CN106935704A - 一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的方法 - Google Patents

一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106935704A
CN106935704A CN201611094991.XA CN201611094991A CN106935704A CN 106935704 A CN106935704 A CN 106935704A CN 201611094991 A CN201611094991 A CN 201611094991A CN 106935704 A CN106935704 A CN 106935704A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
electron transfer
transfer layer
solar cell
perovskite solar
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201611094991.XA
Other languages
English (en)
Inventor
夏锐
董伟伟
王时茂
方晓东
邵景珍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hefei Institutes of Physical Science of CAS
Original Assignee
Hefei Institutes of Physical Science of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hefei Institutes of Physical Science of CAS filed Critical Hefei Institutes of Physical Science of CAS
Priority to CN201611094991.XA priority Critical patent/CN106935704A/zh
Publication of CN106935704A publication Critical patent/CN106935704A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • H10K30/151Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • H10K30/152Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising zinc oxide, e.g. ZnO
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的方法,采用的衬底可选择硬性衬底如氧化铟锡(ITO),掺氟氧化锡(FTO),柔性衬底如聚酰亚胺(PI)及聚对萘二乙酸乙二醇酯(PEN)等。电子传输层可选择氧化锌(ZnO)、氧化钛(TiO2)、Al掺杂的ZnO(AZO)、Ga掺杂的ZnO(GZO)、氧化锡(SnO2)等薄膜,其制备方法可采用磁控溅射法,旋涂法。激光退火处理使用包括308纳米、248纳米、355纳米等紫外激光。处理后的薄膜光学和电学性能得到改善,将其作为电子传输层运用在钙钛矿太阳能电池中,可有效降低提高电子传输层的处理温度,提高电池的光电转换效率。

Description

一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的 方法
技术领域
本发明涉及光电材料、新能源材料与技术领域,特别是半导体氧化物薄膜,激光退火处理方法以及钙钛矿太阳能电池的制作。
背景技术
钙钛矿太阳能电池近几年得到了飞快的发展,具有效率高,成本低,制备工艺简单等特点;电子传输层是钙钛矿太阳能电池中重要的结构,起到提高电子抽取,阻挡空穴传输的作用,电子传输层一般要求具有较高的透光性和较高的电子迁移率;TiO2和ZnO是被研究最广的电子传输层材料,为了获得更高的光电转换效率,通常需要500摄氏度左右的高温加热来提高它们的电子迁移率,这提高了电池制备成本且不适用于一些不耐高温的柔性衬底,研究者们希望降低电子传输层材料处理温度,同时保持高透过率和强导电性。
激光退火是一种在非晶硅领域常用的退火手段,相比于传统热处理,具有耗时短,晶化彻底,对基底伤害小等特点,通过激光退火处理氧化物半导体能进一步提高其光电性能。
发明内容
本发明技术解决问题:针对上述现有技术中存在的不足,提供一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的方法,在低温条件下,使用激光退火处理,在硬质及柔性衬底上获得光学和电学性能优良的半导体氧化物薄膜,有效地运用到钙钛矿太阳能电池中,有效降低提高电子传输层的处理温度,提高电池的光电转换效率。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:如图1所示,一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的方法,实现步骤如下:
(1)将FTO/ITO玻璃衬底、PI/PEN柔性衬底依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗,吹干备用;
