CN113314672A - 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种钙钛矿太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域，从下到上包括基底层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、背电极层。其中空穴传输层为具有各向异性晶面单元的单晶氧化亚铜薄膜，吸光层为低缺陷的钙钛矿材料，电子传输层为具有氧缺陷的二氧化钛，背电极采用透明氧化物导电薄膜代替传统金属电极。本发明的有益效果为，具有良好的能带匹配特性，通过各向异性晶面单元实现了红外热能至电能的转换，降低制造成本的同时，提高了器件的效率与稳定性。

Description

一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体地说，是一种具有红外热电转换能力的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。

背景技术

目前能源和环境污染问题日趋严峻，人类对可再生能源需求越来越大。钙钛矿因为其优异的光电性能，如高吸收系数、高载流子迁移率、低激子结合能、可调的直接带隙、制备工艺简单等优点备受关注，钙钛矿太阳能电池的转换效率从2009年的3.8％提高到2021年的25.5％，钙钛矿太阳能电池(PSCs)成为最有前途的新一代光伏器件之一，应用前景十分广阔。

钙钛矿太阳能电池包括基底、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层和光电阴极。在经典钙钛矿太阳能电池中，近太阳光总能量50％的红外光无法被钙钛矿太阳能电池所有效利用，限制了钙钛矿电池光电转换效率进一步提高。目前，突破该壁垒的技术手段主要局限于在电子传输层和钙钛矿吸光层之间添加上转换材料如申请号为CN202010860888.1的专利。一般用来作为空穴传输层的Spiro-OMeTAD、PTAA、P3HT、PEDOT:PSS等材料存在价格昂贵、载流子迁移率低、电导率低和稳定性差等缺点(CN202011350731.0、CN201911306520.4、CN201810898511.8和CN202010889313.2)；钙钛矿吸光层存在的晶面和表面缺陷，以及界面接触问题导致钙钛矿太阳能电池效率低和稳定性差的问题，常采用“反溶剂”来制备钙钛矿太阳能电池，但工艺复杂，难以控制(CN201910082871.5)；二氧化钛(n-TiO₂)作为钙钛矿太阳能电池的代表性电子传输层(CN201711076827.0)，其载流子密度(～10¹⁹cm^-3)和迁移率(10^-5～10^-6cm²/V·s)相对较低，阻碍了钙钛矿太阳能电池光电转换效率的进一步改善；价格昂贵的金、银等金属一般用来制备背电极(CN201910992919.6)；钙钛矿电池在长期工作中由于接触水分、氧气和光照等不利因素导致钙钛矿分解，降低钙钛矿太阳能电池的效率和稳定性，对组件进行封装可以有效避免这个问题，但传统的钙钛矿封装技术成本较高、实施复杂且难以大规模实际运用阻碍了钙钛矿太阳能电池的进一步发展。

申请号为CN202010882678.2，名称为“基于空位钙钛矿材料的太阳能电池及制备方法”公开了一种太阳能电池，其包括金属电极、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层和ITO/FTO，其中空穴传输层采用了Spiro-OMeTAD材料，电子传输层可采用多晶半导体。其中Spiro-OMeTAD为传统聚合物空穴传输层，具有价格高昂(单克价格超过一千元人民币)，稳定性差等问题，而多晶半导体具有晶界多、无格则、无定向、阻抗大等缺陷。因此，采用上述技术研发的钙钛矿太阳能电池极易产生转换效率低、稳定性差等技术隐患；此外，钙钛矿材料的普遍吸收极限在800nm左右，无法有效吸收红外光。

