实施例一已完成晶圆级（面板级）传感器芯片封装的剖面示意图，图1A中塑封材料沟槽侧壁为直角，图1B中塑封材料沟槽侧壁为斜坡，图1C中塑封材料沟槽侧壁为弧形。
图2是图1A所示传感器芯片封装与基板互连的剖面示意图。
图3是本发明制作方法实施例一，以图1A所示封装为例的一种晶圆级（或面板级）传感器芯片封装的制作过程示意图。
图3A是在承载片表面配置粘贴材料的示意图。
图3B是将传感器芯片正面向下配置于承载片表面粘贴材料上的示意图。
图3C是将塑封凸块配置于承载片表面粘贴材料上的示意图。
图3D是塑封材料覆盖传感器芯片和塑封凸块的示意图。
图3E是剥离承载片，清除粘贴材料，形成沟槽的示意图。
图3F是在传感器芯片表面、塑封材料表面及其沟槽表面配置导电线路与再布线焊盘的示意图。
图4是本发明制作方法实施例二已完成晶圆级（面板级）传感器芯片封装的剖面示意图，图4A中塑封材料沟槽侧壁为直角，图4B中塑封材料沟槽侧壁为斜坡，图4C中塑封材料沟槽侧壁为弧形。
图5是图4A所示传感器芯片封装与基板互连的剖面示意图。
图6是本发明制作方法实施例二，以图4A所示封装为例的一种晶圆级（或面板级）传感器芯片封装的制作过程示意图。
图6A是在承载片表面配置粘贴材料的示意图。
图6B是将传感器芯片正面向上配置于承载片表面粘贴材料上的示意图。
图6C是将配置有传感器芯片的承载片放置于具有塑封凸块的塑封模具中的示意图。
图6D是填充塑封材料包覆传感器芯片的示意图。
图6E是移除塑封模具和塑封凸块，剥离承载片，清除粘贴材料的示意图。
图6F是在传感器芯片表面、塑封材料表面及其沟槽表面配置导电线路与再布线焊盘的示意图。
上述图中，1为传感器芯片、2为传感器元件阵列、3为传感器芯片焊盘、4为塑封凸块、5为塑封材料、6为导电线路、7为再布线焊盘、8为金属导线、9为基板、10为承载片、11为粘贴材料、12为塑封模具。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。
实施例一描述如下。
图1是本发明制作方法实施例一已完成晶圆级（面板级）传感器芯片封装的剖面示意图，其中图1A中塑封材料沟槽侧壁为直角，图1B中塑封材料沟槽侧壁为斜坡，图1C中塑封材料沟槽侧壁为弧形。
请参考图1，根据本发明制作方法形成的一种晶圆级（面板级）传感器芯片封装，所述封装包括至少一个传感器芯片（1）、传感器元件阵列（2）、传感器芯片焊盘（3）、塑封材料（5）、导电线路（6）和再布线焊盘（7）。所述传感器元件阵列（2）和传感器芯片焊盘（3）位于传感器芯片（1）的表面，并且位于同一平面。传感器芯片（1）至少一个侧面覆盖有塑封材料（5），所述塑封材料（5）的厚度大于所述传感器芯片（1）的厚度，所述塑封材料（5）上至少有一个一定长度的沟槽，所述沟槽表面低于传感器芯片（1）的表面。所述导电线路（6）配置于传感器芯片（1）表面、塑封材料（5）表面以及沟槽表面，所述导电线路（6）的一端与传感器芯片焊盘（3）连接，所述导电线路（6）的另一端与再布线焊盘（7）连接。
图2是图1A中所示传感器芯片封装与基板互连的剖面示意图。
请参考图2，根据本发明制作方法形成的一种晶圆级（面板级）传感器芯片封装通过粘贴材料（图中未示出）配置与基板（9）上，采用金属导线（8）实现再布线焊盘（7）与基板（9）的互联。所述基板（9）可以是印刷线路板PCB，也可以是柔性线路板FPC。
图3是本发明制作方法实施例一，以图1A所示封装为例的一种晶圆级（或面板级）传感器芯片封装的制作过程示意图，主要步骤制作如下。