(2)在FTO/ITO玻璃衬底、PI/PEN柔性衬底上使用磁控溅射法或旋涂法制备ZnO、AZO、GZO、TiO2及SnO2薄膜,真空保存备用;
(3)使用紫外激光对制备的薄膜进行脉冲轰击处理;
(4)将步骤(3)处理后的薄膜作为电子传输层,运用在钙钛矿太阳能电池中。
所述步骤(2)使用交流磁控溅射沉积ZnO,AZO,GZO,TiO2,SnO2薄膜的方法为:靶材与基底的距离为4-7厘米,工作过程中先依次使用机械泵,分子泵将腔体内真空抽至3-9×10-4帕,接着通入氩气,气流量为30-40毫升/分钟,通入5-10分钟后,将工作气压调整至0.2-1帕,预溅射10-20分钟后开始在基底上沉积薄膜,沉积时间为3-5分钟。沉积完成后取出,薄膜厚度为20-200纳米,放置真空干燥箱保存。
所述的旋涂法制备薄膜的方法,其特征在于:制备TiO2胶体,将200-400微升的异丙醇钛滴至2-3毫升的乙醇中,搅拌待用,记为溶液A;将20-50微升的1-3摩尔/升的盐酸溶液混入2-3毫升的乙醇中,搅拌待用,记为溶液B;在溶液A搅拌过程中,缓慢滴入B溶液,滴加完毕后,继续搅拌2-3小时,获得混合溶液;将混合溶液用0.22微米的过滤器过滤,并密封保存;在手套箱内使用匀胶机旋涂TiO2薄膜,转速为2000-4000转/分钟,旋涂20-50秒,随后100-150摄氏度热处理0.5-1小时,薄膜厚度为30-60纳米,真空保存。制备ZnO胶体,将0.5-2克的醋酸锌加入5-40毫升的乙二醇甲醚中,搅拌至完全溶解,再缓慢滴加0.2-1毫升的乙醇胺,搅拌1小时,用0.22微米的过滤器过滤后,放置具塞试管中,陈化12-48小时。滴加50-100微升的胶体溶液至基底上,手套箱中完成旋涂,转速3000-5000转/分钟,旋涂20-50秒,随后150-180摄氏度加热1-2小时,该过程重复1-3次,获得ZnO薄膜,薄膜厚度为30-90纳米左右。
所述步骤(3)使用的紫外激光采用308纳米,248纳米,及355纳米激光,单脉冲激光能量大小为20-1000mJ,脉冲频率为1-50赫兹,处理激光脉冲数为1-200。
所述步骤(2)中ZnO、AZO、GZO、TiO2及SnO2薄膜可以采用磁控溅射制备,也可以用旋涂法制备。
本发明与现有技术相比具有以下优点:
(1)本发明利用激光退火处理氧化物半导体薄膜,避免了高温制备,整个制备过程在室温及柔性衬底上进行。
(2)本发明利用激光退火处理半导体氧化物薄膜,有效地降低了薄膜的电阻率1到4个数量级;薄膜的透过率提升5至10%。
(3)本发明中利用激光退火处理过的ZnO、Al掺杂的ZnO、Ga掺杂的ZnO薄膜,以及TiO2薄膜作为电子传输层对应的钙钛矿太阳能电池效率较之未处理和高温处理的薄膜更高,开路电压和短路电流密度得到提高。
附图说明
图1为本发明的工艺流程图;
图2为本发明GZO薄膜经过不同处理下的X射线衍射结果;
图3为本发明GZO薄膜经过不同处理下的方块电阻变化,包括a,b两个部分;
图4为本发明GZO不同处理条件下作为电子传输层钙钛矿太阳能电池的电流-电压曲线。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例详细介绍本发明。但以下的实施例仅限于解释本发明,本发明的保护范围应包括权利要求的全部内容,不仅仅限于本实施例。
实施例1
(1)将FTO玻璃衬底依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗,吹干备用;
(2)磁控溅射制备GZO薄膜,衬底与GZO靶材(Ga掺杂原子百分比为5%)的间距为6厘米,工作过程中先依次使用机械泵,分子泵将腔体内真空抽至4×10-4帕,接着通入气流量为40毫升/分钟的氩气,通入10分钟后,将工作气压调整至0.6帕,预溅射10分钟后开始在基底上沉积薄膜,沉积时间为3分钟。沉积完成后取出,薄膜厚度为36纳米左右,放置真空干燥箱保存;
(3)采用308纳米XeCl紫外激光器处理薄膜,辐射激光能量大小为200毫焦,处理GZO薄膜的能量密度大小分别为60,75,90,105毫焦/平方厘米,脉冲频率为1赫兹,每组处理激光脉冲数分别为1,5,10,20。不同条件处理后(热处理,90毫焦/平方厘米激光作用20个脉冲及无处理)薄膜的X射线衍射结果如图2所示,可见,GZO薄膜的X射线衍射特征峰在经过激光处理和热处理后得到提高,且经过激光处理过的更加明显,这说明经过激光退火处理后的薄膜结晶性优于热处理薄膜的结晶性。不同能量密度下一个脉冲及90毫焦/平方厘米能量密度下不同脉冲数处理后薄膜的方块电阻变化如图3中的a,b所示。经过处理后的薄膜电阻都有所降低,其中90毫焦/平方厘米的激光作用20个脉冲的电阻降低至最小,方块电阻为5.43千欧/□,较之未处理的薄膜45.56×103千欧/□,降低了4个数量级;
