CN106992137B - 搬送装置和校正方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供搬送被处理体的搬送装置,取得考虑了伴随随着时间经过发生的温度变化的搬送臂的热膨胀、收缩和变形这样的形状变化的位置信息,以比现有技术更高的精度将被处理体载置于正确的位置。其包括:转动驱动机构,使第一臂和第二臂被转动驱动,并使保持部在待机位置与搬送位置之间移动;检测第一臂和第二臂的转动角度的转动角检测机构;检测第二臂的位置的位置检测传感器;根据由转动角检测机构检测的所述第一臂和所述第二臂的转动角度计算所述保持部的位置的计算部;和将由计算部计算出的所述保持部的位置信息与由所述位置检测传感器检测到的第二臂的位置信息进行比较,根据两者的差对搬送搬送对象物的搬送位置实施校正的控制部。

Description

搬送装置和校正方法
技术领域
本发明涉及对搬送对象物进行搬送的搬送装置,特别涉及将半导体晶片、液晶用基板、有机EL元件等被处理体搬送至处理腔室的搬送装置和对搬送位置实施校正的校正方法。
背景技术
例如,在半导体设备和液晶面板等的制造工艺中,对半导体基板和液晶用基板(以下,将半导体基板和液晶用基板简单地称为“晶片”)这样的被处理体进行的成膜处理、蚀刻处理、氧化处理等各种处理,在不同的处理容器内进行。在使被处理体在处理容器之间搬入搬出时,通常使用具有保持被处理体的保持部的搬送装置。搬送装置存在各种各样的类型,但多数是使用例如通过使单一关节的臂或多关节的臂伸展动作、后退动作而使保持部往复移动的装置。
在使用具有保持部的搬送装置时,为了使被处理体定位并搬入处理容器内的所希望的位置,已创造了各种定位技术。专利文献1公开了求出半导体晶片的中心位置并使该半导体晶片载置于载置台的规定的位置的技术。根据该专利文献1所记载的技术,能够使用2个传感器而总是准确地求出晶片中心,并可以实现求心精度的提高。
发明所要解决的课题
然而,在上述专利文献1所记载的技术中,没有记载伴随对保持晶片的保持部进行支承的搬送臂的热膨胀的位置偏移和对该位置偏移进行定位时的校正技术等。在对半导体晶片等被处理体进行成膜处理或蚀刻处理这样的各种处理时,一般是使处理容器内处于例如700℃这样的高温条件下。另外,处理容器等经常不是相同的温度,而是与开始处理一起进行升温,温度随着时间经过发生变化。
由于随着时间经过发生的温度变化和暴露于高温环境下,对保持晶片的保持部进行支承的搬送臂反复发生热膨胀和收缩,关于向处理容器内载置被处理体(搬送对象物),需要根据时时的温度状态取得搬送臂和保持部的正确的位置信息,并实施定位。特别是,作为材质,从轻量化和通用性这样的观点考虑,该搬送臂通常使用铝,与由SUS等构成的保持部相比,热膨胀系数大,重要的是在定位时考虑搬送臂的伸长和变形。
即,在处理容器内及其附近升温的速度和降温的速度根据环境而随着时间经过发生变化,有可能对搬送臂施加与该环境对应的伸长和变形,因此关于位置信息的取得,尽可能希望在即将载置被处理体之前的处理容器附近位置进行该信息的取得。关于这点,目前通过将保持部作为对象,在处理容器入口检测保持部被搬入处理容器内时的位置信息来进行应对,但是对考虑了保持部侵入处理容器内的阶段(搬送臂即将伸长之前的状态)的搬送臂的形状的检测、测量,现有技术中没有进行也是实情。
