CN106967957B - 基板拉伸装置、成膜装置以及膜和有机电子器件的制造方法 - Google Patents

基板拉伸装置、成膜装置以及膜和有机电子器件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106967957B
CN106967957B CN201610874058.8A CN201610874058A CN106967957B CN 106967957 B CN106967957 B CN 106967957B CN 201610874058 A CN201610874058 A CN 201610874058A CN 106967957 B CN106967957 B CN 106967957B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
stretching
tensile force
side portion
gripping
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610874058.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106967957A (zh
Inventor
铃木健太郎
佐藤智之
盐入信朗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Tokki Corp
Original Assignee
Canon Tokki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Tokki Corp filed Critical Canon Tokki Corp
Publication of CN106967957A publication Critical patent/CN106967957A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106967957B publication Critical patent/CN106967957B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/543—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on the vapor source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting substrates others than wafers, e.g. chips
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)

Abstract

本发明提供基板拉伸装置、成膜装置以及膜和有机电子器件的制造方法，能够发挥与基板的松弛情况相对应的基板拉伸力，难以产生基板的松弛，能够使掩膜和基板良好重合，实现高精度的成膜。一种基板拉伸装置，其具备互相对置的一对夹紧机构，其中，所述夹紧机构具备多个从上下夹住基板的把持部，对应于每个所述把持部分别具备驱动构件，所述驱动构件将用于把持所述基板的按压力和用于将所述基板向外侧拉伸的拉伸力传递至所述把持部。

Description

基板拉伸装置、成膜装置以及膜和有机电子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及通过拉伸基板来防止基板的松弛的基板拉伸装置。
背景技术
基板的自重随着基板的大型化而不断增加，因此，在水平地保持大型的基板时，存在如下情况：由于基板的自重而导致基板向下方挠曲，从而在基板上产生松弛。例如在专利文献1中记载了这样的装置：通过对基板的对置的端部互相拉伸，来防止基板发生松弛。
专利文献1：韩国注册专利第10-1456671号公报
专利文献1记载的基板夹紧机构构成为：使用结合有多个细分化的基板支承片的板，经由该板将基板向两侧拉伸驱动。
但是，根据所支承的基板的材质、形状、面积等，基板的松弛程度不同。在专利文献1的各种结构中，根据所支承的基板不同，在各个支承片间夹压基板的力会产生偏颇，或者在夹压力较弱的支承片之间基板会发生打滑，从而在拉伸基板时会导致板的长度方向上的基板拉伸力产生偏颇。因此，存在如下的担忧：无法消除基板的松弛，或者相反地助长基板的松弛。
如果基板的松弛较大，则不但无法实现均匀的成膜，而且在使用掩膜在基板上形成薄膜的情况下，还会成为成膜图案出现大的偏差的原因。
另外，由于是对结合有所有的支承片的板进行拉伸驱动的结构，因此，如果为了消除在夹压力较弱的支承片处的基板打滑而增强夹压力，则根据位置不同，夹压力可能变得过强而导致基板破损。而且，由于需要拉伸力较大的驱动装置，因此，会导致基板拉伸所需要的能耗增加或者拉伸装置大型化。
发明内容
本发明是鉴于上述的现状而完成的，本发明的基板拉伸装置具备互相对置的一对夹紧机构，其特征在于，所述夹紧机构具备多个从上下夹住基板的把持部，对应于每个所述把持部分别具备驱动构件，所述驱动构件将用于把持所述基板的按压力和用于将所述基板向外侧拉伸的拉伸力传递至所述把持部。
根据本发明的基板拉伸装置，能够发挥出与基板的松弛情况相对应的基板按压力和基板拉伸力，能够将对置的基板的边部之间均等地拉伸，从而能够有效降低基板的松弛。并且，如果将本发明的基板拉伸装置应用于成膜装置，则在基板上不容易产生松弛，能够实现均匀的覆膜的形成、或使用了掩膜的高精度的成膜。