(4)钙钛矿太阳能电池的方法为:制备1摩尔/升的碘化铅(PbI2)溶液,70摄氏度搅拌2小时;制备10毫克/毫升碘甲胺(CH3NH3I)溶液,搅拌2小时;制备72.3毫克/毫升的Sprio-OMeTAD溶液,滴加2.9%的300毫克/毫升的Co(III)盐的乙腈溶液。滴加2.85%的4叔丁基吡啶,1.75%的520毫克/毫升的LITFSI乙腈溶液,搅拌3小时;在手套箱中(湿度控制在5-10%)使用两步法完成FTO基底GZO上钙钛矿层的制备,首先,滴加50微升的PbI2溶液在薄膜表面,3000转/分钟旋涂18秒后6000转/分钟旋涂30秒,手套箱中放置18分钟后130摄氏度加热5分钟,随后继续滴加100微升CH3NH3I溶液,放置20秒后3000转/分钟旋涂30秒,立即100摄氏度加热5分钟;滴加30微升的Spiro-OMeTAD溶液,4000转/分钟旋涂30秒制备空穴传输层,再在真空下蒸镀80纳米厚的金电极,完成电池的制备。不同电子传输层制备电池的经100毫瓦/平方厘米的模拟太阳光照射下的电流-电压曲线,如图4所示,薄膜经过紫外激光退火处理后对应的电池短路电流密度相比未处理GZO薄膜(13.82毫安/平方厘米)及热处理GZO薄膜(15.93毫安/平方厘米)提升至17.06毫安/平方厘米,开路电压相比未处理GZO薄膜(0.907伏)及热处理GZO薄膜(0.993伏)提升至1.01伏,效率提升相比未处理GZO薄膜(7.36%)及热处理GZO薄膜(10.07%)提升至11.25%。
实施例2
(1)将FTO玻璃衬底依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗,吹干备用;
(2)磁控溅射制备AZO薄膜,衬底与GZO靶材(Al掺杂原子百分比为5%)的间距为6厘米,工作过程中先依次使用机械泵,分子泵将腔体内真空抽至5×10-4帕,接着通入气流量为3毫升/分钟的氩气,通入10分钟后,将工作气压调整至0.4帕,预溅射10分钟后开始在基底上沉积薄膜,沉积时间为3分钟。沉积完成后取出,薄膜厚度为45纳米左右,放置真空干燥箱保存;
(3)采用308纳米XeCl紫外激光器处理薄膜,辐射激光能量大小为200毫焦,处理GZO薄膜的能量密度大小分别为60,75,90,105毫焦/平方厘米,脉冲频率为1赫兹,每组处理激光脉冲数分别为1,5,10,20。
实施例3
(1)将FTO玻璃基底和PEN柔性基底依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗,吹干备用;
(2)将1.772克的醋酸锌加入20毫升的乙二醇甲醚中,搅拌至完全溶解,再缓慢滴加0.486毫升的乙醇胺,搅拌1小时,用0.22微米的过滤器过滤后,放置具塞试管中,陈化48小时。滴加100微升的胶体溶液至基底上,手套箱中完成旋涂,转速3000转/分钟,旋涂45秒,随后150摄氏度加热1小时,该过程重复3次,获得ZnO薄膜,薄膜厚度为90纳米左右;
(3)使用248纳米激光器处理ZnO薄膜,处理的能量密度分别为100毫焦/平方厘米,150毫焦平方厘米,200毫焦/平方厘米脉冲数分别为1,5,10,20。
实施例4
(1)将FTO玻璃基底和PEN柔性基底依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗,吹干备用;
(2)使用旋涂法制备TiO2薄膜,先制备胶体,将380微升的异丙醇钛滴至2.53毫升的乙醇中,搅拌待用,记为溶液A;将35微升的2摩尔/升的盐酸溶液混入2.53毫升的乙醇中,搅拌待用,记为溶液B;在溶液A搅拌过程中,缓慢滴入B溶液,滴加完毕后,继续搅拌3小时,获得混合溶液;将混合溶液用0.22微米的过滤器过滤,并密封保存;在手套箱内使用匀胶机旋涂TiO2薄膜,滴加80微升的溶液至基底上,转速为3000转/分钟,旋涂45秒,随后150摄氏度热处理1小时,薄膜厚度为45纳米,方块电阻为35.72千欧/□,真空保存;
(3)使用248纳米激光器处理TiO2薄膜,处理的能量密度分别为200毫焦/平方厘米,250毫焦/平方厘米,300毫焦/平方厘米脉冲数分别为1,5,10,20。
实施例5
(1)将FTO玻璃基底和PEN柔性基底依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗,吹干备用;
(2)使用交流磁控溅射在FTO基底上制备TiO2薄膜,衬底与TiO2靶材的间距为6厘米,工作过程中先依次使用机械泵,分子泵将腔体内真空抽至6×10-4帕,接着通入气流量为40毫升/分钟的氩气,通入10分钟后,将工作气压调整至0.8帕,预溅射10分钟后开始在基底上沉积薄膜,沉积时间为3分钟。沉积完成后取出,薄膜厚度为45纳米,放置真空干燥箱保存;
(3)采用308纳米XeCl紫外激光器处理薄膜,辐射激光能量大小为200毫焦,处理TiO2薄膜的能量密度大小分别为100,150,200毫焦/平方厘米,脉冲频率为1赫兹,每组处理激光脉冲数分别为1,5,10,20。
总之,本发明采用的衬底可选择硬性衬底如氧化铟锡(ITO),掺氟氧化锡(FTO),柔性衬底如聚酰亚胺(PI)及聚对萘二乙酸乙二醇酯(PEN)等。电子传输层可选择氧化锌(ZnO)、氧化钛(TiO2)、Al掺杂的ZnO(AZO)、Ga掺杂的ZnO(GZO)、氧化锡(SnO2)等薄膜,其制备方法可采用磁控溅射法,旋涂法。激光退火处理使用包括308纳米、248纳米、355纳米等紫外激光。处理后的薄膜光学和电学性能得到改善,将其作为电子传输层运用在钙钛矿太阳能电池中,可有效降低提高电子传输层的处理温度,提高电池的光电转换效率。
需要说明的是,按照本发明上述各实施例,本领域技术人员是完全可以实现本发明独立权利要求及从属权利的全部范围的,实现过程及方法同上述各实施例;且本发明未详细阐述部分属于本领域公知技术。
以上所述,仅为本发明部分具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本领域的人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的方法,其特征在于实现步骤如下:
(1)将FTO/ITO玻璃衬底、PI/PEN柔性衬底依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗,吹干备用;
(2)在FTO/ITO玻璃衬底、PI/PEN柔性衬底上使用磁控溅射法或旋涂法制备ZnO、AZO、GZO、TiO2及SnO2薄膜,真空保存备用;
(3)使用紫外激光对制备的薄膜进行脉冲轰击处理;
(4)将步骤(3)处理后的薄膜作为电子传输层,运用在钙钛矿太阳能电池中。
2.根据权利要求1所述的一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的方法,其特征在于:所述步骤(2)中,采用磁控溅射法制备ZnO、AZO、GZO、TiO2及SnO2薄膜的方法为:靶材与基底的距离为4-7厘米,工作过程中先依次使用机械泵、分子泵将腔体内真空抽至3-9×10-4帕,接着通入氩气,气流量为30-40毫升/分钟,通入5-10分钟后,将工作气压调整至0.2-1帕,预溅射10-20分钟后开始在基底上沉积薄膜,沉积时间为3-5分钟,沉积完成后取出,薄膜厚度为20-200纳米,放置真空干燥箱保存。
3.根据权利要求1所述的一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的方法,其特征在于:所述步骤(2)中,所述旋涂法制备薄膜的方法为:TiO2薄膜,将200-400微升的异丙醇钛滴至2-3毫升的乙醇中,搅拌待用,记为溶液A;将20-50微升的1-3摩尔/升的盐酸溶液混入2-3毫升的乙醇中,搅拌待用,记为溶液B;在溶液A搅拌过程中,缓慢滴入B溶液,滴加完毕后,继续搅拌2-3小时,获得混合溶液;将混合溶液用过滤器过滤,并密封保存;在手套箱内使用匀胶机旋涂TiO2薄膜,转速为2000-4000转/分钟,旋涂20-50秒,随后100-150摄氏度热处理0.5-1小时,薄膜厚度为30-60纳米,真空保存;制备ZnO薄膜,将0.5-2克的醋酸锌加入5-40毫升的乙二醇甲醚中,搅拌至完全溶解,再缓慢滴加0.2-1毫升的乙醇胺,搅拌1小时,用0.22微米的过滤器过滤后,放置具塞试管中,陈化12-48小时,滴加50-100微升的胶体溶液至基底上,手套箱中完成旋涂,转速3000-5000转/分钟,旋涂20-50秒,随后150-180摄氏度加热1-2小时,该过程重复1-3次,获得ZnO薄膜,薄膜厚度为30-90纳米。
4.根据权利要求1所述的一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的方法,其特征在于:所述步骤(3)中,紫外激光采用308纳米,248纳米,及355纳米激光,单脉冲激光能量大小为20-1000mJ,脉冲频率为1-50赫兹,处理激光脉冲数为1-200。
5.根据权利要求1所述的一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的方法,其特征在于:所述步骤(2)中ZnO、AZO、GZO、TiO2及SnO2薄膜可以采用磁控溅射制备,也可以用旋涂法制备。
CN201611094991.XA 2016-12-02 2016-12-02 一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的方法 Pending CN106935704A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611094991.XA CN106935704A (zh) 2016-12-02 2016-12-02 一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611094991.XA CN106935704A (zh) 2016-12-02 2016-12-02 一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106935704A true CN106935704A (zh) 2017-07-07

Family

ID=59444655

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611094991.XA Pending CN106935704A (zh) 2016-12-02 2016-12-02 一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106935704A (zh)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107394044A (zh) * 2017-07-10 2017-11-24 陕西师范大学 一种高性能透明导电电极和电子传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN108091765A (zh) * 2017-12-26 2018-05-29 福建江夏学院 一种利用激光辐照制备钙钛矿太阳电池电子传输层的方法
CN108198939A (zh) * 2017-12-15 2018-06-22 浙江海洋大学 一种基于多层掺杂镁铝的氧化锌复合薄膜作为电子传输层的有机太阳能电池