鉴于这样的情况,本发明的目的在于提供对搬送对象物进行搬送的搬送装置,取得考虑了伴随随着时间经过发生的温度变化的搬送臂的热膨胀、收缩和变形这样的形状变化的位置信息,能够以比现有技术更高的精度将搬送对象物载置于正确的搬送位置的搬送装置和校正方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2008-218903号公报
发明内容
用于解决课题的手段
为了达成上述目的,本发明提供一种搬送装置,其具有:保持搬送对象物的保持部;一个端部与上述保持部连结的直线状的第二臂;和经由关节部与该第二臂的另一个端部连结的直线状的第一臂,该搬送装置的特征在于,还包括:转动驱动机构,使上述第一臂和上述第二臂被转动驱动,并使上述保持部在待机位置与搬送位置之间移动;检测上述第一臂和上述第二臂的转动角度的转动角检测机构;检测上述第二臂的位置的位置检测传感器;根据由上述转动角检测机构检测的上述第一臂和上述第二臂的转动角度计算上述保持部的位置的计算部;和控制部,将由上述计算部计算出的上述保持部的位置信息与由上述位置检测传感器检测到的第二臂的位置信息进行比较,根据两者的差对搬送搬送对象物的搬送位置实施校正。
在上述搬送装置中,检测上述第二臂的位置的位置检测传感器可以包括设置于该第二臂的长度方向的中途的踢挡件和对该踢挡件进行检测的踢挡件用传感器。
在上述搬送装置中,上述踢挡件用传感器对上述踢挡件的检测可以仅在转动驱动上述第二臂时的等速区域或者减速区域内实施。
在上述搬送装置中,所述检测第二臂的位置的位置检测传感器可以包括在该第二臂的长度方向的中途形成的缺口部和对该缺口部进行检测的传感器。
在上述搬送装置中,可以将上述第一臂和上述第二臂分别设置一对。
另外,根据另一个观点的本发明,提供一种在搬送装置中对搬送搬送对象物的搬送位置实施校正的校正方法,该搬送装置具有:保持搬送对象物的保持部;一个端部与上述保持部连结的直线状的第二臂;和经由关节部与该第二臂的另一个端部连结的直线状的第一臂,上述校正方法的特征在于,包括:根据上述第一臂和上述第二臂的转动角度计算上述保持部的位置的步骤;利用检测上述第二臂的位置的上述位置检测传感器对该第二臂的位置信息进行检测的步骤;和将根据上述第一臂和上述第二臂的转动角度计算出的上述保持部的位置信息与由上述位置检测传感器检测到的第二臂的位置信息进行比较,根据两者的差对搬送搬送对象物的搬送位置实施校正的步骤。
在上述校正方法中,检测上述第二臂的位置的位置检测传感器可以包括设置于该第二臂的长度方向的中途的踢挡件和对该踢挡件进行检测的踢挡件用传感器。
在上述校正方法中,上述踢挡件用传感器对上述踢挡件的检测可以仅在转动驱动上述第二臂时的减速区域内实施。
在上述校正方法中,检测上述第二臂的位置的位置检测传感器可以包括形成于该第二臂的长度方向的中途的缺口部和对该缺口部进行检测的传感器。
发明效果
根据本发明,在对搬送对象物进行搬送的搬送装置中,取得考虑了伴随伴随时间经过发生的温度变化的搬送臂的热膨胀、收缩和变形这样的形状变化的位置信息,能够以比现有技术更高的精度将搬送对象物载置于正确的搬送位置。
附图说明
图1是表示适用本实施方式的搬送装置的基板处理系统的结构的概略俯视图。
图2是晶片搬送装置的概略立体图。
图3(a)~(c)是关于现有的晶片搬送装置的动作的概略俯视图。
图4(a)~(d)是关于本实施方式的晶片搬送装置的动作的概略俯视图。
图5(a)、(b)是表示臂机构的驱动状态的概略说明图。
图6是表示使臂机构(Pick2)在负载锁定室与处理腔室之间往复并对其前端伸长量进行评价的结果的图。
图7是称为蛙腿(FROG-LEG)式的结构的臂机构的概略说明图。