附图说明
图1是本实施例的概要说明立体图。
图2是本实施例的重要部位的放大说明立体图。
图3是本实施例的重要部位的放大说明立体图。
图4是本实施例的夹紧机构的动作说明图。
图5是本实施例的夹紧机构的动作说明图。
图6是本实施例的夹紧机构的动作说明图。
图7是蒸镀装置的概要说明主视图。
图8的(a)是使用本发明的真空蒸镀装置制作出的有机EL显示装置的立体图，(b)是沿(a)中的A-B线的剖视图。
标号说明
1：基板。
2：边部。
3、4：把持片。
具体实施方式
基于图1示出本发明的作用，并对本发明的优选的实施方式简单进行说明。
利用夹紧机构分别把持基板1的对置的边部2，并且在以不产生松弛的方式向外侧拉伸的状态下支承基板1。
此时，能够利用对应于夹紧机构的多个把持部分别设置的驱动构件，针对每个把持部分别设定用于把持基板的按压力或用于向外侧拉伸的拉伸力，其中，所述多个把持部沿着基板1的对置的边部2分别设置，由此，即使例如基板1的松弛在基板1的对置的边部2的中央侧和端部侧不同，也能够以在基板1的对置的边部之间不存在松弛的方式均等地进行拉伸。
另外，由于是针对每个把持部分别设置驱动构件的结构，因此，不需要大拉伸力的驱动装置，作为驱动构件，可以采用小型的驱动构件，能耗也能够相应地减少。
【实施例】
基于附图对本发明的具体实施例进行说明。
本实施例是具备一对夹紧机构的基板拉伸装置，所述一对夹紧机构能够把持基板1的对置的边部2，并且能够将该对置的边部2分别朝向外侧拉伸。
在本实施例的夹紧机构中，沿着所把持的基板1的边部2分别配置有多个从上下夹住基板1的把持部，并且针对各个把持部分别具备驱动构件，所述驱动构件对所述基板1的边部2传递用于把持基板1的按压力和用于将基板1向外侧拉伸的拉伸力。
即，在本实施例中，分别利用所述夹紧机构把持基板1的对置的一对边部2，并以使在进行把持的状态下对置的把持部彼此互相离开的方式，将基板1向外侧拉伸。
如图1所示，本实施例是利用垂直设置于升降板6的连结体7以悬吊状态连结设有夹紧机构的框体5而成的结构，并且设置有使升降板6相对于基板8升降的升降机构。另外，连结体7被设置成分别连结升降板6和框体5的四个角部，在基板8上设有供连结体7贯穿插入的贯穿插入孔。
升降板6隔开规定的间隔平行地设置在基板8的上方。在升降板6的上方设置有固定台9，该固定台9的4个腿部贯穿插入升降板6的贯穿插入孔中并固定于基板8。作为升降机构，采用了内置有伺服电机或滚珠丝杠等的电动气缸10，该电动气缸10的基端侧被固定于固定台9，可动末端侧被固定于升降板6。
因此，在更换基板时等，通过使电动气缸10的可动末端进退而使升降板6相对于基板8升降，由此能够使以悬吊状态连结于升降板6的框体5(夹紧机构)升降。升降板6的升降被固定台9的腿部引导。
在将本实施例的基板拉伸装置设置于保持基板静止进行成膜的真空成膜装置中的情况下，可以将基板8的下表面外周部固定于真空成膜室的顶面部，将比基板8靠下侧的部分配置在真空成膜室内，将基板8和比基板8靠上侧的部分配置在真空成膜室外的大气区域中。如果将基板8兼作成膜装置的腔室的上表面壁，则能够削减成膜装置所需要的部件，因此是优选的。在将本实施例的基板拉伸装置设置于使基板移动来进行成膜的真空成膜装置中的情况下，可以将图1所示的基板拉伸装置整体配置在装置内，并预先与装置的基板输送机构连结。这种情况下，基板8变得不需要，因此能够省略。
在所述夹紧机构中，所述把持部由一对把持片3、4构成，并且以如下方式构成所述驱动构件：利用该一对把持片3、4从上下按压基板1，并将把持的基板1向外侧拉伸。
如图2所示，把持部分别由剖视观察时为コ字状的加紧体14和可动体15构成，其中，所述加紧体14由对置的上下的板部11、12和连结上下的板部11、12的连结板部13构成，所述可动体15可动自如地设置于该加紧体14。具体来说，构成为，将把持片3、4设置成分别与加紧体14的下板部12的末端和可动体15的末端对置。
在沿着所把持的基板1的边部2的、框体5的一对第一边部，分别配置有多个(在本实施例中为8个)该加紧体14。如果利用加紧体14把持基板的长边，则与把持短边的情况相比，能够减小为了降低基板的松弛而在各把持部中需要的拉伸力，因此是优选的。另外，构成为，在沿着基板1的未被把持的边部20的、框体5的一对第二边部，设置有基板支承爪21。具体来说，框体5的第一边部形成为使垂直板部17在水平板部16的两端垂下的结构，第二边部由与第一边部的垂直板部17连结的立起板部18、和将该立起板部18的下端彼此连结的水平部19构成。基板支承爪21突出设置在该水平部19的内侧。因此，可以良好地将基板1从第二边部侧搬入。
以下，详细叙述如何在所述各把持部(一对把持片3、4)对基板1的边部2传递用于把持基板1的按压力和用于将基板1向外侧拉伸的拉伸力。
在加紧体14的上板部11设置有供升降棒24贯穿插入的贯穿插入孔，所述升降棒24的上端与电动气缸22的可动末端部23卡定，下端与可动体15卡定。在该升降棒24的下端设置有与可动体15的下表面卡定的防脱卡定部25，在可动体15的上表面与设在升降棒24的中间部处的大径部26的下表面之间设置有弹簧27。并且，电动气缸22的基端侧被固定于升降板6。
另外，在上板部11与下板部12之间，设置有与连结板部13平行的左右一对引导棒45。在可动体15上形成有供该引导棒45分别贯穿插入的贯穿插入孔。图中，标号46是滑套。