CN108232017A (zh) * 2017-12-13 2018-06-29 河南大学 一种低温高效的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN108807694A (zh) * 2018-05-25 2018-11-13 河南大学 一种超低温稳定的平板钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN110277498A (zh) * 2019-06-10 2019-09-24 储天新能源科技(长春)有限公司 一种高效率钙钛矿电池的制备方法
CN110739401A (zh) * 2019-10-18 2020-01-31 信阳师范学院 一种提高钙钛矿薄膜太阳能电池光电转换效率的方法
CN112490363A (zh) * 2020-11-26 2021-03-12 合肥工业大学 一种基于磁控溅射氧化锌/二氧化锡双电子传输层的钙钛矿太阳能电池制备方法
CN113130786A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 发光二极管及其制备方法
CN113421970A (zh) * 2021-06-22 2021-09-21 河南大学 一种HCl改性二氧化锡作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
WO2022143438A1 (zh) * 2020-12-30 2022-07-07 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管器件及其制备方法
WO2022143566A1 (zh) * 2020-12-31 2022-07-07 Tcl科技集团股份有限公司 发光器件及其制备方法
CN115843187A (zh) * 2022-12-16 2023-03-24 杭纳半导体装备(杭州)有限公司 一种复合电子传输层及其制备方法和一种太阳能电池及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103065972A (zh) * 2012-12-28 2013-04-24 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种金属氧化物半导体薄膜及其制备方法与应用
CN103074593A (zh) * 2012-12-28 2013-05-01 中国科学院安徽光学精密机械研究所 一种利用准分子激光提高柔性azo薄膜光电性能的方法
CN104638108A (zh) * 2015-01-23 2015-05-20 华东师范大学 一种修饰型电子传输层及钙钛矿太阳能电池
CN105576150A (zh) * 2015-12-22 2016-05-11 成都新柯力化工科技有限公司 一种量子点尺寸梯度变化的钙钛矿型太阳能电池及制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103065972A (zh) * 2012-12-28 2013-04-24 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种金属氧化物半导体薄膜及其制备方法与应用
CN103074593A (zh) * 2012-12-28 2013-05-01 中国科学院安徽光学精密机械研究所 一种利用准分子激光提高柔性azo薄膜光电性能的方法
CN104638108A (zh) * 2015-01-23 2015-05-20 华东师范大学 一种修饰型电子传输层及钙钛矿太阳能电池
CN105576150A (zh) * 2015-12-22 2016-05-11 成都新柯力化工科技有限公司 一种量子点尺寸梯度变化的钙钛矿型太阳能电池及制备方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107394044B (zh) * 2017-07-10 2020-03-31 陕西师范大学 一种导电电极和电子传输层的钙钛矿太阳电池及制备方法
CN107394044A (zh) * 2017-07-10 2017-11-24 陕西师范大学 一种高性能透明导电电极和电子传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN108232017A (zh) * 2017-12-13 2018-06-29 河南大学 一种低温高效的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN108198939A (zh) * 2017-12-15 2018-06-22 浙江海洋大学 一种基于多层掺杂镁铝的氧化锌复合薄膜作为电子传输层的有机太阳能电池
CN108198939B (zh) * 2017-12-15 2021-06-18 浙江海洋大学 一种基于多层掺杂镁铝的氧化锌复合薄膜作为电子传输层的有机太阳能电池
CN108091765A (zh) * 2017-12-26 2018-05-29 福建江夏学院 一种利用激光辐照制备钙钛矿太阳电池电子传输层的方法
CN108807694A (zh) * 2018-05-25 2018-11-13 河南大学 一种超低温稳定的平板钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN110277498B (zh) * 2019-06-10 2022-08-02 储天新能源科技(长春)有限公司 一种钙钛矿电池的制备方法