步骤一：在承载片（10）表面配置粘贴材料（11），所述承载片（10）可以为但不局限于硅、玻璃或者不锈钢等材料，所述承载片（10）可以为但不局限于8英寸、12英寸圆形承载片或者矩形承载片，所述粘贴材料（11）的配置方法可以为但不局限于粘贴胶膜或者涂覆高分子聚合物粘结层材料。
步骤二：采用表面贴装方式，例如使用芯片键合设备，将表面具有传感器元件阵列（2）和至少一个焊盘（3）的传感器芯片（1）正面向下配置于粘贴材料（11）上，所述传感器芯片（1）至少一个，传感器芯片（1）之间保持一定距离。
步骤三：采用表面贴装方式，例如使用元器件贴装设备，将塑封凸块（4）配置于粘贴材料（11）上，所述塑封凸块（4）至少一个，塑封凸块（4）之间保持一定距离，所述塑封凸块（4）可以为但不局限于硅、玻璃或者不锈钢等材料，所述塑封凸块（4）的形状可以为但不局限于立方体、梯形柱或者具有曲面的三维形状。
步骤四：采用塑封工艺将塑封材料（5）覆盖在传感器芯片（1）和塑封凸块（4）上，采用研磨、抛光等方式整平覆盖在传感器芯片（1）上的塑封材料（5），所述塑封材料（5）可以是但不局限于环氧树脂、聚酰亚胺等聚合物介质材料，步骤三中所述塑封凸块（4）可以为塑封工艺所用塑封模具结构的组成部分；值得说明的是，图1中所示塑封材料（5）沟槽侧壁形状的不同正是由于采用了不同形状的塑封凸块（4）。
步骤五：剥离承载片（10），清除粘贴材料（11），裸露出传感器芯片（1）表面的传感器元件阵列（2）和焊盘（3），剥离塑封凸块（4），裸露出塑封材料（5）上形成的沟槽，所述沟槽位于传感器芯片（1）之间，所述沟槽表面低于传感器芯片（1）表面。
步骤六：翻转塑封材料（5），使传感器芯片（1）表面向上，依次采用涂覆光刻胶、曝光、显影等光刻工艺，电镀或者化学镀等镀层工艺在传感器芯片（1）表面、塑封材料（5）表面及其沟槽表面配置导电线路（6），在沟槽表面配置再布线焊盘（7），所述导电线路（6）的一端与传感器芯片焊盘（3）连接，所述导电线路 （6）的另一端与再布线焊盘（7）连接，所述导电线路（6）和再布线焊盘（7）可以为但不局限于钛、铜、镍、金、铝等单层或者多层金属层。
步骤七：在塑封材料（5）的沟槽中间部位进行切割分离，所用切割分离方法可以采用刀片切割、水刀切割和激光切割等方法，最终形成单个的所述封装。
实施例二描述如下。
图4是本发明制作方法实施例二已完成晶圆级（面板级）传感器芯片封装的剖面示意图，其中图4A中塑封材料沟槽侧壁为直角，图4B中塑封材料沟槽侧壁为斜坡，图4C中塑封材料沟槽侧壁为弧形。
请参考图4，根据本发明制作方法形成的一种晶圆级（面板级）传感器芯片封装，所述封装包括至少一个传感器芯片（1）、传感器元件阵列（2）、传感器芯片焊盘（3）、塑封材料（5）、导电线路（6）和再布线焊盘（7）。所述传感器元件阵列（2）和传感器芯片焊盘（3）位于传感器芯片（1）的表面，并且位于同一平面。传感器芯片（1）至少一个侧面覆盖有塑封材料（5），所述塑封材料（5）的厚度等于所述传感器芯片（1）的厚度，所述塑封材料（5）上至少有一个一定长度的沟槽，所述沟槽表面低于传感器芯片（1）的表面。所述导电线路（6）配置于传感器芯片（1）表面、塑封材料（5）表面以及沟槽表面，所述导电线路（6）的一端与传感器芯片焊盘（3）连接，所述导电线路（6）的另一端与再布线焊盘（7）连接。
图5是图4A中所示传感器芯片封装与基板互连的剖面示意图。