发明内容

解决的技术问题：

本发明提供了一种具有红外热转换能力的钙钛矿太阳能电池的结构与制备方法，为解决传统钙钛矿太阳能电池红外辐射利用利率低、空穴传输层材料价格高、稳定性差的问题，通过原位生长具有各向异性晶面单元的单晶氧化亚铜空穴传输层，取代了传统有机空穴传输层，利用不同晶面间的能量差异，将部分红外热能转化为电能，提高了对太阳光中的红外辐射的利用率，在提高空穴迁移率、导电性和器件稳定性的同时降低了制造成本。为了解决太阳能电池钙钛矿吸光层缺陷多、光电转化效率不高的问题，采用低缺陷状态的钙钛矿涂层作为太阳能电池的吸光层，降低了钙钛矿太阳能电池迟滞效应的影响。同时，将具有氧缺陷的二氧化钛作为电子传输层，提高了电子迁移率，采用透明氧化物导电薄膜代替传统金属背电极，增加了入射光子数，减少了载流子迁移距离，并且对器件进行封装，提高了器件稳定性，延缓了其失活时间。

技术方案：

一种钙钛矿太阳能电池，其基底层、空穴传输层、吸光层、电子传输层和背电极层自下而上依次叠层设置，述电子传输层为采用磁控溅射法制备的氧缺陷型二氧化钛；所述氧缺陷型二氧化钛n-TiO_2-x中x的取值范围为0.01～0.2。

优选的，所述各向异性晶面单元的镀层为氧化亚铜单晶薄膜。

优选的，空穴传输层的厚度为50～500nm。

优选的，所述氧化亚铜单晶薄膜为四棱锥形貌的单晶薄膜，其上表面为暴露的{111}晶面，底部暴露为{100}晶面。

优选的，n-TiO_2-x中x的取值为0.01～0.2。

优选的，电子传输层的厚度优选10～150nm。

优选的，低缺陷状态的碘铅甲胺，制备过程中甲基碘化铵与碘化铅的摩尔比大于1。

一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：基底预处理；采用纳米金刚石浆料和羊毛抛光垫对基底表面进行抛光，依次用丙酮和乙醇超声清洗，去除表面杂质，并用高压氩气干燥备用；

步骤2：空穴传输层的定向生长；配制铜离子溶液，调节pH，通过电化学沉积法原位定向生长具有晶面取向特性的单晶氧化亚铜空穴传输层；

步骤3：钙钛矿层的涂覆；采用添加过量甲基碘化铵配置钙钛矿前驱体溶，采用一步旋涂法、刮涂法、提拉法或喷涂法涂覆钙钛矿层；

步骤4：磁控溅射缺氧型二氧化钛电子传输层；

步骤5：采用物理气相沉积制备太阳能电池背电极；

步骤6：采用疏水性聚合物对钙钛矿太阳能电池进行封装。

本发明的有益效果：本发明通过采用定向生长的具有各向异性晶面单元的单晶氧化亚铜薄膜作为空穴传输层，过量甲基碘化铵配置的前驱体溶液，通过一步旋涂法、刮涂法、提拉法或喷涂法制备的钙钛矿吸光层，缺氧型二氧化钛为电子传输层，透明导电氧化物作背电极，通过疏水性聚合物对钙钛矿太阳能电池进行封装。钙钛矿太阳能电池器件具有红外热电转换能力，稳定性提高且可大规模应用，具有操作简单、成本低廉等明显优点；本发明的电子传输层电子提取与运输性能明显提高，比传统二氧化钛薄膜大四个数量级左右，使光生电子更有效的吸引到缺氧型二氧化钛(n-TiO_2-x)电子传输层；本发明的电子传输层产生了明显的增益性效果，包括：填充因子上升、短路电流上升、转换效率上升等；不同于以往酸洗技术只能对表层半导体进行缺氧化处理，本发明采用的磁控溅射技术可以使缺氧二氧化钛形成均匀、致密、整体缺氧的n-TiO_2-x薄膜，同时薄膜中的缺氧浓度可以精准控制。n-TiO_2-x薄膜中x的取值范围为0.01～0.2，当x小于0.01时，由于缺氧浓度过低，晶体结构与半导体性质逐渐向本征TiO2靠近。当x大于0.2时，缺氧浓度过高，会造成晶体结构的破坏，致使破坏器件的整体性能。