CN110277498A (zh) * 2019-06-10 2019-09-24 储天新能源科技(长春)有限公司 一种高效率钙钛矿电池的制备方法
CN110739401A (zh) * 2019-10-18 2020-01-31 信阳师范学院 一种提高钙钛矿薄膜太阳能电池光电转换效率的方法
CN113130786A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 发光二极管及其制备方法
CN112490363A (zh) * 2020-11-26 2021-03-12 合肥工业大学 一种基于磁控溅射氧化锌/二氧化锡双电子传输层的钙钛矿太阳能电池制备方法
CN112490363B (zh) * 2020-11-26 2022-12-20 合肥工业大学 一种基于磁控溅射氧化锌/二氧化锡双电子传输层的钙钛矿太阳能电池制备方法
WO2022143438A1 (zh) * 2020-12-30 2022-07-07 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管器件及其制备方法
WO2022143566A1 (zh) * 2020-12-31 2022-07-07 Tcl科技集团股份有限公司 发光器件及其制备方法
CN113421970A (zh) * 2021-06-22 2021-09-21 河南大学 一种HCl改性二氧化锡作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN115843187A (zh) * 2022-12-16 2023-03-24 杭纳半导体装备(杭州)有限公司 一种复合电子传输层及其制备方法和一种太阳能电池及其制备方法
CN115843187B (zh) * 2022-12-16 2023-10-03 杭纳半导体装备(杭州)有限公司 一种复合电子传输层及其制备方法和一种太阳能电池及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106935704A (zh) 一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的方法
CN100481561C (zh) 一种提高聚合物薄膜太阳能电池效率的溶剂处理方法
Huang et al. Enhancing optical and electrical properties of Al-doped ZnO coated polyethylene terephthalate substrates by laser annealing using overlap rate controlling strategy
WO2018028244A1 (zh) 一种透明导电薄膜及其制备方法和应用
CN105552236B (zh) 一种钙钛矿太阳电池及其制备方法
Li et al. Surface morphology and photoelectric properties of fluorine-doped tin oxide thin films irradiated with 532 nm nanosecond laser
Hirahara et al. Preparation of Al-doped ZnO thin films as transparent conductive substrate in dye-sensitized solar cell
CN105895807B (zh) 一种掺杂TiO2薄膜的制备方法
CN108807681B (zh) 一种基于低温二氧化钛纳米棒的钙钛矿太阳能电池
CN107887510A (zh) 一种二维层状钙钛矿薄膜、太阳能电池及其制备方法
CN109326715A (zh) 一种p-i-n型钙钛矿太阳能电池及其制造方法
CN103746077A (zh) 一种有机无机复合的太阳能电池及其制备方法
CN108101381A (zh) 一种铋基卤化物钙钛矿纳米片及其制备方法
CN108011046A (zh) 一种钙钛矿表面原位法生长钙钛矿纳米线的方法及一种钙钛矿太阳能电池
CN113314672A (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN110112301A (zh) 一种调控钙钛矿层晶体生长的方法及其在太阳能电池中的应用
CN109285640A (zh) 一种透明导电薄膜及其制备方法和应用
CN108232017A (zh) 一种低温高效的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN101419867B (zh) 一种染料敏化太阳能电池的纳米复合电极的制备方法
CN108767120A (zh) 一种利用碳量子点制备钙钛矿薄膜的方法及太阳能电池
CN107946459A (zh) 一种氧化物忆阻器的全溶液制备方法
CN103022077A (zh) 一种含氧化物薄膜晶体管的oled装置
CN103178211B (zh) MoO3/MoS2复合薄膜作为阳极界面层的有机太阳能电池及其制备方法
CN110246926A (zh) 一种制备全无机钙钛矿太阳能电池的磁控溅射方法
CN106972064A (zh) 复合薄膜结构光伏器件及制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170707