因此，电动气缸22的可动末端部23的按压力经由弹簧27传递至可动体15，进行可动体15的把持片4和加紧体14的把持片3对基板1的把持(参照图5)。根据这样的结构，通过对各加紧体14分别设置电动气缸22，能够针对每个把持部分别控制按压力，从而能够对应于基板1的松弛良好地把持基板1。而且，通过将弹簧27适当地更换为弹性系数不同的弹簧，能够调整从电动气缸22传递给把持部的力、即把持力。
另外，在本实施例中构成为，在可动体15的末端垂下部28的下端，装卸自如地设有合成树脂制的把持片4。作为合成树脂，可以采用硅、氯丁橡胶、丁腈橡胶等。因此，在把持片4发生磨损、老化时，能够适当地更换。并且，在本实施例中，是下板部12的末端的把持片3与下板部12设置成一体的结构，但也可以是将合成树脂制的把持片3装卸自如地设置于下板部12的末端的结构。
另外，虽然未图示，但也可以通过变更把持片4的厚度或者在可动体15的末端垂下部28的下端与把持片4之间夹设其它部件来调整把持片4与把持片3之间的间隔，从而调整每个把持片的把持力。另外，也可以通过在可动体15的末端垂下部28的下端与把持片4之间夹设弹簧等弹性部件，并适当地设定该弹性部件的弹性(如果是弹簧，则适当地设定弹性系数)，由此调整每个把持片的把持力。
另外，升降棒24的末端在正面观察时形成为T字状，在该T字状的末端的两端部分别设有辊29。该升降棒24的末端被配置在承接部31内，所述承接部31被固定在电动气缸22的可动末端部23，且其前方敞开，所述承接部31在剖视观察时为コ字状，并且在该承接部31上设有供升降棒24的中间部分退让的槽部30。承接部31的上下板部的间隔被设定为比辊29的直径稍大的间隔。卡定于承接部31的升降棒24的末端经由辊29与承接部31的内表面接触，从而平滑地进行在传递后述的拉伸力时的加紧体14的水平滑动移动。
传递拉伸力时的加紧体14的水平移动可以通过设在加紧体14的上板部11与框体5的水平板部16之间的线性导轨实现。具体来说，在加紧体14的上板部11的上表面设置有轨道33，所述轨道33与设在框体5的水平板部16的下表面上的引导块32嵌合。因此，加紧体14(把持部)相对于框体5水平滑动移动。
在图3中示出了从外侧观察把持部的结构。在框体5的水平板部16上的所述引导块32的外侧设置有用于承接转动轴35的轴承部36，所述转动轴35设置在拉伸力传递体34的弯曲部，所述拉伸力传递体34传递拉伸力，且在剖视观察时为大致L字状。拉伸力传递体34构成为能够以设在弯曲部的转动轴35为中心转动。拉伸力传递体34的末端在正面观察时形成为T字状，在该T字状的末端的两端部分别设有辊37。拉伸力传递体34的末端被剖视观察时为コ字状的承接体40承接，所述承接体40被固定在电动气缸38的可动末端部39，且其前方敞开。承接体40的上下板部的间隔被设定为比辊37的直径稍大的间隔。并且，电动气缸38的基端侧被固定于升降板6。
另外，拉伸力传递体34的基端也同样地在正面观察时形成为T字状，且在该T字状的基端的两端部分别设有辊41。拉伸力传递体34的基端被配置在剖视观察时为L字状的承接片42与连结板部13的背面之间，所述承接片42被设置在加紧体14的连结板部13的背面，由水平片和垂直片构成。连结板部13的背面与承接片42的垂直片之间的间隔被设定为比辊41的直径稍大的间隔。
因此，通过驱动电动气缸38的可动末端部39使与拉伸力传递体34的末端卡定的承接体40上升移动，由此，拉伸力传递体34的基端以设在弯曲部的转动轴35为中心向外侧转动，拉伸力传递体34的基端将承接片42的垂直片向外方按压，由此，加紧体14(把持部)向外侧移动，将拉伸力传递给基板1(参照图6)。
在该拉伸力传递体34的弯曲部与基端之间设有螺丝接头43，通过使该螺丝接头43旋转来调节弯曲部与基端之间的距离，由此能够调整从电动气缸38传递至把持部的力即拉伸力(通过加长弯曲部与基端部之间的距离，能够增大拉伸力。)。具体来说，构成为，利用螺丝接头43将从弯曲部朝向基端侧延伸的螺纹部和从基端朝向弯曲部延伸的反螺纹部螺合连结。
另外，所述夹紧机构构成为具备单独调整构件或单独控制构件，其中，所述单独调整构件能够将对应于每个所述把持部而分别具备的驱动构件各自的按压力或拉伸力或者它们双方，对应于每个驱动构件单独地进行调整，所述单独控制构件能够将对应于每个所述把持部而分别具备的驱动构件各自的按压力或拉伸力或者它们双方，对应于每个驱动构件单独地进行控制。在本实施例中，弹簧27相当于调整按压力的单独调整构件，螺丝接头43相当于调整拉伸力的单独调整构件。并且，电动气缸22相当于调整按压力的单独控制构件，电动气缸38相当于调整拉伸力的单独控制构件。并且，通过设置单独调整构件，能够使用于进一步降低基板的松弛的按压力和拉伸力实现最优化，但不一定需要对按压构件和拉伸力传递构件都设置，可以省略任意一方或者双方。
在本实施例中，如前所述，具备单独调整构件和单独控制构件，所述单独调整构件能够单独地调整对应于每个所述把持部而分别具备的驱动构件的拉伸力，所述单独控制构件能够单独地控制对应于每个所述把持部而分别具备的驱动构件的按压力。
根据本实施例的基板拉伸装置，能够利用所述单独调整构件或所述单独控制构件，对应于在所把持的基板的边部中产生的松弛的程度，单独地调整或单独地控制对应于每个所述把持部而分别具备的驱动构件各自的按压力或拉伸力或者它们双方。
例如，能够利用所述单独调整构件或所述单独控制构件，在所把持的基板的边部的中央区域处，使对应于每个所述把持部而分别具备的驱动构件各自的按压力或拉伸力或者它们双方比在基板的边部的端部区域处高。