请参考图5，根据本发明制作方法形成的一种晶圆级（面板级）传感器芯片封装通过粘贴材料（图中未示出）配置与基板（9）上，采用金属导线（8）实现再布线焊盘（7）与基板（9）的互联。所述基板（9）可以是印刷线路板PCB，也可以是柔性线路板FPC。
图6是本发明制作方法实施例二，以图4A所示封装为例的一种晶圆级（或面板级）传感器芯片封装的制作过程示意图，主要制作步骤如下。
步骤一：在承载片（10）表面配置粘贴材料（11），所述承载片（10）可以为但不局限于硅、玻璃或者不锈钢等材料，所述承载片（10）可以为但不局限于8英寸、12英寸圆形承载片或者矩形承载片，所述粘贴材料（11）的配置方法可以为但不局限于粘贴胶膜或者涂覆高分子聚合物粘结层材料。
步骤二：采用表面贴装方式，例如使用芯片键合设备，将表面具有传感器元件阵列（2）和至少一个焊盘（3）的传感器芯片（1）正面向上配置于粘贴材料（11）上，所述传感器芯片（1）至少一个，传感器芯片（1）之间保持一定距离。
步骤三：进行塑封工艺，将配置有传感器芯片（1）的承载片（10）放置于塑封模具（12）中，所述塑封模具（12）下表面具有塑封凸块（4），所述塑封凸块（4）可以为塑封模具（12）的组成部分，所述塑封凸块（4）至少一个，塑封凸块（4）之间保持一定距离，所述塑封凸块（4）可以为但不局限于硅、玻璃或者不锈钢等材料，所述塑封凸块（4）的形状可以为但不局限于立方体、梯形柱或者具有曲面的三维形状，填充塑封材料（5）包覆传感器芯片（1），所述塑封材料（5）可以是但不局限于环氧树脂、聚酰亚胺等聚合物介质材料；值得说明的是，图4中所示塑封材料（5）沟槽侧壁形状的不同正是由于采用了不同形状的塑封凸块（4）。
步骤四：移除塑封模具（12）和塑封凸块（4），裸露出传感器芯片（1）表面的传感器元件阵列（2）和焊盘（3），裸露出塑封材料（5）上形成的沟槽，所述沟槽位于传感器芯片（1）之间，所述沟槽表面低于传感器芯片（1）表面，剥离承载片（10），清除粘贴材料（11）。
步骤五：依次采用涂覆光刻胶、曝光、显影等光刻工艺，电镀或者化学镀等镀层工艺在传感器芯片（1）表面、塑封材料（5）表面及其沟槽表面配置导电线路（6），在沟槽表面配置再布线焊盘（7），所述导电线路（6）的一端与传感器芯片焊盘（3）连接，所述导电线路 （6）的另一端与再布线焊盘（7）连接，所述导电线路（6）和再布线焊盘（7）可以为但不局限于钛、铜、镍、金、铝等单层或者多层金属层。
步骤六：在塑封材料（5）的沟槽中间部位进行切割分离，所用切割分离方法可以采用刀片切割、水刀切割和激光切割等方法，最终形成单个的所述封装。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种晶圆级（或面板级）传感器芯片封装的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤一：在承载片（10）表面配置粘贴材料（11），所述承载片（10）可以为但不局限于硅、玻璃或者不锈钢等材料，所述承载片（10）可以为但不局限于8英寸、12英寸圆形承载片或者矩形承载片，所述粘贴材料（11）的配置方法可以为但不局限于粘贴胶膜或者涂覆高分子聚合物粘结层材料；
步骤二：采用表面贴装方式将表面具有传感器元件阵列（2）和至少一个焊盘（3）的传感器芯片（1）正面向下配置于粘贴材料（11）上，所述传感器芯片（1）至少一个，传感器芯片（1）之间保持一定距离；
步骤三：采用表面贴装方式将塑封凸块（4）配置于粘贴材料（11）上，所述塑封凸块（4）至少一个，塑封凸块（4）之间保持一定距离，所述塑封凸块（4）可以为但不局限于硅、玻璃或者不锈钢等材料，所述塑封凸块（4）的形状可以为但不局限于立方体、梯形柱或者具有曲面的三维形状；