符号说明
1…基板处理系统
10…盒载置部
20…处理腔室
21…真空搬送室
30…晶片搬送装置
31…叉
32…臂机构
37…传感器
40…中央轮毂
41…第一臂
43…关节部
45…第二臂
60…踢挡件(kicker)
63…踢挡件用传感器
W…晶片(被处理体)
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行说明。其中,在本说明书和附图中,对于实质上具有相同的功能结构的构成要素,标注相同的符号,省略重复说明。
图1是表示适用本实施方式的搬送装置的基板处理系统1的结构的概略俯视图。基板处理系统1具有:以盒C单元相对于基板处理系统1搬入搬出晶片W的盒站2;和对例如作为被处理体的晶片W进行处理的处理站3。盒站2和处理站3为经由负载锁定室4连接成一体的构成。
盒站2具有盒载置部10和与盒载置部10相邻设置的搬送室11。在盒载置部10中,能够在X方向(图1中的左右方向)上并排载置多个例如3个能够收纳多个晶片W的盒C。在搬送室11中设置有晶片搬送臂12。晶片搬送臂12能够在上下方向、左右方向和绕铅直轴(图中θ方向)移动,能够在盒载置部10的盒C与负载锁定室4之间搬送晶片W。在搬送室11的X方向的负方向侧的端部,设置有识别晶片W的缺口等而进行晶片的定位的定位装置12。
处理站3具有对晶片W进行处理的多个处理腔室20和多边形(在图示的例子中为八边形)的真空搬送室21。各处理腔室20以围绕该真空搬送室21的周围的方式配置。另外,负载锁定室4与真空搬送室21连接。
在真空搬送室21内设置有对作为被处理体和搬送对象物的晶片W进行搬送的晶片搬送装置30。晶片搬送装置30具有作为保持晶片W的保持部的叉31和能旋转和伸缩的单一关节式的臂机构32,能够在负载锁定室4、真空搬送室21和处理腔室20之间搬送晶片W。其中,在图1中图示了在真空搬送室21的中央只设置有1个臂机构32的情况,但也可以设置多个臂机构32。
其中,在作为处理腔室20与真空搬送室21的边界的、使晶片W向处理腔室20搬送(搬入搬出)时的搬入搬出口35,对于各个处理腔室20在该搬入搬出口35的两侧设置有感知晶片W的通过的传感器37。传感器37例如设置在搬入搬出口35的上部,在每个搬入搬出口35设置一对(2个部位)传感器37。在将保持于叉31的晶片W向处理腔室20内搬送时,利用该传感器37对晶片W的通过开始时和通过结束时进行检测,根据其位置信息将晶片W载置于处理腔室20内的规定的位置。
以下,参照图2对包括臂机构32的晶片搬送装置30的详细的结构进行说明。图2是晶片搬送装置30的概略立体图。如图2所示,晶片搬送装置30具有以中央轮毂40的中心A为转动轴的直线状的第一臂41和直线状的第二臂45,第二臂45将该第一臂41的前端作为关节部43,经由该关节部43与第一臂41连接。
另外,电动机40a、40b经由未图示的转动部件与中央轮毂40连接。第一臂41构成为通过该电动机40a的驱动能够以中心A为转动轴转动。将该第一臂41的转动角设为θ1(以下,第一臂41的转动角度θ1)。另一方面,利用电动机40b的驱动,成为能够以中心A为转动轴使臂机构32整体转动的构成。
另外,第二臂45构成为以关节部43为中心轴能够转动。并且,在第二臂45的前端设置有叉31。此处,将关节部43的第一臂41与第二臂45所成的角度设为θ2(以下,第二臂45的转动角度θ2)时,该角度θ2与上述第一臂41的转动角θ1联动地变化。具体而言,进行如下所述的动作:角度θ2随着角度θ1变小而变大,或者角度θ2随着角度θ1变大而变小这样的动作。另外,第二臂45与叉31所成的角度θ3(后述的支承板51的连接角度)的角度与臂机构32的延伸一起变大。通过对这些角度θ1~θ3进行适当的调整,安装于臂机构32的前端的叉31能够在中央轮毂40与处理腔室20之间从中心A向径向大致直线地移动。