附图说明

图1为本发明的钙钛矿太阳能电池结构示意图；

图2为本发明采用的空穴传输层扫描电镜照片；

图3为本发明的低缺陷钙钛矿层与普通钙钛矿层的电子显微镜、X射线衍射谱、阻抗谱对比图，其中(a)为MAI不足，(b)为MAI等量；(c)为MAI过量；

图4为本发明的钙钛矿太阳能电池的电流-电压测试曲线。

其中：1-基底层，2-氧化亚铜空穴传输层，3-钙钛矿吸光层，4-缺氧型二氧化钛电子传输层，5-背电极层。

具体实施方式

本发明提供一种具有红外热电转换功能的钙钛矿太阳能电池及其组件的制备方法。为使本发明的目的、技术方案和效果更加清楚明白，以下结合具体实施例，对本发明进一步详细说明。

实施例1：

用纳米金刚石浆料和相对柔软的羊毛抛光垫对尺寸为2×2cm²，厚度为1.1mm的ITO(7Ω/cm)镀膜玻璃基板进行预抛光，然后分别用去污粉、丙酮、乙醇、去离子水在超声波清洗下清洗10min，除去表面有机和无机杂质，然后用高压氩气干燥。将1.2g硫酸铜、10ml乳酸钠和0.152g四硼酸钠溶解于40ml去离子水溶液中，磁力搅拌直至充分溶解，逐步滴加浓度为1M的氢氧化钠溶液，使镀液pH调至8.5。使用带温度探头的水浴将浴温维持在20℃，以导电玻璃为负极，金属铂电极为正极，施加1.2V恒电压电沉积，随后，用去离子水反复冲洗氧化亚铜薄膜，在高压氩气气流中快速干燥。最终获得了沿{100}方向生长具有各向异性晶面单元与红外热转换功能的单晶氧化亚铜薄膜，从扫描显微镜照片可以看出，该薄膜表面由无数四棱锥构成，每个四棱锥暴露4个{111}晶面。

采用了一步旋涂法制备钙钛矿层。将甲基碘化铵(CH₃NH₃I)和碘化铅(PbI₂)按摩尔比按1.05:1溶解在N,N-二甲基甲酰胺/二甲基亚砜(7:3v/v)混合溶剂中，制得浓度为1M的混合卤化物钙钛矿前驱体溶液。直接旋涂在氧化亚铜单晶薄膜表面，转速为4000rpm，旋涂5s，期间加入氯苯作为抗溶剂促进钙钛矿材料的结晶与晶型转变。在100℃加热5min，将浅黄色透明膜转变为褐黑色的钙钛矿型薄膜。

真空室在沉积前被预抽到1.0×10^-4Pa的基压，以高纯氩气为工作气体，使用直径为50mm的n-TiO_2-x靶(纯度：99.99％)在0.3Pa的恒定工作压力下用直流磁控溅射仪沉积20nm厚的n-TiO_2-x电子传输层。

真空室在沉积前被预抽到1.0×10^-4Pa的基压，以高纯氩气为工作气体，使用直径为50mm的FTO靶(纯度：99.99％)在0.3Pa的恒定工作压力下用直流磁控溅射仪沉积50nm厚的FTO光电阴极。

在150℃下加热EVA薄膜，使EVA聚合，并在氩气气氛下将EVA膜和钙钛矿电池模块粘合在一起，以防止湿气和大气环境对钙钛矿太阳能电池的破坏。

实施例2：

为制备柔性钙钛矿太阳能电池。分别采用去污粉、丙酮、乙醇、去离子水在超声波清洗下对20×30cm²软质聚碳酸酯(PC)基板清洗10min，除去表面有机和无机杂质，然后用高压氩气干燥。

真空室在沉积前被预抽到1.0×10^-4Pa的基压，以高纯氩气为工作气体，使用直径为50mm的ITO靶(纯度：99.99％)在0.3Pa的恒定工作压力下用直流磁控溅射仪沉积ITO导电层。