另外，在本实施例中，承接体40构成为使各拉伸力传递体34的末端分别卡定于长条的一个承接体40，以便能够统一操作一侧的夹紧机构的各加紧体14的各拉伸力传递体34(参照图3)。即，构成为，使各拉伸传递体34的末端以规定的间隔卡定于前方敞开的、剖视观察时为コ字状的长条的一个承接体40，从而构成为能够通过该一个承接体40的升降使一侧的夹紧机构的所有把持部都拉伸。在本实施例中，构成为，在承接体40的两端部分别固定有电动气缸38的可动末端部39，从而利用2个电动气缸38统一使一侧的夹紧机构的所有把持部拉伸。
另外，在承接体40的上板部，设置有使拉伸力传递体34的中途部退让的槽部44。
并且，本实施例如上述那样构成，但也可以构成为：关于拉伸力，也与按压力相同地对各加紧体分别设置一个承接体40，并对应于每个该承接体40分别设置电动气缸38，利用分别设置的电动气缸38单独地控制各加紧体的把持部的拉伸力。
另外，各电动气缸22、38的可动末端部23、39贯穿插入基板8的贯穿插入孔中并与承接部31和承接体40连结。在将基板拉伸装置设置于真空装置内的情况下，可以构成为，利用设在基板8与升降板6之间的波纹管等包围该贯穿插入孔等，从而保持装置内的真空。
如果使成膜装置内成为真空状态后成膜，则由于作用在真空成膜室的顶面部的负压而可能导致该顶面部向内侧变形。如果基板8兼作真空装置室的顶面部、或者将基板8与顶面部接触并固定，则顶板部的变形会影响基板拉伸装置而导致基板的松弛增加。因此，可以设置成：使基板8的刚性比真空成膜室的顶面部高，或者利用波纹管或密封环将基板8的下表面外周部与真空成膜室的顶面部之间进行密封。根据这样的结构，即使由于作用在真空成膜室的顶面部的负压而导致该顶面部向内侧变形，也能够抑制对基板8的影响，并且能够降低顶面部在成膜过程中向内侧变形的情况下的基板松弛，提高成膜精度。
另外，所述夹紧机构可以构成为具备联合控制构件，所述联合控制构件能够将对应于每个所述把持部而分别具备的驱动构件的所述单独控制构件彼此联合起来进行控制。作为联合控制构件，可以使用对各电动气缸的可动末端部的进退量或进退时机进行控制的控制装置等。
例如，所述联合控制构件可以构成为：根据在所把持的基板的边部产生的松弛的程度，将对应于每个所述把持部而分别具备的驱动构件的单独控制构件彼此联合起来进行控制。
另外，所述联合控制构件可以通过如下这样的设定来控制按压构件和拉伸力传递构件：在所把持的基板的边部的中央区域，使对应于每个所述把持部而分别具备的驱动构件各自的按压力或拉伸力或者它们双方比在基板的边部的端部区域的高。
所把持的基板的松弛的倾向和程度根据所使用的基板的材质、形状、面积、重量、纵横比等规格而不同。因此，根据规格对基板分组，并对应于各个基板组预先测定基板松弛倾向。并且，也优选的是，根据该基板松弛倾向确定各把持部中的基板的松弛程度，对应于所确定的基板的松弛程度将对应于每个所述把持部而分别具备的驱动构件的单独控制构件彼此联合起来进行控制。
另外，也可以构成为利用松弛检测构件检测所述把持的基板的松弛倾向和程度。例如，能够利用对基板进行把持并通过图像处理或激光位移计等检测松弛的状态的松弛检出装置等。如果使用该松弛检测构件，则在通过基板拉伸装置把持基板时，也能够确认基板的松弛是否降低至允许范围。
另外，也优选的是，所述单独调整构件或所述单独控制构件分别对应于每个驱动构件，单独地调整或单独地控制对应于每个所述把持部而分别具备的各个驱动构件的拉伸基板的时机。
具体来说，可以是：在所把持的基板的边部的中央区域，使驱动构件拉伸基板的时机比在所把持的边部的端部区域中提前，或者，使驱动构件拉伸基板的时机随着朝向所把持的基板的边部的端部区域而逐渐延迟。通过这样的控制，能够更加抑制基板的松弛。
例如，可以构成为：对各加紧体分别设置一个承接体，对应于每个该承接体设置电动气缸，并分别通过电动气缸单独地控制各加紧体的把持部的拉伸力，并且，控制电动气缸的驱动时机，从中央侧朝向端部侧依次操作拉伸力传递体。
另外，作为单独调整构件，例如可以构成为：设置沿轨道33将图4所示的加紧体14向内侧(基板侧)按压的弹簧等(未图示)，并且能够对应于每个加紧体单独地调整承接片42与连结板部13的背面之间的间隔，在辊41与承接片42接触的时刻对基板产生拉伸力，由此单独地调整拉伸基板的时机。
并且，本实施例构成为利用对所把持的基板的对置的边部进行把持的各夹紧机构分别将基板向外侧拉伸，但也可以构成为，所述单独控制构件以使设置在对置的边部中的任意一侧的所述夹紧机构的驱动构件分别仅产生按压力的方式进行控制。
图7是将本发明的基板拉伸装置应用于保持基板静止进行成膜的真空蒸镀装置中的例子。实际上，应用了与图1相同的基板拉伸装置，但在图7中简要地示出了最低度所需的部件。在该真空蒸镀装置中，为了在保持减压气氛的真空槽80内使基板81上形成薄膜，射出成膜材料的蒸发源85被配置在与基板81对置的位置，并且设置有：膜厚监视器82，其监视从蒸发源85释放出的蒸发粒子的蒸发速度；膜厚计83，其设在真空槽80外，将所监视到的蒸发粒子的量换算成膜厚；以及加热器用电源84，其为了以使换算出的膜厚成为所希望的膜厚的方式控制成膜材料的蒸发速度而加热蒸发源85。另外，具有使蒸发源85在垂直于纸面的垂直方向上移动的移动机构，并设置有使基板81和蒸发源85相对移动的相对移动机构。通过一边使蒸发源85相对于基板81移动一边进行成膜，能够遍及基板的整个面形成均匀的膜厚的蒸镀膜。而且，具有支承掩膜86的掩膜支承部件，并且能够使用未图示的校准机构使基板81和掩膜86的相对位置对准来进行成膜。
并且，本发明并不限于本实施例，各结构要素的具体结构都能够适当地设计。