关于臂机构32,相对于规定的搬送位置大致直线地进行臂伸缩时,在将第一臂41和第二臂45的端部连结而构成的、以关节部43为顶点的等腰三角形不崩塌的条件下,通过适当使用未图示的带、连接件、齿轮等机构而进行伸缩动作。即,中央轮毂40和电动机40a构成为使第一臂41和第二臂45被转动驱动,并使叉31从待机位置向搬送位置移动。
作为保持部的叉31具有大致U字状的主体部50和支承主体部50的支承板51。主体部50例如利用未图示的螺栓等连结部件与支承板51连接。叉31以经由该支承板51可适当地改变连接角度θ3的结构安装在第二臂45的前端。
接着,参照图3(a)~(c)对如上说明的构成的晶片搬送装置30的动作及其动作中的现有技术中的位置信息的取得进行说明。图3(a)~(c)是关于现有技术的晶片搬送装置30的动作的概略俯视图,是表示向处理腔室20内搬送晶片W时的动作的图。图3(a)表示搬送晶片W前,图3(b)表示晶片W被搬入处理腔室20的搬入时,图3(c)表示将晶片W搬入到处理腔室20内后(搬入后),按照(a)~(c)的顺序对晶片W进行搬送。
首先,如图3(a)所示,将从负载锁定室4取出的晶片W保持在作为晶片搬送装置30的保持部的叉31上,成为待机状态。此时,第一臂41的转动角度为θ1,第二臂45的转动角度为θ2,将此时的叉31的位置作为待机位置。通过实施使第一臂41的转动角度θ1变小并且使第二臂45的转动角度θ2变大那样的动作,能够从这样的图3(a)所示的状态(待机状态)向图3(a)~(c)中的Y方向(向处理腔室20的直线方向)搬送所保持的晶片W。
接着,如图3(b)所示,进行搬送直至设置于处理腔室20的搬入搬出口的传感器37能够检测晶片W这样的位置,根据该检测开始取得晶片W的位置信息。此时,第一臂41的转动角度变成θ1a(<θ1),第二臂45的转动角度变成θ2a(>θ2)。
然后,如图3(c)所示,通过使晶片搬送装置30的保持部(叉31)移动至最终的搬送位置,能够将晶片W载置于处理腔室20内的规定的位置。此时,第一臂41的转动角度变成θ1b(<θ1a),第二臂45的转动角度变成θ2b(>θ2a)。
这样,在图3(a)~(c)所示的现有的晶片W的搬送中,根据传感器37检测到晶片W时的位置信息和晶片W离开传感器37的检测范围时的位置信息,能够进行晶片W的定位,将晶片W载置于处理腔室20内的规定的位置。另外,关于晶片W的定位,将取得的位置信息发送给未图示的控制部,从该控制部向电动机40a发送动作信号,利用该电动机40a的驱动使第一臂41和第二臂45转动移动。
此处,利用未图示的转动角度检测机构在任意的时刻检测各臂的转动角度。根据利用该转动角度检测机构检测的各臂的转动角度与传感器37的关联性,进行由未图示的计算部实施的计算,并进行晶片W的位置信息的取得。
以上,参照图3(a)~(c)对现有技术的晶片搬送装置30的动作和位置信息的取得进行了说明。
利用这样的传感器37取得晶片W的位置信息时,在上述位置信息的取得中没有反映叉31到达处理腔室20的内部后的阶段(即,搬送臂即将充分地伸长之前的状态)的各臂的伸长和变形等形状变化。在搬送臂(第一臂41和第二臂45)即将充分地伸长之前的状态下,在Y方向(向处理腔室20去的直线方向)上显著地显现该搬送臂的伸长和变形。