将1.2g硫酸铜、10ml乳酸钠和0.152g四硼酸钠溶解于40ml去离子水溶液中，磁力搅拌直至充分溶解，逐步滴加浓度为1M的氢氧化钠溶液，使镀液pH调至8.5。使用带温度探头的水浴将浴温维持在20℃，以导电玻璃为负极，金属铂电极为正极，施加1.2V恒电压电沉积，随后，用去离子水反复冲洗氧化亚铜薄膜，在高压氩气气流中快速干燥。最终获得了沿{100}方向生长的单晶氧化亚铜薄膜，从扫描显微镜照片可以看出，该薄膜表面由无数四棱锥构成，每个四棱锥暴露4个{111}晶面。

采用了喷涂法制备钙钛矿层。将甲基碘化铵(CH₃NH₃I)和碘化铅(PbI₂)按CH₃NH₃I和PbI₂按1.2:1的摩尔比溶解在N,N-二甲基甲酰胺/二甲基亚砜(9:1v/v)混合溶剂中，制得浓度为0.8M的混合卤化物钙钛矿前驱体溶液。采用喷枪喷涂在氧化亚铜单晶薄膜表面喷涂5s，期间加入苯甲酸甲酯作为抗溶剂促进钙钛矿材料的结晶与晶型转变。在120℃加热5min，将浅黄色透明膜转变为褐黑色的钙钛矿型薄膜。

真空室在沉积前被预抽到1.0×10^-4Pa的基压，以高纯氩气为工作气体，使用直径为50mm的n-TiO_2-x靶(纯度：99.99％)在0.3Pa的恒定工作压力下用直流磁控溅射仪沉积n-TiO_2-x电子传输层。

采用真空蒸镀法制备太阳能电池光电阴极。真空室在沉积前被预抽到1.0×10^-4Pa的基压，使用直径2mm的Ag靶(纯度：99.99％)，施加直流电压，使其蒸发至电子传输层表面，制备Ag光电阴极。

将粘性氨酯丙烯酸酯(UA)滴在光电阴极表面，高速旋转(>10000rpm)，然后将样品放在大功率紫外灯下，旋涂的单体UA膜聚合形成固体聚氨酯丙烯酸酯(PUA)对电池进行封装，以防止湿气和大气环境对钙钛矿太阳能电池的破坏。

实施例3：

对尺寸为2×2cm²，厚度为1.1mm的ITO(7Ω/cm)镀膜玻璃基板进行预抛光，然后分别用去污粉、丙酮、乙醇、去离子水在超声波清洗下清洗10min，除去表面有机和无机杂质，然后用高压氩气干燥。

真空室在沉积前被预抽到1.0×10^-4Pa的基压，以高纯氩气为工作气体，使用直径为50mm的n-TiO_2-x靶(纯度：99.99％)在0.3Pa的恒定工作压力下用直流磁控溅射仪沉积30nm厚的n-TiO_2-x电子传输层。

采用刮涂法制备了钙钛矿吸光层，将甲基碘化铵(CH₃NH₃I)和碘化铅(PbI₂)按CH₃NH₃I和PbI₂按1.1:1的摩尔比溶解在N,N-二甲基甲酰胺/二甲基亚砜(8:2v/v)混合溶剂中，制得浓度为1M的混合卤化物钙钛矿前驱体溶液。喷涂在ITO/TiO_2-x衬底上，然后用气刀刮掉多余溶液，得到均匀平整的MAPbI₃前驱体薄膜。在150℃加热5min，将浅黄色透明膜转变为褐黑色的钙钛矿型薄膜。

在500μL的氯苯里添加9.9μL 0.25M的FK209-乙腈溶液、9.6μL 1.8M的Li-TFSI-乙腈溶液、14.3μL的tBP制备了85mg/mL的Spiro-OMeTAD溶液，以4000rpm的转速在钙钛矿层上旋涂30s，制备了Spiro-OMeTAD空穴传输层。

真空室在沉积前被预抽到1.0×10^-4Pa的基压，以高纯氩气为工作气体，使用直径为50mm的FTO靶(纯度：99.99％)在0.3Pa的恒定工作压力下用直流磁控溅射仪沉积FTO光电阴极。