接下来，对下述实施例进行说明：使用具备本发明的基板拉伸装置的真空蒸镀装置，制造出有机EL显示装置，作为有机电子器件的例子。
首先，对待制造的有机EL显示装置进行说明。图8的(a)是有机EL显示装置60的整体图，图8的(b)表示1个像素的截面结构。
如图8的(a)所示，在显示装置60的显示区域61中，呈矩阵状配置有多个像素62，所述像素62具备多个发光元件。详细情况在后面叙述，发光元件分别具有如下结构：该结构具备被一对电极夹着的有机层。并且，在此所说的像素是指能够在显示区域61中显示所希望的颜色的最小单位。在本实施例的显示装置的情况下，由显示互不相同的发光的第1发光元件62R、第2发光元件62G、第3发光元件62B的组合构成了像素62。像素62多由红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件的组合构成，但也可以是黄色发光元件、蓝色发光元件和白色发光元件的组合，只要是至少一种颜色以上，就不特别限制。
图8的(b)是图8的(a)中的A-B线处的局部剖视示意图。像素62在基板63上具有有机EL元件，该有机EL元件具备第1电极(阳极)64、正孔输送层65、发光层66R、66G、66B中的任意、电子输送层67以及第2电极(阴极)68。其中，正孔输送层65、发光层66R、66G、66B、电子输送层67相当于有机层。另外，在本实施方式中，发光层66R是发出红色的有机EL层，发光层66G是发出绿色的有机EL层，发光层66B是发出蓝色的有机EL层。发光层66R、66G、66B形成为与分别发出红色、绿色、蓝色的发光元件(还存在记述为有机EL元件的情况)对应的图案。另外，第1电极64针对每个发光元件分离地形成。正孔输送层65、电子输送层67、第2电极68可以与多个发光元件62共同形成，也可以关于每个发光元件分别形成。并且，为了防止第1电极64和第2电极68由于异物而短路，在第1电极64之间设有绝缘层69。而且，由于有机EL层会因为水分和氧而劣化，因此设置有用于保护有机EL元件免受水分和氧影响的保护层70。
为了在发光元件单位中形成有机EL层，因此采用了经由掩模成膜的方法。近年，显示装置的高精细化不断推进，在有机EL层的形成中使用了开口的宽度为数十μm的掩模。在使用了这样的掩模的成膜的情况下，如果掩模在成膜中从蒸发源受热而热变形，则掩模与基板的位置错位，从而使得形成在基板上的薄膜的图案从所希望的位置偏移而形成。因此，对于这些有机EL层的成膜，适合采用本发明的真空蒸镀装置。
接下来，对有机EL显示装置的制造方法的例子具体地进行说明。
首先，准备用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)和形成有第1电极64的基板63。
在形成有第1电极64的基板63上通过旋涂法形成丙烯酸树脂，并以在形成有第1电极64的部分处形成开口的方式通过光刻法使丙烯酸树脂形成图案，从而形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
将成图有绝缘层69的基板63搬入真空蒸镀装置，利用本发明的基板拉伸装置保持基板，使正孔输送层65作为共用的层成膜在显示区域的第1电极64上。通过真空蒸镀形成了正孔输送层65。实际上，由于正孔输送层65形成为比显示区域61大的尺寸，不需要高精细的掩模。
接下来，使用蒸镀掩模，在要配置用于发出红色的元件的部分处，形成发出红色的发光层66R。首先，将形成至正孔輸送层65的基板63搬入图7的真空蒸镀装置，并利用基板拉伸装置进行保持。此时，使用单独控制构件或单独调整构件调整各把持部的按压力和拉伸力，以使基板的松弛处于允许范围内。当基板的松弛处于允许范围内时，进行与掩模86的对位(校准)，该掩模86具有与待形成第1发光元件62R的区域对应的开口。可以对应于成膜所要求的精度来设定基板松弛的允许范围。
在蒸发源85中收纳有作为发光层66R的材料的有机EL材料，作为用于使有机材料蒸发而附着在基板上的准备，预先进行预备加热。预热是指：为了使收纳于蒸发源85中的成膜材料的熔融状态稳定，以与成膜温度同等的温度预先加热蒸发源85。根据利用膜厚监视器82获得的成膜速度(蒸镀速率)的时间变化，确认成膜材料的熔融状态是否稳定，然后开始发光层66R的成膜，从而能够进行高精度的膜厚控制。
根据本例，能够在整个基板的范围内降低基板63的松弛，因此能够使掩膜和基板良好地重合，进行高精度的成膜。
与发光层66R的成膜相同，使用具有与待形成第2发光素子62G的区域对应的开口的掩膜，成膜出发出绿色的发光层66G，使用具有与待形成第3发光素子62B的区域对应的开口的掩膜，成膜出发出蓝色的发光层66B。
在发光层66G、66B的成膜完成后，在整个显示区域61上形成电子输送层65。电子输送层65形成为对第1至第3发光层共用的层。
将形成至电子输送层65的基板移动至溅镀装置，成膜出第2电极68，然后移动至等离子CVD装置成膜出保护层70，完成有机EL显示装置60。
如果形成有绝缘层69的图案的基板63在搬入真空蒸镀装置并完成保护层70的成膜之前暴露在包含水分或氧的气氛中，则由有机EL材料构成的发光层由于水分或氧而劣化。因此，在本例中，成膜装置间的基板的搬入搬出在真空气氛或惰性气体气氛下进行。
这样得到的有机EL显示装置对于每个发光元件都能够高精度地形成发光层。因此，如果采用上述制造方法，则能够抑制由发光层的位置偏移所引起的有机EL显示装置的不良情况的发生。