鉴于这样的情况,本发明者们认为关于向规定位置载置晶片W,能够实现更高精度的提高,首创了本实施方式的晶片搬送装置30的控制方法。以下,参照图4(a)~(d)对本实施方式的晶片搬送装置30的控制方法进行说明。
图4(a)~(d)是关于本实施方式的晶片搬送装置30的动作的概略俯视图,是表示向处理腔室20内搬送晶片W时的动作的图。(a)表示搬送晶片W前,(b)表示晶片W被搬入处理腔室20的搬入时,(c)表示刚将晶片W搬入处理腔室20内之后(刚搬入后),(d)表示即将载置晶片W之前,按照(a)~(d)的顺序对晶片W进行搬送。
再者,在本实施方式的晶片搬送装置30中,基本的结构成为参照图2、3所说明的结构,除此以外,在第二臂45的长度方向中途设置有踢挡件60,另外,设置有踢挡件用传感器63,在晶片搬送装置30动作时,在向处理腔室20搬入晶片W后,踢挡件用传感器63对该踢挡件60进行位置检测。即,踢挡件60和踢挡件用传感器63具有作为第二臂45的位置检测传感器的作用。
首先,如图4(a)所示,将从负载锁定室4取出的晶片W保持在作为晶片搬送装置30的保持部的叉31上。此时,第一臂41的转动角度为θ1,第二臂45的转动角度为θ2,将此时的叉31的位置作为待机位置。通过实施使第一臂41的转动角度θ1变小并使第二臂45的转动角度θ2变大这样的动作,能够从这样的图4(a)所示的状态向图4(a)~(d)中的Y方向(向处理腔室20去的直线方向)搬送所保持的晶片W。
接着,如图4(b)所示,进行搬送直至设置于处理腔室20的搬入搬出口的传感器37能够检测晶片W这样的位置,根据该检测开始取得晶片W的位置信息。此时,第一臂41的转动角度变成θ1a(<θ1),第二臂45的转动角度变成θ2a(>θ2)。
然后,如图4(c)所示,在刚向处理腔室20内搬入晶片W之后,结束传感器37对晶片W的检测。即,结束利用传感器37取得晶片W的位置信息。然后,在将晶片W搬入处理腔室20内后,开始踢挡件用传感器63对踢挡件60的检测。此时,第一臂41的转动角度变成θ1b’(<θ1a),第二臂45的转动角度变成θ2b’(>θ2a)。
然后,如图4(d)所示,踢挡件用传感器63对踢挡件60的检测结束,取得基于该检测的晶片W的位置信息。根据所得到的位置信息,进行晶片W的定位,通过使晶片搬送装置30的保持部(叉31)移动至最终的搬送位置,能够将晶片W载置于处理腔室20内的规定的位置。此时,第一臂41的转动角度变成θ1c(<θ1b’),第二臂45的转动角度变成θ2c(>θ2b’)。
另外,关于晶片W的定位,将取得的位置信息发送给未图示的控制部,从该控制部向电动机40a、40b发送动作信号,通过该电动机40a、40b的驱动使第一臂41、第二臂45和臂机构32整体转动移动。
此处,利用未图示的转动角度检测机构在任意的时刻检测各臂的转动角度。根据由该转动角度检测机构检测的各臂的转动角度与传感器37的关联性,由未图示的计算部进行计算,并进行晶片W的位置信息的取得直至传感器37对晶片W的检测结束。
另一方面,利用作为第二臂45的位置检测传感器的踢挡件60和踢挡件用传感器63,能够取得上述传感器37的检测结束后的晶片W的位置信息。
这样,将由转动角度检测机构和传感器37取得的晶片W的位置信息与由作为第二臂45的位置检测传感器的踢挡件60和踢挡件用传感器63取得的晶片W的位置信息进行比较,计算其差。然后,利用未图示的控制部,根据该差对晶片W的位置实施校正,确定最终的晶片W的载置位置,从而能够以高精度将晶片W载置于规定的位置。