在150℃下加热EVA薄膜，使EVA聚合，并在氩气气氛下将EVA膜和钙钛矿电池模块粘合在一起，以防止湿气和大气环境对钙钛矿太阳能电池的破坏。

本发明内容公开的一种钙钛矿太阳能电池，结构如图1所示。其中的电子传输层，如果采用传统旋涂法只能获得单一的二氧化钛(n-TiO₂)薄膜，结构与功能单一，钛氧摩尔比不能调变，使二氧化钛的物理化学性能受到极大的限制。本发明采用磁控溅射法制备了缺氧型二氧化钛(n-TiO_2-x)薄膜，可人为控制二氧化钛内部的氧缺陷浓度，并首次应用于钙钛矿太阳能电池中。与传统的二氧化钛(n-TiO₂)薄膜相比，本发明采用的缺氧型二氧化钛(n-TiO_2-x)薄膜具有更高的载流子迁移率和更高的电导率，这是传统的二氧化钛薄膜所不能达到的。如表1所示，本发明采用磁控溅射制备的缺氧型二氧化钛(n-TiO_2-x)作为电子传输层4，电子提取与运输性能明显提高，比传统二氧化钛薄膜大四个数量级左右，使光生电子更有效的吸引到缺氧型二氧化钛(n-TiO_2-x)电子传输层4。如表2所示，采用由磁控溅射制备的缺氧型二氧化钛(n-TiO_2-x)薄膜作为电子传输层4，产生了明显的增益性效果，包括：填充因子上升、短路电流上升、转换效率上升等。该缺氧型二氧化钛(n-TiO_2-x)薄膜作为电子传输层4，厚度优选为20～150nm；另外，密度泛函理论(DFT)计算证实了磁控溅射的缺氧二氧化钛(n-TiO_2-x)薄膜提供了相对于传统二氧化钛更理想的能带结构。

表1不同电子传输层的电化学特性

传统方式制备的氧化亚铜为无定向、无晶面各向异性的多晶薄膜，结构与功能单一。本发明采用电化学生长法定向生长具有各向异性晶面特性的氧化亚铜单晶薄膜，扫描电子显微镜照片如图2所示，表面暴露{111}晶面(A)，底部为{100}晶面(B)，与传统氧化亚铜薄膜具有显著的结构与性能差异，如表3所示，本发明采用的单晶氧化亚铜薄膜具有更高的空穴电导率和迁移率。本发明采用的具有各向异性晶面单元的氧化亚铜单晶薄膜具有载流子自分离、热电转换、光电转换等诸多特性与优势，也是以往多晶氧化亚铜薄膜所不具备的。在钙钛矿太阳能电池中采用该各向异性晶面单元的氧化亚铜单晶薄膜作为空穴传输层后，产生了明显的增益性效果，包括：开路电压上升、短路电流上升、转换效率上升等，如表2所示。该氧化亚铜单晶薄膜作为空穴传输层2，厚度优选为50～500nm。相较于传统Spiro-OMeTAD、PTAA、P3HT、PEDOT:PSS等有机材料，解决了空穴传输层价格高，稳定性差的问题，同时，各向异性晶面单元能够自发分离晶面间的电荷，将部分红外辐射的热能转化为电能，提高了空穴迁移率和电导率。

表2使用不同电子传输层、空穴传输层和阴极制备的太阳能电池光伏性能

光谱：AM 1.5G光谱(200＜λ＜2500nm)；p-Cu₂O ACFU：具有各向异性晶面特性的氧化亚铜

本发明采用过量甲基碘化铵(MAI)促进钙钛矿结晶，生成均匀、光滑、致密的钙钛矿薄膜，获得了极少晶体缺陷、晶体裂缝与孔洞的钙钛矿薄膜，增强了钙钛矿的光电转换能力，延缓了钙钛矿的失活时间。而传统的制备方法中，强调的是等量或少量甲基碘化铵(MAI)的制备方法，与本发明有本质不同。如图3所示，与传统比例合成的钙钛矿薄膜相比，低缺陷的钙钛矿薄膜提高了器件的结晶质量、交流阻抗并且降低了迟滞效应的影响，是以往钙钛矿薄膜所不具备的。以往获得低缺陷钙钛矿材料一般需要采用限制空间生长法，该方法耗费时间长且较难实现可控生长。本发明采用的过量MAI(MAI:PbI₂＝1.01～1.2)技术方法合成的低缺陷钙钛矿材料，通过一步旋涂法或喷涂法将钙钛矿层涂覆于空穴传输层上，钙钛矿层厚度优选为300～1200nm，很好地弥补以往技术在成本与工艺难度上的劣势。