并且，在此对使用掩膜进行蒸镀的有机EL表示装置的制造方法进行了叙述，但本申请发明的基板拉伸装置的应用不限于此。能够将本发明的基板拉伸装置应用于与是否使用掩膜无关地沿着与重力方向交叉的方向支承基板的被处理面并进行成膜的情况下的成膜装置。

Claims (19)

1.一种基板拉伸装置，其具备互相对置的一对夹紧机构，
其特征在于，
所述夹紧机构具备：
第一夹紧机构，其具备从上下夹住基板的第一边部的多个把持部；以及
第二夹紧机构，其具备从上下夹住基板的与所述第一边部对置的第二边部的多个把持部，
并且对应于包含在所述第一夹紧机构中的多个把持部和包含在所述第二夹紧机构中的多个把持部中的每个所述把持部分别具备驱动构件，所述驱动构件将用于从上下按压所述基板的按压力和用于将所述基板向外侧拉伸的拉伸力传递至所述把持部，
包含在所述第一夹紧机构中的多个把持部和包含在所述第二夹紧机构中的多个把持部能够对应于每个把持部调整从上下按压所述基板的按压力和用于将所述基板向外侧拉伸的拉伸力，
配置在所述第一边部的中央区域中的把持部的拉伸力比配置在所述第一边部的端部区域中的把持部的拉伸力强，
配置在所述第二边部的中央区域中的把持部的拉伸力比配置在所述第二边部的端部区域中的把持部的拉伸力强。
2.根据权利要求1所述的基板拉伸装置，其特征在于，
所述第一夹紧机构和所述第二夹紧机构的所述把持部具备一对把持片，所述驱动构件构成为利用这一对把持片从上下按压所述基板并将所把持的基板向外侧拉伸。
3.根据权利要求1所述的基板拉伸装置，其特征在于，
所述第一夹紧机构和所述第二夹紧机构具备单独调整构件，所述单独调整构件能够将对应于每个所述把持部而分别具备的驱动构件各自的按压力或拉伸力或者它们双方对应于每个驱动构件单独地进行调整。
4.根据权利要求1所述的基板拉伸装置，其特征在于，
所述第一夹紧机构和所述第二夹紧机构具备单独控制构件，所述单独控制构件能够将对应于每个所述把持部而分别具备的驱动构件各自的按压力或拉伸力或者它们双方对应于每个驱动构件单独地进行控制。
5.根据权利要求3所述的基板拉伸装置，其特征在于，
所述第一夹紧机构和所述第二夹紧机构具备单独控制构件，所述单独控制构件能够将对应于每个所述把持部而分别具备的驱动构件各自的按压力或拉伸力或者它们双方对应于每个驱动构件单独地进行控制。
6.根据权利要求4所述的基板拉伸装置，其特征在于，
所述夹紧机构具备联合控制构件，所述联合控制构件能够将对应于每个所述把持部而分别具备的驱动构件的所述单独控制构件彼此联合起来进行控制。
7.根据权利要求5所述的基板拉伸装置，其特征在于，
所述单独调整构件构成为，对应于在所把持的基板的第一边部或第二边部产生的松弛的程度，单独地调整对应于每个所述把持部而分别具备的驱动构件各自的按压力或拉伸力或者它们双方，
所述单独控制构件构成为，对应于在所把持的基板的第一边部或第二边部产生的松弛的程度，单独地控制对应于每个所述把持部而分别具备的驱动构件各自的按压力或拉伸力或者它们双方。
8.根据权利要求5所述的基板拉伸装置，其特征在于，
所述单独调整构件构成为，单独地调整每个所述把持部的驱动构件，以使所把持的基板的第一边部和第二边部的中央区域中的按压力或拉伸力或者它们双方比在所把持的基板的第一边部和第二边部的端部区域中的高，
所述单独控制构件构成为，单独地控制每个所述把持部的驱动构件，以使所把持的基板的第一边部和第二边部的中央区域中的按压力或拉伸力或者它们双方比在所把持的基板的第一边部和第二边部的端部区域中的高。
9.根据权利要求5所述的基板拉伸装置，其特征在于，
所述单独调整构件构成为，关于对应于每个所述把持部而分别具备的各个驱动构件，单独地调整利用各个驱动构件的拉伸力拉伸基板的时机，
所述单独控制构件构成为，关于对应于每个所述把持部而分别具备的各个驱动构件，单独地控制利用各个驱动构件的拉伸力拉伸基板的时机。
10.根据权利要求9所述的基板拉伸装置，其特征在于，
所述单独调整构件构成为，在所把持的基板的第一边部和第二边部的中央区域，使利用所述驱动构件的拉伸力拉伸基板的时机比在所把持的第一边部和第二边部的端部区域提前，
所述单独控制构件构成为，在所把持的基板的第一边部和第二边部的中央区域，使利用所述驱动构件的拉伸力拉伸基板的时机比在所把持的第一边部和第二边部的端部区域提前。
11.根据权利要求10所述的基板拉伸装置，其特征在于，
所述单独调整构件构成为，使利用所述驱动构件的拉伸力拉伸基板的时机随着朝向所把持的基板的第一边部和第二边部的端部区域而逐渐延迟，
所述单独控制构件构成为，使利用所述驱动构件的拉伸力拉伸基板的时机随着朝向所把持的基板的第一边部和第二边部的端部区域而逐渐延迟。
12.根据权利要求6所述的基板拉伸装置，其特征在于，
所述联合控制构件构成为，根据在所把持的基板的第一边部或第二边部产生的松弛的程度，将对应于每个所述把持部而分别具备的驱动构件的单独控制构件彼此联合起来进行控制。
13.根据权利要求6所述的基板拉伸装置，其特征在于，
所述联合控制构件构成为，对对应于每个所述把持部而分别具备的驱动构件进行控制，以使所把持的基板的第一边部和第二边部的中央区域中的所述按压力或拉伸力或者它们双方比在所把持的第一边部和第二边部的端部区域中的高。
14.根据权利要求12所述的基板拉伸装置，其特征在于，
所述联合控制构件构成为，利用基板松弛倾向来确定所把持的所述基板的松弛程度，并对应于确定出的基板的松弛程度，将对应于每个所述把持部而分别具备的驱动构件的单独控制构件彼此联合起来进行控制，其中，所述基板松弛倾向是对应于根据待使用的基板的材质、形状、面积、重量、纵横比进行了分组后的各个基板组而分别预先测定出的。