此处,关于用于设置踢挡件60的位置和该踢挡件60与踢挡件用传感器63的位置关系,在图4(a)~(d)所示的晶片W的搬送过程中,优选在第二臂45的等速区域或者减速区域内用踢挡件用传感器63能够检测踢挡件60这样的结构。
此处,对臂机构32(特别是第二臂45)的驱动中的等速区域或者减速区域的具体的定义进行说明。图5(a)、(b)是表示臂机构32的被驱动的状态的概略说明图,是在将臂机构32的中心位置设为0mm时,搬送位置(晶片W的交接位置)位于900mm~1000mm的位置时的驱动状况的概略图。其中,在图5(a)、(b)中,臂机构32被驱动时的旋转半径时的晶片W中心位置(臂待机位置)位于310mm附近,事实上,从该310mm附近的地点开始搬送晶片W,并移动至晶片W的交接位置即搬送位置。此处,在图5(a)、(b)中,作为臂机构的被驱动的例子,同时记载并图示了驱动的中间地点为605mm且搬送位置为900mm的情况(a)和中间地点为655mm且搬送位置为1000mm的情况(b)。
另外,在图5(a)、(b)中,将驱动时的臂速度的一个例子图表化并一起图示,在图5(a)中,表示了中间地点为605mm且搬送位置为900mm的三角驱动的情况(图中的实线)的速度变化,在图5(b)中,表示了中间地点为655mm且搬送位置为1000mm的三角驱动的情况(图中的虚线)和中间地点为655mm附近且搬送位置为1000mm的梯形驱动(图中的点划线)的情况的速度变化。
已知臂机构32的驱动通常以三角驱动、梯形驱动、花键驱动进行动作,如图5(a)、(b)的图表所示,基本上在该驱动的中间地点(605mm~655mm)成为最高速,越过其最高速地点时,就进入等速区域或者减速区域。此处,所谓等速区域,在图5(b)所示的梯形驱动的情况下是最高速的状态下的臂驱动继续规定量时的区域(区间)。在存在等速区域的情况下,等速区域后的区间就成为减速区域。这样的等速区域或者减速区域相当于晶片W的移动中越过中间点的区域,构成为在这样的区域内由踢挡件用传感器63能够检测踢挡件60,由此即使是臂机构32伸长了某种程度的位置,也能够进行晶片W的位置信息的取得。
参照图4(a)~(d),如上所述,根据本实施方式的技术,除了根据由传感器37进行的位置信息的取得对晶片W的位置进行校正以外,还可以根据由踢挡件60和踢挡件用传感器63进行的位置信息的取得对晶片W的位置进行校正。此时,由踢挡件60和踢挡件用传感器63进行的位置信息的取得在更靠近于用于载置晶片W的规定位置的地方实施。换言之,能够在第一臂41和第二臂45即将在Y方向上充分地伸长之前实施位置信息的取得、校正。
因此,与现有相比,能够以高精度将晶片W载置于正确的位置。特别而言,因第一臂41和第二臂45的升温和降温而导致的伸长、变形在图中Y方向上显著地显现,因此能够进行考虑了这样的伸长、变形的位置信息的取得、校正,结果是能够以极高精度将晶片W载置于正确的位置。
另外,在适用本实施方式的晶片搬送装置30的基板处理系统1中,通常对多个被处理体(多个晶片W)连续地进行处理。在例如6~7小时左右、连续地进行处理时,第一臂41和第二臂45的温度随着时间经过会发生变化,并在经过规定的时间后成为恒定状态。在这样的情况下,即使处于第一臂41和第二臂45的温度随着时间经过发生了变化的阶段,也能够进行总是将与其温度相对应的臂的伸长、变形纳入考虑的位置信息的取得、校正,因此与处理状态和处理经过时间无关,总是能够以高精度将晶片W载置于正确的位置。
另外,以下对本实施方式的基板处理系统1的晶片搬送装置30的臂的温度变化和随之而产生的伸长、变形进行检验。
图6是表示在本实施方式的基板处理系统1中,使处于保持处理完的晶片W的状态的臂机构32(Pick2:相当于本实施方式中的叉31的部位的名称)在负载锁定室4与处理腔室20之间往复,并对其前端伸长量进行了评价的结果的图。其中,图6中的y方向是搬送方向(从中心A开始的径向),x方向是与搬送方向正交的方向。另外,关于图6所示的图的评价,使处理腔室20的设定温度成为400℃~700℃,并将该处理腔室20中的工艺处理时间设定为50sec~75sec来实施。
如图6所示,可知臂机构32在反复搬送晶片W中特别是在y方向前端伸长量增大了。另外,也可知在反复搬送、往复中,前端伸长量随着时间经过发生了变化。从该点可知,如上所述,进行将臂的伸长、变形纳入考虑的位置信息的取得、校正,在为了与处理状态和处理经过时间无关而总是以高精度将晶片W载置于正确的位置的方面是重要的。
以上,对本发明的实施方式的一个例子进行了说明,但本发明并不限定于图示的方式。只要是本领域技术人员,都可以在请求保护的范围所记载的思想范畴内想到各种变形例或者修正例,这是清楚的,并且应该明白这些当然也属于本发明的技术范围。
例如,在上述实施方式中,对在第二臂45的长度方向中途设置踢挡件60、且配置对其踢挡件60进行检测这样的踢挡件用传感器63的结构进行了图示和说明,但本发明并不限定于这样的结构。即,在本发明中,只要是能够在第一臂41和第二臂45在Y方向上即将充分地伸长之前进行位置信息的取得、校正的结构即可,对踢挡件60的形状和结构没有特别限定,另外,也可以构成为代替踢挡件60而在第二臂45上设置缺口形状(缺口部)等能够感测的形状。在这种情况下,可以配置对该缺口部进行感测的传感器(相当于踢挡件用传感器63)。
另外,在上述实施方式中,对设置踢挡件用传感器63的情况进行了说明,但也可以将设置于处理腔室20的搬入搬出口35的传感器37用作踢挡件用传感器63。在这种情况下,不需要重新设置踢挡件用传感器63,只要是在第一臂41和第二臂45在Y方向上即将充分地伸长之前,能够利用传感器37对踢挡件60的配置、结构进行感测就可以。
另外,在上述实施方式中,作为臂机构32的结构,对具有直线状的第一臂41、第二臂45和叉31的可回旋、伸缩的单一关节式的结构进行了例示、说明,但本发明的适用范围不限于此。即,也可以适用于第一臂41和第二臂45分别设置一对的、图7所示的所谓的称为蛙腿(FROG-LEG)式的结构的臂机构。但是,在这种情况下,对于一对第二臂45的每一个,需要相当于在第一臂41和第二臂45在Y方向上即将充分地伸长之前进行感测的踢挡件的结构和对应的传感器。
实施例
作为本发明的实施例,在图1、2所示的结构的基板处理系统1中,在升温条件(温度随着时间经过而升温的条件)和室温条件(温度一定的条件)的各条件下,适用图3(a)~(c)所示的现有技术的校正方法和图4(a)~(d)所示的本发明所涉及的校正方法,利用臂机构将晶片W反复搬送、载置,对此时的位置偏移量进行测定。
其结果是,在升温条件下,在现有技术的校正方法中位置偏移为0.91mm,在本发明所涉及的校正方法中位置偏移为0.21mm。另外,在室温条件下,在现有技术的校正方法中位置偏移为0.35mm,在本发明所涉及的校正方法中位置偏移为0.29mm。
可知在升温条件、室温条件的任一种条件下,本发明所涉及的校正方法的位置偏移都是比现有技术的校正方法的位置偏移低的值,能够以更高精度进行晶片W的定位。另外,在室温条件下,两者的位置偏移没有较大的差异,但在升温条件下,两者的位置偏移存在较大的差异,因此可知本发明所涉及的校正方法在温度随着时间经过发生变化的升温条件和类似的降温条件等条件下更加有效。
产业上的可利用性
本发明能够适用于对搬送对象物进行搬送的搬送装置,特别是将半导体晶片、液晶用基板、有机EL元件等被处理体搬送至处理腔室的搬送装置和对搬送位置实施校正的校正方法。

Claims (9)

1.一种搬送装置,其具有:保持搬送对象物的保持部;一个端部与所述保持部连结的直线状的第二臂;和经由关节部与该第二臂的另一个端部连结的直线状的第一臂,该搬送装置的特征在于,还包括:
转动驱动机构,使所述第一臂和所述第二臂被转动驱动,并使所述保持部在待机位置与搬送位置之间移动;
在向所述搬送位置搬送所述搬送对象物时检测所述第一臂和所述第二臂的转动角度的转动角检测机构;
在向所述搬送位置搬送所述搬送对象物时检测所述第二臂的位置的位置检测传感器;
计算部,根据由所述转动角检测机构检测的所述第一臂和所述第二臂的转动角度计算所述保持部的位置;和
控制部,将由所述计算部计算出的所述保持部的位置信息与由所述位置检测传感器检测到的第二臂的位置信息进行比较,根据两者的差对搬送所述搬送对象物时所要搬送到的搬送位置实施校正。
2.如权利要求1所述的搬送装置,其特征在于:
检测所述第二臂的位置的所述位置检测传感器包括设置于该第二臂的长度方向的中途的踢档件和对该踢档件进行检测的踢档件用传感器。
3.如权利要求2所述的搬送装置,其特征在于:
所述踢档件用传感器对所述踢档件的检测仅在转动驱动所述第二臂时的等速区域或者减速区域内实施。
4.如权利要求1所述的搬送装置,其特征在于:
检测所述第二臂的位置的所述位置检测传感器包括形成于该第二臂的长度方向的中途的缺口部和对该缺口部进行检测的传感器。
5.如权利要求1~4中任一项所述的搬送装置,其特征在于:
所述第一臂和所述第二臂分别设置有一对。
6.一种在搬送装置中对搬送对象物的搬送位置实施校正的校正方法,该搬送装置具有:保持搬送对象物的保持部;一个端部与所述保持部连结的直线状的第二臂;和经由关节部与该第二臂的另一个端部连结的直线状的第一臂,所述校正方法的特征在于,包括:
根据在向所述搬送位置搬送所述搬送对象物时所检测出的所述第一臂和所述第二臂的转动角度,来计算所述保持部的位置的步骤;
利用检测所述第二臂的位置的位置检测传感器,在向所述搬送位置搬送所述搬送对象物时对该第二臂的位置信息进行检测的步骤;和
将根据所述第一臂和所述第二臂的转动角度计算出的所述保持部的位置信息与由所述位置检测传感器检测到的第二臂的位置信息进行比较,基于两者的差对搬送所述搬送对象物时所要搬送到的搬送位置实施校正的步骤。
7.如权利要求6所述的校正方法,其特征在于:
检测所述第二臂的位置的所述位置检测传感器包括设置于该第二臂的长度方向的中途的踢档件和对该踢档件进行检测的踢档件用传感器。
8.如权利要求7所述的校正方法,其特征在于:
所述踢档件用传感器对所述踢档件的检测仅在转动驱动所述第二臂时的减速区域内实施。
9.如权利要求6所述的校正方法,其特征在于:
检测所述第二臂的位置的所述位置检测传感器包括形成于该第二臂的长度方向的中途的缺口部和对该缺口部进行检测的传感器。
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