本发明中基底(1)采用金属电极，或无机非金属导电薄膜，优选氧化铟锡导电玻璃(ITO)、掺铝氧化锌导电玻璃(AZO)、掺氟氧化锡导电玻璃(FTO)、镓掺杂氧化锌导电玻璃(GZO)、掺氧化铟锌导电玻璃(IZO)中的任一种或其组合。背电极(5)采用透明无机氧化物导电薄膜，优选掺氟氧化锡(FTO)、掺氧化铟锡(ITO)、掺铝氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、掺氧化铟锌(IZO)中的任一种，通过磁控溅射技术制备的背电极(5)，厚度优选为80～120nm。与传统金属线电极相比，无机氧化物电极避免了金属离子扩散导致钙钛矿吸光层污染和开路电压降低的可能性。该背电极代替了传统的金属线电极，增大了电极接触面积，在降低制备成本的同时减少了载流子的迁移距离，增加了入射光子数量，有助于提高器件的光电转化效率。通过疏水性聚合物对钙钛矿太阳能电池进行封装，疏水性聚合物为乙烯醋酸乙烯酯(EVA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)、热塑性聚氨酯(TPD)、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、聚丙烯(PP)中的一种或几种。

表3不同空穴传输层的电化学特性

由图4可以看出，由于太阳光谱中红外线的照射，使太阳能电池的温度从32摄氏度上升至55摄氏度，本发明公开的太阳能电池将部分热能转换为电能输出，在温度上升的同时整体能量转换效率也提升了3％，证明了其红外热电转换能力。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及优点。本领域的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。

Claims (9)

1.一种钙钛矿太阳能电池，其基底层、空穴传输层、吸光层、电子传输层和背电极层自下而上依次叠层设置，其特征在于，所述电子传输层为采用磁控溅射法制备的氧缺陷型二氧化钛；所述氧缺陷型二氧化钛n-TiO_2-x中x的取值范围为0.01~0.2。

2.根据所述权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，吸光层采用低缺陷状态的钙钛矿层。

3.根据所述权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述空穴传输层为具有各向异性晶面单元的镀层。

4.根据权利要求3所述的一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述各向异性晶面单元的镀层为氧化亚铜单晶薄膜。

5.根据权利要求4所述的一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，为了匹配空穴传输的效果与整体电阻，空穴传输层的厚度为50 ~ 500 nm。

6.根据权利要求4所述的一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述氧化亚铜单晶薄膜为四棱锥形貌的单晶薄膜，其上表面为暴露的{111}晶面，底部暴露为{100}晶面。

7.根据权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，为了实现优良的电子传输性能与透光性，电子传输层的厚度优选10~ 150 nm。

8.根据权利要求2所述的一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，低缺陷状态的钙钛矿层，制备过程中甲基碘化铵与碘化铅的摩尔比大于1。

9.根据权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：基底预处理；采用纳米金刚石浆料和羊毛抛光垫对基底表面进行抛光，依次用丙酮和乙醇超声清洗，去除表面杂质，并用高压氩气干燥备用；

步骤2：空穴传输层的定向生长；配制铜离子溶液，调节pH，通过电化学沉积法原位定向生长具有晶面取向特性的单晶氧化亚铜空穴传输层；

步骤3：钙钛矿层的涂覆；采用添加过量甲基碘化铵配置钙钛矿前驱体溶液，采用一步旋涂法、刮涂法、提拉法或喷涂法涂覆钙钛矿层；

步骤4：磁控溅射缺氧型二氧化钛电子传输层；

步骤5：采用物理气相沉积制备太阳能电池背电极；

步骤6：采用疏水性聚合物对钙钛矿太阳能电池进行封装。

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