15.根据权利要求1～12中的任意一项所述的基板拉伸装置，其特征在于，
所述基板拉伸装置具备松弛检测构件，所述松弛检测构件检测所把持的所述基板的松弛。
16.根据权利要求4所述的基板拉伸装置，其特征在于，
所述单独控制构件构成为分别控制对置的一对所述夹紧机构中的一个夹紧机构的所述驱动构件。
17.一种成膜装置，其在设置于成膜室内的基板上成膜，
其特征在于，
在所述成膜装置中设置有权利要求1～16中的任意一项所述的基板拉伸装置。
18.一种膜的制造方法，其特征在于，
该膜的制造方法具有以下工序：
将基板搬入成膜室的工序；
把持着所述基板向外侧拉伸的工序；以及
使膜附着于所述基板的工序，
在把持着所述基板向外侧拉伸的工序中，使用权利要求1～16中的任意一项所述的基板拉伸装置。
19.一种有机电子器件的制造方法，
所述有机电子器件具备多个元件，所述元件在基板上具有被一对电极夹着的有机层，
其特征在于，
所述有机电子器件的制造方法具有以下工序：
将具备多个电极的基板搬入蒸镀室的工序；
把持着所述基板向外侧拉伸的工序；
对收纳于蒸发源的有机材料进行加热的工序；以及
使所述有机材料的蒸气附着于所述基板的工序，
在所述把持着所述基板向外侧拉伸的工序中，使用权利要求1～16中的任意一项所述的基板拉伸装置。
CN201610874058.8A 2015-10-01 2016-09-30 基板拉伸装置、成膜装置以及膜和有机电子器件的制造方法 Active CN106967957B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-195827 2015-10-01
JP2015195827 2015-10-01
JP2016-174760 2016-09-07
JP2016174760A JP6276816B2 (ja) 2015-10-01 2016-09-07 基板引張装置、成膜装置、膜の製造方法及び有機電子デバイスの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106967957A CN106967957A (zh) 2017-07-21
CN106967957B true CN106967957B (zh) 2020-11-13

Family

ID=58491997

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610874058.8A Active CN106967957B (zh) 2015-10-01 2016-09-30 基板拉伸装置、成膜装置以及膜和有机电子器件的制造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6276816B2 (zh)
KR (1) KR101968804B1 (zh)
CN (1) CN106967957B (zh)
TW (1) TWI691111B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6461235B2 (ja) * 2017-05-22 2019-01-30 キヤノントッキ株式会社 基板載置装置、成膜装置、基板載置方法、成膜方法、および電子デバイスの製造方法
KR102003467B1 (ko) * 2017-07-28 2019-07-24 주식회사 필옵틱스 기판 처짐 변형 조절 장치
KR102003468B1 (ko) * 2017-07-28 2019-07-24 주식회사 필옵틱스 기판 갭 유지 장치
JP6821641B2 (ja) * 2018-12-25 2021-01-27 キヤノントッキ株式会社 基板載置装置、成膜装置、基板載置方法、成膜方法、および電子デバイスの製造方法
CN109530162B (zh) * 2018-12-27 2020-08-14 杭州小橙工业设计有限公司 一种led加工系统
JP2021073373A (ja) * 2021-01-05 2021-05-13 キヤノントッキ株式会社 基板載置方法、電子デバイスの製造方法、基板保持装置、及び電子デバイスの製造方法
KR102493451B1 (ko) * 2021-02-23 2023-01-31 토와한국 주식회사 기판 공급용 로딩 유닛

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203607440U (zh) * 2013-10-25 2014-05-21 天津市津南区天锴机电有限公司 一种边框机
KR20150098791A (ko) * 2014-02-21 2015-08-31 주식회사 선익시스템 가압모듈 및 기판 스트레칭 장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005091683A1 (en) * 2004-03-22 2005-09-29 Doosan Dnd Co., Ltd. Substrate depositing method and organic material depositing apparatus
JP2005281746A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Seiko Epson Corp 蒸着装置、蒸着方法、電気光学装置、および電子機器