步骤四：采用塑封工艺将塑封材料（5）覆盖在传感器芯片（1）和塑封凸块（4）上，采用研磨、抛光等方式整平覆盖在传感器芯片（1）上的塑封材料（5），所述塑封材料（5）可以是但不局限于环氧树脂、聚酰亚胺等聚合物介质材料，步骤三中所述塑封凸块（4）可以为塑封工艺所用塑封模具结构的组成部分；
步骤五：剥离承载片（10），清除粘贴材料（11），裸露出传感器芯片（1）表面的传感器元件阵列（2）和焊盘（3），剥离塑封凸块（4），裸露出塑封材料（5）上形成的沟槽，所述沟槽位于传感器芯片（1）之间，所述沟槽表面低于传感器芯片（1）表面；
步骤六：依次采用涂覆光刻胶、曝光、显影等光刻工艺，电镀或者化学镀等镀层工艺在传感器芯片（1）表面、塑封材料（5）表面及其沟槽表面配置导电线路（6），在沟槽表面配置再布线焊盘（7），所述导电线路（6）的一端与传感器芯片焊盘（3）连接，所述导电线路 （6）的另一端与再布线焊盘（7）连接，所述导电线路（6）和再布线焊盘（7）可以为但不局限于钛、铜、镍、金、铝等单层或者多层金属层；
步骤七：在塑封材料（5）的沟槽中间部位进行切割分离，形成单个的所述封装。
2.一种晶圆级（或面板级）传感器芯片封装的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤一：在承载片（10）表面配置粘贴材料（11），所述承载片（10）可以为但不局限于硅、玻璃或者不锈钢等材料，所述承载片（10）可以为但不局限于8英寸、12英寸圆形承载片或者矩形承载片，所述粘贴材料（11）的配置方法可以为但不局限于粘贴胶膜或者涂覆高分子聚合物粘结层材料；
步骤二：采用表面贴装方式将表面具有传感器元件阵列（2）和至少一个焊盘（3）的传感器芯片（1）正面向上配置于粘贴材料（11）上，所述传感器芯片（1）至少一个，传感器芯片（1）之间保持一定距离；
步骤三：进行塑封工艺，将配置有传感器芯片（1）的承载片（10）放置于塑封模具（12）中，所述塑封模具（12）下表面具有塑封凸块（4），所述塑封凸块（4）可以为塑封模具（12）的组成部分，所述塑封凸块（4）至少一个，塑封凸块（4）之间保持一定距离，所述塑封凸块（4）可以为但不局限于硅、玻璃或者不锈钢等材料，所述塑封凸块（4）的形状可以为但不局限于立方体、梯形柱或者具有曲面的三维形状，填充塑封材料（5）包覆传感器芯片（1），所述塑封材料（5）可以是但不局限于环氧树脂、聚酰亚胺等聚合物介质材料；
步骤四：移除塑封模具（12）和塑封凸块（4），裸露出传感器芯片（1）表面的传感器元件阵列（2）和焊盘（3），裸露出塑封材料（5）上形成的沟槽，所述沟槽位于传感器芯片（1）之间，所述沟槽表面低于传感器芯片（1）表面，剥离承载片（10），清除粘贴材料（11）；
步骤五：依次采用涂覆光刻胶、曝光、显影等光刻工艺，电镀或者化学镀等镀层工艺在传感器芯片（1）表面、塑封材料（5）表面及其沟槽表面配置导电线路（6），在沟槽表面配置再布线焊盘（7），所述导电线路（6）的一端与传感器芯片焊盘（3）连接，所述导电线路 （6）的另一端与再布线焊盘（7）连接，所述导电线路（6）和再布线焊盘（7）可以为但不局限于钛、铜、镍、金、铝等单层或者多层金属层；
步骤六：在塑封材料（5）的沟槽中间部位进行切割分离，形成单个的所述封装。
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