CN101842513B (zh) * 2007-12-26 2012-05-23 佳能安内华股份有限公司 基板保持器、使用基板保持器的成膜方法、硬盘制造方法、成膜设备及程序
KR101517020B1 (ko) * 2008-05-15 2015-05-04 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치의 제조장치 및 제조방법
KR20130041089A (ko) * 2010-06-21 2013-04-24 가부시키가이샤 알박 기판 반전 장치, 진공 성막 장치 및 기판 반전 방법
KR101941695B1 (ko) * 2012-05-31 2019-01-24 삼성디스플레이 주식회사 마스크 인장 장치, 마스크 시트 및 이를 포함하는 마스크 제조 시스템
JP2014080645A (ja) * 2012-10-15 2014-05-08 I Plant:Kk 基板保持装置
CN103132042B (zh) * 2013-03-18 2014-12-10 上海理工大学 一种可调式夹具
KR101456671B1 (ko) 2013-05-22 2014-11-04 주식회사 선익시스템 기판처짐 방지 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203607440U (zh) * 2013-10-25 2014-05-21 天津市津南区天锴机电有限公司 一种边框机
KR20150098791A (ko) * 2014-02-21 2015-08-31 주식회사 선익시스템 가압모듈 및 기판 스트레칭 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP6276816B2 (ja) 2018-02-07
CN106967957A (zh) 2017-07-21
KR101968804B1 (ko) 2019-04-12
TWI691111B (zh) 2020-04-11
JP2017066517A (ja) 2017-04-06
KR20170039593A (ko) 2017-04-11
TW201733182A (zh) 2017-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106967957B (zh) 基板拉伸装置、成膜装置以及膜和有机电子器件的制造方法
JP2021008668A (ja) 成膜装置、制御方法、及び電子デバイスの製造方法
CN108517505B (zh) 基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器件的制造方法
KR102219478B1 (ko) 기판 재치 방법, 성막 방법, 전자 디바이스 제조 방법
CN108517506B (zh) 基板载置装置和方法、成膜装置和方法、对准装置和方法以及电子器件的制造方法
US8628620B2 (en) Vapor deposition device and vapor deposition method
US20180212150A1 (en) Aligner structure and alignment method
KR101310336B1 (ko) 대면적 글라스의 얼라인 구동장치
JP6468540B2 (ja) 基板搬送機構、基板載置機構、成膜装置及びそれらの方法
US10276797B2 (en) Vapor deposition device, vapor deposition method, and method for manufacturing organic electroluminescence element
JP2018197363A (ja) 基板載置方法、基板載置機構、成膜方法、成膜装置及び電子デバイスの製造方法
KR20160138363A (ko) 기판 조립 장치와 그것을 이용한 기판 조립 방법
CN215404463U (zh) 一种掩膜框结构
JP2019060027A (ja) 基板載置装置、成膜装置、基板載置方法、成膜方法、および電子デバイスの製造方法
CN113851406A (zh) 对准装置、成膜装置、对准方法、电子器件的制造方法及存储介质
KR101436899B1 (ko) 글라스 정렬공급장치
KR20190100980A (ko) 정전척, 성막장치, 기판흡착방법, 성막방법, 및 전자 디바이스의 제조방법
CN112824558B (zh) 成膜装置、使用成膜装置的成膜方法及电子器件的制造方法
KR102578750B1 (ko) 얼라인먼트 시스템, 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스 제조방법
CN113584430A (zh) 一种掩膜框结构及掩膜板制作方法
KR20210053760A (ko) 성막 장치 및 성막 방법
KR20230119603A (ko) 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법
KR102133776B1 (ko) 얼라인장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant